JP2004087800A - Film-forming apparatus and supply nozzle discharge control method therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体ウエハ、LCD基板や露光マスク等の被処理基板上に樹脂等を溶解させたものからなる処理液の液膜を形成する成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)に、所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【0003】
このような一連の処理のうちレジスト塗布ユニットにおける成膜処理の手法として、スピンコーティング法が主流をなしている。
この手法は、例えば図15に示すように、真空吸着機能を備えたスピンチャック11の上に基板、例えば半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wを吸着保持し、ウエハWの中心部に供給ノズル12から、処理液であるレジスト液13を滴下した後、ウエハWを高速で回転させることにより、レジスト液13を遠心力によってウエハW全体に拡散させ、ウエハWの全面に亘って略均一なレジスト液膜を形成するというものである。
【0004】
ところで、近年回路パターンの線幅がますます微細化する傾向にあり、回路の線幅はレジスト膜の膜厚と露光波長とに比例することから、レジスト膜の薄膜化が要求されている。前記スピンコーティング法では、ウエハWの回転速度の高速化を図ることによりレジスト膜厚を薄くすることができ、このため例えば8インチウエハWの場合、200〜4000rpmという回転数で高速回転させるようにしている。
【0005】
しかしながら、このスピンコーティング法では、次の様な解決すべき課題があった。
先ず、この手法ではウエハWが大型化すると外周部での周速度が速くなるので、空気の乱流が引き起こされ、この乱流によりレジスト膜の膜厚が変動しやすくなり、これが原因となって露光解像度が低下するという問題があった。
また、レジスト液がウエハWの中心部から周縁部に向けて拡散していく過程において、レジスト液に含まれる溶剤が順次蒸発していく。そのため、拡散方向に沿ってレジスト液の粘度が異なり、均一な厚さのレジスト膜を得るのは困難であった。
【0006】
更に、ウエハWを高速で回転させ、拡散るために、ウエハWの周縁部から飛散し無駄になるレジスト液の量が多く、一例によれば、ウエハW上に供給されたレジスト液のうち10%以下の量しかレジスト液膜の形成に寄与していないことが知られている。
更にまた、この手法では、飛散するレジスト液を受け止めるため、ウエハWをカップ内で回転させる必要があるが、このカップに付着固化したレジスト固化物が、パーティクルとなってウエハWを汚染するおそれがあり、そのためカップを頻繁に洗浄する必要があった。
【0007】
このため、本発明者らは、スピンコーティング法に代わる手法として、図16に実線で示すような、例えばレジスト液13をウエハW表面に吐出するための供給ノズルとウエハWとを相対的に、Y方向に所定ピッチづつ間欠送りしながらX方向に往復させ、いわゆる一筆書きの要領で、ウエハWに対してレジスト液13の塗布を行う手法(以下「一筆書き方式」という)を提案している(特開平2001−170539号)。
なお、この手法においては、ウエハWに回路形成領域14の外側の領域を覆うマスク部材を被せることにより、前記回路形成領域14のみにレジスト液の塗布を行うようにしている。
【0008】
次に、前記供給ノズル12におけるレジスト液の供給系について図17により説明する。
図17中、符号201は、例えば粘度の高いレジスト液を貯留するための高粘度レジスト液槽であり、202はレジスト液の溶剤例えばシンナー溶液を貯留するための溶剤槽であって、これら高粘度レジスト液槽201内の粘度の高いレジスト液と、溶剤槽202内のシンナー溶液は夫々ポンプP1,P2により混合槽203に送液され、次いで混合槽203の下流側のバッファ槽204にポンプP3により送液されるように構成されている。
【0009】
前記混合槽203は、所定量の粘度の高いレジスト液と、所定量のシンナー溶液とを混合して所定粘度のレジスト液を調整するための槽であり、撹拌機構を備えている。
前記バッファ槽204内のレジスト液は、例えばエアシリンダにより動作するダイアフラムポンプ208により、フィルタ装置205及びエアオペレートバルブ209を介して供給ノズル12に送られ、この供給ノズルの吐出孔から吐出されるように構成されている。尚、これらバッファ槽204,フィルタ装置205、エアオペレートバルブ209,供給ノズル12は、チューブ管からなる供給流路206により接続されている。
【0010】
また、この制御部207からエアオペレートバルブ209及びダイアフラムポンプ208に送出される制御信号によって、それらの動作が制御されるように構成されている。
即ち、制御部207からレジスト液吐出命令がなされると、これによって、ダイアフラムポンプ208が作動し、バッファ槽204からレジスト液の吸い上げを開始する。
次いで、制御部207からエアオペレートバルブ209の開動作制御信号がなされると、エアオペレートバルブ209が開いて、その後供給ノズル12からレジスト液が吐出される。
【0011】
その後、ウエハWへの必要な吐出が行なわれると、制御部207からダイアフラムポンプ208の動作停止信号を送出する。これによって、ダイアフラムポンプ208は動作停止される。また次いで、エアオペレートバルブ209の閉動作制御信号が送出されると、エアオペレートバルブ209が閉状態とされる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した一筆書き方式によるコーティング法においては、前記供給流路上のダイアフラムポンプと供給ノズルとの間に、エアオペレートバルブを設け、ダイアフラムポンプの動作停止後のレジスト液の余分な吐出を防止している。
しかしながら、前記エアオペレートバルブから供給ノズルまでのチューブ管に残存するレジスト液には、供給ノズルの吐出孔が小さく、圧損が発生するため、外気圧よりも高い圧力(残圧)が作用している。また同様に、前記ポンプからエアオペレートバルブまでのチューブ管に残存するレジスト液にも、外気圧よりも高い圧力(残圧)が作用している。
このように、前記ポンプ及びチューブ管に過大な負荷(残圧)が長時間作用すると、ポンプ、チューブ管が破損する虞があった。
【0013】
また、前記供給ノズルから残存したレジスト液が徐々に排出される、いわゆる液だれ現象が発生するという課題があり、この液だれが、塗布が終了したウエハWの搬出工程中に起こると、装置内部を汚すことがあった。
この液だれによる汚染は、供給ノズルからの液だれが終了するまでレジスト液吐出の工程を継続することによって防止することができる。しかしながら、ウエハW一枚に対する成膜処理に時間がかかり、スループット効率が悪化するという新たな技術的課題が生ずる。
【0014】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、ポンプ及びチューブ管の破損を防止し、また供給ノズルからの液だれ現象を抑える共に、成膜処理においてスループットを向上させた成膜装置および成膜装置の供給ノズル吐出制御方法を提供することを目的とするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる成膜装置は、被処理基板の上方を供給ノズルが走査し、該供給ノズルから処理液を吐出することによって、前記被処理基板の表面に液膜を形成する成膜装置において、前記処理液を貯蔵する処理液槽と、前記処理液槽から前記供給ノズルまで処理液を送液する供給流路と、前記処理液槽からの処理液を送出し、前記供給ノズルから処理液を吐出させるポンプと、前記ポンプと供給ノズルの間の供給流路中に設けられ、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁する第一のバルブと、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた、該供給流路の圧力を減圧する減圧手段とを含むことを特徴としている。
【0016】
このように、第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に、減圧手段が設けられているため、ポンプから前記第一のバルブまでのチューブ管に残存する高い圧力を減圧することができ(ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制でき)、これらの破損等を防止できる。
【0017】
ここで、前記減圧手段が、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた三方弁と、前記三方弁に一端部が接続され、他端部が前記処理液槽に接続された回収流路とを備え、前記三方弁が、前記供給ノズルからの前記処理液の吐出中、回収流路側を閉弁すると共に、処理液の吐出終了後、回収流路側を開弁することが望ましい。
このように、処理液槽に接続された回収流路を設け、三方弁を切り替えることにより、第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に残存した処理液を処理液槽に戻しているため、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中の残圧を減圧できる。
その結果、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制でき、これらの破損等を防止できる。また、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中の処理液が処理液槽に戻されるため、処理液を有効に用いることができる。
【0018】
また、前記減圧手段が、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に一端部が接続され、他端部が前記処理液槽に接続された回収流路と、前記回収流路中に設けられた第二のバルブとを備え、前記第二のバルブが、前記供給ノズルからの前記処理液の吐出中、閉弁すると共に、処理液の吐出終了後、開弁することが望ましい。
このように処理液槽に接続された回収流路中に第二のバルブが設けられているため、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中の残圧を減圧できる。
その結果、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制でき、これらの破損等を防止できる。また、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中の処理液が処理液槽に戻されるため、処理液を有効に用いることができる。
【0019】
また、前記第一のバルブと供給ノズル間に設けられた、圧力センサあるいは流量計からなる第一の検出手段と、前記第一のバルブと前記ポンプ間あるいは前記回収流路に設けられた、圧力センサあるいは流量計からなる第二の検出手段とを備え、前記第一の検出手段と前記第二の検出手段の検出結果に基づいて、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁した第一のバルブを開弁することが望ましい。
このように、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後に前記供給流路を止弁した第一のバルブを開弁することにより、第一のバルブと供給ノズル間の残圧を減圧させることができる。その結果、前記供給ノズルから残存したレジスト液が徐々に排出される、いわゆる液だれ現象の発生を防止できる。
なお、前記第一、第二の検出手段を圧力センサとし、前記第一の検出手段と前記第二の検出手段によって検出される圧力差が所定値に到達した際、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後に前記供給流路を止弁した第一のバルブを開弁するのが好ましい。
【0020】
また、前記減圧手段が、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられたサックバックバルブであることが望ましい。
このように、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中にサックバックバルブが設けられているため、サックバックバルブの容積が増大することによって、第一のバルブと前記ポンプ間の供給流路中の残圧を減圧することができる。
【0021】
また、前記ポンプと第一のバルブ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられていることが望ましい。このように、ポンプと第一のバルブ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられているため、処理液中のパーティクルを除去することができる。特に、ポンプの後段にフィルタ装置が設けられているため、ポンプから生じたパーティクルを有効に除去することができる。
【0022】
また、前記減圧手段と前記ポンプ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられていることが望ましく、また前記減圧手段と前記第一のバルブ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられていることが望ましい。
特に、前記減圧手段と前記ポンプ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられている場合には、減圧手段を介して、濾過された処理液を処理液槽に戻すことができる。
また、前記減圧手段と前記第一のバルブ間の供給流路中に、フィルタ装置が設けられている場合には、フィルタ装置の圧損の影響を受けることなく、ポンプに作用する圧力を迅速に減圧でき、破損等を防止できる。
なお、減圧手段と前記ポンプ間の供給流路中、及び前記減圧手段と前記第一のバルブ間の供給流路中の、夫々にフィルタ装置を設けても良い。
【0023】
また、前記減圧手段が、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた二つのサックバックバルブであって、前記二つのサックバックバルブ間に、フィルタ装置が設けられていることが望ましい。
このように、フィルタ装置の前後にサックバックバルブが設けられているため、フィルタ装置の圧損の影響を受けることなく、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制し、これらの破損等を防止できる。
【0024】
また、被処理基板の上方領域外に、待機状態の供給ノズルを収容し、該供給ノズルからの廃液を回収するための供給ノズル収容部を備えていることが望ましい。
このように、供給ノズルからの廃液を回収するための供給ノズル収容部が設けられているため、処理液吐出作業終了後、第一のバルブを止弁し、供給ノズルを供給ノズル収容部に移動させることによって、液だれによる装置内部の汚染を防止できる。特に、前記供給ノズル収容部に供給ノズルが収容された際、第一のバルブを開弁することにより、供給ノズル部における廃液(処理液)を排出することができる。
【0025】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる成膜装置の供給ノズル吐出制御方法は、被処理基板の上方を供給ノズルが走査し、該供給ノズルから処理液を吐出することによって、前記被処理基板の表面に液膜を形成する成膜装置であって、前記処理液を貯蔵する処理液槽と、前記処理液槽からの処理液を送出し、前記供給ノズルから処理液を吐出させるポンプと、前記処理液槽から前記供給ノズルまで処理液を送液する供給流路と、前記ポンプと供給ノズルの間の供給流路中に設けられ、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁するバルブと、前記被処理基板の上方領域外に、待機状態の供給ノズルを収容し、該供給ノズルからの廃液を回収するための供給ノズル収容部を具備する成膜装置の供給ノズル吐出制御方法において、前記供給ノズルから処理液を吐出している間は、前記バルブが開弁し、前記供給ノズルからの処理液吐出終了後、前記バルブが止弁して、前記供給ノズルを前記供給ノズル収容部に収容後、前記バルブを再び開弁して、前記供給ノズルから廃液を排出することを特徴としている。
【0026】
このように、前記ポンプと供給ノズルの間の供給流路中にバルブを設け、供給ノズルからの処理液吐出終了後、前記バルブが止弁して、前記供給ノズルを前記供給ノズル収容部に収容後、前記バルブを再び開弁して、前記供給ノズルから廃液を排出する。
したがって、処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁することにより、供給ノズルからの液だれを防止できる。また、液だれが終了するまでレジスト液吐出の工程を継続する必要が無いため、スループット効率を向上させることができる。更に、前記バルブを再び開弁して、前記供給ノズルから廃液を排出するため、チューブ管に残存する高い圧力を減圧することができ、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制し、これらの破損等を防止できる。
【0027】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる成膜装置の供給ノズル吐出制御方法は、被処理基板の上方を供給ノズルが走査し、該供給ノズルから処理液を吐出することによって、前記被処理基板の表面に液膜を形成する成膜装置において、前記処理液を貯蔵する処理液槽と、前記処理液槽から前記供給ノズルまで処理液を送液する供給流路と、前記処理液槽からの処理液を送出し、前記供給ノズルから処理液を吐出させるポンプと、前記ポンプと供給ノズルの間の供給流路中に設けられ、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁する第一のバルブと、前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた、該供給流路の圧力を減圧する減圧手段とを含む成膜装置の供給ノズル吐出制御方法において、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、第一のバルブによって前記供給流路を止弁し、供給流路の圧力を減圧する減圧手段を動作させ、前記第一のバルブとポンプ間の圧力が、第一のバルブと供給ノズル間の圧力より低くなった後、前記第一のバルブを開弁すること特徴としている。
【0028】
このように、供給流路の圧力を減圧する減圧手段を動作させ、前記第一のバルブとポンプ間の圧力が、第一のバルブと供給ノズル間の圧力よりも低くなった後、前記第一のバルブを開弁するため、第一のバルブと供給ノズル間の残圧を減圧することができる。
したがって、処理液の吐出終了後の供給ノズルからの液だれを防止できる。また、液だれが終了するまでレジスト液吐出の工程を継続する必要が無いため、スループット効率を向上させることができる。更に、チューブ管に残存する高い圧力を減圧することができ、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制し、これらの破損等を防止できる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。先ず図1乃至図6を用いて本発明に係る第一の実施の形態について説明する。
図1は本発明に係る成膜装置を、被処理基板である半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wにレジスト液塗布するレジスト液塗布装置に適用した構成を示す縦断面図であり、図2はその平面図を示すものである。図3は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。図4はウエハWに対するレジスト液の塗布状態を示す斜視図、図5は図3に示されたエアオペレートバルブの断面図、図6は、図3に示された制御部からエアオペレートバルブ及びダイアフラムポンプに送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。
【0030】
図1及び図2中、符号2で示されるのは、基板保持部をなすウエハ保持体であり、このウエハ保持体2は、フレーム3内にY方向に移動可能に保持されている。フレーム3は、例えば上方に解放するチャンネル状に形成された部材であって、Y方向に長尺に形成されており、Y方向一端側はレジスト液の塗布が行われるレジスト液塗布部R、他端側はウエハWの受け渡しを行うウエハロード・アンロード部Lとして構成されている。またフレーム3は、前記レジスト液塗布部Rとウエハロード・アンロード部Lとに亘って延設された一対のYレール31を備えており、前記ウエハ保持体2は、このYレール31上にYスライダ32を介してY方向に移動自在に保持され、Y駆動モータ33によりボールねじ34を回転させることでナット35を介してY方向に位置決め自在に駆動されるように構成されている。
【0031】
前記ウエハ保持体2は、カップ状に形成された本体21と、前記ウエハWを保持するウエハ吸着テーブル22とを有し、前記本体21は、前記ウエハWの下面に対向する位置に溶剤(シンナー溶液)を貯留するための液溜めチャンネル23を備えており、この液溜めチャンネル23内に、液温及び液面高さコントロールされた溶剤を満たし、この溶剤を蒸発させることによってウエハWの周囲を所定濃度の溶剤雰囲気に保つようになっている。
【0032】
またウエハ吸着テーブル22は、上面にウエハWを保持する保持部24を備えており、この保持部24には図示しない真空装置が接続されていて、ウエハWを真空チャッキングできるようになっている。また保持部24はZθ駆動機構25に接続されており、前記ウエハW保持体2が、ウエハロード・アンロード部Lに移動した際に、Z位置決め・ノッチ合わせ部26がZθ駆動機構25を作動させ、ウエハWの受け渡しを行うためのZ方向動作(高さ方向動作)と、ノッチ合わせを行うためのθ動作(回動動作)を行わせるようになっている。さらにウエハ吸着テーブル22には、図示しないアジテーション発生部に接続され、吸着保持したウエハWを振動させるための超音波振動子27が固定されている。
【0033】
さらにまた本体21の底面の、前記ウエハ吸着テーブル22(ウエハW)を囲む四隅には、この本体21内の気流を制御するための、図示しない排気装置に接続された4つの強制排気口28a〜28dが形成されている。これら強制排気口28a〜28dからの排気流量は、夫々個別に制御されるようになっており、例えば2つの排気口28a、28bのみから排気を行わせることにより、本体21中に一方向に偏った微弱な気流を生じさせ、このことにより塗布したレジスト液から揮発した溶剤の流れを制御し、これにより溶剤の過度の揮発を抑制するようになっている。
【0034】
またこのウエハ保持体2内には、マスク部材4をウエハWの直上で保持すると共に、このマスク部材4を図2に矢印Aで示す方向(X方向)に駆動し、このウエハ保持体2内から挿脱するためのマスク部材駆動機構41が設けられている。マスク部材4は、図4に示すように、ウエハWの回路形成領域40以外の領域を覆い、レジスト液がウエハWの周縁部に塗布されてしまうのを防止するためのものであり、前記マスク部材駆動機構41は、レジスト液で汚れたマスク部材4を図2に矢印Aで示すように前記ウエハ保持体2及びフレーム3に設けられた挿脱通路20,30を通してこのレジスト塗布装置から取り出し、この図に42で示すマスク部材洗浄装置に搬送するものである。なお図4中43は、ウエハWに形成されたノッチである。
【0035】
図1中、符号5は、前記ウエハ保持体2の上方を覆うようにフレーム3に設けられた温度調節機能付き天板であって、例えば線状のヒータ51が埋設され、所定の温度で発熱するように構成されている。これにより天板5は、前記ウエハWの周囲に満たされた溶剤雰囲気を維持・コントロールする機能と、後述する供給ノズル6を加熱し、この供給ノズル6の目詰まりや吐出されたレジスト液流の「切れ」を防止する機能を有する。
【0036】
前記天板5は、前記レジスト液塗布部Rの部分のみに、前記ウエハ保持体2をY方向に最大限移動させた場合であってもこのウエハ保持体2を覆い続けられる程度にウエハ保持体2を覆うようになっている。また図1に示されるように天板5のY方向中途部には、供給ノズル6のX方向移動を許容するためのスリット52が形成されており、このスリット52はウエハWの幅に対応する長さでかつ前記供給ノズル6の挿通を許容する幅で設けられている。
【0037】
前記供給ノズル6は、前記フレーム3の上端部にX方向に沿って架設されたリニアスライド機構53によって保持されている。このリニアスライド機構53は、Xレール54と、このXレール54にスライド自在に設けられたスライダ55と、このスライダ55を駆動させるためのボールねじ56と、このボールねじ56を回転駆動するX駆動モータ57とを備えている。そして、前記供給ノズル6は、前記スライダ55によって、前記天板5のスリット52に対応する位置に保持され、その下端部をこのスリット52を通してウエハ保持体2内に延出させている。前記X駆動モータ57及び前記Y駆動モータ33は、供給ノズル・ウエハ駆動部36により同期をとって作動されるように構成されており、前記供給ノズル6をウエハWの所定の流路に対向させつつ移動させるようになっている。
【0038】
次に前記供給ノズル6におけるレジスト液の供給系について図3により説明する。
図3中、符号71は、例えば粘度の高いレジスト液を貯留するための高粘度レジスト液槽であり、72はレジスト液の溶剤例えばシンナー溶液を貯留するための溶剤槽であって、これら高粘度レジスト液槽71内の粘度の高いレジスト液と、溶剤槽72内のシンナー溶液は夫々ポンプP1,P2により混合槽73に送液され、次いで混合槽73の下流側のバッファ槽74にポンプP3により送液されるように構成されている。
【0039】
前記混合槽73は、所定量の粘度の高いレジスト液と、所定量のシンナー溶液とを混合して所定粘度のレジスト液を調整するための槽であり、撹拌機構を備えている。
前記バッファ槽74内のレジスト液は、例えばエアシリンダにより動作するダイアフラムポンプ8により、フィルタ装置75及びエアオペレートバルブ9を介して供給ノズル6に送られ、この供給ノズル6の吐出孔から吐出されるように構成されている。尚、これらバッファ槽74,フィルタ装置75、エアオペレートバルブ9,供給ノズル6は、チューブ管からなる供給流路76により接続されている。
また、供給ノズル6及びウエハWの近傍には、供給ノズル6を収容するための供給ノズル収容部67が配置され、前記収容部67には廃液となったレジスト液を排出するための図示しない排出流路が備えられている。なお、この供給ノズル収容部67に供給ノズルを洗浄する洗浄手段を設けても良い。
【0040】
また、図3に示されるように、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9との間の供給流路76上に三方継ぎ手78が配備され、この三方継ぎ手78に回収流路77が接続されている。この回収流路77上にはエアオペレートバルブ9と同じ構造のエアオペレートバルブ10が配備され、このエアオペレートバルブ10の弁開閉動作は制御部Cによって制御される。
さらに、回収流路77の終端部はバッファ槽74に接続され、回収流路77を介してレジスト液がバッファ槽74に回収されるように構成されている。
【0041】
次に、エアオペレートバルブ9について図5に基づいて詳述する。尚、エアオペレートバルブ10は、エアオペレートバルブ9と同一の構成であるため、エアオペレートバルブ9の説明をもって、エアオペレートバルブ10の構成の説明を省略する。
この図5に示されるように、前記エアオペレートバルブ9は、シリンダ91内のピストン92の上部部分には、コイルスプリング95が設置され、前記スプリング95が伸長し、ピストン92及びピストンロッド93が最下部に位置する状態のとき、弁94が完全に止弁状態をなすよう構成されている。
また、ピストン92の下部に位置する空間部97には、外部からエア注入できるようエア注入口96が設けられている。そして、このエア注入口よりエアを注入することによって、空間部97内のエアが膨張し(前記コイルスプリング95を圧縮し)、ピストン92を上方向へ移動させるように構成されている。これによって、ピストンロッド93も上方向へ移動し、弁94が開弁する。
【0042】
また、上記エアオペレートバルブ9の弁の開閉は、制御部Cの制御により、ダイアフラムポンプ8の動作と連動して動作するよう制御される。即ち、ダイアフラムポンプ8が作動し、供給ノズル6よりレジスト液が吐出されているときには、エアオペレートバルブ9の弁94を開状態となすように制御される。一方、ダイヤグラムポンプ8の動作が停止され、レジスト液吐出作業が終了したときは、前記エアオペレートバルブ9の弁94を閉状態となすように制御される。
【0043】
前記エアオペレートバルブ9、エアオペレートバルブ10及びダイアフラムポンプ8の動作制御は制御部Cによって行なわれる。この制御部Cからエアオペレートバルブ9、エアオペレートバルブ10及びダイアフラムポンプ8に送出される制御信号のタイミングの一例を図6に示す。
図6において、吐出信号はレベルHのときにレジスト液吐出命令状態、レベルLのときにレジスト液吐出停止命令状態を示し、ポンプ信号はレベルHのときにダイアフラムポンプ8のポンプ動作命令状態、レベルLのときにポンプ動作停止命令状態を示し、エアオペ信号1はレベルHのときにエアオペレートバルブ9の弁を開く命令状態、レベルLのときに弁を閉める命令状態を示し、エアオペ信号2はレベルHのときにエアオペレートバルブ10の弁を開く命令状態、レベルLのときに弁を閉める命令状態を示している。
【0044】
この図6に示したタイミングによれば、先ず制御部Cにおいて、レジスト液吐出命令がなされると、制御部C内の吐出信号はレベルL状態からレベルH状態となり、同時にエアオペレートバルブ10の動作制御信号であるエアオペ信号2がレベルH状態からレベルL状態とされ、エアオペレートバルブ10の弁が閉じられる。
次いでダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号をレベルL状態からレベルH状態とされる。これによりダイアフラムポンプ8が作動し、バッファ槽74からレジスト液の吸い上げを開始する。
次いでエアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号1がレベルL状態からレベルH状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が開いて、その後供給ノズル6からレジスト液が吐出される。
【0045】
その後、ウエハWへの必要な吐出が行なわれた後、制御部C内の吐出信号はレベルH状態からレベルL状態となり、次いでダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号をレベルH状態からレベルL状態とされる。
これによって、ダイアフラムポンプ8は動作停止される。そして、エアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号1がレベルH状態からレベルL状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が閉状態とされる。また、エアオペレートバルブ10の動作制御信号であるエアオペ信号2がレベルL状態からレベルH状態とされ、エアオペレートバルブ10の弁が開状態になされる。
【0046】
ここで、上述したようにエアオペレートバルブ9の弁94を閉状態とすることにより、液だれが抑制される。また、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9間の供給流路76上に残ったレジスト液及び、三方継ぎ手78とエアオペレートバルブ10間の回収流路77上のレジスト液は、エアオペレートバルブ10の弁が開くことによりバッファ槽74に回収される。
なお、供給流路76に残ったレジスト液の排出のために、供給ノズル6は供給ノズル収容部67に移動し、そこでエアオペレートバルブ9の弁94が開かれて、残ったレジスト液が供給ノズル収容部67内に排出される。
【0047】
以上のように、エアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8間の供給流路78中に、回収流路77およびエアオペレートバルブ10が設けられているため、供給流路78中のチューブ管に残存する高い圧力を減圧することができ、ダイアフラムポンプ8及び供給流路78を構成するチューブ管に作用する過大な負荷を抑制し、これらの破損等を防止できる。
また、エアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8間の供給流路78中のレジスト液がバッファ槽74に戻されるため、有効に処理液を用いることができる。
【0048】
また、前記実施形態にあっては、三方継ぎ手78及びエアオペレートバルブ10で行ったが、ポンプ側から供給されるレジスト液をエアオペレートバルブ9側とエアオペレートバルブ10側のいずれか一方側に切換る三方弁であっても良い。この場合、ポンプ信号のレベルH状態と同時にエアオペレートバルブ9側に切り替え、またポンプ信号のレベルL状態と同時に、エアオペレートバルブ10側に切替るように設けられる。
【0049】
更に、前記実施形態において、図7に示すようにダイアフラムポンプ8と三方継ぎ手78との間にフィルタ装置79を配置しても良い。
このように構成することにより、ダイアフラムポンプ8から送出されるレジスト液に含まれるパーティクルや気泡等を取り除くことができる。その結果、供給ノズル6からは浄化されたレジスト液を吐出することができ、また、回収流路77を介して浄化されたレジスト液をバッファ槽に回収することができる。
【0050】
次に、図8及び図9に基づいて、本発明にかかる成膜装置の第二の実施形態について説明する。図8は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図であり、図9は、図8に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプに送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。なお、成膜装置の他の構成は、図1、図2に示したもの同一の構成を有するため、その詳細な説明は省略する。
【0051】
図8に示されるように、この実施形態にあっては、圧力センサS1が供給ノズル6とエアオペレートバルブ9との間に設けられている。また、圧力センサS2がエアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8との間の供給流路76上に、あるいはエアオペレートバルブ10の上流側の回収流路77上に設けられている点に特徴がある。
また、圧力センサS1,S2の検出された圧力信号は制御部Cに入力されるように構成されている。
【0052】
前記したように、エアオペレートバルブ9、エアオペレートバルブ10及びダイアフラムポンプ8の動作制御は制御部Cによって行なわれる。この制御部Cからエアオペレートバルブ9、エアオペレートバルブ10及びダイアフラムポンプ8に送出される制御信号のタイミングの一例を図9に示す。なお、この実施形態における動作タイミングは、基本的には図6に示した場合と同様である。
【0053】
この実施形態にあっては、吐出信号がレジスト液吐出停止命令状態になり、ポンプの動作が停止し、エアオペレートバルブ9が閉じられ、エアオペレートバルブ10が開かれている状態において、圧力センサS1,S2で測定された圧力の差が所定値になると、再び、エアオペレートバルブ9を開弁する点に特徴がある。
即ち、エアオペレートバルブ10が開かれていることにより、エアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8との間の供給流路76内の圧力が減圧される。一方、エアオペレートバルブ9から供給ノズル6までのチューブ管に残存するレジスト液には、供給ノズル6の吐出孔が小さく、圧損が発生するため、高い圧力(残圧)がかかった状態にある。
このエアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8との間の供給流路76内の圧力と、エアオペレートバルブ9から供給ノズル6の間の供給流路76内の圧力を、前記圧力センサS1,S2で検出する。
そして、この圧力差が、所定値に到達した場合には、制御部Cからエアオペレートバルブ9を開く制御信号を送出し、エアオペレートバルブ9を開弁する。このエアオペレートバルブ9の開弁に伴い、エアオペレートバルブ9から供給ノズル6の間の供給流路76内の圧力が減圧される。
その後、前記圧力センサS1によって、エアオペレートバルブ9から供給ノズル6の間の供給流路76内の圧力が所定圧力に低下したことを検出し、エアオペレートバルブ9を閉じる。なお、前記した圧力の検出によらず、所定時間経過後に、エアオペレートバルブ9を閉じるようにしても良い。
【0054】
その結果、前記供給ノズル6から残存したレジスト液が徐々に排出される、いわゆる液だれ現象を防止できると共に、ポンプ及びチューブ管の破損等を防止できる。
【0055】
上記第二の実施形態においては、圧力センサS1,S2を用いたが、夫々が流量計であっても良い。
エアオペレートバルブ9から供給ノズル6の間の供給流路76に設けられた流量計によって、第一のバルブ9と供給ノズル6間のレジスト液の流れがなく、前記回収流路77に設けられた流量計によって、回収流路77に流れるレジスト液の流れを検出した場合に、エアオペレートバルブ9を開弁しても良い。
また、エアオペレートバルブ9から供給ノズル6の間の供給流路76に流量計を設け、回収流路77に圧力センサを設けてもよい。この場合、エアオペレートバルブ10が開かれていることにより、エアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8との間の供給流路76内の圧力が減圧される。これを回収流路77上の圧力センサで検出し、エアオペレートバルブ9を開弁する。その後、流量計で供給ノズル6からエアオペレートバルブ9側に流れたレジスト液量を検出し、エアオペレートバルブ9を閉じても良い。
【0056】
次に、図10及び図11に基づいて、本発明にかかる成膜装置の第三の実施形態について説明する。図10は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図であり、図11は、図10に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプ等に送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。なお、成膜装置の他の構成は、図1、図2に示したもの同一の構成を有するため、その詳細な説明は省略する。
【0057】
図10に示されるように、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9との間の供給流路76上に三方弁80が配備されている。この三方弁80は分流型の三方弁であり、ダイアフラムポンプ8側から送出されるレジスト液をエアオペレートバルブ9側と回収流路77側に分流するように構成されている。また、この三方弁80には図示しないアクチュエータが装着されており、制御部Cによる制御によりこのアクチュエータが回収流路77の入出口を開閉する弁を制御するように構成されている。
更に、回収流路77の終端部はバッファ槽74に接続され、回収流路77を介してレジスト液がバッファ槽74に回収されるように構成されている。
【0058】
前記したように、エアオペレートバルブ9、三方弁80及びダイアフラムポンプ8の動作制御は、制御部Cによって行なわれる。この制御部Cからエアオペレートバルブ9、三方弁80及びダイアフラムポンプ8に送出される制御信号のタイミングの一例を図11に示す。
図11において、吐出信号はレベルHのときにレジスト液吐出命令状態、レベルLのときにレジスト液吐出停止命令状態を示し、ポンプ信号はレベルHのときにダイアフラムポンプ8のポンプ動作命令状態、レベルLのときにポンプ動作停止命令状態を示し、エアオペ信号はレベルHのときにエアオペレートバルブ9の弁を開く命令状態、レベルLのときに弁を閉める命令状態を示し、三方弁信号はレベルHのときに回収流路77の入出口の弁を開く命令状態、レベルLのときに回収流路77の入出口の弁を閉める命令状態を示している。
【0059】
この図11に示したタイミングによれば、先ず制御部Cにおいて、レジスト液吐出命令がなされると、制御部C内の吐出信号はレベルL状態からレベルH状態となり、同時に三方弁80の動作制御信号である三方弁信号がレベルH状態からレベルL状態とされ、回収流路77の入出口の弁が閉じられる。
次いで、ダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号がレベルL状態からレベルH状態とされる。これによりダイアフラムポンプ8が作動し、バッファ槽74からレジスト液の吸い上げを開始する。次いで、エアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号がレベルL状態からレベルH状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が開いて、その後供給ノズル6からレジスト液が吐出される。
【0060】
その後、ウエハWへの必要な吐出が行なわれた後、制御部C内の吐出信号はレベルH状態からレベルL状態となり、次いでダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号をレベルH状態からレベルL状態とされる。
これによってダイアフラムポンプ8は動作停止される。そして、エアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号がレベルH状態からレベルL状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が閉状態になされる。
また、三方弁80の動作制御信号である三方弁信号がレベルL状態からレベルH状態とされ、回収流路77の入出口の弁が開状態になされる。
【0061】
ここで、上述したようにエアオペレートバルブ9の弁94を閉める状態とすることにより、液だれが生じない状態にすることができる。
また、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9間の供給流路76上に残ったレジスト液は三方弁80における回収流路77の入出口の弁が開くことによりバッファ槽74に回収される。
【0062】
なお、供給流路76に残ったレジスト液の排出のために、供給ノズル6は供給ノズル収容部67に移動し、そこでエアオペレートバルブ9の弁94が開かれて、残ったレジスト液が供給ノズル収容部67内に排出される。
【0063】
以上のように、この第三の実施形態によれば、レジスト液吐出作業後の余分な液だれを防止することができるほか、供給流路76に残ったレジスト液をバッファ槽に回収することができる。これにより、供給流路76に残ったレジスト液の圧力によるダイアフラムポンプ8、供給流路76を構成するチューブ管への悪影響を防ぐことができる。
なお、レジスト液吐出作業中は回収流路77にレジスト液が進入することがないため、レジスト液吐出作業中の供給流路76における負荷を軽減することができる。
【0064】
次に、図12乃至図14に基づいて、本発明にかかる成膜装置の第四の実施形態について説明する。図12は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図であり、図13は、サックバックバルブの概略断面図であり、図14は、図12に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプ等に送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。なお、成膜装置の他の構成は、図1、図2に示したもの同一の構成を有するため、その詳細な説明は省略する。
【0065】
図12に示されるように、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9との間にはレジスト液を浄化するためのフィルタ装置120が供給流路76上に配置されている。またフィルタ装置120とダイアフラムポンプ8との間にサックバックバルブ100が配備されている。
このサックバックバルブ100は、図13に示すように、シリンダ101と、このシリンダ101中を上下動作する弁102と、弁102を支持するピストンロッド103と、ピストンロッド103を上下動作するアクチュエータ104と、スプリングコイル106とで構成されている。そして、アクチュエータ104が制御部Cの制御により作動すると、ピストンロッド103が上方向へ移動し、それに伴い弁102も上方向へ移動し、空間部105の容積が増大するように構成されている。一方、アクチュエータ104が非動作状態になると、スプリングコイル106によって、図13に破線で示される符号Pの位置にピストン102が位置するように構成されている。
【0066】
また前記したように、エアオペレートバルブ9、サックバックバルブ100及びダイアフラムポンプ8の動作制御は、制御部Cによって行なわれる。この制御部Cからエアオペレートバルブ9、サックバックバルブ100及びダイアフラムポンプ8に送出される制御信号のタイミングの一例を図14に示す。
図14において、吐出信号はレベルHのときにレジスト液吐出命令状態、レベルLのときにレジスト液吐出停止命令状態を示し、ポンプ信号はレベルHのときにダイアフラムポンプ8のポンプ動作命令状態、レベルLのときにポンプ動作停止命令状態を示し、エアオペ信号はレベルHのときにエアオペレートバルブ9の弁を開く命令状態、レベルLのときに弁を閉める命令状態を示し、サックバック信号はレベルHのときにサックバックバルブ100の弁102を上方向に移動させる命令状態、レベルLのときに弁102を通常位置に戻す命令状態を示している。
【0067】
この図14に示されたタイミングよれば、先ず制御部Cにおいて、レジスト液吐出命令がなされると、制御部C内の吐出信号はレベルL状態からレベルH状態となり、次いでダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号をレベルL状態からレベルH状態とされる。これによって、ダイアフラムポンプ8が作動し、バッファ槽74からレジスト液の吸い上げを開始する。
次いでエアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号がレベルL状態からレベルH状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が開いて、その後供給ノズル6からレジスト液が吐出される。
【0068】
その後、ウエハWへの必要な吐出が行なわれた後、制御部C内の吐出信号はレベルH状態からレベルL状態となり、次いでダイアフラムポンプ8の動作制御信号であるポンプ信号をレベルH状態からレベルL状態とされる。これによりダイアフラムポンプ8は動作停止される。
そして、エアオペレートバルブ9の動作制御信号であるエアオペ信号がレベルH状態からレベルL状態とされ、エアオペレートバルブ9の弁94が閉状態とされる。
また、サックバックバルブ100の動作制御信号であるサックバック信号がレベルL状態からレベルH状態とされ、サックバックバルブ100の弁102が上方向へ移動し、その容積が増加した状態になされる。その結果、ダイアフラムポンプ8とエアオペレートバルブ9間の供給流路76上に残ったレジスト液は、サックバックバルブ100における空間部105の容積が増大するため、その空間部105に吸引される。
【0069】
ここで、上述したようにエアオペレートバルブ9の弁94を閉状態とすることにより、液だれが生じない状態にすることができる。
なお、供給流路76に残ったレジスト液の排出のために、供給ノズル6は供給ノズル収容部67に移動し、そこでエアオペレートバルブ9の弁94を開き、残ったレジスト液が供給ノズル収容部67内に排出される。
【0070】
以上のように、この第四の実施形態によれば、サックバックバルブ100を設けることにより、レジスト液吐出作業後に供給流路76に残ったレジスト液を空間部105に吸引することができる。これにより、供給流路76に残ったレジスト液の圧力によるダイアフラムポンプ8、供給流路76を構成するチューブ管への悪影響を防ぐことができる。
【0071】
また、図12に示すように、前記サックバックバルブ100とエアオペレートバルブ9間の供給流路中に、フィルタ装置120が設けられているため、フィルタ装置120の圧損の影響を受けることなく、ダイアフラムポンプ8に作用する圧力を迅速に減圧でき、破損等を防止できる。なお、サックバックバルブ100とダイアフラムポンプ8間の供給流路中にも、フィルタ装置を別個設けても良い。
【0072】
また、上記実施形態にあっては、一つのサックバックバルブを設けた場合について説明したが、前記エアオペレートバルブ9とダイアフラムポンプ8間の供給流路中に、二つのサックバックバルブを設け、この二つのサックバックバルブ間にフィルタ装置120を設けても良い。
このように、フィルタ装置120の前後にサックバックバルブが設けられている場合には、フィルタ装置120の圧損の影響を受けることなく、フィルタ装置120の前後の供給流路76中の残圧を減圧でき、ポンプ及びチューブ管に作用する過大な負荷を抑制し、これらの破損等を防止できる。
尚、上記実施の形態において、図示しない圧力センサを供給流路76内に設けて、供給流路76内に残ったレジスト液にかかる圧力を測定し、サックバックバルブ100の動作にフィードバックしてもよい。
【0073】
上記第一乃至第四の実施形態においては、ポンプとしてダイアフラムポンプを用いた場合について説明したが、ダイアフラムポンプの代わりに、例えばベローズポンプや回転式ポンプ等を用いても良く、その駆動部材はエアシリンダに限らず、モータ等によりロッドを押圧するものであってもよい。
また、エアオペレートバルブの代わりに、駆動部材がモータ等によりロッドを押圧する構成のバルブを採用してもよい。
【0074】
また、上記第一乃至第四の実施形態においては、処理液としてレジスト液を例にして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば層間絶縁膜材料や高導電性材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、銀ペースト等の金属ペースト等に適用することができる。また、被処理基板として半導体ウエハを例に説明したが、半導体ウエハに限らず、LCD基板や露光マスクなどであってもよい。
更に、供給ノズル6とウエハWとは相対的に移動されるものであって、例えば供給ノズル6を固定してウエハWをXY方向に駆動するようにしてもよい。また供給ノズル6やウエハ保持体2の駆動機構についても上記実施形態に限定されるものではなく、例えばベルト駆動機構等を用いてもよい。
【0075】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればポンプ及びチューブ管の破損を防止することができる。また、本発明によれば供給ノズルからの液だれ現象を抑える共に、成膜処理においてスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係る成膜装置を、被処理基板である半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)Wにレジスト液塗布するレジスト液塗布装置に適用した構成を示す縦断面図である。
【図2】図2は、図1の平面図を示すものである。
【図3】図3は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。
【図4】図4は、ウエハWに対するレジスト液の塗布状態を示す斜視図である。
【図5】図5は、図3に示されたエアオペレートバルブの断面図である。
【図6】図6は、図3に示された制御部からエアオペレートバルブ及びダイアフラムポンプに送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。
【図7】図7は、図3に示す構成において、ダイアフラムポンプと三方弁との間にフィルタ装置を配置した例を示す概略構成図である。
【図8】図8は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。
【図9】図9は、図8に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプ等に送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。
【図10】図10は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。
【図11】図11は、図10に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプ等に送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。
【図12】図12は、処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。
【図13】図13は、サックバックバルブの概略断面図である。
【図14】図14は、図12に示した制御部からエアオペレートバルブ、ダイアフラムポンプ等に送出される制御信号のタイミングの例を示す図である。
【図15】図15は、スピンコーティング法によるレジスト液の塗布装置を示す側面図である。
【図16】図16は、一筆書き方式によるレジスト液の塗布方法を示す平面図である。
【図17】図17は、従来の処理液であるレジスト液の供給系を示した概略構成図である。
【符号の説明】
6 供給ノズル
8 ダイアフラムポンプ
9 エアオペレートバルブ
10 エアオペレートバルブ
67 供給ノズル収容部
75、79、120 フィルタ装置
76 供給流路
77 回収流路
78 三方継ぎ手
80 三方弁
100 サックバックバルブ
C 制御部
W ウエハ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention provides, for example, a film forming apparatus for forming a liquid film of a processing liquid formed by dissolving a resin or the like on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, an LCD substrate or an exposure mask, and a supply nozzle discharge control of the film forming apparatus About the method.
[0002]
[Prior art]
For example, in a semiconductor device manufacturing process, a predetermined film is formed on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a “wafer”) as a substrate to be processed, and then a photoresist liquid as a processing liquid is applied to form a resist film. The circuit pattern is formed by a so-called photolithography technique of forming, exposing a resist film corresponding to the circuit pattern, and developing the resist film.
[0003]
Among such a series of processes, a spin coating method is mainly used as a film forming process in a resist coating unit.
In this method, for example, as shown in FIG. 15, a substrate, for example, a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) W is suction-held on a spin chuck 11 having a vacuum suction function, and a supply nozzle is provided at the center of the wafer W. 12, a
[0004]
By the way, in recent years, the line width of a circuit pattern has been increasingly miniaturized, and the line width of a circuit is proportional to the film thickness of a resist film and the exposure wavelength. In the spin coating method, the resist film thickness can be reduced by increasing the rotation speed of the wafer W. For example, in the case of an 8-inch wafer W, the wafer W is rotated at a high speed of 200 to 4000 rpm. ing.
[0005]
However, this spin coating method has the following problems to be solved.
First, in this method, when the size of the wafer W is increased, the peripheral velocity at the outer peripheral portion is increased, so that turbulence of air is caused, and the turbulence tends to change the thickness of the resist film. There is a problem that the exposure resolution is reduced.
In addition, in the process in which the resist liquid is diffused from the center of the wafer W toward the peripheral edge, the solvent contained in the resist liquid evaporates sequentially. Therefore, the viscosity of the resist solution varies along the diffusion direction, and it has been difficult to obtain a resist film having a uniform thickness.
[0006]
Further, since the wafer W is rotated at a high speed and diffused, a large amount of the resist solution is scattered and wasted from the peripheral portion of the wafer W. According to an example, 10% of the resist solution supplied on the wafer W is used. It is known that only an amount of not more than% contributes to the formation of the resist liquid film.
Furthermore, in this method, it is necessary to rotate the wafer W in the cup in order to receive the scattered resist solution. However, the solidified resist solidified on the cup may become particles and contaminate the wafer W. Yes, so the cups had to be cleaned frequently.
[0007]
For this reason, the present inventors, as an alternative to the spin coating method, for example, as shown by a solid line in FIG. 16, the supply nozzle for discharging the
In this method, the resist liquid is applied only to the
[0008]
Next, a resist liquid supply system in the
In FIG. 17,
[0009]
The
The resist solution in the
[0010]
Further, the
That is, when a resist liquid discharge command is issued from the
Next, when a control signal for opening the air operated
[0011]
Thereafter, when the necessary ejection to the wafer W is performed, the
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the above-described one-stroke coating method, an air operated valve is provided between the diaphragm pump and the supply nozzle on the supply flow path to prevent the resist liquid from being excessively discharged after the diaphragm pump stops operating. ing.
However, the resist liquid remaining in the tube pipe from the air operated valve to the supply nozzle has a small discharge hole of the supply nozzle and generates a pressure loss, so that a pressure (residual pressure) higher than the external pressure is applied. . Similarly, a pressure (residual pressure) higher than the external pressure acts on the resist liquid remaining in the tube from the pump to the air operated valve.
As described above, when an excessive load (residual pressure) acts on the pump and the tube for a long time, the pump and the tube may be damaged.
[0013]
In addition, there is a problem that a so-called dripping phenomenon occurs in which the remaining resist liquid is gradually discharged from the supply nozzle. If this dripping occurs during the unloading process of the wafer W after the coating, the inside of the apparatus may be deteriorated. Was dirty.
The contamination due to the dripping can be prevented by continuing the resist liquid discharging process until the dripping from the supply nozzle is completed. However, there is a new technical problem that it takes time to form a film on one wafer W and the throughput efficiency is deteriorated.
[0014]
The present invention has been made under such circumstances, and a film forming apparatus capable of preventing damage to a pump and a tube tube, suppressing a dripping phenomenon from a supply nozzle, and improving a throughput in a film forming process. It is another object of the present invention to provide a supply nozzle discharge control method for a film forming apparatus.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a film forming apparatus according to the present invention is characterized in that a supply nozzle scans above a substrate to be processed, and discharges a processing liquid from the supply nozzle, thereby forming a surface of the substrate to be processed. In a film forming apparatus that forms a liquid film, a processing liquid tank that stores the processing liquid, a supply flow path that sends the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle, and a processing liquid from the processing liquid tank. A pump for delivering and discharging the processing liquid from the supply nozzle; and a pump provided in a supply flow path between the pump and the supply nozzle, and after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, stopping the supply flow path. And a pressure reducing means provided in a supply flow path between the first valve and the pump for reducing the pressure in the supply flow path.
[0016]
As described above, since the pressure reducing means is provided in the supply flow path between the first valve and the pump, it is possible to reduce the high pressure remaining in the tube from the pump to the first valve. (Excessive loads acting on the pump and the tube tube can be suppressed), and breakage thereof can be prevented.
[0017]
Here, the pressure reducing means is a three-way valve provided in a supply flow path between the first valve and the pump, and one end is connected to the three-way valve, and the other end is connected to the processing liquid tank. A recovery flow path connected thereto, wherein the three-way valve closes the recovery flow path during discharge of the processing liquid from the supply nozzle, and opens the recovery flow path after the discharge of the processing liquid. It is desirable.
Thus, by providing the recovery flow path connected to the processing liquid tank and switching the three-way valve, the processing liquid remaining in the supply flow path between the first valve and the pump is returned to the processing liquid tank. Therefore, the residual pressure in the supply flow path between the first valve and the pump can be reduced.
As a result, an excessive load acting on the pump and the tube pipe can be suppressed, and breakage of these can be prevented. Further, since the processing liquid in the supply flow path between the first valve and the pump is returned to the processing liquid tank, the processing liquid can be used effectively.
[0018]
The pressure reducing means may further include a recovery flow path having one end connected to a supply flow path between the first valve and the pump, and the other end connected to the processing liquid tank; A second valve provided therein, wherein the second valve is closed during discharge of the processing liquid from the supply nozzle, and is opened after the discharge of the processing liquid is completed. .
Thus, since the second valve is provided in the recovery flow path connected to the processing liquid tank, the residual pressure in the supply flow path between the first valve and the pump can be reduced.
As a result, an excessive load acting on the pump and the tube pipe can be suppressed, and breakage of these can be prevented. Further, since the processing liquid in the supply flow path between the first valve and the pump is returned to the processing liquid tank, the processing liquid can be used effectively.
[0019]
Further, provided between the first valve and the supply nozzle, a first detection means comprising a pressure sensor or a flow meter, and a pressure provided between the first valve and the pump or in the recovery flow path. A second detection unit comprising a sensor or a flow meter, and based on the detection results of the first detection unit and the second detection unit, after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle is completed, the supply flow It is desirable to open the first valve that has stopped the path.
As described above, after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle is completed, the residual pressure between the first valve and the supply nozzle can be reduced by opening the first valve that has stopped the supply flow path. it can. As a result, it is possible to prevent a so-called dripping phenomenon in which the remaining resist solution is gradually discharged from the supply nozzle.
The first and second detection means are pressure sensors, and when the pressure difference detected by the first detection means and the second detection means reaches a predetermined value, the processing liquid from the supply nozzle It is preferable to open the first valve that has stopped the supply flow path after the end of the discharge.
[0020]
Further, it is preferable that the pressure reducing means is a suckback valve provided in a supply flow path between the first valve and the pump.
As described above, since the suck back valve is provided in the supply flow path between the first valve and the pump, the supply flow between the first valve and the pump is increased by increasing the volume of the suck back valve. The residual pressure in the road can be reduced.
[0021]
Preferably, a filter device is provided in a supply flow path between the pump and the first valve. As described above, since the filter device is provided in the supply flow path between the pump and the first valve, particles in the processing liquid can be removed. In particular, since the filter device is provided at the subsequent stage of the pump, particles generated from the pump can be effectively removed.
[0022]
Preferably, a filter device is provided in a supply flow path between the pressure reducing means and the pump, and a filter device is provided in a supply flow path between the pressure reducing means and the first valve. Is desirable.
In particular, when a filter device is provided in the supply flow path between the pressure reducing means and the pump, the filtered processing liquid can be returned to the processing liquid tank via the pressure reducing means.
Further, when a filter device is provided in the supply flow path between the pressure reducing means and the first valve, the pressure acting on the pump is quickly reduced without being affected by the pressure loss of the filter device. And damage can be prevented.
Note that a filter device may be provided in a supply flow path between the pressure reducing means and the pump and in a supply flow path between the pressure reducing means and the first valve.
[0023]
Further, the pressure reducing means is two suck-back valves provided in a supply flow path between the first valve and the pump, and a filter device is provided between the two suck-back valves. Is desirable.
As described above, since the suck-back valves are provided before and after the filter device, the excessive load acting on the pump and the tube pipe is suppressed without being affected by the pressure loss of the filter device, and the damage and the like thereof are prevented. it can.
[0024]
In addition, it is preferable that a supply nozzle accommodating portion for accommodating a supply nozzle in a standby state and collecting waste liquid from the supply nozzle is provided outside the region above the substrate to be processed.
As described above, since the supply nozzle accommodating portion for collecting the waste liquid from the supply nozzle is provided, the first valve is stopped and the supply nozzle is moved to the supply nozzle accommodating portion after the processing liquid discharging operation is completed. This can prevent the inside of the apparatus from being contaminated by dripping. In particular, when the supply nozzle is accommodated in the supply nozzle accommodating section, the waste liquid (treatment liquid) in the supply nozzle section can be discharged by opening the first valve.
[0025]
In addition, a supply nozzle discharge control method of a film forming apparatus according to the present invention, which has been made to achieve the above-described object, is characterized in that a supply nozzle scans above a substrate to be processed, and discharges a processing liquid from the supply nozzle. A film forming apparatus for forming a liquid film on the surface of the substrate to be processed, a processing liquid tank for storing the processing liquid, a processing liquid from the processing liquid tank, and a processing liquid from the supply nozzle. A pump for discharging, a supply flow path for supplying the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle, and a supply flow path provided between the pump and the supply nozzle, for discharging the processing liquid from the supply nozzle. After the end, a valve for stopping the supply flow path, and a supply nozzle accommodating portion for accommodating a supply nozzle in a standby state outside the upper region of the substrate to be processed and collecting waste liquid from the supply nozzle are provided. Supply of film forming equipment In the nozzle discharge control method, while the processing liquid is being discharged from the supply nozzle, the valve is opened, and after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, the valve is stopped, and the supply nozzle is closed. After being stored in the supply nozzle storage section, the valve is opened again to discharge waste liquid from the supply nozzle.
[0026]
As described above, the valve is provided in the supply flow path between the pump and the supply nozzle, and after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, the valve stops, and the supply nozzle is housed in the supply nozzle housing portion. Thereafter, the valve is opened again, and the waste liquid is discharged from the supply nozzle.
Therefore, after the discharge of the processing liquid is completed, the supply flow path is stopped to prevent dripping from the supply nozzle. Further, since it is not necessary to continue the step of discharging the resist liquid until the dripping is completed, the throughput efficiency can be improved. Further, since the valve is opened again to discharge the waste liquid from the supply nozzle, a high pressure remaining in the tube pipe can be reduced, and an excessive load acting on the pump and the tube pipe can be suppressed. Can be prevented from being damaged.
[0027]
In addition, a supply nozzle discharge control method of a film forming apparatus according to the present invention, which has been made to achieve the above-described object, is characterized in that a supply nozzle scans above a substrate to be processed, and discharges a processing liquid from the supply nozzle. A film forming apparatus for forming a liquid film on the surface of the substrate to be processed, a processing liquid tank for storing the processing liquid, a supply flow path for feeding the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle, A pump that sends out the processing liquid from the processing liquid tank and discharges the processing liquid from the supply nozzle, and is provided in a supply flow path between the pump and the supply nozzle, and after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle is completed. A first valve for stopping the supply flow path, and pressure reducing means provided in the supply flow path between the first valve and the pump for reducing the pressure in the supply flow path. Supply nozzle discharge control method for membrane device After the discharge of the processing liquid from the supply nozzle is completed, the supply flow path is stopped by a first valve, and a pressure reducing means for reducing the pressure of the supply flow path is operated. After the pressure between the first valve and the supply nozzle becomes lower than the pressure between the first valve and the supply nozzle, the first valve is opened.
[0028]
Thus, the pressure reducing means for reducing the pressure in the supply flow path is operated, and after the pressure between the first valve and the pump becomes lower than the pressure between the first valve and the supply nozzle, the first pressure is reduced. , The residual pressure between the first valve and the supply nozzle can be reduced.
Therefore, dripping from the supply nozzle after the discharge of the processing liquid is completed can be prevented. Further, since it is not necessary to continue the step of discharging the resist liquid until the dripping is completed, the throughput efficiency can be improved. Further, the high pressure remaining in the tube pipe can be reduced, and an excessive load acting on the pump and the tube pipe can be suppressed, and breakage of these can be prevented.
[0029]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration in which a film forming apparatus according to the present invention is applied to a resist liquid applying apparatus for applying a resist liquid to a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) W as a substrate to be processed. Shows a plan view thereof. FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid. 4 is a perspective view showing a state in which a resist solution is applied to the wafer W, FIG. 5 is a cross-sectional view of the air operated valve shown in FIG. 3, and FIG. 6 is a diagram showing the control unit shown in FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a timing of a control signal sent to a pump.
[0030]
In FIGS. 1 and 2,
[0031]
The
[0032]
Further, the wafer suction table 22 is provided with a holding
[0033]
Furthermore, at four corners surrounding the wafer suction table 22 (wafer W) on the bottom surface of the
[0034]
In addition, the
[0035]
In FIG. 1, reference numeral 5 denotes a top plate with a temperature control function provided on the
[0036]
The top plate 5 is positioned so that the
[0037]
The
[0038]
Next, a resist liquid supply system in the
In FIG. 3,
[0039]
The mixing
The resist solution in the
A
[0040]
As shown in FIG. 3, a three-way joint 78 is provided on a
Further, the terminal end of the
[0041]
Next, the air operated
As shown in FIG. 5, the air operated
An
[0042]
The opening and closing of the air operated
[0043]
The control of the operation of the air operated
In FIG. 6, the discharge signal indicates a resist liquid discharge command state when the level is H, the resist liquid discharge stop command state when the level is L, and the pump signal indicates a pump operation command state of the
[0044]
According to the timing shown in FIG. 6, first, when the resist liquid discharge command is issued in the control unit C, the discharge signal in the control unit C changes from the level L state to the level H state, and at the same time, the operation of the air operated
Next, the pump signal, which is an operation control signal of the
Next, the
[0045]
Thereafter, after the necessary ejection to the wafer W is performed, the ejection signal in the control unit C changes from the level H state to the level L state, and then the pump signal, which is the operation control signal of the
As a result, the operation of the
[0046]
Here, the dripping is suppressed by closing the
In order to discharge the remaining resist solution in the
[0047]
As described above, since the
Further, since the resist liquid in the
[0048]
In the above embodiment, the three-way joint 78 and the air operated
[0049]
Further, in the above embodiment, a
With such a configuration, particles, bubbles, and the like included in the resist solution sent from the
[0050]
Next, a second embodiment of the film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid. FIG. 9 is an example of a timing of a control signal sent from the control unit shown in FIG. 8 to an air operated valve and a diaphragm pump. FIG. Note that other configurations of the film forming apparatus have the same configurations as those illustrated in FIGS. 1 and 2, and thus detailed description thereof will be omitted.
[0051]
As shown in FIG. 8, in this embodiment, the pressure sensor S1 is provided between the
Further, the pressure signals detected by the pressure sensors S1 and S2 are configured to be input to the control unit C.
[0052]
As described above, the control of the operation of the air operated
[0053]
In this embodiment, when the discharge signal is in the resist liquid discharge stop command state, the operation of the pump is stopped, the air operated
That is, the pressure in the
The pressure in the
When the pressure difference reaches a predetermined value, a control signal for opening the air operated
Thereafter, the pressure sensor S1 detects that the pressure in the
[0054]
As a result, a so-called dripping phenomenon in which the remaining resist solution is gradually discharged from the
[0055]
In the second embodiment, the pressure sensors S1 and S2 are used, but each may be a flow meter.
Due to the flow meter provided in the
Further, a flow meter may be provided in the
[0056]
Next, a third embodiment of the film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid. FIG. 11 is a timing chart of a control signal sent from the control unit shown in FIG. 10 to an air operated valve, a diaphragm pump, and the like. It is a figure showing an example. Note that other configurations of the film forming apparatus have the same configurations as those illustrated in FIGS. 1 and 2, and thus detailed description thereof will be omitted.
[0057]
As shown in FIG. 10, a three-
Further, the terminal end of the
[0058]
As described above, the control of the operation of the air operated
In FIG. 11, the discharge signal indicates a resist liquid discharge command state when the level is H, the resist liquid discharge stop command state when the level is L, and the pump signal indicates a pump operation command state and a level when the level is H. L indicates a pump operation stop command state, the air operation signal indicates a command state for opening the air operated
[0059]
According to the timing shown in FIG. 11, first, when the resist liquid discharge command is issued in the control unit C, the discharge signal in the control unit C changes from the level L state to the level H state, and at the same time, the operation control of the three-
Next, the pump signal, which is an operation control signal of the
[0060]
Thereafter, after the necessary ejection to the wafer W is performed, the ejection signal in the control unit C changes from the level H state to the level L state, and then the pump signal, which is the operation control signal of the
As a result, the operation of the
Further, the three-way valve signal, which is an operation control signal of the three-
[0061]
Here, by closing the
The resist liquid remaining on the
[0062]
In order to discharge the remaining resist solution in the
[0063]
As described above, according to the third embodiment, it is possible to prevent unnecessary dripping after the resist liquid discharging operation, and to collect the resist liquid remaining in the
Since the resist liquid does not enter the
[0064]
Next, a fourth embodiment of the film forming apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist solution as a processing solution. FIG. 13 is a schematic sectional view of a suck-back valve. FIG. 14 is a diagram showing a control unit shown in FIG. It is a figure showing an example of timing of a control signal sent to a valve, a diaphragm pump, etc. Note that other configurations of the film forming apparatus have the same configurations as those illustrated in FIGS. 1 and 2, and thus detailed description thereof will be omitted.
[0065]
As shown in FIG. 12, a
As shown in FIG. 13, the
[0066]
Further, as described above, the operation control of the air operated
In FIG. 14, the discharge signal indicates a resist liquid discharge command state when the level is H, the resist liquid discharge stop command state when the level is L, and a pump operation command state and a level when the level is H. L indicates a pump operation stop instruction state, the air operation signal indicates an instruction state for opening the valve of the air operated
[0067]
According to the timing shown in FIG. 14, first, when the resist liquid discharge command is issued in the control unit C, the discharge signal in the control unit C changes from the level L state to the level H state, and then the operation control of the
Next, the air operation signal as the operation control signal of the
[0068]
Thereafter, after the necessary ejection to the wafer W is performed, the ejection signal in the control unit C changes from the level H state to the level L state, and then the pump signal, which is the operation control signal of the
Then, the air operation signal as the operation control signal of the air operated
In addition, the suckback signal, which is the operation control signal of the
[0069]
Here, by closing the
In order to discharge the resist solution remaining in the
[0070]
As described above, according to the fourth embodiment, by providing the suck back
[0071]
As shown in FIG. 12, since the
[0072]
In the above embodiment, the case where one suck back valve is provided has been described. However, two suck back valves are provided in the supply flow path between the air operated
As described above, when the suck back valves are provided before and after the
In the above-described embodiment, a pressure sensor (not shown) may be provided in the
[0073]
In the above-described first to fourth embodiments, the case where the diaphragm pump is used as the pump has been described. Instead of the diaphragm pump, for example, a bellows pump or a rotary pump may be used, and the driving member is an air pump. The rod may be pressed by a motor or the like without being limited to the cylinder.
Further, instead of the air operated valve, a valve having a configuration in which a driving member presses a rod by a motor or the like may be employed.
[0074]
Further, in the first to fourth embodiments, the resist liquid is used as an example of the processing liquid. However, the present invention is not limited to this. For example, an interlayer insulating film material, a high conductive material, a low dielectric The present invention can be applied to materials, ferroelectric materials, wiring materials, organometallic materials, metal pastes such as silver paste, and the like. Further, although a semiconductor wafer has been described as an example of the substrate to be processed, the substrate is not limited to the semiconductor wafer, and may be an LCD substrate, an exposure mask, or the like.
Further, the
[0075]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, damage to the pump and the tube can be prevented. In addition, according to the present invention, the dripping phenomenon from the supply nozzle can be suppressed, and the throughput in the film forming process can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration in which a film forming apparatus according to the present invention is applied to a resist liquid applying apparatus for applying a resist liquid to a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) W as a substrate to be processed. It is.
FIG. 2 is a plan view of FIG. 1;
FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid.
FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a resist solution is applied to a wafer W;
FIG. 5 is a sectional view of the air operated valve shown in FIG. 3;
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of a timing of a control signal sent from the control unit illustrated in FIG. 3 to an air operated valve and a diaphragm pump.
FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example in which a filter device is arranged between a diaphragm pump and a three-way valve in the configuration shown in FIG. 3;
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid.
FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a timing of a control signal transmitted from the control unit illustrated in FIG. 8 to an air operated valve, a diaphragm pump, and the like.
FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid.
11 is a diagram illustrating an example of a timing of a control signal sent from the control unit illustrated in FIG. 10 to an air operated valve, a diaphragm pump, and the like.
FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a supply system of a resist liquid as a processing liquid.
FIG. 13 is a schematic sectional view of a suck back valve.
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a timing of a control signal transmitted from the control unit illustrated in FIG. 12 to an air operated valve, a diaphragm pump, and the like.
FIG. 15 is a side view showing an apparatus for applying a resist solution by a spin coating method.
FIG. 16 is a plan view showing a method of applying a resist liquid by a one-stroke writing method.
FIG. 17 is a schematic configuration diagram showing a conventional supply system of a resist solution as a processing solution.
[Explanation of symbols]
6 Supply nozzle
8 Diaphragm pump
9 Air operated valve
10 Air operated valve
67 Supply nozzle storage
75, 79, 120 filter device
76 Supply channel
77 Recovery channel
78 Three-way fitting
80 Three-way valve
100 Suck back valve
C control unit
W wafer
Claims (13)
前記処理液を貯蔵する処理液槽と、
前記処理液槽から前記供給ノズルまで処理液を送液する供給流路と、
前記処理液槽からの処理液を送出し、前記供給ノズルから処理液を吐出させるポンプと、
前記ポンプと供給ノズルの間の供給流路中に設けられ、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、前記供給流路を止弁する第一のバルブと、
前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた、該供給流路の圧力を減圧する減圧手段と
を含むことを特徴とする成膜装置。A supply nozzle scans above the substrate to be processed, and discharges a processing liquid from the supply nozzle to form a liquid film on the surface of the substrate to be processed.
A processing liquid tank for storing the processing liquid,
A supply flow path for sending the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle,
A pump that sends out the processing liquid from the processing liquid tank and discharges the processing liquid from the supply nozzle;
A first valve that is provided in a supply flow path between the pump and the supply nozzle and that stops the supply flow path after completion of discharge of the processing liquid from the supply nozzle,
A film forming apparatus, comprising: a pressure reducing means provided in a supply flow path between the first valve and the pump to reduce the pressure in the supply flow path.
前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に設けられた三方弁と、
前記三方弁に一端部が接続され、他端部が前記処理液槽に接続された回収流路とを備え、
前記三方弁が、前記供給ノズルからの前記処理液の吐出中、回収流路側を閉弁すると共に、処理液の吐出終了後、回収流路側を開弁することを特徴とする請求項1に記載された成膜装置。The decompression means,
A three-way valve provided in a supply flow path between the first valve and the pump,
A recovery flow path having one end connected to the three-way valve and the other end connected to the processing liquid tank;
2. The three-way valve according to claim 1, wherein the recovery flow path is closed during the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, and the recovery flow path is opened after the discharge of the processing liquid is completed. 3. Film forming equipment.
前記第一のバルブと前記ポンプの間の供給流路中に一端部が接続され、他端部が前記処理液槽に接続された回収流路と、
前記回収流路中に設けられた第二のバルブとを備え、
前記第二のバルブが、前記供給ノズルからの前記処理液の吐出中、閉弁すると共に、処理液の吐出終了後、開弁することを特徴とする請求項1に記載された成膜装置。The decompression means,
One end is connected in a supply flow path between the first valve and the pump, and a recovery flow path is connected to the other end of the processing liquid tank,
A second valve provided in the recovery flow path,
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the second valve closes during the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, and opens after the discharge of the processing liquid is completed. 3.
前記第一のバルブと前記ポンプ間あるいは前記回収流路に設けられた、圧力センサあるいは流量計からなる第二の検出手段とを備え、
前記第一の検出手段と前記第二の検出手段の検出結果に基づいて、前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後に前記供給流路を止弁した第一のバルブを開弁すること特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された成膜装置。Provided between the first valve and the supply nozzle, first detection means consisting of a pressure sensor or a flow meter,
Provided between the first valve and the pump or in the recovery channel, a second detection means comprising a pressure sensor or a flow meter,
Based on the detection results of the first detection unit and the second detection unit, after the end of the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, opening the first valve that stopped the supply flow path, The film forming apparatus according to claim 1.
前記第一の検出手段と前記第二の検出手段によって検出される圧力差が所定値に到達した際、
前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後に前記供給流路を止弁した第一のバルブを開弁すること特徴とする請求項4に記載された成膜装置。The first and second detection means are pressure sensors,
When the pressure difference detected by the first detection means and the second detection means reaches a predetermined value,
The film forming apparatus according to claim 4, wherein a first valve that stops the supply flow path is opened after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle is completed.
前記供給ノズルから処理液を吐出している間は、前記バルブが開弁し、
前記供給ノズルからの処理液吐出終了後、前記バルブが止弁して、
前記供給ノズルを前記供給ノズル収容部に収容後、前記バルブを再び開弁して、前記供給ノズルから廃液を排出する
ことを特徴とする成膜装置の供給ノズル吐出制御方法。A supply nozzle that scans above a substrate to be processed and discharges a processing liquid from the supply nozzle to form a liquid film on a surface of the substrate to be processed; A liquid tank, a pump that sends out the processing liquid from the processing liquid tank and discharges the processing liquid from the supply nozzle, a supply flow path that sends the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle, and the pump A valve provided in the supply flow path between the supply nozzle and the supply nozzle to stop the supply flow path after the end of the discharge of the processing liquid from the supply nozzle; and a standby state outside the upper region of the substrate to be processed. A supply nozzle discharge control method for a film forming apparatus including a supply nozzle, and a supply nozzle storage unit for collecting waste liquid from the supply nozzle.
While discharging the processing liquid from the supply nozzle, the valve is opened,
After the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, the valve stops,
After supplying the supply nozzle to the supply nozzle storage section, the valve is opened again to discharge a waste liquid from the supply nozzle.
前記供給ノズルからの処理液の吐出終了後、第一のバルブによって前記供給流路を止弁し、
供給流路の圧力を減圧する減圧手段を動作させ、
前記第一のバルブとポンプ間の圧力が、第一のバルブと供給ノズル間の圧力より低くなった後、
前記第一のバルブを開弁すること特徴とする成膜装置の供給ノズル吐出制御方法。A processing liquid tank that stores the processing liquid in a film forming apparatus that forms a liquid film on the surface of the processing target substrate by scanning a supply nozzle above the processing target substrate and discharging the processing liquid from the supply nozzle. A supply flow path for sending the processing liquid from the processing liquid tank to the supply nozzle, a pump for sending the processing liquid from the processing liquid tank, and discharging the processing liquid from the supply nozzle, A first valve that is provided in a supply flow path between the nozzles and that stops the supply flow path after the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, and a supply between the first valve and the pump. A supply nozzle discharge control method for a film forming apparatus, comprising:
After completion of the discharge of the processing liquid from the supply nozzle, the supply flow path is stopped by a first valve,
Operate pressure reducing means for reducing the pressure of the supply flow path,
After the pressure between the first valve and the pump is lower than the pressure between the first valve and the supply nozzle,
A supply nozzle discharge control method for a film forming apparatus, wherein the first valve is opened.
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