KR20130127894A - 웨이퍼 처리 챔버 램프 모듈들에 대한 실시간 교정 - Google Patents
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Abstract
장치, 시스템 및 방법이 개시된다. 예시적인 장치는 웨이퍼 처리 챔버를 포함한다. 장치는 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼의 상이한 부분들을 가열하도록 동작가능하고 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들을 더 포함한다. 장치는 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능하고 웨이퍼 처리 챔버 외부에 배치된 센서들을 더 포함한다. 장치는 센서들을 활용하여 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들에 대한 교정을 제공하여 웨이퍼의 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일이 유지되도록 구성된 컴퓨터를 더 포함한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 처리 챔버 램프 모듈들에 대한 실시간 교정에 관한 것이다.
몇몇 반도체 제조 공정들에서, 집적 회로를 제조하기 위한 웨이퍼들을 처리하기 위해 웨이퍼 처리 챔버들 또는 반응기들이 이용된다. 제조 공정 동안, 웨이퍼는 웨이퍼 홀더(또는 서셉터(susceptor))상에 배치된다. 웨이퍼가 웨이퍼 홀더상에 배치된 후, 웨이퍼는 고온 공정이 램프 모듈들을 이용하여 수행되는 처리 챔버 또는 반응기에 배치된다. 웨이퍼에 대한 웨이퍼 처리가 수행될 수 있도록 웨이퍼 홀더와 웨이퍼를 가열시키기 위해 램프 모듈들은 웨이퍼 홀더 위와 아래의 상이한 영역들에서 위치될 수 있다.
예를 들어, 웨이퍼 상에서 막 층들을 증착시키거나 또는 에피택셜방식(epi)으로 성장시키기 위해 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD)과 같은 웨이퍼 처리가 램프 모듈들을 이용하여 수행될 수 있다. CVD 공정이 수행될 때, 웨이퍼 상에 증착된 막의 양은 웨이퍼의 온도 프로파일의 함수로서 변할 수 있다. 웨이퍼에 걸친 온도 프로파일은 다양한 이유들로 인해 균일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 온도 프로파일은 웨이퍼에 걸쳐 균일하지 않을 수 있는데, 그 이유는 다양한 램프 모듈의 전력 출력이 시간이 흐름에 따라 저하될 수 있고, 이로써 웨이퍼의 다양한 영역들간에 온도 차이들을 야기시키기 때문이다. 이에 따라, 불균등한 온도 프로파일은 웨이퍼로부터 제조된 집적 회로의 성능에 극도로 악영향을 미치는 불균등한/가변적인 막 두께 및 균일성을 초래시킨다. 온도 프로파일 균일성은 또한 급속 열처리(rapid thermal processing; RTP), 어닐링, 도핑, 에칭, 및 다른 공정과 같은 다른 웨이퍼 처리에 중요할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼 처리 동안에 웨이퍼 온도를 보다 균일하게 제어하는 개선된 방법 및 디바이스에 대한 필요성이 존재한다.
따라서, 장치가 제공된다. 예시적인 장치는 웨이퍼 처리 챔버를 포함한다. 장치는 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼의 상이한 부분들을 가열하도록 동작가능하고 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들을 더 포함한다. 장치는 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능하고 웨이퍼 처리 챔버 외부에 배치된 센서들을 더 포함한다. 장치는 센서들을 활용하여 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 상이한 구역들에 배치된 방열 엘리먼트들에 대한 교정을 제공하여 웨이퍼의 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일이 유지되도록 구성된 컴퓨터를 더 포함한다.
몇몇의 실시예들에서, 방열 엘리먼트들의 상이한 구역들은 네 개의 상이한 구역들이며, 센서들은 방열 엘리먼트들의 네 개의 상이한 구역들에 대응하는 네 개의 상이한 구역들에 배치된다. 다양한 실시예들에서, 방열 엘리먼트들은, 제1 구역에서 웨이퍼 위에 배치되고 웨이퍼의 내측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제1 방열 엘리먼트들; 제2 구역에서 웨이퍼 위에 배치되고 웨이퍼의 외측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제2 방열 엘리먼트들; 제3 구역에서 웨이퍼 아래에 배치되고 웨이퍼의 내측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제3 방열 엘리먼트들; 및 제4 구역에서 웨이퍼 아래에 배치되고 웨이퍼의 외측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제4 방열 엘리먼트들을 포함한다. 추가적인 실시예들에서, 센서들은, 복수의 제1 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제1 센서들; 복수의 제2 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제2 센서들; 복수의 제3 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제3 센서들; 및 복수의 제4 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제4 센서들을 포함한다. 어떠한 실시예들에서, 복수의 제2 센서들은 복수의 제1 센서들을 둘러싸며, 복수의 제4 센서들은 복수의 제3 센서들을 둘러싼다. 몇몇의 실시예들에서, 복수의 제1 센서들과 복수의 제2 센서들은 복수의 제1 방열 엘리먼트들과 복수의 제2 방열 엘리먼트들로부터 약 30cm 미만의 제1 거리를 두고 위치하며, 복수의 제3 센서들과 복수의 제4 센서들은 복수의 제3 방열 엘리먼트들과 복수의 제4 방열 엘리먼트들로부터 약 30cm 미만의 제2 거리를 두고 위치한다. 다양한 실시예들에서, 방열 엘리먼트들은 할로겐 램프이다. 어떠한 실시예들에서, 센서들은 열전대이다.
또한 웨이퍼 처리 시스템이 제공된다. 예시적인 웨이퍼 처리 시스템은 웨이퍼 처리 챔버, 복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들, 및 복수의 상단부 및 바닥부 센서들을 포함한다. 시스템은 웨이퍼 처리 챔버에 결합되고 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼에 대해 적어도 웨이퍼 처리 공정을 수행하도록 동작가능한 적어도 하나의 시스템을 더 포함한다. 시스템은 적어도 하나의 시스템에 의해 수행된 웨이퍼 처리 공정 동안에 복수의 상단부 및 바닥부 센서들에 의해 산출된 측정치들을 활용함으로써 복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들을 특성분석하고, 특성분석에 기초하여 복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들에 대한 교정을 제공하도록 동작가능한 교정 모듈을 포함한다.
몇몇의 실시예들에서, 복수의 상단부 방열 엘리먼트들은 상단부 중앙 구역과 상단부 가장자리 구역에 배치되고; 복수의 바닥부 방열 엘리먼트들은 바닥부 중앙 구역과 바닥부 가장자리 구역에 배치된다. 다양한 실시예들에서, 복수의 상단부 센서들은 상단부 중앙 구역과 상단부 가장자리 구역에 배치되고, 복수의 바닥부 센서들은 바닥부 중앙 구역과 바닥부 가장자리 구역에 배치된다. 어떠한 실시예들에서, 상단부 가장자리 구역에 배치된 복수의 상단부 방열 엘리먼트들은 상단부 중앙 구역에 배치된 복수의 상단부 방열 엘리먼트들을 둘러싸고, 바닥부 가장자리 구역에 배치된 복수의 바닥부 방열 엘리먼트들은 바닥부 중앙 구역에 배치된 복수의 바닥부 방열 엘리먼트들을 둘러싼다. 몇몇의 실시예들에서, 상단부 중앙 구역에 배치된 복수의 상단부 센서들은 상단부 중앙 구역에서의 온도를 측정하도록 동작가능하고, 상단부 가장자리 구역에 배치된 복수의 상단부 센서들은 상단부 가장자리 구역에서의 온도를 측정하도록 동작가능하고, 바닥부 중앙 구역에 배치된 복수의 바닥부 센서들은 바닥부 중앙 구역에서의 온도를 측정하도록 동작가능하며, 바닥부 가장자리 구역에 배치된 복수의 바닥부 센서들은 바닥부 가장자리 구역에서의 온도를 측정하도록 동작가능하다.
또한 방법이 제공된다. 예시적인 방법은 웨이퍼 처리 챔버를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은 웨이퍼 처리 챔버 외부의 상이한 구역들에 배치되고 웨이퍼 처리 공정 동안에 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 생산 웨이퍼의 상이한 부분들을 가열하도록 동작가능한 복수의 방열 엘리먼트들을 제공하는 단계를 더 포함한다. 방법은 웨이퍼 처리 챔버 외부의 상이한 구역들에 배치되고 웨이퍼 처리 공정 동안에 방열 엘리먼트들의 의해 발생된 열을 모니터링하도록 동작가능한 복수의 센서들을 제공하는 단계를 더 포함한다. 방법은 방열 엘리먼트들의 응답 변동을 특성분석하여 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 생산 웨이퍼의 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 유지하는 실시간 교정 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.
몇몇의 실시예들에서, 방법은 실시간 교정 공정을 수행하기 전에, 초기에 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 테스트 웨이퍼의 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 달성하기 위한 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계를 더 포함한다.
몇몇 실시예들에서, 실시간 교정 공정을 수행하는 단계는, 웨이퍼 처리 공정 동안에 복수의 방열 엘리먼트들에 의해 발생된 열을 모니터링하기 위해 복수의 센서들을 이용하는 단계; 복수의 방열 엘리먼트들을 특성분석하는 단계로서, 상기 특성분석은 시간의 흐름에 따른 복수의 방열 엘리먼트들의 응답 변동을 결정하는 것을 포함한 것인, 상기 특성분석 단계; 및 복수의 방열 엘리먼트들의 특성분석에 기초하여 실시간 교정을 제공하는 단계를 포함한다. 다양한 실시예들에서, 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계는, 테스트 웨이퍼 처리 공정 동안에 복수의 방열 엘리먼트들에 의해 발생된 열을 모니터링하기 위해 복수의 센서들을 이용하는 단계; 복수의 방열 엘리먼트들을 특성분석하는 단계로서, 상기 특성분석은 복수의 방열 엘리먼트들의 초기 응답을 결정하는 것을 포함한 것인, 상기 특성분석 단계; 및 복수의 방열 엘리먼트들의 특성분석에 기초하여 기초적 교정을 제공하는 단계를 포함한다. 어떠한 실시예들에서, 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계는 상이한 구역들에 배치된 복수의 방열 엘리먼트들에 제공된 전력에 영향을 미치는 기초적 교정을 제공하는 단계를 포함하며, 실시간 교정 공정을 수행하는 단계는 웨이퍼 처리 챔버를 오프라인 상태로 취하지 않고서 상이한 구역들에 배치된 복수의 방열 엘리먼트들에 제공된 전력에 영향을 미치는 기초적 교정을 수정하는 단계를 포함한다. 추가적인 실시예들에서, 기초적 교정은 상이한 구역들의 각각의 구역에 대한 퍼센티지 전력 비율로서 표현된 기초적 교정 파라미터 값들을 포함한다. 몇몇의 실시예들에서, 웨이퍼 처리 공정은 화학적 기상 증착(CVD), 급속 열 처리(RTP), 어닐링, 및 에칭으로 구성된 그룹으로부터 선택된 공정을 포함한다.
개시된 방법 및 웨이퍼 처리 장치는 계측 툴 로딩의 감소 및 온라인 실시간 교정을 가능하게 해줌으로써 시간 당 웨이퍼(처리량)를 증가시키고, 디바이스 성능을 극도로 향상시키는 생산 퀄리티 및 균일성을 향상시키고, 비용을 감소시킨다.
본 발명개시는 첨부 도면들과 함께 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 최상으로 이해된다. 본 산업계에서의 표준적인 실시에 따라, 다양한 피처(feature)들은 실척도로 작도되지 않았으며 단지 설명을 목적으로 이용된다는 점을 강조해둔다. 실제로, 다양한 피처들의 치수는 설명의 명료함을 위해 임의적으로 증가되거나 또는 감소될 수 있다.
도 1은 웨이퍼 처리 장치 램프 모듈들의 교정을 위한 방법을 도시한다.
도 2는 본 발명개시의 다양한 양태들에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일 실시예의 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명개시의 다양한 양태들에 따른, 동작 동안의, 도 2의 웨이퍼 처리 장치의 일 실시예의 단면도를 도시한다.
도 1은 웨이퍼 처리 장치 램프 모듈들의 교정을 위한 방법을 도시한다.
도 2는 본 발명개시의 다양한 양태들에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일 실시예의 단면도를 도시한다.
도 3은 본 발명개시의 다양한 양태들에 따른, 동작 동안의, 도 2의 웨이퍼 처리 장치의 일 실시예의 단면도를 도시한다.
아래의 발명개시는 본 발명의 여러 특징들을 구현하는 많은 여러 실시예들 또는 예시들을 제공한다. 본 발명개시를 단순화하기 위해 컴포넌트 및 장치의 특정예들이 아래에서 설명된다. 물론, 이것들은 단지 예시들에 불과하며, 한정적인 것으로 의도된 것은 아니다. 예를 들어, 이후의 상세설명에서 제2 피처상의 또는 그 위의 제1 피처의 형성은 제1 및 제2 피처들이 직접적으로 접촉하여 형성되는 실시예를 포함할 수 있으며, 또한 제1 및 제2 피처들이 직접적으로 접촉하지 않을 수 있도록 추가적인 피처들이 제1 및 제2 피처들 사이에서 형성될 수 있는 실시예를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명개시는 다양한 예시들에서 참조 부호들 및/또는 문자들을 반복할 수 있다. 이러한 반복은 간략화 및 명료화를 위한 것이지, 그러한 반복 그 자체가 개시된 다양한 실시예들 및/또는 구성 사이의 관계를 설명하는 것은 아니다. 또한, 여기서 개시된 컴포넌트들은 본 개시내용의 범위로부터 이탈하지 않고서 여기서 도시된 예시적인 실시예들로부터 상이한 방법들로 배열되고, 결합되거나, 또는 구성될 수 있다. 비록 여기서는 명시적으로 설명되고 있지는 않지만, 본 업계의 당업자는 본 발명의 원리들을 구현하는 다양한 등가물들을 고안할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
오늘날의 반도체 제조는 고온 웨이퍼 처리를 수행하기 위해 처리 챔버 또는 반응기를 활용할 수 있다. 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 급속 열처리(rapid thermal processing; RTP), 어닐링, 도핑, 에칭, 및 다른 공정들과 같은 웨이퍼 처리는 웨이퍼의 표면들(윗면 및 바닥면)에 걸쳐 균일하거나 또는 균등한 온도 프로파일들을 갖는 것에 의존한다. 예를 들어, 다양한 실시예들에서, 균일한 온도 프로파일들을 제공하기 위해, 새로운 방열(radiant heating) 엘리먼트들을 수용하거나 또는 방열 엘리먼트들에 대한 예방 정비를 수행한 후, 방열 엘리먼트들의 교정이 제공된다. 램프 모듈들의 교정을 제공하는 것은 테스트 웨이퍼 상에서 물질층을 에피택셜방식(epi)으로 성장시키기 위해 웨이퍼 처리 테스트 (더미) 런들을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 테스트 웨이퍼 상에서 epi 성장된 물질의 양은 성장 공정 동안의 온도의 함수이며 이에 따라 테스트 웨이퍼에 걸친 온도 프로파일에서의 변동에 따라 변할 것이기 때문에, 물질층이 에피 성장된 후, 램프 모듈 전력이 조정될 필요가 있는 영역들을 식별하기 위해 오프라인 모니터링이 수행되고 이로써 테스트 웨이퍼에 걸친 온도 프로파일은 보다 균일해진다. 오프라인 모니터링은 램프 모듈 전력이 조정될 필요가 있는 영역들을 식별하기 위해 계측 툴들로 테스트 웨이퍼 표면에 걸친 물질층 두께를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 이러한 영역들이 식별되면, 테스트 웨이퍼에 걸쳐 온도 균일성이 존재하도록 램프 모듈들에 대한 전력은 조정된다. 테스트 웨이퍼에 걸쳐 비교적 균일한 온도 프로파일이 존재한다라고 결정될 때 까지 이러한 단계들은 필요에 따라 반복될 수 있다(보통 2~5회 싸이클).
램프 모듈들에 대한 전력을 조정한 후, 교정되거나 또는 조정된 램프 모듈들과 함께 처리 챔버를 이용하여 생산이 진행될 수 있다. 하지만, 생산 동안, 램프 모듈 응답 또는 가열 효율성은 시간이 지남에 따라 저하되거나 또는 감쇠될 수 있고, 이에 따라 웨이퍼에 걸친 온도 프로파일의 변동을 야기시킨다. 이것은 제조 도전과제를 불러일으킨다.
본 개시내용의 다양한 양태들에 따르면, 처리 챔버 램프 모듈들에 대한 교정이 개시된다. 개시된 교정 방법 및 장치는 웨이퍼에 걸쳐 일정하거나 또는 균일한 온도 프로파일들을 유지하도록 해준다. 예를 들어, 개시된 교정 방법 및 장치는 초기에 램프 모듈들을 특성분석하고 그 후 처리 챔버를 오프라인으로 취해야 하는 것 없이, 구역별로 램프 모듈들에 대한 전력을 증가시킴으로써 효율성 감쇠를 보정하는 것을 가능하게 해준다. 이것은 실제 웨이퍼 처리가 발생하는 중에 보정하거나 또는 유휴 기간들(예컨대, 런 투 런(run-to-run)) 동안에 보정함으로써 제공될 수 있다. 이러한 교정 방법 및 장치의 다양한 양태들이 아래에서 보다 자세하게 개시된다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 처리 장치 램프 모듈들의 교정을 위한 방법(100)이 제공된다. 방법(100)은 웨이퍼 처리 챔버, 상이한 구역들에서 배치되며 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼의 상이한 표면 영역들을 가열하도록 구성된 방열 엘리먼트들, 및 상이한 구역들 각각에 대한 방열 엘리먼트들로부터 방사된 열을 모니터링하도록 구성된 센서들이 제공되는 블록(102)으로 시작을 한다. 본 방법은 방열 엘리먼트들의 초기 기초적 교정이 수행되어 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 이로써 웨이퍼에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 달성하는 블록(104)로 이어진다. 본 방법은 방열 엘리먼트들의 실시간 교정이 수행되어 방열 엘리먼트들의 성능 변동을 보정하고 이로써 웨이퍼에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 유지하는 블록(106)로 이어진다. 어떠한 실시예들에서, 이러한 교정은, 다수의 웨이퍼 처리 챔버들에 걸쳐 균일한 온도 프로파일들을 제공하기 위해, 다른 웨이퍼 처리 챔버 온도 프로파일들을 고려할 수 있다. 웨이퍼에 걸친 온도 프로파일이 균일하게 남아있도록 보장하기 위해 방법(100)의 단계들은 필요에 따라 반복될 수 있다. 가열 공정은 화학적 기상 증착(CVD), 급속 열처리(RTP), 어닐링, 에칭, 도핑과 같은 공정, 또는 임의의 다른 적절한 웨이퍼 제조 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 추가적인 단계들이 방법(100) 이전에, 그 도중에, 및 그 이후에 제공될 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명개시의 다양한 양태들에 따른 웨이퍼 처리 장치(200)의 일 실시예의 단면도가 도시된다. 웨이퍼 처리 장치(200)는 처리 챔버(210)를 포함하며, 이 처리 챔버(210) 내에서 웨이퍼(212)가 처리된다. 처리 챔버(210)는 수정 또는 임의의 적절한 물질을 포함할 수 있다. 웨이퍼(212)는 결정질 구조의 실리콘 또는 게르마늄; 실리콘 게르마늄, 실리콘 카바이드, 갈륨 비소, 갈륨 인, 인듐 인, 인듐 비소, 및/또는 인듐 안티몬과 같은 화합물 반도체; 이들의 조합과 같은 기초적인 반도체 물질을 포함할 수 있거나, 또는 임의의 적절한 물질을 포함할 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 웨이퍼(212)의 중앙 구역에 대한 가열을 제공하기 위해 중앙부를 중심으로(즉, 중앙선(CL)을 중심으로) 균일하게 형성된 상태로 웨이퍼(212) 위에 위치한 상단부 중앙 구역(214)의 방열 엘리먼트들(이것은 램프 모듈들로서 칭해질 수 있음)을 더 포함한다. 웨이퍼 처리 장치(200)는 웨이퍼(212)의 가장자리 구역에 대한 가열을 제공하기 위해 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들을 둘러싸면서 웨이퍼(212) 위에 위치한 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들을 더 포함한다. 상단부 중앙 구역(214)과 상단부 가장자리 구역(216)은 설계 요건들에 따라 임의의 갯수의 램프 모듈들을 포함할 수 있다. 램프 모듈들은 예컨대, 할로겐 램프이거나 또는 임의의 적절한 방열 엘리먼트들일 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 웨이퍼(212)의 중앙 구역에 대한 가열을 제공하기 위해 중앙부를 중심으로(즉, 중앙선(CL)을 중심으로) 균일하게 형성된 상태로 웨이퍼(212) 아래에 위치한 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들을 더 포함한다. 웨이퍼 처리 장치(200)는 웨이퍼(212)의 가장자리 구역에 대한 가열을 제공하기 위해 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들을 둘러싸면서 웨이퍼(212) 아래에 위치한 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들을 더 포함한다. 바닥부 중앙 구역(218)과 바닥부 가장자리 구역(220)은 설계 요건들에 따라 임의의 갯수의 램프 모듈들을 포함할 수 있다. 램프 모듈들은 예컨대, 할로겐 램프이거나 또는 임의의 적절한 방열 엘리먼트들일 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 상단부 중앙 센서들(222)과 상단부 가장자리 센서들(224)을 더 포함한다. 상단부 중앙 센서들(222)과 상단부 가장자리 센서들(224)은 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들과 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들로부터 발생된 에너지 또는 온도를 감지 또는 측정하도록 동작가능한 센서들이다. 상단부 중앙 센서들(222)과 상단부 가장자리 센서들(224)은 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들과 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈로부터 임의의 적절한 거리(D1)로 떨어져 위치해 있는 임의의 갯수의 센서들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 상단부 중앙 센서들(222)과 상단부 가장자리 센서들(224)은 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들과 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈로부터 약 40cm 미만의 거리(D1)를 두고 챔버(210) 외부에 위치한다. 상단부 중앙 센서들(222)과 상단부 가장자리 센서들(224)은 웨이퍼(212)에 의해 유도된 일시적 온도 변동들을 회피하도록 챔버(210) 외부에 위치한다. 센서들은 예컨대, 열전대(thermocouple)이거나 또는 임의의 적절한 감지 엘리먼트들일 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 바닥부 중앙 센서들(226)과 바닥부 가장자리 센서들(228)을 더 포함한다. 바닥부 중앙 센서들(226)과 바닥부 가장자리 센서들(228)은 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들과 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들로부터 발생된 에너지 또는 온도를 감지 또는 측정하도록 동작가능한 센서들이다. 바닥부 중앙 센서들(226)과 바닥부 가장자리 센서들(228)은 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들과 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들로부터 임의의 적절한 거리(D2)로 떨어져 위치해 있는 임의의 갯수의 센서들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 바닥부 중앙 센서들(226)과 바닥부 가장자리 센서들(228)은 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들과 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들로부터 약 40cm 미만의 거리(D2)를 두고 챔버(210) 외부에 위치한다. 바닥부 중앙 센서들(226)과 바닥부 가장자리 센서들(228)은 웨이퍼(212)에 의해 유도된 일시적 온도 변동들을 회피하도록 챔버(210) 외부에 위치한다. 센서들은 예컨대, 열전대이거나 또는 임의의 적절한 감지 엘리먼트들일 수 있다.
웨이퍼 처리 장치(200)는 설계 요건들에 따라 가스 전달 메커니즘, 압력 제어 메커니즘, 통풍구, 및 임의의 다른 적절한 구조물들 및 메커니즘들을 더 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 동작 중에, 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들, 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들, 및 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들을 이용하여 웨이퍼(212)를 방사열(230)에 노출시켜서 웨이퍼(212)를 가열시키는 웨이퍼 처리 공정이 활용될 수 있다. 도시된 바와 같이, 각각의 구역으로부터의 방사열(230)은 인접한 구역들로부터의 방사열과 상호작용을 하고 이로써 웨이퍼(212)에 걸친 온도 프로파일에 복합적 효과를 미친다. 더 나아가, 상단부 구역들(즉, 214, 216)로부터의 방사열(230)은 웨이퍼(212)의 윗면을 가열하며, 또한 웨이퍼(212)의 반대쪽 바닥면에도 영향을 미친다. 따라서, 웨이퍼(212)에 걸친 온도 프로파일은 인접한 구역과 반대쪽 구역 사이의 방사열(230) 상호작용에 의해 영향을 받는다.
상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들, 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들, 및 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들이 웨이퍼(212)에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 발생시키도록 기능하는 것을 보장하기 위해, 각 구역에서의 램프 모듈들은 초기에 특성분석되고 기초적 교정이 행해진다. 예시로서, 초기 특성분석은 테스트(또는 더미) 웨이퍼에 대한 웨이퍼 처리 공정(예컨대, CVD, 어닐링 등...)을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 테스트 웨이퍼가 처리되고 있을 때, 각각의 구역에서의 센서들(224)은 각각의 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들로부터 방사된 온도를 모니터링한다. 센서들(224)의 모니터링된 온도에 기초하여, 각각의 구역에서의 램프 모듈들은 특성분석되고 기초적 교정이 개발된다. 기초적 교정은 임의의 적절한 형태를 취할 수 있다.
각각의 구역의 램프 모듈들에 대한 교정은 각 구역의 램프 모듈들에 대한 상대적인 전력 퍼센티지를 나타내는 표의 형태를 취할 수 있다. 예시로서, 기초적 교정을 위한 초기 특성분석 동안에, 웨이퍼(212)에 걸쳐 X℃의 타겟 온도에서 균일한 온도 프로파일을 생성하기 위해, 상단부 중앙 구역(214)의 램프 모듈들은 지시받은 전체 전력의 10.5%를 필요로 하고, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들은 지시받은 전체 전력의 59.5%를 필요로 하고, 바닥부 중앙 구역(218)의 램프 모듈들은 지시받은 전체 전력의 12.0%를 필요로 하며, 바닥부 가장자리 구역(220)의 램프 모듈들은 지시받은 전체 전력의 18.0%를 필요로 하는 것이 관찰될 수 있다. 지시받은 전체 전력은 웨이퍼 처리(예컨대, CVD, RTP, 어닐링 등...)가 수행될 때 활용되는 타겟 온도 X의 함수이다. 기초적 교정은 개별적인 교정 포맷으로, 표 포맷(이차원 또는 삼차원 표)으로, 또는 임의의 적절한 포맷으로 제공될 수 있다. 예시에서, 개별적인 교정 포맷은 구역별 교정 파라미터(예컨대, Center_Top = 10.5%, Edge_Top = 59.5%, Center_Bottom = 12.0%, 및 Edge_Bottom = 18.0%)를 제공하는 것을 포함할 수 있다. 또 다른 예시에서, 표 포맷은 아래의 [표 1]에서 나타난 교정 표를 포함할 수 있다.
[표 1], 지시받은 전체 전력의 구역별 퍼센티지
또 다른 예시로서, 표 포맷은 아래의 [표 2]에서 나타난 교정 표를 포함할 수 있다.
[표 2], 지시받은 전체 전력의 구역별 퍼센티지 전력비
예컨대, [표 2]의 실시예에서, 상단부 대 바닥부 비율은 지시받은 전체 전력의 상단부 대 바닥부 비율이다. 다시 말하면, [표 2]의 실시예에서, 상단부 구역들(예컨대, 상단부 중앙 및 상단부 가장자리)은 지시받은 전체 전력의 70%를 수신하고, 바닥부 구역들(예컨대, 바닥부 중앙 및 바닥부 가장자리)은 나머지 30%를 수신한다. 상단부 중앙 대 가장자리 비율은 지시받은 전체 전력의 70%의 상단부 중앙 대 상단부 가장자리 비율이다. 다시 말하면, [표 2]의 실시예에서, 상단부 중앙 구역은 지시받은 전체 전력의 70%의 15%(즉, 10.5%)를 수신하고, 상단부 가장자리 구역은 지시받은 전체 전력의 70%의 85%(즉, 59.5%)를 수신한다. 바닥부 중앙 대 가장자리 비율은 지시받은 전체 전력의 30%의 바닥부 중앙 대 바닥부 가장자리 비율이다. 다시 말하면, [표 2]의 실시예에서, 바닥부 중앙 구역은 지시받은 전체 전력의 30%의 40%(즉, 12%)를 수신하고, 바닥부 가장자리 구역은 지시받은 전체 전력의 30%의 60%(즉, 18%)를 수신한다.
본 실시예에서는 기초적 교정 파라미터들이 지시받은 전체 전력의 퍼센티지 또는 비율의 형태로서 표현되지만, 교정 파라미터들은 임의의 적절한 형태 또는 단위로 존재할 수 있다는 것이 이해된다. 예컨대, 다양한 구역들간의 비선형 시스템 응답 및/또는 상호작용이 상이한 교정 파라미터 값들을 필요로 할 수 있는 3D 표 표현이 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 교정 파라미터 값들은 2000와트의 지시받은 전체 전력에서 균일한 온도 프로파일을 생성할 수 있지만, 상이한 구역들간의 비선형 시스템 응답 또는 상이한 상호작용들로 인해 상기 교정 파라미터 값들은 1000와트의 지시받은 전체 전력에서 균일한 온도 프로파일을 생성하지 않을 수 있다.
각각의 상이한 구역(214, 216, 218, 220)에서의 램프 모듈들이 초기에 특성분석되고 기초적 교정이 제공된 후, 웨이퍼 처리 장치(200)는 생산을 위해 릴리즈될 수 있다. 생산 동안에는, 시간이 흘러감에 따라, 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들의 응답은 변동될 수 있다. 예를 들어, 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들의 응답 변동은 램프 효율성 감쇠로부터 초래될 수 있다. 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들의 응답 변동은 극단적으로는 비균일한 온도 프로파일을 초래시킬 것이며 이로써 체크되지 않은 상태로 남겨두면 제조 공정에 악영향을 미칠 것이다.
상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들의 응답 변동을 해결하기 위해 램프 모듈들의 실시간 교정이 수행되어 램프 모듈들의 응답 변동을 보정하고 이로써 웨이퍼(212)에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 유지한다. 실시간 교정은 웨이퍼 처리 장치(200)가 온라인 상태에 있는 동안에 수행될 수 있다. 예를 들어, 가열 공정을 포함하는 웨이퍼 처리(예컨대, CVD, RTP, 어닐링 등...)가 상이한 구역들(214, 216, 218, 220) 각각의 램프 모듈들에 의해 수행되고 있는 동안, 센서들(222, 224, 226, 228)은 상이한 구역들 각각의 램프 모듈들 각각으로부터의 방사열(230) 온도를 각각 모니터링한다. 모니터링된 온도에 기초하여, 상이한 구역들(214, 216, 218, 220) 각각의 램프 모듈들의 응답 변동이 결정된다. 결정된 응답 변동에 기초하여, 상이한 구역들(214, 216, 218, 220) 각각의 램프 모듈들은 실시간으로 교정되어 결정된 응답 변동을 보정하고, 이로써 웨이퍼(212)에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 유지한다. 각각의 상이한 구역(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들을 실시간으로 교정하는 것은 기초적 교정 파라미터 값들을 수정하는 것 또는 기초적 교정 파라미터 값들을 오프셋(offset)하는데 이용된 오프셋을 제공하는 것을 포함할 수 있다. 오프셋은 기초적 교정 파라미터 값들에 추가되는 상수값들의 형태, 기초적 교정 파라미터 값들을 비율화하는데 이용되는 배율값들의 형태, 또는 임의의 적절한 형태를 취할 수 있다는 것이 이해된다.
실시간 교정 공정을 설명하기 위해, 아래에서는 상단부 가장자리 구역(216)을 논의한다. 예를 들어, [표 2]에서 나타난 기초적 교정에서, 1680.5W의 지시받은 전체 전력 및 1000W의 지시받은 구역 전력(59.5% x 1680.5W = 1000W)을 가정하면, 상단부 가장자리 구역(216)은 200℃의 초기 온도를 발생시키고 이 온도는 센서들(224)에 의해 측정된다. 시간이 흘러감에 따라, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들의 성능은 저하되고, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈은 1000와트의 지시받은 동일한 구역 전력으로 190℃만을 발생시킨다. 센서들(224)에 의해 모니터링된 190℃의 온도에 기초하여, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들은 5%의 응답 변동을 갖는다라고 결정된다. 5%의 결정된 응답 변동에 기초하여, 상단부 가장자리 구역(216)의 램프 모듈들의 교정은 기초적 교정 값을 64.5%의 업데이트된 교정 값으로 수정하고/이에 맞추거나, 10와트의 교정된 값을 1000와트에 추가하거나, 105%의 교정된 값을 1000와트에 곱하거나, 또는 응답 변동을 보정하는 임의의 다른 적절한 수단에 의해 실시간으로 보정될 수 있다. 기초적 교정 파라미터 값들을 수정하는 경우, 실제의 전체 전력(모든 구역들에 지시된 구역 전력의 합)은 지시된 전체 전력과 동일하다(즉, 양쪽은 1680.5와트이다). 10와트의 값을 추가하거나 또는 105%의 값을 곱하는 경우, 실제의 전체 전력은 지시된 전체 전력과 동일하지 않다(즉, 실제 전체 전력은 1690.5와트이고 지시된 전체 전력은 1680.5와트이다). 나머지 다른 구역들(214, 218, 220) 각각도 마찬가지로 동시적으로 교정될 수 있다.
교정 공정은 각각의 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)간의 상호작용들을 고려할 수 있다는 것이 이해된다. 이로 인해, 각각의 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)을 교정할 때, 결정된 응답 변동의 전체 양만큼 기초적 교정을 보정하지 않는 것에 의해 상이한 구역들간의 상호작용들을 고려하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들어, 제1 웨이퍼 처리 싸이클 동안의 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들에 대한 응답 변동을 결정한 후, 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들에 대한 응답 변동은 관측된 구역 상호작용들에 기초하여, 부분적으로만 보정된다. 그 후, 제2 웨이퍼 처리 싸이클 동안에 상이한 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들에 대한 또 다른 응답 변동이 결정되고 관측된 구역 상호작용들에 기초하여 부분적으로만 보정된다. 싸이클 당 얼마나 많이 부분적으로 보정하는지는 총체적 제어 시스템 또는 알고리즘에 기초하고 이러한 시스템 또는 알고리즘 내에 병합된 모델 또는 룰일 수 있거나, 또는 사용자 관측 및/또는 판단에 기초될 수 있다. 이러한 접근법은 각각의 상이한 구역(214, 216, 218, 220)간의 상호작용들을 고려하고, 만약 이러한 접근법을 사용하지 않았다면 초래될 수 있었을, 결정된 응답 변동에 대한 과보정을 제한시킨다.
방법(100)의 교정 공정은 컴퓨터의 제어 시스템 내에서 구현될 수 있다. 예컨대, 컴퓨터는 중앙 처리 장치(CPU), 웨이퍼 처리 장치(200)와 제어 신호들을 주고받는 입력/출력(I/O), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), FLASH 메모리, 하드디스크, 컴팩트 디스크(CD), 또는 웨이퍼 처리 장치(200)의 구역들(214, 216, 218, 220)의 램프 모듈들을 제어하기 위해 활용된 제어 알고리즘들 및 교정들을 포함한 소프트웨어를 저장하기 위한 다른 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다.
방법(100) 및 웨이퍼 처리 장치(200)의 상기 실시예들은 CVD, RTP, 어닐링, 도핑, 에칭 및 다른 공정들과 같은 웨이퍼 처리 동안에 웨이퍼에 걸쳐 균일한 온도 프로파일들을 발생시킨다. 예를 들어, 생산 이전 또는 예방 정비 후, 개시된 방법(100) 및 웨이퍼 처리 장치(200)는 램프 모듈들의 특성분석 및 램프 모듈들의 구역별 기초적 교정을 제공하여 웨이퍼에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 달성가능하게 해준다. 더 나아가, 생산 동안, 개시된 방법(100) 및 웨이퍼 처리 장치(200)는 램프 모듈들의 효율성 감쇠를 결정하고 램프 모듈들의 구역별 실시간 교정을 제공하여 웨이퍼에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도 프로파일을 유지가능하게 해준다. 실시간 교정 공정은 웨이퍼 처리 장치(200)가 (웨이퍼 처리 동안 또는 런들간의 유휴 동안과 같은) 온라인 상태에 있는 동안에 교정을 가능하게 해주기 때문에, 웨이퍼 처리 장치(200)는 계측 툴들을 활용하는 고비용이면서 시간 소모적인 방법으로 특성분석될 오프라인을 취할 필요가 없다. 이에 따라, 개시된 방법(100) 및 웨이퍼 처리 장치(200)는 계측 툴 로딩의 감소 및 온라인 실시간 교정을 가능하게 해줌으로써 시간 당 웨이퍼(처리량)를 증가시키고, 디바이스 성능을 극도로 향상시키는 생산 퀄리티 및 균일성을 향상시키고, 비용을 감소시킨다. 상이한 실시예들은 상이한 장점들을 가질 수 있으며, 어떠한 실시예에서도 특별한 장점이 반드시 필요한 것은 아니다.
본 발명개시의 양태들을 본 발명분야의 당업자가 보다 잘 이해할 수 있도록 앞에서는 여러 개의 실시예들의 특징들을 약술해왔다. 본 발명분야의 당업자는 여기서 소개한 실시예들의 동일한 목적들을 수행하거나 및/또는 동일한 장점들을 달성하기 위한 다른 프로세스들 및 구조물들을 설계하거나 또는 수정하기 위한 기초로서 본 발명개시를 자신들이 손쉽게 이용할 수 있다는 것을 알아야 한다. 본 발명분야의 당업자는 또한 이와 같은 등가적 구성들은 본 발명개시의 사상과 범위를 이탈하지 않는다는 것과, 본 발명개시의 사상과 범위를 이탈하지 않고서 당업자가 다양한 변경들, 대체들, 및 개조들을 본 발명에서 행할 수 있다는 것을 자각해야 한다.
Claims (10)
- 장치에 있어서,
웨이퍼 처리 챔버;
상이한 구역들에 배치되고 상기 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼의 상이한 부분들을 가열하도록 동작가능한 방열(radiant heating) 엘리먼트들;
상기 상이한 구역들에 배치된 상기 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능하고 상기 웨이퍼 처리 챔버 외부에 배치된 센서들; 및
상기 센서들을 활용하여 상기 상이한 구역들에 배치된 상기 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 상기 상이한 구역들에 배치된 상기 방열 엘리먼트들에 대한 교정을 제공하여 상기 웨이퍼의 표면에 걸쳐 균일한 온도 프로파일이 유지되도록 구성된 컴퓨터를 포함한, 장치. - 제1항에 있어서, 상기 방열 엘리먼트들의 상기 상이한 구역들은 네 개의 상이한 구역들이며,
상기 센서들은 상기 방열 엘리먼트들의 상기 네 개의 상이한 구역들에 대응하는 네 개의 상이한 구역들에 배치된 것인, 장치. - 제1항에 있어서, 상기 방열 엘리먼트들은,
제1 구역에서 상기 웨이퍼 위에 배치되고 상기 웨이퍼의 내측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제1 방열 엘리먼트들;
제2 구역에서 상기 웨이퍼 위에 배치되고 상기 웨이퍼의 외측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제2 방열 엘리먼트들;
제3 구역에서 상기 웨이퍼 아래에 배치되고 상기 웨이퍼의 내측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제3 방열 엘리먼트들; 및
제4 구역에서 상기 웨이퍼 아래에 배치되고 상기 웨이퍼의 외측 부분을 가열하도록 동작가능한 복수의 제4 방열 엘리먼트들을 포함한 것인, 장치. - 제3항에 있어서, 상기 센서들은,
상기 복수의 제1 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제1 센서들;
상기 복수의 제2 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제2 센서들;
상기 복수의 제3 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제3 센서들; 및
상기 복수의 제4 방열 엘리먼트들로부터의 에너지를 모니터링하도록 동작가능한 복수의 제4 센서들을 포함한 것인, 장치. - 웨이퍼 처리 시스템에 있어서,
웨이퍼 처리 챔버;
복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들;
복수의 상단부 및 바닥부 센서들;
상기 웨이퍼 처리 챔버에 결합되고 상기 웨이퍼 처리 챔버 내에 위치한 웨이퍼에 대해 적어도 웨이퍼 처리 공정을 수행하도록 동작가능한 적어도 하나의 시스템; 및
상기 적어도 하나의 시스템에 의해 수행된 웨이퍼 처리 공정 동안에 상기 복수의 상단부 및 바닥부 센서들에 의해 산출된 측정치들을 활용함으로써 상기 복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들을 특성분석하고, 상기 특성분석에 기초하여 상기 복수의 상단부 및 바닥부 방열 엘리먼트들에 대한 교정을 제공하도록 동작가능한 교정 모듈을 포함한, 웨이퍼 처리 시스템. - 방법에 있어서,
웨이퍼 처리 챔버를 제공하는 단계;
상기 웨이퍼 처리 챔버 외부의 상이한 구역들에 배치되고 웨이퍼 처리 공정 동안에 상기 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 생산 웨이퍼의 상이한 부분들을 가열하도록 동작가능한 복수의 방열 엘리먼트들을 제공하는 단계;
상기 웨이퍼 처리 챔버 외부의 상기 상이한 구역들에 배치되고 상기 웨이퍼 처리 공정 동안에 상기 방열 엘리먼트들의 의해 발생된 열을 모니터링하도록 동작가능한 복수의 센서들을 제공하는 단계; 및
상기 방열 엘리먼트들의 응답 변동을 특성분석하여 상기 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 상기 생산 웨이퍼의 표면에 걸쳐 균일한 온도 프로파일을 유지하도록 하는 실시간 교정 공정을 수행하는 단계를 포함한, 방법. - 제6항에 있어서,
상기 실시간 교정 공정을 수행하기 전에, 초기에 상기 방열 엘리먼트들을 특성분석하고 이로써 상기 웨이퍼 처리 챔버 내에 배치된 테스트 웨이퍼의 표면에 걸쳐 균일한 온도 프로파일을 달성하기 위한 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계를 더 포함한, 방법. - 제6항에 있어서, 상기 실시간 교정 공정을 수행하는 단계는,
상기 웨이퍼 처리 공정 동안에 상기 복수의 방열 엘리먼트들에 의해 발생된 열을 모니터링하기 위해 상기 복수의 센서들을 이용하는 단계;
상기 복수의 방열 엘리먼트들을 특성분석하는 단계로서, 상기 특성분석은 시간의 흐름에 따른 상기 복수의 방열 엘리먼트들의 응답 변동을 결정하는 것을 포함한 것인, 상기 특성분석 단계; 및
상기 복수의 방열 엘리먼트들의 특성분석에 기초하여 실시간 교정을 제공하는 단계를 포함한 것인, 방법. - 제7항에 있어서, 상기 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계는,
테스트 웨이퍼 처리 공정 동안에 상기 복수의 방열 엘리먼트들에 의해 발생된 열을 모니터링하기 위해 상기 복수의 센서들을 이용하는 단계;
상기 복수의 방열 엘리먼트들을 특성분석하는 단계로서, 상기 특성분석은 상기 복수의 방열 엘리먼트들의 초기 응답을 결정하는 것을 포함한 것인, 상기 특성분석 단계; 및
상기 복수의 방열 엘리먼트들의 특성분석에 기초하여 기초적 교정을 제공하는 단계를 포함한 것인, 방법. - 제7항에 있어서, 상기 초기 기초적 교정 공정을 수행하는 단계는 상기 상이한 구역들에 배치된 상기 복수의 방열 엘리먼트들에 제공된 전력에 영향을 미치는 기초적 교정을 제공하는 단계를 포함하며,
상기 실시간 교정 공정을 수행하는 단계는 상기 웨이퍼 처리 챔버를 오프라인 상태로 취하지 않고서 상기 상이한 구역들에 배치된 상기 복수의 방열 엘리먼트들에 제공된 전력에 영향을 미치는 상기 기초적 교정을 수정하는 단계를 포함한 것인, 방법.
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