KR20130042865A - 청색 인광 도펀트 및 이를 이용하는 유기전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 청색 인광 도펀트에 관한 것으로, 특히 발광효율 및 색순도에서 장점을 갖는 청색 인광 도펀트 및 이를 포함하여 소비전력을 줄이고 고품질의 영상을 제공할 수 있는 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED)라고도 불리는 유기전계발광소자의 기술이 빠른 속도로 발전하고 있으며, 이미 여러 시제품들이 발표된 바 있다.
유기 전계 발광 소자는 전자 주입 전극(음극)과 정공 주입 전극(양극) 사이에 형성된 발광물질층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. 플라스틱 같은 휠 수 있는(flexible) 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)이나 무기 전계발광(EL) 디스플레이에 비해 낮은 전압에서 (10V이하) 구동이 가능하고, 또한 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있다. 또한 유기 전계 발광(EL) 소자는 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 차세대 풍부한 색 디스플레이 소자로 많은 사람들의 많은 관심의 대상이 되고 있다. 여기서 유기전계발광소자를 제작하는 과정을 간단히 살펴보면,
(1) 먼저, 투명기판 위에 인듐-틴-옥사이드(indium tin oxide; ITO)와 같은 물질을 증착하여 양극(anode)을 형성한다.
(2) 상기 양극 상에 정공주입층(HIL:hole injecting layer)을 형성한다. 정공주입층은 주로 하기 화학식1-1로 표시되는 4,4'-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}phenyl]-N-phenylamino]biphenyl (DNTPD)를 10nm 내지 30nm 두께로 증착하여 형성된다.
(3) 다음, 상기 정공주입층 상에 정공수송층(HTL: hole transport layer)을 형성한다. 이러한 정공수송층은 하기 화학식1-2로 표시되는 4,4'-bis[N-(1-naphtyl)-N-phenylamino]-biphenyl (NPB)을 30nm 내지 60nm 정도 증착하여 형성된다.
(4) 다음, 상기 정공수송층 상에 발광물질층 (EML: emitting material layer)을 형성한다. 이때 필요에 따라 도펀트(dopant)를 첨가한다. 예를 들어, 하기 화학식1-3으로 표시되는 Bis(N-carbazolyl)biphenyl (CBP)에 하기 화학식1-4로 표시되는 인광 적색 Dopant Bis(2-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium(III) (Ir(phq)2acac)를 도핑하여 적색 발광물질층을 형성하고, 하기 화학식1-5로 표시되는 1,3-bis(9H-carbazol-9-yl)benzene (mCP)에 하기 화학식1-6으로 표시되는 FIrPic을 도핑하여 청색 발광물질층을 형성한다.
(5) 다음, 상기 발광물질층 상에 전자수송층(ETL:electron transport layer) 및 전자주입층(EIL: electron injecting layer)을 연속적으로 형성한다.
(6) 다음, 상기 전자주입층 상에 음극(cathode)을 형성하고, 마지막으로 상기 음극 상에 보호막을 형성한다.
화학식1
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화학식1
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화학식1
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화학식1
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화학식1
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최근에는 발광물질층에 형광 물질보다 인광 물질이 많이 사용되는 추세이다. 형광 물질의 경우 발광물질층에서 형성되는 엑시톤 중에 약 25%의 단일항만이 빛을 만드는 데 사용되고 75%의 삼중항은 대부분 열로 소실되는 반면, 인광 물질은 단일항과 삼중항 모두를 빛으로 전환 시키는 발광 메커니즘을 가지고 있기 때문이다. 인광 도펀트(dopant)는 일반적으로 유기물의 중심부에 인듐(Ir)과 같은 무거운 원소(heavy atom)를 포함하며 삼중항에서 단일항으로의 전자 전이 확률이 높다.
인광 재료를 이용하기 위해서는 높은 발광효율, 높은 색순도가 요구되며, 이중 청색의 경우 도 1과 같이 색순도가 높아질수록(CIE 색좌표 X값이 커질수록) 시감도가 급격히 떨어지기 때문에, 동일한 내부양자효율로는 높은 발광효율을 얻기 어려운 문제가 있다. 이에 따라 우수한 색순도와 높은 발광효율의 특징을 가지는 청색 인광 물질의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 높은 발광효율 및 색순도를 갖는 청색 인광 도펀트을 제공하여 고 품질의 영상을 제공하고 저소비전력의 장점을 갖는 유기전계발광소자를 제공하고자 한다.
위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 청색 인광 도펀트를 제공한다.
(A1, A2, A3, A5, A6, A7 및 A8 각각은 CH, CR1, N, NR2, S 또는 O 중 어느 하나이며, A4 및 A9 각각은 탄소(C) 또는 질소(N)이고, B1, B2, B3, B4, B5 및 B6 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나이며, n은 1 내지 2이다.)
상기 R1 및 R2 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 A9인 탄소인 것을 특징으로 한다.
다른 관점에서, 본 발명은 제 1 전극과; 상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과; 상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 적색, 녹색 및 청색 발광물질패턴으로 구성되는 발광물질층을 포함하고, 상기 청색 발광물질패턴은 하기 화학식으로 표시되는 청색 인광 도펀트를 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자를 제공한다.
(A1, A2, A3, A5, A6, A7 및 A8 각각은 CH, CR1, N, NR2, S 또는 O 중 어느 하나이며, A4 및 A9 각각은 탄소(C) 또는 질소(N)이고, B1, B2, B3, B4, B5 및 B6 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나이며, n은 1 내지 2이다.)
상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공주입층과; 상기 정공주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층과; 상기 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자주입층과; 상기 전자주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자수송층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 R1 및 R2 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 A9인 탄소인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청색 인광 도펀트는 종래 이리듐 착화합물에 비해 청색 발광 영역에서 인광 양자 수율(quantum yield) 및 발광 효율이 향상되는 효과를 갖는다.
또한, 단파장 영역에서 발광 스펙트럼을 가져, 색순도가 향상된다.
따라서, 청색 인광 도펀트를 이용하는 유기전계발광소자는 발광 효율이 향상되어 소비전력을 줄일 수 있으며 색순도 향상에 따라 고품질의 영상을 구현할 수 있다.
도 1은 색순도와 시감도(상대 민감도)의 관계를 보여주는 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 청색 인광 도펀트의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 청색 인광 도펀트의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 EL 스펙트럼이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 청색 인광 도펀트의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 청색 인광 도펀트의 UV 스펙트럼 및 PL 스펙트럼이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 EL 스펙트럼이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 개략적인 단면도이다.
이하, 본 발명에 따른 청색 인광 도펀트의 구조 및 그 합성예와, 이를 이용한 유기전계발광소자에 대해 설명한다.
본 발명의 청색 인광 도펀트는 이리듐 착화합물이며, 하기 화학식2로 표시된다.
화학식2
상기 화학식2에서 A1, A2, A3, A5, A6, A7 및 A8 각각은 CH, CR1, N, NR2, S 또는 O에서 선택되고, n은 1 내지 2이다.
또한, A4 및 A9 각각은 C 또는 N에서 선택된다. A9은 탄소인 경우 합성 수율을 높일 수 있다.
B1, B2, B3, B4, B5, B6 및 R1, R2 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기로부터 선택된다.
예를 들어, 상기 화학식2의 물질은 하기 화학식3에 표시된 다수의 물질 중 어느 하나일 수 있다.
화학식3
상기 화학식2로 표시된 청색 인광 도펀트는 높은 인광 양자 수율을 가져 발광효율이 향상된다. 또한, 단파장 영역에서 발광 스펙트럼을 가져 색순도가 향상된다.
이하에서는, 본 발명에 따른 청색 인광 도펀트 중 하기 화학식4 및 화학식5에 표시된 청색 인광 도펀트(A-1, A-2)의 합성예을 설명한다.
화학식4
(1) 화합물 B의 합성
아래 화합물 B는 반응식1에 의해 합성된다.
반응식1
250 ml 둥근바닥 플라스크에 2-chloropyridine (4.2 g, 36.99 mmol), 3-pyridine boronic acid (5 g)을 1,4-dioxane (75 ml), water (25 ml)에 녹이고, tris(dibenzylideneacetone)dipalladium (0) (0.34 g), tri-cyclo-hexyl-phosphine (0.25 g), potassium phosphate (13.35 g)을 첨가한 후 100℃에서 10시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 휘발물질을 감압하여 제거하였다. 잔류물을 에틸아세테이트와 헥산을 이용한 컬럼크로마트그래피를 실행하여 화합물 B (5 g)를 얻었다.
(2) 화합물 C의 합성
아래 화합물 C는 반응식2에 의해 합성된다.
반응식2
250 ml 둥근바닥 플라스크에 3-bromopyridine (5 g, 31.6 mmol), Pyrazole (3.06 g)을 N,N-dimethylformamide 73 ml에 녹이고, copper Iodide (1.2 g) calcium cabonate (20.6 g)을 첨가한 후 120 ℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 휘발물질을 감압하여 제거하였다. 잔류물을 에틸아세테이트와 헥산을 이용한 컬럼크로마트그래피를 통해 화합물 C (2.5 g)를 얻었다.
(3) 화합물 D의 합성
아래 화합물 D는 반응식3에 의해 합성된다.
반응식3
250 ml 둥근바닥 플라스크에 화합물 C (2.14 g), IrCl3·3(H2O) (2 g)을 2-ethoxyethanol과 water 3:1 혼합 용액(120 ml)에 녹이고 130 ℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 과량의 증류수(150 ml)를 가한 후, 감압 여과하였다. 이후, 증류수(30 ml X 3)와 헥산(30 ml X 3)으로 씻어 주었다. 침전물에 메탄올(100 ml)를 첨가하고 30 분간 초음파 처리(sonication)하고, 감압 여과하여 고체화합물 D 2.2g을 얻었다.
(4) 화합물 A-1 합성
화합물 A-1을 아래 반응식4에 의해 합성하였다.
반응식4
25 mL 둥근바닥 플라스크에 화합물 D (1.86 g), 화합물 B (5.72 g)와 K2CO3(2.52 g)를 혼합한 후, 반응 혼합물을 30분간 진공 건조 시키고, 반응 플라스크에 질소 가스를 채워 주었다.(3번 반복) 반응 혼합물을 220℃에서 24시간 반응 시키고, 실온으로 온도를 낮추어 준 후, Celite 545로 녹지 않는 침전물을 제거하였다. 이후 메틸렌클로라이드와 헥산을 이용한 컬럼크로마토그래피를 거친 후 메릴렌클로라이드와 헥산을 이용하여 침전시키고 감압여과하여 화합물 A-1을 합성하였다. (0.42 g)
상기 화합물 A-1의 UV 스펙트럼과 PL 스펙트럼을 보여주는 도 2를 참조하면, 약 458 nm에서 λmax가 나타난다. 즉, 단파장영역에서 λmax를 갖기 때문에, 향상된 색순도를 얻을 수 있다.
화학식5
(1) 화합물 F의 합성
아래 화합물 F는 반응식5에 의해 합성된다.
반응식5
250 ml 둥근바닥 플라스크에 화합물 B (2.33 g), IrCl3·3(H2O) (2 g)을 2-ethoxyethanol과 water 3:1 혼합 용액(120 ml)에 녹이고 130 ℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고, 과량의 증류수(150 ml)를 가하였다. 감압 여과 후, 증류수(30 ml X 3)와 헥산(30 ml X 3)으로 씻어 주었다. 침전물에 메탄올(100 ml)를 첨가하고 30 분간 초음파 처리 시켜준 후, 감압 여과하여 고체화합물 F 2.7g을 얻었다.
(2) 화합물 A-2의 합성
화합물 A-2는 반응식6에 의해 합성된다.
반응식6
25 mL 둥근바닥 플라스크에 화합물 F (1.86 g), 화합물 C (5 g)와 K2CO3 (2.4 g)를 혼합한 후, 반응 혼합물을 30분간 진공 건조 시키고, 반응 플라스크에 질소 가스를 채워 주었다.(3번 반복) 반응 혼합물을 220℃에서 24시간 반응 시키고, 실온으로 온도를 낮추어 준 후, Celite 545로 녹지 않는 침전물을 제거하였다. 이후 메틸렌클로라이드와 헥산으로 컬럼크로마토그래피를 거친 후 메릴렌클로라이드와 헥산을 이용하여 침전시키고 감압여과하여 화합물 A-2를 합성하였다. (0.39 g)
상기 화합물 A-2의 UV 스펙트럼과 PL 스펙트럼을 보여주는 도 3을 참조하면, 약 455 nm에서 λmax가 나타난다. 즉, 단파장영역에서 λmax를 갖기 때문에, 향상된 색순도를 얻을 수 있다.
상기 A-1의 청색 인광 도펀트를 이용하여 유기전계발광소자를 제작하였다.
기판 상에 양극인 ITO층의 발광 면적이 3mm X 3mm 크기가 되도록 패턴한 후 세정하였다. 진공 챔버에서 유기물을 ITO층위에 전자주입층으로 HATCN (50Å), 전자수송층으로 NPD(550Å), 전자저지층(electron blocking layer)으로 TAPC(100Å), 발광물질층으로 호스트 mCP (300Å)+ 도펀트 A-1(15%), 정공수송층으로 TmPyPB(400Å), 정공주입층으로 LiF(5Å), 음극 Al(1000Å)의 순서로 형성하였다.
전술한 소자는 10mA/cm2에서 구동전압은 6.02V이고, 발광효율은 1914cd/m2, 전력효율은 9.99lm/W 그리고 quantum efficiency는 9.86%를 나타내었으며 이때 CIE x = 0.170, y = 0.342를 나타내었다. 상기 소자의 EL 스펙트럼을 도 4에 도시하였다.
즉, 낮은 구동 전압에서 높은 발광효율을 가져 저소비전력의 유기전계발광소자의 제공이 가능하다.
상기한 청색 인광 도펀트를 포함하여 이루어지는 유기전계발광소자에 대한 일 실시예를 도 5에 도시하였다.
도시한 바와 같이, 유기전계발광소자는 서로 마주보는 제 1 및 제 2 기판(미도시)과, 상기 제 1 및 제 2 기판(미도시) 사이에 형성되어 있는 유기발광다이오드(130)를 포함한다.
상기 유기발광다이오드(130)는 양극 역할을 하는 제 1 전극(132), 음극 역할을 하는 제 2 전극(138) 및 상기 제 1 및 제 2 전극(132, 138) 사이에 형성되는 유기발광층으로 이루어진다.
상기 제 1 전극(132)은 일함수 값이 비교적 높은 물질, 예를 들어, 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어지며, 상기 제 2 전극(138)은 일함수 값이 비교적 낮은 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)로 이루어진다. 또한, 상기 유기발광층은 적색, 녹색, 청색은 유기발광패턴으로 이루어진다.
상기 유기발광층은 발광효율을 극대화하기 위해, 다중층 구조 즉, 제 1 전극(132)으로부터 순차적으로 정공주입층(hole injection layer; HTL) (133), 정공수송층(hole transporting layer; HIL) (134), 발광물질층(emitting material layer; EML) (135), 전자수송층(electron transporting layer, ETL)(136) 및 전자주입층(electron injection layer, EIL)(137)으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 청색 유기발광패턴은 호스트에 상기 화학식2로 표시된 청색 인광 도펀트가 도핑되어 형성된다. 상기 도펀트는 약 0.1~50wt%일 수 있으며, 바람직하게는 약 1~20wt%이다. 상기 도펀트는 높은 인광 양자 수율에 의해 발광효율이 향상되며 또한 단파장 영역에서 λmax를 갖는다. 따라서, 이를 이용하는 유기전계발광소자는 저비소전력에 의해 구동되며 높은 색순도의 고품질 영상을 구현할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
132: 제 1 전극 133: 정공주입층
134: 정공수송층 135: 발광물질층
136: 전자수송층 136: 전자주입층
138: 제 2 전극
134: 정공수송층 135: 발광물질층
136: 전자수송층 136: 전자주입층
138: 제 2 전극
Claims (7)
- 하기 화학식으로 표시되는 청색 인광 도펀트.
(A1, A2, A3, A5, A6, A7 및 A8 각각은 CH, CR1, N, NR2, S 또는 O 중 어느 하나이며, A4 및 A9 각각은 탄소(C) 또는 질소(N)이고, B1, B2, B3, B4, B5 및 B6 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나이며, n은 1 내지 2이다.)
- 제 1 항에 있어서,
상기 R1 및 R2 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 청색 인광 도펀트.
- 제 1 항에 있어서,
상기 A9인 탄소인 것을 특징으로 하는 청색 인광 도펀트.
- 제 1 전극과;
상기 제 1 전극과 마주보는 제 2 전극과;
상기 제 1 및 제 2 전극 사이에 위치하며, 적색, 녹색 및 청색 발광물질패턴으로 구성되는 발광물질층을 포함하고,
상기 청색 발광물질패턴은 하기 화학식으로 표시되는 청색 인광 도펀트를 포함하여 이루어지는 것이 특징인 유기전계발광소자.
(A1, A2, A3, A5, A6, A7 및 A8 각각은 CH, CR1, N, NR2, S 또는 O 중 어느 하나이며, A4 및 A9 각각은 탄소(C) 또는 질소(N)이고, B1, B2, B3, B4, B5 및 B6 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나이며, n은 1 내지 2이다.)
- 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공주입층과;
상기 정공주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 정공수송층과;
상기 발광물질층과 상기 제 2 전극 사이에 위치하는 전자주입층과;
상기 전자주입층과 상기 발광물질층 사이에 위치하는 전자수송층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 4 항에 있어서,
상기 R1 및 R2 각각은 수소, 중수소(D), 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br)과 같은 할로겐, 시아노기, C1 내지 C6의 알킬기, C1 내지 C6의 알콕시기, C6 이상의 치환 또는 비치환된 방향족 그룹, C5 이상의 치환 또는 비치환된 이형고리 그룹, C1 내지 C6의 아민기, C6 이상의 방향족 그룹이 치환된 아민기, C5 이상의 이형고리 그룹이 치환된 아민기, C1 내지 C6의 알킬기 또는 C6 이상의 아릴기로 치환된 실릴기 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 4 항에 있어서,
상기 A9인 탄소인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
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