KR20130086426A - 선에칭과 후도금방법에 의한 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로기판의 제조방법과 그에 의하여 제작된 극미세 회로기판 - Google Patents

Abstract

본 발명은 선에칭과 후도금방법에 의한 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법과 그에 의하여 제작된 극미세 회로기판에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 에칭방법에 의하여서는 제작이 불가능하였던 회로부의 피치와 두께를 제작할 수가 있다.
본 발명은 기판(1) 위에 얇은 도전층을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 스퍼터링 금속층(2)을 형성하고; 상기 스퍼터링 금속층(2)에 에칭작업을 통하여 스퍼터링 회로부(3)를 형성하고; 상기 스퍼터링 회로부(3)의 상부에 감광재(4)를 도포하고; 노광작업을 통하여 빛을 조사하여, 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하고; 감광재의 비노광부는 화학적 반응을 통하여 제거하여 공간부를 형성하고; 상기 공간부에 의하여 노출된 스퍼터링 회로부(3)에 도금작업을 통하여 도금 회로부(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법과 그에 의하여 제작된 극미세 회로기판에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 에칭법에 의하여 해결이 불가능하였던 문제를 해결하고 회로부의 정밀도의 한계를 극복할 수가 있는 극미세 기판 제조방법을 제공한다.

Description

선에칭과 후도금방법에 의한 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로기판의 제조방법과 그에 의하여 제작된 극미세 회로기판{Manufacturing method of extreme circuit board and the extreme circuit board manufactured by said the method}

본 발명은 미세 통전 회로를 가지는 전자장치에 들어가는 극미세 회로기판의 제조방법과 그에 의하여 제작된 기판에 관한 것이다.

본 발명에서의 극미세 회로가 형성이 되는 기판의 소재는 투명한 소재로서 다양한 형태로 선택을 할 수가 있다. 기판의 소재와 기판의 두께 및 크기는 형태는 다양한 형태로 적용이 가능하다.

즉 연성기판, 경성기판이 모두 적용이 되어 진다. 또는 필름상태 또는 시트상태 또는 롤상태 또는 판재상태의 기판이 모두 적용이 가능하다.

본 발명에서는 기판 소재로서 가장 흔히 사용이 되는 것은 일반적으로 많이 사용되는 폴리 이미드 필름이나, PVC, 유리, PET 등 다양한 소재를 판상 또는 롤상 또는 얇은 필름형태로서 사용을 할 수가 있음은 물론이다.

본 발명의 배경이 되는 기술을 소개함에 있어서, 종래에 플렉시블한 회로기판을 만드는 일반적인 방법을 통하여 배경 기술을 설명한다. 이의 대표적인 형태가 칩 온 필름(CHIP ON FILM)으로 알려져 있다. 일반적으로 사용이 되고 있는 칩 온 플름은 얇은 필름형태의 폴리이미드 소재 위에 구리금속을 스퍼터링(spurtering) 하고, 그 위에 구리 박막층을 다시 도금한다.

구리 금속을 옹그스트롱 단위의 극히 얇은 두께로 스퍼터링하는 이유는 폴리이미드 기판에 통전이 가능한 도전층을 형성시키기 위해서이다. 이후, 구리 도금조에서 상기 스퍼터링된 도전층에 전기를 통전시켜서 구리 도금작업을 시행하여 얇은 구리 박막층을 형성한다. 이렇게 형성된 구리 박막층의 두께는 통상 수 미크론에서 수십 미크론 정도에 달한다.

폴리이미드 필름 표면에 이렇게 제작되어진 얇은 구리 박막층에 회로부를 구성하기 위하여 감광공정과 에칭공정을 실시한다. 즉, 구리 박막층에 감광재를 균일하게 도포하여 감광층을 형성하고, 상기 감광층에 원하는 형태의 패턴이 형성된 필름을 통하여 빛을 조사시켜서 노광부와 비노광부를 형성한다.

비노광부를 화학적으로 세척하여 제거하면 비노광부가 있던 자리에는 빈 공간부가 형성이 되며, 상기 빈 공간부를 통하여 구리 박막층의 표면이 노출이 된다.

이 같이 노출되어진 구리 박막층의 표면부에 에칭작업을 행하여 부식작업을 행한다. 그 후 남아 있는 노광부를 화학적으로 제거하게 되면, 폴리 이미드 기판에 금속 회로부가 형성된 회로기판이 제작되어 지게 된다.

종래의 에칭방법에 의하여 형성이 되는 회로는, 그 제작 특성상 한계성을 갖고 있다. 즉, 가공되어지는 회로의 두께 및 피치의 측면에서, 일정 범위 이하의 정밀한 회로 구성은 불가능하다.

이것은 에칭과정에서 소재를 부식시키는 부식작업이 아랫방향의 한 방향으로 직선적으로 이루어지지 아니하고 전 방향으로 부식이 진행이 되기 때문이다.

이러한 에칭의 고유 특성으로 인하여, 에칭공정을 통하여 얻을 수가 있는 금속 회로의 폭과 두께는 일정한 한계치를 가질 수밖에 없었다.

예로서, 원하는 금속 회로부의 피치가 20 미크론이며, 금속 회로부의 두께가 50 미크론이라고 하면, 50 미크론의 구리 박막층이 형성된 폴리이미드 기판을 사용하게 된다.

이 기판에 감광재를 균일하게 도포하고, 노광공정을 통하여 노광부와 비노광부를 형성한 뒤, 50 미크론의 구리 박막층을 상부로부터 하부 방향으로 에칭을 진행시키게 되면, 구리 박막층의 부식은 표면부터 시작하여 점차 하부의 폴리이미드 표면을 향하여 에칭이 진행하여지게 된다. 이때, 부식은 하부방향으로만 직선적으로 진행이 되는 것이 아니라, 구리 박막층의 전 방향으로 진행이 된다.

본 예에서, 피치가 20 미크론인 회로부의 작업을 시작하게 되면, 에칭작업이 시작되어 구리 박막층의 깊이인 50 미크론에 도달되기 이전에, 측면방향으로 부식이 진행되어져서 제품 제작은 불가능하게 된다.

에칭에 의한 금속 회로부의 제작은 상기와 같은 이유로 인하여 피치와 두께에 따라서 불가능한 영역이 존재하게 된다.

그러나 본 발명은 종래의 에칭방법에 의하여 제작이 불가능하였던 피치와 두께를 갖는 회로부도 도금방법을 사용하므로 제작을 가능케 한다.

본 발명의 선에칭과 후도금방법에 의한 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로기판의 제조방법에 의하여 종래의 에칭방법으로 해결이 불가능하였던 문제를 해결 할 수가 있으며, 제작되는 회로기판의 회로부의 정밀도의 한계를 극복 할 수가 있다.

본 발명은 제작공정이 간단하면서도 정확하며, 극히 미세한 피치의 회로선 폭과 회로의 두께를 용이하게 구현할 수가 있게 한다.

종래의 에칭방법으로는 회로부의 피치를 10 미크론에서 30 미크론 정도로 제작을 하며, 회로의 두께를 수십 미크론으로 제작을 하려면 많은 한계를 드러낼 수밖에 없었다.

그러나 본 발명에 의한 방법은 도포되는 감광재의 두께를 조절함으로써, 얼마든지 회로의 두께를 수 미크론에서 수십 미크론에 이르도록 제작이 가능할 뿐만 아니라, 얼마든지 미세한 피치의 회로를 실현시킬 수가 있는 장점이 있다.

상기와 같은 종래의 에칭작업의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 감광재의 노광부를 가이드로 하여 도금되는 금속을 성장시켜서, 도금 회로부를 구성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에서는 균일하게 도포되어지는 감광재에 노광작업을 통하여 노광부와 비노광부를 형성한 뒤, 비노광부는 화학적으로 제거한다. 그 후, 남아 있는 노광부의 기둥 사이, 즉 노광부와 노광부 사이의 공간부에 도금작업을 통하여 금속을 성장시켜서 도금 회로부를 형성시켜 나가는 방법을 택함으로 본 발명은 에칭의 한계를 극복한다.

본 발명에서는 도포되는 감광재의 두께는 얼마든지 조절을 할 수가 있다. 이것은 노광부의 수직 기둥의 높이를 조절할 수가 있음을 의미하며, 이 사실은 제작하고자 하는 회로부의 두께를 얼마든지 용이하게 조절이 가능하다는 것을 의미한다고 할 수가 있다.

본 발명에 의하여 형성이 되는 도금 회로부는, 균일하게 도포되어진 감광재의 노광작업을 통하여 만들어 지는 노광부 기둥의 표면 형태와 동일하게 만들어 진다.

즉 노광부를 수직 기둥으로 설명을 한다면, 본 발명에서 제작이 되는 도금 회로부 역시 노광부의 수직을 따라서 금속이 성장되어 만들어 진다.

일반적으로 노광작업을 통하여 만들어 지는 노광부의 기둥은 직선의 형태를 가진다. 따라서 본 발명에서의 도금 회로부는 도금에 의하여 직선의 형태로 수직으로 성장이 된다. 이 사실은 기존의 에칭작업에 의한 부식과정은 직선으로 진행이 되지 않는 다는 것에 비하여 큰 특징을 제공하게 된다.

이러한 사실은 본 발명에 의한 도금 회로부의 정밀도가 종래의 에칭에 비하여 크게 개선이 되는 것을 의미한다.

본 발명은 종래 에칭으로 불가능하였던 극미세 회로부의 피치와 두께를 용이하게 제작 가능케 한다. 본 발명의 가장 큰 효과 중의 하는 초정밀 피치를 가지는 회로부를 극히 용이하게 구성을 할 수가 있다는 것이다.

본 발명에 의하여 제작이 되는 도금 회로부의 피치와 두께는 노광부의 피치와 두께에 의하여 결정이 된다.

노광부의 피치의 설계는 제품이 요구되는 치수에 맞추어서, 노광기의 성능과 조사되어지는 빛을 적절히 조절함으로써 적정한 범위로 선택을 할 수가 있게 된다.

이러한 사실은 기존의 회로기판을 더욱 미세하고 정밀하게 만들 수가 있게 됨을 의미하며, 이는 본 발명에 의하여 전자제품의 고성능화와 집적화 및 소형화를 촉진시킬 수가 있게 한다.

본 발명의 또 다른 큰 특징 중의 하나는 노광부와 도금 회로부가 서로 맞물려서 극미세 회로가 견고히 기판에 결합이 되어 진다는 점이다.

기존의 에칭 공법에 의하여 제작이 되는 회로기판은 금속 회로부만 존재하므로 외부의 스크레치에 의하여 회로가 파괴되는 일이 많다. 그러나 본 발명은 노광부와 도금 회로부가 서로 견고히 물고 있는 상태가 되므로 도금 회로부가 외부의 스크레치에 대하여 파괴되지 않게 된다.

또한 노광부와 도금 회로부가 맞물린 상태로 기판에 결합이 되어 있으므로, 기판과의 결합력도 훨씬 증대가 되는 큰 장점이 있게 된다.

따라서 도금 회로부가 아무리 극미세화 되어 진다 하더라도, 측면에 있는 노광부와 도금 회로부가 견고히 결합이 되어져 있음으로 인하여, 도금 회로부의 결합력과 안정성은 보장이 된다.

본 발명의 또 다른 큰 특징의 하나는 기판을 투명기판으로 사용할 경우에 관한 것이다. 투명기판의 경우에는 하부에서 빛을 조사하여 감광재에 노광을 시키는 큰 특징이 있다. 일반적으로는 기판의 상부에 감광재가 도포되어 있으면 기판의 상부에서 빛을 조사하여 감광재를 노광시키게 된다. 그러나 투명기판의 경우에는 기판의 하부에서 빛을 조사하여 감광재를 노광시키게 된다.

이하에서 투명기판에 대하여 구체적으로 설명한다. 투명기판의 상부에 스퍼터링 회로부가 구성되며, 상기 스퍼터링 회로부(3) 상부에 감광재(5)가 균일하게 도포가 되어진다. 스퍼터링 회로부(3)의 형상대로 상기 감광재(5)를 노광시키기 위한 목적으로 투명기판(1)의 하부에서 빛을 조사한다. 투명기판(1)의 하부에서 빛이 조사되면, 스퍼터링 회로부(3)는 빛을 차단하게 되며, 스퍼터링 회로부(3)가 있는 부분의 감광재는 비노광부가 된다. 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분에서만 노광부(6)가 형성되는 장점을 제공하게 된다.

도 1은 스퍼터링 금속층을 기판 위에 형성하는 공정의 설명도이다.
도 2는 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부를 형성하는 공정의 설명도이다.
도 3은 스퍼터링 회로부의 상부에 감광재를 도포하는 공정에 대한 설명도이다.
도 4는 감광재의 노광공정에 대한 설명도이다.
도 5는 투명 기판에서의 감광재의 노광공정에 대한 설명도이다.
도 6는 도금 회로부 형성공정에 대한 설명도이다.
도 7은 감광재의 노광부를 제거한 실시예에 대한 설명도이다.

본 발명은 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법과 그에 의한 극미세 회로기판에 대한 것이다.

본 발명은 기판(1) 위에 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부(3)가 형성되고; 상기 스퍼터링 회로부(3) 위에 도금공정을 통하여 도금 회로부(7)가 형성되며; 상기 도금 회로부(7) 사이에는 노광부(5)가 형성되며; 상기 도금 회로부(7)와 상기 노광부(5)가 일체로 결합되는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법과 그에 의한 극미세 회로기판에 에 대한 것이다.

본 발명에 의하여 제작이 되는 도금 회로부는 노광부와 일체로 결합되어 진다. 그러나 필요에 따라서 노광부만 화학적으로 녹여서 제거하더라도 회로의 기능을 하는 것에는 전혀 지장이 없다. 따라서 상기 도금 회로부(7) 형성공정 이후 노광부(6)를 화학적으로 녹여서 제거하는 공정을 추가한 것도 본 발명의 실시예라 하겠다.

이하, 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 이탈하지 않는 한 이하의 실시예에 한정되지 않는다.

도 1은 스퍼터링 금속층을 기판 위에 형성하는 공정의 설명도이다.

기판(1) 위에 얇은 도전층을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 스퍼터링 금속층(2)을 형성한다. 기판(1) 위에 얇은 도전층을 형성하기 위하여 금속을 스퍼터링 한다. 본 발명에서 일반적으로 사용이 되는 금속은 도전성이 뛰어나며 가공 및 가격적 측면에서 우수한 성질을 가지는 구리소재를 사용하나 필요에 따라서 다양한 금속을 사용할 수가 있다.

스퍼터링 금속층의 두께는 작업시간과 비용을 단축하기 위하여 옹그스트롱 단위의 얇은 두께로 사용이 되어진다. 그러나 필요에 따라서 두께를 조절할 수가 있음은 물론이다. 또한 극히 얇게 스퍼터링을 한 다음 수미크론 정도 도금층을 형성하여 스퍼터링 금속층의 두께를 보완할 수도 있다.

도 2는 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부를 형성하는 공정의 설명도이다.

이 공정은 스퍼터링 금속층에 대한 일반적인 에칭공정이므로 도면을 구체적으로 도시하지 않는다.

기판(1) 위에 증착되어진 스퍼터링 금속층(2)의 상부에 감광재를 균일하게 도포하고, 회로의 형상이 투명부와 불투명부로 구성되는 패턴을 통하여 빛을 조사시키어 감광재를 노광시킨다. 그 후 노광되지 아니한 감광재의 비노광부는 화학적으로 녹여서 제거한다. 비노광부를 제거하면 공간부가 생긴다.

상기 공간부에 에칭을 실시하여 상기 공간부를 통하여 노출되어져 있던 스퍼터링 금속층을 제거한다. 이 같은 에칭작업을 통하여 도 2와 같이, 기판(1) 위에는 스퍼터링 회로부(3)가 형성 된다.

도 3은 스퍼터링 회로부의 상부에 감광재를 도포하는 공정에 대한 설명도이다.

스퍼터링 회로부(3)를 제작한 뒤, 스퍼터링 회로부(3) 상부에 감광재(4)를 도포한다. 스퍼터링 회로부(3) 위에 감광재(4)를 수 미크론에서 수십 미크론의 두께로 균일하게 도포한다. 본 발명에서는 스퍼터링 회로부 위에 도포되는 감광층의 두께는 20 미크론에서 60 미크론 사이의 두께가 많이 사용이 되어 진다.

본 발명에서 감광재의 두께는 제작되어질 도금 회로부의 두께와 밀접하게 관계가 있다. 왜냐하면 감광재의 두께만큼 도금방법으로 도금 회로부를 형성시키기 때문이다.

도 4는 감광재의 노광공정에 대한 설명도이다.

상기 스퍼터링 회로부(3)의 상부에 도포가 되어진 감광재(4)에 노광작업을 실시한다. 패턴이 그려진 필름을 통하여, 기판의 상부에서 빛을 조사하여 감광재를 노광시킨다. 이때 노광작업을 통하여 빛을 조사하여, 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하도록 도안된 패턴이 그려진 필름을 사용한다.

도 5는 투명 기판에서의 감광재의 노광공정에 대한 설명도이다.

일반적인 기판의 경우에는 상기 도 4와 같은 공정으로 노광을 시킨다. 그러나 투명한 기판의 경우에는 작업의 용이성을 위하여 기판의 하부에서 빛을 조사하여 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성 할 수가 있다.

투명기판의 하부에서 빛을 조사하면, 스퍼터링 회로부(3)가 있는 부분은 빛이 투과를 하지 못하게 되고, 스퍼터링 회로부가 없는 부분은 빛이 투과되어 감광재를 노광시키게 된다. 즉 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분에서만 노광부(5)가 형성된다.

도 6는 도금 회로부 형성공정에 대한 설명도이다.

노광작업이 끝나면 감광재의 비노광부(6)는 화학적 반응을 통하여 제거하여 공간부를 형성한다. 상기 공간부의 하부에는 스퍼터링 회로부(3)가 노출이 되어진다. 상기 노출되어진 스타터링 회로부에 도금작업을 통하여 도금 회로부(7)를 형성한다.

도금은 스퍼터링 회로부로부터 시작되어, 점차 금속이 성장을 하게 된다. 도금이 진행되는 상황은, 노광부 기둥에 의하여 구속되어진 상황에서 금속의 성장이 이루어지므로, 성장되는 도금 금속은 수직방향으로 성장하게 된다.

이와 같이 성장되는 도금부는 도금 회로부(7)를 구성하게 된다.

도금 회로부(7)는 노광부의 기둥측면을 따라서 형성이 되므로, 노광부의 형상이 중요한 역할을 하게 된다. 노광작업을 통하여 노광부의 기둥은 수직으로 형성이 되므로 금속 회로부 역시 수직의 기둥으로 구성이 되는 장점이 있다.

본 발명에서는 도금되는 금속의 대표적 소재는 구리를 들 수가 있으며, 그 외에도 금, 니켈, 크롬 등등의 다양한 금속을 들 수가 있다. 도금 회로부가 사용되어지는 특성과 용도에 따라서 얼마든지 도금되어지는 금속을 선택할 수가 있음은 물론이다.

도금을 실시함에 있어서, 2종류 이상의 금속을 순차적으로 도금을 할 수가 있다. 이것은 일정시간 동안, 특정된 금속의 도금 조에서 먼저 도금을 진행한 후, 그리고 다시 다른 금속의 도금 조에서 계속하여 도금을 진행함으로서 가능하게 된다. 이와 같이 하게 되면, 2 종류 이상의 금속을 순차적으로 도금하여 다층구조의 회로부를 구성을 할 수가 있다.

금속 회로부의 강도를 증가시키기 위한 목적과 전기저항을 현격하게 줄이기 위한 목적 등으로 다층 금속층을 구성시킬 필요가 있게 된다.

본 발명은 이러한 다층구조의 도금 회로부를 형성할 필요가 있을 경우에는 얼마든지 용이하게 다층 금속층으로 구성을 할 수가 있는 것이 본 발명의 또 다른 특징이라 하겠다.

본 발명의 또 다른 큰 특징 중의 하나는 노광부와 도금 회로부가 서로 맞물려서 극미세 회로가 견고히 기판에 결합된다는 점이다.

기존의 에칭 공법에 의하여 제작이 되는 회로기판은 금속 회로부만 존재하므로 외부의 스크레치에 의하여 회로가 파괴되는 일이 많다. 그러나 본 발명은 노광부와 도금 회로부가 서로 견고히 물고 있는 상태가 되므로 도금 회로부가 외부의 스크레치에 대하여 파괴되지 않게 된다.

또한 노광부와 도금 회로부가 맞물린 상태로 기판에 결합이 되어 있으므로, 기판과의 결합력도 훨씬 증대가 되는 큰 장점이 있게 된다.

따라서 도금 회로부가 아무리 극미세화 되어 진다 하더라도, 측면에 있는 노광부와 견고히 결합이 되어져 있음으로 인하여, 도금 회로부의 결합력과 안정성은 보장이 된다.

본 발명의 실시예에서 도금 회로부의 피치는 극미세 피치가 많이 적용이 된다. 본 발명은 도금 회로부의 피치가 30 미크론 이하의 초정밀 피치도 얼마든지 용이하게 제작이 가능하다.

본 발명에서는 피치의 크기를 극히 미세하게 하는 것도 쉬운 작업이라 하겠다. 종래의 에칭법으로는 30 미크론 이하의 초정밀 피치를 가공하는 것이 어려웠으나, 본 발명은 이러한 초정밀 피치의 가공도 극히 용이하게 할 수가 있는 특징이 있으므로 이러한 영역에서 본 발명의 가치가 더욱더 현격하게 드러난다고 하겠다.

도금 회로부를 형성하기 위하여서는, 에칭된 스퍼터링 회로부가 서로 연결이 되어져 있어야만 전류를 전체적으로 흐르게 할 수가 있고, 전류가 흘러야만 도금을 할 수가 있게 된다.

따라서 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부가 서로 서로 떨어져 있는 경우에는, 도금 작업을 하기 이전에 서로의 끝 단부를 연결하여 전류가 통할 수가 있는 구조로 하여야만 한다. 도금작업을 완료한 이후에는, 후작업을 통하여 연결단부를 제거하기도 한다. 이러한 작업은 회로 설계 시에 미리 검토를 하고 작업을 진행하면 된다.

도 7은 감광재의 노광부를 제거한 실시예에 대한 설명도이다.

노광부와 도금 회로부가 같이 맞물려 있지 않는 것이 필요할 경우에는, 추가로 감광재의 노광부를 화학적으로 녹여서 제거하면 된다. 이같이 하면 도금 회로부(7) 사이에는 공간부가 형성이 된다.

본 발명은, 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환 변형이 가능하므로 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다.

1 : 기판 2 : 스파트링 금속층
3 : 스퍼터링 회로부 4 : 감광재
5 : 노광부 6 : 비노광부
7 : 도금 회로부

Claims (28)

1. 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법에 있어서,
   기판(1) 위에 얇은 도전층을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 스퍼터링 금속층(2)을 형성하고;
   상기 스퍼터링 금속층(2)에 에칭작업을 통하여 스퍼터링 회로부(3)를 형성하고;
   상기 스퍼터링 회로부(3)의 상부에 감광재(4)를 도포하고;
   노광작업을 통하여 빛을 조사하여, 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하고;
   감광재의 비노광부는 화학적 반응을 통하여 제거하여 공간부를 형성하고;
   상기 공간부에 의하여 노출된 스퍼터링 회로부(3)에 도금작업을 통하여 도금 회로부(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,
   기판은 투명한 기판이며, 기판의 하부에서 빛을 조사하여 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   기판(1)은 유연성의 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   기판(1)은 유리판인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   기판(1) 위에 형성되어지는 스퍼터링 금속층(2)은 구리소재인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   노광부(5) 사이 공간부에 2종류 이상의 금속을 순차적으로 도금하여 다층구조의 도금 회로부(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   노광부(5)의 두께는 20 미크론에서 60 미크론 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   도금에 의하여 형성이 되는 도금 회로부(7)의 피치는 30 미크론 이하인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
   도금 회로부(7) 공정 이후에, 상기 노광부(5)를 화학적으로 녹여 제거하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의한 극미세 회로기판의 제조방법.
10. 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로기판의 제조방법에 있어서,
    기판(1) 위에 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부(3)가 형성되고;
    상기 스퍼터링 회로부(3) 위에 도금공정을 통하여 도금 회로부(7)가 형성되며;
    상기 도금 회로부(7) 사이에는 노광부(5)가 형성되며;
    상기 도금 회로부(7)와 상기 노광부(5)가 일체로 결합되는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판의 제조방법.
11. 제 10항에 있어서,
    노광부(5)가 화학적으로 제거된 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의한 극미세 회로기판의 제조방법.
12. 기판(1) 위에 얇은 도전층을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 스퍼터링 금속층(2)을 형성하고;
    상기 스퍼터링 금속층(2)에 에칭작업을 통하여 스퍼터링 회로부(3)를 형성하고;
    상기 스퍼터링 회로부(3)의 상부에 감광재(4)를 도포하고;
    노광작업을 통하여 빛을 조사하여, 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하고;
    감광재의 비노광부는 화학적 반응을 통하여 제거하여 공간부를 형성하고;
    상기 공간부에 의하여 노출된 스퍼터링 회로부(3)에 도금작업을 통하여 도금 회로부(7)를 형성하는 방법으로 제작되는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
13. 제 12항에 있어서,
    기판은 투명한 기판이며, 기판의 하부에서 빛을 조사하여 스퍼터링 회로부(3)가 없는 부분의 감광재에만 노광부(5)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    기판(1)은 유연성의 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
15. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    기판(1)은 유리판인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
16. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    기판(1) 위에 형성되어지는 스퍼터링 금속층은 구리소재인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
17. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    공간부에 2 종류 이상의 금속을 순차적으로 도금하여 다층구조의 도금 회로부(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
18. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    노광부의 두께는 20 미크론에서 60 미크론 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
19. 제 18항에 있어서,
    도금 회로부(7)의 피치는 30 미크론 이하인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
20. 제 12항 또는 제 13항에 있어서,
    노광부(5)를 화학적으로 녹여서 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선 에칭과 후도금방법에 의한 극미세 회로기판.
21. 기판(1) 위에 에칭에 의하여 스퍼터링 회로부(3)가 형성되고;
    상기 스퍼터링 회로부(3) 위에 도금공정을 통하여 도금 회로부(7)가 형성되며;
    상기 도금 회로부(7) 사이에는 노광부(5)가 형성되며;
    상기 도금 회로부(7)와 상기 노광부(5)가 일체로 결합된 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
22. 제 21항에 있어서,
    기판(1)은 유연성의 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
23. 제 21항에 있어서,
    기판(1)은 유리판인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
24. 제 21항에 있어서,
    기판(1) 위에 형성되어지는 스퍼터링 금속층은 구리소재인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
25. 제 21항에 있어서,
    노광부 사이 공간부에 2종류 이상의 금속을 순차적으로 도금하여 다층구조의 도금 회로부(7)를 형성하는 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
26. 제 21항에 있어서,
    스퍼터링 회로부(3) 위에 도포되는 감광재의 두께는 20 미크론에서 60 미크론 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
27. 제 26항에 있어서,
    도금 회로부(7)의 피치는 30 미크론 이하인 것을 특징으로 하는 선에칭과 후도금방법에 의하여 노광부와 일체로 결합된 극미세 회로를 가지는 기판.
28. 제 21항에서 제 27항의 어느 한 항에 있어서,
    노광부(5)가 화학적으로 제거된 것을 특징으로 하는 극미세 회로기판.

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