KR20130120315A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법 Download PDF

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Abstract

전기적 불량을 용이하게 검사하도록 본 발명은 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소, 상기 화소에 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인, 상기 화소에 연결되고 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 전원 공급선, 상기 제1 전원 공급선에 연결되는 제2 전원 공급선 및 상기 복수의 화소에 동시에 제어 신호를 공급하고, 복수의 제어 라인 및 상기 복수의 제어 라인의 일단과 연결되고 타단과는 이격된 공통 라인을 구비하는 제어 라인부를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법{Organic light emitting display apparatus and method for inspecting the organic light emitting display apparatus}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 전기적 불량을 용이하게 검사하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도 유기 발광 표시 장치는 자발광형 표시 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가져서 차세대 디스플레이 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 중간층, 제1 전극 및 제2 전극을 구비한다. 중간층은 유기 발광층을 구비하고, 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 가하면 유기 발광층에서 가시광선을 발생하게 된다.
한편, 유기 발광 표시 장치를 구동하기 위하여 다양한 종류의 배선들이 구비된다. 이러한 배선들 중 서로 다른 층에 서로 중첩되면서 배치되는 배선들이 존재하는데, 이러한 배선들 중 중첩된 영역에서 쇼트 불량이 발생하면 이를 리페어할 필요가 있다.
그러나 이러한 중첩된 배선들의 쇼트 불량 위치를 검사하기가 용이하지 않고, 특히 배선들의 개수가 많아지고 그 형태가 복잡해짐에 따라 검사하는데 한계가 있다.
본 발명은 전기적 불량을 용이하게 검사하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 제공할 수 있다.
본 발명은 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소, 상기 화소에 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인, 상기 화소에 연결되고 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 전원 공급선, 상기 제1 전원 공급선에 연결되는 제2 전원 공급선 및 상기 복수의 화소에 동시에 제어 신호를 공급하고, 복수의 제어 라인 및 상기 복수의 제어 라인의 일단과 연결되고 타단과는 이격된 공통 라인을 구비하는 제어 라인부를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 제2 전원 공급선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인은 상기 제1 방향으로 연장된 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인은 상기 제1 전원 공급선 및 상기 제2 전원 공급선 중 어느 하나의 전원 공급선과 다른 층에 형성되고, 상기 제어 라인과 다른 층에 형성되는 전원 공급선은 상기 제어 라인과 교차하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인은 상기 제1 전원 공급선과 동일한 층에 형성되고, 상기 제어 라인은 상기 제2 전원 공급선과 다른 층에 상기 제2 전원 공급선과 교차하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제1 전원 공급선은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제2 전원 공급선은 상기 스캔 라인과 동일한 층에 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화소는 적어도 세 개의 박막 트랜지스터 및 두 개의 캐패시터를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인부는 상기 박막 트래지스터 중 어느 하나의 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나의 박막 트랜지스터는 활성층, 게이트 전극 제1층, 상기 게이트 전극 제1 층에 형성되는 게이트 전극 제2층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고, 상기 화소 전극은 상기 게이트 전극 제1층과 동일한 층에 상기 제1 게이트 전극 제1층과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소, 상기 화소에 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인, 상기 화소에 연결되고 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 전원 공급선, 상기 제1 전원 공급선에 연결되는 제2 전원 공급선 및 상기 복수의 화소에 동시에 제어 신호를 공급하고, 복수의 제어 라인 및 상기 복수의 제어 라인의 일단과 연결되고 타단과는 이격된 공통 라인을 구비하는 제어 라인부를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 검사하는 방법에 관한 것으로서, 상기 제어 라인의 일단에 상기 공통 라인과 이격된 일 영역에 수전 부재를 연결하고, 상기 제어 라인의 영역 중 상기 수전 부재가 연결된 영역보다 상기 공통 라인으로부터 멀리 떨어진 영역에 급전 부재를 연결하여 상기 제어 라인에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개시한다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인의 영역 중 상기 수전 부재가 연결된 영역과 상기 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 모니터링하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 복수의 제어 라인들에 순차적으로 상기 수전 부재 및 급전 부재를 연결하여 상기 제어 라인에 전압을 순차적으로 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 제어 라인에 전압을 순차적으로 인가하여 상기 제어 라인과 상기 제1 전원 공급선간의 쇼트 불량 또는 상기 제어 라인과 상기 제2 전원 공급선간의 쇼트 불량을 검사할 수 있다.
본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 검사 방법은 전기적 불량을 용이하게 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ영역을 확대한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ영역의 배선 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(10)상에 표시 영역(A1) 및 비표시 영역(A2)이 형성된다.
표시 영역(A1)은 영상을 표시하는 영역으로서 기판(10)의 중앙을 포함하는 영역에 형성되고, 비표시 영역(A2)은 표시 영역(A1)의 주변에 배치될 수 있다.
표시 영역(A1)에는 영상이 구현되는 복수의 화소(P)가 포함된다.
각 화소(P)는 제1 방향(X)으로 연장된 스캔 라인(S)과, 제1 방향(X)에 직교하는 제2 방향(Y)으로 연장된 데이터 라인(D)으로 정의될 수 있다. 데이터 라인(D)은 비표시 영역(A2)에 구비된 데이터 구동부(미도시)가 제공하는 데이터 신호를 각 화소(P)에 인가하고, 스캔 라인(S)은 비표시 영역(A2)에 구비된 스캔 구동부(미도시)가 제공하는 스캔 신호를 각 화소(P)에 인가한다. 도 2에는 데이터 라인(D)이 제2 방향으로 연장되고, 스캔 라인(S)이 제1 방향으로 연장된 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 데이터 라인(D)과 스캔 라인(S)의 연장 방향은 서로 바뀔 수도 있다.
각 화소(P)는 제2 방향(Y)으로 연장된 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 제1 전원 공급선(V)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제1 전원 구동부(미도시)가 제공하는 제1 전원(ELVDD, 도 3 참조)을 각 화소(P)에 인가한다. 한편, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, 각 화소(P)는 전원(ELVSS, 도 3 참조)을 공급받는다. 각 화소(P)는 데이터 신호에 대응하여 제1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 소자(OLED)를 경유하여 전원(ELVSS)으로 공급되는 전류량을 제어한다. 그러면, 유기발광소자에서 소정 휘도의 빛이 생성된다.
한편, 제1 방향(X)으로 연장된 제2 전원 공급선(V2)이 제1 전원 공급선(V1)에 연결된다. 제1 전원 공급선(V1)은 저항으로 인하여 길이에 따른 전압 강하(IR drop)문제가 발생할 수 있는데, 제1 전원 공급선(V1)에 연결된 제2 전원 공급선(V2)이 이를 해결한다.
각 화소(P)는 제어 라인부의 제어 라인(GCB)에 연결된다. 즉, 각 화소(P)는 하나의 배선에서 분기되어 제2 방향으로 연장된 제어 라인(GCB)에 연결된다. 제어 라인(GCB)을 구비하는 제어 라인부에 대하여서는 도 4를 참조하면서 후술하기로 한다.
각 제어 라인(GCB)은 비표시 영역(A2)에 구비된 제어신호 구동부(미도시)가 제공하는 제어 신호들을 동시에 일괄적으로 정해진 소정의 전압 레벨로 각 화소(P)에 인가한다.
도 3은 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소에 대한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting device, OLED)와, 유기 발광 소자(OLED)로 전류를 공급하기 위한 화소회로(C)를 구비한다.
유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극은 화소 회로(C)에 접속되고, 대향 전극은 전원(ELVSS(t))에 접속된다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 회로(C)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
액티브 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는, 2개의 트랜지스터 및 1개의 캐패시터를 구비하는데, 구체적으로 데이터 신호를 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터, 데이터 신호에 따라 유기 발광 소자를 구동시키기 위한 구동 트랜지스터 및 데이터 전압을 유지시키기 위한 하나의 캐패시터를 포함한다.
이와 같은 2개의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 유기 발광 표시 장치는 소비전력이 적은 이점이 있지만, 유기 발광 소자를 구동하는 구동 트랜지스터의 게이트와 소오스 간의 전압, 즉 구동 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage) 편차에 따라 유기 발광 소자를 통해 흐르는 전류 세기가 변하여 표시 불균일을 초래하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 복수의 3개 이상의 트랜지스터 또는 2 개 이상의 캐패시터를 포함할 수도 있다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각 화소에 3개의 트랜지스터(TR1 내지 TR3) 및 2개의 캐패시터(C1, C2)를 구비할 수 있다.
제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 스캔 라인(S)에 접속되고, 제1 전극은 데이터 라인(D)에 접속되고, 제2 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(TR1)의 게이트 전극에는 스캔신호(Scan(n))가 입력되고, 제 1 전극으로는 데이터신호(Data(t))가 입력된다.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 제2 트랜지스터의 제1 전극은 제1 전원(ELVDD(t))에 접속되며, 제2 트랜지스터의 제2 전극은 유기 발광 소자의 화소 전극에 접속된다. 여기서, 상기 제 2 트랜지스터(TR2)는 구동 트랜지스터로서의 역할을 수행한다.
상기 제1 노드(N1) 및 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 전극 즉, 제 1전원(ELVDD(t)) 사이에 제1 캐패시터(C1)가 접속되고, 상기 제1 노드(N1) 및 제 2 노드(N2) 사이에는 제2 캐패시터(C2)가 접속된다.
제3 트랜지스터(TR3)의 게이트 전극은 제어 라인부(GC)에 접속되고, 제3 트랜지스터의 제1 전극은 상기 제 2트랜지스터(TR2)의 게이트 전극과 접속되며, 제3 트랜지스터의 제 2전극은 유기 발광 소자의 화소 전극 즉, 제 2트랜지스터(TR2)의 제2 전극과 접속된다. 이에 따라 상기 제 3트랜지스터(TR3)의 게이트 전극으로는 제어신호(GC(t))가 입력된다.
한편, 도 3에는 각 화소에 3개의 트랜지스터와 하나의 캐패시터가 구비된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 문턱전압을 보상하기 위하여 도 3보다 더 많은 트랜지스터 및/또는 캐패시터를 구비한 구조에도 적용될 수 있다.
도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치에 구비된 배선들 중 일부만을 개략적으로 도시한 도면이다. 즉, 설명의 편의를 위하여 제어 라인부(GC), 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 도시되어 있다.
제어 라인부(GC)는 공통 라인(GCA) 및 복수의 제어 라인(GCB)을 포함한다. 전술한 대로 제어 라인(GCB)은 제2 방향(Y)으로 연장되어 각 화소에 제어 신호를 인가한다. 제어 라인(GCB)들은 하나의 공통 라인(GCA)에 연결된다. 즉, 제어 라인(GCB)들의 일 방향의 단부에 공통 라인(GCA)이 연결된다. 이를 통하여 제어 라인(GCB)은 하나의 공통 라인(GCA)로부터 분기된 공통의 신호를 인가받을 수 있다.
제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)은 서로 연결되도록 형성된다. 구체적으로 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 서로 다른층에 형성되고, 콘택홀(미도시)등을 통하여 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 연결될 수 있다.
또한 제어 라인(GCB)은 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)중 어느 하나의 전원 공급선과 서로 다른 층에 형성된다. 본 실시예에서는 제어 라인(GCB)과 제2 전원 공급선(V2)이 서로 다른 층에 형성된다. 이를 위하여 제어 라인 (GCB)와 제2 전원 공급선(V2)사이에는 하나 이상의 절연층이 배치될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1)의 제조 공정 중 원하지 않는 파티클등으로 인하여 서로 다른 층에 형성된 제어 라인(GCB)과 제2 전원 공급선(V2)이 연결되어 불량이 발생할 수 있다. 특히, 제2 전원 공급선(V2)과 제어 라인(GCB)이 중첩된 영역에서 서로 연결되어 쇼트가 발생할 수 있다. 도 5에 이러한 내용이 도시되어 있다.
도 5는 도 4의 Ⅴ영역을 확대한 도면이다. 도 5를 참조하면 제어 라인부(GC)의 하나의 제어 라인(GCB1)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에 파티클 등의 이물로 인한 쇼트(ST)불량이 발생한 것이 도시되어 있다. 유기 발광 표시 장치(100)의 화질 특성 향상을 위해서 이러한 쇼트 불량에 대한 리페어 공정을 진행한다. 한편, 이러한 리페어 공정을 진행하기 위하여서는 쇼트 불량이 발생한 위치를 검사하기 위한 공정이 선행되어야 한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치 검사 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6a을 참조하면 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 구비하는 검사 장치(130)를 준비한다. 그리고 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 제어 라인부(GC)의 각 제어 라인(GCB)에 순차적으로 연결한다. 이 때 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)에 연결하지 않는다. 이는 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)이 서로 연결되어 메쉬 형태를 갖게 되어 검사를 위한 전압 공급 시 전류가 제1 전원 공급선(V1) 및 제2 전원 공급선(V2)의 전체에 흐르게 되므로 불량을 확인할 수 없기 때문이다.
먼저, 도 6a에 도시된 대로 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 일 제어 라인(GCB2)에 연결한다.
이 때 급전 부재(131)는 일 제어 라인(GCB2)의 하단에 연결하고 수전 부재(132)는 상단에 연결한다. 즉, 급전 부재(131)는 제어 라인부(GC)의 공통 라인(GCA)에서 멀도록 배치되고 수전 부재(132)는 공통 라인(GCA)에 가깝게 배치된다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 제어 라인(GCB2)에 전압을 인가하면 제어 라인(GCB2)에 전류가 흐르게 된다. 즉 제어 라인(GCB2)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링한다. 전술한 것과 반대로 급전 부재(131)를 제어 라인(GCB2)의 상단에 연결하고 수전 부재(132)를 제어 라인(GCB2)의 하단에 연결하는 경우 급전 부재(131)를 통하여 공급된 전압으로 인하여 급전 부재(131)와 인접한 공통 라인(GCA)에도 용이하게 전류가 흐르게 되어 제어 라인(GCB2)의 양단에 발생한 정확한 전위차 모니터링이 곤란하게 된다. 그러므로 급전 부재(131)는 제어 라인부(GC)의 공통 라인(GCA)에서 멀도록 배치되고 수전 부재(132)는 공통 라인(GCA)에 가깝게 배치한다.
그리고 나서 도 6b를 참조하면 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이동하여 제어 라인(GCB1)에 연결한다. 이 때 급전 부재(131)는 일 제어 라인(GCB1)의 하단에 연결하고 수전 부재(132)는 상단에 연결한다. 그리고 나서 급전 부재(131) 및 수전 부재(132)를 이용하여 제어 라인(GCB1)에 전압을 인가하면 제어 라인(GCB1)에 전류가 흐르게 된다. 즉 제어 라인(GCB1)의 양단에는 전위차가 발생한다. 이러한 전위차를 모니터링한다.
이 때 제어 라인(GCB1)과 제2 전원 공급선(V2)의 중첩 영역에는 쇼트(ST)가 발생하였으므로 제어 라인(GCB1)에서 모니터링한 값과 제어 라인(GCB2)에서 모니터링한 값은 상이하다.
즉, 전술한 방법을 통하여 제어 라인(GCB)들을 순차적으로 검사하면 제2 전원 공급선(V2)과 쇼트 불량이 발생한 제어 라인(GCB1)을 용이하게 확인할 수 있다.
이러한 검사 공정을 진행하여 쇼트 불량이 발생한 제어 라인(GCB1)을 확인한 후 레이저 커팅등의 공정을 포함하는 리페어 공정을 진행한다.
도 7은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 화소의 일부 구성요소를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기판(10) 상에 구동용 박막트랜지스터인 제2 트랜지스터(TR2), 제1 캐패시터(C1), 및 유기발광소자(OELD)가 구비되어 있다. 전술한 바와 같이, 각 화소는 제1 트랜지스터(TR1)와 제3 트랜지스터(TR3), 제2 캐패시터(C2) 등을 더 구비하고, 스캔 라인(S), 데이터 라인(D), 전원 공급선(V1, V2) 및 제어 라인부(GC) 등과 같은 다양한 배선들을 포함하고 있으나, 도 7에서는 일부 구성요소에 대해서만 간략히 설명한다.
기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다.
기판(10) 상에 버퍼층(11)이 더 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 기판(10)의 상부에 평탄한 면을 제공하고 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지한다.
버퍼층(11)상에 제2트랜지스터(TR2)의 활성층(212)이 형성된다. 활성층(212)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체로 형성될 수 있다. 또한 활성층(212)은 유기 반도체 또는 산화물 반도체 기타 다양한 물질로 형성될 수 있다. 활성층(212)은 소스영역(212b), 드레인영역(212a) 및 채널영역(212c)을 포함한다.
활성층(212) 상에는 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13)상에 활성층(212)의 채널영역(212c)에 대응되는 위치에 투명도전물을 포함하는 게이트 전극 제1 층(214) 및 게이트 전극 제2 층(215)이 차례로 구비된다.
게이트 전극 제2 층(215) 상에는 층간 절연막(15)을 사이에 두고 활성층(212)의 소스영역(212b) 및 드레인영역(212a)에 각각 접속하는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)이 형성된다.
층간 절연막(15) 상에는 소스 전극(216b) 및 드레인 전극(216a)을 덮도록 화소 정의막(18)이 구비된다.
도 7에 도시되지 않은 제1트랜지스터(TR1) 및 제3트랜지스터(TR3)도 제2트랜지스터(TR2)와 동일한 구성을 가질 수 있다.
이때, 데이터 라인(D)은 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 층에 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 또한 제어 라인(GCB)은 데이터 라인(D)과 마찬가지로 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 층에 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 그리고, 제1 전원 공급선(V1)도 데이터 라인(D)과 마찬가지로 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 층에 소스 전극(216b) 또는 드레인 전극(216a)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
스캔 라인(S)은 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 층에 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 또한 제2 전원 공급선(V2)은 스캔 라인(S)과 마찬가지로 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 층에 게이트 전극 제1 층(214) 또는 게이트 전극 제2 층(215)과 동일한 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
버퍼층(11) 및 게이트 절연막(13) 상에 게이트전극 제1층(214)과 동일한 투명도전물로 형성된 화소 전극(114)이 형성된다. 투명도전물로는 인듐틴옥사이드(indium tin oxide: ITO), 인듐징크옥사이드(indium zinc oxide: IZO), 징크옥사이드(zinc oxide: ZnO), 인듐옥사이드(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨옥사이드(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄징크옥사이드(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
화소 전극 (114) 상에는 유기 발광층을 포함하는 중간층(119)이 형성된다.
중간층(119)의 유기발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다. 유기 발광층이 저분자 유기물일 경우, 유기 발광층을 중심으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL), 홀 주입층(hole injection layer: HIL), 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL) 등이 적층될 수 있다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층 될 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N'-디(나프탈렌-1-일)-N(N'-Di(naphthalene-1-yl)-N), N'-디페닐-벤지딘(N'-diphenyl-benzidine: NPB), 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯하여 다양하게 적용 가능하다.
한편, 유기 발광층이 고분자 유기물일 경우, 중간층(119)은 유기 발광층 외에 홀 수송층(HTL)이 포함될 수 있다. 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용할 수 있다. 이때, 사용 가능한 유기 재료로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등의 고분자 유기물을 사용할 수 있다.
중간층(119) 상에는 공통 전극으로 대향 전극(20)이 형성된다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 화소 전극(114)은 애노드로 사용되고, 대향 전극(20)은 캐소드로 사용된다. 물론 전극의 극성은 반대로 적용될 수 있음은 물론이다.
대향 전극(20)은 반사 물질을 포함하는 반사 전극으로 구성될 수 있다. 이때 대향 전극(20)은 Al, Mg, Li, Ca, LiF/Ca, 및 LiF/Al에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
기판(10) 및 버퍼층(11) 상에는, 박막 트랜지스터의 활성층(212)과 동일 재료로 형성된 제1 캐패시터(C1)의 하부전극(312), 화소 전극 (114)과 동일 재료로 형성된 투명도전물을 포함하는 제1 캐패시터(C1)의 상부 전극(314)이 형성되고, 하부 전극(312)과 상부 전극(314) 사이에 게이트 절연막(13)이 배치된다.
도 7에 도시하지 않았으나, 기판(10)의 일 면에 대향하도록 대향전극(20)의 상부에 밀봉 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(119)등을 보호하기 위해 형성하는 것으로 글라스 또는 플라스틱으로 형성할 수 있고, 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치
S: 스캔 라인
D: 데이터 라인
10: 기판
GC: 제어 라인부
GCA: 공통 라인
GCB: 제어 라인
V1: 제1 전원 공급선
V2: 제2 전원 공급선
131: 급전부
132: 수전부

Claims (15)

  1. 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소;
    상기 화소에 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인;
    상기 화소에 연결되고 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 전원 공급선;
    상기 제1 전원 공급선에 연결되는 제2 전원 공급선; 및
    상기 복수의 화소에 동시에 제어 신호를 공급하고, 복수의 제어 라인 및 상기 복수의 제어 라인의 일단과 연결되고 타단과는 이격된 공통 라인을 구비하는 제어 라인부를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 전원 공급선은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 형태를 갖는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 라인은 상기 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 라인은 상기 제1 전원 공급선 및 상기 제2 전원 공급선 중 어느 하나의 전원 공급선과 다른 층에 형성되고,
    상기 제어 라인과 다른 층에 형성되는 전원 공급선은 상기 제어 라인과 교차하도록 배치된 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 라인은 상기 제1 전원 공급선과 동일한 층에 형성되고,
    상기 제어 라인은 상기 제2 전원 공급선과 다른 층에 상기 제2 전원 공급선과 교차하도록 배치된 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제어 라인은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전원 공급선은 상기 데이터 라인과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 전원 공급선은 상기 스캔 라인과 동일한 층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 화소는 적어도 세 개의 박막 트랜지스터 및 두 개의 캐패시터를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제어 라인부는 상기 박막 트래지스터 중 어느 하나의 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결된 유기 발광 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터 중 적어도 어느 하나의 박막 트랜지스터는 활성층, 게이트 전극 제1층, 상기 게이트 전극 제1 층에 형성되는 게이트 전극 제2층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고,
    상기 화소 전극은 상기 게이트 전극 제1층과 동일한 층에 상기 제1 게이트 전극 제1층과 동일한 재료로 형성되는 유기 발광 표시 장치.
  12. 화소 전극, 유기 발광층을 구비하는 중간층 및 대향 전극을 구비하는 복수의 화소, 상기 화소에 대응하는 스캔 라인 및 데이터 라인, 상기 화소에 연결되고 제1 방향으로 연장된 형태를 갖는 제1 전원 공급선, 상기 제1 전원 공급선에 연결되는 제2 전원 공급선 및 상기 복수의 화소에 동시에 제어 신호를 공급하고, 복수의 제어 라인 및 상기 복수의 제어 라인의 일단과 연결되고 타단과는 이격된 공통 라인을 구비하는 제어 라인부를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 검사하는 방법에 관한 것으로서, 상기 제어 라인의 일단에 상기 공통 라인과 이격된 일 영역에 수전 부재를 연결하고, 상기 제어 라인의 영역 중 상기 수전 부재가 연결된 영역보다 상기 공통 라인으로부터 멀리 떨어진 영역에 급전 부재를 연결하여 상기 제어 라인에 전압을 인가하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제어 라인의 영역 중 상기 수전 부재가 연결된 영역과 상기 급전 부재가 연결된 영역간의 전위차를 모니터링하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 제어 라인들에 순차적으로 상기 수전 부재 및 급전 부재를 연결하여 상기 제어 라인에 전압을 순차적으로 인가하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 제어 라인에 전압을 순차적으로 인가하여 상기 제어 라인과 상기 제1 전원 공급선간의 쇼트 불량 또는 상기 제어 라인과 상기 제2 전원 공급선간의 쇼트 불량을 검사하는 유기 발광 표시 장치 검사 방법.
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