KR20130118777A - Sheet cutting apparatus, chip manufacturing apparatus, sheet cutting method, chip manufacturing method, and sheet cutting program - Google Patents

Sheet cutting apparatus, chip manufacturing apparatus, sheet cutting method, chip manufacturing method, and sheet cutting program Download PDF

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KR20130118777A
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가즈마사 니시와키
마사오 지다
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엔이씨 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for cutting a sheet, an apparatus for manufacturing a chip, a method for cutting the sheet, a method for manufacturing a chip, and a program for cutting the sheet are provided to prevent the thermal influence on a wafer by using a laser beam. CONSTITUTION: A supporting part (2) supports a wafer. A sheet (5) is formed on the surface of the wafer by a thermocompression process. The sheet is made of a synthetic resin. A laser beam power part (3) is arranged above the supporting part. The laser beam power part includes a laser generator, a back mirror, and a condensing lens. [Reference numerals] (4) Controller

Description

시트 절단 장치, 칩 제조 장치, 시트 절단 방법, 칩 제조 방법, 및 시트 절단 프로그램{SHEET CUTTING APPARATUS, CHIP MANUFACTURING APPARATUS, SHEET CUTTING METHOD, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND SHEET CUTTING PROGRAM}SHEET CUTTING APPARATUS, CHIP MANUFACTURING APPARATUS, SHEET CUTTING METHOD, CHIP MANUFACTURING METHOD, AND SHEET CUTTING PROGRAM}

본 발명은 시트 절단 장치, 칩 제조 장치, 시트 절단 방법, 칩 제조 방법, 및 시트 절단 프로그램에 관한 것이다.The present invention relates to a sheet cutting device, a chip manufacturing device, a sheet cutting method, a chip manufacturing method, and a sheet cutting program.

칩 제조는 반도체 웨이퍼(이하 간단히 웨이퍼로 약칭함)를 연삭하는 공정 및 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 포함한다. 웨이퍼의 연삭 시, 웨이퍼의 표면이 연삭액에 의해 오염되는 것을 방지하기 위하여, 웨이퍼의 전면(front surface)(회로면)을 보호하는 백 그라인드(BG; back grind) 테이프 및 웨이퍼의 이면을 보호하는 LC 테이프 등의 보호 테이프가 부착된다. 또한, 연삭 후 웨이퍼의 다이싱 시, 개편화된 칩이 흩어지는 것을 방지하기 위해, 다이싱 테이프가 웨이퍼의 이면에 부착된다. 이하, 보호 테이프, LC 테이프, 다이싱 테이프 등을 총칭하여 시트라고 한다.Chip manufacturing includes a process of grinding a semiconductor wafer (hereinafter simply abbreviated as a wafer) and a process of dicing the wafer. When grinding the wafer, a back grind (BG) tape protecting the front surface (circuit surface) of the wafer and a back surface of the wafer to protect the surface of the wafer from being contaminated by the grinding liquid. Protective tape such as LC tape is attached. In addition, during dicing of the wafer after grinding, a dicing tape is attached to the back surface of the wafer in order to prevent the chipped chips from scattering. Hereinafter, a protective tape, an LC tape, a dicing tape, etc. are named generically a sheet.

웨이퍼의 연삭 시, 시트가 변위 및 박리되어서 웨이퍼의 표면의 오염을 야기할 수 있고 웨이퍼와 시트의 부착 단부에서 일어나는 크랙 등의 손상을 야기할 수 있는 상황을 방지하기 위해, 웨이퍼의 외주를 따라 웨이퍼 표면을 보호하는 시트를 절단한다. 이 때, 시트가 웨이퍼의 외주에 매우 가까운 위치에서 절단되는 것이 바람직하다.During grinding of the wafer, the wafer may be displaced and peeled off, causing contamination of the surface of the wafer and damaging the wafer or the sheet to prevent damage such as cracks occurring at the attachment end of the sheet. Cut the sheet protecting the surface. At this time, it is preferable that the sheet is cut at a position very close to the outer circumference of the wafer.

예를 들면, 일본국 특개 제2007-288010호에 개시된 시트 절단 방법은 웨이퍼의 외주의 형태를 촬상하고, 시트를 절단하도록 이미지 데이터에 의거하여 커터 블레이드를 제어한다.For example, the sheet cutting method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-288010 takes an image of the outer circumference of the wafer and controls the cutter blade based on the image data to cut the sheet.

일본국 특개 제2007-288010호에 개시된 시트 절단 방법에서는 커터 블레이드를 이용하여 시트를 절단하므로, 커터 블레이드가 웨이퍼에 접촉할 수 있으며, 이는 웨이퍼에 손상을 야기할 수 있다.In the sheet cutting method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2007-288010, since the sheet is cut by using the cutter blade, the cutter blade may contact the wafer, which may cause damage to the wafer.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위해 이루어졌으며, 시트가 부착된 피부착 부재에의 손상을 억제할 수 있는 시트 절단 장치, 칩 제조 장치, 시트 절단 방법, 칩 제조 방법 및 시트 절단 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides a sheet cutting device, a chip manufacturing device, a sheet cutting method, a chip manufacturing method, and a sheet cutting program capable of suppressing damage to the adhered member on which a sheet is attached. For the purpose of

본 발명의 예시적인 일 양태에 따른 시트 절단 장치는 피부착 부재에 부착된 시트를 레이저 빔에 의해 피부착 부재의 외주를 따라 절단한다.A sheet cutting device according to an exemplary aspect of the present invention cuts a sheet attached to the adherend along the outer periphery of the adherend by a laser beam.

본 발명의 예시적인 일 양태에 따른 시트 절단 방법은 피부착 부재에 부착된 시트를 레이저 빔에 의해 피부착 부재의 외주를 따라 절단한다.The sheet cutting method according to an exemplary aspect of the present invention cuts the sheet attached to the adherent member along the outer circumference of the adherend by a laser beam.

본 발명의 예시적인 일 양태에 따른 시트 절단 프로그램은, 피부착 부재에 형성된 정렬 마크의 위치 정보를 획득하는 처리, 획득된 정렬 마크의 위치 정보에 의거하여, 레이저 빔 출력 수단 및 피부착 부재를 지지하는 지지 수단 중 하나를 제어하는 처리, 및 피부착 부재에 부착된 시트를 레이저 빔 출력 수단으로부터 출사된 레이저 빔에 의해 피부착 부재의 외주를 따라 절단하는 처리를 컴퓨터에 실행시킨다.A sheet cutting program according to an exemplary aspect of the present invention supports the laser beam output means and the adherend member based on a process of acquiring position information of the alignment mark formed on the adherend, the position information of the acquired alignment mark. The computer executes a process of controlling one of the supporting means, and a process of cutting the sheet attached to the adherent member along the outer periphery of the adherend by the laser beam emitted from the laser beam output means.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치를 나타내는 모식도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치의 지지부를 나타내는 모식도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치의 다른 레이저 빔 절단부를 나타내는 모식도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치의 동작을 나타내는 순서도.
도 5는 시트가 절단되는 바람직한 위치를 나타내는 모식도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치를 나타내는 모식도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치에서 사용되는 웨이퍼를 나타내는 모식도.
도 8은 웨이퍼에 형성된 정렬 마크를 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치의 동작을 나타내는 흐름도.
도 10은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 시트 절단 장치를 나타내는 모식도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic diagram which shows the sheet cutting device which concerns on 1st Embodiment of this invention.
It is a schematic diagram which shows the support part of the sheet cutting device which concerns on 1st Embodiment of this invention.
It is a schematic diagram which shows the other laser beam cutting part of the sheet cutting device which concerns on 1st Embodiment of this invention.
4 is a flowchart showing the operation of the sheet cutting device according to the first embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram showing a preferred position at which a sheet is cut.
It is a schematic diagram which shows the sheet cutting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
It is a schematic diagram which shows the wafer used by the sheet cutting device which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
8 illustrates alignment marks formed on a wafer.
9 is a flowchart showing the operation of the sheet cutting device according to the second embodiment of the present invention.
The schematic diagram which shows the sheet cutting device which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

본 발명의 상기 및 다른 목적과 특징 및 장점은 단지 예시로서 주어지는 이하의 상세한 설명 및 첨부 도면으로부터 더 완벽히 이해될 것이며, 따라서 이들이 본 발명을 제한하는 것으로 생각되어서는 안 된다.The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more fully understood from the following detailed description and the accompanying drawings, which are given by way of illustration only, and therefore should not be considered as limiting the invention.

본 발명의 각 실시형태에 따른 시트 절단 장치, 칩 제조 장치, 시트 절단 방법, 칩 제조 방법, 및 시트 절단 프로그램을 설명한다. 그러나, 본 발명이 다음의 실시형태에 제한되는 것이 아님을 유념한다. 설명의 명확화를 위해, 다음의 설명 및 도면은 적절하게 단순화되어 있다.The sheet cutting device, chip manufacturing device, sheet cutting method, chip manufacturing method, and sheet cutting program according to each embodiment of the present invention will be described. However, it should be noted that the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description and drawings are appropriately simplified.

<제 1 실시형태>&Lt; First Embodiment >

제 1 실시형태에 따른 칩 제조 장치는, 도시 생략되었지만, 웨이퍼의 전면에 시트를 부착하여 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 시트를 박리한 후 웨이퍼의 이면에 시트를 부착하여 웨이퍼를 다이싱한다. 웨이퍼는 일반적인 웨이퍼와 같이 원반 형상을 가지지만, 그 형상은 특별히 제한되지 않는다.In the chip manufacturing apparatus according to the first embodiment, although not shown, the sheet is attached to the front surface of the wafer to grind the back surface of the wafer, the sheet is peeled off, and the sheet is attached to the back surface of the wafer to dice the wafer. The wafer has a disk shape like a normal wafer, but the shape is not particularly limited.

요컨대, 제 1 실시형태의 하나의 주요 특징은 칩 제조 장치에서 웨이퍼에 부착된 시트(특히, 표면 보호 시트)를 절단하는 장치이다. 따라서, 다음 설명에서, 시트 절단 장치를 상세하게 설명하며, 다른 컴포넌트의 설명을 생략한다.In short, one main feature of the first embodiment is an apparatus for cutting a sheet (particularly a surface protective sheet) attached to a wafer in a chip manufacturing apparatus. Therefore, in the following description, the sheet cutting device is described in detail, and description of other components is omitted.

더 구체적으로, 도 1에 나타낸 바와 같이, 시트 절단 장치(1)는 지지부(2), 레이저 빔 출력부(3), 및 컨트롤러(4)를 포함한다.More specifically, as shown in FIG. 1, the sheet cutting device 1 includes a support 2, a laser beam output 3, and a controller 4.

지지부(2)는 시트(5)가 부착된 전면을 갖는 웨이퍼(6)를 지지한다. 이 실시형태에 따른 지지부(2)는, 웨이퍼(6)의 전면 측이 상향이 되도록 웨이퍼(6)를 지지한다. 시트(5)는 일반적으로 사용되는 시트일 수 있다. 구체적으로, 시트(5)는, 예를 들면 합성 수지로 이루어진 시트 부재이며, 웨이퍼(6)의 표면에 열 압착된다.The support 2 supports the wafer 6 with the front surface to which the sheet 5 is attached. The support part 2 which concerns on this embodiment supports the wafer 6 so that the front surface side of the wafer 6 may be upward. The sheet 5 may be a sheet generally used. Specifically, the sheet 5 is a sheet member made of, for example, a synthetic resin, and is thermally press-bonded to the surface of the wafer 6.

도 2에 나타낸 바와 같이 지지부(2)는, 예를 들면 X축 방향, Y축 방향, 및 Z축 방향으로 가동되고, X축 및 Y축을 포함하는 평면에서 축선(회전각(θ))으로서 웨이퍼(6)의 거의 중심에 대해 회전하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2, the support part 2 is movable in an X-axis direction, a Y-axis direction, and a Z-axis direction, for example, and is a wafer as an axis line (rotation angle (theta)) in the plane containing an X-axis and a Y-axis. It is preferable to rotate about the center of (6).

레이저 빔 출력부(3)는 지지부(2) 상방에 배치된다. 레이저 빔 출력부(3)는 일반적인 레이저 빔 출력부와 마찬가지로, 레이저 발진기, 반사 거울, 집광 렌즈 등을 포함한다. 레이저 빔 출력부(3)는 어떠한 구조도 가질 수 있다. 예를 들면, 레이저 빔 출력부(3)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔 출력부(3)의 이동 궤적에 따라 레이저 빔(L)이 조사되는 위치를 이동시킬 수 있으며, 또는 도 3에 나타낸 바와 같이 레이저 빔 출력부(3)를 고정하고 레이저 빔(L) 자체의 조사 위치를 이동시킬 수 있다.The laser beam output part 3 is disposed above the support part 2. The laser beam output unit 3 includes a laser oscillator, a reflecting mirror, a condenser lens, and the like like a general laser beam output unit. The laser beam output unit 3 may have any structure. For example, as shown in FIG. 1, the laser beam output unit 3 may move the position where the laser beam L is irradiated according to the movement trajectory of the laser beam output unit 3, or as illustrated in FIG. 3. As shown, the laser beam output unit 3 can be fixed and the irradiation position of the laser beam L itself can be moved.

레이저 빔 출력부(3)는 웨이퍼(6)의 외주를 따라 웨이퍼(6)의 표면에 부착된 시트(5)를 절단하기 위해 레이저 빔(L)을 출사한다. 요컨대, 레이저 빔 출력부(3)는 웨이퍼(6)의 외주 근방에 레이저 빔(L)을 조사한다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔(L)에 의해 시트(5)가 절단될 때, 시트(5)가 팽팽히 유지되게 프레임(7)에 부착된다. 웨이퍼(6)는 프레임(7)의 중공부에 배치된다.The laser beam output unit 3 emits a laser beam L to cut the sheet 5 attached to the surface of the wafer 6 along the outer circumference of the wafer 6. That is, the laser beam output part 3 irradiates the laser beam L to the outer periphery vicinity of the wafer 6. As shown in FIG. 3, when the sheet 5 is cut by the laser beam L, the sheet 5 is attached to the frame 7 so as to be kept taut. The wafer 6 is disposed in the hollow portion of the frame 7.

이 때, 레이저 빔(L)이 조사되는 시트(5) 상의 위치는, 지지부(2)를 고정하고 컨트롤러(4)에 의해 레이저 빔(L)이 출사되는 레이저 빔 출력부(3)의 위치를 제어함으로써, 제어될 수 있다. 그렇지 않으면, 레이저 빔(L)이 조사되는 시트(5) 상의 위치는, 레이저 빔(L)이 출사되는 레이저 빔 출력부(3)의 위치를 고정하고 컨트롤러(4)에 의해 지지부(2)의 위치를 제어함으로써, 제어될 수 있다.At this time, the position on the sheet 5 to which the laser beam L is irradiated fixes the position of the laser beam output part 3 on which the support part 2 is fixed and the laser beam L is emitted by the controller 4. By controlling, it can be controlled. Otherwise, the position on the sheet 5 to which the laser beam L is irradiated fixes the position of the laser beam output portion 3 from which the laser beam L is emitted and is controlled by the controller 4 by the controller 4. By controlling the position, it can be controlled.

레이저 빔(L)의 출력은 컨트롤러(4)에 의해 제어된다. 레이저 빔(L)의 출력은, 예를 들면 시트(5)의 재질, 두께 등을 고려하여 적절하게 설정된다. 예를 들면, 레이저 빔의 출력이 클 경우에는, 시트(5)의 용융 속도가 높고, 절단부가 재응고되어, 시트(5)의 절단을 어렵게 한다. 한편, 레이저 빔의 출력이 작을 경우에는, 시트(5)의 용융 속도가 낮고 시트(5)를 빠르게 절단하는 것이 불가능하다. 따라서, 레이저 빔의 출력을 충분한 용융 속도를 달성하도록 설정한다.The output of the laser beam L is controlled by the controller 4. The output of the laser beam L is appropriately set in consideration of the material, thickness, and the like of the sheet 5, for example. For example, when the output of the laser beam is large, the melting speed of the sheet 5 is high, and the cut portion is solidified again, making it difficult to cut the sheet 5. On the other hand, when the output of the laser beam is small, the melting speed of the sheet 5 is low and it is impossible to cut the sheet 5 quickly. Thus, the output of the laser beam is set to achieve a sufficient melt rate.

레이저 빔(L)은 시트(5)를 통과해서 웨이퍼(6)에 조사되는 경우에도, 레이저 빔(L)이 웨이퍼(6)에 악영향을 끼치지 않는 것이 바람직하다. 예를 들면, 웨이퍼(6)는 일반적으로 실리콘으로 이루어지므로, CO2 레이저 빔, 그린 레이저 빔 등을 레이저 빔(L)으로서 사용하는 것이 바람직하다.Even when the laser beam L is irradiated to the wafer 6 through the sheet 5, it is preferable that the laser beam L does not adversely affect the wafer 6. For example, since the wafer 6 is generally made of silicon, it is preferable to use a CO 2 laser beam, a green laser beam, or the like as the laser beam L. FIG.

전술한 바와 같이, 컨트롤러(4)는 지지부(2) 및 레이저 빔 출력부(3)를 제어한다. 컨트롤러(4)는 컨트롤러(4)에 저장된 프로그램에 의거하여 지지부(2) 또는 레이저 빔 출력부(3)의 제어를 행할 수 있으며, 또는 하드웨어 리소스를 이용하여 제어를 행할 수 있다.As described above, the controller 4 controls the support 2 and the laser beam output 3. The controller 4 can control the support 2 or the laser beam output unit 3 based on a program stored in the controller 4, or can perform control using hardware resources.

전술한 시트 절단 장치(1)는 도 4에 나타난 바와 같이 동작한다. 우선, 이송 메커니즘(도시 생략)은 시트(5)가 부착된 전면을 갖는 웨이퍼(6)를 지지부(2) 상에 위치시킨다(S1).The sheet cutting device 1 described above operates as shown in FIG. First, the transfer mechanism (not shown) positions the wafer 6 having the front surface to which the sheet 5 is attached on the support 2 (S1).

다음으로, 컨트롤러(4)는 출사되는 레이저 빔(L)이 소정의 출력을 갖도록 레이저 빔 출력부(3)를 제어한다(S2). 동시에, 웨이퍼(6)의 외주 근방에 레이저 빔(L)이 조사되도록, 지지부(2) 또는 레이저 빔 출력부(3)의 위치를 제어한다(S3). 따라서, 웨이퍼(6)의 외주 근방에 레이저 빔 출력부(3)로부터 출사된 레이저 빔(L)이 조사된다.Next, the controller 4 controls the laser beam output unit 3 so that the laser beam L emitted has a predetermined output (S2). At the same time, the position of the support part 2 or the laser beam output part 3 is controlled so that the laser beam L is irradiated to the outer periphery vicinity of the wafer 6 (S3). Therefore, the laser beam L emitted from the laser beam output part 3 is irradiated to the outer periphery vicinity of the wafer 6.

이어서, 컨트롤러(4)는 레이저 빔(L)이 조사되는 위치가 웨이퍼(6)의 외주 근방을 따라, 즉 웨이퍼(6)의 원주 방향으로 이동하도록, 지지부(2) 또는 레이저 빔 출력부(3)를 제어한다(S4). 따라서, 레이저 빔(L)이 조사되는 시트(5)의 위치가 용융되어, 레이저 빔(L)이 조사된 시트(5)의 외측부, 즉 웨이퍼(6)의 외주로부터 외측으로 돌출된 시트(5)의 부분이 웨이퍼(6)의 외주에서 내측에 위치된 부분으로부터 절단된다.Subsequently, the controller 4 supports the support 2 or the laser beam output 3 so that the position where the laser beam L is irradiated moves along the outer circumference of the wafer 6, that is, in the circumferential direction of the wafer 6. ) Is controlled (S4). Therefore, the position of the sheet 5 to which the laser beam L is irradiated is melted, and the sheet 5 protruding outward from the outer portion of the sheet 5 to which the laser beam L is irradiated, that is, from the outer periphery of the wafer 6. ) Is cut from the portion located inward at the outer circumference of the wafer 6.

웨이퍼(6)의 외주 근방 전체에 레이저 빔(L)이 조사되었을 경우, 컨트롤러(4)는 레이저 빔 출력부(3)에 의한 레이저 빔(L)의 출사를 정지하고, 지지부(2) 또는 레이저 빔 출력부(3)의 제어를 종료한다(S5). 따라서, 웨이퍼(6)의 외주로부터 외측으로 돌출된 시트(5)의 부분이 제거된다.When the laser beam L is irradiated to the whole outer periphery vicinity of the wafer 6, the controller 4 stops the emission of the laser beam L by the laser beam output part 3, and the support part 2 or a laser The control of the beam output unit 3 is terminated (S5). Therefore, the part of the sheet | seat 5 which protruded outward from the outer periphery of the wafer 6 is removed.

상술한 바와 같이 시트(5)가 레이저 빔(L)에 의해 절단됨으로써, 시트(5)의 절단 시에 웨이퍼(6)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the sheet 5 is cut by the laser beam L, so that the wafer 6 can be prevented from being damaged when the sheet 5 is cut.

도 5에 나타낸 바와 같이, 일반적인 웨이퍼(6)의 측면은 만곡면을 가지고, 웨이퍼(6)의 연마 시에 시트(5)와 웨이퍼(6)의 부착 단부 근방에서 응력 집중이 일어난다. 웨이퍼(6)와의 부착 단부로부터 돌출되는 시트(5)의 부분을 줄이기 위해, 시트(5)를 부착 단부 근방에서 절단하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 수직 방향에서 봤을 때 웨이퍼(6)의 만곡 영역(R)에서 시트가 절단되는 것이 바람직하다. 이 경우, 일반적인 시트 절단 장치와 달리, 커터 블레이드에 의해 야기되는 웨이퍼(6)에의 손상이 없어, 양호한 상태에서 웨이퍼(6)와의 접촉 단부에 매우 근접한 위치에서 시트(5)를 절단할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(6)에의 연삭 시의 손상을 억제할 수 있다. 또는, 시트(5)와 웨이퍼(6)의 부착 단부 내측에서 시트(5)를 절단할 수 있다.As shown in FIG. 5, the side surface of the general wafer 6 has a curved surface, and stress concentration occurs in the vicinity of the attachment end of the sheet 5 and the wafer 6 during polishing of the wafer 6. In order to reduce the portion of the sheet 5 protruding from the attachment end with the wafer 6, it is preferable to cut the sheet 5 near the attachment end. For example, it is preferable that the sheet is cut in the curved region R of the wafer 6 when viewed in the vertical direction. In this case, unlike the general sheet cutting apparatus, there is no damage to the wafer 6 caused by the cutter blade, and the sheet 5 can be cut at a position very close to the contact end with the wafer 6 in a good state. Therefore, damage to the wafer 6 during grinding can be suppressed. Alternatively, the sheet 5 can be cut inside the attachment ends of the sheet 5 and the wafer 6.

<제 2 실시형태>&Lt; Second Embodiment >

제 2 실시형태에 따른 칩 제조 장치는 제 1 실시형태에 따른 칩 제조 장치와 거의 유사한 구조를 갖는다. 제 2 실시형태에 따른 칩 제조 장치에서는, 시트 절단 장치가 시트(5)를 고정밀도로 절단할 수 있는 구조를 갖는다. 다음 설명에서, 중복 설명을 생략하고, 동일한 구성 요소에 동일한 부호를 부여한다.The chip manufacturing apparatus according to the second embodiment has a structure substantially similar to the chip manufacturing apparatus according to the first embodiment. In the chip manufacturing apparatus according to the second embodiment, the sheet cutting device has a structure capable of cutting the sheet 5 with high accuracy. In the following description, redundant descriptions are omitted, and like reference numerals designate like elements.

도 6에 나타낸 바와 같이, 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치(10)는 지지부(2), 레이저 빔 출력부(3), 및 컨트롤러(4) 이외에도 촬상부(11)를 포함한다.As shown in FIG. 6, the sheet cutting device 10 according to the second embodiment includes an imaging section 11 in addition to the support section 2, the laser beam output section 3, and the controller 4.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제 2 실시형태에 따르면 하나 또는 복수의 정렬 마크(13)가 웨이퍼(12)의 표면에 형성된다. 정렬 마크(13)는 촬상부(11)에 의해 촬상될 수 있도록 형성되며, 도 8에 나타낸 예에서 십자가 형상으로 형성된다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.As shown in FIG. 7, according to the second embodiment, one or a plurality of alignment marks 13 are formed on the surface of the wafer 12. The alignment mark 13 is formed to be imaged by the imaging section 11, and is formed in a cross shape in the example shown in FIG. However, it is not limited thereto.

정렬 마크(13)는, 예를 들면 상품화되지 않는 칩 부분(예를 들면, 테스트에 이용되는 칩 부분)에 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 다이싱용 마크가, 예를 들면 정렬 마크(13)로서 사용될 수 있다.It is preferable that the alignment mark 13 is formed in the chip part (for example, the chip part used for a test) which is not commercialized. Also, a mark for dicing can be used, for example, as the alignment mark 13.

정렬 마크(13)가 시트(5)를 통해 촬상되므로, 시트(5)로서 투명 또는 반투명 시트를 사용하는 것이 바람직하다.Since the alignment mark 13 is imaged through the sheet 5, it is preferable to use a transparent or translucent sheet as the sheet 5.

촬상부(11)는 지지부(2) 상방에 배치된다. 이 촬상부(11)는 웨이퍼(12)의 정렬 마크(13)를 적어도 하나 촬상할 수 있도록 배치된다. 촬상부(11)는 일반적인 촬상 디바이스와 마찬가지로, CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 또는 CCD(charge coupled device image sensor) 등의 촬상 디바이스를 포함하며, 획득된 이미지를 컨트롤러(4)에 출력한다.The imaging part 11 is arrange | positioned above the support part 2. This imaging section 11 is arranged to capture at least one alignment mark 13 of the wafer 12. The image capturing unit 11 includes an image capturing device such as a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) or a charge coupled device image sensor (CCD), similar to a general image capturing device, and outputs the obtained image to the controller 4.

컨트롤러(4)는 입력된 이미지에 의거하여 지지부(2)의 위치를 제어한다. 구체적으로, 컨트롤러(4)는 입력된 이미지로부터 정렬 마크(13)의 위치를 특정하고, 정렬 마크(13)가 소정의 위치에 위치되도록 지지부(2)의 위치를 제어한다.The controller 4 controls the position of the support 2 based on the input image. Specifically, the controller 4 specifies the position of the alignment mark 13 from the input image, and controls the position of the support 2 so that the alignment mark 13 is positioned at a predetermined position.

시트 절단 장치(10)는 도 9에 나타낸 바와 같이 동작한다. 구체적으로, 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치(1)의 동작에서 S1 공정과 S2 공정 사이에 다음의 공정이 행해진다.The sheet cutting device 10 operates as shown in FIG. Specifically, in the operation of the sheet cutting device 1 according to the first embodiment, the following step is performed between the S1 step and the S2 step.

우선, 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치(1)와 마찬가지로, S1 공정이 행해진다. 이어서, 컨트롤러(4)는 촬상부(11)를 제어해서, 촬상부(11)가 시트(5)를 통해 웨이퍼(6)의 정렬 마크(13)를 촬상하게 한다(S11). 촬상부(11)는 획득된 이미지를 컨트롤러(4)에 출력한다(S12).First, S1 process is performed similarly to the sheet cutting device 1 which concerns on 1st Embodiment. Subsequently, the controller 4 controls the imaging unit 11 to cause the imaging unit 11 to image the alignment mark 13 of the wafer 6 through the sheet 5 (S11). The imaging unit 11 outputs the acquired image to the controller 4 (S12).

다음으로, 컨트롤러(4)는, 예를 들면 정렬 마크(13)의 위치 정보를 획득하기 위해, 입력 이미지에 2치화 처리를 행하고, 특징 포인트를 추출한다(S13).Next, the controller 4 performs a binarization process on the input image and extracts the feature points, for example, in order to obtain the positional information of the alignment mark 13 (S13).

다음으로, 컨트롤러(4)는 사전에 정렬 마크(13)의 정상 위치 정보를 포함한다. 컨트롤러(4)는 정렬 마크(13)의 정상 위치 정보와 촬상된 정렬 마크(13)의 정상 위치 정보를 비교하고, 도 2에 나타낸 바와 같이 지지부(2)의 X축 방향, Y축 방향, 및 회전각(θ)을 제어해서, 촬상된 정렬 마크(13)가 정상 위치에 위치되게 한다(S14).Next, the controller 4 includes the normal position information of the alignment mark 13 in advance. The controller 4 compares the normal position information of the alignment mark 13 with the normal position information of the imaged alignment mark 13, and as shown in FIG. 2, the X-axis direction, the Y-axis direction, and The rotation angle θ is controlled so that the imaged alignment mark 13 is positioned at the normal position (S14).

다음의 공정은, 제 1 실시형태에 따른 시트 절단 장치(1)와 마찬가지로, S2 내지 S5의 공정을 포함한다. 지지부(2)의 위치를 제어하기 위해 정렬 마크(13)를 촬상하는 공정 및 시트(5)를 절단하는 공정은 동일한 위치에서 행해질 수 있다. 그렇지 않으면, 도 6에 나타낸 바와 같이, 정렬 마크(13)를 촬상하고 지지부(2)의 위치를 제어한 후, 시트(5)의 절단을 위해 지지부(2)를 이송 메커니즘(도시 생략)에 의해 이동시킬 수 있다.The following process includes the process of S2-S5 similarly to the sheet cutting device 1 which concerns on 1st Embodiment. The process of imaging the alignment mark 13 and the process of cutting the sheet 5 to control the position of the support 2 can be performed at the same position. Otherwise, as shown in FIG. 6, after imaging the alignment mark 13 and controlling the position of the support 2, the support 2 is moved by a transfer mechanism (not shown) for cutting the sheet 5. You can move it.

이렇게, 절단되는 시트(5)의 위치가 웨이퍼(6)에 형성된 정렬 마크(13)의 위치 정보에 의거해서 제어된다. 따라서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(6)와 시트(5)의 부착 단부의 외주 근방을 따라 레이저 빔(L) 의해 시트(5)를 정밀하게 절단할 수 있다.In this way, the position of the sheet 5 to be cut is controlled based on the positional information of the alignment mark 13 formed on the wafer 6. Therefore, as shown in FIG. 5, the sheet | seat 5 can be cut | disconnected precisely by the laser beam L along the outer periphery vicinity of the attachment end of the wafer 6 and the sheet | seat 5. FIG.

<제 3 실시형태>&Lt; Third Embodiment >

제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치(10)는 웨이퍼(6)의 전면에 부착된 시트(5)를 절단하지만, 제 3 실시형태에 따른 시트 절단 장치(20)는 웨이퍼(6)의 이면에 부착된 시트(21)를 절단한다. 다음의 설명에서, 중복 설명을 생략하고, 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 부여한다.The sheet cutting device 10 according to the second embodiment cuts the sheet 5 attached to the front surface of the wafer 6, but the sheet cutting device 20 according to the third embodiment is placed on the back surface of the wafer 6. The attached sheet 21 is cut off. In the following description, redundant description is omitted, and like reference numerals denote like elements.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제 3 실시형태에 따른 시트 절단 장치(20)는, 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치(10)와 거의 마찬가지로, 지지부(22), 레이저 빔 출력부(3), 컨트롤러(4), 및 촬상부(23)를 포함한다.As shown in FIG. 10, the sheet | seat cutting apparatus 20 which concerns on 3rd Embodiment is substantially the same as the sheet | seat cutting apparatus 10 which concerns on 2nd Embodiment, The support part 22, the laser beam output part 3, The controller 4 and the imaging unit 23 are included.

지지부(22)는, 시트(21)가 부착된 웨이퍼(6)의 이면 측이 상향으로 배치되도록 웨이퍼(6)를 지지한다. 이 때, 웨이퍼(6)의 전면에 형성된 정렬 마크는 지지부(22) 측에 배치된다. 제 3 실시형태에 따른 지지부(22)는, 지지부(22) 하방에 배치된 촬상부(23)에 의해 지지부(22)를 통해 정렬 마크를 촬상할 수 있는 구조를 갖는다. 예를 들면, 지지부(22)는 광이 통과할 수 있는 글래스 등의 부재로 형성된다. 또는, 지지부(22)는 정렬 마크를 촬상할 수 있는 중공부를 가질 수 있다.The support part 22 supports the wafer 6 so that the back surface side of the wafer 6 to which the sheet 21 is attached is arranged upward. At this time, the alignment mark formed on the front surface of the wafer 6 is disposed on the support 22 side. The support part 22 which concerns on 3rd Embodiment has a structure which can image an alignment mark through the support part 22 by the imaging part 23 arrange | positioned under the support part 22. FIG. For example, the support portion 22 is formed of a member such as glass through which light can pass. Alternatively, the support portion 22 may have a hollow portion capable of imaging the alignment mark.

따라서, 제 3 실시형태에 따른 시트 절단 장치(20)는 제 2 실시형태에 따른 시트 절단 장치(10)와 동일한 공정으로 웨이퍼(6)의 이면에 부착된 시트(21)를 절단할 수 있다.Therefore, the sheet cutting device 20 according to the third embodiment can cut the sheet 21 attached to the back surface of the wafer 6 in the same process as the sheet cutting device 10 according to the second embodiment.

웨이퍼(6)의 이면에 부착된 시트(21)는 제 3 실시형태에 따른 시트 절단 장치(20)에서 절단되는 한편, 웨이퍼(6)의 전면에 부착된 시트가 비투과성이고 정렬 마크가 웨이퍼(6)의 이면에 형성되는 경우에도 동일한 동작을 행할 수 있다.The sheet 21 attached to the rear surface of the wafer 6 is cut by the sheet cutting device 20 according to the third embodiment, while the sheet attached to the front surface of the wafer 6 is impermeable and the alignment mark is the wafer ( The same operation can be performed even when formed on the back side of 6).

<제 4 실시형태>&Lt; Fourth Embodiment &

제 2 및 제 3 실시형태에서는 지지부(2)(22)의 위치가 정렬 마크의 위치 정보에 의거하여 제어되지만, 레이저 빔 출력부(3)에 의해 레이저 빔(L)이 조사되는 시트(5)(21) 상의 위치를 제어할 수 있다.In the second and third embodiments, the positions of the support parts 2 and 22 are controlled based on the positional information of the alignment marks, but the sheet 5 to which the laser beam L is irradiated by the laser beam output part 3 is provided. The position on 21 can be controlled.

이 경우, 컨트롤러(4)는 사전에 정렬 마크와 연관된 레이저 빔 출력부(3)의 위치 정보를 포함하고, 레이저 빔 출력부(3)의 위치 정보가 촬상되는 정렬 마크의 위치 정보와 일치하도록 레이저 빔 출력부(3)의 위치를 제어한다.In this case, the controller 4 includes the positional information of the laser beam output unit 3 previously associated with the alignment mark, and the laser so that the positional information of the laser beam output unit 3 matches the positional information of the alignment mark to be imaged. The position of the beam output unit 3 is controlled.

본 발명은 상술한 실시형태에 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 사상에서 벗어나지 않고 적절히 변경될 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.

실시형태에서 기술된 시트(5)는 합성 수지로 이루어진 시트이지만, 웨이퍼(6)의 전면 또는 이면에 부착할 수 있는 한, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(6)의 표면을 성형하는 수지층이 시트에 일체로 형성되는 부재도 절단될 수 있다.The sheet 5 described in the embodiment is a sheet made of synthetic resin, but is not particularly limited as long as it can be attached to the front or rear surface of the wafer 6. For example, the member in which the resin layer which forms the surface of the wafer 6 is integrally formed in the sheet | seat can also be cut | disconnected.

실시형태에 따른 레이저 빔(L)으로서 CO2 레이저 빔 또는 그린 레이저 빔을 사용했지만, 다른 레이저 빔도 사용할 수 있다.Although the CO 2 laser beam or the green laser beam was used as the laser beam L according to the embodiment, other laser beams can also be used.

본 발명의 일 실시형태에 따르면 웨이퍼에 부착된 시트가 절단되지만, 시트가 부착된 부재는 특별히 제한되지 않는다.According to one embodiment of the present invention, the sheet attached to the wafer is cut, but the member to which the sheet is attached is not particularly limited.

본 발명을 실시형태를 참조하여 특별히 도시 및 설명했지만, 본 발명이 이들 실시형태로 제한되는 것은 아니다. 특허청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주에서 일탈하지 않고 그 내에서 형태 및 세부의 다양한 변경이 일어날 수 있음을, 당업자는 이해할 것이다.Although this invention was shown and demonstrated especially with reference to embodiment, this invention is not restrict | limited to these embodiment. Those skilled in the art will appreciate that various changes in form and detail may occur therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the claims.

임의의 종류의 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체를 이용하여, 프로그램이 저장되고 컴퓨터에 제공될 수 있다. 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체는 임의의 종류의 유형의 저장 매체를 포함한다. 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체의 예는, 자기 저장 매체(플로피 디스크, 자기 테이프, 하드 디스크 드라이브 등), 광학 자기 저장 매체(예를 들면, 자기-광 디스크), CD-ROM(콤팩트 디스크 판독 전용 메모리), CD-R(콤팩트 디스크 기록 가능), CD-R/W(재기록 가능한 콤팩트 디스크), 반도체 메모리((마스크 ROM, PROM(Programmable ROM), EPROM(지우기 가능한 PROM), 플래시 ROM, RAM(random access memory) 등)를 포함한다. 프로그램은 임의의 종류의 일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체를 사용하여 컴퓨터에 제공될 수 있다. 일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체의 예는 전기 신호, 광 신호, 및 전자기파를 포함한다. 일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체는 유선 통신선(예를 들면, 전선 및 광 섬유) 또는 무선 통신선을 통해 컴퓨터에 프로그램을 제공할 수 있다.Using any kind of non-transitory computer readable medium, the program may be stored and provided to a computer. Non-transitory computer readable media includes any type of tangible storage medium. Examples of non-transitory computer readable media include magnetic storage media (floppy disks, magnetic tapes, hard disk drives, etc.), optical magnetic storage media (eg, magnetic-optical disks), CD-ROM (compact disk read-only memories). ), CD-R (Compact Disc Recordable), CD-R / W (Rewritable Compact Disc), Semiconductor Memory ((Mask ROM, PROM (Programmable ROM), EPROM (Erasable PROM), Flash ROM, RAM (random access memory, etc.) A program may be provided to a computer using any kind of temporary computer readable medium Examples of temporary computer readable medium include electrical signals, optical signals, and electromagnetic waves. Transitory computer readable media can provide a program to a computer via a wired communication line (eg, wire and optical fiber) or a wireless communication line.

1 : 시트 절단 장치
2, 22 : 지지부
3 : 레이저 빔 출력부
4 : 컨트롤러
5, 21 : 시트
6, 12 : 웨이퍼
11 : 촬상부
13 : 정렬 마크
L : 레이저 빔
R : 만곡 영역
1: sheet cutting device
2, 22: support
3: laser beam output unit
4: controller
5, 21: Sheet
6, 12: wafer
11: imaging unit
13: alignment mark
L: laser beam
R: curved area

Claims (11)

피부착 부재에 부착된 시트를 레이저 빔에 의해 상기 피부착 부재의 외주를 따라 절단하는 시트 절단 장치.A sheet cutting device for cutting a sheet attached to the adherend along the outer periphery of the adherend by a laser beam. 제 1 항에 있어서,
상기 시트와 상기 피부착 부재 사이의 부착부의 에지 근방에서 상기 시트를 절단하는 시트 절단 장치.
The method of claim 1,
And a sheet cutting device for cutting the sheet in the vicinity of an edge of an attachment portion between the sheet and the adhesion member.
제 1 항에 있어서,
상기 피부착 부재는 반도체 웨이퍼이고, 상기 시트는 상기 반도체 웨이퍼에 열적 영향(thermal influence)을 주지 않는 레이저 빔에 의해 절단되는 시트 절단 장치.
The method of claim 1,
And the adherend member is a semiconductor wafer, and the sheet is cut by a laser beam that does not thermally affect the semiconductor wafer.
제 1 항에 있어서,
레이저 빔 출력 수단,
상기 피부착 부재를 지지하는 지지 수단,
상기 피부착 부재를 촬상하는 촬상 수단, 및
상기 레이저 빔 출력 수단 및 상기 지지 수단 중 하나의 위치를 제어하는 제어 수단을 포함하고,
상기 피부착 부재에는 정렬 마크가 형성되고, 상기 제어 수단은 상기 촬상 수단에 의해 촬상된 상기 정렬 마크의 위치 정보에 의거하여 상기 레이저 빔 출력 수단 및 상기 지지 수단 중 하나를 제어하는 시트 절단 장치.
The method of claim 1,
Laser beam output means,
Support means for supporting the adherend,
Imaging means for imaging the adherend, and
Control means for controlling the position of one of said laser beam output means and said support means,
An alignment mark is formed on the adherend, and the control means controls one of the laser beam output means and the support means based on the positional information of the alignment mark picked up by the imaging means.
제 1 항에 기재된 시트 절단 장치를 포함하는 칩 제조 장치.The chip manufacturing apparatus containing the sheet cutting apparatus of Claim 1. 피부착 부재에 부착된 시트를 레이저 빔에 의해 상기 피부착 부재의 외주를 따라 절단하는 시트 절단 방법.And a sheet attached to the adherent member along the outer periphery of the adherend with a laser beam. 제 6 항에 있어서,
상기 시트와 상기 피부착 부재 사이의 부착부의 에지 근방에서 상기 시트를 절단하는 것을 포함하는 시트 절단 방법.
The method according to claim 6,
And cutting the sheet in the vicinity of the edge of the attachment portion between the sheet and the adherent member.
제 6 항에 있어서,
상기 피부착 부재는 반도체 웨이퍼이고, 상기 시트는 상기 반도체 웨이퍼에 열적 영향을 주지 않는 레이저 빔에 의해 절단되는 시트 절단 방법.
The method according to claim 6,
And the adherend member is a semiconductor wafer, and the sheet is cut by a laser beam that does not thermally affect the semiconductor wafer.
제 6 항에 있어서,
상기 피부착 부재에 형성된 정렬 마크의 위치 정보를 획득하는 단계, 및
상기 획득된 정렬 마크의 위치 정보에 의거하여, 레이저 빔 출력 수단 및 상기 피부착 부재를 지지하는 지지 수단 중 하나를 제어하는 단계를 포함하는 시트 절단 방법.
The method according to claim 6,
Acquiring position information of an alignment mark formed on the adherent member, and
Controlling one of laser beam output means and support means for supporting the adherend, based on the obtained positional information of the alignment mark.
제 6 항에 기재된 시트 절단 방법을 포함하는 칩 제조 방법.The chip manufacturing method containing the sheet cutting method of Claim 6. 피부착 부재에 형성된 정렬 마크의 위치 정보를 획득하는 처리,
상기 획득된 정렬 마크의 위치 정보에 의거하여, 레이저 빔 출력 수단 및 상기 피부착 부재를 지지하는 지지 수단 중 하나를 제어하는 처리, 및
상기 피부착 부재에 부착된 시트를 상기 레이저 빔 출력 수단으로부터 출사된 레이저 빔에 의해 상기 피부착 부재의 외주를 따라 절단하는 처리를 컴퓨터에 실행시키는 시트 절단 프로그램.
A process of acquiring position information of the alignment mark formed on the adherend member,
A process for controlling one of laser beam output means and support means for supporting the adherend, based on the obtained positional information of the alignment mark, and
A sheet cutting program for causing a computer to execute a process of cutting a sheet attached to the adherent member along the outer periphery of the adherend by a laser beam emitted from the laser beam output means.
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2666788B2 (en) * 1995-10-19 1997-10-22 日本電気株式会社 Manufacturing method of chip size semiconductor device
JPH1027836A (en) * 1996-07-11 1998-01-27 Sony Corp Manufacture of semiconductor device and semiconductor manufacturing device
JPH1032179A (en) * 1996-07-15 1998-02-03 Teikoku T-Pingu Syst Kk Cutting of masking sheet for silicon wafer processing use
JP3447518B2 (en) * 1996-08-09 2003-09-16 リンテック株式会社 Adhesive sheet sticking apparatus and method
KR19990039352U (en) * 1998-04-09 1999-11-05 김영환 Cutting device of semiconductor equipment
JP3303294B2 (en) * 1999-06-11 2002-07-15 株式会社東京精密 Cutting method of semiconductor protective tape
JP4475772B2 (en) * 2000-08-08 2010-06-09 日東電工株式会社 Protective tape application method and protective tape application device
JP3938655B2 (en) * 2000-08-25 2007-06-27 東レエンジニアリング株式会社 Alignment device
JP4618859B2 (en) * 2000-10-10 2011-01-26 東レエンジニアリング株式会社 Laminated wafer alignment method
JP2006351599A (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dicing method
JP5167089B2 (en) * 2008-11-20 2013-03-21 リンテック株式会社 Support apparatus, support method, dicing apparatus, and dicing method
US8680430B2 (en) * 2008-12-08 2014-03-25 Electro Scientific Industries, Inc. Controlling dynamic and thermal loads on laser beam positioning system to achieve high-throughput laser processing of workpiece features
JP2010165881A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Lintec Corp Holding device for semiconductor wafer, and holding methodtherefor
JP5572045B2 (en) * 2010-09-09 2014-08-13 リンテック株式会社 Sheet sticking device and sticking method

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