KR20140006801A - 수지 도포 장치 및 수지 도포 방법 - Google Patents

수지 도포 장치 및 수지 도포 방법 Download PDF

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KR20140006801A
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Abstract

본 발명에 따르면, 형광체를 포함하는 수지로 LED 소자를 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지의 제조에 이용되는 수지 도포에 있어서, 수지(8)를 발광 특성 측정용으로서 시험 도포한 투광 부재(43)를 투광 부재 적재부(41)에 놓고, 상측에 배치된 광원부(45)가, 형광체를 여기하는 여기광을 발광하여 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 여기광을 상측으로부터 조사할 때, 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 측정한 후에 구한 측정 결과와, 미리 규정해 놓은 발광 특성 간의 편차를 구하며, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 LED 소자에 도포되어야 하는 수지의 적정 수지 도포량을 도출한다.

Description

수지 도포 장치 및 수지 도포 방법{A RESIN COATING DEVICE AND A RESIN COATING METHOD}
본 발명은, 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 LED 패키지 제조 시스템에 이용되는 수지 도포 장치 및 수지 도포 방법에 관한 것이다.
최근에는, 각종 조명 장치의 광원으로서, 예컨대 소비 전력이 적고 수명이 길다라고 하는 우수한 특성을 갖는 LED(발광 다이오드)가, 광범위하게 이용되고 있다. LED 소자가 발하는 기본광은, 현재는 빨강색, 초록색, 파란색의 3가지 색으로 한정되어 있기 때문에, 통상적으로 조명에 적합한 흰색광을 얻으려면, 전술한 3가지 기본광을 더하고 혼합함으로써 흰색광을 얻는 방법이나, 또는 파란색 LED와 파란색과 보색 관계에 있는 노란색의 형광을 발하는 형광체를 조합함으로써 의사-흰색광을 얻는 방법이 이용된다. 최근에는, 후자의 방법이 널리 이용되어지고 있으며, 파란색 LED와 YAG 형광체를 조합한 LED 패키지를 이용한 조명 장치가, 액정 패널의 백라이트 등에 이용되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
이 특허문헌에서는, 측벽에 반사면이 형성된 오목형의 실장부의 바닥면에 LED 소자를 실장한 후, YAG계 형광체 입자가 분산된 실장부 내에 실리콘 수지 또는 에폭시 수지를 주입하여 수지 포장부를 형성함으로써, LED 패키지를 구성한다. 수지 주입후 실장부 내에서의 수지 포장부의 높이를 균일하게 하는 것을 목적으로, 규정량 이상으로 주입된 잉여 수지를 실장부로부터 배출하여 저류하도록, 잉여 수지 저장부가 형성되어 있는 예가 기재되어 있다. 이로써, 수지 주입시에 디스펜서로부터의 토출량이 변동되더라도, LED 소자 상에는, 일정한 수지량을 갖는 규정 높이의 수지 포장부가 형성된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-66969호 공보
그러나, 전술한 종래 기술예에 있어서는, 개개의 LED 소자에 있어서의 발광 파장의 불균일에 기인하여, 완성품으로서의 LED 패키지의 발광 특성이 달라진다고 하는 문제가 있다. 즉, LED 소자는, 복수의 소자를 웨이퍼 상에 일괄적으로 세공하는 제조 프로세스를 거치게 된다. 이 제조 프로세스에서의 각종 편차 요인, 예컨대 웨이퍼에 막을 형성할 때의 조성의 불균일 등에 기인하여, 웨이퍼를 개개의 부재로 분할함으로써 얻어지는 LED 소자에 있어서, 발광 파장 등의 발광 특성에 불균일이 생기는 것은 피할 수 없다. 전술한 예에서는, LED 소자를 덮는 수지 포장부의 높이가 균일하게 설정되어 있기 때문에, 개개의 LED 소자에 있어서의 발광 파장의 불균일은, 완성품으로서의 LED 패키지의 발광 특성의 불균일로 바로 반영되고, 그 결과 특성이 품질 허용 범위에서 벗어나 있는 불량품이 증가하게 될 수 밖에 없다. 이와 같이, 종래의 LED 패키지 제조 기술에서는, 개개의 LED 소자에 있어서의 발광 파장의 불균일에 기인하여, 완성품으로서의 LED 패키지의 발광 특성이 불균일해지고, 생산 수율의 저하가 초래된다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은, LED 패키지 제조 시스템에 있어서, 개개의 LED 소자의 발광 파장이 불균일하더라도, LED 패키지의 발광 특성을 균일화하여, 생산 수율을 향상시킬 수 있는 수지 도포 장치 및 수지 도포 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 수지 도포 장치는, 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 LED 패키지 제조 시스템에 이용되고, 상기 기판에 실장된 상기 LED 소자를 덮도록 상기 수지를 도포하는 수지 도포 장치로서,
상기 수지를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하고 임의의 도포 대상 위치에 수지를 도포하는 수지 도포부;
상기 수지 도포부를 제어함으로써, 수지를 발광 특성 측정용으로서 투광 부재에 시험 도포하는 측정용 도포 처리와, 수지를 실생산용으로서 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 도포 제어부;
상기 측정용 도포 처리에서 수지가 시험 도포된 투광 부재가 적재되는 투광 부재 적재부;
상기 투광 부재 적재부의 위에 배치되고, 상기 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 광원부;
상기 투광 부재에 도포된 수지에 상기 여기광이 상측으로부터 조사되었을 때, 수지가 발하는 광을 상기 투광 부재의 아래에서 수광하여, 상기 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정부;
상기 발광 특성 측정부의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 사용되는 LED 소자에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출하는 도포량 도출 처리부; 및
상기 적정 수지 도포량을 상기 도포 제어부에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 생산 실행 처리부를 포함하는 것이다.
본 발명의 수지 도포 방법은, 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 LED 패키지 제조 시스템에 이용되고, 상기 기판에 실장된 상기 LED 소자를 덮도록 상기 수지를 도포하는 수지 도포 방법으로서,
상기 수지를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하는 수지 토출부에 의해, 상기 수지를 발광 특성 측정용으로서 투광 부재에 시험 도포하는 측정용 도포 공정;
상기 수지가 시험 도포된 투광 부재를 투광 부재 적재부에 적재하는 투광 부재 적재 공정;
상기 투광 부재 적재부의 위에 배치된 광원부로부터 상기 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 여기광 발광 공정;
상기 투광 부재에 도포된 수지에 상기 여기광이 상측으로부터 조사되었을 때, 수지가 발하는 광을 상기 투광 부재의 아래에서 수광하여, 상기 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정 공정;
상기 발광 특성 측정 공정에서의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 사용되는 LED 소자에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출하는 도포량 도출 처리 공정; 및
상기 도출된 적정 수지 도포량을 상기 수지 토출부를 제어하는 도포 제어부에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리를 실행하는 생산 실행 공정을 포함하는 것이다.
본 발명에 따르면, LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지의 제조에 이용되는 수지 도포에 있어서, 발광 특성 측정을 위해 수지가 시험 도포된 투광 부재를 투광 부재 적재부에 적재하고, 상측에 배치된 광원부가, 형광체를 여기하는 여기광을 발광하여, 투광 부재에 도포된 수지에 상측으로부터 여기광을 조사하며, 이 수지가 발하는 광의 발광 특성을 측정한 후에 구한 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 LED 소자에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출한다. 이에 의해, 개개의 LED 소자의 발광 파장이 불균일해진 경우라도, LED 패키지의 발광 특성을 균일화하여, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템의 구성을 보여주는 블럭도이다.
도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 의해 제조되는 LED 패키지의 구성 설명도이다.
도 3의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 이용되는 LED 소자의 공급 형태 및 소자 특성 정보의 설명도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 이용되는 수지 도포 정보의 설명도이다.
도 5의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 부품 실장 장치의 구성 및 기능의 설명도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 이용되는 맵 데이터의 설명도이다.
도 7의 (a) 및 (b)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 수지 도포 장치의 구성 및 기능의 설명도이다.
도 8의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 수지 도포 장치에 구비된 발광 특성 검사 기능의 설명도이다.
도 9의 (a) 및 (b)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 수지 도포 장치의 구성 및 기능의 설명도이다.
도 10의 (a) 및 (b)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 수지 도포 장치에 구비된 발광 특성 검사 기능의 설명도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템의 제어계의 구성을 도시하는 블럭도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 LED 패키지 제조의 흐름도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 양품 판정용 한계값 데이터 작성 처리의 흐름도이다.
도 14의 (a) 내지 (c)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 양품 판정용 한계값 데이터의 설명도이다.
도 15는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 양품 판정용 한계값 데이터를 설명하는 색도도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 LED 패키지 제조 프로세스에서의 수지 도포 작업 처리의 흐름도이다.
도 17의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 LED 패키지 제조 프로세스에서의 수지 도포 작업 처리의 설명도이다.
도 18의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 LED 패키지 제조 프로세스의 공정 설명도이다.
도 19의 (a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시형태의 LED 패키지 제조 시스템에 있어서의 LED 패키지 제조 프로세스의 공정 설명도이다.
이어서, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 우선 도 1을 참조하여, LED 패키지 제조 시스템(1)의 구성을 설명한다. LED 패키지 제조 시스템(1)은, 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 기능을 갖는다. 본 실시형태에 있어서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 부품 실장 장치(M1), 경화 장치(M2), 와이어 본딩 장치(M3), 수지 도포 장치(M4), 경화 장치(M5) 및 절단 장치(M6) 각각이 LAN 시스템(2)에 의해 접속되고, 이들 장치가 관리 컴퓨터(3)에 의해 일괄적으로 제어되도록 구성되어 있다.
부품 실장 장치(M1)는, LED 패키지의 베이스가 되는 기판(4)[도 2의 (a) 및 (b) 참조]에 LED 소자(5)를 수지 접착제에 의해 접합함으로써 LED 소자(5)를 실장한다. 경화 장치(M2)는, LED 소자(5)가 실장된 후에 기판(4)을 가열함으로써, 실장시에 접합에 이용된 수지 접착제를 경화시킨다. 와이어 본딩 장치(M3)는, 기판(4)의 전극에 LED 소자(5)의 전극을 본딩 와이어로 접속한다. 수지 도포 장치(M4)는, 와이어 본딩후의 기판(4)에 있어서의 각 LED 소자(5) 상에 형광체를 포함하는 수지를 도포한다. 경화 장치(M5)는, 수지 도포후의 기판(4)을 가열함으로써, LED 소자(5)를 덮도록 도포된 수지를 경화시킨다. 절단 장치(M6)는, 수지가 경화된 이후의 기판(4)을 각 LED 소자(5)마다 절단하여, 개개의 LED 패키지로 분할한다. 이에 따라, 개개의 부재로 분할된 LED 패키지가 완성된다.
도 1에는, 부품 실장 장치(M1) 내지 절단 장치(M6)의 장치를 직렬로 배치하여 제조 라인을 구성한 예가 도시되어 있다. 그러나, LED 패키지 제조 시스템(1)이 이러한 라인 구성을 채택해야만 하는 것은 아니며, 이하의 설명에 기술되는 정보 전달이 적절히 행해지기만 한다면, 분산 배치된 장치들에 의해 각각의 공정이 순차적으로 실행되도록 구성될 수도 있다. 또한, 와이어 본딩 장치(M3)의 전후에는, 와이어 본딩에 앞서 전극의 클리닝을 목적으로 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치와, 와이어 본딩 이후 그리고 수지 도포에 앞서 수지의 밀착성을 향상시키는 표면 개질을 목적으로 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치를 배치할 수도 있다.
도 2의 (a) 내지 도 3의 (d)를 참조로 하여, LED 패키지 제조 시스템(1)에 있어서, 작업이 행해지는 기판(4), LED 소자(5) 및 완성품으로서의 LED 패키지(50)를 설명한다. 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 기판(4)은, 완성품에 있어서 하나의 LED 패키지(50)의 베이스가 각각 되는 개개의 기판(4a)이 복수개 세공되어 있는 다련형 기판이며, 개개의 기판(4a) 각각에는, LED 소자(5)가 실장되는 하나의 LED 실장부(4b)가 형성되어 있다. 개개의 기판(4a)마다 LED 실장부(4b) 내에 LED 소자(5)를 실장한 후, LED 실장부(4b) 내에 LED 소자(5)를 덮도록 수지(8)를 도포하며, 수지(8)의 경화 이후에, 공정이 완료된 기판(4)을 개개의 기판(4a)마다 절단함으로써, 도 2의 (b)에 도시된 LED 패키지(50)가 완성된다.
LED 패키지(50)는, 각종 조명 장치의 광원으로서 이용되는 흰색광을 조사하는 기능을 갖고, 파란색 LED인 LED 소자(5)와 파란색의 보색인 노란색의 형광을 발하는 형광체를 포함하는 수지(8)를 조합함으로써, 의사-흰색광을 얻도록 되어 있다. 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 개개의 기판(4a)에는, LED 실장부(4b)를 형성하는, 예컨대 원형 또는 타원형의 환형 뱅크를 갖는 캐비티 형상의 반사부(4c)가 마련되어 있다. 반사부(4c)의 내측에 탑재된 LED 소자(5)의 N형부 전극(6a) 및 P형부 전극(6b)은, 개개의 기판(4a)의 상면에 형성된 배선층(4e, 4d)에 각각 본딩 와이어(7)에 의해 접속되어 있다. 수지(8)는 이러한 상태의 LED 소자(5)를 덮고 반사부(4c)의 내측에 소정 두께로 도포되며, LED 소자(5)로부터 발광된 파란색광은, 수지(8)를 투과하는 과정에서, 수지(8) 내에 포함된 형광체에 의해 발광된 노란색과 혼색되어, 흰색광으로 조사된다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, LED 소자(5)는, 사파이어 기판(5a) 상에 N형 반도체(5b)와 P형 반도체(5c)를 적층하고, P형 반도체(5c)의 표면을 투명 전극(5d)으로 덮음으로써 구성되며, N형 반도체(5b)와 P형 반도체(5c)에는 외부 접속용의 N형부 전극(6a)과 P형부 전극(6b)이 각각 형성되어 있다. 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 복수의 LED 소자(5)를 일괄적으로 형성한 후에, LED 소자가 개개의 부재로 분할되었을 때, 유지 시트(10a)에 부착되어 유지된 LED 웨이퍼(10)로부터 LED 소자(5)를 취출한다. 이 제조 프로세스에서의 각종 편차 요인, 예컨대 웨이퍼에 막을 형성할 때의 조성의 불균일 등에 기인하여, 웨이퍼를 개개의 부재로 분할함으로써 얻어지는 LED 소자(5)에 있어서, 발광 파장 등의 발광 특성에 불균일이 생기는 것은 피할 수 없다. 이러한 LED 소자(5)를 그대로 기판(4)에 실장하면, 최종 제품으로서의 LED 패키지(50)의 발광 특성은 불균일해진다.
이러한 발광 특성의 변동에 기인하는 품질 불량을 방지하기 위해, 본 실시형태에서는, 동일한 제조 프로세스로 제조된 복수의 LED 소자(5)의 발광 특성을 미리 계측하고, 각 LED 소자(5)와 그 LED 소자(5)의 발광 특성을 나타내는 데이터를 대응시킨 소자 특성 정보를 준비하며, 수지(8)의 도포에 있어서, LED 소자(5)의 발광 특성에 대응하는 적정량의 수지(8)를 도포한다. 적정량의 수지(8)를 도포하기 위해, 후술하는 수지 도포 정보를 미리 준비한다.
우선, 소자 특성 정보를 설명한다. 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, LED 웨이퍼(10)로부터 취출된 LED 소자(5)는, 개개의 부재를 식별하는 소자 ID[여기서는, LED 웨이퍼(10)에 있어서 일련 번호 (i)로 개개의 LED 소자(5)를 식별함]가 부여된 뒤에, 발광 특성 계측 장치(11)에 순차적으로 투입된다. 또한, 소자 ID로서는, LED 소자(5)를 개별적으로 식별할 수 있는 정보이기만 하다면, 다른 데이터 형태, 예컨대 LED 웨이퍼(10)에 있어서의 LED 소자(5)의 배열을 나타내는 매트릭스 좌표를 그대로 이용할 수도 있다. 이러한 형태의 소자 ID를 이용함으로써, 후술하는 부품 실장 장치(M1)에 있어서, LED 소자(5)를 LED 웨이퍼(10)의 상태로 공급하는 것이 가능해진다.
발광 특성 계측 장치(11)는, 각 LED 소자(5)에 프로브를 통해 전력을 공급하여 LED 소자(5)를 실제로 발광시키고 그 광을 분광 분석함으로써, 발광 파장 또는 발광 강도 등의 소정 항목에 관해서 계측을 행한다. 계측 대상인 LED 소자(5)에 관하여는, 발광 파장의 표준 분포를 참조 데이터로서 미리 준비하고, 이 표준 분포에 있어서 표준 범위에 해당하는 파장 범위를 복수의 파장 영역으로 구분함으로써, 계측 대상인 복수의 LED 소자(5)를 발광 파장에 의해서 순위가 매겨지도록 구분한다. 여기서는, 파장 범위를 5개로 구분함으로써 설정된 각 순위에 대응하여, 저파장측으로부터 순서대로, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]가 부여되어 있다. 소자 ID(12a)에 Bin 코드(12b)를 대응시킨 데이터 구조를 갖는 소자 특성 정보(12)가 작성된다.
즉, 소자 특성 정보(12)는, 복수의 LED 소자(5)의 발광 파장을 비롯한 발광 특성을 미리 개별적으로 측정함으로써 얻어진 정보이며, 미리 LED 소자 제작자 등에 의해 준비되어, LED 패키지 제조 시스템(1)에 전달된다. 소자 특성 정보(12)는, 독립적인 기억 매체에 기록되어 전달될 수도 있고, 또는 LAN 시스템(2)을 통해 관리 컴퓨터(3)에 전달될 수도 있다. 어느 경우라도, 전달된 소자 특성 정보(12)는 관리 컴퓨터(3)에 기억되고, 필요에 따라 부품 실장 장치(M1)에 제공된다.
이러한 식으로, 발광 특성 계측을 마친 복수의 LED 소자(5)는, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이 특성 순위별로 분류되고, 각 특성 순위에 따라서 5 종류로 구분되며, 5개의 점착 시트(13a)에 개별적으로 부착된다. 이에 따라, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5] 각각에 대응하는 LED 소자(5)를 점착 시트(13a)에 부착 및 유지한 3 종류의 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)가 제조된다. 이들 LED 소자(5)를 기판(4)의 개개의 기판(4a)에 실장할 때에는, 전술한 바와 같이 LED 소자(5)가 구분되고 순위가 매겨진 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)의 형태로, LED 소자(5)를 부품 실장 장치(M1)에 공급한다. 이때, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5] 중 어느 하나에 대응하게 LED 소자(5)가 유지되어 있는 가를 보여주는 형태로, 소자 특성 정보(12)가 관리 컴퓨터(3)로부터 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)에 각각 제공된다.
이어서, 전술한 소자 특성 정보(12)에 대응하여 미리 준비되는 수지 도포 정보를, 도 4를 참조하여 설명한다. 파란색 LED와 YAG 계의 형광체를 조합함으로써 흰색광을 얻는 구성의 LED 패키지(50)에 있어서는, LED 소자(5)가 발광하는 파란색광을, 이 파란색광에 의해 여기되어 형광체가 발광하는 노란색광에 더하여 혼색하기 때문에, LED 소자(5)가 실장되는 오목형의 LED 실장부(4b) 내에서의 형광체 입자의 양이, 완성된 LED 패키지(50)의 정규 발광 특성을 확보하는 데에 있어서 중요한 요인이 된다.
전술한 바와 같이, 동시에 작업 대상이 되는 복수의 LED 소자(5)의 발광 파장에서는, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 의해 분류되는 불균일이 존재하기 때문에, LED 소자(5)를 덮도록 도포되는 수지(8)에 있어서의 형광체 입자의 적정량은, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 따라 다르다. 본 실시형태에 있어서, 준비된 수지 도포 정보(14)에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등에 YAG 계의 형광체 입자를 함유시킨 수지(8)의 Bin 코드에 따라 분류된 적정 수지 도포량을, nl(나노리터) 단위로, Bin 코드 구분(17)에 따라서 미리 규정하고 있다. 즉, 수지 도포 정보(14)에 나타내어진 수지(8)의 적정 수지 도포량만이 LED 소자(5)를 덮도록 정확히 도포되는 경우, LED 소자(5)를 덮는 수지에 있어서의 형광체 입자의 양은 적정한 형광체 입자 공급량이 되고, 이에 따라 수지가 열경화된 후에, 완성품에서 요구되는 정규 발광 파장이 확보된다.
여기서는, 형광체 농도란(16)에 나타내어진 바와 같이, 수지(8)에서의 형광체 입자의 농도를 나타내는 복수의 형광체 농도[여기서는 D1(5%), D2(10%), D3(15%)의 3개의 농도]를 설정하고, 수지(8)의 적정 수지 도포량은, 사용되는 수지(8)에서의 형광체 농도에 따라서, 적정한(표현에 위화감이 있음) 수치가 사용되도록 설정되어 있다. 즉, 형광체 농도 D1의 수지를 도포하는 경우에, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 관하여, 적정 수지 도포량 VA0, VB0, VC0, VD0, VE0[적정 수지 도포량 15(1)]의 수지(8)를 각각 도포한다. 마찬가지로, 형광체 농도 D2의 수지를 도포하는 경우에, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 관하여, 적정 수지 도포량 VF0, VG0, VH0, VJ0, VK0[적정 수지 도포량 15(2)]의 수지(8)를 각각 도포한다. 또한, 형광체 농도 D3의 수지를 도포하는 경우에, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 관하여, 적정 수지 도포량 VL0, VM0, VN0, VP0, VR0[적정 수지 도포량 15(3)]의 수지(8)를 각각 도포한다. 이러한 식으로, 서로 다른 복수의 형광체 농도마다, 적정 수지 도포량을 각각 설정한다. 이는, 발광 파장의 불균일의 정도에 따라서 최적의 형광체 농도의 수지(8)를 도포하는 것이, 품질 확보면에서 바람직하기 때문이다.
이어서, 도 5의 (a) 내지 (c)를 참조하여, 부품 실장 장치(M1)의 구성 및 기능을 설명한다. 도 5의 (a)의 평면도에 도시된 바와 같이, 부품 실장 장치(M1)는, 상류측으로부터 공급된 작업 대상물인 기판(4)을 기판 반송 방향(화살표 a)으로 반송하는 기판 반송 기구(21)를 구비한다. 기판 반송 기구(21)에는, 상류측으로부터 차례로, 도 5의 (b)에 A-A를 따라 취한 단면도로 도시된 접착제 도포부(A)와, 도 5의 (c)에 B-B를 따라 취한 단면도로 도시된 부품 실장부(B)가 배치되어 있다. 접착제 도포부(A)는, 기판 반송 기구(21)의 측방에 배치되며 수지 접착제(23)를 소정의 막 두께의 코팅의 형태로 공급하는 접착제 공급부(22)와, 기판 반송 기구(21) 및 접착제 공급부(22)의 위에서 수평 방향(화살표 b)으로 이동 가능한 접착제 전사 기구(24)를 구비한다. 부품 실장부(B)는, 기판 반송 기구(21)의 측방에 배치되며 도 3의 (d)에 도시된 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E)를 유지하는 부품 공급 기구(25)와, 기판 반송 기구(21) 및 부품 공급 기구(25)의 위에서 수평 방향(화살표 c)으로 이동 가능한 부품 실장 기구(26)를 구비한다.
도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 기판 반송 기구(21)에 반입된 기판(4)은, 접착제 도포부(A)에서 위치 결정되고, 개개의 기판(4a) 각각에 형성된 LED 실장부(4b)에 수지 접착제(23)가 도포된다. 즉, 우선 접착제 전사 기구(24)를 접착제 공급부(22)의 위로 이동시켜, 전사핀(24a)을 전사면(22a)에 형성된 수지 접착제(23)의 코팅에 접촉시키고, 수지 접착제(23)를 부착한다. 이어서, 접착제 전사 기구(24)를 기판(4)의 위로 이동시키고, 전사핀(24a)을 LED 실장부(4b)에 대해 하강시켜(화살표 d), 전사핀(24a)에 부착된 수지 접착제(23)를 LED 실장부(4b) 내의 소자 실장 위치에 전사에 의해 공급한다.
뒤이어, 접착제가 도포된 후의 기판(4)은 하류측으로 반송되고, 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이 부품 실장부(B)에 위치 결정되며, 접착제가 공급된 이후의 각 LED 실장부(4b)에, LED 소자(5)가 실장된다. 즉, 우선 부품 실장 기구(26)를 부품 공급 기구(25)의 위로 이동시키고 실장 노즐(26a)을 부품 공급 기구(25)에 유지된 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E) 중 어느 하나에 대하여 하강시킴으로써, LED 소자(5)가 실장 노즐(26a)에 의해 유지되어 취출된다. 뒤이어, 부품 실장 기구(26)를 기판(4)의 LED 실장부(4b)의 위로 이동시키고 실장 노즐(26a)을 하강시킴으로써(화살표 e), 실장 노즐(26a)에 유지된 LED 소자(5)는, LED 실장부(4b)에 있어서 접착제가 도포되어 있는 소자 실장 위치에 실장된다.
부품 실장 장치(M1)에 의해 LED 소자(5)를 기판(4)에 실장하는 경우, 소자 실장 프로그램을 미리 작성하고, 즉 부품 실장 기구(26)의 개별 실장 동작에 있어서 LED 시트(13A, 13B, 13C, 13D, 13E) 중 어느 하나로부터 LED 소자(5)를 취출하며 기판(4)의 복수의 개개의 기판(4a)에 실장하는 순서를 미리 설정하고, 이 소자 실장 프로그램에 따라서 부품 실장 작업을 실행한다.
부품 실장 작업을 실행하는 경우, 개개의 LED 소자(5)가 기판(4)의 복수의 개개의 기판(4a) 중 어디에 실장되어 있는 가를 나타내는 실장 위치 정보(71a)(도 11참조)를, 작업 실행 이력으로부터 추출하고 기록한다. 개개의 기판(4a)에 실장된 LED 소자(5)가 어느 특성 순위(Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5])에 대응하는가를 나타내는 소자 특성 정보(12)와, 실장 위치 정보(71a)를 결부시킨 데이터가, 맵 작성 처리부(74)(도 11 참조)에 의해 도 6에 도시된 맵 데이터(18)로서 작성된다.
도 6에 있어서, 기판(4)의 복수의 개개의 기판(4a)의 개별 위치는, X 방향 및 Y 방향의 위치를 각각 나타내는 매트릭스 좌표(19X, 19Y)를 조합함으로써 특정된다. 소정 위치에 실장된 LED 소자(5)가 분류되는 Bin 코드를, 해당 위치의 매트릭스 좌표(19X, 19Y)에 의해 구성되는 개개의 매트릭스 셀에 대응시킴으로써, 부품 실장 장치(M1)에 의해 실장된 LED 소자(5)의 기판(4)에 있어서의 위치를 나타내는 실장 위치 정보(71a)와, 이들 LED 소자(5)의 소자 특성 정보(12)를 결부시킨 맵 데이터(18)가 작성된다.
즉, 부품 실장 장치(M1)는, 이 부품 실장 장치(M1)에 의해 실장된 LED 소자(5)의 기판(4)에 있어서의 위치를 나타내는 실장 위치 정보와, 이들 LED 소자(5)의 소자 특성 정보(12)를 결부시킨 맵 데이터(18)를, 기판(4)마다 작성하는 맵 데이터 작성 수단으로서의 맵 작성 처리부(74)를 구비하여 구성되어있다. 작성된 맵 데이터(18)는, LAN 시스템(2)을 통해 이하에 설명하는 수지 도포 장치(M4)에 대하여 피드 포워드 데이터로서 송신된다.
이어서, 도 7의 (a) 내지 도 8의 (c)를 참조하여, 수지 도포 장치(M4)의 구성 및 기능을 설명한다. 수지 도포 장치(M4)는, 부품 실장 장치(M1)에 의해 기판(4)에 실장된 복수의 LED 소자(5)를 덮도록 수지(8)를 도포하는 기능을 갖는다. 도 7의 (a)의 평면도에 도시된 바와 같이, 수지 도포 장치(M4)는, 상류측으로부터 공급된 작업 대상인 기판(4)을 기판 반송 방향(화살표 f)으로 반송하는 기판 반송 기구(31)에, 도 7의 (b)에 C-C를 따라 취한 단면으로 도시된 수지 도포부(C)를 배치하여 구성되어 있다. 수지 도포부(C)에는, 하단부에 장착된 토출 노즐(33a)에서 수지(8)를 토출하도록 구성된 수지 토출 헤드(32)가 마련되어 있다.
도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 수지 토출 헤드(32)는 노즐 이동 기구(34)에 의해 구동되고, 노즐 이동 기구(34)를 도포 제어부(36)에 의해 제어하면, 수평 방향[도 7의 (a)에 도시된 화살표 g] 및 상하로 이동된다. 수지(8)는 수지 토출 헤드(32)에 공급되어, 디스펜서(33)에 설치된 시린지에 수납된다. 수지 토출 기구(35)에 의해 공기 압력을 디스펜서(33)에 인가하면, 디스펜서(33) 내의 수지(8)는 토출 노즐(33a)을 통해 토출되고, 기판(4)에 형성된 LED 실장부(4b)에 도포된다. 이때, 수지 토출 기구(35)는 도포 제어부(36)에 의해 제어되므로, 수지(8)의 토출량은 임의로 제어 가능하다. 즉, 수지 도포부(C)는, 수지(8)를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하고 임의의 도포 대상 위치에 수지(8)를 도포하는 기능을 갖는다. 수지 토출 기구(35)에는, 공기 압력 디스펜서(33) 이외에, 기계식 실린더를 이용한 플런저 방식, 또는 스크류 펌프 방식 등의 다양한 액 토출 방식이 채용될 수 있다.
기판 반송 기구(31)의 측방에는, 수지 토출 헤드(32)의 이동 범위 내에 시험 및 측정 유닛(40)이 배치되어 있다. 시험 및 측정 유닛(40)은, 수지(8)를 기판(4)의 LED 실장부(4b)에 도포하는 실생산용 도포 작업에 앞서서, 수지(8)의 도포량이 적정한지 아닌지를, 시험 도포한 수지(8)의 발광 특성을 측정함으로써 판정하는 기능을 갖는다. 즉, 수지 도포부(C)에 의해 수지(8)를 시험 도포한 투광 부재(43)에 측정용 광원부(45)가 발하는 광을 조사했을 때의 발광 특성은, 분광기(42) 및 발광 특성 측정 처리부(39)를 구비하는 발광 특성 측정부에 의해 측정된다. 측정 결과를 미리 설정해 놓은 한계값과 비교함으로써, 도 4에 도시된 수지 도포 정보(14)에 규정되어 있는 기설정 수지 도포량이 적정한지 아닌지를 판정한다.
형광체 입자를 함유하는 수지(8)의 조성 및 특성은 안정적이어야만 하는 것은 아니며, 수지 도포 정보(14)에 적정 수지 도포량이 미리 설정되어 있더라도, 시간의 경과에 따라 형광체의 농도 및 수지 점도가 변동하는 것은 피할 수 없다. 따라서, 미리 설정해 놓은 적정 수지 도포량에 대응하는 토출 파라미터에 따라 수지(8)가 토출되더라도, 수지 도포량 자체가 기설정 적정치에서 벗어나거나, 또는 수지 도포량 자체는 적정하지만 농도 변화로 인해 형광체 입자의 공급량이 원래 공급되어야 되는 공급량에서 벗어나는 경우가 발생할 수도 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 본 실시형태에서는, 소정의 인터벌로 적정 공급량의 형광체 입자가 공급되고 있는지 아닌지를 검사하는 것을 목적으로 하는 시험 도포가 수지 도포 장치(M4)에 의해 행해진다. 시험 도포된 수지의 발광 특성의 측정을 실행함으로써, 본래의 발광 특성 요건을 충족시키는 형광체 입자의 공급량이 안정화된다. 따라서, 본 실시형태에 나타내어진 수지 도포 장치(M4)에 구비된 수지 도포부(C)는, 수지(8)를 전술한 발광 특성 측정용의 투광 부재(43)에 시험 도포하는 측정용 도포 처리 뿐만 아니라, 수지(8)를 실생산용 기판(4)에 실장된 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리를 실행하는 기능을 갖는다. 도포 제어부(36)에 의해 수지 도포부(C)가 제어될 때, 측정용 도포 처리와 생산용 도포 처리 중 어느 하나가 실행된다.
도 8의 (a) 내지 (c)를 참조하여, 시험 및 측정 유닛(40)의 상세 구성을 설명한다. 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 투광 부재(43)는 공급 릴(47)에 권취 및 수납되어 공급된다. 투광 부재(43)가 테스트 스테이지(40a)의 상면을 따라 보내어진 후, 투광 부재(43)는 투광 부재 적재부(41)와 조사부(46)의 사이를 지나, 권취 모터(49)에 의해 구동되는 회수 릴(48)에 권취된다. 투광 부재(43)를 회수하는 기구로서는, 회수 릴(48)에 되감는 회수 방식 이외에도, 투광 부재(43)를 이송 기구에 의해 회수 박스 내에 보내는 방식을 비롯한 여러 방식이 채용될 수 있다.
조사부(46)는, 광원부(45)에 의해 발광된 측정광을 투광 부재(43)에 조사하는 기능을 갖고, 간단한 암상자의 기능을 가진 차광 박스(46a) 내에, 광원부(45)가 발광하는 측정광을 파이버 케이블에 의해 도광하는 광집속 툴(46b)을 배치함으로써 구성되어 있다. 광원부(45)는 수지(8)에 포함된 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 기능을 갖는다. 본 실시형태에서, 광원부(45)는 투광 부재 적재부(41)의 위에 배치되고, 측정광을 투광 부재(43)에 대하여 광집속 툴(46b)을 통해 상측으로부터 조사한다.
여기서, 투광 부재(43)를 형성하는 데에는, 투명 수지제 평면 시트 부재로 형성된 소정 폭의 테이프재, 또는 LED 패키지(50)의 오목부 형상에 대응한 엠보싱부(43a)가 하면으로부터 하방으로 돌출되어 있는 동일한 테이프재(엠보스 타입) 등이 이용된다[도 8의 (b) 참조]. 투광 부재(43)를 시험 및 측정 유닛(40)에 보내는 과정에서, 수지(8)가 수지 토출 헤드(32)에 의해 투광 부재(43)에 시험 도포된다. 이러한 시험 도포는, 테스트 스테이지(40a)에 의해서 아래로부터 지지되어 있는 투광 부재(43)에 대하여, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 토출 노즐(33a)에 의해 규정 도포량의 수지(8)를 투광 부재(43)에 토출하는 것으로 행해진다.
도 8의 (b)의 (I)는, 수지 도포 정보(14)에 규정된 기설정 적정 토출량의 수지(8)가, 전술한 테이프재로 형성된 투광 부재(43)에 도포되어 있는 것을 보여준다. 도 8의 (b)의 (II)는, 전술한 엠보스 타입의 테이프재로 형성된 투광 부재(43)의 엠보싱부(43a) 내에, 마찬가지로 기설정 적정 토출량의 수지(8)가 도포되어 있는 것을 보여준다. 후술하는 바와 같이, 테스트 스테이지(40a)에 도포된 수지(8)는, LED 소자(5)에 대한 형광체 공급량이 적정한가 아닌가를 실질적으로 판정하기 위해 시험 도포되므로, 동일한 시험 도포 동작으로 수지 토출 헤드(32)에 의해 복수 지점에서 수지(8)가 연속적으로 투광 부재(43)에 도포되는 경우에는, 발광 특성 측정치와 도포량의 상관 관계를 나타내는 기지의 데이터에 기초하여, 도포량을 점진적으로 다르게 하여 도포를 행한다.
이와 같이 수지(8)가 시험 도포된 후에, 차광 박스(46a) 안으로 유도된 투광 부재(43)에 대하여, 광원부(45)에 의해 발광된 흰색광을 광집속 툴(46b)을 통해 상측으로부터 조사한다. 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)를 투과한 광은, 투광 부재 적재부(41)에 마련된 광투과 개구부(41a)를 통과해, 투광 부재 적재부(41)의 아래에 배치된 적분구(44)에 의해 수광된다. 도 8의 (c)는, 투광 부재 적재부(41) 및 적분구(44)의 구조를 보여준다. 투광 부재 적재부(41)는, 투광 부재(43)의 하면을 지지하는 하부 지지 부재(41b)의 상면에, 투광 부재(43)의 양단부면을 가이드하는 기능을 갖는 상부 가이드 부재(41c)가 설치되어 있는 구조로 되어 있다.
투광 부재 적재부(41)는, 시험 및 측정 유닛(40)에서의 반송시에 투광 부재(43)를 가이드하며, 측정용 도포 처리에서 수지(8)가 시험 도포된 투광 부재(43)를 놓고 그 위치를 유지하는 기능을 갖는다. 적분구(44)는, 광집속 툴(46b)에서 조사되며 (화살표 h) 수지(8)를 투과한 투과광을 집광하고, 분광기(42)에 유도하는 기능을 갖는다. 즉, 적분구(44)는 내부에 구형 반사면(44c)을 갖고, 광투과 개구부(41a)의 바로 아래에 위치하는 개구부(44a)에서 입광한 투과광(화살표 i)은, 적분구(44)의 상단부에 마련된 개구부(44a)로부터 반사 공간(44b) 안으로 입사하며, 구형 반사면(44c)에 의한 전반사(화살표 j)를 반복하는 과정에서, 출력부(44d)로부터 측정광(화살표 k)으로서 취출되고, 분광기(42)에 의해서 수광된다.
전술한 구성에서, 광원부(45)에 이용되는 LED 패키지에 의해 발광된 흰색광은, 투광 부재(43)에 시험 도포된 수지(8)에 조사된다. 이러한 과정에서, 흰색광에 포함되는 파란색광 성분은 수지(8)에 있어서의 형광체를 여기시켜 노란색광을 발광시킨다. 이 노란색광과 파란색광이 더해져 혼색된 흰색광은, 수지(8)에서부터 상측으로 조사되고, 전술한 적분구(44)를 통과해 분광기(42)에 의해 수광된다.
도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 수광된 흰색광은, 발광 특성 측정 처리부(39)에 의해 분석되고 발광 특성이 측정된다. 흰색광의 색조 순위 또는 광속(光束) 등의 발광 특성이 검사되고, 그 결과로서 규정된 발광 특성과의 편차가 검출된다. 적분구(44), 분광기(42) 및 발광 특성 측정 처리부(39)는, 광원부(45)에 의해 발광된 여기광(여기서는 흰색 LED에 의해 발광된 흰색광)이 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 상측으로부터 조사될 때, 수지(8)가 발하는 광을 투광 부재(43)의 하측에서 수광하여, 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정부를 구성한다. 본 실시형태에서, 발광 특성 측정부는, 수지(8)가 발하는 광이 적분구(44)의 개구부(44a)를 통해 수광되도록, 적분구(44)를 투광 부재(43)의 아래에 배치함으로써 구성되어 있다.
발광 특성 측정부를 전술한 바와 같이 구성함으로써, 이하에 기술하는 효과가 얻어진다. 즉, 도 8의 (b)에 도시된 투광 부재(43)에 시험 도포되는 수지(8)의 도포 형상의 경우, 바닥면측은 항상 투광 부재(43)의 상면 또는 엠보싱부(43a)의 바닥면에 접촉하기 때문에, 수지(8)의 바닥면은 항상 투광 부재(43)에 의해 규정된 표준 높이를 갖는다. 따라서, 수지(8)의 바닥면과 적분구(44)의 개구부(44a) 사이의 높이차는 항상 일정하게 유지된다. 이에 반하여, 수지(8)의 상면의 경우에는, 토출 노즐(33a)의 도포 조건 등의 외란으로 인해, 동일한 액면 형상 및 높이가 반드시 실현된다고는 할 수 없으며, 수지(8)의 상면과 광집속 툴(46b) 사이의 간격은 불균일할 것이다.
수지(8)의 상면에 조사된 조사광과 수지(8)의 하면으로부터의 투과광을 비교하여 안정도를 고려하면, 수지(8)에 조사된 조사광은 광집속 툴(46b)을 통해 조사되기 때문에, 집속도가 높고, 수지(8)의 상면과 광집속 툴(46b) 사이의 간격의 불균일이 광전달에 미치는 영향은 무시할 수 있다. 이에 반하여, 수지(8)를 투과한 투과광은 수지(8)의 내부에서 형광체가 여기된 여기광이므로, 산란도가 높고, 수지(8)의 하면과 개구부(44a) 사이의 거리의 불균일이, 적분구(44)에 의해 광이 받아들여지는 정도에 미치는 영향은 무시할 수 없다.
본 실시형태에 나타내어진 시험 및 측정 유닛(40)에서는, 전술한 바와 같이 구성된 광원부(45)에 의해 발광된 여기광이 수지(8)에 대하여 상측으로부터 조사될 때, 수지(8)가 발하는 광을, 투광 부재(43)의 하측에서 적분구(44)에 의해 수광하는 구성이 채용되어 있으므로, 안정된 발광 특성의 판정을 행하는 것이 가능하다. 적분구(44)를 이용함으로써, 수광부에 암실 구조를 별도로 마련할 필요가 없고, 장치의 컴팩트화와 장치 비용의 절감이 가능하다.
도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 발광 특성 측정 처리부(39)의 측정 결과는 도포량 도출 처리부(38)에 보내어지고, 도포량 도출 처리부(38)는, 발광 특성 측정 처리부(39)의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하며, 이 편차에 기초로 하여 실제 생산에 사용되는 LED 소자(5)에 도포되어야 하는 수지(8)의 적정 수지 도포량을 도출한다. 도포량 도출 처리부(38)에 의해 도출된 새로운 적정 토출량은 생산 실행 처리부(37)에 보내어지고, 생산 실행 처리부(37)는 상기 새롭게 도출된 적정 수지 도포량을 도포 제어부(36)에 지령한다. 이에 따라, 도포 제어부(36)는 노즐 이동 기구(34) 및 수지 토출 기구(35)를 제어하여, 적정 수지 도포량의 수지(8)를 기판(4)에 실장된 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리를 수지 토출 헤드(32)에 실행시킨다.
이 생산용 도포 처리에서는, 우선 수지 도포 정보(14)에 규정되어 있는 적정 수지 도포량의 수지(8)를 실제로 도포하고, 수지(8)가 경화되지 않은 상태일 때, 발광 특성을 측정한다. 이렇게 얻어진 측정 결과에 기초하여, 생산용 도포 처리에서 도포된 수지(8)의 발광 특성을 측정한 경우의, 발광 특성 측정치의 양품 범위를 설정하고, 이 양품 범위를, 생산용 도포에서 양품이 얻어지는가를 판정하는 한계값[도 11에 나타내어진 한계값 데이터(81a) 참조]으로서 이용한다.
즉, 본 실시형태에 나타내어진 LED 패키지 제조 시스템에서의 수지 도포 방법에서는, 발광 특성 측정용 광원부(45)로서 흰색 LED를 이용하면서, 생산용 도포에서 양품이 얻어지는가를 판정하는 한계값의 설정에 근거가 되는 미리 규정해 놓는 발광 특성으로서, LED 소자(5)에 도포된 수지(8)가 경화된 상태일 때의 완성품으로부터 구한 정규 발광 특성으로부터, 수지(8)가 경화되어 있지 않은 상태인 것에 기인한 발광 특성의 차이만큼 벗어나게 한 발광 특성을 이용한다. 이에 따라, LED 소자(5)에 대한 수지 도포 과정에서의 수지 도포량 제어는, 완성품에 관한 정규 발광 특성에 기초하여 행해질 수 있다.
본 실시형태에서는, 광원부(45)로서 흰색광을 발하는 LED 패키지(50)가 이용된다. 이에 따라, 시험 도포된 수지(8)의 발광 특성 측정은, 완성품의 LED 패키지(50)에서 발광되는 여기광과 동일한 특성의 광에 의해 행해질 수 있고, 보다 신뢰할 만한 검사 결과가 얻어질 수 있다. 완성품에 이용되는 것과 동일한 LED 패키지(50)를 반드시 이용해야만 하는 것은 아니다. 발광 특성 측정에서는, 일정 파장의 파란색광을 안정적으로 발광할 수 있는 광원 장치(예컨대, 파란색광을 발광하는 파란색 LED 또는 파란색 레이저 광원 등)가 검사용의 광원부로서 이용될 수 있다. 그러나, 파란색 LED를 이용한 흰색광을 발하는 LED 패키지(50)를 이용함으로써, 안정적인 품질의 광원 장치가 저비용으로 선정될 수 있다고 하는 이점을 갖는다. 또한, 밴드 패스 필터를 이용하여, 소정의 파장의 파란색광을 취출하는 것도 가능하다.
전술한 구성의 시험 및 측정 유닛(40) 대신에, 도 9의 (b) 및 도 10의 (a)에 도시된 구성의 시험 및 측정 유닛(140)이 이용될 수 있다. 즉, 도 9의 (b) 및 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이, 시험 및 측정 유닛(140)은 슬림한 형상의 수평 기초부(140a)의 위에 커버부(140b)가 배치되어 있는 외부 구조를 갖는다. 커버부(140b)에는 개구부(140c)가 마련되어 있고, 개구부(140c)는, 슬라이드 가능하며(화살표 l) 도포에 사용되는 슬라이드창(140d)에 의해 개폐될 수 있다. 시험 및 측정 유닛(140)의 내부에는, 투광 부재(43)를 아래에서 지지하는 테스트 스테이지(145a)와, 투광 부재(43)가 적재되는 투광 부재 적재부(141), 그리고 투광 부재 적재부(141)의 위에 배치된 분광기(42)가 마련되어 있다.
투광 부재 적재부(141)는, 도 8의 (a)에 도시된 광원부(45)와 같이 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 광원 장치를 구비한다. 측정용 도포 처리에서 수지(8)가 시험 도포되는 투광 부재(43)에, 여기광이 광원 장치에 의해 아래에서부터 조사된다. 도 8의 (a)에 도시된 예와 마찬가지로, 투광 부재(43)는 공급 릴(47)에 권취 및 수납되어 공급된다. 투광 부재(43)가 테스트 스테이지(145a)의 상면을 따라 보내어진 후(화살표 m), 투광 부재(43)는 투광 부재 적재부(141)와 분광기(42)의 사이를 지나, 권취 모터(49)에 의해 구동되는 회수 릴(48)에 권취된다.
도포에 사용되는 슬라이드창(140d)을 슬라이드시켜 개방한 상태에서, 테스트 스테이지(145a)의 상면은 상측에 노출되고, 상면에 적재된 투광 부재(43)에 수지 토출 헤드(32)가 수지(8)를 시험 도포하는 것이 가능하다. 이러한 시험 도포는, 테스트 스테이지(145a)에 의해서 아래로부터 지지되어 있는 투광 부재(43)에 대하여, 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 토출 노즐(33a)에 의해 규정 도포량의 수지(8)를 투광 부재(43)에 토출하는 것으로 행해진다.
도 10의 (b)는, 테스트 스테이지(145a)에서 수지(8)가 시험 도포되는 투광 부재(43)를 이동시킴으로써, 수지(8)를 투광 부재 적재부(141)의 위로 위치시키며, 커버부(140b)를 하강시키고, 커버부(141)와 기초부(140a)의 사이에 발광 특성 측정용 암실을 형성한 것을 보여준다. 투광 부재 적재부(141)에는, 광원 장치로서 흰색광을 발하는 LED 패키지(50)가 이용된다. LED 패키지(50)에 있어서, LED 소자(5)에 접속된 배선층(4e, 4d)은 전원 장치(142)에 접속되어 있다. 전원 장치(142)를 온으로 함으로써, LED 소자(5)에는 발광용의 전력이 공급되고, 이에 따라 LED 패키지(50)는 흰색광을 발광한다.
이 흰색광이 수지(8)를 투과한 후에 투광 부재(43)에 시험 도포된 수지(8)에 조사되는 과정에서, 흰색광에 포함된 파란색광에 의해 여기된 수지(8) 중의 형광체가 발광하는 노란색광과 파란색광이 더해져 혼색된 흰색광이, 수지(8)에서부터 상측으로 조사된다. 시험 및 측정 유닛(140)의 위에는 분광기(42)가 배치되어 있다. 수지(8)로부터 조사된 흰색광은 분광기42에 의해 수광된다. 수광된 흰색광은, 발광 특성 측정 처리부(39)에 의해 분석되어 발광 특성이 측정된다. 흰색광의 색조 순위 또는 광속 등의 발광 특성이 검사되고, 그 결과로서 규정된 발광 특성과의 편차가 검출된다. 즉, 발광 특성 측정 처리부(39)는, 광원부인 LED 소자(5)로부터 발광된 여기광이 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 조사될 때, 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 측정한다. 발광 특성 측정 처리부(39)의 측정 결과는, 도포량 도출 처리부(38)에 보내어지고, 도 7의 (b)에 도시된 예와 같은 처리가 실행된다.
이어서, 도 11을 참조하여, LED 패키지 제조 시스템(11)의 제어계의 구성을 설명한다. LED 패키지 제조 시스템(1)을 구성하는 장치의 구성 요소 중에서, 관리 컴퓨터(3), 부품 실장 장치(M1) 및 수지 도포 장치(M4)에 있어서, 소자 특성 정보(12), 수지 도포 정보(14), 맵 데이터(18) 및 전술한 한계값 데이터(81a)의 송수신 및 갱신 처리에 관련된 구성 요소가 도시되어 있다.
도 11에서, 관리 컴퓨터(3)는 시스템 제어부(60), 기억부(61) 및 통신부(62)를 구비한다. 시스템 제어부(60)는, LED 패키지 제조 시스템(1)의 LED 패키지 제조 작업을 총괄하여 제어한다. 기억부(61)에는, 시스템 제어부(60)의 제어 처리에 필요한 프로그램 및 데이터 이외에, 소자 특성 정보(12), 수지 도포 정보(14), 맵 데이터(18) 및 한계값 데이터(81a)가 필요에 따라 기억되어 있다. 통신부(62)는 LAN 시스템(도시 생략)을 통해 다른 장치에 접속되어 있고, 제어 신호 및 데이터를 주고 받는다. 소자 특성 정보(12) 및 수지 도포 정보(14)는, LAN 시스템(2) 및 통신부(62)를 통해, 또는 CD ROM, USB 메모리 스토리지, SD 카드 등의 독립적인 기억 매체를 통해 외부로부터 전달되고, 기억부(61)에 기억된다.
부품 실장 장치(M1)는 실장 제어부(70), 기억부(71), 통신부(72), 기구 구동부(73) 및 맵 작성 처리부(74)를 구비한다. 실장 제어부(70)는, 부품 실장 장치(M1)의 부품 실장 작업을 실행하도록, 기억부(71)에 기억된 각종 프로그램 및 데이터에 기초하여, 후술하는 각 유닛을 제어한다. 기억부(71)에는, 실장 제어부(70)의 제어 처리에 필요한 프로그램 및 데이터 이외에, 실장 위치 정보(71a) 및 소자 특성 정보(12)가 기억되어 있다. 실장 위치 정보(71a)는, 실장 제어부(70)에 의해 실행된 실장 동작 제어의 이력 데이터로 작성된다. 소자 특성 정보(12)는 LAN 시스템(2)을 통해 관리 컴퓨터(3)로부터 송신된다. 통신부(72)는 LAN 시스템(도시 생략)을 통해 다른 장치에 접속되어 있고, 제어 신호 및 데이터를 주고 받는다.
기구 구동부(73)는 실장 제어부(70)에 의해 제어되고, 부품 공급 기구(25) 및 부품 실장 기구(26)를 구동한다. 이에 따라, 기판(4)의 개개의 기판(4a) 각각에 LED 소자(5)가 실장된다. 맵 작성 처리부(74)(맵 데이터 작성 수단)는, 부품 실장 장치(M1)에 의해 실장된 LED 소자(5)의 기판(4)에 있어서의 위치를 나타내는 실장 위치 정보(71a)와, 이 LED 소자(5)에 대한 소자 특성 정보(12)를 결부시킨 맵 데이터(18)를, 기판(4)마다 작성하는 처리를 행하며, 상기 실장 위치 정보와 소자 특성 정보는 양자 모두다 기억부(71)에 기억되어 있는 것이다. 즉, 맵 데이터 작성 수단은 부품 실장 장치(M1)에 마련되어 있고, 맵 데이터(18)는 부품 실장 장치(M1)로부터 수지 도포 장치(M4)에 송신된다. 맵 데이터(18)는, 관리 컴퓨터(3)를 경유하여 부품 실장 장치(M1)로부터 수지 도포 장치(M4)에 송신될 수도 있다. 이러한 경우에, 맵 데이터(18)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 관리 컴퓨터(3)의 기억부(61)에 기억된다.
수지 도포 장치(M4)는 도포 제어부(36), 기억부(81), 통신부(82), 생산 실행 처리부(37), 도포량 도출 처리부(38) 및 발광 특성 측정 처리부(39)를 구비한다. 도포 제어부(36)는, 수지 도포부(C)를 구성하는 노즐 이동 기구(34), 수지 토출 기구(35) 및 시험 및 측정 유닛(40)을 제어함으로써, 수지(8)를 발광 특성 측정에 사용되는 투광 부재(43)에 시험 도포하는 측정용 도포 처리와, 수지(8)를 실생산용으로서 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 처리를 행한다.
기억부(81)에는, 도포 제어부(36)의 제어 처리에 필요한 프로그램 및 데이터 이외에, 수지 도포 정보(14), 맵 데이터(18), 한계값 데이터(81a) 및 실생산용 도포량(81b)이 기억되어 있다. 수지 도포 정보(14)는 LAN 시스템(2)을 통해 관리 컴퓨터(3)로부터 송신되고, 맵 데이터(18)는 마찬가지로 LAN 시스템(2)을 통해 부품 실장 장치(M1)로부터 송신된다. 통신부(82)는 LAN 시스템(도시 생략)을 통해 다른 장치에 접속되어 있고, 제어 신호 및 데이터를 주고 받는다.
발광 특성 측정 처리부(39)는, 광원부(45)로부터 발광된 여기광이 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 조사될 때, 이 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 측정하는 처리를 행한다. 도포량 도출 처리부(38)는, 발광 특성 측정 처리부(39)의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초로 하여 실제 생산에 사용되는 LED 소자(5)에 도포되어야 하는 수지(8)의 적정 수지 도포량을 도출하는 연산 처리를 행한다. 생산 실행 처리부(37)는, 도포량 도출 처리부(38)에 의해 도출된 적정 수지 도포량을 도포 제어부(36)에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 한다.
도 11에 도시된 구성에 있어서, 각 장치 고유의 작업 동작을 실행하는 기능 이외의 처리 기능, 예컨대 부품 실장 장치(M1)에 마련되는 맵 작성 처리부(74)의 기능, 수지 도포 장치(M4)에 마련되는 도포량 도출 처리부(38)의 기능은, 해당 장치에 부속되어야만 하는 것은 아니다. 예컨대, 맵 작성 처리부(74) 및 도포량 도출 처리부(38)의 기능은, 관리 컴퓨터(3)의 시스템 제어부(60)가 갖는 연산 처리 기능에 의해 커버되고, 필요한 신호 송수신은 LAN 시스템(2)을 통해 행해지게 구성하는 것도 가능하다.
전술한 LED 패키지 제조 시스템(1)의 구성에서는, 부품 실장 장치(M1) 및 수지 도포 장치(M4) 각각이 LAN 시스템(2)에 접속되어 있다. 기억부(61)에 소자 특성 정보(12)가 기억된 관리 컴퓨터(3) 및 LAN 시스템(2)은, 복수의 LED 소자(5)의 발광 파장을 포함하는 발광 특성을 미리 개별적으로 측정함으로써 얻어진 정보를, 소자 특성 정보(12)로서 부품 실장 장치(M1)에 제공하는 소자 특성 정보 제공 수단이 된다. 마찬가지로, 기억부(61)에 수지 도포 정보(14)가 기억된 관리 컴퓨터(3) 및 LAN 시스템(2)은, 규정된 발광 특성을 지닌 LED 패키지(50)를 얻기 위한 수지(8)의 적정 수지 도포량을 소자 특성 정보에 대응시킨 정보를, 수지 도포 정보로서 수지 도포 장치(M4)에 제공하는 수지 정보 제공 수단이 된다.
즉, 소자 특성 정보(12)를 부품 실장 장치(M1)에 제공하는 소자 특성 정보 제공 수단과, 수지 도포 정보(14)를 수지 도포 장치(M4)에 제공하는 수지 정보 제공 수단은, 외부 기억 수단인 관리 컴퓨터(3)의 기억부(61)로부터 판독된 소자 특성 정보 및 수지 도포 정보를, LAN 시스템(2)을 통해 부품 실장 장치(M1) 및 수지 도포 장치(M4)에 각각 송신하도록 구성되어 있다.
이어서, LED 패키지 제조 시스템(1)에 의해 실행되는 LED 패키지 제조 과정을, 도 12의 플로우에 따라, 각 도면을 참조하면서 설명한다. 우선 소자 특성 정보(12) 및 수지 도포 정보(14)를 취득한다(ST1). 즉, 복수의 LED 소자(5)의 발광 파장을 포함하는 발광 특성을 미리 개별적으로 측정하여 얻어진 소자 특성 정보(12)와, 규정된 발광 특성을 지니 LED 패키지(50)를 얻기 위한 수지(8)의 적정 수지 도포량을 소자 특성 정보(12)에 대응시킨 수지 도포 정보(14)를, 외부 장치로부터 LAN 시스템(2)을 통해, 또는 기억 매체를 통해 취득한다.
이후에, 실장이 행해지는 기판(4)을 부품 실장 장치(M1)에 반입한다(ST2). 도 18의 (a)에 도시된 바와 같이, 접착제 전사 기구(24)의 전사핀(24a)을 승강시킴으로써(화살표 n), LED 실장부(4b) 내의 소자 실장 위치에 수지 접착제(23)를 공급한 후, 도 18의 (b)에 도시된 바와 같이, 부품 실장 기구(26)의 실장 노즐(26a)에 유지되어 있는 LED 소자(5)를 하강시키고(화살표 o), 수지 접착제(23)를 통해 기판(4)의 LED 실장부(4b) 내에 실장한다(ST3). 이 부품 실장 작업의 데이터로부터, 실장 위치 정보(71a)를 각각의 LED 소자(5)의 소자 특성 정보(12)에 연관시킨 해당 기판(4)에 대한 맵 데이터(18)를, 맵 작성 처리부(74)에 의해 작성한다(ST4). 그 후에, 이 맵 데이터(18)를 부품 실장 장치(M1)로부터 수지 도포 장치(M4)에 송신하고, 수지 도포 정보(14)를 관리 컴퓨터(3)로부터 수지 도포 장치(M4)에 송신한다(ST5). 이에 따라, 수지 도포 장치(M4)가 수지 도포 작업을 실행하는 것이 가능해진다.
뒤이어, 부품 실장 후의 기판(4)은 경화 장치(M2)에 보내어져 가열되며, 그 결과 도 18의 (c)에 도시된 바와 같이, 수지 접착제(23)가 열경화되고 수지 접착제(23*) 및 LED 소자(5)는 개개의 기판(4a)에 고착된다. 이어서, 수지 경화 후의 기판(4)은 와이어 본딩 장치(M3)에 보내어지고, 도 18의 (d)에 도시된 바와 같이, 개개의 기판(4a)의 배선층(4e, 4d)은 각각 LED 소자(5)의 N형부 전극(6a)과 P형부 전극(6b)에 본딩 와이어(7)에 의해 접속된다.
이어서, 양품 판정용의 한계값 데이터 작성 처리가 실행된다(ST6). 이 처리는, 생산용 도포에 있어서 양품을 판정하는 한계값[도 11에 나타내어진 한계값 데이터(81a) 참조]을 설정하기 위해 실행되고, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5] 각각에 대응하는 생산용 도포에 관하여 반복적으로 실행된다. 이 한계값 데이터 작성 처리를 도 13, 도 14의 (a) 내지 (c), 도 15를 참조하여 상세히 설명한다. 도 13에서는, 우선 수지 도포 정보(14)에 규정된 표준 농도의 형광체를 포함하는 수지(8)를 준비한다(ST11). 이 수지(8)를 수지 토출 헤드(32)에 세팅한 후, 수지 토출 헤드(32)를 시험 및 측정 유닛(40)의 테스트 스테이지(40a)로 이동시키고, 수지(8)를 수지 도포 정보(14)에 나타내어진 규정 도포량(적정 수지 도포량)으로 투광 부재(43)에 도포한다(ST12). 이어서, 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)를 투광 부재 적재부(41) 상으로 이동시키고, LED 소자(5)를 발광시키며, 수지(8)가 경화되지 않은 상태일 때의 발광 특성을 전술한 구성의 발광 특성 측정부에 의해 측정한다(ST13). 발광 특성 측정부에 의해서 측정된 발광 특성의 측정 결과인 발광 특성 측정치(39a)에 기초하여, 발광 특성을 양품의 것이라고 판정하는, 측정치의 양품 판정 범위를 설정한다(ST14). 설정된 양품 판정 범위를 한계값 데이터(81a)로서 기억부(81)에 기억시키고, 관리 컴퓨터(3)에 전송하여 기억부(61)에 기억시킨다(ST15).
도 14의 (a) 내지 (c)는 이와 같이 하여 작성된 한계값 데이터, 즉 표준 농도의 형광체를 함유한 수지(8)를 도포한 후, 이 수지가 경화되어 있지 않은 상태일 때 구한 발광 특성 측정치와, 발광 특성이 양품의 것인지의 여부를 판정하는 측정치의 양품 판정 범위(한계값)를 보여준다. 도 14의 (a), (b), (c)는, 수지(8)에 있어서의 형광체 농도가 각각 5%, 10%, 15%인 경우의, Bin 코드[1], [2], [3], [4], [5]에 대응한 한계값을 보여준다.
예컨대, 도 14의 (a)에 도시된 바와 같이, 수지(8)의 형광체 농도가 5%인 경우, 적정 수지 도포량 15(1) 각각에 나타내어진 도포량이 각 Bin 코드(12b)에 대응하고, 각각의 도포량으로 도포한 수지(8)에 LED 소자(5)의 파란색광을 조사함으로써 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 발광 특성 측정부에 의해 측정한 후의 측정 결과가, 발광 특성 측정치 39a(1)에 나타내어져 있다. 각각의 발광 특성 측정치 39a(1)에 기초로 하여, 한계값 데이터 81a(1)가 설정된다. 예컨대, Bin 코드[1]에 대응하는 적정 수지 도포량 VA0으로 도포한 수지(8)의 발광 특성을 측정한 후의 측정 결과는, 도 15에 도시된 색도표 상의 색도 좌표점 ZA0(XA0, YA0)에 의해서 나타내어진다. 이 색도 좌표점 ZA0를 중심으로 하여, 색도표 상에서의 X 좌표 및 Y 좌표의 소정 범위(예컨대 ±10%)가 양품 판정 범위(한계값)으로서 설정된다. 다른 Bin 코드[2]~[5]에 대응하는 적정 수지 도포량의 경우도 마찬가지로, 발광 특성 측정 결과에 기초로 하여 양품 판정 범위(한계값)가 설정된다(도 15에 나타내어진 색도표 상의 색도 좌표점 ZB0∼ZE0참조). 여기서, 한계값으로서 설정된 소정 범위는, 제품으로서의 LED 패키지(50)에 요구되는 발광 특성의 정밀도 레벨에 따라서 적절히 설정된다.
마찬가지로, 도 14의 (b), (c)는, 수지(8)에 있어서의 형광체 농도가 각각 10%, 15%인 경우의, 발광 특성 측정치 및 양품 판정 범위(한계값)를 보여준다. 도 14의 (b), (c)에 있어서, 적정 수지 도포량 15(2)와 적정 수지 도포량 15(3)은 각각 형광체 농도가 각각 10%, 15%인 경우의 적정 수지 도포량을 나타낸다. 발광 특성 측정치 39a(2)와 발광 특성 측정치 39a(3) 각각은, 형광체 농도가 각각 10%, 15%인 경우의 발광 특정 측정치를 보여주고, 한계값 데이터 81a(2)와 한계값 데이터 81a(3) 각각은, 형광체 농도가 각각 10%, 15%인 경우의 양품 판정 범위(한계값)를 보여준다. 이와 같이 하여 작성된 한계값 데이터는, 생산용 도포 작업에 있어서, 도포 작업이 행해지는 LED 소자(5)가 속하는 Bin 코드(12b)에 기초하여 적절하게 사용된다. (ST6)에 나타내어진 한계값 데이터 작성 처리는, LED 패키지 제조 시스템(1)과는 별도로 마련된 독립적인 검사 장치에 의해 오프라인 작업으로서 실행될 수 있고, 관리 컴퓨터(3)에 미리 기억시켜 놓은 한계값 데이터(81a)는, LAN 시스템(2)을 경유하여 수지 도포 장치(M4)에 송신되어 이용될 수 있다.
이후에, 와이어 본딩 후의 기판(4)은 수지 도포 장치(M4)에 반송되고(ST7), 도 19의 (a)에 도시된 바와 같이 반사부(4c)에 의해 둘러싸인 LED 실장부(4b)의 내부에 수지(8)를 토출 노즐(33a)에서 토출시킨다. 맵 데이터(18), 한계값 데이터(81a) 및 수지 도포 정보(14)에 기초하여, 도 19의 (b)에 도시된 바와 같이 규정량의 수지(8)를 LED 소자(5)를 덮어 도포하는 작업이 실행된다(ST8). 이 수지 도포 작업 처리를 도 14의 (a) 내지 (c), 도 15를 참조하여 상세히 설명한다. 우선 수지 도포 작업을 시작할 때, 필요에 따라서 수지 수납 용기의 교환이 행해진다(ST21). 즉, 수지 토출 헤드(32)에 장착된 디스펜서(33)를, LED 소자(5)의 특성에 따라서 선택된 형광체 농도의 수지(8)를 수납한 디스펜서(33)로 교환한다.
이어서, 수지 도포부(C)에 의해서, 수지(8)는 발광 특성 측정용으로서 투광 부재(43)에 시험 도포된다(측정용 도포 공정)(ST22). 즉, 시험 및 측정 유닛(40)에서 테스트 스테이지(40a)에 인출된 투광 부재(43) 상에, 도 4에 규정된 각 Bin 코드(12b)마다의 적정 수지 도포량 VA0~VE0의 수지(8)를 도포한다. 이때, 적정 수지 도포량 VA0~VE0에 대응하는 토출 동작 파라미터를 수지 토출 기구(35)에 지령하더라도, 토출 노즐(33a)에 의해 토출되어 투광 부재(43)에 도포되는 실제 수지 도포량은, 수지(8)의 특성의 경시적 변화 등으로 인하여, 반드시 전술한 적정 수지 도포량인 것은 아니다. 도 17의 (a)에 도시된 바와 같이, 실제 수지 도포량은 VA0~VE0와는 다소 다른 VA1~VE1가 된다.
이어서, 시험 및 측정 유닛(40)에 있어서 투광 부재(43)를 보내는 것에 의해, 수지(8)가 시험 도포된 투광 부재(43)를 이송하고 투광 부재 적재부(41)에 놓는다(투광 부재 적재 공정). 투광 부재 적재부(41)의 위에 배치된 광원부(45)로부터, 형광체를 여기하는 여기광을 발광한다(여기광 발광 공정). 이 여기광을 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 상측으로부터 조사할 때, 이 수지(8)가 발하는 광은, 투광 부재(43)의 아래에서 적분구(44)를 통해 분광기(42)에 의해 수광되고, 이 광의 발광 특성은 발광 특성 측정 처리부(39)에 의해 측정된다(발광 특성 측정 공정)(ST23).
이에 따라, 도 17의 (b)에 도시된 바와 같이, 색도 좌표점 Z(도 15참조)에 나타내어진 발광 특성 측정치가 제공된다. 이 측정 결과는, 전술한 도포량의 편차 및 수지(8)에서의 형광체 입자의 농도 변화 등으로 인하여, 미리 규정해 놓은 발광 특성, 즉 도 14의 (a)에 나타내어진 적정 수지 도포 시의 표준 색도 좌표점 ZA0∼ZE0에 반드시 일치한 것은 아니다. 따라서, 얻어진 색도 좌표점 ZA1~ZE1와 도 14의 (a)에 나타내어진 적정 수지 도포 시의 표준 색도 좌표 ZA0~ZE0 간의, X, Y 좌표에 있어서의 차이를 나타내는 편차(ΔXA, ΔYA)~(ΔXE, ΔYE)를 구하고, 원하는 발광 특성을 얻기 위한 보정의 필요 여부를 판정한다.
측정 결과가 한계값 내에 있는가의 여부를 판정한다(ST24). 도 17의 (c)에 도시된 바와 같이, (ST23)에서 구한 편차와 한계값을 비교함으로써, 편차(ΔXA, ΔYA)~(ΔXE, ΔYE)가 ZA0~ZE0에 대하여 ±10%의 범위 내에 있는지의 여부를 판단한다. 편차가 한계값 이내이면, 기설정의 적정 수지 도포량 VA0~VE0에 대응하는 토출 동작 파라미터를 그대로 유지한다. 이에 반하여, 편차가 한계값을 초과하면, 도포량을 보정한다(ST25). 즉, 발광 특성 측정 공정에서의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 도 17의 (d)에 도시된 바와 같이, 이렇게 구한 편차에 기초로 하여, LED 소자(5)에 도포되어야 하는 수지(8)의 실생산용의 새로운 적정 수지 도포량 VA2~VE2를 도출하는 처리를, 도포량 도출 처리부(38)에 의해 실행한다(도포량 도출 처리 공정).
보정된 적정 수지 도포량 VA2~VE2는, 기설정의 적정 수지 도포량 VA0∼VE0에 편차에 대응하는 보정량을 더하여 갱신한 값이다. 편차와 보정량의 관계는, 미리 기지의 수반 데이터로서 수지 도포 정보(14)에 기록되어 있다. 보정된 적정 수지 도포량 VA2~VE2에 기초하여, (ST22), (ST23), (ST24), (ST25)의 처리를 반복 실행하다. (ST24)에서의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 간의 편차가 한계값 내에 있는 것을 확인함으로써, 실생산용의 적정 수지 도포량을 확정한다. 즉, 전술한 수지 도포 방법에 있어서는, 측정용 도포 공정, 투광 부재 적재 공정, 여기광 발광 공정, 발광 특성 측정 공정 및 도포량 도출 공정을 반복 실행함으로써, 적정 수지 도포량을 확정적으로 도출한다. 확정된 적정 수지 도포량은, 기억부(81)에 실생산용 도포량(81b)으로서 기억된다.
이후에, 플로우는 다음 공정으로 이행되어 배출을 행한다(ST26). 여기서는, 소정량의 수지(8)를 토출 노즐(33a)에서 토출되게 함으로써, 수지 토출 경로에서의 수지 유동 상태를 개선하고, 디스펜서(33) 및 수지 토출 기구(35)의 동작을 안정시킨다. 도 16에 파선 프레임으로 나타내어진 (ST27), (ST28), (ST29), (ST30)의 처리는, (ST22), (ST23), (ST24), (ST25)에 나타내어진 처리와 유사하게 행해진다. 원하는 발광 특성이 완전히 확보되어 있는 것을 신중히 확인해야 하는 경우에, (ST27), (ST28), (ST29), (ST30)의 처리가 행해지며, 반드시 행해져야 하는 필수 실행 사항은 아니다.
이러한 식으로, 원하는 발광 특성을 부여하는 적정 수지 도포량이 확정되면, 생산용 도포가 실행된다(ST31). 즉, 도포량 도출 처리부(38)에 의해 도출되고 실생산용 도포량(81b)으로서 기억되는 적정 수지 도포량을, 수지 토출 기구(35)를 제어하는 도포 제어부(36)에 생산 실행 처리부(37)가 지령하면, 이 적정 수지 도포량의 수지(8)를 기판(4)에 실장된 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행된다(생산 실행 공정).
이 생산용 도포 처리를 반복 실행하는 과정에서, 디스펜서(33)에 의한 도포 횟수를 카운트하고, 도포 횟수가 미리 설정해 놓은 소정 횟수를 넘었는가의 여부를 감시한다(ST32). 즉, 이 소정 횟수에 도달할 때까지, 수지(8)의 특성 및 형광체 농도의 변화는 적은 것이라고 판단하고, 동일한 실생산용 도포량(81b)을 유지하면서 생산용 도포 처리(ST31)를 반복한다. (ST32)에서 소정 횟수의 경과가 확인되면, 수지(8)의 특성 및 형광체 농도가 변화되고 있을 가능성이 있다고 판단하고, 흐름은 (ST22)로 되돌아간다. 이어서, 동일한 발광 특성의 측정과 그 측정 결과에 기초한 도포량 보정 처리가 반복적으로 실행된다.
이러한 식으로 1장의 기판(4)에의 수지 도포가 종료되면, 기판(4)은 경화 장치(M5)에 보내어지고, 경화 장치(M5)로 가열함으로써 수지(8)는 경화된다(ST9). 이에 따라, 도 19의 (c)에 도시된 바와 같이, LED 소자(5)를 덮도록 도포된 수지(8)는 열경화되고 수지(8*)가 되며, LED 실장부(4b) 내에서 고착 상태로 된다. 이어서, 수지 경화 후의 기판(4)은 절단 장치(M6)에 보내어지고, 기판(4)을 개개의 기판(4a)마다 절단함으로써, 도 19의 (d)에 도시된 바와 같이, 기판(4) 등은 개개의 LED 패키지(50)로 분할된다(ST10). 이에 따라, LED 패키지(50)가 완성된다.
전술한 바와 같이, 상기한 실시형태에 나타내어진 LED 패키지 제조 시스템(1)은, 기판(4)에 복수의 LED 소자(5)를 실장하는 부품 실장 장치(M1)와, 복수의 LED 소자(5)의 발광 파장을 미리 개별적으로 측정하여 얻은 정보를 소자 특성 정보(12)로서 제공하는 소자 특성 정보 제공 수단과, 규정된 발광 특성을 지닌 LED 패키지(50)를 얻기 위한 수지(8)의 적정 수지 도포량과 소자 특성 정보(12)를 대응시킨 정보를 수지 도포 정보(14)로서 제공하는 수지 정보 제공 수단과, 부품 실장 장치(M1)에 의해 실장된 LED 소자(5)의 기판(4)에서의 위치를 나타내는 실장 위치 정보(71a)와 해당 LED 소자(5)에 대한 소자 특성 정보(12)를 결부시킨 맵 데이터(18)를 기판(4)마다 작성하는 맵 데이터 작성 수단, 그리고 맵 데이터(18) 및 수지 도포 정보(14)에 기초하여, 규정된 발광 특성을 갖게 하는 적정 수지 도포량의 수지(8)를, 기판(4)에 실장된 각 LED 소자에 도포하는 수지 도포 장치(M4)를 포함하여 구성되어 있다.
수지 도포 장치(M4)는, 수지(8)를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하고 임의의 도포 대상 위치에 수지(8)를 도포하는 수지 도포부(C)와, 수지 도포부(C)를 제어함으로써, 수지(8)를 발광 특성 측정용으로서 투광 부재(43)에 시험 도포하는 측정용 도포 처리 및 수지를 실생산용으로서 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 도포 제어부(36)와, 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 광원부를 구비하고 측정용 도포 처리에서 수지(8)가 시험 도포된 투광 부재(43)가 적재되는 투광 부재 적재부(41)와, 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 상기 광원부로부터 발광된 여기광이 조사되었을 때, 수지(8)가 발하는 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정부와, 발광 특성 측정부의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 적정 수지 도포량을 보정함으로써, LED 소자(5)에 도포되어야 하는 수지의 실생산용의 적정 도포량을 도출하는 도포량 도출 처리부(38), 그리고 도출된 적정 수지 도포량을 도포 제어부(36)에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자(5)에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 생산 실행 처리부(37)를 포함하여 구성되어 있다.
전술한 구성에 의하면, LED 소자(5)를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지(50)의 제조에 이용되는 수지 도포에 있어서, 발광 특성 측정을 위해 수지(8)가 시험 도포된 투광 부재(43)를 투광 부재 적재부(41)에 적재하고, 상측에 배치된 광원부(45)가, 형광체를 여기하는 여기광을 발광하여, 투광 부재(43)에 도포된 수지(8)에 상측으로부터 여기광을 조사하였을 때, 이 수지(8)가 발하는 광을 투광 부재(43)의 아래에서 수광하여 이 광의 발광 특성을 측정한 후에 구한 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 LED 소자(5)에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출할 수 있다. 이에 의해, 개개의 LED 소자(5)의 발광 파장이 불균일해진 경우라도, LED 패키지(50)의 발광 특성을 균일화하여, 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
전술한 구성의 LED 패키지 제조 시스템(1)에 있어서는, 관리 컴퓨터(3) 및 부품 실장 장치(M1)~절단 장치(M6)의 각 장치가 LAN 시스템(2)에 의해 접속되어 있는 구성을 보여주고 있지만, LAN 시스템(2)은 반드시 필수적인 구성 요소는 아니다. 즉, 미리 준비되어 외부에서 전달되는 소자 특성 정보(12) 및 수지 도포 정보(14)를 각 LED 패키지(50)마다 기억하여 두는 기억 수단이 있고, 이들 기억 수단으로부터, 부품 실장 장치(M1)에 대하여 소자 특성 정보(12)를, 그리고 수지 도포 장치(M4)에 대하여 수지 도포 정보(14) 및 맵 데이터(18)를, 필요에 따라 수시 제공할 수 있는 데이터 제공 수단이 있다면, 본 실시형태에 나타내어진 LED 패키지 제조 시스템(1)의 기능은 실현될 수 있다.
본 발명을 실시형태를 참조하여 상세히 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고서 여러 변경 및 수정이 실시될 수 있다는 것은 당업자에게 분명한 것이다.
본 출원은 2011년 5월 30일자로 출원된 일본 특허 출원(특허 출원 제2011-119989호)에 기초하며, 이 특허 출원의 내용은 본원에 참조로 인용되어 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 LED 패키지 제조 시스템은, 개개의 LED 소자의 발광 파장이 불균일하더라도, LED 패키지의 발광 특성을 균일화하여, 생산 수율을 향상시킬 수 있다고 하는 효과를 갖고, 형광체를 포함하는 수지로 LED 소자를 덮은 구성의 LED 패키지를 제조하는 분야에 적용 가능하다.
1 : LED 패키지 제조 시스템 2 : LAN 시스템
4 : 기판 4a : 개개의 기판
4b : LED 실장부 4c : 반사부
5 : LED 소자 8 : 수지
12 : 소자 특성 정보 13A, 13B, 13C, 13D, 13E : LED 시트
14 : 수지 도포 정보 18 : 맵 데이터
23 : 수지 접착제 24 : 접착제 전사 기구
25 : 부품 공급 기구 26 : 부품 실장 기구
32 : 수지 토출 헤드 33 : 디스펜서
33a : 토출 노즐 40, 140 : 시험 및 측정 유닛
40a : 테스트 스테이지 41, 141 : 투광 부재 적재부
42 : 분광기 43 : 투광 부재
44 : 적분구 46 : 조사부
50 : LED 패키지

Claims (7)

  1. 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 LED 패키지 제조 시스템에 이용되고, 상기 기판에 실장된 상기 LED 소자를 덮도록 상기 수지를 도포하는 수지 도포 장치로서,
    상기 수지를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하고 임의의 도포 대상 위치에 수지를 도포하는 수지 도포부;
    상기 수지 도포부를 제어함으로써, 수지를 발광 특성 측정용으로서 투광 부재에 시험 도포하는 측정용 도포 처리와, 수지를 실생산용으로서 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 도포 제어부;
    상기 측정용 도포 처리에서 수지가 시험 도포된 투광 부재가 적재되는 투광 부재 적재부;
    상기 투광 부재 적재부의 위에 배치되고, 상기 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 광원부;
    상기 투광 부재에 도포된 수지에 상기 여기광이 상측으로부터 조사되었을 때, 수지가 발하는 광을 상기 투광 부재의 아래에서 수광하여, 상기 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정부;
    상기 발광 특성 측정부의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 사용되는 LED 소자에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출하는 도포량 도출 처리부; 및
    상기 적정 수지 도포량을 상기 도포 제어부에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리가 실행되게 하는 생산 실행 처리부
    를 포함하는 수지 도포 장치.
  2. 제1항에 있어서, 흰색광을 발하는 LED 패키지가 상기 광원부로서 사용되는 것인 수지 도포 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 발광 특성 측정부는, 적분구를 상기 투광 부재의 아래에 배치함으로써 이루어지고, 수지가 발하는 광은 상기 적분구의 개구를 통하여 수광되는 것인 수지 도포 장치.
  4. 기판에 실장된 LED 소자를 형광체를 포함하는 수지에 의해 덮음으로써 만들어지는 LED 패키지를 제조하는 LED 패키지 제조 시스템에 이용되고, 상기 기판에 실장된 상기 LED 소자를 덮도록 상기 수지를 도포하는 수지 도포 방법으로서,
    상기 수지를 그 도포량을 가변으로 하여 토출하는 수지 토출부에 의해, 상기 수지를 발광 특성 측정용으로서 투광 부재에 시험 도포하는 측정용 도포 공정;
    상기 수지가 시험 도포된 투광 부재를 투광 부재 적재부에 적재하는 투광 부재 적재 공정;
    상기 투광 부재 적재부의 위에 배치된 광원부로부터 상기 형광체를 여기하는 여기광을 발광하는 여기광 발광 공정;
    상기 투광 부재에 도포된 수지에 상기 여기광이 상측으로부터 조사되었을 때, 수지가 발하는 광을 상기 투광 부재의 아래에서 수광하여, 상기 광의 발광 특성을 측정하는 발광 특성 측정 공정;
    상기 발광 특성 측정 공정에서의 측정 결과와 미리 규정해 놓은 발광 특성 사이의 편차를 구하고, 이 편차에 기초하여, 실생산용으로서 사용되는 LED 소자에 도포되어야 하는 적정 수지 도포량을 도출하는 도포량 도출 처리 공정; 및
    상기 도출된 적정 수지 도포량을 상기 수지 토출부를 제어하는 도포 제어부에 지령함으로써, 이 적정 수지 도포량의 수지를 LED 소자에 도포하는 생산용 도포 처리를 실행하는 생산 실행 공정
    을 포함하는 수지 도포 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 광원부로서 흰색광을 발하는 LED 패키지를 이용하고, 상기 미리 규정해 놓은 발광 특성은, 상기 LED 소자에 도포된 상기 수지가 경화된 상태일 때, 완성품으로부터 구한 정규 발광 특성을, 상기 수지가 경화되어 있지 않은 상태인 것에 기인한 발광 특성의 차이만큼 벗어나게 한 발광 특성인 것인 수지 도포 방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 발광 특성 측정 공정에서는, 적분구를 상기 투광 부재의 아래에 배치한 상태에서 상기 수지가 발하는 광을 상기 적분구의 개구를 통하여 수광하는 것인 수지 도포 방법.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 측정용 도포 공정, 상기 투광 부재 적재 공정, 상기 발광 특성 측정 공정 및 상기 도포량 도출 공정을 반복 실행함으로써, 상기 적정 수지 도포량을 확정적으로 도출하는 것인 수지 도포 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013168533A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Panasonic Corp 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
JP2015099912A (ja) * 2013-10-16 2015-05-28 日東電工株式会社 蛍光体シートの評価方法およびその製造方法
KR102145208B1 (ko) * 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US10069042B2 (en) * 2014-11-19 2018-09-04 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting components containing body, manufacturing method of light-emitting components containing body, components mounting apparatus, components mounting method, and components mounting system

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005326393A (ja) * 2004-04-12 2005-11-24 Nireco Corp 分光透過率測定装置、透過型厚さ計、色彩値測定装置、分光透過率測定方法、厚さ測定方法、及び色彩値測定方法
EP1865564B1 (en) 2005-03-18 2014-11-19 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP5098221B2 (ja) * 2005-05-24 2012-12-12 三菱化学株式会社 発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライトおよびディスプレイ
JP2007066969A (ja) 2005-08-29 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 白色発光ダイオード装置とその製造方法
JP4880329B2 (ja) * 2006-03-06 2012-02-22 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP5386800B2 (ja) * 2006-07-26 2014-01-15 三菱化学株式会社 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、および画像表示装置
JP2008145300A (ja) 2006-12-11 2008-06-26 Sharp Corp 蛍光体層厚み判定方法および発光装置の製造方法
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP2009283438A (ja) * 2007-12-07 2009-12-03 Sony Corp 照明装置、表示装置、照明装置の製造方法
US8038497B2 (en) * 2008-05-05 2011-10-18 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices by selective deposition of light conversion materials based on measured emission characteristics
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
JP2011021062A (ja) 2009-07-13 2011-02-03 Koito Mfg Co Ltd 蛍光体、発光モジュール及び車両用灯具
JP2011096936A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Alpha- Design Kk 半導体発光ディバイス製造装置
JP5397944B2 (ja) * 2009-11-11 2014-01-22 日東電工株式会社 蛍光体含有複合シート
TWI494553B (zh) * 2010-02-05 2015-08-01 Samsung Electronics Co Ltd 評估ｌｅｄ光學性質之設備及方法以及製造ｌｅｄ裝置之方法
JP5299577B2 (ja) * 2010-08-17 2013-09-25 コニカミノルタ株式会社 発光装置の製造方法
JP5310700B2 (ja) * 2010-10-27 2013-10-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
JP5310699B2 (ja) * 2010-10-27 2013-10-09 パナソニック株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法

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