KR20130097627A - 합성목표물과 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

폐기 목표물의 식각상태에 기초하여 합성목표물을 제조하는 합성목표물과 합성목표물 제조방법으로서 폐기 목표물은 원래 목표물에 스퍼터링 과정을 수행하여 제조된 물품이며 원래 목표물은 제1자력선을 가진 스퍼터링머신으로 기판층과 금속층을 가진 것으로 이루어진다.
합성목표물 제조방법은 폐기 목표물의 식각상태를 결정하여 제2자력선을 가진 자기층이 원래 목표물에 놓이는지를 결정하며, 자기층과 기판층위에 금속층을 위치시키며, 기판층, 자기층과 금속층간에 결합층으로 기판층, 자기층과 금속층을 함께 결합하여 합성목표물을 형성하며, 제2자력선을 가진 합성 목표물은 합성목표물에 작용하는 제1 자력선을 조정하여 제1자력선을 제3자력선으로 전환함으로써 목표물 이용률과 목표물 균일 소모를 증가시킨다.

Description

합성목표물과 그 제조방법{Composite target and manufacturing method thereof}

본 발명은 합성목표물과 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 목표물과 그 목표물을 제조하여 목표물이 균일하게 소모되어 목표물의 이용률을 증가시키는 방법에 관한 것이다.

종래의 스퍼터링은 증착과 도금에서 사용되는 주요 기법이다. 스퍼터링은 산업생산과 과학연구에서 널리 적용된다. 예로서 스퍼터링 이후 제공품 표면은 기능성 막을 획득하는데, 예를 들어 초경도 막, 자기-윤활 막, 투과 개선된 막, 저방사 막, 투명성 도전막 혹은 열절연 막이다.

스퍼터링은 플라즈마 수단으로(기판층과 금속층을 포함하는) 목표물 상에 이온충격을 가함으로써 금속층의 주위 금속원자를 처리하는 것이다. 위치가 변경된 금속원자는 가스상 분자형태로 방출된다. 방출된 가스상 분자는 기판에 도달하여 증착에 가입된다. 점착, 흡수, 표면이동과 핵화를 포함하는 스퍼터링 공정을 거친 후 기판 표면은 금속원자로 구성된 금속막을 형성한다.

그러나, 종래의 스퍼터링 과정은 고유의 제한을 갖기 때문에(예를 들어 스퍼터링 머신상에 자계가 존재하며) 목표물은 낮은 목표물 이용률, 느린 증착과 낮은 이온화의 결함을 갖는다. 목표물 이용률은 스퍼터링 머신상의 자계에 민감하므로 플라즈마는 금속층의 특정 국부 표면 영역에 한정된다. 결과로서 커브면의 움푹 패인 형태의 소모가 금속층에 발생하며 금속층의 불균일 표면소모를 발생한다. 예를 들어 금속층은 작은 중앙소모와 높은 주변소모를 보인다. 예를 들어 종래의 목표물의 최적 이용률은 대략 20%에서 25% 정도이다.

도 1에 종래 스퍼터링 사용에서 스퍼터링머신(2)과 목표물(4)의 배치에 대한 개략도가 있다. 스퍼터링머(2)신은 자력선(ML) 패턴을 생성하는 내장 자기원(MS)를 포함한다. (기판층(42)과 금속층(44)을 포함) 목표물(4)이 스퍼터링 머신(2) 일측상에 위치되면 자력선(ML)이 목표물(4)에 형성된다. 종래기술에 따르면 스퍼터링 공정은 주로 자력선(ML)이 목표물에 거의 평행인 영역에 발생한다.

도 2에 스퍼터링 과정 완료시 목표물(4) 상태의 개략도가 있다. 스퍼터링 공정이 주로 목표물(4)의 식각영역(A)에 발생(즉 자력선(ML)이 목표물에 평행한 영역)하므로 식각속도는 식각영역(B)에서보다 식각영역(A)(즉 자력선(ML)이 목표물과 평행하지 않은 영역)에서 상당히 높다. 그러나, 식각영역(B)의 금속층에서 여전히 큰 비식각 부분이 있는지와 무관하게 이렇게 식각된 목표물(4)은 폐기되며(산업에서 소위 폐기된 물품) 스퍼터링 머신(2)이 식각영역(A)을 통해 목표물(4)의 기판층(42)을 식각함으로써 손상되는 것을 방지한다.

따라서 금속층(44) 양단에서의 두께는 그 중심부에서의 금속층(44) 두께보다 빠르게 확실히 소모된다. 유감스럽게도 식각영역(A)이 거의 침투된 시점(즉 식각이 더 이상 발생하지 않는 때)에 식각영역(B)의 금속층(44)의 식각가능 두께가 여전히 있는지에 관계없이 금속층(44)이 폐기되어 불사용으로 간주된다.

전술한 결함을 극복하기 위하여 종래기술은 스퍼터링머신(2)의 자력선(ML)을 직접 조정한다. 그러나, 목표물 공급자 입장에서 자력선(ML)에 대한 정보는 (목표물 공급자가 대체적으로 스퍼터링 머신 제조자가 아니므로) 스퍼터링 머신(2)을 통하여 목표물 공급자가 곧바로 이용할 수 없다. 결과로서 폐기 목표물이 재생되는 경우 폐기성 목표물의 결과로 재료 폐기를 여전히 방지할 수 없다.

따라서 합성 목표물과 그 제조방법을 제공하여 종래기술의 전술한 결함 즉 불균일 목표물 소모를 극복해야 한다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적하는 바는, 균일하게 소모되는 합성 목표물을 제조하여 목표물 이용률을 증가시키는 합성 목표물 제법을 제공하는 것이며, 본 발명의 다른 목적은 목표물의 균일한 소모를 가능하게 하는 것으로서, 스퍼터링머신 상의 원래 자력선 분포를 변경하지 않는 방법을 제공하는 것이며, 본 발명의 또 다른 목적은 합성 목표물을 제공하는 것이며 본래 목표물은 자력선 분포를 동적으로 조정함으로써 목표물을 균일하게 이용하며, 본 발명의 추가적 목적은 합성 목표물을 제공하는 것으로 자기 물질을 포함하는 자기층이 기판층에 위치되거나 내장됨으로써 목표물을 효율적으로 이용하는 데에 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 폐기 목표물의 식각상태에 기반하여 합성 목표물을 제조하는 합성 목표물 제조방법을 제공한다. 폐기 목표물은 제1 자력선(FML)을 가진 스퍼터링 머신으로 기판층과 금속층을 포함하는 본래 목표물상에 스퍼터링 과정을 수행하여 제조된 물품이다. 합성목표물 제조방법에는 다음이 있는데 제2 자력선을 결정하도록 제1 자력선 작용시의 폐기 목표물 식각 상태를 결정하며 여기서 제2 자력선은 스프터링 기계에 위치된 합성 목표물에 작용하는 제1 자력선을 조정하는데 사용되며, 본래 목표물의 기판층상 제2 자력선에 대응하는 자기층을 위치시키며, 자기층과 금속층 위에 금속층을 위치시키며, 이후 기판층, 자기층과 금속층 사이에 결합층을 위치시켜 이 기판층, 자기층과 금속층을 결속시킴으로써 합성 목표물을 형성함을 포함하며 여기서 합성 목표물이 스퍼터링 과정을 거칠때에 제2자력선을 가진 합성 목표물은 합성목표물에 작용하는 제1 자력선을 조정하여 제1자력선을 제3자력선으로 전환한다.

이러한 목적과 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 제1자력선을 가진 스퍼터링 머신으로 스퍼터링이 수행되는 합성 목표물을 제공한다. 합성목표물은 기판층, 자기층, 금속층과 결합층을 포함하며 기판층은 설치부와 운반부를 가진다. 설치부는 스퍼터링 머신이 그 위에 위치되게 한다. 자기층은 기판층의 운반측에 위치된다. 자기층은 제2자력선을 발생한다. 제2자력선은 제1자력선을 조정하여 제1자력선을 제3자력선으로 전환한다. 금속층은 자기층과 기판층의 운반부 위에 위치되며 제2자력선을 가진다. 결합층은 기판층, 자기층과 금속층간에 위치되고 이 기판층, 자기층과 금속층을 함께 결합한다.

종래기술에 달리 본 발명은 다른 자계를 직접적으로 제공하는 합성 목표물과 제조 방법을 제공하며 여기서 원래 목표물상의 자력선 분포는 스퍼터링 머신의 진성 자력선 분포의 변경 없이 원래 기계 형상에 따라 관습적 방식으로 조정되며, 동일 스퍼터링 머신 상에 설치된 합성목표물의 이용률은 스퍼터링 머신 상에 설치된 종래의 원래 목표물보다 2배나 3배 높아진다(예를 들어 45% 내지 60%). 더욱이 본 발명의 합성목표물은 자계 분포가 기판층 위에 있거나 내장된 자기층에 의해 조정되는 것을 특징으로 한다.

도 1(종래기술)은 종래 스퍼터링에서 사용되는 자계에서의 장치의 개략도이다.
도 2(종래 기술)은 종래 스퍼터링이 수행된 이후의 목표물 상태의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 합성 목표물 제조방법의 흐름도이다.
도 4는 도 3과 본 발명에 따른 스퍼터링이 수행된 이후의 목표물 상태의 개략도이다.
도 5는 발명의 제1실시예에 따른 합성 목표물의 구조적 개략도이다.
도 6(a) 내지 6(c)는 자력선 분포의 개략도이다.
도 7(a) 내지 7(c)는 도 5의 합성 목표물의 구조적 개략도이다.
도 8(a) 내지 8(c)는 발명의 제3실시예에 따른 합성 목표물의 실험적 개략도이다.
도 9는 도 8(a) 내지 8(c)의 합성 목표물의 식각 단면도이다.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 도 3에 본 발명의 제1실시예에 따른 합성목표물 제조방법의 흐름도가 도시된다. 도 3에 나타낸 합성목표물 제조방법은 폐기 목표물의 식각상태에 기초하여 합성목표물을 생성한다. 폐기 목표물은 제1자력선을 가진 스퍼터링 머신으로 기판층과 금속층을 포함한 원래 목표물에 스퍼터링 과정을 수행하여 생성된 물품이다. 제1자력선은 스퍼터링 머신상에 위치된 자석 등의 자성물질로 생성되어 제1자력선이 스퍼터링 머신상에 설치된 원래 목적(즉 종래 목표물 구조)에 작용한다. 스퍼터링 과정은 원래 목표물을 폐기 목표물로 전환한다. 원래 목표물을 폐기 목표물로 전환하는 과정 중의 스퍼터링 머신의 제1자력선은 스퍼터링 과정이 수행된 이후 폐기 목표물의 식각 상태에 기초하여 평가된다.

합성 목표물 제조방법의 공정흐름은 단계 S31에서 시작하며 제1자력선의 작용 하에서 폐기 목표물의 식각 상태를 결정하고 이에 따라 제2자력선의 분포를 결정하여야 한다. 제2자력선은 스퍼터링 머신 상에 위치된 합성 목표물에 작용하는 제1자력선을 조정한다. 이 단계는 원래 목표물이 폐기목표물의 식각상태에 기초하여 제1자력선의 작용(또는 자력선 패턴으로 알려짐)에 대상이 되고 있음을 결정하게 된다.

하기 설명은 도 1과 도 2로 예시된다. 도 2에 나타낸 바와 같이 목표물(4)상의 자력선(ML)의 효과(즉 단계 S31의 제1자력선(FML))는 그 이용과정 이전이나 이용중의 스퍼터링 과정을 거친 목표물(4)의 식각상태(즉 식각영역(A)와 식각영역(B))에 따라 추론되며, 이 효과는 목표물(4)에 대한 불균일한 충격이 가해지는 것을 포함한다. 금속층(44)의 중심 소모는 금속층(44)의 주변 소모보다 확실히 느리다. 따라서 금속층(44)은 스퍼터링 머신(2)으로 생성된 자력선(ML)의 작용에 가해지며 중심부에서보다 2단에서 명백히 빠르게 금속층(44)이 식각되는 것을 검출한다. 도 2에 도시된 금속층(44) 식각영역에 관한 전술한 결정 결과의 조정(또한 보상 교정으로 알려짐)은 이렇게 평가된 자력선(ML)에 따라 수행된다. 따라서 자력선(ML)에 대응하는 제2자력선(SML)은 금속층(44)의 (조정될)소모 상태에 따라 생성되며 예를 들어 금속층(44)의 중심소모를 가속하고 금속층(44)의 주변소모를 감속하여 이루어진다.

예로서 도 2의 금속층(44)의 식각영역(B)에서 불균일 소모문제를 해결하기 위해서는 자력선(ML)의 원래 밀도를 감소하고 커브를 평평하게 하여 목표물(4)과 평행한 자력선(ML) 범위를 넓히고 이에 의해 식각 영역(A)을 확장해야 한다. 즉 자력선(ML) 분포는 제2자력선 작용을 받으며 이에 따라 금속층(44) 전체가 균일하게 소모된다. 더욱이, 식각영역(A)에서의 감소된 소모와 식각영역(B)에서의 가속된 소모로 인해 식각영역(A)이 확대되어 목표물(4)의 서비스 수명(또는 이용기간으로 알려짐)이 증가한다.

단계 S32의 위치에서 제2자력선 분포와 대응하는 자기층이 원래 목표물의 기판층에 위치된다. 이 단계의 위치에서 제2자력선 분포와 대응하고 제2자력선을 가진 자기층이 선행 단계에서 결정된 제2자력선에 따라 원래 목표물의 기판층에 놓이며 원래 목표물상에 제2자력선을 형성한다. 실시예에서 자기층이 기판층상에 국부적으로 형성되거나 기판층에 내장되며 합성 목표물상에 제3자력선을 형성하여 합성 목표물이 제1자력선을 가진 스퍼터링 머신상에 위치된다. 제3자력선은 제1자력선과 제2자력선의 반응결과로서 생성된다.

단계 S33에서 금속층이 자기층과 기판층 위에 위치된다. 이 단계에서 금속층은 기판층 및/또는 자기층 위에 위치되며 금속층, 기판층과 자기층은 제3자력선 활동에 동등하게 가해진다. 예로서 제3자력선 상태의 목적은 도 2에 도시된 식각영역(A)을 확대하고 도 4에 도시된 식각영역(A')이 되게 하며 목표물(4)의 전체 표면의 균일 식각을 가능하게 하며 목표물의 식각기간을 확대시킨다. 따라서 목표물(4)의 이용률이 효율적으로 증가한다.

단계 S34에서 결합층이 기판층, 자기층과 금속층간에 형성되어 기판층, 자기층과 금속층이 함께 결합되어 합성 목표물을 형성한다. 이 단계에서 결합층이 기판층, 자기층과 금속층간에 형성되어 기판층, 자기층과 금속층이 함께 결합하며 기판층, 자기층과 금속층이 제위치에 고정된다. 일 실시예에서 기판층과 자기층은 결합층으로 함께 결합된다. 예를 들어 자기층은 결합층에 의해 위로부터 기판층에 고정된다. 대안으로 자기층은 기판층에 내장되거나 결합층으로 기판층에 고정된다. 다른 실시예에서 기판층에 위치되나 자기층으로 차지되지 않은 갭은 결합층으로 충진된다. 더욱이 자기층이 기판층에 내장되는 경우 금속층이 결합층으로 자기층과 기판층에 결합할 수 있다.

도 5에 본 발명의 제1실시예에 따른 합성 목표물의 구조적 개략도가 도시된다. 도 5의 도시에서 스퍼터링이 제1자력선(FML)을 발생 가능한 스퍼터링머신(2)으로 합성 목표물(10)에 수행된다.

도 6(a)에 관해 합성 목표물(10)은 기판층(12), 자기층(14), 금속층(16)과 결합층(18)을 포함한다. 기판층(12)은 설치부(122)와 운반부(124)를 가진다. 합성 목표물(10)은 설치부(122)을 통해 스퍼터링머신(2)상에 설치되며 기판층(12)의 운반부(124)가 스퍼터링머신(2)에 기초하여 제1자력선(FML)을 보인다.

도 6(b)에 도시된 자기층(14)이 기판층(12)의 운반부(124)에 위치된다. 자기층(14)은 제2자력선(SML)을 보이며(도 6(b)에 도시됨) 제2자력선(SML)은 제1자력선(FML)과 반응하여 도 6(c)에 도시된 바와 같이 제3자력선(TML)을 형성한다. 자기층(14)은 철(Fe). 코발트(Co), 니켈(Ni), 스테인리스강과 이들과 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 자성재료로 이루어진다.

도 5에 도시된 금속층(16)은 자기층(14)과 기판층(12)의 운반부(124)에 위치되며 금속층(16)은 자기층(14)과 제1자력선(FML)과 함께 도 6(c)에 도시된 제3자력선(TML)을 나타낸다. 금속층(16)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)과 이들 조합으로 선택된 그룹으로 이루어진다.

다른 실시예에서 자기층(14)은 셀룰러 형태, 격자-유사 형태, 환형 및/또는 임의의 적절한 형태로 이루어지며 기판층(12)에 놓여 그곳에서 제2자력선(SML)을 형성한다. 따라서 본 발명의 자기층은 발명의 범주 내에 들게 되는데 자기층(14)은 금속층(16) 위에서 제1자력선(FML)과 제2자력선(SML)을 생성한다. 이는 자기층(14) 형상이나 자기층(14)이 어떻게 기판층(12)에 위치되는지와 무관하다. 도 7(a)에 도시된 금속층(16)은 예시적 목적으로 둥근 형태를 가진다. 이 실시예에서 자기층(14)은 둥근 링형상 보디이다. 주목할 점은 본 실시예에서 자기층(14) 형상은 금속층(16) 형상과 무관하다. 즉 둥근 형태에 부가하여 자기층(14)은 셀룰러 형태, 격자-유사 형태, 환형, 및/또는 임의 적절형상이 된다. 이 실시예에서 자기층(14)은 기판층(12)위에 국부적으로 위치된다(도 7(b)에 도시됨). 대안적으로 자기층(14)은 기판층(12)에 내장되며(도 7(c)에 도시됨), 기판층(12)은 제3자력선(FML)을 보인다.

더욱이 자기층(14)이 기판층(12)에 내장되는 방식은 적어도 하나의 그루브(128)을 가지며 그루브-유사 형태, 홀-유사 형태, 셀룰러 형태 및/또는 격자-유사형태를 가지고 기판층(12)에 형성되며 자기층(14)이 기판층(12)에 내장되게 한다. 그루브(128)는 자기층(14)이 기판층(12)에 내장되게 하여 자기층(14)을 채운다.

도 5에 도시된 결합층(18)이 기판층(12), 자기층(14), 금속층(16) 사이에 위치되어 이들 기판층(12), 자기층과 금속층(16)을 함께 결합한다. 다른 실시예에서 자기층(14)이 기판층(12)에 내장된다면 결합층(18)이 자기층 미충진 공간을 그루브와 홀 중 적어도 하나로 채우며 기판층(12)과 자기층(14)을 함께 결합한다.

도 8(a) 내지 (c)에는, 발명의 제3 실시예에 따른 합성 목표물의 실험적 개략도가 있다. 도 8(a) 내지 (c) 도시에서 테스트가 수행되어 3개의 다른 목표물 구조의 이용률을 평가한다. 목표물 구조는 도 8(a)에 도시된 자기층 없는 목표물의 실험그룹(A), 1 링 형상 자기층 구조를 가진 합성목표물의 실험그룹(B)으로 예시되며 1 링형상 자기층은 중심에서 28mm 이격된 내부 림과 중심에서 35mm 이격된 외부 림으로 이루어지며 내부 림은 도 8(b)에서 도시된 바와 같이 7mm 만큼 외부림에서 떨어지며 2 링형상 자기층을 가진 합성목표물 실험그룹 C가 있다. 여기서 2형상 링 자기층은 중심에서 28mm 이격된 내부 림과 중심에서 31mm 이격된 것이며 내부림은 도 8(c)의 도시와 같이 외부림에서 3mm 떨어진다. 더욱이 목표물은 둥근형상이고 4인치 직경과 3mm 두께이다.

도 9는 동일 테스트조건(테스트 시간, 테스트 전력)하에서 스퍼터링 이후의 다른 목표물 구조를 나타낸 식각 단면도이다. 도 9의 도시에서 자기층 없는 실험그룹 A 소모속도는 2링 형상 자기층의 실험그룹 C보다 매우 높으며 2링 형상 자기층의 실험그룹 C의 소모속도는 1링 형상 자기층의 실험그룹 B 소모속도보다 매우 높다. 실험그룹 B의 1링 형상 자기층의 영역치수는 2링 형상 자기층의 실험그룹 C의 영역치수보다 크다. 따라서 동일 스퍼터링이 진행되는 동안에는, 금속층 식각 깊이커브 A와 C에서 실험그룹 C의 자기층보다 큰 식각깊이를 보인다. 금속층 식각깊이 B와 C에서 실험그룹 C의 자기층보다 큰 식각깊이를 보인다.

따라서 본 발명은 스퍼터링 머신에 의해 생성된 자계 상태와 관습적인 목표물 형상에 따라 동적으로 자계상태를 조정하는 합성목표물과 그 제조방법을 제공하며 본 발명의 합성목표물의 이용률은 종래 대응물의 이용률에 비해 2배, 3배로 증가한다. 더욱이 본 발명에 의하면 자력선 분포는 기판층 위에 놓이거나 내장된 자기층으로 조정된다.

본 발명은 바람직한 실시예로 개시되었다. 하지만 기술분야 당업자라면 바람직한 실시예는 본 발명의 예시적인 것이며 발명범주를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다. 따라서 전술한 실시예에 대해 이루어진 모든 등가 변형과 대체들은 본 발명의 범주 내에 든다. 따라서 본 발명에 대한 법적보호는 첨부된 청구항으로 정의되어야 한다.

스퍼터링머신: 2 설치부 : 122
목표물 : 4 운반부 : 124
합성목표물 : 10 그루브 : 128
기판층 : 12 식각영역 : A
자기층 : 14 식각영역 : A'
금속층 : 16 식각영역 : B
결합층 : 18 자력선 : ML
기판층 : 42 제1자력선 : FML
금속층 : 44 제2자력선 : SML
자기원 : MS 제3자력선 : TML

Claims (10)

1. 폐기 목표물의 식각상태에 기초하여 합성목표물을 제조하는 합성목표물 제조방법으로서, 폐기 목표물은 원래 목표물에 스퍼터링 과정을 수행하여 제조된 물품이며 원래 목표물은 제1자력선을 가진 스퍼터링 머신으로 기판층과 금속층을 가진 것으로 이루어지며, 합성목표물 제조방법은 제1자력선의 활동에 가해진 때에 폐기 목표물의 식각상태를 결정하여 제2자력선을 결정하며 제2자력선은 스퍼터링 머신에 위치된 합성목표물에 작용하는 제1자력선을 조정하는데 사용되며, 위치에서 원래 목표물의 기판층의 제2자력선에 대응하는 자기층을 위치시키며, 자기층과 기판층 위에 금속 층을 위치시키며, 그리고 기판층, 자기층과 금속층간에 결합층을 위치시켜 기판층, 자기층과 금속층을 함께 결합하여 합성목표물을 형성하며, 여기서 합성목표물이 스퍼터링 공정을 가질 때에 제2자력선을 가진 합성목표물은 합성목표물에 작용하는 제1자력선을 조정하여 제1자력선을 제3자력선으로 전환하는 것을 특징으로 하는 합성목표물 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,
   기판층위에 국부적 자기층을 형성하여 합성목표물에 제2자력선을 형성하는 것을 포함하는 합성목표물 제조방법.
3. 제2항에 있어서,
   기판층에 자기층을 내장하여 합성목표물에 제2자력선 분포를 형성하는 합성목표물 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,
   제3자력선 라인은 제1자력선보다 다소 덜 조밀하고 평평한 커브를 가지며 금속층과 제3자력선과 평행한 자력선영역은 금속층과 제1자력선과 평행한 자력선 영역보다 넓어지는 합성목표물 제조방법.
5. 제1자력선을 가지는 스퍼터링 머신으로 스퍼터링이 수행되는 합성목표물로 합성목표물은 설치부와 운반부를 가지는 기판층과, 설치부는 스퍼터링 머신이 그위에 설치되게 하며, 기판층의 운반부에 위치된 자기층과 자기층은 제2자력선을 생성하며 제2자력선은 제1자력선을 조정하여 제1자력선을 제3자력선으로 전환하며, 자기층과 기판층의 운반부에 놓이며 제2자력선을 가지는 금속층과 기판층, 자기층과 금속층 사이에 놓이며 기판층, 자기층과 금속층을 결합하는 결합층을 포함하는 합성목표물.
6. 제5항에 있어서,
   자기층은 셀룰러 형태, 격자-유사 형태, 환형이나 임의의 적절한 형태를 가지며 제2자력선을 형성하는 합성목표물.
7. 제6항에 있어서,
   기판층은 자기층에 내장될 그루브와 홀 중 적어도 하나를 포함하는 합성목표물.
8. 제7항에 있어서,
   자기층의 미충진 공감을 그루브와 홀 중 적어도 하나로 충진하는 결합층을 포함하여 기판층, 자기층과 금속층을 함께 결합하는 합성목표물.
9. 제5항에 있어서,
   금속층은 알루미늄(AI), 구리(Cu), 몰리브덴(MO), 티타늄(Ti)과 이들의 조합으로 구성된 그룹에서 선택되는 합성목표물.
10. 제5항에 있어서,
    자기층은 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 스테인리스 강과 그 조합으로 선택된 자성물질로 이루어지는 합성목표물.

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