KR20130079041A - Apparatus for preventing leakage of light in chip tester - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light leakage prevention device of chip test equipment is provided to minimize the leakage of emitted light from a chip which occurs between an integrating sphere and a wafer, and to maximize the light which enters the inside of the integrating sphere. CONSTITUTION: Chip test equipment includes a probe holding stage, probe unit, integrating sphere (400), wafer support unit, supporting shaft (500), and light collection guide (600). The probe unit positioned on the upper side of the probe holding stage. The integrating sphere is located above the prove unit. A wafer is attached or detached by the wafer support unit which is located under the probe holding stage. The supporting shaft is located under the wafer which is mounted on the wafer support unit. A light collection guide directs light leaking between the integrating sphere and the wafer into the integrating sphere.

Description

칩 검사장치의 빛 누출방지장치{APPARATUS FOR PREVENTING LEAKAGE OF LIGHT IN CHIP TESTER}Light leak prevention device of chip inspection device {APPARATUS FOR PREVENTING LEAKAGE OF LIGHT IN CHIP TESTER}

본 발명은 칩 검사장치의 빛 누출방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light leakage preventing device of the chip inspection device.

엘이디(LED: Light Emitting Diode)는 전원공급에 의해 발광하는 발광소자이다. 엘이디는 반응 속도가 빠르고 수명이 길다. 또한 소형이며 소비전력이 적다. 이와 같은 특성으로, 엘이디는 각종 디스플레이 기기와 조명 기기 등에 널리 사용되고 있다.LED (Light Emitting Diode) is a light emitting device that emits light by power supply. LEDs respond quickly and have a long life. It is also compact and low power consumption. Due to these characteristics, LEDs are widely used in various display devices and lighting devices.

엘이디는 반도체 제조 공정을 이용하여 제작된다. 일반적으로 엘이디는 기판에 에피 웨이퍼를 마련하는 에피 공정(EPI)과, 웨이퍼를 다수의 엘이디 칩으로 제조하는 칩 공정(Fabrication), 칩 공정에서 제조된 엘이디 칩을 패키징하는 패키징 공정(Package)과, 패키징 공정을 거친 엘이디 칩을 검사하는 검사 공정을 거치면서 제작된다.The LED is manufactured using a semiconductor manufacturing process. In general, an LED is an epitaxial process (EPI) for preparing an epi wafer on a substrate, a chip process for manufacturing a wafer into a plurality of LED chips, a packaging process for packaging an LED chip manufactured in a chip process, and It is manufactured during the inspection process of inspecting the LED chip through the packaging process.

엘이디 제조 공정에서, 패키징 공정을 거치면서 엘이디 칩에 불량이 발생될 경우 검사 공정에서 불량품을 분류하게 된다. 하지만, 에피 공정과 칩 공정에서 엘이디 칩에 불량이 발생될 경우 그 불량 엘이디 칩을 불필요하게 패키징 공정을 하게 된다. 따라서, 패키징 공정 이전에 엘이디 칩들의 성능을 검사하여 기준치 이하의 불량 엘이디 칩을 패키징 공정에서 배제하게 되면 불량 엘이디 칩을 패키징하는 공정을 줄일 수 있다. In the LED manufacturing process, if a defect occurs in the LED chip during the packaging process, the defective product is classified in the inspection process. However, when a defect occurs in the LED chip in the epi process and the chip process, the defective LED chip is unnecessarily packaged. Therefore, if the defective LED chips below the reference value are excluded from the packaging process by inspecting the performance of the LED chips before the packaging process, the process of packaging the defective LED chips can be reduced.

패키징 공정 전에 엘이디 칩들을 검사하는 공정은 칩 검사장치에 의해 수행된다. 칩 검사장치의 일예로, 칩 검사장치는 웨이퍼에 배열된 칩에 한 쌍의 프로브로 구성된 프로브 유닛을 접촉시킨 후 칩에서 발광되는 빛을 적분구에서 수광하여 광특성을 측정한다. The process of inspecting the LED chips before the packaging process is performed by the chip inspection apparatus. As an example of the chip inspection apparatus, the chip inspection apparatus contacts a probe unit composed of a pair of probes to chips arranged on a wafer, and then receives light emitted from the chip at an integrating sphere to measure optical characteristics.

도 1은 칩 검사장치의 상부 부분을 도시한 정면도이다. 도 2는 상기 칩 검사장치의 프로브 홀딩 스테이지와 프로브 유닛을 도시한 평면도이다.1 is a front view showing the upper portion of the chip inspection device. 2 is a plan view illustrating a probe holding stage and a probe unit of the chip inspection apparatus.

도 1,2에 도시한 바와 같이, 상기 칩 검사장치는 프로브 홀딩 스테이지(100)와 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 상면에 구비되는 프로브 유닛(PU)을 포함한다. 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)는 일정 두께를 갖는 사각판의 내부에 관통구멍(H)이 구비되고 그 관통구멍(H)의 일부분은 사각판의 전면과 개구된 형상으로 이루어진다.As illustrated in FIGS. 1 and 2, the chip inspection apparatus includes a probe holding stage 100 and a probe unit PU provided on an upper surface of the probe holding stage 100. The probe holding stage 100 is provided with a through hole H in a rectangular plate having a predetermined thickness, and a part of the through hole H has an open shape with the front surface of the rectangular plate.

상기 프로브 유닛(PU)은 한 쌍을 이루는 두 개의 프로브(200)로 구성된다. 상기 두 개의 프로브(200)는 서로 일정 간격을 두고 상기 프로브 홀딩 스테이지(100) 상면에 위치한다. 상기 프로브(200)는 프로브 홀딩 스테이지(100)에 결합되는 홀더 본체(210)와, 상기 홀더 본체(210)에 연결되어 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부로 향하도록 절곡된 홀더 막대(220)와, 상기 홀더 막대(220)의 단부에 연결되는 프로브 헤드(230)와, 상기 프로브 헤드(230)에 연결되는 니들(240)을 포함한다. 상기 프로브 헤드(230)와 니들(240)은 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부에 위치한다. 상기 프로브 헤드(230)에 와이어(미도시)가 연결되며 상기 와이어를 통해 전기적인 신호가 프로브 헤드(230) 및 니들(240)에 전달된다.The probe unit PU is composed of two probes 200 forming a pair. The two probes 200 are positioned on an upper surface of the probe holding stage 100 at a predetermined interval from each other. The probe 200 is a holder body 210 coupled to the probe holding stage 100 and a holder bent to be connected to the holder body 210 to face the through hole H of the probe holding stage 100. It includes a rod 220, a probe head 230 connected to an end of the holder rod 220, and a needle 240 connected to the probe head 230. The probe head 230 and the needle 240 are located inside the through hole H of the probe holding stage 100. A wire (not shown) is connected to the probe head 230, and an electrical signal is transmitted to the probe head 230 and the needle 240 through the wire.

상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 아래쪽에 웨이퍼 지지유닛(미도시)이 구비되며, 웨이퍼 지지유닛에 웨이퍼(10)가 착탈 가능하게 삽입된다. 상기 웨이퍼 지지유닛의 가운데 부분에 관통구멍이 구비되고 그 관통구멍으로 웨이퍼의 칩(13)들이 노출된다. 웨이퍼(10)는 일정 두께를 갖는 고리 형상의 프레임(11)과, 상기 프레임(11)의 내부에 구비된 테잎(12)과, 상기 테잎(12)에 배열된 작은 엘이디 칩(13)(이하, 칩이라 함)들을 포함한다. 상기 프로브 유닛(PU)의 두 개의 니들(240)들은 상기 웨이퍼의 칩(13)들의 상측에 위치한다. 상기 웨이퍼(10)의 아래쪽에 웨이퍼의 칩(13)들을 지지하는 서포트 축(300)이 구비된다.A wafer support unit (not shown) is provided below the probe holding stage 100, and the wafer 10 is detachably inserted into the wafer support unit. A through hole is provided in the center portion of the wafer support unit, and the chips 13 of the wafer are exposed through the through hole. The wafer 10 includes an annular frame 11 having a predetermined thickness, a tape 12 provided inside the frame 11, and a small LED chip 13 arranged on the tape 12 (hereinafter, referred to as a wafer). , Chips). Two needles 240 of the probe unit PU are located above the chips 13 of the wafer. A support shaft 300 supporting the chips 13 of the wafer is provided below the wafer 10.

상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 위쪽에 칩의 광특성을 측정하는 적분구(400)가 위치한다. 상기 적분구(400)는 내부가 중공된 구 형상의 적분구 본체(410)와, 상기 적분구 본체(210)의 하부에 일정 길이로 연장된 원통 형태의 수광부(420)와, 상기 적분구 본체(210)의 중간 외면에 구비된 복수 개의 포트(미도시)들과, 상기 적분구 본체(210)의 상부에 구비된 연결부(430)를 포함한다. 상기 적분구 본체(210)의 내면은 빛을 반사시키도록 반사 코팅면이 구비된다. 상기 원통 형태의 수광부(420)는 적분구 본체(210)의 내부와 연통된다. 상기 포트들에 각각 측정기(440)가 연결된다.An integrating sphere 400 for measuring the optical characteristics of the chip is positioned above the probe holding stage 100. The integrating sphere 400 has a spherical integrating sphere body 410 having a hollow inside, a cylindrical light-receiving unit 420 extending at a predetermined length under the integrating sphere body 210, and the integrating sphere body A plurality of ports (not shown) provided on the middle outer surface of the 210 and the connecting portion 430 provided on the upper portion of the integrating sphere body (210). The inner surface of the integrating sphere body 210 is provided with a reflective coating surface to reflect light. The cylindrical light receiving unit 420 communicates with the interior of the integrating sphere body 210. The meter 440 is connected to each of the ports.

상기 적분구(400)의 연결부(430)에 지지유닛이 연결되며, 상기 지지유닛에 의해 상기 적분구(400)가 상하 방향 및 좌우 방향으로 움직임이 가능하게 된다.A support unit is connected to the connection part 430 of the integrating sphere 400, and the integrating sphere 400 is movable in the vertical direction and the left and right directions by the supporting unit.

상기한 바와 같은 칩 검사장치는 두 개의 프로브(200)가 프로브 홀딩 스테이지(100)에 고정된 상태에서 적분구(400)가 아래로 이동하여 적분구(400)의 수광부(420)의 끝면이 프로브(200)의 니들(240) 끝 상측에 위치한다. 그리고 서포트 축(300)이 위로 이동하면서 설정된 칩(13)을 두 개의 프로브(200)의 니들(240)에 접촉시킨다. 상기 칩(13)이 니들(240)들에 접촉됨에 따라 전기적 신호가 칩(13)에 전달되어 칩(13)이 발광한다. 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 적분구 본체(210)의 내부에 수집된 빛이 측정기(440)에 의해 측정되면서 칩(13)의 성능을 측정하게 된다.In the chip inspection apparatus as described above, the integrating sphere 400 moves downward while the two probes 200 are fixed to the probe holding stage 100 so that the end surface of the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400 is probed. It is located above the tip of the needle 240 of the (200). In addition, the support shaft 300 moves upward to contact the set chip 13 with the needles 240 of the two probes 200. As the chip 13 contacts the needles 240, an electrical signal is transmitted to the chip 13 so that the chip 13 emits light. Light emitted from the chip 13 is collected into the integrating sphere body 210 through the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400. The light collected inside the integrating sphere body 210 is measured by the measuring device 440 to measure the performance of the chip 13.

그러나 상기한 바와 같은 구성은, 도 3에 도시한 바와 같이, 프로브 헤드(230)가 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 위치하게 되므로 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이에 간격이 발생되어 칩(13)에서 발광되는 빛의 일부분이 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 누출되어 광손실이 발생된다. 이로 인하여, 칩(13)의 광특성을 정확하게 측정하지 못하는 경우가 발생된다. 이와 같이, 칩(13)에서 발광되는 빛의 손실로 인하여 칩(13)의 성능을 정확하게 측정하지 못하게 될 경우 우수한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩 손실을 발생시키게 된다.However, the configuration as described above, as shown in Figure 3, the probe head 230 is located between the wafer 10 and the end surface of the light receiving portion 420 of the integrating sphere 400, the light receiving portion of the integrating sphere 400 A gap is generated between the end surface and the wafer 10 so that a portion of the light emitted from the chip 13 leaks between the end surface of the light receiver 420 and the wafer 10 to generate light loss. For this reason, the case where the optical characteristic of the chip 13 cannot be measured correctly arises. As such, when the performance of the chip 13 may not be accurately measured due to the loss of light emitted from the chip 13, the excellent chip is classified as a bad chip and causes chip loss.

본 발명의 목적은 칩에서 발광되는 빛이 외부로 누출되는 것을 최소화하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a light leakage preventing device of the chip inspection device to minimize the leakage of light emitted from the chip to the outside.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 칩과 접촉되어 칩에 전기적 신호를 인가하는 프로브 유닛; 상기 프로브 유닛의 위에 위치하며, 상기 칩에서 발광되는 빛을 수광하는 적분구;를 포함하는 칩 검사장치에 있어서, 상기 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구 내부로 반사시키는 빛 수집 가이드를 포함하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치가 제공된다.In order to achieve the object of the present invention, the probe unit is in contact with the chip of the wafer to apply an electrical signal to the chip; An integrating sphere positioned on the probe unit and receiving light emitted from the chip, the chip inspection apparatus comprising: a light collection guide for reflecting light leaking between the integrating sphere and the wafer into the integrating sphere. The light leakage preventing device of the chip inspection device is provided.

상기 빛 수집 가이드는 체결수단에 의해 상기 적분구에 연결되는 것이 바람직하다.The light collection guide is preferably connected to the integrating sphere by fastening means.

상기 빛 수집 가이드는 일정 길이를 갖는 원통체와, 상기 원통체의 하면에 상기 프로브의 일부분이 삽입되도록 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈을 포함하는 것이 바람직하다.The light collection guide preferably includes a cylindrical body having a predetermined length, and an opening groove having a predetermined width and length so that a portion of the probe is inserted into a lower surface of the cylindrical body.

상기 개구홈의 수는 상기 프로브 유닛을 구성하는 프로브의 수와 같게 형성되는 것이 바람직하다.The number of the opening grooves is preferably formed equal to the number of probes constituting the probe unit.

상기 빛 수집 가이드의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비되는 것이 바람직하다.It is preferable that a reflective coating film for reflecting light is provided on the inner surface of the light collection guide.

상기 체결수단은 상기 적분구에 원통 형태로 돌출된 수광부가 구비되며 상기 수광부의 끝에 일정 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈이 구비되고, 상기 빛 수집 가이드에 복수 개의 나사공들이 구비되며, 상기 나사공들에 각각 나사가 관통 체결되어 수광부의 환형 홈에 결합되는 것이 바람직하다.The fastening means is provided with a light-receiving portion protruding in a cylindrical shape in the integrating sphere, a ring-shaped annular groove having a predetermined width and depth at the end of the light-receiving portion, a plurality of screw holes are provided in the light collection guide, Preferably, the screw is threaded through the screw holes to be coupled to the annular groove of the light receiving unit.

상기 웨이퍼의 아래쪽에 칩을 지지하는 서포트 축이 구비되고 상기 서포트 축의 상단에 지지캡이 구비되며 상기 지지캡의 외면이 빛을 방사시키는 거울면인 것이 바람직하다.It is preferable that a support shaft for supporting a chip is provided below the wafer, and a support cap is provided at an upper end of the support shaft, and an outer surface of the support cap is a mirror surface for emitting light.

본 발명은 칩의 광특성을 측정하는 적분구의 수광부 끝면과 웨이퍼 사이의 간격을 빛 수집 가이드가 막게 되므로 수광부 끝면과 웨이퍼 사이로 방사되는 빛이 빛 수집 가이드에 의해 반사되어 수광부를 통해 적분구 본체 내부로 수집된다. 이로 인하여, 칩에서 발광되는 빛이 적분구 외부로 누출되는 것을 최소화시키게 되므로 칩의 광특성을 정확하게 측정하게 된다. 칩의 광특성이 정확하게 측정되므로 우량한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩이 손실되는 방지하게 된다.In the present invention, since the light collection guide blocks the gap between the light receiving end surface of the integrating sphere and the wafer for measuring the optical characteristics of the chip, the light emitted between the light receiving end surface and the wafer is reflected by the light collecting guide and then into the integrating sphere body through the light receiving unit. Is collected. As a result, light emitted from the chip is minimized to leak out of the integrating sphere, thereby accurately measuring optical characteristics of the chip. Since the optical characteristics of the chip are accurately measured, the superior chip is classified as a bad chip, thereby preventing the chip from being lost.

도 1은 칩 검사장치의 일예의 상부를 도시한 정면도,
도 2는 상기 칩 검사장치를 구성하는 프로브 홀딩 스테이지와 프로브 유닛을 도시한 평면도,
도 3은 상기 칩 검사장치의 일예의 상부 일부분을 확대하여 도시한 정면도,
도 4는 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누설방지장치의 일실시예가 구비된 칩 검사장치의 일예를 도시한 정면도,
도 5는 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누설방지장치의 일실시예를 도시한 정면도,
도 6은 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누설방지장치의 일실시예를 구성하는 빛 수집 가이드를 도시한 사시도.1 is a front view showing an upper portion of an example of a chip testing device;
2 is a plan view showing a probe holding stage and a probe unit constituting the chip inspection device;
3 is an enlarged front view of an upper portion of an example of the chip testing apparatus;
Figure 4 is a front view showing an example of a chip inspection device equipped with an embodiment of the light leakage preventing device of the chip inspection device according to the present invention,
5 is a front view showing an embodiment of the light leakage preventing device of the chip inspection device according to the present invention,
Figure 6 is a perspective view showing a light collection guide constituting an embodiment of the light leakage preventing device of the chip inspection device according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누출방지장치를 첨부도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the light leakage preventing device of the chip inspection apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누출방지장치의 일실시예를 도시한 정면도이다.Figure 4 is a front view showing an embodiment of the light leakage preventing device of the chip inspection apparatus according to the present invention.

도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누출방지장치의 일실시예를 설명한다. 먼저, 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누출방지장치의 일실시예가 구비된 칩 검사장치는 프로브 홀딩 스테이지(100)와, 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 상면에 구비된 프로브 유닛(PU)과, 상기 프로브 유닛(PU)의 위쪽에 위치하는 적분구(400)와, 상기 프로브 홀딩 스테이지(100)의 아래쪽에 위치하며 웨이퍼(10)가 착탈되는 웨이퍼 지지유닛(미도시)과, 상기 웨이퍼 지지유닛에 장착된 웨이퍼(10)의 아래쪽에 위치하는 서포터 축(500)과, 상기 적분구(400)와 웨이퍼(10) 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구(400) 내부로 유도하는 빛 수집 가이드(600)를 포함한다. With reference to Figure 4, an embodiment of a light leakage preventing device of the chip inspection device according to the present invention. First, the chip inspection apparatus equipped with an embodiment of the light leakage preventing device of the chip inspection apparatus according to the present invention is a probe holding stage 100, the probe unit (PU) provided on the upper surface of the probe holding stage 100 and , An integrating sphere 400 positioned above the probe unit PU, a wafer support unit (not shown) positioned below the probe holding stage 100 and detachable from the wafer 10, and the wafer support. A light collecting guide for guiding light leaking between the supporter shaft 500 and the integrating sphere 400 and the wafer 10 into the integrating sphere 400 located below the wafer 10 mounted in the unit ( 600).

상기 프로브 홀딩 스테이지(100)는 일정 두께를 갖는 사각판의 내부에 관통구멍(H)이 구비되고 그 관통구멍(H)의 일부분은 사각판의 전면과 개구된 형상으로 이루어진다.The probe holding stage 100 is provided with a through hole H in a rectangular plate having a predetermined thickness, and a part of the through hole H has an open shape with the front surface of the rectangular plate.

상기 프로브 유닛(PU)은 한 쌍을 이루는 두 개의 프로브(200)로 구성된다. 상기 두 개의 프로브(200)는 서로 일정 간격을 두고 상기 프로브 홀딩 스테이지(100) 상면에 위치한다. 상기 프로브(200)는 프로브 홀딩 스테이지(100)에 결합되는 홀더 본체(210)와, 상기 홀더 본체(210)에 연결되어 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부로 향하도록 절곡된 홀더 막대(220)와, 상기 홀더 막대(220)의 단부에 연결되는 프로브 헤드(230)와, 상기 프로브 헤드(230)에 연결되는 니들(240)을 포함한다. 상기 프로브 헤드(230)와 니들(240)은 프로브 홀딩 스테이지(100)의 관통구멍(H) 내부에 위치한다. 상기 프로브 헤드(230)에 와이어가 연결되며 상기 와이어를 통해 전기적인 신호가 프로브 헤드(230) 및 니들(240)에 전달된다.The probe unit PU is composed of two probes 200 forming a pair. The two probes 200 are positioned on an upper surface of the probe holding stage 100 at a predetermined interval from each other. The probe 200 is a holder body 210 coupled to the probe holding stage 100 and a holder bent to be connected to the holder body 210 to face the through hole H of the probe holding stage 100. It includes a rod 220, a probe head 230 connected to an end of the holder rod 220, and a needle 240 connected to the probe head 230. The probe head 230 and the needle 240 are located inside the through hole H of the probe holding stage 100. A wire is connected to the probe head 230, and an electrical signal is transmitted to the probe head 230 and the needle 240 through the wire.

상기 웨이퍼 지지유닛의 가운데 부분에 관통구멍이 구비되고 그 관통구멍으로 웨이퍼의 칩(13)들이 노출된다. 상기 프로브 유닛(PU)의 두 개의 니들(240)들은 상기 웨이퍼의 칩(13)들의 상측에 위치한다. A through hole is provided in the center portion of the wafer support unit, and the chips 13 of the wafer are exposed through the through hole. Two needles 240 of the probe unit PU are located above the chips 13 of the wafer.

상기 서포트 축500)은 상하로 설정된 거리를 왕복 운동하면서 칩(13)을 지지한다.The support shaft 500 supports the chip 13 while reciprocating the distance set up and down.

상기 적분구(400)는 칩(13)의 광특성을 측정한다. 상기 적분구(400)는 내부가 중공된 구 형상의 적분구 본체(210)와, 상기 적분구 본체(210)의 하부에 일정 길이로 연장된 원통 형태의 수광부(420)와, 상기 적분구 본체(210)의 중간 외면에 구비된 복수 개의 포트(미도시)들과, 상기 적분구 본체(210)의 상부에 구비된 연결부(430)를 포함한다. 상기 적분구 본체(210)의 내면은 빛을 반사시키도록 반사 코팅면이 구비된다. 상기 원통 형태의 수광부(420)는 적분구 본체(210)의 내부와 연통된다. 상기 포트들에 각각 측정기(440)가 연결된다.The integrating sphere 400 measures the optical characteristics of the chip 13. The integrating sphere 400 has a spherical integrating sphere main body 210 having a hollow inside, a cylindrical light-receiving unit 420 extending at a predetermined length under the integrating sphere main body 210, and the integrating sphere main body A plurality of ports (not shown) provided on the middle outer surface of the 210 and the connecting portion 430 provided on the upper portion of the integrating sphere body (210). The inner surface of the integrating sphere body 210 is provided with a reflective coating surface to reflect light. The cylindrical light receiving unit 420 communicates with the interior of the integrating sphere body 210. The meter 440 is connected to each of the ports.

상기 적분구(400)의 연결부(430)에 지지유닛이 연결되며, 상기 지지유닛에 의해 상기 적분구(400)가 상하 방향 및 좌우 방향으로 움직임이 가능하게 된다.A support unit is connected to the connection part 430 of the integrating sphere 400, and the integrating sphere 400 is movable in the vertical direction and the left and right directions by the supporting unit.

상기 빛 수집 가이드(600)는 상기 적분구(400)와 웨이퍼(10) 사이에 구비되며, 상기 빛 수집 가이드(600)는 체결수단에 의해 상기 적분구(400)에 연결되는 것이 바람직하다.The light collection guide 600 is provided between the integrating sphere 400 and the wafer 10, the light collection guide 600 is preferably connected to the integrating sphere 400 by a fastening means.

상기 빛 수집 가이드(600)는, 도 4,5,6에 도시한 바와 같이, 일정 길이를 갖는 원통체(610)와, 상기 원통체(610)의 하면에 상기 프로브(200)가 삽입되는 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈(620)을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 개구홈(620)의 폭은 상기 프로브 헤드(230)의 폭과 상응하는 것이 바람직하다. 상기 개구홈(620)의 수는 상기 프로브(200)의 수와 같게 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 프로브(200)의 수가 두 개이면 상기 개구홈(620)의 수가 두 개이고, 상기 프로브(200)가 한 개로 구성되면 상기 개구홈(620)의 수가 한 개이다. 즉, 상기 빛 수집 가이드(600)가 적분구(400)에 연결된 상태에서 아래로 내려오면 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)들에 각각 프로브 헤드(230)가 각각 삽입된다. 상기 빛 수집 가이드(600)의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비되는 것이 바람직하다.As shown in FIGS. 4, 5, and 6, the light collection guide 600 includes a cylindrical body 610 having a predetermined length, and a constant in which the probe 200 is inserted into a lower surface of the cylindrical body 610. It is preferred to include an opening groove 620 having a width and a length. The width of the opening groove 620 preferably corresponds to the width of the probe head 230. The number of the opening grooves 620 is preferably equal to the number of the probes 200. That is, if the number of the probes 200 is two, the number of the opening grooves 620 is two, and if the number of the probes 200 is one, the number of the opening grooves 620 is one. That is, when the light collection guide 600 descends while being connected to the integrating sphere 400, the probe heads 230 are respectively inserted into the opening grooves 620 of the light collection guide 600. It is preferable that a reflective coating film is provided on the inner surface of the light collection guide 600 to reflect light.

상기 체결수단은 상기 적분구(400)의 수광부(420)의 끝에 일정 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈(421)과, 상기 빛 수집 가이드(600)에 복수 개의 나사공(630)들과, 상기 빛 수집 가이드(600)의 나사공(630)들이 상기 적분구 수광부(420)의 환형 홈(421)에 일치된 상태에서 상기 나사공(630)들에 각각 관통하도록 체결되어 수광부(420)의 환형 홈(421)에 고정 결합되는 나사(700)들을 포함한다. 상기 나사(700)는 세트 스크류인 것이 바람직하다. The fastening means includes a ring-shaped annular groove 421 having a predetermined width and depth at the end of the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400, and a plurality of screw holes 630 in the light collection guide 600. In addition, the screw holes 630 of the light collection guide 600 are fastened to penetrate the screw holes 630, respectively, in a state coincided with the annular groove 421 of the integrating sphere light receiving unit 420. Screws 700 are fixedly coupled to the annular groove 421 of the. The screw 700 is preferably a set screw.

한편, 상기 빛 수집 가이드(600)는 상기 프로브(200)에 결합될 수도 있다.The light collection guide 600 may be coupled to the probe 200.

상기 서포트 축(500)의 상단부는 칩(13)에서 발광되는 빛을 반사시키도록 거울면인 것이 바람직하다. 상기 서포트 축(500)의 상단부는 폴리싱 가공하여 서포트 축(500)의 상단부를 거울면으로 만드는 것이 바람직하다. The upper end of the support shaft 500 is preferably a mirror surface to reflect the light emitted from the chip 13. The upper end of the support shaft 500 is preferably polished to make the upper end of the support shaft 500 a mirror surface.

한편, 상기 서포트 축(500)의 상단에 지지캡(510)이 구비되며 상기 지지캡(510)의 외면이 빛을 반사시키는 거울면인 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the support cap 510 is provided on the upper end of the support shaft 500 and the outer surface of the support cap 510 is a mirror surface for reflecting light.

이하, 본 발명에 따른 칩 검사장치의 빛 누출방지장치의 작용과 효과를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation and effects of the light leakage preventing device of the chip inspection device according to the present invention will be described.

먼저, 두 개의 프로브(200)가 프로브 홀딩 스테이지(100)에 고정된 상태에서 적분구(400)가 아래로 이동하여 적분구(400)의 수광부(420)의 끝면이 프로브(200)의 니들(240) 끝 상측에 위치하며, 상기 적분구(400)의 이동과 함께 적분구(400)의 수광부(420)에 결합된 빛 수집 가이드(600)가 아래로 이동하여 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)에 프로브 헤드(230)가 빛 수집 가이드(600)의 개구홈(620)에 삽입되며 빛 수집 가이드(600)의 끝면이 웨이퍼의 칩(13)들과 거의 접촉할 정도로 칩(13)의 위쪽으로 인접하게 위치한다.First, the integrating sphere 400 is moved downward while the two probes 200 are fixed to the probe holding stage 100 so that the end surface of the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400 is the needle of the probe 200. The light collecting guide 600 coupled to the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400 moves downward with the movement of the integrating sphere 400. In the groove 620, the probe head 230 is inserted into the opening groove 620 of the light collection guide 600, and the chip 13 is disposed so that the end surface of the light collection guide 600 is almost in contact with the chips 13 of the wafer. ) Adjacent to the top of the).

그리고 서포트 축(500)이 위로 이동하면서 설정된 칩(13)을 두 개의 프로브(200)의 니들(240)에 접촉시킨다. 상기 칩(13)이 니들(240)들에 접촉됨에 따라 전기적 신호가 칩(13)에 전달되어 칩(13)이 발광한다. 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집되며 또한 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 방사되는 빛은 빛 수집 가이드(600)에 의해 반사되어 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 적분구 본체(210)의 내부에 수집된 빛이 측정기(440)에 의해 측정되면서 칩(13)의 성능을 측정하게 된다.The support shaft 500 moves upward to contact the set chip 13 with the needles 240 of the two probes 200. As the chip 13 contacts the needles 240, an electrical signal is transmitted to the chip 13 so that the chip 13 emits light. Light emitted from the chip 13 is collected into the integrating sphere body 210 through the light receiving portion 420 of the integrating sphere 400 and is also radiated between the end surface of the light receiving portion 420 of the integrating sphere 400 and the wafer 10. The light is reflected by the light collection guide 600 and is collected into the integrating sphere body 210 through the light receiving unit 420 of the integrating sphere 400. The light collected inside the integrating sphere body 210 is measured by the measuring device 440 to measure the performance of the chip 13.

또한, 웨이퍼의 설정된 칩(13)을 위로 미는 서포트 축(500)의 상단부가 거울면인 경우 칩(13)의 아래쪽으로 일부 방사되는 빛은 서포트 축(500)의 상단부 거울면에 반사되어 적분구(400)의 수광부(420)를 통해 적분구 본체(410) 내부로 수집된다. In addition, when the upper end of the support shaft 500 pushing the set chip 13 of the wafer is a mirror surface, the light partially radiated downward of the chip 13 is reflected on the mirror surface of the upper end of the support shaft 500 to integrate the sphere. It is collected into the integrating sphere body 410 through the light receiving unit 420 of 400.

이와 같이, 본 발명은 프로브 헤드(230)가 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 위치하게 되므로 웨이퍼(10)와 적분구(400)의 수광부(420) 끝면 사이에 간격이 발생하게 되나, 적분구(400)의 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이의 간격을 빛 수집 가이드(600)가 막게 되므로 수광부(420) 끝면과 웨이퍼(10) 사이로 방사되는 빛이 빛 수집 가이드(600)에 의해 반사되어 수광부(420)를 통해 적분구 본체(210) 내부로 수집된다. 이로 인하여, 칩(13)에서 발광되는 빛이 적분구(400) 외부로 누출되는 것을 최소화시키게 되므로 칩(13)의 광특성을 정확하게 측정하게 된다. 칩(13)의 광특성이 정확하게 측정되므로 우량한 칩이 불량한 칩으로 분류되어 칩(10)이 손실되는 방지하게 된다.As such, according to the present invention, the probe head 230 is positioned between the wafer 10 and the end surface of the light receiving portion 420 of the integrating sphere 400, and thus, between the wafer 10 and the end surface of the light receiving portion 420 of the integrating sphere 400. Although the interval is generated in the light, the light collection guide 600 blocks the gap between the light-receiving portion 420 end surface of the integrating sphere 400 and the wafer 10, so the light emitted between the light-receiving portion 420 end surface and the wafer 10 Reflected by the light collection guide 600 is collected into the integrating sphere body 210 through the light receiving unit 420. As a result, light emitted from the chip 13 is minimized to leak out of the integrating sphere 400, thereby accurately measuring optical characteristics of the chip 13. Since the optical characteristics of the chip 13 are accurately measured, the superior chip is classified as a bad chip, thereby preventing the chip 10 from being lost.

PU; 프로브 유닛 200; 프로브
400; 적분구 500; 서포트 축
600; 빛 수집 가이드 10; 웨이퍼PU; Probe unit 200; Probe
400; Integrating sphere 500; Support shaft
600; Light collection guide 10; wafer

Claims (7)

웨이퍼의 칩과 접촉되어 칩에 전기적 신호를 인가하는 프로브 유닛;
상기 프로브 유닛의 위에 위치하며, 상기 칩에서 발광되는 빛을 수광하는 적분구;를 포함하는 칩 검사장치에 있어서,
상기 적분구와 웨이퍼 사이로 누출되는 빛을 상기 적분구 내부로 반사시키는 빛 수집 가이드를 포함하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.A probe unit in contact with a chip of the wafer to apply an electrical signal to the chip;
In the chip inspection apparatus comprising: an integrating sphere located on the probe unit, for receiving the light emitted from the chip,
And a light collection guide for reflecting light leaking between the integrating sphere and the wafer into the integrating sphere. 제 1 항에 있어서, 상기 빛 수집 가이드는 체결수단에 의해 상기 적분구에 연결되는 것을 특징을 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.The light leakage preventing device of claim 1, wherein the light collection guide is connected to the integrating sphere by a fastening means. 제 1 항에 있어서, 상기 빛 수집 가이드는 일정 길이를 갖는 원통체와, 상기 원통체의 하면에 상기 프로브 유닛를 구성하는 프로브의 일부분이 삽입되도록 일정 폭과 길이를 갖는 개구홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.The light collecting guide of claim 1, wherein the light collection guide includes a cylindrical body having a predetermined length, and an opening groove having a predetermined width and a length such that a portion of the probe constituting the probe unit is inserted into a lower surface of the cylindrical body. Light leak prevention device of chip inspection device. 제 3 항에 있어서, 상기 개구홈의 수는 상기 프로브 유닛를 구성하는 프로브의 수와 같게 형성된 것을 특징으로 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.4. The light leakage preventing device of claim 3, wherein the number of the opening grooves is equal to the number of probes constituting the probe unit. 제 1 항에 있어서, 상기 빛 수집 가이드의 내면에 빛을 반사시키는 반사 코팅막이 구비된 것을 특징으로 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.The light leakage preventing device of claim 1, wherein a reflection coating film is provided on an inner surface of the light collection guide. 제 1 항에 있어서, 상기 체결수단은 상기 적분구에 원통 형태로 돌출된 수광부가 구비되며 상기 수광부의 끝에 일정 폭과 깊이를 갖는 링 형상의 환형 홈이 구비되고, 상기 빛 수집 가이드에 복수 개의 나사공들이 구비되며, 상기 나사공들에 각각 나사가 관통 체결되어 수광부의 환형 홈에 결합되는 것을 특징으로 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.According to claim 1, The fastening means is provided with a light receiving portion protruding in a cylindrical shape in the integrating sphere, the end of the light receiving portion is provided with a ring-shaped annular groove having a predetermined width and depth, a plurality of screw in the light collection guide Light holes of the chip inspection device, characterized in that the holes are provided, the screw holes through the screw holes are coupled to the annular groove of the light receiving unit. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 아래쪽에 칩을 지지하는 서포트 축이 구비되고 상기 서포트 축의 상단에 지지캡이 구비되며 상기 지지캡의 외면이 빛을 방사시키는 거울면인 것을 특징으로 하는 칩 검사장치의 빛 누출방지장치.
The chip inspection apparatus according to claim 1, wherein a support shaft for supporting the chip is provided below the wafer, and a support cap is provided on the upper end of the support shaft, and the outer surface of the support cap is a mirror surface for emitting light. Light leak prevention device.
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