KR20130115089A - 텍스쳐화된 알루미나 층 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 제거에 의해 기계가공하는 절삭 공구 인서트에 관한 것으로, 이 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 이 본체에는 경질의 내마모성 코팅이 CVD 에 의해 증착된다. 상기 코팅은 0.5㎛ ~ 40㎛ 의 두께를 갖는 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하고, 이 α-Al2O3 층은 훌륭한 마모성과 금속 절삭 성능을 나타내는 {01-15} 및/또는 {10-15} 텍스쳐를 갖는다.

Description

텍스쳐화된 알루미나 층{TEXTURED ALUMINA LAYER}
본 발명은 텍스쳐화된 알파-알루미나 (α-Al2O3) 층으로 코팅된 본체를 포함하는 코팅된 절삭 공구에 관한 것이고, 또한 이러한 코팅된 절삭 공구를 제조하는 방법 및 이의 용도에 관한 것이다. 이 층은 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해 성장되고, 본 발명은 칩 형성 기계가공에서 훌륭한 마모성과 우수한 성능을 가지는 산화 층을 제공한다.
통상적으로, CVD 알루미나계 코팅은 카보니트라이드 티타늄의 내층과 α-Al2O3 의 외층으로 구성된다. 약 15 년 전에, 층 (텍스쳐) 의 결정학적 방향을 제어함으로써 알루미나층의 추가의 개선이 가능하다는 것이 발견되었다. 이는, 핵생성 및 성장 시퀀스 (sequence), 층 결합, 반응 가스의 시퀀싱 및 텍스쳐 변형제의 추가를 포함하는 새로운 합성 경로의 개발 및/또는 알루미나 변환층의 이용에 의해 가능하게 되었다. 일반적으로, 텍스쳐는 X-레이 회절 (XRD) 기술과 텍스쳐 계수의 개념을 이용하여 평가된다.
다양한 결합/ 핵생성 층 및 성장 시퀀스를 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성
US 7094447 호는 향상된 내마모성과 인성을 갖는 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. α-Al2O3 층은 알루미나이징 (aluminizing) 및 산화 단계로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti,Al)(C,O,N) 결합층 상에 형성된다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {012} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 7442431 호는 숏 펄스 (short pulses) 및 Ti 함유 펄스와 산화 펄스의 퍼지로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {110} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 7455900 호는 숏 펄스 및 Ti + Al 펄스와 산화 펄스로 이루어지는 퍼지로 구성된 핵생성 시퀀스를 이용하여 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {116} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 7442432 호는 US 7455900 호에 기재된 기술과 유사하지만 변경된 기술로 (Ti, Al)(C, O, N) 결합층 상에 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {104} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 2007104945 호는 핵생성이 제어된 α-Al2O3 층 텍스쳐가 얻어지는 텍스쳐화된 α-Al2O3 코팅된 절삭 공구 인서트를 기재한다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {006} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 2008187774 호는 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {006} 성장 텍스쳐를 갖는 텍스쳐-경화된 α-Al2O3 코팅된 절삭 공구 인서트를 기재한다.
US 6333103 호는 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {1010} 성장 텍스쳐로 특징지어지는 TiCO 결합층 상에 성장된 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다.
반응 가스의 시퀀싱을 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성
US 5654035 호는 내화 단층 또는 다층으로 코팅된 본체를 기재하며, 특정층은 코팅된 본체의 표면 (성장 텍스쳐) 에 대하여 우선 방향으로 성장한 결정면을 갖는 제어된 미세구조 및 상 (phase) 의 구성에 의해 특징지어진다. 상기 텍스쳐화된 α-Al2O3 층은 CO2, CO 및 AlCl3 의 순서로 반응 가스를 시퀀싱함으로써 얻어진다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {012} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
US 5766782 호는 α-Al2O3 을 포함하는 내화 단층 또는 다층으로 코팅된 절삭 공구를 기재하며, 특정 층은 코팅된 본체의 표면에 대하여 제어된 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다. 우선, N2 및/또는 Ar 분위기에서 CO2 와 CO 가 반응기에 공급되고 이후에 H2 와 AlCl3 가 반응기에 공급되도록 반응 가스를 시퀀싱함으로써, 텍스쳐화된 α-Al2O3 층이 얻어진다. 이 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 {104} 성장 텍스쳐에 의해 특징지어진다.
텍스쳐 변환제를 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성
US 7011867 호는 하나 이상의 내화 화합물 층 및 외부의 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 코팅된 절삭 공구를 기재하고, 이 α-Al2O3 층은 XRD 에 의해 결정되는 바와 같이 강한 {300} 성장 텍스쳐와 주상 결정 구조를 갖는다. 미세 구조 및 텍스쳐는 성장시에 반응 가스에 텍스쳐 변환제로서 ZrCl4 를 첨가하여 얻어진다.
US 5980988 호는 성장시에 텍스쳐 변환제로서 SF6 를 이용하여 얻어지는 바와 같은 {110} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 XRD 에 의해 결정된다.
US 5702808 호는 성장시에 SF6 및 H2S 를 시퀀싱하여 얻어지는 바와 같은 {110} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 XRD 에 의해 결정된다.
변환층을 이용하는 텍스쳐화된 알루미나층의 합성
US RE 41111 호는 20 ~ 200nm 두께를 갖는 초기 열 처리된 알루미나 코어층 (변환층) 을 이용하여 얻어지는 바와 같은 {001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층을 기재한다. 이 텍스쳐는 전자 후방 산란 회절 (EBSD) 에 의해 결정된다.
EBSD 의 설명 및, 극점도, 극 플롯 (pole plots), 방향 분포 함수 (ODFs) 및 텍스쳐 지수의 사용에 의한 텍스쳐 평가를 위한 분석은, 예컨대 텍스쳐 분석의 서문: 매크로텍스쳐 , 마이크로텍스쳐, 및 방향 매핑 ( Mapping ), Valerie Randle 과 Olaf Engler, (ISBN 90-5699-224-4) pp. 13 ~ 40 에서 찾아볼 수 있다.
통상적으로, 텍스쳐의 평가는 이하를 포함할 수 있다.
1) ODF 의 구성,
2) 구성 요소의 오일러각 φ1, Φ 및 φ2 (도 1 참조) 및 이들의 대응 ODF 밀도 및 텍스쳐 지수의 확인,
3) 관련 텍스쳐 구성 요소의 극점도 (들) 의 구성, 및
4) 관련 텍스쳐 구성 요소의 극 플롯 (들) 의 구성.
본 발명의 목적은 훌륭한 마모성과 칩 형성 절삭 성능을 갖는, CVD 에 의해 증착된 텍스쳐 제어된 α-Al2O3 층을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 이러한 α-Al2O3 층을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 성장 조건만으로도 특유의 α-Al2O3 층 텍스쳐의 제어가 얻어지며, 그 결과 이 층은 개선된 금속 절삭 성능을 갖는 것으로 확인되었다.
도 1 은 결정학적 방향에 대하여 ODF 표시에 이용된 오일러 각 φ1, Φ, φ2 을 정의한다.
도 2 는, a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 (Ⅱ) 및 Ti(C,N) 층 (Ⅰ) 및, b) 종래 기술에 따른 {001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층(Ⅱ) 및 Ti(C,N) 층 (Ⅰ) 의 이온 폴리싱된 단면의 후방 산란된 SEM 현미경 사진이다.
도 3 은, a) A 및 A' 으로 각각 표시된 {01-15} 및 {10-15} 솔루션 (solution) 을 갖는 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 및, b) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 ODF 등고선도 (ODF 오일러 각 및 밀도) 이다.
도 4 는 a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐 구성 요소, b) 본 발명에 따른 {10-15} 텍스쳐 구성 요소, 및 c) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 극점도이다.
도 5 는 a) 본 발명에 따른 {01-15} 텍스쳐 구성 요소, b) 본 발명에 따른 {10-15} 텍스쳐 구성 요소, 및 c) 종래 기술에 따른 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 의 극 플롯이다. χ는 극점도 (도 4 참조) 의 중심 (χ=0) 으로부터 가장자리 (χ=90) 까지의 각이다. MUD 는 다중 유닛 분포이다.
본 발명에 따라, 칩 제거 기계가공용 절삭 공구 인서트가 제공되고, 이 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹, 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 이 본체 상에는 경질의 내마모성 코팅이 증착되고, 이 코팅은, 코팅된 본체의 표면 법선 (surface normal) 에 관해, {01-15} 및/또는 {10-15} 텍스쳐 (결정학적 방향) 로, 바람직하게는 회전 대칭 (섬유 텍스쳐) 으로 구성된 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함한다.
상기 텍스쳐는 1 초과의 ODF 텍스쳐 지수, 바람직하게는 1 < 텍스쳐 지수 < 50, 가장 바람직하게는 2 < 텍스쳐 지수 < 10 와, ODF 표시 (오일러 스페이스) 로 이하를 갖는 {01-15} 및 {10-15} 솔루션을 만족시키는 텍스쳐 구성 요소를 나타낸다.
ⅰ) {01-15}: 1 < ODF 밀도 < 100, 바람직하게는 10 < ODF 밀도 < 50 을 갖는, 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 바람직하게는 22°< Φ < 42°, 및 1°< φ2 < 59°, 바람직하게는 10°< φ2 < 50°, 및/또는
ⅱ) {10-15}: 1 < ODF 밀도 < 100, 바람직하게는 10 < ODF 밀도 < 50 을 갖는, 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 바람직하게는 22°< Φ < 42°, 및 61°< φ2 < 119°, 바람직하게는 70°< φ2 < 110°.
ODFs 는 32x32x32 포인트의 해상도, 5°의 가우시안 반치폭 (Gaussian half width) 및 5°의 클러스터링을 갖는 Lmax=34 와 함께 급수 전개를 이용하여 표시 영역에 걸쳐 이온 폴리싱된 α-Al2O3 상부 표면층에 대해 얻어진 EBSD 데이터로부터 구성된다.
상기 α-Al2O3 층은 0.5㎛ ~ 40㎛, 바람직하게는 0.5㎛ ~ 20㎛, 가장 바람직하게는 1㎛ ~ 10㎛ 의 두께를 가지면서, 주상 결정 구조를 갖고, 모든 기둥은 층 두께의 중심부에 인접하여 측정했을 때, 층 두께에 걸쳐 0.2㎛ ~ 5㎛, 바람직하게는 0.2㎛ ~ 2.5㎛, 가장 바람직하게는 0.2㎛ ~ 1.5㎛ 의 동일한 기둥 너비를 본질적으로 갖는다.
상기 코팅은, 종래 기술에 따라 0.5 ~ 40㎛, 바람직하게는 0.5 ~ 20㎛, 가장 바람직하게는 1 ~ 10㎛ 의 전체 코팅 두께까지, 예컨대 TiN, TiC 또는 Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 Ti(C,O,N) 의 내부 단층 및/또는 다층 코팅, 및/또는 예컨대 TiN, TiC, Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 TiN 및/또는 Ti(C,O,N) 의 외부 단층 및/또는 다층 코팅으로 구성될 수 있다.
선택적으로, 원하는 표면 품질 및/또는 에지 형태가 얻어지도록, 상기 코팅된 본체는, 예컨대 습식 블라스팅 (wet blasting), 브러싱 (brushing) 작업 등으로 사후 처리된다.
본 발명의 α-Al2O3 층을 위한 증착 방법은, 종래 기술에서 공지된 대로, 50 ~ 150 mbar 의 가스압에서, 혼합된 H2, CO2, CO, H2S, HCl 및 AlCl3 에서 950℃ ~ 1050℃ 의 온도에서 화학 기상 증착에 기초한다. 본 발명에 따라, CO2/CO 가스 흐름 비율은, 1 분 ~ 60 분, 바람직하게는 2 분 ~ 30 분의 주기로, 0.3 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.2, 바람직하게는 0.5 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.0 의 보다 낮은 가스 흐름 비율과, 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 3.0, 바람직하게는 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 2.5 의 보다 높은 가스 흐름 비율 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, 지속적으로 또는 단계적으로, 주기적으로 변경된다. 본 발명에 따라 가스 흐름 및 가스 혼합물을 결정하는 것은 당업자의 관점의 범위 내에 있다.
또한, 본 발명은 절삭 속도 및 인서트 형상에 따라, 75 ~ 600 m/min, 바람직하게는 150 ~ 600m/min 의 절삭 비율에서, 밀링의 경우에 0.08 ~ 0.8 mm, 바람직하게는 0.1 ~ 0.6mm 의 공구날 당 평균 이송으로, 칩 제거 기계가공하기 위한 전술한 내용에 따른 절삭 공구 인서트의 용도에 관한 것이다.
실시예 1
초기에, 5.5wt% Co, 8 wt% 입방형 카바이드 및 잔부 WC 의 조성을 갖는 초경합금 절삭 인서트는 6㎛ 두께의 MTCVD Ti(C,N) 층으로 코팅되었다. 후속 제조 단계에서 그리고 절삭 인서트의 코팅 사이클 동안, 5㎛ 두께의 α-Al2O3 층은 20 분의 주기로 프로세스 조건 1 및 2 (표 1 참조) 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, CO2/CO 의 가스 흐름 비율를 지속적으로 램핑 (ramping) 함으로써 증착되었다.
Figure pct00001
실시예 2
실시예 1 이 2.0 의 일정한 CO2/CO 가스 흐름 비율로 반복되었다.
실시예 3
실시예 1 및 2 로부터의 층들은, HKL Nordlys II EBSD 검출기가 장착되고 15 kV 에서 작동된 LEO 울트라 55 주사 전자 현미경을 이용하는 SEM 및 EBSD 에 의해 특징지어졌다. 통상의 채널 5 소프트웨어 버전 5.0.9.0 은 데이터 수집을 위해 이용되었다. 이러한 채널 5 소프트웨어는, ODFs 의 계산, 즉 오일러 각 및 밀도뿐만 아니라 텍스쳐 지수, 극점도 및 극 플롯의 데이터 분석을 위해 이용되었다. EBSD 용 샘플은 JEOL SM-09010 단면 폴리셔 시스템을 이용하여 α-Al2O3 층의 상부 표면을 이온 폴리싱함으로써 얻어졌다.
도 2 는, a) 실시예 1 (본 발명) 및 b) 실시예 2 (참고) 에 대해 이미지 내의 Ⅱ 로 표시된 α-Al2O3 층의 이온 폴리싱된 단면의 후방 산란된 SEM 현미경 사진을 도시한다. 양자의 층은 주상 결정 구조를 나타낸다. 본 발명의 층은 참조의 층의 기둥 너비보다 더 좁은 0.2㎛ ~ 1.7㎛ 범위의 기둥 너비를 나타낸다.
도 3 은, a) 6.3 의 텍스쳐 지수를 갖는, A 및 A' 각각으로 표시된 {01-15} 및 {10-15} 솔루션으로 실시예 1 로부터 텍스쳐화된 α-Al2O3 층 및, b) 5.5 의 텍스쳐 지수를 갖는 실시예 2 의 {0001} 텍스쳐화된 α-Al2O3 층의 EBSD 데이터로부터 추론된 바와 같은 ODF 등고선도 (ODF 오일러 각 및 밀도) 를 도시한다. {01-15} 텍스쳐 구성 요소에 대한 오일러 각 φ1, Φ, φ2 은 약 0°≤φ1≤ 90°에서, 약 30°의 Φ 에서, 약 30°의 φ2 에서 중심맞춤되고 (가장 높은 ODF 밀도), {10-15} 텍스쳐 구성 요소에 대한 오일러 각 φ1, Φ, φ2 은 약 0°≤φ1≤ 90°에서, 약 30°의 Φ 에서, 약 90°의 φ2 에서 중심맞춤되었다. 채널 5 소프트웨어로부터, {01-15} 에 대한 23 의 ODF 밀도값이 얻어졌다. 이러한 결과는 실시예 1 에서 {10-15} 섬유 텍스쳐 층을 설명한다.
게다가, 섬유 텍스쳐의 극점도 및 극 슬롯이 구성되었다.
도 4 는 실시예 1 로부터의 층의 a) {01-15} 및 b) {10-15} 텍스쳐 구성 요소의 극점도를 나타낸다. 도 4 의 c) 는 실시예 2 의 극점도를 나타낸다.
도 5 는 실시예 1 로부터의 층의 a) {01-15} 및 b) {10-15} 텍스쳐 구성 요소의 극 플롯을 도시한다. 도 5 의 c) 는 실시예 2 의 극 플롯을 도시한다. χ 는 도 4 의 극점도의 중심 (χ=0) 으로부터 가장자리 (χ=90) 까지의 각이다. MUD 는 다중 유닛 분포이다.
실시예 4
비교 등급과 함께 실시예 1 및 실시예 2 로부터의 코팅된 인서트는 이하의 절삭 조건에서 지속적인 선삭 (turning) 적용에서 실험되었다.
공작물: 원통형 바
재료: Ck45
인서트 유형: CNMG120408
절삭 속도: 400 m/min
이송: 0.45 mm/rev
절단 깊이: 2.0 mm
비고: 냉각수
절삭분에서 12 분의 시간 후에 에지 마모, Vb (mm) 의 측정이 표 2 에 도시되었다.
Figure pct00002

Claims (12)

  1. 칩 제거에 의한 기계가공용 절삭 공구 인서트로서,
    상기 절삭 공구 인서트는 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 경질 합금의 본체를 포함하며, 상기 본체 상에는 0.5㎛ ~ 40㎛ 의 두께를 갖는 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 경질의 내마모성 코팅이 CVD 에 의해 증착되어 있고,
    상기 α-Al2O3 층은 {01-15} 및/또는 {10-15} 로 텍스쳐화된 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 텍스쳐는 섬유 텍스쳐화된 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 텍스쳐는 1 초과의 ODF 텍스쳐 지수를 가지고, 바람직하게는 1 < 텍스쳐 지수 < 50 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 텍스쳐는 1 < ODF 밀도 < 100 을 갖고서 ODF 표시 (representation) 로 텍스쳐 구성 요소를 나타내고, 이하의 오일러 각 (Euler angles),
    ⅰ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 및 1°< φ2 < 59°및
    ⅱ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 17°< Φ < 47°, 및 61°< φ2 < 119°을 갖는 {01-15} 및 {10-15} 솔루션 (solution) 중 하나 또는 양자를 만족시키는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  5. 제 4 항에 있어서,
    ⅰ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 22°< Φ < 42°, 및 10°< φ2 < 50°및
    ⅱ) 0°≤ φ1 ≤ 90°, 22°< Φ < 42°, 및 70°< φ2 < 110°인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  6. 제 4 항에 있어서,
    10 < ODF 밀도 < 50 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 α-Al2O3 층은 주상의 결정 구조를 가지고, 모든 기둥은 상기 α-Al2O3 층 두께 전체에 걸쳐 0.2㎛ ~ 5㎛ 의 동일한 기둥 너비를 본질적으로 갖는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기둥 너비는 상기 α-Al2O3 층 전체에 걸쳐 0.2㎛ ~ 2.5㎛ 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  9. 제 1 항에 있어서,
    0.5 ~ 40㎛, 바람직하게는 0.5 ~ 20㎛ 의 전체 두께까지, 상기 코팅은, 예컨대 TiN, TiC 또는 Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 Ti(C,O,N) 의 내부 단층 및/또는 다층 코팅, 및/또는 예컨대 TiN, TiC, Ti(C,O,N) 또는 다른 Al2O3 동소체, 바람직하게는 TiN 및/또는 Ti(C,O,N) 의 외부 단층 및/또는 다층 코팅으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트.
  10. 50 ~ 150 mbar 의 가스압에서, 혼합된 H2, CO2, CO, H2S, HCl 및 AlCl3 에서 950℃ ~ 1050℃ 의 온도에서 화학 기상 증착에 의해 적어도 하나의 α-Al2O3 층을 포함하는 경질의 내마모성 코팅이 증착된, 초경합금, 서멧, 세라믹 또는 입방 질화 붕소계 재료의 본체를 포함하는 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법으로서,
    CO/CO2 가스 흐름 비율은 1 분 ~ 60 분, 바람직하게는 2 분 ~ 30 분의 주기로, 0.3 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.2 의 보다 낮은 가스 흐름 비율과, 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 3.0 의 보다 높은 가스 흐름 비율 사이에서, 상방으로 그리고 하방으로, 지속적으로 또는 단계적으로, 주기적으로 변경되는 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 보다 낮은 가스 흐름 비율은 0.5 ≤ (CO2/CO)|low ≤ 1.0 이고, 보다 높은 가스 흐름 비율은 1.8 ≤ (CO2/CO)|high ≤ 2.5 인 것을 특징으로 하는, 절삭 공구 인서트를 제조하는 방법.
  12. 절삭 속도 및 인서트 형상에 따라, 75 ~ 600m/min, 바람직하게는 150 ~ 600m/min 의 절삭 속도에서, 밀링의 경우에 0.08 ~ 0.8mm, 바람직하게는 0.1 ~ 0.6mm 의 공구날 당 평균 이송으로, 칩 제거 기계가공하기 위한 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 절삭 공구 인서트의 용도.
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