KR20130137081A - Laser machining apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 웨이퍼의 가공면을 보호막으로 피복하는 보호막 피복 장치를 구비한 레이저 가공 장치에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the laser processing apparatus provided with the protective film coating apparatus which coats the process surface of a wafer with a protective film.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 웨이퍼의 표면에 격자형으로 분할 예정 라인(스트리트)이 형성되고, 분할 예정 라인에 의해 구획된 영역에 IC, LSI 등의 회로가 형성된다. 웨이퍼는, 격자형의 분할 예정 라인을 따라 절삭됨으로써, 개개의 디바이스칩으로 분할된다. 이와 같이 하여 분할된 디바이스칩은, 패키징되어 휴대전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 널리 이용된다. 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할하는 방법으로서는, 치핑의 저감 등의 이유에 의해, 레이저 가공에 의해 분할하는 방법도 채용되고 있다. In the manufacturing process of a semiconductor device, the division scheduled line (street) is formed in the grid | lattice form on the surface of a wafer, and circuits, such as IC and LSI, are formed in the area | region partitioned by the division scheduled line. The wafer is cut into individual device chips by cutting along a lattice scheduled division line. The device chips divided in this manner are packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers. As a method of dividing a wafer along a division scheduled line, a method of dividing by a laser processing is also employed for reasons such as chipping reduction.
그런데, 레이저 가공에서는, 레이저광의 열에너지에 의해 부스러기(debris)가 비산하여 웨이퍼의 표면에 부착되어, 디바이스칩의 품질을 저하시킨다고 하는 문제가 발생하였다. 그래서, 레이저 가공 전에 웨이퍼의 표면을 보호막으로 피복하는 레이저 가공 장치가 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1의 레이저 가공 장치에서는, 공급 노즐로부터 스피너 테이블 위의 웨이퍼에 액상 수지가 공급되고, 소위 스핀코트법에 의해 웨이퍼 표면에 보호막이 형성된다. 그 후, 보호막을 통해 레이저광이 조사됨으로써, 웨이퍼의 표면에 바로 부스러기가 부착되는 것이 방지된다. By the way, in laser processing, debris scattered by the thermal energy of laser light and adhered to the surface of the wafer, resulting in a problem of degrading device chip quality. Then, the laser processing apparatus which coat | covers the surface of a wafer with a protective film before laser processing is proposed (for example, refer patent document 1). In the laser processing apparatus of patent document 1, liquid resin is supplied to the wafer on a spinner table from a supply nozzle, and a protective film is formed in the surface of a wafer by what is called a spin coat method. Thereafter, laser light is irradiated through the protective film, whereby debris is prevented from adhering directly to the surface of the wafer.
또한, 이 종류의 레이저 가공 장치로서, 액상 수지가 저류된 복수의 탱크를 설치하고, 복수의 탱크 안에서 액상 수지의 공급원을 선택적으로 전환하는 것이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 2 참조). 특허문헌 2의 레이저 가공 장치에서는, 복수의 탱크가 공급 노즐에 선택적으로 접속되어 있고, 어느 하나의 탱크의 액상 수지의 액량이 정해진 양보다 밑돌면, 다른 탱크가 공급 노즐에 접속된다. 이 때문에, 액상 수지의 공급을 정지시키지 않고, 액량이 저하된 탱크에 대하여 액상 수지를 보충하거나, 탱크 자체를 교환하거나 하는 것이 가능하게 되어 있다. In addition, as this type of laser processing apparatus, it is proposed to provide a plurality of tanks in which liquid resin is stored and to selectively switch the source of liquid resin in the plurality of tanks (see Patent Document 2, for example). In the laser processing apparatus of patent document 2, a some tank is selectively connected to a supply nozzle, and when the liquid amount of the liquid resin of any one tank falls below a predetermined quantity, another tank is connected to a supply nozzle. For this reason, it is possible to replenish the liquid resin or replace the tank itself with respect to the tank in which the liquid amount is lowered without stopping the supply of the liquid resin.
그러나, 탱크로부터 공급 노즐에의 액송 중에 액상 수지내에 기포가 혼입되면, 기포를 포함한 액상 수지가 웨이퍼의 표면에 공급된다. 이 상태에서 웨이퍼의 표면에 보호막이 형성되면, 보호막에 잔류한 기포에 의해 구멍이 생기는 경우가 있었다. 기포에 의한 구멍이 분할 예정 라인상에 형성된 경우에는, 후속 공정의 레이저 가공시에 구멍을 통해 웨이퍼의 표면에 바로 부스러기가 부착되어, 디바이스칩의 품질을 악화시켜 버릴 가능성이 있었다. However, if bubbles are mixed in the liquid resin during the liquid transfer from the tank to the supply nozzle, the liquid resin including the bubbles is supplied to the surface of the wafer. When a protective film is formed on the surface of a wafer in this state, a hole may arise by the bubble which remained in the protective film. In the case where holes due to bubbles are formed on the scheduled lines to be divided, there is a possibility that debris adheres directly to the surface of the wafer through the holes during laser processing in a subsequent step, which may deteriorate the quality of the device chip.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 생산성을 저하시키지 않고, 웨이퍼에 대하여 양호한 보호막을 형성할 수 있는 레이저 가공 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of such a point, Comprising: It aims at providing the laser processing apparatus which can form a favorable protective film with respect to a wafer, without reducing productivity.
본 발명의 레이저 가공 장치는, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 상기 척 테이블에 유지된 웨이퍼에 레이저광을 조사하는 레이저광 조사 수단과, 상기 웨이퍼의 가공면을 보호막으로 피복하는 보호막 피복 장치를 적어도 구비한 레이저 가공 장치로서, 상기 보호막 피복 장치는, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 가공면에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 노즐과, 상기 액상 수지 노즐에 연통하는 액상 수지 공급 수단으로 구성되고, 상기 액상 수지 공급 수단은, 액상 수지를 수용하는 적어도 1개의 수용 탱크와, 상기 수용 탱크에 수용된 액상 수지를 저류하는 저류 용기와, 상기 수용 탱크로부터 상기 저류 용기에 액상 수지를 송출하는 제1 송출 펌프와, 상기 저류 용기로부터 상기 액상 수지 노즐에 액상 수지를 송출하는 제2 송출 펌프와, 상기 제1 송출 펌프 및 상기 제2 송출 펌프를 제어하는 제어부로 구성되며, 상기 저류 용기 안에는, 액상 수지의 흐름 방향에 대하여 대략 수직 방향으로 상기 저류 용기의 측면 및 바닥면에 걸쳐 배치되고 평판 위에 형성되며, 액상 수지중의 기포를 포착하기 위한 메시형의 기포 포착부를 갖는 기포 제거 필터가 설치되어 있고, 상기 저류 용기의 송출구와 상기 액상 수지 노즐을 연결하는 배관 내부는 기포가 제거된 액상 수지로 채워져 있는 것을 특징으로 한다.The laser processing apparatus of the present invention includes at least a chuck table for holding a wafer, laser light irradiation means for irradiating a laser beam to a wafer held on the chuck table, and a protective film coating device for coating a processing surface of the wafer with a protective film. The protective film coating apparatus includes: a holding table for holding a wafer, a liquid resin nozzle dropping liquid resin onto a processing surface of a wafer held on the holding table, and a liquid phase in communication with the liquid resin nozzle. The liquid resin supply means includes at least one accommodation tank for accommodating liquid resin, a storage container for storing liquid resin contained in the accommodation tank, and a liquid resin from the accommodation tank to the storage container. And a liquid resin from the storage container to the liquid resin nozzle. The delivery unit is composed of a second delivery pump, a control unit for controlling the first delivery pump and the second delivery pump, and in the storage container, the side and the bottom of the storage container in a direction substantially perpendicular to the flow direction of the liquid resin. A bubble removal filter is disposed over the surface and formed on the flat plate and has a bubble trapping portion having a mesh-like bubble trapping portion for trapping bubbles in the liquid resin, and the inside of the pipe connecting the outlet of the storage container and the liquid resin nozzle is bubbled. It is characterized in that the filled with the removed liquid resin.
이 구성에 의하면, 수용 탱크로부터 저류 용기에 액상 수지가 보충됨으로써, 저류 용기를 버퍼 탱크로서 기능시킬 수 있다. 따라서, 수용 탱크 내의 액상 수지의 잔량이 적어져 수용 탱크의 교환 작업 등이 발생하는 경우라도, 보호막 피복 장치를 정지하지 않고, 저류 용기 안의 액상 수지에 의해 웨이퍼에 보호막을 형성할 수 있다. 또한, 저류 용기 안에 설치한 기포 제거 필터에 의해 기포가 제거된 액상 수지가 저류 용기로부터 액상 수지 노즐에 송출된다. 이 때문에, 저류 용기와 액상 수지 노즐을 연결하는 배관 내부는 기포가 제거된 액상 수지로 채워지기 때문에, 기포가 혼입된 액상 수지가 액상 수지 노즐로부터 웨이퍼에 대하여 적하되지 않는다. 따라서, 보호막 안에 기포가 잔류하지 않아, 웨이퍼의 표면을 양호한 보호막으로 피복할 수 있다. According to this configuration, the liquid container is replenished from the storage tank to the storage container, whereby the storage container can function as a buffer tank. Therefore, even when the remaining amount of the liquid resin in the storage tank decreases and the replacement operation of the storage tank occurs, the protective film can be formed on the wafer by the liquid resin in the storage container without stopping the protective film coating apparatus. Moreover, the liquid resin from which the bubble was removed by the bubble removal filter provided in the storage container is sent from a storage container to a liquid resin nozzle. For this reason, since the inside of the piping which connects a storage container and a liquid resin nozzle is filled with the liquid resin from which the bubble was removed, the liquid resin in which bubble was mixed does not drop to a wafer from a liquid resin nozzle. Therefore, no bubbles remain in the protective film, and the surface of the wafer can be covered with a good protective film.
또한, 본 발명의 상기 레이저 가공 장치는, 상기 수용 탱크에 수용된 액상 수지가 정해진 양을 밑도는 것을 검출하는 수용 탱크 잔량 센서를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 수용 탱크 잔량 센서로부터의 검출 신호가 입력되었을 때에는 통지 수단에 정해진 양을 밑도는 것을 통지시킨다. Moreover, the said laser processing apparatus of this invention is equipped with the accommodation tank residual amount sensor which detects that the liquid resin accommodated in the said accommodation tank is below the predetermined quantity, and the said control part has received the detection signal from the said storage tank residual amount sensor At that time, the notification means is informed that the amount is lower than the predetermined amount.
본 발명에 의하면, 저류 용기를 설치함으로써 생산성을 저하시키지 않고 웨이퍼의 가공면에 보호막을 형성하고, 기포 제거 필터에 의해 기포가 제거된 액상 수지가 액상 노즐에 공급됨으로써 웨이퍼의 가공면을 양호한 보호막으로 피복할 수 있다. According to the present invention, by providing a storage container, a protective film is formed on the processed surface of the wafer without lowering the productivity, and the liquid resin from which bubbles are removed by the bubble removing filter is supplied to the liquid nozzle, thereby making the processed surface of the wafer a good protective film. Can be covered.
도 1은 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 사시도.
도 2는 본 실시형태에 따른 보호막 피복 장치의 사시도.
도 3은 본 실시형태에 따른 액상 수지 공급부의 배관 구성 및 제어 구성의 모식도.
도 4는 본 실시형태에 따른 보호막 피복 장치에 의한 보호막 형성 흐름의 설명도.1 is a perspective view of a laser machining apparatus according to the present embodiment.
2 is a perspective view of a protective film coating device according to the present embodiment.
3 is a schematic diagram of a piping configuration and a control configuration of a liquid resin supply unit according to the present embodiment.
4 is an explanatory diagram of a protective film formation flow by the protective film coating device according to the present embodiment.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치의 사시도이다. 또한 도 1에서는, 레이저 가공 장치에서, 웨이퍼의 가공면을 보호막으로 피복하는 보호막 피복 장치를 생략하여 기재하고 있다. 또한 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치는, 도 1에 도시하는 구성에 한정되지 않는다. 레이저 가공 장치는, 보호막 피복 장치를 구비하고 있으면, 어떻게 구성되어도 좋다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the laser processing apparatus which concerns on this embodiment is demonstrated with reference to an accompanying drawing. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus according to the present embodiment. In addition, in FIG. 1, the protective film coating apparatus which coat | covers the process surface of a wafer with a protective film is abbreviate | omitted and described in the laser processing apparatus. In addition, the laser processing apparatus which concerns on this embodiment is not limited to the structure shown in FIG. If the laser processing apparatus is equipped with the protective film coating apparatus, what kind of structure may be sufficient as it.
도 1에 도시하는 바와 같이, 레이저 가공 장치(1)는, 레이저광을 조사하는 레이저 가공 유닛(5)(레이저광 조사 수단)과 웨이퍼(W)를 유지한 척 테이블(3)을 상대 이동시켜, 웨이퍼(W)를 가공하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 대략 원판형으로 형성되어 있고, 표면에 격자형으로 배열된 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역으로 구획되며, 이 구획된 각 영역에 각종 디바이스가 형성되어 있다. 웨이퍼(W)의 표면(가공면)에는, 레이저 가공시의 부스러기의 부착을 억제하기 위한 보호막(85)이 형성되어 있다. As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 relatively moves the laser processing unit 5 (laser light irradiation means) which irradiates a laser beam, and the chuck table 3 which hold | maintained the wafer W. FIG. It is comprised so that the wafer W may be processed. The wafer W is formed in a substantially disk shape, is partitioned into a plurality of areas by division scheduled lines arranged in a lattice shape on the surface, and various devices are formed in each of the divided areas. On the surface (processing surface) of the wafer W, a
웨이퍼(W)는, 표면을 상향으로 하여, 링 프레임(86)에 깔려 있는 다이싱 시트(87)에 접착되어 있다. 또한 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)로서 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 등의 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명하지만, 이 구성에 한정되는 것이 아니다. 반도체 웨이퍼의 이면에 설치되는 DAF(Die Attach Film) 등의 점착 부재, 반도체 제품의 패키지, 세라믹, 유리, 사파이어(Al203)계의 무기 재료 기판, 각종 전기 부품이나 마이크론 오더의 가공 위치 정밀도가 요구되는 각종 가공 재료를 웨이퍼(W)로 하여도 좋다. The wafer W is adhered to the
레이저 가공 장치(1)는, 직방체형의 베이스(2)를 갖는다. 베이스(2)의 상면에는, 척 테이블(3)을 X축 방향으로 가공 이송하고, Y축 방향으로 인덱싱 이송하는 척 테이블 이동 기구(4)가 설치되어 있다. 척 테이블 이동 기구(4)의 후방에는, 입벽부(11)가 세워져 설치되어 있다. 입벽부(11)의 전면으로부터는 아암부(12)가 돌출되어 있고, 아암부(12)에는 척 테이블(3)에 대향하도록 레이저 가공 유닛(5)이 지지되어 있다. The laser processing apparatus 1 has a rectangular parallelepiped base 2. On the upper surface of the base 2, a chuck table moving mechanism 4 for processing and conveying the chuck table 3 in the X axis direction and indexing and feeding the Y axis direction is provided. In the rear of the chuck table moving mechanism 4, the
척 테이블 이동 기구(4)는, 베이스(2) 상면에 배치되고 X축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(15)과, 한 쌍의 가이드 레일(15)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 X축 테이블(16)을 갖는다. 또한, 척 테이블 이동 기구(4)는, X축 테이블(16) 상면에 배치되고 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(17)과, 한 쌍의 가이드 레일(17)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Y축 테이블(18)을 갖는다. The chuck table moving mechanism 4 is provided with a pair of
Y축 테이블(18)의 상부에는, 척 테이블(3)이 설치되어 있다. 또한 X축 테이블(16), Y축 테이블(18)의 배면측에는, 각각 도시하지 않는 너트부가 형성되고, 이들 너트부에 볼나사(21, 22)가 나사 결합되어 있다. 그리고, 볼나사(21, 22)의 일단부에 연결된 구동 모터(23, 24)가 회전 구동됨으로써, 척 테이블(3)이 가이드 레일(15, 17)을 따라 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동된다. The chuck table 3 is provided above the Y-axis table 18. Moreover, the nut part which is not shown in figure is formed in the back side of the X-axis table 16 and the Y-axis table 18, respectively, and the
척 테이블(3)은, 원판형으로 형성되어 있고, θ 테이블(25)을 통해 Y축 테이블(18)의 상면에 회전 가능하게 설치되어 있다. 척 테이블(3)의 상면에는, 다공질 재료로 흡착 척이 형성되어 있다. 척 테이블(3)의 주위에는, 한 쌍의 지지 아암을 통해 4개의 클램프부(26)가 설치되어 있다. 4개의 클램프부(26)가 에어 액추에이터에 의해 구동됨으로써, 웨이퍼(W) 주위의 링 프레임(86)이 사방에서 협지 고정된다. The chuck table 3 is formed in disk shape, and is rotatably provided on the upper surface of the Y-axis table 18 via the θ table 25. On the upper surface of the chuck table 3, an adsorption chuck is formed of a porous material. Four
레이저 가공 유닛(5)은, 아암부(12)의 선단에 설치된 가공 헤드(31)를 갖는다. 아암부(12) 및 가공 헤드(31)내에는, 레이저 가공 유닛(5)의 광학계가 설치되어 있다. 가공 헤드(31)는, 도시하지 않는 발진기로부터 발진된 레이저광을 집광 렌즈에 의해 집광하고, 척 테이블(3) 위에 유지된 웨이퍼(W)를 레이저 가공한다. 레이저광은, 웨이퍼(W)에 대하여 흡수성을 갖는 파장이며, 광학계에서 웨이퍼(W)의 표면(가공면)에 집광하도록 조정된다. The laser processing unit 5 has a processing head 31 provided at the tip of the
이 경우, 웨이퍼(W)의 표면은, 후술하는 보호막 피복 장치(6)(도 2 참조)에서 형성된 보호막(85)으로 피복되어 있다. 가공 헤드(31)로부터의 레이저광이 보호막(85)을 통해 웨이퍼(W)의 표면에 조사됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에 애블레이션이 생겨 부분적으로 에칭된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 표면에는 보호막(85)이 형성되어 있기 때문에, 애블레이션에 의해 비산한 부스러기가 보호막(85)에 부착되어, 웨이퍼(W)의 표면에 바로 부착하지 않는다. In this case, the surface of the wafer W is covered with the
그리고, 척 테이블 이동 기구(4)에 의해 척 테이블(3)이 가공 헤드(31)에 대하여 상대적으로 이동함으로써, 웨이퍼(W)의 분할 예정 라인을 따라 레이저 가공(애블레이션 가공)된다. 여기서, 애블레이션이란, 레이저광의 조사 강도가 정해진 가공 임계값 이상이 되면, 고체 표면에서 전자, 열적, 광과학적 및 역학적 에너지로 변환되고, 그 결과, 중성원자, 분자, 정부(正負)의 이온, 라디칼, 클러스터, 전자, 광이 폭발적으로 방출되어, 고체 표면이 에칭되는 현상을 말한다. Then, the chuck table 3 is moved relative to the processing head 31 by the chuck table moving mechanism 4, thereby laser processing (ablation processing) along the division scheduled line of the wafer W. Here, ablation means that when the irradiation intensity of the laser beam is equal to or more than a predetermined processing threshold value, the solid surface is converted into electrons, thermal, optical, and mechanical energy, and as a result, neutral atoms, molecules, positive ions, Radicals, clusters, electrons, and light are exploded and the solid surface is etched.
도 2를 참조하여, 웨이퍼의 표면에 보호막을 피복하는 보호막 피복 장치에 대해서 설명한다. 도 2는, 본 실시형태에 따른 보호막 피복 장치의 사시도이다. 또한 본 실시형태에 따른 보호막 피복 장치는, 도 2에 도시하는 스핀코트식의 장치에 한정되지 않는다. 보호막 피복 장치는, 웨이퍼의 표면에 액상 수지를 공급하여 보호막을 형성하는 구성이면, 어떠한 구성이어도 좋다. With reference to FIG. 2, the protective film coating apparatus which coats a protective film on the surface of a wafer is demonstrated. 2 is a perspective view of the protective film coating device according to the present embodiment. In addition, the protective film coating apparatus which concerns on this embodiment is not limited to the spin coat type apparatus shown in FIG. Any structure may be sufficient as a protective film coating apparatus as long as it is a structure which supplies a liquid resin to the surface of a wafer, and forms a protective film.
도 2에 도시하는 바와 같이, 보호막 피복 장치(6)는, 유지 테이블(41) 위의 웨이퍼(W)에 대하여 액상 수지(R)를 공급하여, 유지 테이블(41)의 회전에 수반되는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전역에 액상 수지(R)를 도포하도록 구성되어 있다. 보호막 피복 장치(6)는, 원통형의 둘레벽부(35)와 바닥벽부(36)로 이루어지는 바닥을 갖는 통형상의 케이싱(37)을 갖는다. 케이싱(37)은, 바닥벽부(36)의 하면으로부터 연장되는 복수(본 실시형태에서는 3개)의 다리부(38)에 의해 설치면(39) 위에 지지되어 있다. 케이싱(37) 안에는, 유지 테이블(41)이 수용되어 있고, 유지 테이블(41) 주위에는 액상 수지 노즐(42), 세정수 노즐(43), 에어 노즐(44)이 설치되어 있다.As shown in FIG. 2, the protective film coating apparatus 6 supplies liquid resin R with respect to the wafer W on the holding table 41, and responds to the centrifugal force accompanying rotation of the holding table 41. As shown in FIG. It is comprised so that liquid resin R may be apply | coated to the whole surface of the wafer W by this. The protective film coating apparatus 6 has a
유지 테이블(41)은, 웨이퍼(W)의 링 프레임(86)보다 대직경으로 형성되어 있고, 상면에 다공질 재료로 흡착 척이 형성되어 있다. 흡착 척은 유지 테이블(41)내의 도시하지 않는 배관을 통해 흡인원에 접속되어 있고, 흡착 척 위에 생기는 부압에 의해 웨이퍼(W)를 흡인 유지한다. 유지 테이블(41)의 하면 중앙에는, 전동 모터(45)의 구동축(46)의 상단부가 고정되어 있다. 구동축(46)은, 케이싱(37)의 아래쪽에 위치하는 전동 모터(45)로부터 위쪽으로 연장되고, 바닥벽부(36)에 관통 형성된 중심 개구를 통해 유지 테이블(41)에 접속된다. The holding table 41 is formed with a larger diameter than the
전동 모터(45)의 외주면에는, 복수(본 실시형태에서는 3개)의 에어실린더(48)가 부착되어 있다. 전동 모터(45)는, 각 에어실린더(48)로부터 설치면(39)에 접촉된 피스톤 로드(47)에 의해 지지되어 있고, 피스톤 로드(47)의 신축(伸縮)에 의해 승강 구동된다. 이와 같이, 유지 테이블(41)은, 전동 모터(45)에 의해 케이싱(37) 안에서 고속 회전되고, 복수의 에어실린더(48)에 의해 웨이퍼(W)를 받아들이는 상승 위치와 가공이 행해지는 하강 위치 사이에서 승강 구동된다. On the outer circumferential surface of the
액상 수지 노즐(42)은, 유지 테이블(41)의 위쪽에서 수평으로 연장되는 수평부(51)와, 수평부(51)의 기단으로부터 아래쪽으로 연장되는 수직부(52)로 대략 L자형으로 형성되어 있다. 수평부(51)의 선단 부분은 아래쪽으로 굴곡하여 형성되어 있고, 굴곡된 선단 부분으로부터 액상 수지(R)가 유지 테이블(41) 위의 웨이퍼(W)에 적하된다. 또한 액상 수지 노즐(42)은, 유지 테이블(41)의 위쪽에서 선회 가능하도록 케이싱(37)에 지지되어 있다. 이 액상 수지 노즐(42)에는, 후술하는 액상 수지 공급부(8)(액상 수지 공급 수단)로부터 액상 수지(R)가 공급된다. The
보호막 피복 장치(6)에서는, 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)의 표면 중앙에 액상 수지(R)가 적하되면, 유지 테이블(41)이 고속 회전함으로써 액상 수지(R)에 원심력이 작용한다. 이 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전역에 액상 수지(R)가 퍼져 보호막(85)이 형성된다(도 4c 참조). 보호막(85)이 형성된 웨이퍼(W)는, 척 테이블(3)에 재배치되어 레이저 가공이 실시된다. 레이저 가공시에는, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면이 보호막(85)으로 피복되기 때문에, 부스러기가 바로 웨이퍼(W)의 표면에 부착하지 않는다.In the protective film coating apparatus 6, when liquid resin R is dripped from the
또한, 액상 수지(R)로서는, 예컨대 폴리비닐알코올(PVA)이나 폴리에틸렌글리콜(PEG) 등의 수용성 수지가 웨이퍼(W)에 적하된다. 또한 액상 수지(R)에는, 레이저 파장의 광을 흡수하는 흡수제를 첨가하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 레이저 가공시에 웨이퍼(W)의 가공과 함께 보호막(85)도 동시에 제거되기 때문에, 웨이퍼(W)의 열분해물의 증기 등에 의해 보호막(85)이 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리하는 것이 방지된다. Moreover, as liquid resin R, water-soluble resin, such as polyvinyl alcohol (PVA) and polyethylene glycol (PEG), is dripped at the wafer W, for example. Moreover, it is preferable to add the absorber which absorbs the light of a laser wavelength to liquid resin (R). As a result, the
또한, 보호막 피복 장치(6)는, 가공 전의 웨이퍼(W)에 보호막(85)을 형성할 뿐만 아니라, 가공 완료 웨이퍼(W)로부터 보호막(85)을 제거하는 세정 장치로서도 기능한다. 케이싱(37) 안에는, 액상 수지 노즐(42)과 마찬가지로, 세정수 노즐(43) 및 에어 노즐(44)이 선회 가능하게 설치되어 있다. 세정수 노즐(43) 및 에어 노즐(44)은, 각각 유지 테이블(41)의 위쪽에서 수평으로 연장되는 수평부(53, 55)와, 수평부(53, 55)의 기단으로부터 아래쪽으로 연장되는 수직부(54)[에어 노즐(44)의 수직부는 도시 생략]로 대략 L자형으로 형성되어 있다. 세정수 노즐(43) 및 에어 노즐(44)의 선단 부분은, 각각 아래쪽으로 굴곡되어 있고, 굴곡된 선단 부분으로부터 세정수 및 건조 에어가 웨이퍼(W)에 분무된다. In addition, the protective film coating device 6 not only forms the
보호막 피복 장치(6)의 세정시에는, 가공 완료 웨이퍼(W)가 유지 테이블(41)에 유지되고, 세정수 노즐(43)로부터 세정수를 분사시키면서 유지 테이블(41)이 고속 회전된다. 웨이퍼(W)의 표면에 세정수가 분무됨으로써, 가공 완료 웨이퍼(W)로부터 부스러기가 부착된 보호막(85)이 씻겨진다. 세정시의 폐액은, 케이싱(37)에 접속된 드레인 호스(58)를 통해 배출된다. 그 후, 회전중인 웨이퍼(W)에 대하여 에어 노즐(44)로부터 건조 에어가 분무됨으로써 웨이퍼(W)가 건조된다. During the cleaning of the protective film coating device 6, the processed wafer W is held on the holding table 41, and the holding table 41 is rotated at a high speed while spraying the washing water from the
도 3을 참조하여, 액상 수지 공급부의 유로 구성 및 제어 구성에 대해서 설명한다. 도 3은, 본 실시형태에 따른 액상 수지 공급부의 배관 구성 및 제어 구성의 모식도이다. 또한 본 실시형태에 따른 액상 수지 공급부는, 도 3에 도시하는 구성에 한정되지 않는다. 액상 수지 공급부는, 수용 탱크로부터 액상 수지 노즐에 송출되는 액상 수지가, 버퍼 탱크로서 기능하는 저류 용기에 일시적으로 저류되는 구성이면, 어떠한 구성이어도 좋다. With reference to FIG. 3, the flow path structure and control structure of a liquid resin supply part are demonstrated. 3 is a schematic diagram of a piping configuration and a control configuration of the liquid resin supply unit according to the present embodiment. In addition, the liquid resin supply part which concerns on this embodiment is not limited to the structure shown in FIG. The liquid resin supply part may be any structure as long as the liquid resin sent out from the accommodation tank to the liquid resin nozzle is temporarily stored in a storage container functioning as a buffer tank.
도 3에 도시하는 바와 같이, 액상 수지 공급부(8)는, 메인 탱크로서 액상 수지(R)를 수용하는 수용 탱크(61)와, 수용 탱크(61)의 하류에서 버퍼 탱크로서 액상 수지(R)를 저류하는 저류 용기(62)를 구비하고 있다. 수용 탱크(61)는 제1 배관(63)을 통해 저류 용기(62)에 접속되어 있고, 저류 용기(62)는 제2 배관(64)을 통해 액상 수지 노즐(42)에 접속되어 있다. 제1 배관(63)의 도중 부분에는, 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62)에 액상 수지(R)를 송출하는 제1 송출 펌프(65)가 설치되어 있다. 제2 배관(64)의 도중 부분에는, 저류 용기(62)로부터 액상 수지 노즐(42)에 액상 수지(R)를 송출하는 제2 송출 펌프(66)가 설치되어 있다. 또한, 액상 수지 공급부(8)는, 제어부(9)에 의해 통괄 제어되고 있다. As shown in FIG. 3, the liquid
수용 탱크(61)는, 상자형으로 형성되어 있고, 탱크 안의 액상 수지(R)를 송출하는 제1 송출관(67)이 설치되어 있다. 제1 송출관(67)은, 일단이 수용 탱크(61)의 바닥면(68) 부근에 위치하고 있고, 타단이 제1 배관(63)에 접속되어 있다. 또한, 수용 탱크(61)에는, 탱크 안을 대기에 연통시키는 도시하지 않는 대기 연통부가 설치되어 있다. 수용 탱크(61) 안에는, 제1 송출관(67)의 일단(하단)보다 약간 높은 위치에 수용 탱크 잔량 센서(69)가 설치되어 있다. 수용 탱크 잔량 센서(69)는, 제어부(9)에 접속되어 있고, 탱크 안의 액상 수지(R)가 정해진 양을 밑도는 것을 검출하여 제어부(9)에 통지한다. The
저류 용기(62)는, 상면을 대기에 개방한 상자형으로 형성되어 있고, 용기 안에 액상 수지(R)를 도입하는 도입관(71)과, 용기 안의 액상 수지(R)를 송출하는 제2 송출관(72)이 설치되어 있다. 또한 제2 송출관(72)은, 저류 용기(62)에서의 송출구로서 기능한다. 도입관(71)은, 일단이 지면 우측의 측면(73)으로부터 용기 안으로 돌출되어 있고, 타단이 제1 배관(63)에 접속되어 있다. 제2 송출관(72)은, 지면 좌측의 측면(74)측에서, 일단이 저류 용기(62)의 바닥면(75) 부근에 위치하고 있고, 타단이 제2 배관(64)에 접속되어 있다. 또한, 저류 용기(62)의 상측에는, 제1 검출 센서(76)가 설치되어 있다. 저류 용기(62)의 하측에는, 제2 송출관(72)의 일단(하단)보다 약간 높은 위치에 제2 검출 센서(77)가 설치되어 있다. The
제1 검출 센서(76)는, 제어부(9)에 접속되어 있고, 용기 안의 액상 수지(R)의 상한 액면 위치(P1)를 검출하여 제어부(9)에 통지한다. 제2 검출 센서(77)는, 제어부(9)에 접속되어 있고, 용기 안의 액상 수지(R)의 하한 액면 위치(P2)를 검출하여 제어부(9)에 통지한다. 저류 용기(62) 안에는, 평판형으로 형성된 복수(본 실시형태에서는 3개)의 기포 제거 필터(78)가 저류 용기(62)의 지면 앞쪽 측면, 지면 안쪽 측면 및 바닥면(75)에 걸쳐 배치되어 있다. 복수의 기포 제거 필터(78)는, 저류 용기(62)의 측면(73)으로부터 측면(74)을 향해 흐르는 액상 수지의 흐름 방향에 대하여, 대략 수직 방향으로 일으켜 세워진 기립 자세로 병렬로 배치되어 있다. The
각 기포 제거 필터(78)는, 액상 수지(R)내의 기포를 포착하기 위한 메시형의 기포 포착부(79)를 갖는다. 저류 용기(62) 안에서, 측면(73)으로부터 측면(74)을 향해 액상 수지가 흐를 때에, 액상 수지(R)가 기포 포착부(79)를 통과함으로써 액상 수지(R)내의 기포가 제거된다. 또한 기포 포착부(79)는, 액상 수지(R)내의 기포를 포착 가능하면 좋고, 평면형으로 형성되어도 좋으며, 플리츠형으로 형성되어도 좋다. 또한, 기포 포착부(79)는, 액상 수지(R)의 농도, 송출 속도, 송출량에 따라 메시의 크기나 개수가 설정된다. 예컨대 송출량이 큰 경우에는 메시가 크게 설정된다. Each
또한 본 실시형태에서는, 각 기포 제거 필터(78)는, 액상 수지(R)의 흐름 방향에 대하여 대략 수직 방향으로 설치되었지만, 대략 수직 방향이란 완전한 수직 방향으로 한정되지 않고, 부착 정밀도의 오차에 따라 폭을 갖는다는 의미이다. 즉, 액상 수지(R)의 흐름 방향에 대하여 대략 수직 방향이란, 액상 수지(R)의 흐름 방향에 대하여 실질적으로 수직이라고 볼 수 있는 정도를 포함하고 있다. 또한 하나의 기포 제거 필터(78)에 하나의 기포 포착부(79)를 설치하여도 좋고, 액상 수지(R)의 농도 등에 따라 복수개의 기포 포착부(79)를 설치하여도 좋다. In addition, in this embodiment, although each
제1, 제2 송출 펌프(65, 66)는, 각각 제어부(9)에 접속되어 있고, 제어부(9)의 제어에 의해 구동된다. 제어부(9)에 의해 제1 송출 펌프(65)가 구동되면, 제1 송출관(67)에 의해 수용 탱크(61)의 바닥면(68) 부근으로부터 액상 수지(R)가 퍼 올려져, 제1 배관(63)을 통해 저류 용기(62)를 향해 액상 수지(R)가 송출된다. 제어부(9)에 의해 제2 송출 펌프(66)가 구동되면, 제2 송출관(72)에 의해 저류 용기(62)의 바닥면(75) 부근으로부터 액상 수지(R)가 퍼 올려져, 제2 배관(64)을 통해 액상 수지 노즐(42)을 향해 액상 수지(R)가 송출된다. The 1st,
제어부(9)는, 제1, 제2 송출 펌프(65, 66)의 구동 타이밍을 제어하고, 수용 탱크(61) 안의 액상 수지(R)의 잔량을 감시하고 있다. 또한, 제어부(9)에는, 수용 탱크(61) 안에의 액상 수지(R)의 보충을 촉진하기 위한 통지부(81)(통지 수단)가 접속되어 있다. 또한 제어부(9)는, 각종 처리를 실행하는 프로세서나, 메모리 등에 의해 구성되어 있다. 메모리는 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다. 또한 메모리에는, 제1, 제2 송출 펌프(65, 66), 통지부(81) 등의 동작을 제어하는 제어 프로그램 등이 기억되어 있다. The
제어부(9)는, 제1 검출 센서(76)로부터 입력된 검출 신호에 따라 제1 송출 펌프(65)를 구동하고, 제2 검출 센서(77)로부터 입력된 검출 신호에 따라 제1 송출 펌프(65)를 정지한다. 따라서, 저류 용기(62) 안의 액상 수지(R)의 액면이 하한 액면 위치(P2)까지 내려가면, 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62) 안에 액상 수지(R)의 액면이 상한 액면 위치(P1)가 될 때까지 액상 수지(R)가 보충된다. 이와 같이 하여, 저류 용기(62) 안에는 일정량 이상의 액상 수지(R)가 확보된다. 또한, 하한 액면 위치(P2)가 제2 송출관(72)의 일단(하단)보다 높은 위치에 있기 때문에, 제2 송출관(72)의 일단이 항상 액속에 침지되어, 제2 송출관(72) 안에 에어가 들어가지 않는다. The
제어부(9)는, 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)에 적하되는 액상 수지(R)의 도포량에 따라, 액상 수지(R)를 보내도록 제2 송출 펌프(66)를 구동 제어한다. 제2 송출 펌프(66)의 구동에 의해, 저류 용기(62) 안에는 측면(73)으로부터 측면(74)을 향하는 액상 수지(R)의 흐름이 생기고, 액상 수지(R)가 복수의 기포 제거 필터(78)를 통과함으로써, 액속의 기포가 기포 포착부(79)에서 포착된다. 이 때문에, 제2 송출관(72)에는, 기포가 제거된 액상 수지(R)가 흡입된다. 따라서, 저류 용기(62)의 하류측, 즉, 제2 송출관(72) 안, 제2 배관(64) 안, 액상 수지 노즐(42) 안은 항상 기포가 제거된 액상 수지(R)로 채워져 있다. The
제어부(9)는, 수용 탱크 잔량 센서(69)로부터 입력된 검출 신호에 따라, 통지부(81)에 수용 탱크(61) 안의 액상 수지(R)의 잔량이 정해진 양을 밑도는 것을 통지시킨다. 또한 통지부(81)는, 음성 통지, 발광 통지, 표시 통지 중 적어도 하나에 의해 통지한다. 통지부(81)의 통지에 의해, 작업자에 대하여 수용 탱크(61)의 교환 작업이나 액상 수지의 보충 작업이 촉진된다. 이 때, 저류 용기(62)가 수용 탱크(61)의 버퍼 탱크로서 기능하기 때문에, 수용 탱크(61)의 교환 작업중이어도 보호막 피복 장치(6)를 정지시키지 않고, 생산성을 향상시킬 수 있게 되어 있다. The
다음에, 도 4를 참조하여, 보호막 피복 장치에 의한 보호막 형성의 흐름에 대해서 설명한다. 도 4는, 본 실시형태에 따른 보호막 피복 장치에 의한 보호막 형성 흐름의 설명도이다. 또한 도 4에서는, 설명의 편의상, 보호막 피복 장치를 간략화하여 기재하고 있다. Next, with reference to FIG. 4, the flow of protective film formation by a protective film coating apparatus is demonstrated. 4 is an explanatory diagram of a protective film formation flow by the protective film coating device according to the present embodiment. In addition, in FIG. 4, the protective film coating apparatus is simplified and described for convenience of description.
도 4a에 도시하는 바와 같이, 유지 테이블(41) 위에 웨이퍼(W)가 배치되면, 흡착 척에 의해 웨이퍼(W)가 유지되고, 유지 테이블(41)이 케이싱(37) 안의 하강 위치로 이동한다. 그리고, 액상 수지 노즐(42)이 선회하여, 노즐의 선단 부분이 웨이퍼(W) 중앙에 위치한다. 다음에, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 제어부(9)에 의해 제2 송출 펌프(66)가 구동되어, 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 액상 수지(R)가 적하되어, 웨이퍼(W)의 표면 중앙에 액 고임(R1)이 형성된다. As shown in FIG. 4A, when the wafer W is placed on the holding table 41, the wafer W is held by the suction chuck, and the holding table 41 moves to the lowered position in the
이 때, 저류 용기(62) 안의 액상 수지(R)는, 복수의 기포 제거 필터(78)를 통해 액상 수지 노즐(42)에 공급되어 있다. 액상 수지 노즐(42) 안 및 제2 배관(64) 안은, 기포가 제거된 액상 수지(R)로 채워져 있기 때문에, 기포가 혼입된 액상 수지(R)가 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W) 위에 적하되는 일은 없다. 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 양의 액상 수지(R)가 적하되면, 제어부(9)에 의해 제2 송출 펌프(66)가 정지된다. 그리고, 액상 수지 노즐(42)이 선회하여, 노즐의 선단 부분이 웨이퍼(W)의 위쪽으로부터 벗어난다. At this time, the liquid resin R in the
다음에, 도 4c에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W)를 유지한 유지 테이블(41)이 고속 회전한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 중앙의 액상 수지(R)의 액 고임(R1)에 원심력이 작용하여, 액상 수지(R)가 웨이퍼(W)의 상면 전역을 덮도록 퍼진다. 이 액상 수지(R)가 고화함으로써, 웨이퍼(W)의 상면에 보호막(85)이 형성된다. 액상 수지(R)내의 기포가 제거되어 있기 때문에, 보호막(85)내에 잔류한 기포에 의해 구멍이 생기지 않아, 웨이퍼(W)의 상면에 양호한 보호막(85)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 4C, the holding table 41 holding the wafer W rotates at high speed. Thereby, centrifugal force acts on the liquid pool R1 of the liquid resin R in the center of the upper surface of the wafer W, and the liquid resin R spreads so that the whole upper surface of the wafer W may be covered. By solidifying this liquid resin R, the
웨이퍼(W)의 표면에 보호막(85)이 형성되면, 유지 테이블(41)이 케이싱(37) 안을 상승 위치로 이동한다. 그리고, 유지 테이블(41)로부터 척 테이블(3)(도 1 참조)에 웨이퍼(W)가 재배치되어, 후단의 레이저 가공이 실시된다. 레이저 가공 완료 웨이퍼(W)는, 다시 보호막 피복 장치(6)에 반입되어 부스러기가 부착된 보호막(85)이 씻겨진다. When the
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 레이저 가공 장치(1)에 의하면, 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62)에 액상 수지(R)가 보충됨으로써, 저류 용기(62)를 버퍼 탱크로서 기능시킬 수 있다. 따라서, 수용 탱크(61)의 액상 수지(R)의 잔량이 적어져 수용 탱크(61)의 교환 작업 등이 발생하는 경우라도, 보호막 피복 장치(6)를 정지하지 않고, 저류 용기(62) 안의 액상 수지(R)에 의해 웨이퍼(W)에 보호막(85)을 형성할 수 있다. 또한, 저류 용기(62) 안에 설치한 기포 제거 필터(78)에 의해, 저류 용기(62)로부터 액상 수지 노즐(42)에 기포가 제거된 액상 수지(R)가 송출된다. 이 때문에, 저류 용기(62)와 액상 수지 노즐(42)을 연결하는 제2 배관(64) 안은 기포가 제거된 액상 수지(R)로 채워지기 때문에, 기포가 혼입된 액상 수지(R)가 액상 수지 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 적하되는 일은 없다. 따라서, 보호막(85)내에 기포가 잔류하지 않아, 웨이퍼(W)의 표면을 양호한 보호막(85)으로 피복할 수 있다. As mentioned above, according to the laser processing apparatus 1 which concerns on this embodiment, liquid resin R is replenished from the
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 외, 본 발명의 원하는 범위를 일탈하지 않는 한에서 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다. Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. In the above embodiment, the size, shape, and the like shown in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within the range in which the effects of the present invention are exhibited. In addition, it is possible to change suitably and to implement, unless it deviates from the desired range of this invention.
예컨대 상기 실시형태에서, 저류 용기(62) 안에 제1, 제2 검출 센서(76, 77)를 설치하여, 제1, 제2 검출 센서(76, 77)의 검출에 따라 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62)에 액상 수지(R)가 보충되는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62)에 대하여 정기적으로 액상 수지(R)를 보충하도록 하면, 저류 용기(62)에 제1, 제2 검출 센서(76, 77)를 설치하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 또한 수용 탱크(61)로부터 저류 용기(62)에의 액상 수지(R)의 보충 타이밍은 적절하게 변경 가능하다. For example, in the above embodiment, the first and
또한, 상기 실시형태에서, 액상 수지 공급부(8)는, 수용 탱크(61) 및 저류 용기(62)를 각각 하나 갖는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 액상 수지 공급부(8)는, 복수의 수용 탱크(61) 및 복수의 저류 용기(62)를 갖는 구성으로 하여도 좋다. In addition, in the said embodiment, although the liquid
또한, 상기 실시형태에서, 저류 용기(62)의 측면(73)에 도입관(71)을 설치하고, 측면(74)에 제2 송출관(72)을 설치하는 구성으로 했지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 도입관(71) 및 제2 송출관(72)은, 도입관(71)으로부터 도입된 액상 수지(R)가 기포 제거 필터(78)를 통해 제2 송출관(72)으로부터 송출되도록 설치되어 있으면, 어떤 위치에 설치되어 있어도 좋다. In addition, in the said embodiment, although it was set as the structure which installs the
또한, 상기 실시형태에 있어서, 저류 용기(62)에서, 기포 제거 필터(78)와 도입관(71) 사이에, 간극을 형성한 칸막이벽을 설치하여 액상 수지(R)로부터 큰 기포를 제거하도록 구성하여도 좋다. 이 경우, 기포 제거 필터(78)의 상류측에서 큰 기포를 제거할 수 있으면 좋고, 예컨대 눈이 성긴 필터 등에 의해 큰 기포를 제거하여도 좋다. Moreover, in the said embodiment, in the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 생산성을 저하시키지 않고, 웨이퍼에 대하여 양호한 보호막을 형성할 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 분할 예정 라인을 따라 애블레이션 가공을 실시하는 레이저 가공 장치에 유용하다. As described above, the present invention has the effect that a good protective film can be formed on a wafer without lowering the productivity, and is particularly useful for a laser processing apparatus that performs ablation along a division scheduled line.
1: 레이저 가공 장치, 3: 척 테이블, 5: 레이저 가공 유닛(레이저광 조사 수단), 6: 보호막 피복 장치, 8: 액상 수지 공급부(액상 수지 공급부), 9: 제어부, 41: 유지 테이블, 42: 액상 수지 노즐, 61: 수용 탱크, 62: 저류 용기, 63: 제1 배관, 64: 제2 배관(배관), 65: 제1 송출 펌프, 66: 제2 송출 펌프, 69: 수용 탱크 잔량 센서, 76: 제1 검출 센서, 77: 제2 검출 센서, 78: 기포 제거 필터, 79: 기포 포착부, 81: 통지부, 85: 보호막, W: 웨이퍼, R: 액상 수지, P1: 상한 액면 위치, P2: 하한 액면 위치DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Laser processing apparatus, 3: Chuck table, 5: Laser processing unit (laser light irradiation means), 6: Protective film coating apparatus, 8: Liquid resin supply part (liquid resin supply part), 9: Control part, 41: Holding table, 42 : Liquid resin nozzle, 61: Storage tank, 62: Storage container, 63: 1st piping, 64: 2nd piping (piping), 65: 1st sending pump, 66: 2nd sending pump, 69: Retaining tank residual amount sensor 76: 1st detection sensor, 77: 2nd detection sensor, 78: bubble removal filter, 79: bubble capture | acquisition part, 81: notification part, 85: protective film, W: wafer, R: liquid resin, P1: upper limit liquid level position , P2: lower limit face position
Claims (2)
상기 보호막 피복 장치는, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 상기 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 가공면에 액상 수지를 적하하는 액상 수지 노즐과, 상기 액상 수지 노즐에 연통하는 액상 수지 공급 수단으로 구성되고,
상기 액상 수지 공급 수단은, 액상 수지를 수용하는 적어도 1개의 수용 탱크와, 상기 수용 탱크에 수용된 액상 수지를 저류하는 저류 용기와, 상기 수용 탱크로부터 상기 저류 용기에 액상 수지를 송출하는 제1 송출 펌프와, 상기 저류 용기로부터 상기 액상 수지 노즐에 액상 수지를 송출하는 제2 송출 펌프와, 상기 제1 송출 펌프 및 상기 제2 송출 펌프를 제어하는 제어부로 구성되며,
상기 저류 용기 안에는, 액상 수지의 흐름 방향에 대하여 대략 수직 방향으로 상기 저류 용기의 측면 및 바닥면에 걸쳐 배치되고 평판형으로 형성되며, 액상 수지중의 기포를 포착하기 위한 메시형의 기포 포착부를 갖는 기포 제거 필터가 설치되어 있고,
상기 저류 용기의 송출구와 상기 액상 수지 노즐을 연결하는 배관 안은 기포가 제거된 액상 수지로 채워져 있는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치. A laser processing apparatus comprising at least a chuck table for holding a wafer, laser light irradiation means for irradiating a laser beam to a wafer held on the chuck table, and a protective film coating device for covering the processed surface of the wafer with a protective film,
The protective film coating device includes a holding table holding a wafer, a liquid resin nozzle dropping liquid resin onto a processing surface of the wafer held on the holding table, and a liquid resin supply means communicating with the liquid resin nozzle,
The liquid resin supply means includes at least one storage tank for storing liquid resin, a storage container for storing the liquid resin contained in the storage tank, and a first delivery pump for sending the liquid resin from the storage tank to the storage container. And a second delivery pump for sending liquid resin from the storage container to the liquid resin nozzle, and a control unit for controlling the first delivery pump and the second delivery pump,
In the storage container, a bubble is disposed over the side and bottom surface of the storage container in a direction substantially perpendicular to the flow direction of the liquid resin and formed in a flat shape, and having a mesh-shaped bubble trapping portion for capturing bubbles in the liquid resin. The removal filter is installed,
The inside of the piping which connects the outlet of the said storage container and the said liquid resin nozzle is filled with the liquid resin from which the bubble was removed, The laser processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 제어부는, 상기 수용 탱크 잔량 센서로부터의 검출 신호가 입력되었을 때에는 통지 수단에 정해진 양을 밑도는 것을 통지시키는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 장치. The storage tank remaining amount sensor according to claim 1, further comprising a storage tank remaining amount sensor for detecting that the liquid resin contained in the storage tank is less than a predetermined amount.
And the control unit notifies the notifying means that the predetermined amount falls below a predetermined amount when a detection signal from the storage tank remaining amount sensor is input.
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