JP2013254817A - Laser processing device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a good protection film on a wafer without deteriorating the productivity.SOLUTION: A laser processing device includes: a laser processing unit (5) which performs ablation processing to a wafer (W) held by a chuck table (3); and a protection film coating device (6) forming a protection film (85) on a processing surface of the wafer (W) by a spin coating method. The protection film coating device (6) includes: an accommodating tank (61) accommodating a liquid resin (R); and a storage container (62) storing the liquid resin (R) at the downstream side of the accommodating tank (61) as a buffer. An air bubble removal filter (78) capturing air bubbles in the liquid resin (R) is provided in the storage container (62).

Description

本発明は、ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置を備えたレーザー加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus including a protective film coating apparatus that coats a processing surface of a wafer with a protective film.

半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハの表面に格子状に分割予定ライン(ストリート)が形成され、分割予定ラインによって区画された領域にIC、LSI等の回路が形成される。ウェーハは、格子状の分割予定ラインに沿って切削されることにより、個々のデバイスチップに分割される。このようにして分割されたデバイスチップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用される。ウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法としては、チッピングの低減等の理由により、レーザー加工によって分割する方法も採用されている。   In a semiconductor device manufacturing process, division lines (streets) are formed in a lattice pattern on the surface of a wafer, and circuits such as ICs and LSIs are formed in regions partitioned by the division lines. The wafer is divided into individual device chips by cutting along a grid-like division line. The device chip thus divided is packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers. As a method of dividing the wafer along the planned dividing line, a method of dividing the wafer by laser processing is adopted for reasons such as reduction of chipping.

ところで、レーザー加工においては、レーザー光の熱エネルギーによってデブリが飛散してウェーハの表面に付着し、デバイスチップの品質を低下させるという問題が起こっていた。そこで、レーザー加工前にウェーハの表面を保護膜で被覆するレーザー加工装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1のレーザー加工装置では、供給ノズルからスピンナテーブル上のウェーハに液状樹脂が供給され、いわゆるスピンコート法によってウェーハ表面に保護膜が形成される。その後、保護膜を通じてレーザー光が照射されることで、ウェーハの表面に直にデブリが付着することが防止されている。   By the way, in laser processing, there has been a problem that debris is scattered by the thermal energy of laser light and adheres to the surface of the wafer, thereby degrading the quality of the device chip. Therefore, a laser processing apparatus that covers the surface of a wafer with a protective film before laser processing has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In the laser processing apparatus of Patent Document 1, a liquid resin is supplied from a supply nozzle to a wafer on a spinner table, and a protective film is formed on the wafer surface by a so-called spin coating method. Thereafter, the laser beam is irradiated through the protective film, thereby preventing debris from adhering directly to the surface of the wafer.

また、この種のレーザー加工装置として、液状樹脂が貯留された複数のタンクを設け、複数のタンクの中から液状樹脂の供給元を選択的に切り替えるものが提案されている(例えば、特許文献2参照)。特許文献2のレーザー加工装置では、複数のタンクが供給ノズルに選択的に接続されており、いずれかのタンクの液状樹脂の液量が所定量よりも下回ると、他のタンクが供給ノズルに接続される。このため、液状樹脂の供給を停止させることなく、液量が低下したタンクに対して液状樹脂を補充したり、タンク自体を交換したりすることが可能になっている。   Further, as this type of laser processing apparatus, there has been proposed an apparatus that includes a plurality of tanks in which liquid resin is stored and selectively switches the supply source of the liquid resin from the plurality of tanks (for example, Patent Document 2). reference). In the laser processing apparatus of Patent Document 2, a plurality of tanks are selectively connected to a supply nozzle, and when the amount of liquid resin in one of the tanks falls below a predetermined amount, another tank is connected to the supply nozzle. Is done. For this reason, without stopping the supply of the liquid resin, it is possible to replenish the liquid resin with respect to the tank whose liquid amount has decreased, or to replace the tank itself.

特開2004−322168号公報JP 2004-322168 A 特開2008−126302号公報JP 2008-126302 A

しかしながら、タンクから供給ノズルへの液送中に液状樹脂内に気泡が混入すると、気泡を含んだ液状樹脂がウェーハの表面に供給される。この状態でウェーハの表面に保護膜が形成されると、保護膜に残留した気泡によって穴が空いてしまう場合があった。気泡による穴が分割予定ライン上に形成された場合には、後工程のレーザー加工時において穴を通じてウェーハの表面に直にデブリが付着して、デバイスチップの品質を悪化させてしまう可能性があった。   However, if bubbles are mixed in the liquid resin during liquid feeding from the tank to the supply nozzle, the liquid resin containing bubbles is supplied to the surface of the wafer. When a protective film is formed on the surface of the wafer in this state, a hole may be formed due to bubbles remaining in the protective film. If holes due to air bubbles are formed on the planned division line, there is a possibility that debris will adhere directly to the wafer surface through the holes during laser processing in the subsequent process, degrading the quality of the device chip. It was.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、生産性を低下させることなく、ウェーハに対して良好な保護膜を形成することができるレーザー加工装置を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the laser processing apparatus which can form a favorable protective film with respect to a wafer, without reducing productivity.

本発明のレーザー加工装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持されたウェーハにレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、前記ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置とを少なくとも備えたレーザー加工装置であって、前記保護膜被覆装置は、ウェーハを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたウェーハの加工面に液状樹脂を滴下する液状樹脂ノズルと、前記液状樹脂ノズルに連通する液状樹脂供給手段とから構成され、前記液状樹脂供給手段は、液状樹脂を収容する少なくとも1個の収容タンクと、前記収容タンクに収容された液状樹脂を貯留する貯留容器と、前記収容タンクから前記貯留容器へ液状樹脂を送出する第一の送出ポンプと、前記貯留容器から前記液状樹脂ノズルへ液状樹脂を送出する第二の送出ポンプと、前記第一の送出ポンプ及び前記第二の送出ポンプを制御する制御部と、から構成され、前記貯留容器内には、液状樹脂の流れ方向に対し略垂直方向に前記貯留容器の側面及び底面に跨って配設され且つ平板状に形成され、液状樹脂中の気泡を捕捉するための網目状の気泡捕捉部を有する気泡除去フィルタが設けられており、前記貯留容器の送出口と前記液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされていること、を特徴とする。   The laser processing apparatus of the present invention includes a chuck table for holding a wafer, laser light irradiation means for irradiating the wafer held on the chuck table with laser light, and a protective film coating for covering the processed surface of the wafer with a protective film. The protective film coating apparatus includes a holding table for holding a wafer, a liquid resin nozzle for dropping a liquid resin on a processing surface of the wafer held by the holding table, The liquid resin supply means communicates with the liquid resin nozzle. The liquid resin supply means includes at least one storage tank that stores the liquid resin, and a storage container that stores the liquid resin stored in the storage tank. A first delivery pump for delivering a liquid resin from the storage tank to the storage container, and the liquid from the storage container A second delivery pump for delivering the liquid resin to the resin nozzle, and a control unit for controlling the first delivery pump and the second delivery pump, and the flow of the liquid resin in the storage container An air bubble removing filter that is disposed across the side surface and the bottom surface of the storage container in a direction substantially perpendicular to the direction and is formed in a flat plate shape and has a mesh-like air bubble capturing portion for capturing air bubbles in the liquid resin is provided. The inside of the pipe connecting the outlet of the storage container and the liquid resin nozzle is filled with a liquid resin from which bubbles are removed.

この構成によれば、収容タンクから貯留容器に液状樹脂が補充されることで、貯留容器をバッファタンクとして機能させることができる。よって、収容タンクの液状樹脂の残量が少なくなって収容タンクの交換作業等が発生する場合であっても、保護膜被覆装置を停止することなく、貯留容器内の液状樹脂によってウェーハに保護膜を形成できる。また、貯留容器内に設けた気泡除去フィルタによって、貯留容器から液状樹脂ノズルに気泡が除去された液状樹脂が送出される。このため、貯留容器と液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされるため、気泡が混入した液状樹脂が液状樹脂ノズルからウェーハに対して滴下されることがない。よって、保護膜内に気泡が残留することがなく、ウェーハの表面を良好な保護膜で被覆することができる。   According to this configuration, the storage container can function as a buffer tank by replenishing the storage container with the liquid resin from the storage tank. Therefore, even when the remaining amount of liquid resin in the storage tank is reduced and replacement work of the storage tank occurs, the protective film is applied to the wafer by the liquid resin in the storage container without stopping the protective film coating apparatus. Can be formed. Further, the liquid resin from which the bubbles are removed is sent from the storage container to the liquid resin nozzle by the bubble removal filter provided in the storage container. For this reason, since the inside of the pipe connecting the storage container and the liquid resin nozzle is filled with the liquid resin from which bubbles are removed, the liquid resin mixed with bubbles is not dropped from the liquid resin nozzle onto the wafer. Therefore, bubbles do not remain in the protective film, and the surface of the wafer can be covered with a good protective film.

また、本発明の上記レーザー加工装置は、前記収容タンクに収容された液状樹脂が所定液量を下回ったことを検出する収容タンク残量センサ、を備え、前記制御部は、前記収容タンク残量センサからの検出信号が入力されたときには報知手段に所定液量を下回ったことを報知させる。   The laser processing apparatus of the present invention further includes a storage tank remaining amount sensor that detects that the liquid resin stored in the storage tank falls below a predetermined liquid amount, and the control unit includes the storage tank remaining amount. When the detection signal from the sensor is input, the notifying means is notified that the amount of liquid is below a predetermined amount.

本発明によれば、貯留容器を設けることで生産性を低下させることなくウェーハの加工面に保護膜を形成すると共に、気泡除去フィルタによって気泡が除去された液状樹脂が液状ノズルに供給されることでウェーハの加工面を良好な保護膜で被覆できる。   According to the present invention, a protective film is formed on the processed surface of the wafer without reducing productivity by providing a storage container, and the liquid resin from which bubbles are removed by the bubble removal filter is supplied to the liquid nozzle. Thus, the processed surface of the wafer can be covered with a good protective film.

本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the laser processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る保護膜被覆装置の斜視図である。It is a perspective view of the protective film coating apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に掛る液状樹脂供給部の配管構成及び制御構成の模式図である。It is a schematic diagram of the piping structure and control structure of the liquid resin supply part concerning this Embodiment. 本実施の形態に掛る保護膜被覆装置による保護膜形成の流れの説明図である。It is explanatory drawing of the flow of protective film formation by the protective film coating apparatus concerning this Embodiment.

以下、添付の図面を参照して、本実施の形態に係るレーザー加工装置について説明する。図1は、本実施の形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。なお、図1においては、レーザー加工装置において、ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置を省略して記載している。また、本実施の形態に係るレーザー加工装置は、図1に示す構成に限定されない。レーザー加工装置は、保護膜被覆装置を備えていれば、どのように構成されてもよい。   Hereinafter, a laser processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of the laser processing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, in the laser processing apparatus, a protective film coating apparatus that covers the processed surface of the wafer with a protective film is omitted. Further, the laser processing apparatus according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. The laser processing apparatus may be configured in any way as long as it includes a protective film coating apparatus.

図1に示すように、レーザー加工装置1は、レーザー光を照射するレーザー加工ユニット5(レーザー光照射手段)とウェーハWを保持したチャックテーブル3とを相対移動させて、ウェーハWを加工するように構成されている。ウェーハWは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域に区画され、この区画された各領域に各種デバイスが形成されている。ウェーハWの表面(加工面)には、レーザー加工時のデブリの付着を抑制するための保護膜85が形成されている。   As shown in FIG. 1, the laser processing apparatus 1 processes the wafer W by relatively moving a laser processing unit 5 (laser light irradiation means) for irradiating laser light and a chuck table 3 holding the wafer W. It is configured. The wafer W is formed in a substantially disc shape, and is partitioned into a plurality of regions by division lines arranged in a lattice pattern on the surface, and various devices are formed in the partitioned regions. A protective film 85 for suppressing adhesion of debris during laser processing is formed on the surface (processed surface) of the wafer W.

ウェーハWは、表面を上向きにして、リングフレーム86に張られたダイシングシート87に貼着されている。なお、本実施の形態においては、ウェーハWとしてシリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。半導体ウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア(Al2O3)系の無機材料基板、各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をウェーハWとしてもよい。 The wafer W is bonded to a dicing sheet 87 stretched on the ring frame 86 with the surface facing upward. In the present embodiment, a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a gallium strain is described as an example of the wafer W, but the present invention is not limited to this configuration. Adhesive members such as DAF (Die Attach Film) provided on the backside of semiconductor wafers, semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al 2 O 3 ) based inorganic material substrates, various electrical components and micron-order processing position accuracy Various processing materials that are required may be used as the wafer W.

レーザー加工装置1は、直方体状の基台2を有している。基台2の上面には、チャックテーブル3をX軸方向に加工送りすると共に、Y軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構4が設けられている。チャックテーブル移動機構4の後方には、立壁部11が立設されている。立壁部11の前面からはアーム部12が突出しており、アーム部12にはチャックテーブル3に対向するようにレーザー加工ユニット5が支持されている。   The laser processing apparatus 1 has a rectangular parallelepiped base 2. A chuck table moving mechanism 4 is provided on the upper surface of the base 2 to process and feed the chuck table 3 in the X-axis direction and index and feed it in the Y-axis direction. A standing wall portion 11 is erected on the rear side of the chuck table moving mechanism 4. An arm portion 12 projects from the front surface of the standing wall portion 11, and a laser processing unit 5 is supported on the arm portion 12 so as to face the chuck table 3.

チャックテーブル移動機構4は、基台2上面に配置されたX軸方向に平行な一対のガイドレール15と、一対のガイドレール15にスライド可能に設置されたモータ駆動のX軸テーブル16とを有している。また、チャックテーブル移動機構4は、X軸テーブル16上面に配置されたY軸方向に平行な一対のガイドレール17と、一対のガイドレール17にスライド可能に設置されたモータ駆動のY軸テーブル18とを有している。   The chuck table moving mechanism 4 has a pair of guide rails 15 arranged on the upper surface of the base 2 and parallel to the X-axis direction, and a motor-driven X-axis table 16 slidably installed on the pair of guide rails 15. doing. The chuck table moving mechanism 4 includes a pair of guide rails 17 arranged on the top surface of the X-axis table 16 and parallel to the Y-axis direction, and a motor-driven Y-axis table 18 slidably installed on the pair of guide rails 17. And have.

Y軸テーブル18の上部には、チャックテーブル3が設けられている。なお、X軸テーブル16、Y軸テーブル18の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ21、22が螺合されている。そして、ボールネジ21、22の一端部に連結された駆動モータ23、24が回転駆動されることで、チャックテーブル3がガイドレール15、17に沿ってX軸方向及びY軸方向に移動される。   The chuck table 3 is provided on the Y-axis table 18. Note that nut portions (not shown) are formed on the back surfaces of the X-axis table 16 and the Y-axis table 18, respectively, and ball screws 21 and 22 are screwed to these nut portions. Then, the drive motors 23 and 24 connected to one end portions of the ball screws 21 and 22 are rotationally driven, whereby the chuck table 3 is moved along the guide rails 15 and 17 in the X-axis direction and the Y-axis direction.

チャックテーブル3は、円板状に形成されており、θテーブル25を介してY軸テーブル18の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル3の上面には、多孔質材料で吸着チャックが形成されている。チャックテーブル3の周囲には、一対の支持アームを介して4つのクランプ部26が設けられている。4つのクランプ部26がエアアクチュエータにより駆動されることで、ウェーハWの周囲のリングフレーム86が四方から挟持固定される。   The chuck table 3 is formed in a disk shape, and is rotatably provided on the upper surface of the Y-axis table 18 via the θ table 25. An adsorption chuck is formed of a porous material on the upper surface of the chuck table 3. Around the chuck table 3, four clamp portions 26 are provided via a pair of support arms. When the four clamp portions 26 are driven by the air actuator, the ring frame 86 around the wafer W is clamped and fixed from four directions.

レーザー加工ユニット5は、アーム部12の先端に設けられた加工ヘッド31を有している。アーム部12及び加工ヘッド31内には、レーザー加工ユニット5の光学系が設けられている。加工ヘッド31は、不図示の発振器から発振されたレーザー光を集光レンズによって集光し、チャックテーブル3上に保持されたウェーハWをレーザー加工する。レーザー光は、ウェーハWに対して吸収性を有する波長であり、光学系においてウェーハWの表面(加工面)に集光するように調整される。   The laser processing unit 5 has a processing head 31 provided at the tip of the arm portion 12. An optical system of the laser processing unit 5 is provided in the arm unit 12 and the processing head 31. The processing head 31 condenses laser light oscillated from an oscillator (not shown) by a condensing lens, and laser-processes the wafer W held on the chuck table 3. The laser beam has a wavelength that has an absorptivity with respect to the wafer W, and is adjusted so as to be focused on the surface (processed surface) of the wafer W in the optical system.

この場合、ウェーハWの表面は、後述する保護膜被覆装置6(図2参照)において形成された保護膜85で被覆されている。加工ヘッド31からのレーザー光が保護膜85を通じてウェーハWの表面に照射されることで、ウェーハWの表面にアブレーションが生じて部分的にエッチングされる。このとき、ウェーハWの表面には保護膜85が形成されているため、アブレーションによって飛散したデブリが保護膜85に付着し、ウェーハWの表面に直に付着することがない。   In this case, the surface of the wafer W is covered with a protective film 85 formed in a protective film coating apparatus 6 (see FIG. 2) described later. By irradiating the surface of the wafer W with the laser light from the processing head 31 through the protective film 85, the surface of the wafer W is ablated and partially etched. At this time, since the protective film 85 is formed on the surface of the wafer W, debris scattered by ablation adheres to the protective film 85 and does not directly adhere to the surface of the wafer W.

そして、チャックテーブル移動機構4によってチャックテーブル3が加工ヘッド31に対して相対的に移動されることにより、ウェーハWの分割予定ラインに沿ってレーザー加工(アブレーション加工)される。ここで、アブレーションとは、レーザー光の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。   Then, the chuck table 3 is moved relative to the processing head 31 by the chuck table moving mechanism 4, so that laser processing (ablation processing) is performed along the division lines of the wafer W. Here, ablation means that when the irradiation intensity of the laser beam exceeds a predetermined processing threshold, it is converted into electronic, thermal, photochemical and mechanical energy on the solid surface, resulting in neutral atoms, molecules, positive and negative Ions, radicals, clusters, electrons, and light are explosively emitted and the solid surface is etched.

図2を参照して、ウェーハの表面に保護膜を被覆する保護膜被覆装置について説明する。図2は、本実施の形態に係る保護膜被覆装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る保護膜被覆装置は、図2に示すスピンコート式の装置に限定されない。保護膜被覆装置は、ウェーハの表面に液状樹脂を供給して保護膜を形成する構成であれば、どのような構成でもよい。   With reference to FIG. 2, a protective film coating apparatus for coating the surface of a wafer with a protective film will be described. FIG. 2 is a perspective view of the protective film coating apparatus according to the present embodiment. Note that the protective film coating apparatus according to the present embodiment is not limited to the spin coat apparatus shown in FIG. The protective film coating apparatus may have any configuration as long as the protective film is formed by supplying a liquid resin to the surface of the wafer.

図2に示すように、保護膜被覆装置6は、保持テーブル41上のウェーハWに対して液状樹脂Rを供給して、保持テーブル41の回転に伴う遠心力によってウェーハWの表面全域に液状樹脂Rを塗布するように構成されている。保護膜被覆装置6は、円筒状の周壁部35と底壁部36とからなる有底筒状のケーシング37を有している。ケーシング37は、底壁部36の下面から延びる複数(本実施の形態では3本)の脚部38によって設置面39上に支持されている。ケーシング37内には、保持テーブル41が収容されており、保持テーブル41の周囲には液状樹脂ノズル42、洗浄水ノズル43、エアノズル44が設けられている。   As shown in FIG. 2, the protective film coating apparatus 6 supplies the liquid resin R to the wafer W on the holding table 41, and the liquid resin is applied to the entire surface of the wafer W by the centrifugal force accompanying the rotation of the holding table 41. It is configured to apply R. The protective film coating apparatus 6 has a bottomed cylindrical casing 37 composed of a cylindrical peripheral wall portion 35 and a bottom wall portion 36. The casing 37 is supported on the installation surface 39 by a plurality of (three in this embodiment) leg portions 38 extending from the lower surface of the bottom wall portion 36. A holding table 41 is accommodated in the casing 37, and a liquid resin nozzle 42, a washing water nozzle 43, and an air nozzle 44 are provided around the holding table 41.

保持テーブル41は、ウェーハWのリングフレーム86よりも大径に形成されており、上面に多孔質材料で吸着チャックが形成されている。吸着チャックは保持テーブル41内の図示しない配管を通じて吸引源に接続されており、吸着チャック上に生じる負圧によってウェーハWを吸引保持する。保持テーブル41の下面中央には、電動モータ45の駆動軸46の上端部が固定されている。駆動軸46は、ケーシング37の下方に位置する電動モータ45から上方に延在し、底壁部36に貫通形成された中心開口を通って保持テーブル41に接続される。   The holding table 41 is formed to have a larger diameter than the ring frame 86 of the wafer W, and an adsorption chuck is formed on the upper surface with a porous material. The suction chuck is connected to a suction source through a pipe (not shown) in the holding table 41, and sucks and holds the wafer W by a negative pressure generated on the suction chuck. At the center of the lower surface of the holding table 41, the upper end portion of the drive shaft 46 of the electric motor 45 is fixed. The drive shaft 46 extends upward from the electric motor 45 located below the casing 37 and is connected to the holding table 41 through a central opening formed through the bottom wall portion 36.

電動モータ45の外周面には、複数(本実施の形態では3つ)のエアシリンダ48が取り付けられている。電動モータ45は、各エアシリンダ48から設置面39に突き当てられたピストンロッド47によって支持されており、ピストンロッド47の伸縮によって昇降駆動される。このように、保持テーブル41は、電動モータ45によってケーシング37内で高速回転され、複数のエアシリンダ48によってウェーハWを取り込む上昇位置と加工が行われる下降位置との間で昇降駆動される。   A plurality (three in this embodiment) of air cylinders 48 are attached to the outer peripheral surface of the electric motor 45. The electric motor 45 is supported by a piston rod 47 abutted against the installation surface 39 from each air cylinder 48, and is driven up and down by the expansion and contraction of the piston rod 47. In this way, the holding table 41 is rotated at a high speed in the casing 37 by the electric motor 45, and is driven up and down between a raised position where the wafer W is taken in and a lowered position where processing is performed by the plurality of air cylinders 48.

液状樹脂ノズル42は、保持テーブル41の上方で水平に延在する水平部51と、水平部51の基端から下方に延びる垂直部52とで略L字状に形成されている。水平部51の先端部分は下方に屈曲して形成されており、屈曲した先端部分から液状樹脂Rが保持テーブル41上のウェーハWに滴下される。また、液状樹脂ノズル42は、保持テーブル41の上方で旋回可能なようにケーシング37に支持されている。この液状樹脂ノズル42には、後述する液状樹脂供給部8(液状樹脂供給手段)から液状樹脂Rが供給される。   The liquid resin nozzle 42 is formed in a substantially L shape with a horizontal portion 51 extending horizontally above the holding table 41 and a vertical portion 52 extending downward from the base end of the horizontal portion 51. The front end portion of the horizontal portion 51 is bent downward, and the liquid resin R is dropped onto the wafer W on the holding table 41 from the bent front end portion. Further, the liquid resin nozzle 42 is supported by the casing 37 so as to be rotatable above the holding table 41. The liquid resin R is supplied to the liquid resin nozzle 42 from a liquid resin supply unit 8 (liquid resin supply means) described later.

保護膜被覆装置6では、液状樹脂ノズル42からウェーハWの表面中央に液状樹脂Rが滴下されると、保持テーブル41が高速回転することで液状樹脂Rに遠心力が作用する。この遠心力によってウェーハWの表面全域に液状樹脂Rが広げられ保護膜85が形成される(図4C参照)。保護膜85が形成されたウェーハWは、チャックテーブル3に載せ替えられてレーザー加工が実施される。レーザー加工時には、上記したようにウェーハWの表面が保護膜85で被覆されるため、デブリが直にウェーハWの表面に付着することがない。   In the protective film coating apparatus 6, when the liquid resin R is dropped from the liquid resin nozzle 42 onto the center of the surface of the wafer W, the holding table 41 rotates at a high speed, so that centrifugal force acts on the liquid resin R. By this centrifugal force, the liquid resin R is spread over the entire surface of the wafer W, and a protective film 85 is formed (see FIG. 4C). The wafer W on which the protective film 85 is formed is transferred to the chuck table 3 and laser processing is performed. At the time of laser processing, since the surface of the wafer W is covered with the protective film 85 as described above, debris does not directly adhere to the surface of the wafer W.

なお、液状樹脂Rとしては、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)やポリエチレングリコール(PEG)等の水溶性樹脂がウェーハWに滴下される。なお、液状樹脂Rには、レーザー波長の光を吸収する吸収剤を添加することが好ましい。これにより、レーザー加工時にウェーハWの加工と共に保護膜85も同時に除去されるため、ウェーハWの熱分解物の蒸気等によって保護膜85がウェーハWの表面から剥離することが防止される。   As the liquid resin R, for example, a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyethylene glycol (PEG) is dropped onto the wafer W. In addition, it is preferable to add to the liquid resin R an absorbent that absorbs light having a laser wavelength. As a result, the protective film 85 is also removed simultaneously with the processing of the wafer W during laser processing, so that the protective film 85 is prevented from being peeled off from the surface of the wafer W by the vapor of the thermal decomposition product of the wafer W.

また、保護膜被覆装置6は、加工前のウェーハWに保護膜85を形成するだけでなく、加工済みのウェーハWから保護膜85を除去する洗浄装置としても機能する。ケーシング37内には、液状樹脂ノズル42と同様に、洗浄水ノズル43及びエアノズル44が旋回可能に設けられている。洗浄水ノズル43及びエアノズル44は、それぞれ保持テーブル41の上方で水平に延在する水平部53、55と、水平部53、55の基端から下方に延びる垂直部54(エアノズル44の垂直部は不図示)とで略L字状に形成されている。洗浄水ノズル43及びエアノズル44の先端部分は、それぞれ下方に屈曲しており、屈曲した先端部分から洗浄水及び乾燥エアがウェーハWに吹き付けられる。   Further, the protective film coating apparatus 6 not only forms the protective film 85 on the unprocessed wafer W, but also functions as a cleaning apparatus that removes the protective film 85 from the processed wafer W. In the casing 37, similarly to the liquid resin nozzle 42, a washing water nozzle 43 and an air nozzle 44 are provided so as to be able to turn. The washing water nozzle 43 and the air nozzle 44 are respectively provided with horizontal portions 53 and 55 extending horizontally above the holding table 41 and a vertical portion 54 extending downward from the base ends of the horizontal portions 53 and 55 (the vertical portion of the air nozzle 44 is (Not shown). The tip portions of the cleaning water nozzle 43 and the air nozzle 44 are bent downward, respectively, and cleaning water and dry air are sprayed onto the wafer W from the bent tip portions.

保護膜被覆装置6の洗浄時には、加工済みのウェーハWが保持テーブル41に保持され、洗浄水ノズル43から洗浄水を噴射させながら保持テーブル41が高速回転される。ウェーハWの表面に洗浄水が吹き付けられることで、加工済みのウェーハWからデブリが付着した保護膜85が洗い流される。洗浄時の廃液は、ケーシング37に接続されたドレインホース58を介して排出される。その後、回転中のウェーハWに対してエアノズル44から乾燥エアが吹き付けられることでウェーハWが乾燥される。   At the time of cleaning the protective film coating apparatus 6, the processed wafer W is held on the holding table 41, and the holding table 41 is rotated at high speed while jetting cleaning water from the cleaning water nozzle 43. By spraying cleaning water onto the surface of the wafer W, the protective film 85 to which debris has adhered is washed away from the processed wafer W. Waste liquid at the time of cleaning is discharged through a drain hose 58 connected to the casing 37. Thereafter, the wafer W is dried by blowing dry air from the air nozzle 44 to the rotating wafer W.

図3を参照して、液状樹脂供給部の流路構成及び制御構成について説明する。図3は、本実施の形態に掛る液状樹脂供給部の配管構成及び制御構成の模式図である。なお、本実施の形態に掛る液状樹脂供給部は、図3に示す構成に限定されない。液状樹脂供給部は、収容タンクから液状樹脂ノズルに送出される液状樹脂が、バッファタンクとして機能する貯留容器に一時的に貯留される構成であれば、どのような構成でもよい。   With reference to FIG. 3, the flow path structure and control structure of a liquid resin supply part are demonstrated. FIG. 3 is a schematic diagram of the pipe configuration and control configuration of the liquid resin supply unit according to the present embodiment. In addition, the liquid resin supply part concerning this Embodiment is not limited to the structure shown in FIG. The liquid resin supply unit may have any configuration as long as the liquid resin delivered from the storage tank to the liquid resin nozzle is temporarily stored in a storage container that functions as a buffer tank.

図3に示すように、液状樹脂供給部8は、メインタンクとして液状樹脂Rを収容する収容タンク61と、収容タンク61の下流においてバッファタンクとして液状樹脂Rを貯留する貯留容器62とを備えている。収容タンク61は第一の配管63を通じて貯留容器62に接続されており、貯留容器62は第二の配管64を通じて液状樹脂ノズル42に接続されている。第一の配管63の途中部分には、収容タンク61から貯留容器62に液状樹脂Rを送出する第一の送出ポンプ65が設けられている。第二の配管64の途中部分には、貯留容器62から液状樹脂ノズル42に液状樹脂Rを送出する第二の送出ポンプ66が設けられている。また、液状樹脂供給部8は、制御部9によって統括制御されている。   As shown in FIG. 3, the liquid resin supply unit 8 includes a storage tank 61 that stores the liquid resin R as a main tank, and a storage container 62 that stores the liquid resin R as a buffer tank downstream of the storage tank 61. Yes. The storage tank 61 is connected to the storage container 62 through the first pipe 63, and the storage container 62 is connected to the liquid resin nozzle 42 through the second pipe 64. A first delivery pump 65 for delivering the liquid resin R from the storage tank 61 to the storage container 62 is provided in the middle of the first pipe 63. A second delivery pump 66 for delivering the liquid resin R from the storage container 62 to the liquid resin nozzle 42 is provided in the middle of the second pipe 64. Further, the liquid resin supply unit 8 is comprehensively controlled by the control unit 9.

収容タンク61は、箱状に形成されており、タンク内の液状樹脂Rを送出する第一の送出管67が設けられている。第一の送出管67は、一端が収容タンク61の底面68付近に位置付けられており、他端が第一の配管63に接続されている。また、収容タンク61には、タンク内を大気に連通する不図示の大気連通部が設けられている。収容タンク61内には、第一の送出管67の一端(下端)よりも僅かに高い位置に収容タンク残量センサ69が設けられている。収容タンク残量センサ69は、制御部9に接続されており、タンク内の液状樹脂Rが所定液量を下回ったことを検出して制御部9に通知する。   The storage tank 61 is formed in a box shape, and is provided with a first delivery pipe 67 for delivering the liquid resin R in the tank. One end of the first delivery pipe 67 is positioned near the bottom surface 68 of the storage tank 61, and the other end is connected to the first pipe 63. The storage tank 61 is provided with an air communication portion (not shown) that communicates the inside of the tank with the air. A storage tank remaining amount sensor 69 is provided in the storage tank 61 at a position slightly higher than one end (lower end) of the first delivery pipe 67. The storage tank remaining amount sensor 69 is connected to the control unit 9, detects that the liquid resin R in the tank has fallen below a predetermined liquid amount, and notifies the control unit 9.

貯留容器62は、上面を大気に開放した箱状に形成されており、容器内に液状樹脂Rを導入する導入管71と、容器内の液状樹脂Rを送出する第二の送出管72とが設けられている。なお、第二の送出管72は、貯留容器62における送出口として機能する。導入管71は、一端が紙面右側の側面73から容器内に突出しており、他端が第一の配管63に接続されている。第二の送出管72は、紙面左側の側面74側において、一端が貯留容器62の底面75付近に位置付けられており、他端が第二の配管64に接続されている。また、貯留容器62の上方側には、第一の検出センサ76が設けられている。貯留容器62の下方側には、第二の送出管72の一端(下端)よりも僅かに高い位置に第二の検出センサ77が設けられている。   The storage container 62 is formed in a box shape whose upper surface is open to the atmosphere, and an introduction pipe 71 for introducing the liquid resin R into the container and a second delivery pipe 72 for sending the liquid resin R in the container. Is provided. The second delivery pipe 72 functions as a delivery outlet in the storage container 62. One end of the introduction pipe 71 protrudes into the container from the side surface 73 on the right side of the page, and the other end is connected to the first pipe 63. One end of the second delivery pipe 72 is positioned near the bottom surface 75 of the storage container 62 on the side surface 74 side on the left side of the paper, and the other end is connected to the second pipe 64. A first detection sensor 76 is provided above the storage container 62. A second detection sensor 77 is provided below the storage container 62 at a position slightly higher than one end (lower end) of the second delivery pipe 72.

第一の検出センサ76は、制御部9に接続されており、容器内の液状樹脂Rの上限液面位置P1を検出して制御部9に通知する。第二の検出センサ77は、制御部9に接続されており、容器内の液状樹脂Rの下限液面位置P2を検出して制御部9に通知する。貯留容器62内には、平板状に形成された複数(本実施の形態では3つ)の気泡除去フィルタ78が貯留容器62の紙面手前側の側面、紙面奥側の側面及び底面75に跨って配設されている。複数の気泡除去フィルタ78は、貯留容器62の側面73から側面74に向かって流れる液状樹脂の流れ方向に対して、略垂直方向に起こされた起立姿勢で並列に配置されている。   The first detection sensor 76 is connected to the control unit 9, detects the upper limit liquid level position P <b> 1 of the liquid resin R in the container, and notifies the control unit 9. The second detection sensor 77 is connected to the control unit 9, detects the lower limit liquid level position P <b> 2 of the liquid resin R in the container, and notifies the control unit 9. In the storage container 62, a plurality of (three in the present embodiment) bubble removal filters 78 formed in a flat plate shape straddle the side surface of the storage container 62 on the front side, the rear side surface, and the bottom surface 75. It is arranged. The plurality of bubble removal filters 78 are arranged in parallel in an upright posture raised in a substantially vertical direction with respect to the flow direction of the liquid resin flowing from the side surface 73 toward the side surface 74 of the storage container 62.

各気泡除去フィルタ78は、液状樹脂R内の気泡を補足するための網目状の気泡補足部79を有している。貯留容器62内において、側面73から側面74に向かって液状樹脂が流れる際に、液状樹脂Rが気泡補足部79を通過することで液状樹脂R内の気泡が取り除かれる。なお、気泡補足部79は、液状樹脂R内の気泡を補足可能であればよく、平面状に形成されてもよいし、プリーツ状に形成されてもよい。また、気泡補足部79は、液状樹脂Rの濃度、送出速度、送出量に応じて網目の大きさや枚数が設定される。例えば、送出量が大きい場合には網目が大きく設定される。   Each bubble removal filter 78 has a mesh-like bubble capturing portion 79 for capturing bubbles in the liquid resin R. When the liquid resin flows from the side surface 73 toward the side surface 74 in the storage container 62, the liquid resin R passes through the bubble capturing portion 79, so that the bubbles in the liquid resin R are removed. In addition, the bubble capture | acquisition part 79 should just be able to capture the bubble in liquid resin R, may be formed in planar shape, and may be formed in pleat shape. Further, the size and number of meshes of the bubble capturing unit 79 are set according to the concentration of the liquid resin R, the delivery speed, and the delivery amount. For example, when the transmission amount is large, the mesh is set large.

また本実施の形態では、各気泡除去フィルタ78は、液状樹脂Rの流れ方向に対して略垂直方向に設けられたが、略垂直方向とは完全な垂直方向に限らず、取付精度の誤差に応じて幅を持たせた意味である。すなわち、液状樹脂Rの流れ方向に対して略垂直方向とは、液状樹脂Rの流れ方向に対して実質的に垂直と見なせる程度を含んでいる。また1つの気泡除去フィルタ78に一枚の気泡補足部79を設けてもよいし、液状樹脂Rの濃度等に応じて複数枚の気泡補足部79を設けてもよい。   In the present embodiment, each bubble removal filter 78 is provided in a substantially vertical direction with respect to the flow direction of the liquid resin R. However, the substantially vertical direction is not limited to a complete vertical direction, and an error in mounting accuracy occurs. This means that the width is increased accordingly. That is, the direction substantially perpendicular to the flow direction of the liquid resin R includes a level that can be regarded as being substantially perpendicular to the flow direction of the liquid resin R. In addition, one bubble supplement part 79 may be provided in one bubble removal filter 78, or a plurality of bubble supplement parts 79 may be provided according to the concentration of the liquid resin R or the like.

第一、第二の送出ポンプ65、66は、それぞれ制御部9に接続されており、制御部9の制御によって駆動される。制御部9によって第一の送出ポンプ65が駆動されると、第一の送出管67により収容タンク61の底面68付近から液状樹脂Rが汲み上げられ、第一の配管63を通じて貯留容器62に向けて液状樹脂Rが送出される。制御部9によって第二の送出ポンプ66が駆動されると、第二の送出管72により貯留容器62の底面75付近から液状樹脂Rが汲み上げられ、第二の配管64を通じて液状樹脂ノズル42に向けて液状樹脂Rが送出される。   The first and second delivery pumps 65 and 66 are connected to the control unit 9 and are driven by the control of the control unit 9. When the first delivery pump 65 is driven by the control unit 9, the liquid resin R is pumped from the vicinity of the bottom surface 68 of the storage tank 61 by the first delivery pipe 67 and directed toward the storage container 62 through the first pipe 63. Liquid resin R is delivered. When the second delivery pump 66 is driven by the control unit 9, the liquid resin R is pumped from the vicinity of the bottom surface 75 of the storage container 62 by the second delivery pipe 72 and directed toward the liquid resin nozzle 42 through the second pipe 64. Thus, the liquid resin R is delivered.

制御部9は、第一、第二の送出ポンプ65、66の駆動タイミングを制御すると共に、収容タンク61内の液状樹脂Rの残量を監視している。また、制御部9には、収容タンク61内への液状樹脂Rの補充を促すための報知部81(報知手段)が接続されている。なお、制御部9は、各種処理を実行するプロセッサや、メモリ等により構成されている。メモリは、用途に応じてROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等の一つ又は複数の記憶媒体で構成される。またメモリには、第一、第二の送出ポンプ65、66、報知部81等の動作を制御する制御プログラム等が記憶されている。   The controller 9 controls the drive timing of the first and second delivery pumps 65 and 66 and monitors the remaining amount of the liquid resin R in the storage tank 61. The control unit 9 is connected to a notification unit 81 (notification unit) for prompting the replenishment of the liquid resin R into the storage tank 61. The control unit 9 includes a processor that executes various processes, a memory, and the like. The memory is composed of one or a plurality of storage media such as a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory) depending on the application. The memory stores a control program for controlling operations of the first and second delivery pumps 65 and 66, the notification unit 81, and the like.

制御部9は、第一の検出センサ76から入力された検出信号に応じて第一の送出ポンプ65を駆動し、第二の検出センサ77から入力された検出信号に応じて第一の送出ポンプ65を停止する。よって、貯留容器62内の液状樹脂Rの液面が下限液面位置P2まで下がると、収容タンク61から貯留容器62内に液状樹脂Rの液面が上限液面位置P1になるまで液状樹脂Rが補充される。このようにして、貯留容器62内には一定量以上の液状樹脂Rが確保される。また、下限液面位置P2が第二の送出管72の一端(下端)よりも高い位置にあるため、第二の送出管72の一端が常に液中に浸漬され、第二の送出管72内にエアが入りこむことがない。   The controller 9 drives the first delivery pump 65 according to the detection signal input from the first detection sensor 76, and the first delivery pump according to the detection signal input from the second detection sensor 77. 65 is stopped. Therefore, when the liquid level of the liquid resin R in the storage container 62 falls to the lower limit liquid level position P2, the liquid resin R from the storage tank 61 into the storage container 62 until the liquid level of the liquid resin R reaches the upper limit liquid level position P1. Is replenished. In this way, a certain amount or more of the liquid resin R is secured in the storage container 62. Further, since the lower limit liquid surface position P2 is higher than one end (lower end) of the second delivery pipe 72, one end of the second delivery pipe 72 is always immersed in the liquid, Air does not get into.

制御部9は、液状樹脂ノズル42からウェーハWに滴下される液状樹脂Rの塗布量に応じて、液状樹脂Rを送り出すように第二の送出ポンプ66を駆動制御する。第二の送出ポンプ66の駆動によって、貯留容器62内には側面73から側面74に向かう液状樹脂Rの流れが生じ、液状樹脂Rが複数の気泡除去フィルタ78を通ることで、液中の気泡が気泡補足部79で補足される。このため、第二の送出管72には、気泡が除去された液状樹脂Rが吸入される。よって、貯留容器62の下流側、すなわち、第二の送出管72内、第二の配管64内、液状樹脂ノズル42内は常に気泡が除去された液状樹脂Rで満たされている。   The control unit 9 drives and controls the second delivery pump 66 so as to send out the liquid resin R according to the coating amount of the liquid resin R dripped onto the wafer W from the liquid resin nozzle 42. By driving the second delivery pump 66, a flow of the liquid resin R from the side surface 73 toward the side surface 74 is generated in the storage container 62, and the liquid resin R passes through the plurality of bubble removal filters 78, thereby causing bubbles in the liquid. Is captured by the bubble capturing unit 79. For this reason, the liquid resin R from which bubbles are removed is sucked into the second delivery pipe 72. Therefore, the downstream side of the storage container 62, that is, the second delivery pipe 72, the second pipe 64, and the liquid resin nozzle 42 are always filled with the liquid resin R from which bubbles are removed.

制御部9は、収容タンク残量センサ69から入力された検出信号に応じて、報知部81に収容タンク61内の液状樹脂Rの残量が所定液量を下回ったことを報知させる。なお、報知部81は、音声報知、発光報知、表示報知の少なくとも1つにより報知する。報知部81の報知によって、作業者に対して収容タンク61の交換作業や液状樹脂の補充作業が促される。このとき、貯留容器62が収容タンク61のバッファタンクとして機能するため、収容タンク61の交換作業中であっても保護膜被覆装置6を停止させることなく、生産性を向上させることが可能になっている。   In response to the detection signal input from the storage tank remaining amount sensor 69, the control unit 9 causes the notification unit 81 to notify that the remaining amount of the liquid resin R in the storage tank 61 has fallen below a predetermined liquid amount. Note that the notification unit 81 notifies at least one of voice notification, light emission notification, and display notification. The notification of the notification unit 81 prompts the operator to replace the storage tank 61 or refill the liquid resin. At this time, since the storage container 62 functions as a buffer tank of the storage tank 61, productivity can be improved without stopping the protective film coating apparatus 6 even when the storage tank 61 is being replaced. ing.

次に、図4を参照して、保護膜被覆装置による保護膜形成の流れについて説明する。図4は、本実施の形態に掛る保護膜被覆装置による保護膜形成の流れの説明図である。なお、図4においては、説明の便宜上、保護膜被覆装置を簡略化して記載している。   Next, with reference to FIG. 4, the flow of protective film formation by the protective film coating apparatus will be described. FIG. 4 is an explanatory diagram of a flow of forming a protective film by the protective film coating apparatus according to the present embodiment. In FIG. 4, for the convenience of explanation, the protective film coating apparatus is shown in a simplified manner.

図4Aに示すように、保持テーブル41上にウェーハWが載置されると、吸着チャックによってウェーハWが保持され、保持テーブル41がケーシング37内の下降位置に移動する。そして、液状樹脂ノズル42が旋回して、ノズルの先端部分がウェーハWの中央に位置付けられる。次に、図4Bに示すように、制御部9によって第二の送出ポンプ66が駆動され、液状樹脂ノズル42からウェーハWに対して液状樹脂Rが滴下されて、ウェーハWの表面中央に液溜まりR1が形成される。   As shown in FIG. 4A, when the wafer W is placed on the holding table 41, the wafer W is held by the suction chuck, and the holding table 41 moves to the lowered position in the casing 37. Then, the liquid resin nozzle 42 rotates and the tip portion of the nozzle is positioned at the center of the wafer W. Next, as shown in FIG. 4B, the second delivery pump 66 is driven by the control unit 9, and the liquid resin R is dropped from the liquid resin nozzle 42 onto the wafer W, and the liquid is collected in the center of the surface of the wafer W. R1 is formed.

このとき、貯留容器62内の液状樹脂Rは、複数の気泡除去フィルタ78を通って液状樹脂ノズル42に供給されている。液状樹脂ノズル42内及び第二の配管64内は、気泡が除去された液状樹脂Rで満たされているので、気泡が混入した液状樹脂Rが液状樹脂ノズル42からウェーハW上に滴下されることがない。液状樹脂ノズル42からウェーハWに対して所定量の液状樹脂Rが滴下されると、制御部9によって第二の送出ポンプ66が停止される。そして、液状樹脂ノズル42が旋回して、ノズルの先端部分がウェーハWの上方から外される。   At this time, the liquid resin R in the storage container 62 is supplied to the liquid resin nozzle 42 through the plurality of bubble removal filters 78. Since the liquid resin nozzle 42 and the second pipe 64 are filled with the liquid resin R from which bubbles are removed, the liquid resin R mixed with bubbles is dropped from the liquid resin nozzle 42 onto the wafer W. There is no. When a predetermined amount of the liquid resin R is dropped from the liquid resin nozzle 42 onto the wafer W, the control unit 9 stops the second delivery pump 66. Then, the liquid resin nozzle 42 turns and the tip portion of the nozzle is removed from above the wafer W.

次に、図4Cに示すように、ウェーハWを保持した保持テーブル41が高速回転する。これにより、ウェーハWの上面中央の液状樹脂Rの液溜まりR1に遠心力が作用して、液状樹脂RがウェーハWの上面全域を覆うように広げられる。この液状樹脂Rが固化することで、ウェーハWの上面に保護膜85が形成される。液状樹脂R内の気泡が取り除かれているため、保護膜85内に残留した気泡によって穴が空くことがなく、ウェーハWの上面に良好な保護膜85が形成される。   Next, as shown in FIG. 4C, the holding table 41 holding the wafer W rotates at high speed. Thereby, a centrifugal force acts on the liquid reservoir R1 of the liquid resin R at the center of the upper surface of the wafer W, and the liquid resin R is spread so as to cover the entire upper surface of the wafer W. As the liquid resin R solidifies, a protective film 85 is formed on the upper surface of the wafer W. Since the bubbles in the liquid resin R are removed, no holes are formed by the bubbles remaining in the protective film 85, and a good protective film 85 is formed on the upper surface of the wafer W.

ウェーハWの表面に保護膜85が形成されると、保持テーブル41がケーシング37内を上昇位置に移動する。そして、保持テーブル41からチャックテーブル3(図1参照)にウェーハWが載せ替えられて、後段のレーザー加工が実施される。レーザー加工済みのウェーハWは、再び保護膜被覆装置6に搬入されてデブリが付着した保護膜85が洗い流される。   When the protective film 85 is formed on the surface of the wafer W, the holding table 41 moves in the casing 37 to the raised position. Then, the wafer W is transferred from the holding table 41 to the chuck table 3 (see FIG. 1), and subsequent laser processing is performed. The laser-processed wafer W is again carried into the protective film coating apparatus 6 and the protective film 85 to which debris is attached is washed away.

以上のように、本実施の形態に係るレーザー加工装置1によれば、収容タンク61から貯留容器62に液状樹脂Rが補充されることで、貯留容器62をバッファタンクとして機能させることができる。よって、収容タンク61の液状樹脂Rの残量が少なくなって収容タンク61の交換作業等が発生する場合であっても、保護膜被覆装置6を停止することなく、貯留容器62内の液状樹脂RによってウェーハWに保護膜85を形成できる。また、貯留容器62内に設けた気泡除去フィルタ78によって、貯留容器62から液状樹脂ノズル42に気泡が除去された液状樹脂Rが送出される。このため、貯留容器62と液状樹脂ノズル42とを連結する第二の配管64内は気泡が除去された液状樹脂Rで満たされるため、気泡が混入した液状樹脂Rが液状樹脂ノズル42からウェーハWに対して滴下されることがない。よって、保護膜85内に気泡が残留することがなく、ウェーハWの表面を良好な保護膜85で被覆することができる。   As described above, according to the laser processing apparatus 1 according to the present embodiment, the storage container 62 can function as a buffer tank by replenishing the storage container 62 with the liquid resin R from the storage tank 61. Therefore, even when the remaining amount of the liquid resin R in the storage tank 61 is reduced and the replacement operation of the storage tank 61 occurs, the liquid resin in the storage container 62 is not stopped without stopping the protective film coating apparatus 6. The protective film 85 can be formed on the wafer W by R. Further, the liquid resin R from which the bubbles are removed is sent from the storage container 62 to the liquid resin nozzle 42 by the bubble removal filter 78 provided in the storage container 62. For this reason, since the inside of the second pipe 64 that connects the storage container 62 and the liquid resin nozzle 42 is filled with the liquid resin R from which bubbles are removed, the liquid resin R in which bubbles are mixed is transferred from the liquid resin nozzle 42 to the wafer W. It is not dripped with respect to. Therefore, no bubbles remain in the protective film 85, and the surface of the wafer W can be covered with the good protective film 85.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、上記実施の形態において、貯留容器62内に第一、第二の検出センサ76、77を設けて、第一、第二の検出センサ76、77の検出に応じて収容タンク61から貯留容器62に液状樹脂Rが補充される構成としたが、この構成に限定されない。収容タンク61から貯留容器62に対して定期的に液状樹脂Rを補充するようにすれば、貯留容器62に第一、第二の検出センサ76、77を設けない構成としてもよい。また、収容タンク61から貯留容器62への液状樹脂Rの補充タイミングは適宜変更可能である。   For example, in the above-described embodiment, the first and second detection sensors 76 and 77 are provided in the storage container 62, and the storage container 61 is moved from the storage tank 61 according to the detection of the first and second detection sensors 76 and 77. Although the liquid resin R is replenished to 62, it is not limited to this structure. If the liquid resin R is periodically replenished from the storage tank 61 to the storage container 62, the first and second detection sensors 76 and 77 may not be provided in the storage container 62. Further, the replenishment timing of the liquid resin R from the storage tank 61 to the storage container 62 can be changed as appropriate.

また、上記実施の形態において、液状樹脂供給部8は、収容タンク61及び貯留容器62をそれぞれ1つ有する構成としたが、この構成に限定されない。液状樹脂供給部8は、複数の収容タンク61及び複数の貯留容器62を有する構成としてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the liquid resin supply part 8 was set as the structure which has one each of the storage tank 61 and the storage container 62, it is not limited to this structure. The liquid resin supply unit 8 may include a plurality of storage tanks 61 and a plurality of storage containers 62.

また、上記実施の形態において、貯留容器62の側面73に導入管71を設け、側面74に第二の送出管72を設ける構成としたが、この構成に限定されない。導入管71及び第二の送出管72は、導入管71から導入された液状樹脂Rが気泡除去フィルタ78を通じて第二の送出管72から送出されるように設けられていれば、どの位置に設けられていてもよい。   In the above embodiment, the introduction pipe 71 is provided on the side surface 73 of the storage container 62 and the second delivery pipe 72 is provided on the side surface 74. However, the present invention is not limited to this configuration. The introduction pipe 71 and the second delivery pipe 72 are provided at any positions as long as the liquid resin R introduced from the introduction pipe 71 is provided from the second delivery pipe 72 through the bubble removal filter 78. It may be done.

また、上記実施の形態において、貯留容器62において、気泡除去フィルタ78と導入管71との間に、隙間を設けた隔壁を設けて液状樹脂Rから大きめの気泡を除去するように構成してもよい。この場合、気泡除去フィルタ78の上流側で大きめの気泡を除去できればよく、例えば、目の粗いフィルタ等によって大きめの気泡を除去してもよい。   Further, in the above-described embodiment, the storage container 62 may be configured to provide a partition with a gap between the bubble removal filter 78 and the introduction pipe 71 so as to remove larger bubbles from the liquid resin R. Good. In this case, it is only necessary to remove larger bubbles upstream of the bubble removal filter 78. For example, the larger bubbles may be removed by a filter having a coarse mesh.

以上説明したように、本発明は、生産性を低下させることなく、ウェーハに対して良好な保護膜を形成することができるという効果を有し、特に、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を施すレーザー加工装置に有用である。   As described above, the present invention has an effect that a good protective film can be formed on a wafer without lowering the productivity, and in particular, ablation processing is performed along the division line. Useful for laser processing equipment.

1 レーザー加工装置
3 チャックテーブル
5 レーザー加工ユニット(レーザー光照射手段)
6 保護膜被覆装置
8 液状樹脂供給部(液状樹脂供給部)
9 制御部
41 保持テーブル
42 液状樹脂ノズル
61 収容タンク
62 貯留容器
63 第一の配管
64 第二の配管(配管)
65 第一の送出ポンプ
66 第二の送出ポンプ
69 収容タンク残量センサ
76 第一の検出センサ
77 第二の検出センサ
78 気泡除去フィルタ
79 気泡補足部
81 報知部
85 保護膜
W ウェーハ
R 液状樹脂
P1 上限液面位置
P2 下限液面位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Laser processing apparatus 3 Chuck table 5 Laser processing unit (laser beam irradiation means)
6 Protective film coating device 8 Liquid resin supply unit (liquid resin supply unit)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Control part 41 Holding table 42 Liquid resin nozzle 61 Storage tank 62 Storage container 63 1st piping 64 2nd piping (piping)
65 First delivery pump 66 Second delivery pump 69 Storage tank remaining amount sensor 76 First detection sensor 77 Second detection sensor 78 Bubble removal filter 79 Bubble capture portion 81 Notification portion 85 Protective film W Wafer R Liquid resin P1 Upper limit liquid level position P2 Lower limit liquid level position

Claims (2)

ウェーハを保持するチャックテーブルと、前記チャックテーブルに保持されたウェーハにレーザー光を照射するレーザー光照射手段と、前記ウェーハの加工面を保護膜で被覆する保護膜被覆装置とを少なくとも備えたレーザー加工装置であって、
前記保護膜被覆装置は、ウェーハを保持する保持テーブルと、前記保持テーブルに保持されたウェーハの加工面に液状樹脂を滴下する液状樹脂ノズルと、前記液状樹脂ノズルに連通する液状樹脂供給手段とから構成され、
前記液状樹脂供給手段は、液状樹脂を収容する少なくとも1個の収容タンクと、前記収容タンクに収容された液状樹脂を貯留する貯留容器と、前記収容タンクから前記貯留容器へ液状樹脂を送出する第一の送出ポンプと、前記貯留容器から前記液状樹脂ノズルへ液状樹脂を送出する第二の送出ポンプと、前記第一の送出ポンプ及び前記第二の送出ポンプを制御する制御部と、から構成され、
前記貯留容器内には、液状樹脂の流れ方向に対し略垂直方向に前記貯留容器の側面及び底面に跨って配設され且つ平板状に形成され、液状樹脂中の気泡を捕捉するための網目状の気泡捕捉部を有する気泡除去フィルタが設けられており、
前記貯留容器の送出口と前記液状樹脂ノズルとを連結する配管内は気泡が除去された液状樹脂で満たされていること、を特徴とするレーザー加工装置。
Laser processing comprising at least a chuck table for holding a wafer, laser light irradiation means for irradiating the wafer held by the chuck table with laser light, and a protective film coating apparatus for coating a processed surface of the wafer with a protective film A device,
The protective film coating apparatus includes: a holding table that holds a wafer; a liquid resin nozzle that drops liquid resin on a processed surface of the wafer held on the holding table; and a liquid resin supply unit that communicates with the liquid resin nozzle. Configured,
The liquid resin supply means includes at least one storage tank that stores the liquid resin, a storage container that stores the liquid resin stored in the storage tank, and a first container that sends the liquid resin from the storage tank to the storage container. One delivery pump, a second delivery pump for delivering the liquid resin from the storage container to the liquid resin nozzle, and a controller for controlling the first delivery pump and the second delivery pump. ,
In the storage container, a net-like shape is disposed across the side surface and the bottom surface of the storage container in a direction substantially perpendicular to the flow direction of the liquid resin and is formed in a flat plate shape for capturing bubbles in the liquid resin. A bubble removal filter having a bubble trapping portion is provided,
A laser processing apparatus, wherein a pipe connecting the outlet of the storage container and the liquid resin nozzle is filled with a liquid resin from which bubbles are removed.
前記収容タンクに収容された液状樹脂が所定液量を下回ったことを検出する収容タンク残量センサ、を備え、
前記制御部は、前記収容タンク残量センサからの検出信号が入力されたときには報知手段に所定液量を下回ったことを報知させること、を特徴とする請求項1記載のレーザー加工装置。
A storage tank remaining amount sensor for detecting that the liquid resin stored in the storage tank has fallen below a predetermined liquid amount;
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein when the detection signal from the storage tank remaining amount sensor is input, the control unit causes the notification unit to notify that the amount of liquid is less than a predetermined amount.
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