KR20130040064A - 전기 스위치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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KR20130040064A
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 명세서는 3개의 전극을 통해 전기 스위치를 제어할 수 있는 전기 스위치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치는, 강유전체 기판과; 상기 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 형성된 제1 전극 및 제2 전극과; 상기 강유전체 기판의 타면에 형성되고, 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치하는 제3 전극을 포함할 수 있다.

Description

전기 스위치 및 그 제조 방법{ELECTRIC SWITCH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 명세서는 전기 스위치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전기 스위치는 과전류에 의해 변화되는 전기 도전성을 이용한다. 예를 들면, 전기 스위치에 사용되는 강유전체의 자발 분극의 변화를 이용하여 스위칭을 제어할 수도 있다. 상기 전기 스위치에 대한 설명은 한국 특허 출원 번호 출원번호 10-2005-7021117에도 개시되어 있다.
본 명세서는 3개의 전극을 통해 전기 스위치를 제어할 수 있는 전기 스위치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치는, 강유전체 기판과; 상기 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 형성된 제1 전극 및 제2 전극과; 상기 강유전체 기판의 타면에 형성되고, 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치하는 제3 전극을 포함할 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 전기 스위치는 상기 제1 전극 및 제2 전극을 전로(electric path)가 가능한 전위로 설정하고, 상기 제3 전극에 특정 전압을 인가함으로써 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 상기 전로를 형성하거나 상기 전로를 차단하며, 상기 제2 전극은 접지될 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 전로가 가능한 거리일 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 상기 강유전체 기판의 두께 및/또는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 결정될 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 전기 스위치는 상기 제3 전극에 0V가 인가되면 턴-오프(Turn-Off)되고, 상기 제1 전극에 걸려있는 전압과 동일한 전압이 상기 제3 전극에 인가되면 턴-온(Turn-On)될 수 있다.
본 명세서와 관련된 일 예로서, 상기 제1 전극 및 제2 전극과 상기 강유전체 기판 사이에 형성되는 유리 기판을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치 제조 방법은, 강유전체 기판의 일면의 동일 평면상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계와; 상기 강유전체 기판의 타면에 제 3 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제3 전극은 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치될 수 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 제조 방법은, 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 강유전체 기판의 타면에 상기 제1 전극과 대향하는 방향으로 제3 전극을 형성함으로써 턴-온/턴-오프(스위칭) 제어할 수 있는 효과가 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 제조 방법은, 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 강유전체 기판의 타면에 상기 제1 전극과 대향하는 방향으로 제3 전극을 형성함으로써 박막 스위치(Thin Film Switch)를 제작할 수 있는 효과도 있다.
본 명세서의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 제조 방법은, 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 강유전체 기판의 타면에 상기 제1 전극과 대향하는 방향으로 제3 전극을 형성함으로써 반도체 공정을 수행할 필요가 없으며, 이로 인해 전기 스위치의 제조 비용을 절감할 수 있는 효과도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 제조 방법은, 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 상기 강유전체 기판의 타면에 상기 제1 전극과 대향하는 방향으로 제3 전극을 형성함으로써 반도체 공정없이 단순한 공정을 통해 전기 스위치를 제조할 수 있는 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 0V를 인가했을 때의 포텐셜 에너지(potential energy) 분포 결과를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 전압을 인가했을 때의 포텐셜 에너지(potential energy) 분포 결과를 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 0V를 인가했을 때의 전기장(e-field) 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 전압을 인가했을 때의 전기장(e-field) 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 스위치를 나타낸 구성도이다.
본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적 용어는 본 명세서에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "구성된다" 또는 "포함한다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 여러 구성 요소들, 또는 여러 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 그 중 일부 구성 요소들 또는 일부 단계들은 포함되지 않을 수도 있고, 또는 추가적인 구성 요소 또는 단계들을 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
또한, 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 발명의 사상을 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 발명의 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
이하에서는, TFT(Thin film transistor)와 같은 박막 스위치를 필요로 하는 모든 소자에 적용할 수 있는 전기 스위치 및 그 제조 방법을 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 제조 방법은 종래의 캐패시터(Capacitor)와 다르게 트리플(triple) 전극으로 구성된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치를 나타낸 구성도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는,
강유전체(ferroelectrics) 기판(10)과;
상기 강유전체 기판(10)의 일면(예를 들면, 하부면)의 동일 평면에 형성된 제1 전극(Voltage inject 전극) 및 제2 전극(접지 전극)(20, 40)과;
상기 강유전체 기판(10)의 타면(예를 들면, 상부면)에 형성되고, 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치하는 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)을 포함한다.
상기 강유전체 기판(10) 대신에 자발 분극(spontaneous polarization)을 갖는 다양한 유전체가 사용될 수도 있으며, 상기 강유전체 물질로서 로셸염(Rochelle salt)이 사용될 수도 있다.
일반적으로, 강유전체는 자발 분극을 가져 분극 방향의 제어가 가능하다. 강유전체의 자발 분극의 가변성을 이용하여 강유전체 메모리를 제조할 수도 있다. 또한, 강유전체에 전압을 인가함으로써 자발 분극의 방향을 변화시키고, 이에 따라 이동하는 전하를 이용하여 전기 스위치를 구성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 전로(electric path)가 가능한 전위로 설정하고, 상기 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)에 특정 전압(예를 들면, 5 Volt(V) 또는 0V)을 인가함으로써 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이에 전로(electric path)를 형성하거나 그 전로를 차단하는(전로의 발생을 제어함) 전기 스위치로서, 상기 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)에 0V가 인가하면 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는 턴-오프(Turn-Off) 상태가 될 수 있다. 여기서, 상기 제2 전극(40)은 접지된다.
상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 전로(electric path)가 가능한 거리로서, 상기 강유전체 기판(10)의 두께(D)에 따라 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 변경될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)에 인가되는 전압에 따라 변경될 수도 있다. 또한, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 상기 강유전체 기판(10)의 두께(D) 및 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)에 인가되는 전압에 따라 결정(변경)될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 0V를 인가했을 때의 포텐셜 에너지(potential energy) 분포 결과를 나타낸 도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V가 인가되면 상기 전기 스위치(100)는 턴-오프(Turn-Off) 상태가 됨을 알 수 있다. 예를 들면, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V가 인가되면, 포텐셜 에너지(potential energy)가 대부분 상/하에 분포하며, 좌/우에는 포텐셜 에너지가 매우 미비하게 분포되어 있음을 알 수 있으며, 이로 인해 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이에 전로(electrical path)가 형성되지 못한다. 즉, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V가 인가되면 상기 전기 스위치(100)는 턴-오프(Turn-Off) 상태가 됨을 알 수 있다.
반면, 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압 또는 유사한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가하면 상기 전기 스위치(100)는 턴-온(Turn-On) 상태가 될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 전압을 인가했을 때의 포텐셜 에너지(potential energy) 분포 결과를 나타낸 도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가하면, 상기 전기 스위치(100)는 턴-온(Turn-On) 상태가 됨을 알 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압이 상기 제3 전극(30)에 인가되면, 포텐셜 에너지(potential energy)가 대부분 좌/우에 분포하며, 상/하에는 포텐셜 에너지가 매우 미비하게 분포되어 있음을 알 수 있으며, 이로 인해 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이에 전로(electrical path)가 형성된다. 즉, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가하면 상기 전기 스위치(100)는 턴-온(Turn-On) 상태가 됨을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 0V를 인가했을 때의 전기장(e-field) 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V가 인가되면 전기장(e-field)이 일부에만 분포됨으로 인해 상기 전기 스위치(100)가 턴-오프(Turn-Off) 상태가 된다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)에 전압을 인가했을 때의 전기장(e-field) 시뮬레이션(simulation) 결과를 나타낸 도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가하면, 전기장(e-field)이 전체적으로 분포됨으로 인해 상기 전기 스위치(100)가 턴-온(Turn-On) 상태가 된다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V를 인가하거나, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가함으로써 턴-온/턴-오프 제어될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써 박막 스위치(Thin Film Switch)로서 제작될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써, 반도체 공정을 수행할 필요가 없으며, 이로 인해 전기 스위치(100)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써, 반도체 공정없이 단순한 공정을 통해 제조될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 스위치를 나타낸 구성도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 기판(예를 들면, 유리 기판)(50)과; 상기 기판(50)의 일면(예를 들면, 하부면)의 동일 평면에 형성된 제1 전극(Voltage inject 전극) 및 제2 전극(접지 전극)(20, 40)과; 상기 기판(50)의 타면(예를 들면, 상부면)에 형성된 강유전체(ferroelectrics) 기판(10)과; 상기 강유전체 기판(10) 상에 형성되고, 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향에 위치하는 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)을 포함한다.
상기 기판(50)은 유리 기판뿐만 아니라 플라스틱, 수정 등과 같은 투명한 기판일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 스위치(100)는, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 전로(electric path)가 가능한 전위로 설정하고, 상기 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)에 특정 전압(예를 들면, 5 Volt(V) 또는 0V)을 인가함으로써 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이에 전로(electric path)를 형성하거나 그 전로를 차단하는(전로의 발생을 제어함) 전기 스위치로서, 상기 제3 전극(스위치 제어 전극)(30)에 0V가 인가되면 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 스위치(100)는 턴-오프(Turn-Off) 상태가 될 수 있다.
상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 전로(electric path)가 가능한 거리로서, 상기 강유전체 기판(10)의 두께(D)에 따라 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 변경될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)에 인가되는 전압에 따라 변경될 수도 있다. 또한, 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40) 사이의 거리(d)는 상기 강유전체 기판(10)의 두께(D) 및 상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)에 인가되는 전압에 따라 변경될 수도 있다.
반면, 상기 전기 스위치(100)는 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가함으로써 턴-온(Turn-On) 상태가 될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 방법은, 상기 전기 스위치(100)의 제3 전극(30)에 0V를 인가하거나, 상기 제1 전극(20)에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극(30)에 인가함으로써 턴-온/턴-오프(스위칭) 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 방법은, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써, 박막 스위치(Thin Film Switch)로서 제작될 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 방법은, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써, 반도체 공정을 수행할 필요가 없으며, 이로 인해 전기 스위치(100)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 전기 스위치 및 그 방법은, 강유전체 기판(10)의 일면의 동일 평면에 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)을 형성하고, 상기 강유전체 기판(10)의 타면에 상기 제1 전극(20)과 대향하는 방향으로 제3 전극(30)을 형성함으로써, 반도체 공정없이 단순한 공정을 통해 제조할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 강유전체 기판 20: 제1 전극
30: 제 3 전극 40: 제2 전극

Claims (12)

  1. 강유전체 기판과;
    상기 강유전체 기판의 일면의 동일 평면에 형성된 제1 전극 및 제2 전극과;
    상기 강유전체 기판의 타면에 형성되고, 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치하는 제3 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기 스위치는,
    상기 제1 전극 및 제2 전극을 전로(electric path)가 가능한 전위로 설정하고, 상기 제3 전극에 특정 전압을 인가함으로써 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 상기 전로를 형성하거나 상기 전로를 차단하며, 상기 제2 전극은 접지되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 전로가 가능한 거리인 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 상기 강유전체 기판의 두께 및/또는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전기 스위치는,
    상기 제3 전극에 0V가 인가되면 턴-오프(Turn-Off)되고, 상기 제1 전극에 걸려있는 전압과 동일한 전압이 상기 제3 전극에 인가되면 턴-온(Turn-On)되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극과 상기 강유전체 기판 사이에 형성되는 유리 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 스위치.
  7. 강유전체 기판의 일면의 동일 평면상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계와;
    상기 강유전체 기판의 타면에 제 3 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제3 전극은 상기 제1 전극과 대향하는 방향에 위치되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극을 전로(electric path)가 가능한 전위로 설정하는 단계와;
    상기 제3 전극에 특정 전압을 인가함으로써 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 상기 전로를 형성하거나 상기 전로를 차단하는 단계를 포함하며, 상기 제2 전극은 접지되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 전로가 가능한 거리인 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이의 거리는 상기 강유전체 기판의 두께 및/또는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 제3 전극에 0V를 인가함으로써 상기 전기 스위치를 턴-오프(Turn-Off)시키는 단계와;
    상기 제1 전극에 걸려있는 전압과 동일한 전압을 상기 제3 전극에 인가함으로써 상기 전기 스위치를 턴-온(Turn-On)시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극과 상기 강유전체 기판 사이에 유리 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 스위치 제조 방법.
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