KR20130032498A - 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는, 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 사용하는 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 균일 확장성을 갖고, 가열 수축 공정에서 고온의, 장시간의 열량을 주지 않아도 충분한 가열 수축성을 나타내고, 또한 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기시키지 않도록 하는 것이다.
웨이퍼 가공용 테이프(10)를, 기재 필름(11)과, 기재 필름(11) 상에 형성된 점착제층(12)과, 점착제층(12) 상에 형성된 접착제층(13)으로 구성하고, 기재 필름(11)을 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지로 한다.

Description

웨이퍼 가공용 테이프{WAFER PROCESSING TAPE}

본 발명은 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 사용하는, 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.

IC 등의 반도체 장치의 제조 공정에서는, 회로 패턴 형성 후의 웨이퍼를 박막화하기 위해 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정, 반도체 웨이퍼의 이면에 점착성 및 신축성이 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 부착한 후에 웨이퍼를 칩 단위로 분단하는 다이싱 공정, 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드하는 공정, 분단된 칩을 픽업하는 공정, 또한 픽업된 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하거나, 혹은 적층 패키지에 있어서는, 반도체 칩끼리를 적층, 접착하는 다이본딩(마운트) 공정이 실시된다.

상기 백그라인드 공정에서는, 웨이퍼의 회로 패턴 형성면(웨이퍼 표면)을 오염으로부터 보호하기 위한 표면 보호 테이프가 사용된다. 웨이퍼의 이면 연삭 종료 후, 이 표면 보호 테이프를 웨이퍼 표면으로부터 박리할 때는, 이하에 서술하는 웨이퍼 가공용 테이프(다이싱ㆍ다이본딩 테이프)를 웨이퍼 이면에 접합한 후, 흡착 테이블에 다이싱ㆍ다이본딩 테이프측을 고정하고, 표면 보호 테이프에, 웨이퍼에 대한 접착력을 저하시키는 처리를 실시한 후, 표면 보호 테이프를 박리한다. 표면 보호 테이프가 박리된 웨이퍼는, 그 후 이면에 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 접합된 상태에서 흡착 테이블로부터 들어 올려지고, 다음의 다이싱 공정으로 이행된다. 또한, 상기의 접착력을 저하시키는 처리란, 표면 보호 테이프가 자외선 등의 에너지선 경화성 성분으로 이루어지는 경우는 자외선 조사 처리를 말하며, 표면 보호 테이프가 열경화성 성분으로 이루어지는 경우는 열 조사(가열) 처리를 말한다.

상기 백그라인드 공정 후의 다이싱 공정 내지 마운트 공정에서는, 기재 필름 상에 점착제층과 접착제층이 이 순서대로 적층된 다이싱ㆍ다이본딩 테이프가 사용된다. 일반적으로, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 사용하는 경우는, 우선 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱ㆍ다이본딩 테이프의 접착제층을 부착해서 반도체 웨이퍼를 고정하고, 다이싱 블레이드를 사용해서 반도체 웨이퍼 및 접착제층을 칩 단위로 다이싱한다. 그 후, 테이프를 반도체 웨이퍼의 직경 방향으로 익스팬드 하는 것에 의해서, 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정이 실시된다. 이 익스팬드 공정은, 그 후의 픽업 공정에 있어서 CCD 카메라 등에 의한 칩의 인식성을 높이는 동시에, 칩을 픽업할 때에 인접하는 칩끼리 접촉함으로써 발생하는 칩의 파손을 방지하기 위해서 실시된다. 그 후 픽업 공정에서, 칩은 접착제층과 함께 점착제층으로부터 박리되어 픽업되고, 마운트 공정에서 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착된다. 이와 같이, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 사용함으로써, 접착제층이 붙은 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 직접 접착하는 것이 가능해지므로, 접착제의 도포 공정이나 별도로 각 칩에 다이본딩 필름을 접착하는 공정을 생략할 수 있다.

그러나, 상기 다이싱 공정에서는, 상술한 바와 같이 다이싱 블레이드를 사용해서 반도체 웨이퍼와 접착제층을 함께 다이싱하기 때문에, 웨이퍼의 절삭 부스러기뿐만 아니라, 접착제층의 절삭 부스러기도 발생하게 된다. 접착제층의 절삭 부스러기는, 그 자신이 접착 기능을 가지므로, 절삭 부스러기가 웨이퍼의 다이싱 홈에 박혔을 경우, 칩끼리 들러붙어 픽업 불량 등이 발생하여, 반도체 장치의 제조 수율이 저하된다.

상기의 문제를 해결하기 위해서, 다이싱 공정에서는 반도체 웨이퍼만을 블레이드로 다이싱하고, 익스팬드 공정에 있어서, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프를 익스팬드함으로써, 접착제층을 개개의 칩에 대응해서 분단하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1의 [0055] 내지 [0056]). 이러한 익스팬드 시의 장력을 이용한 접착제층의 분단 방법에 의하면, 접착제의 절삭 부스러기가 발생하지 않고, 픽업 공정에 있어서 악영향을 미치는 일이 없다.

또 최근, 반도체 웨이퍼의 절단 방법으로서, 레이저 가공 장치를 사용하여, 비접촉으로 웨이퍼의 절단을 가능하게 하는, 소위 스텔스 다이싱법이 제안되어 있다.

예를 들어 특허문헌 2에는, 스텔스 다이싱법으로서, 다이본드 수지층(접착제층)을 개재시켜서 시트가 부착되었던 반도체 기판의 내부에 초점 광을 맞추어 레이저 광을 조사함으로써, 반도체 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 절단 예정부를 형성하는 공정과, 시트를 확장(익스팬드)시킴으로써, 절단 예정부를 따라 반도체 기판 및 다이본드 수지층을 절단하는 공정을 구비한 반도체 기판의 절단 방법이 개시되어 있다.

또한, 레이저 가공장치를 사용한 반도체 웨이퍼의 절단 방법의 또 다른 방법으로서, 예를 들어 특허문헌 3에는, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이본딩용의 접착 필름(접착제층)을 장착하는 공정과, 이면에 해당 접착 필름이 장착된 반도체 웨이퍼의 접착 필름측에 신장이 가능한 보호 점착 테이프를 부착하는 공정과, 보호 점착 테이프를 부착한 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 스트리트를 따라서, 레이저 광선을 조사해서 개개의 반도체 칩으로 분할하는 공정과, 보호 점착 테이프를 확장(익스팬드)해서 접착 필름에 인장력을 부여하고, 접착 필름을 반도체 칩마다 파단하는 공정과, 파단된 접착 필름이 부착되어 있는 반도체 칩을 보호 점착 테이프로부터 이탈하는 공정을 포함하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법이 제안되어 있다.

이들 특허문헌 2 및 특허문헌 3에 기재된 반도체 웨이퍼의 절단 방법에 따르면, 레이저 광의 조사 및 테이프의 익스팬드에 의해서 비접촉으로 반도체 웨이퍼를 절단하므로, 반도체 웨이퍼에의 물리적 부하가 적어, 현재 주류의 블레이드 다이싱을 행하는 경우의 웨이퍼의 절삭 부스러기(칩핑)를 발생시키는 일 없이 반도체 웨이퍼의 절단이 가능하다. 또한, 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하므로, 접착제층의 절삭 부스러기를 발생시키는 일도 없다. 이로 인해, 블레이드 다이싱을 대신할 수 있는 우수한 기술로서 주목받고 있다.

상기 특허문헌 1 내지 3에 기재된 바와 같은 익스팬드에 의해 접착제층을 분단하는 경우 사용되는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에는, 반도체 칩에 따라 접착제층을 확실하게 분단하기 위해서, 기재 필름의 균일 또한 등방적인 확장성이 요구된다. 기재 필름에 국소적으로 확장이 불충분한 개소가 발생했을 경우에는, 그 개소에서는 접착제층에 충분한 인장력이 전달되지 않아, 접착제층을 분단할 수 없게 되어버리기 때문이다.

그런데, 일반적으로 기재 필름을 압출 성형할 때나 제품으로서 테이프를 롤 형상으로 권취할 때에, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프에 이방적인 힘이 작용해, 변형 응력이 발생하고, 기재 필름의 확장성은 불균일 또한 이방적으로 되어 버리는 것이 알려져 있다. 따라서, 균일한 확장성을 갖는 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로서, 지금까지 수많은 제안이 이루어져 있다(예를 들어, 특허문헌 4 내지 9 참조).

또한, 상기 익스팬드 후는 상기 테이프에 이완이 생기기 때문에 개개의 칩의 간격을 안정적으로 유지할 수 없게 되어, 반송 시에 인접 칩 사이에서 접촉하여 접착제층의 재유착이 일어난다고 하는 문제가 있다. 이 문제를 해결하기 위해서, 상기 테이프를 가열 수축성 테이프로 하고, 상기 분단 공정 후에 테이프를 가열해서 긴장시켜, 칩 사이의 간격을 유지하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 10, 11 참조). 상기 가열 수축성 테이프로서는, 폴리 염화 비닐 테이프가 바람직하다고 되어 있다(예를 들어, 특허문헌 10 [0008] 참조). 그러나, 상기 폴리 염화 비닐 테이프를 사용한 후에 소각 처분했을 경우, 다이옥신이나 그의 유사체인 염소화 방향족 탄화 수소가 발생해서 환경에 부하를 줄 우려가 있다.

일본 특허 출원 공개 제2007-5530호 공보 일본 특허 출원 공개 제2003-338467호 공보 일본 특허 출원 공개 제2004-273895호 공보 일본 특허 출원 공개 평6-134941호 공보 일본 특허 출원 공개 평11-199840호 공보 일본 특허 출원 공개 제2000-273416호 공보 일본 특허 출원 공개 제2001-11207호 공보 일본 특허 출원 공개 제2003-158098호 공보 일본 특허 출원 공개 제2009-231699호 공보 일본 특허 출원 공개 제2002-334852호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-27562호 공보

상술한 바와 같이, 가열 수축성 테이프를 사용하고 분단 공정 후에 테이프를 가열해서 긴장시켜서 칩 사이의 간격을 유지하는 방법에 따르면, 익스팬드 후의 테이프의 이완에 의해 접착제층이 재유착하는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 사용하는 가열 수축성 테이프의 성능에 의해서는, 고온의, 장시간의 열량을 주지 않으면 가열 수축 공정 후에 이완이 발생하여, 픽업 공정에 있어서 픽업 불량을 야기하는 경우가 있었다.

본 발명은, 익스팬드에 의해서 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 균일 확장성을 갖고, 가열 수축 공정에서 고온의, 장시간의 열량을 주지 않더라도 충분한 가열 수축성을 나타내고, 또한, 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기하지 않는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이상의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제1 양태는 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 이용하는 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 테이프로서, 기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층과 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖고, 상기 기재 필름은 JIS A1412에서 규정되는 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

제1 양태의 웨이퍼 가공용 테이프에서는 기재 필름을 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지를 사용해서 구성하므로 익스팬더에 의해서 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 균일 확장성을 갖고, 예를 들어, DDS(주식회사 디스코사제 DDS-2300으로 대표되는 장치)에 있어서의 가열 수축 공정에서 고온의, 장시간의 열량을 주지 않더라도 충분한 가열 수축성을 나타내고, 또한 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기하지 않는 웨이퍼 가공용 테이프로 할 수 있다.

즉, 비가교 수지에서는 분자쇄가 가공 방향으로 배향하고 있기 때문에 확장성이 이방적으로 되지만, 분자쇄 사이가 가교되어 있으면, 확장성이 보다 등방적으로 되어 접착제층 분단용의 익스팬드 공정에 있어서도 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 기재의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상이므로, 가열에 의해 용이하게 수지가 수축되므로, 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하는 공정에도 적합하다. 또한, 기재의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상이므로, 가열에 의해 용이하게 수지가 수축되므로, 가열 수축 공정 후의 이완으로 의한 픽업 불량을 야기하는 일도 없다. 또한, 기재의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상이므로, 가열 수축 공정에 있어서, 고온의, 장시간의 열량을 줄 필요가 없어져, 가열에 의하여 점착제층과 접착제층이 밀착하는 것에 의한 픽업 불량을 야기하는 것도 방지할 수 있다.

본 발명의 제2 양태는 상기 제1 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 에틸렌-(메트)아크릴산 2원 공중합체 혹은 에틸렌-(메트)아크릴산-(메트)아크릴산알킬에스테르 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교시킨 아이오노머 수지인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제3 양태는 상기 제1 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 저밀도 폴리에틸렌 또는 초저밀도 폴리에틸렌을 전자선 조사에 의해 가교시킨 것인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제4 양태는 상기 제1 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 전자선 조사에 의해 가교시킨 것인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제5 양태는 상기 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지의 염소 원자의 함유량이 1 질량％ 미만인 것을 특징으로 한다.

제2 양태로부터 제5 양태의 웨이퍼 가공용 테이프에 따르면, 상기 과제를 해결하면서 낮은 환경 부하의 웨이퍼 가공용 테이프를 제공할 수 있다.

본 발명의 제6 양태는 상기 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제7 양태는 상기 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 분단 라인을 따라 레이저 광을 조사하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제8 양태는 상기 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 다이싱 블레이드를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제9 양태는 상기 제1 양태 내지 제4 양태 중 어느 한 양태에 따는 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,

(a) 다이싱 블레이드를 사용하여 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼를 분단 라인 예정 라인을 따라 웨이퍼의 두께 미만의 깊이까지 절삭하고,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(c) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하여 개개의 반도체 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,

(d) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 칩의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프에서는 기재 필름을 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지를 사용해서 구성하므로, 익스팬드에 의해서 접착제층을 분단하는 공정에 적합한 균일 확장성을 갖고, 가열 수축 공정에서 고온의, 장시간의 열량을 주지 않더라도 충분한 가열 수축성을 나타내고, 또한 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기하지 않는 웨이퍼 가공용 테이프로 할 수 있다.

즉, 비가교 수지에서는 분자쇄가 가공 방향으로 배향하고 있기 때문에 확장성이 이방적으로 되지만, 분자쇄 사이가 가교되고 있으면, 확장성이 보다 등방적으로 되어 접착제층 분단용의 익스팬드 공정에 있어서도 적절하게 사용할 수 있다. 또한, 기재의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상이므로, 가열에 의해서 용이하게 수지가 수축되므로, 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하는 공정에도 적합하다. 또한, 기재의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상이므로, 가열에 의하여 용이하게 수지가 수축되므로, 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기하지 않는다.

도 1은 반도체 웨이퍼에, 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프와 표면 보호 테이프가 접합된 상태를 나타내는 단면도.
도 2는 반도체 웨이퍼에 표면 보호용 테이프가 접합된 상태를 나타내는 단면도.
도 3은 웨이퍼 가공용 테이프에 반도체 웨이퍼와 링 프레임을 접합하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 5는 레이저 가공에 의해 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성된 모습을 나타내는 단면도.
도 6의 (a)는 웨이퍼 가공용 테이프가 익스팬드 장치에 탑재된 상태를 나타내는 단면도.
도 6의 (b)는 익스팬드 후의 웨이퍼 가공용 테이프, 접착제층, 및 반도체 웨이퍼를 나타내는 단면도.
도 7은 가열 수축 공정을 설명하기 위한 단면도.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면에 기초하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 웨이퍼 가공용 테이프(10)에, 반도체 웨이퍼(W)가 접합된 상태를 나타내는 단면도이다. 반도체 웨이퍼(W)의 회로패턴 형성면(웨이퍼 표면)에는, 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정에서 회로 패턴을 보호하기 위한 표면 보호 테이프(14)가 접합되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)의 이면에는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 접합되어 있다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 익스팬드에 의해 접착제층(13)을 칩을 따라 분단할 때에 사용하는 익스팬드 가능한 테이프이다. 이 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 기재 필름(11)과 기재 필름(11) 상에 형성된 점착제층(12)과 점착제층(12) 상에 형성된 접착제층(13)을 갖고, 접착제층(13) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접합한다. 또한, 각각의 층은 사용 공정이나 장치에 맞추어 미리 소정 형상으로 절단(프리 컷트)되어 있어도 된다. 또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프는, 웨이퍼 1매분마다 절단된 형태와, 이것이 복수 형성된 긴 시트를 롤 형상으로 권취한 형태를 포함한다. 이하에, 각층의 구성에 대해서 설명한다.

< 기재 필름>

기재 필름(11)은, JIS A1412에서 규정되는 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지로부터 구성된다. 이와 같은 구성의 기재 필름(11)을 사용함으로써, 접착제층(13)을 분단하는 익스팬드 공정에 있어서 사용 가능한 균일 또한 등방적인 확장성을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 실현할 수 있다. 게다가 가교 수지는 비가교 수지와 비교해서 인장에 대한 복원력이 크기 때문에, 익스팬드 공정 후의 신장된 상태에 열을 가하여 해당 수지를 연화시킨 때의 수축 응역이 커서, 익스팬스 공정 후에 테이프에 발생한 이완을 가열 수축에 의해서 제거할 수 있고, 테이프를 긴장시켜서 개개의 반도체 칩의 간격을 안정적으로 유지할 수 있다. 또한, 열전도율이 지나치게 낮으면, 상기 가열 수축 시에 과잉의 열량이 필요해지고, 그 열로 인해서 접착제층(13)과 점착제층(12)이 밀착해 버리므로 바람직하지 않다. 또한, 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 충분히 제거하는 것이 어렵게 된다. 또한, 가열 수축 공정 후의 이완에 의한 픽업 불량을 야기할 우려도 있다. 따라서, 열전도율의 하한은 0.15W/mㆍK 정도가 적당하다.

상기 열가소성 가교 수지로서는, JIS A1412에서 규정되는 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 것이면 어느 것이어도 상관없지만, 에틸렌-(메트)아크릴산 2원 공중합체 혹은 에틸렌-(메트)아크릴산-(메트)아크릴산을 금속 이온으로 가교한 아이오노머 수지가, 균일 확장성의 면에서 익스팬드 공정에 적합하고, 동시에 가교에 의해 가열 시에 강하게 복원력이 작용하는 점에서, 익스팬드 공정에서 발생한 테이프의 이완을 제거하는 공정에 있어서도 특히 바람직하다. 또한, 상기 아이오노머 수지는 분자쇄의 구성 중에 염소를 포함하지 않기 때문에, 사용 후에 불필요하게 된 테이프를 소각 처분해도, 다이옥신이나 그의 유사체 등의 염소화 방향족 탄화수소를 발생시키지 않기 때문에 환경 부하도 작다. 상기 아이오노머 수지에 포함되는 금속 이온은 어느 것이든지 괜찮지만, 특히 아연 이온이 용출성이 낮으므로 특히 낮은 오염성의 면에서 바람직하다. 열전도율을 높이기 위한 조정 방법으로서는, 예를 들어 결정성을 높이기 위해서 에틸렌 도메인 비율을 크게 하는 것이 바람직하고, 또는 가교점을 많게 하기 위해서 금속 이온 첨가량을 늘리는 것이 바람직하다.

상기 열가소성 가교 수지로서는, 상기 아이오노머 수지 이외에 비중 0.910 이상 내지 0.930 미만의 저밀도 폴리에틸렌 혹은 비중 0.910 미만의 초저밀도 폴리에틸렌에 전자선을 조사함으로써 가교시킨 것도 적합한다. 이 열가소성 가교 수지는, 가교 부위와 비가교 부위가 수지 중에 공존하고 있으므로, 일정한 균일 확장성을 갖기 때문에 상기 익스팬드 공정에 적합하고, 가열 시에 강하게 복원력이 작용하는 점에서, 익스팬드 공정에서 발생한 테이프의 이완을 제거하는 공정에 있어서도 특히 적합하다. 저밀도 폴리에틸렌 혹은 초저밀도 폴리에틸렌에 대하여 조사하는 전자선의 양을 적당하게 조정함으로써, 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상, 또한 충분한 균일 확장성을 갖는 수지를 얻을 수 있다. 또한, 상기 전자선 가교된 폴리에틸렌은 분자쇄의 구성 중에 염소를 포함하지 않기 때문에, 사용 후에 불필요하게 된 테이프를 소각 처분해도, 다이옥신이나 그의 유사체 등의 염소화 방향족 탄화수소를 발생시키지 않기 때문에 환경 부하도 적다.

상기 열가소성 가교 수지로서는, 상기 아이오노머 수지나 전자선 가교된 폴리에틸렌의 이외에, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체에 전자선을 조사함으로써 가교시킨 것도 적합한다. 이 열가소성 가교 수지는 가열 시에 강하게 복원력이 작용하는 점에서, 익스팬드 공정에서 발생한 테이프의 이완을 제거하는 공정에 있어서 특히 적합하다. 상기 전자선 가교된 에틸렌―아세트산 비닐 공중합체도 또한 분자쇄의 구성 중에 염소를 포함하지 않기 때문에, 사용 후에 불필요하게 된 테이프를 소각 처분해도, 다이옥신이나 그의 유사체 등의 염소화 방향족 탄화 수소를 발생시키지 않기 때문에 환경 부하도 작다.

또한 도 1에 도시하는 예에서는, 기재 필름(11)은 단층이지만 이것에 한정되지 않고, 2종 이상의 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지를 적층시킨 2층 이상의 복수층 구조이어도 된다. 기재 필름(11)의 두께는 특별히 규정하고 있지 않지만, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 확장 공정에 있어서 신장이 용이하고, 또한 파단하지 않을 정도의 충분한 강도를 갖는 두께로서, 50 내지 200㎛ 정도가 좋고, 100㎛내지 150㎛가 보다 바람직하다.

복수층의 기재 필름(11)의 제조 방법으로서는, 종래 공지의 압출법, 라미네이트법 등을 사용할 수 있다. 라미네이트법을 사용하는 경우에는, 층간에 접착제를 개재시켜도 된다. 접착제로서는 종래 공지의 접착제를 사용할 수 있다.

<점착제층>

점착제층(12)은 기재 필름(11)에 점착제를 도포 시공해서 형성할 수 있다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 구성하는 점착제층(12)에 특별히 제한은 없고, 다이싱 시에 있어서 접착제층(13)과의 박리를 발생시키지 않고 칩 튐 등의 불량을 발생하지 않는 정도의 유지성이나, 픽업 시에 있어서 접착제층(13)과의 박리가 용이하게 되는 특성을 갖는 것이라면 된다. 다이싱 후의 픽업성을 향상시키기 위해서, 점착제층(12)은 에너지선 경화성인 것이 바람직하고, 경화 후에 접착제층(13)과의 박리가 용이한 재료인 것이 바람직하다.

예를 들면, 본 발명에서는, 분자 중에 요오드가가 0.5 내지 20인 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물(A)에, 폴리이소시아네이트류, 멜라민ㆍ포름알데히드수지, 및 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물(B)을 부가 반응시켜서 이루어지는 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. 여기서, 에너지선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선이다.

점착제층(12)의 주성분의 하나인 화합물(A)에 대해서 설명한다. 화합물(A)의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 바람직한 도입량은 요오드가로 0.5 내지 20, 보다 바람직하게는 0.8 내지 10이다. 요오드가가 0.5 이상이면 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과를 얻을 수 있고, 요오드가가 20 이하이면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성이 충분해서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 확장 후에 있어서의 칩의 간극을 충분히 얻을 수 있기 때문에, 픽업 시에 각 칩의 화상 인식이 곤란해지는 문제를 억제할 수 있다. 또한, 화합물(A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이하게 된다.

상기 화합물(A)은, 유리 전이점이 -70℃ 내지 0℃인 것이 바람직하고, -66℃ 내지 -28℃인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이점이 -70℃ 이상이면 에너지선 조사에 수반하는 열에 대한 내열성이 충분하고, 0℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에서의 다이싱 후의 반도체 칩의 비산 방지 효과가 충분히 얻어진다. 상기 화합물(A)은 어떻게 해서 제조된 것이라도 되지만, 예를 들어 아크릴계 공중합체와 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 혼합한 것이나, 관능기를 가지는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 가지는 메타크릴계 공중합체(A1)와, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물(A2)을 반응시켜서 얻은 것이 사용된다.

이 중, 상기한 관능기를 갖는 화합물(A1)은 아크릴산알킬에스테르 또는 메타크릴산알킬에스테르 등의 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체 (A1-1)와, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 관능기를 갖는 단량체 (A1-2)를 공중합시켜 얻을 수 있다. 단량체 (A1-1)로서는, 알킬쇄의 탄소수가 6 내지 12인 헥실아크릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 도데실아크릴레이트, 데실아크릴레이트, 또는 알킬쇄의 탄소수가 5 이하인 단량체인, 펜틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 또는 이들과 마찬가지인 메타크릴레이트 등을 열거할 수 있다.

단량체 (A1-1)로서, 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록 유리 전이점은 낮아지므로, 원하는 유리 전이점의 것을 제작할 수 있다. 또한, 유리 전이점 외에, 상용성과 각종 성능을 높일 목적으로 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 화합물을 배합하는 것도 단량체 (A1-1)의 총 질량의 5질량％ 이하의 범위 내에서 가능하다.

단량체 (A1-2)가 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산 무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 단량체 (A1-2)의 구체예로서는, 아크릴산, 메타크릴산, 계피산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 아릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것 등을 열거할 수 있다.

화합물 (A2)에 있어서, 사용되는 관능기로서는, 화합물 (A1), 즉 단량체 (A1-2)가 갖는 관능기가, 카르복실기 또는 환상 산 무수기인 경우에는, 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 수산기인 경우에는, 환상 산 무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 아미노기인 경우에는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있고, 에폭시기인 경우에는, 카르복실기, 환상 산 무수기, 아미노기 등을 들 수 있고, 구체예로서는 단량체 (A1-2)의 구체예에서 열거한 것과 마찬가지의 것을 열거할 수 있다.

화합물 (A1)과 화합물 (A2)의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등의 특성에 관하여, 본 발명에서 규정하는 것을 제조할 수 있다. 상기한 화합물 (A)의 합성에 있어서, 반응을 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계인 것을 사용할 수 있지만, 그 중에서도 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의, 일반적으로 아크릴계 폴리머의 양용매이고, 비점 60 내지 120℃인 용제가 바람직하고, 중합 개시제로서는 α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 통상 사용한다. 이때, 필요에 따라서 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 화합물 (A)를 얻을 수 있다. 또한, 분자량을 조절하는 것에 관해서는, 메르캅탄, 사염화탄소계의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 반응은 용액 중합에 한정되는 것은 아니며, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이라도 지장 없다.

이상과 같이 하여, 화합물(A)을 얻을 수 있지만, 본 발명에 있어서 화합물(A)의 분자량은, 30만 내지 100만 정도가 바람직하다. 30만 미만에서는, 응집력이 작아져서, 웨이퍼를 다이싱 할 때에, 칩의 어긋남이 생기기 쉬워 화상 인식이 곤란해지는 경우가 있다. 이 칩의 어긋남을 최대한 방지하기 위해서는, 분자량이 40만 이상인 편이 바람직하다. 또한, 분자량이 100만을 넘으면, 합성 시 및 도포 시공 시에 겔화할 가능성이 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 분자량이란, 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량이다.

화합물(A)이, 수산기가가 5 내지 100이 되는 OH기를 가지면, 에너지선 조사 후의 점착력을 감소함으로써 픽업 미스의 위험성을 더 저감할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 화합물(A)이, 산가가 0.5 내지 30으로 되는 COOH기를 갖는 것이 바람직하다. 여기서, 화합물(A)의 수산기가가 지나치게 낮으면, 에너지선 조사 후의 점착력의 저감 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면, 에너지선 조사 후의 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다. 또한, 산가가 지나치게 낮으면, 테이프 복원성의 개선 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다.

다음에, 점착제층의 또 하나의 주성분인 화합물(B)에 대해서 설명한다. 화합물(B)은 폴리이소시아네이트류, 멜라민ㆍ포름알데히드 수지, 및 에폭시 수지로부터 선택되는 화합물이며, 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이 화합물(B)은 가교제로서 작용하고, 화합물(A) 또는 기재 필름과 반응한 결과 생기는 가교 구조에 의해, 화합물(A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을 점착제 도포 후에 향상시킬 수 있다.

폴리이소시아네이트류로서는 특별히 제한이 없고, 예를 들어 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 크실렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4'-〔2,2-비스(4-페녹시페닐)프로판〕디이소시아네이트 등의 방향족 이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸-헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 4,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 2,4'-디시클로헥실메탄디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등을 들 수 있고, 구체적으로는 콜로네이트(L)(니혼 폴리우레탄 가부시끼가이샤제 상품명) 등을 사용할 수 있다. 멜라민ㆍ포름알데히드 수지로서는, 구체적으로는 니카라쿠 MX-45(산와케미컬 가부시끼가이샤제 상품명), 멜란(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤제 상품명) 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, TETRAD-X(미츠비시 가가꾸 가부시끼가이샤제 상품명) 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 특히 폴리이소시아네이트류를 사용하는 것이 바람직하다.

(B)의 첨가량으로서는, 화합물 (A) 100 질량부에 대해 0.1 내지 10 질량부, 바람직하게는 0.4 내지 3 질량부의 비율로 되도록 선택하는 것이 필요하다. 이 범위 내에서 선택함으로써, 적절한 응집력으로 할 수 있어 급격하게 가교 반응이 진행되는 일이 없으므로, 점착제의 배합이나 도포 등의 작업성이 양호해진다.

또한, 본 발명에 있어서, 점착제층(12)에는, 광중합 개시제 (C)가 포함되어 있는 것이 바람직하다. 점착제층(12)에 포함되는 광중합 개시제 (C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 벤조페논, 4,4'-디메틸아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 4,4'-디클로로벤조페논 등의 벤조페논류, 아세토페논, 디에톡시아세토페논 등의 아세토페논류, 2-에틸안트라퀴논, t-부틸안트라퀴논 등의 안트라퀴논류, 2-클로로티옥산톤, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체(로핀 2량체), 아크리딘계 화합물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. (C)의 첨가량으로서는, 화합물 (A) 100 질량부에 대해 0.1 내지 10 질량부로 하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 5 질량부로 하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명에 사용되는 에너지선 경화성의 점착제에는 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 충전제를 적절하게 첨가해도 된다.

점착제층(12)의 두께는 적어도 5㎛, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 점착제층(12)은 복수의 층이 적층된 구성이어도 된다.

<접착제층>

접착제층(13)은 반도체 웨이퍼가 접합되어 다이싱된 후, 칩을 픽업할 때에 점착제층(12)과 박리해서 칩에 부착하고 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 접착제층(13)은 특별히 한정되는 것이 아니지만, 다이싱ㆍ다이본딩 테이프로 일반적으로 사용되는 필름 형태의 접착제이면 되고, 아크릴계 점접착제, 에폭시 수지/페놀 수지/아크릴 수지의 브랜드계 점접착제 등이 바람직하다. 그의 두께는 적절하게 설정하면 되지만, 5 내지 100㎛ 정도가 바람직하다.

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 있어서, 접착제층(13)은 미리 접착제층(13)이 필름화된 것(이하, 접착 필름이라고 한다)을 기재 필름(11) 상에 직접 또는 간접 라미네이트하여 형성해도 된다. 라미네이트 시의 온도는 10 내지 100℃의 범위에서, 0.01 내지 10N/m의 선압을 거는 것이 바람직하다. 또한, 접착 필름을 세퍼레이터 상에 접착제층(13)이 형성된 것으로 하고, 라미네이트 후에 세퍼레이터를 박리해도 되고, 혹은 그대로 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 커버 필름으로서 사용하고, 반도체 웨이퍼를 접합할 때에 박리해도 된다.

접착 필름은 점착제층(12)의 전면에 적층해도 되지만, 미리 접합되는 반도체 웨이퍼에 따른 형상으로 절단된(프리컷트된) 접착 필름을 적층해도 된다. 반도체 웨이퍼에 따른 접착 필름을 적층한 경우, 도 1에 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(W)가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 링 프레임(20)이 접합되는 부분에는 접착제층(13)은 없고 점착제층(12)만이 존재한다. 일반적으로, 접착제층(13)은 피착체와 박리하기 어렵기 때문에, 프리컷트된 접착 필름을 사용함으로써, 링 프레임(20)은 점착제층(12)과 접합할 수 있고, 사용 후의 테이프 박리 시에 링 프레임(20)에는 잔류 접착성을 발생시키기 어렵다고 하는 효과가 얻어진다.

<용도>

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 사용 용도는, 적어도 익스팬드에 의해 접착제층(13)을 분단하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용하는 한 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 이하의 반도체 장치의 제조 방법(A) 내지 (D)에 있어서 바람직하게 사용할 수 있다.

반도체 장치의 제조 방법(A)

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법(B)

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 분단 라인을 따라 레이저광을 조사하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여, 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법(C)

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,

(c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(e) 다이싱 블레이드를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

반도체 장치의 제조 방법(D)

(a) 다이싱 블레이드를 사용하여 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼를 분단 라인 예정 라인을 따라 웨이퍼의 두께 미만의 깊이까지 절삭하고,

(b) 상기 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,

(c) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하여 개개의 반도체 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,

(d) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 칩의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,

(e) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.

<사용 방법>

본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 상기 반도체 장치의 제조 방법(A)에 적용했을 경우의 테이프의 사용 방법에 대해서, 도 2 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼(W)의 표면에, 자외선 경화성 성분으로 이루어지는 표면 보호 테이프(14)을 접합하고, 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하는 백그라인드 공정을 실시한다.

백그라인드 공정의 종료 후, 도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 마운터의 히터 테이블(25) 상에 반도체 웨이퍼(W)의 표면측을 아래로 해서 반도체 웨이퍼(W)를 적재한 후, 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 접합한다. 여기서 사용하는 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 접합하는 반도체 웨이퍼(W)에 따른 형상으로 미리 절단된(프리컷트된) 접착 필름을 적층한 것이며, 반도체 웨이퍼(W)와 접합하는 면에 있어서는, 접착제층(13)이 노출된 영역의 주위에 점착제층(12)이 노출된 영역이 설치되고 있다. 이 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 접착제층(13)이 노출된 부분과 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 접합하는 동시에, 접착제층(13)의 주위의 점착제층(12)이 노출된 부분과 링 프레임(20)을 접합한다. 이때, 히터 테이블(25)은 70 내지 80℃로 설정되어 있고, 이에 의해 가열 접합이 실시된다.

다음에, 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 접합된 반도체 웨이퍼(W)를 히터 테이블(25) 상으로부터 반출하고, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)측을 아래로 해서 웨이퍼 흡착 테이블(26) 상에 적재한다. 그리고, 흡착 테이블(26)에 흡착고정된 반도체 웨이퍼(W)의 상방으로부터, 예를 들어 자외선 광원(27)을 사용해서 1000mJ/㎠의 자외선을 표면 보호 테이프(14)의 기재면측에 조사하고, 표면 보호 테이프(14)의 반도체 웨이퍼(W)에 대한 접착력을 저하시켜, 반도체 웨이퍼(W)의 표면으로부터 표면 보호 테이프(14)를 박리한다.

다음에, 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 분할 예정 부분에 레이저 광을 조사하고, 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을(30) 형성한다.

다음에, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W) 및 링 프레임(20)이 접합된 웨이퍼 가공용 테이프(10)를, 기재 필름(11)측을 아래로 하고, 익스팬드 장치의 스테이지(21) 상에 적재한다. 도면 중, 부호(22)는 익스팬드 장치의 중공 원기둥 형상의 밀어 올림 부재다.

다음에, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 링 프레임(20)을 고정한 상태에서, 익스팬드 장치의 밀어 올림 부재(22)를 상승시키고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 익스팬드한다. 익스팬드 조건으로서는, 익스팬드 속도가 예를 들어 10 내지 500㎜/sec이며, 익스팬드량(밀어 올림량)이 예를 들어 5 내지 25mm이다. 이렇게 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 반도체 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 신장됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)가 개질 영역(30)을 기점으로 해서 칩 단위로 분단된다. 이때, 접착제층(13)은 반도체 웨이퍼(W)의 이면에 접착하고 있는 부분에서는 익스팬드에 의한 신장(변형)이 억제되어서 파단은 일어나지 않지만, 칩(C) 사이의 위치에서는, 테이프의 익스팬드에 의한 장력이 집중해서 파단한다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)와 함께 접착제층(13)도 분단되게 된다. 이에 의해, 접착제층(13)이 붙은 복수의 반도체 칩(C)을 얻을 수 있다.

다음에, 도 7에 도시한 바와 같이, 밀어 올림 부재(22)를 원래의 위치로 복귀시키고, 이전의 익스팬드 공정에 있어서 발생한 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 이완을 제거하여 반도체 칩(C)의 간격을 안정적으로 유지하는 공정을 행한다. 이 공정에서는, 예를 들어 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 있어서의 반도체 칩(C)이 존재하는 영역과 링 프레임(20) 사이의 원환상의 영역(28)에, 온풍 노즐(29)을 사용해서 90 내지 120℃의 온풍을 쐬어서 기재 필름(11)을 가열 수축시키고, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 긴장시킨다. 그 후, 점착제층(12)에 에너지선 경화 처리 또는 열경화 처리 등을 실시하고, 점착제층(12)의 접착제층(13)에 대한 점착력을 약화시킨 후, 반도체 칩(C)을 픽업한다.

상기와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 열가소성 가교 수지로 이루어지는 기재 필름(11)은, 익스팬드 시에 실시된 인장에 대한 복원력이 크고 또한 비커트 연화점도 낮기 때문에, 가열에 의해 용이하게 수축한다. 따라서, 접착제층(13)을 분단하는 익스팬드 공정 후의 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 발생한 이완을 가열 수축에 의해 제거하여 테이프를 긴장시키는 공정에 바람직하게 적용할 수 있다.

(실시예)

다음에, 본 발명의 효과를 명확하게 하기 위해서 행한 실시예 및 비교예에 대해서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다.

실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 8의 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 각각 표 1, 표 2에 도시하는 기재 필름(11)을 사용하고 있다. 그 밖의 구성인 점착제층(12)을 구성하는 점착제 조성물, 접착제층(13)을 구성하는 접착제 조성물 및 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제작 방법은 동일하다. 또한, 이하의 설명에서는, MFR(Melt flow rate)은 JIS-K7210, 인장 강도는 JIS-K7162, 밀도는 JIS-K7112, 융점은 DSC(시차 주사 열량 측정)에서 측정했다.

(1) 샘플의 제작

(1.1) 실시예 1

(기재 필름(11)의 제작)

라디칼 중합법에 의해서 합성된 에틸렌메타크릴산-메타크릴산에틸(질량비 8:1:1)3원 공중합체의 아연 아이오노머 a(밀도 0.96 g/㎤, 아연 이온 함유량 4 질량％, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 56℃, 융점 86℃)의 수지 비즈를 140℃에서 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(1)를 제작했다.

(점착제 조성물(1)의 조제)

부틸 아크릴레이트와 2-히드록시에틸 아크릴레이트와 아크릴산을 라디칼 중합함으로써 아크릴계 공중합체(분자량 60만, 수산기가 4.7mgKOH/g, 산가0.2mgKOH/g)를 얻었다. 이 아크릴계 공중합체의 100 질량부에 대하여, 광중합성 경화물로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트를 30 질량부 가하고, 폴리이소시아네이트로서 콜로네이트(L)(일본 폴리우레탄제)을 2 질량부 가하고, 광중합 개시제로서 이가큐어-184(니혼 치바가이기사제)를 1 질량부 가한 혼합물을, 아세트산에틸에 용해시켜, 교반해서 점착제 조성물(1)을 조제했다.

(접착제 조성물(1)의 조제)

에폭시 수지로서 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 197, 분자량 1200, 연화점 70℃)50 질량부, 실란 커플링제로서 γ-메르캅토프로필 트리메톡시실란 1.5 질량부, γ-우레이드프로필 트리에톡시실란 3 질량부, 평균 입경 16㎚의 실리카 충전제 30 질량부로 이루어지는 조성물에, 시클로헥사논을 가해서 교반 혼합하고, 또한 비즈밀을 사용해서 90분간 혼련했다. 이것에, 부틸 아크릴레이트와 2-히드록시에틸아크릴레이트를 라디칼 중합함으로써 합성한 아크릴 수지(분자량 20만, 수산기가 3.5mgKOH/g)를 100 질량부, 경화제로서 콜로네이트(L)를 1 질량부 가하고, 교반 혼합해서 접착제 조성물(1)을 조제했다.

(웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제작)

기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(1) 상에 점착제 조성물(1)을 건조 후의 두께가 20㎛이 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 건조시켜서, 기재 필름(11) 상에 점착제층(12)이 형성된 점착 시트를 작성했다. 이것과는 별도로, 접착제 조성물(1)을 이형처리한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 박리 라이너에, 건조 후의 두께가 20㎛이 되도록 도포 시공하고, 110℃에서 3분간 분간 건조시켜서 박리 라이너 상에 접착제층(13)이 형성된 접착 필름을 제작했다.

다음에, 점착 시트를, 링 프레임(20)에 대하여 개구부를 덮으며 접합할 수 있도록 한 도 3 등에 도시한 형상으로 재단했다. 또한, 접착 필름을, 반도체 웨이퍼(W)의 이면을 덮을 수 있도록 한 도 3 등에 도시한 형상으로 재단했다. 그리고, 상기 점착 시트의 점착제층(12)측과 상기 접착 필름의 접착제층(13)측을, 도 3 등에 도시한 바와 같이 접착 필름의 주위에 점착제층(12)이 노출되는 부분이 형성되도록 접합해서 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작했다. 이와 같이 하여, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재, 에너지선 경화형 점착제층(12), 접착제층(13)이이 순서대로 적층된 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 1의 샘플로 했다.

(1.2) 실시예 2

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-메타크릴산-메타크릴산에틸(질량비 8:1:1)3원 공중합체의 나트륨 아이오노머 a(밀도 0.95g/㎤, 나트륨 이온 함유량 3질량％, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 64℃, 융점 86℃의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(2)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(2)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 2의 샘플로 했다.

(1.3) 실시예 3

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-메타크릴산(질량비 9.5:0.5)2원 공중합체의 아연 아이오노머 b(밀도 0.95 g/㎤, 아연 이온 함유량 2질량％, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 81℃, 융점 100℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(3)을 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(3)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 3 샘플로 했다.

(1.4) 실시예 4

(기재 필름(11)의 조제)

메탈로센 중합법에 의해 합성된 초저밀도 폴리에틸렌 ULDPE a(밀도 0.90g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 72℃, 융점 90℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형한 후, 중에너지 전자선 가속 장치를 사용해서 가속 전압 1MeV, 조사량 20Mrad로 전자선을 조사함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(4)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(4)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 4의 샘플로 했다.

(1.5) 실시예 5

(기재 필름(11)의 조제)

메탈로센 중합법에 의해 합성된 저밀도 폴리에틸렌 LDPE a(밀도 0.91 g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 81℃, 융점 102℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형한 후, 중에너지 전자선 가속 장치를 사용해서 가속 전압 1MeV, 조사량 20Mrad로 전자선을 조사함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(5)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(5)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 5의 샘플로 했다.

(1.6) 실시예 6

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-아세트산비닐(질량비 9:1) 공중합체 EVA a(밀도 0.93g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 69℃, 융점 96℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형한 후, 중에너지 전자선 가속 장치를 사용해서 가속 전압 1MeV, 조사량 20Mrad로 전자선을 조사함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(6)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(6)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 실시예 6의 샘플로 했다.

(1.7) 비교예 1

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-메타크릴산(질량비 8:2)2원 공중합체의 나트륨 아이오노머 b(밀도 0.94 g/㎤, 나트륨 이온 함유량 3질량％, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 60℃, 융점 89℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(7)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(7)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 1의 샘플이라고 했다.

(1.8) 비교예 2

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-아세트산비닐(질량비 8:2) 공중합체 EVA b(밀도 0.94 g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 40℃, 융점 80℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형한 후, 중에너지 전자선 가속 장치를 사용해서 가속 전압 1MeV, 조사량 20Mrad로 전자선을 조사함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(8)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(8)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 2의 샘플로 했다.

(1.9) 비교예 3

(기재 필름(11)의 조제)

라디칼 중합법에 의해 합성된 에틸렌-아세트산비닐(질량비 9:1) 공중합체 EVA a(밀도 0.93 g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 69℃, 융점 96℃의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(9)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(9)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 3의 샘플로 했다.

(1.10) 비교예 4

(기재 필름(11)의 조제)

시판되는 공업용 폴리염화비닐 a(가소제 30질량％, 밀도 1.45g/㎤, 염소 함유량 60질량％ 미만, 비커트 연화점 76℃, 융점 100℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(10)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(10)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 4의 샘플로 했다.

(1.11) 비교예 5

(기재 필름(11)의 조제)

메탈로센 중합법에 의해 합성된 초저밀도 폴리에틸렌 ULDPE a(밀도 0.90 g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 72℃, 융점 90℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(11)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(11)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 5의 샘플로 했다.

(1.12) 비교예 6

(기재 필름(11)의 조제)

메탈로센 중합법에 의해 합성된 저밀도 폴리에틸렌 LDPE a(밀도 0.91 g/㎤, 염소 함유량 1질량％ 미만, 비커트 연화점 81℃, 융점 102℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(12)를 제작했다.

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(12)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 6의 샘플로 했다.

(1.13) 비교예 7

(기재 필름(11)의 조제)

일본 폴리캠사제 노바테크니컬 PP FW4B(폴리프로필렌)(밀도: 0.90 g/㎤, 비커트 연화점 96℃, 융점: 140℃)의 수지 비즈를 180℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(13)을 제작했다(표 2에서는「PP」로 약기했다).

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(13)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 7의 샘플로 했다.

(1.14) 비교예 8

(기재 필름(11)의 조제)

JSR사제 다이나론 1320P(수소 첨가 스티렌-부타디엔 공중합체, 수소 첨가율 90질량％ 이상, 스티렌 함유량: 10질량％, 비중 0.89, MFR:3.5g/10min, 인장 강도:4.1MPa, 인장 신장:1300%, 유리 전이 온도: -50℃)의 수지 비즈를 140℃로 용융하고, 압출기를 사용해서 두께 100㎛의 긴 필름 형상으로 성형함으로써, 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(14)를 제작했다(표 2에서는 「엘라스토머」로 약기했다).

이 기재 필름(11)을 이루는 지지 기재(14)와, 점착제 조성물(1), 접착제 조성물(1)을 사용해서 실시예 1과 같은 방법에 의해 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제작하고, 이것을 비교예 8의 샘플로 했다.

(2) 샘플의 평가

(2.1) 열전도율

실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 8에서 사용한 각 기재 필름(11)에 대해서, 열전도율을 JIS A1412에 기초하고, 이하의 조건에서 측정했다. 결과를 표 3의 「열전도율」의 란에 나타내었다.

측정 방법: 열절연체의 열저항 및 열전도율의 측정 방법-제1부: 보호 열판법(GHP법)

측정 환경: 온도 25℃, 습도 50%

(2.2) 외관

이하에 기술하는 방법에 의해, 상기 실시예 및 상기 비교예의 각 웨이퍼 가공용 테이프에 대해서, 상술한 반도체 장치의 제조 방법(A)에 상당하는 하기의 반도체 가공 공정에 있어서의 적합성 시험을 실시했다.

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정.

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라운드 공정.

(c) 70℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하고, 동시에 웨이퍼 가공용 링 프레임을, 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층이 접착제층과 겹치지 않고 노출된 부분과 접합하는 공정.

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정.

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정.

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 10% 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정.

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹치지 않는 부분(반도체 칩이 존재하는 영역과 링 프레임 사이의 원환상의 영역)을 90℃ 혹은 120℃로 가열해서 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거해서 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정.

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정.

상기 링 프레임에 붙여진 상태의, 상기 실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프의 외관 평가에 대해서, 상기 (f)의 공정 직전에 있어서의 웨이퍼 가공용 테이프 확장 전의 상태와, 상기 (g)의 공정 직후에 있어서의 웨이퍼 가공용 테이프 가열 후의 상태에 대해서 비교평가했다. 결과를 표 3의 「외관」의 란에 나타내었다. (f), (g) 공정의 조건으로서는, 익스팬드 속도 300㎜/sec, 익스팬드량(밀어 올림량)20mm, 가열 수축의 온풍 온도는 (1) 90℃, (2) 120℃로 했다. 또한, 표 3에 있어서,「○」은 익스팬드 전과 동등한 상태로 복원한 것을 나타내고, 「×」는 익스팬드 전과 비교하여 이완이 발생한 것을 나타낸다.

(2.3) 픽업 성공율

이하에 기술하는 방법에 의해, 상기 실시예 및 상기 비교예의 각 웨이퍼 가공용 테이프에 대해서, 상술한 반도체 장치의 제조 방법(A)에 상당하는 하기의 반도체 가공 공정에 있어서의 적합성 시험을 실시했다.

(a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정.

(b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라운드 공정.

(c) 70℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하고, 동시에 웨이퍼 가공용 링 프레임을, 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층이 접착제층과 겹치지 않고 노출된 부분과 접합하는 공정.

(d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정.

(e) 상기 반도체 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저 광을 조사하고, 상기 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정.

(f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 10% 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제층을 분단 라인에 따라 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정.

(g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹치지 않는 부분(반도체 칩이 존재하는 영역과 링 프레임 사이의 원환상의 영역)을 90℃ 혹은 120℃로 가열해서 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거해서 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정.

(h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정.

상기 링 프레임에 붙여진 상태의, 상기 실시예 및 비교예의 웨이퍼 가공용 테이프를 사용했을 경우의 픽업 평가로서, (h) 공정에 있어서의 수율(픽업 성공율)을 평가했다. (f), (g) 공정의 조건으로서는, 익스팬드 속도 300㎜/sec, 익스팬드량(밀어 올림량) 20mm, 가열 수축의 온풍 온도는 (1) 90℃, (2) 120℃로 했다.

(f) 공정에서는, 주식회사 디스코사제 DDS-2300로, 웨이퍼 가공용 테이프에 접합된 다이싱용 링 프레임을 주식회사 디스코사제 DDS-2300의 익스팬드 링에 의해 밀어 내리기, 웨이퍼 가공용 테이프의 웨이퍼 접합 부위 외주의 웨이퍼에 겹치지 않는 부분을 원형의 밀어 올림 부재로 압박하는 것으로 익스팬드를 실시했다. 또한, 익스팬드량이란, 밀어 내리기 전과 밀어 내린 후의 링 프레임과 밀어 올림 부재의 상대 위치의 변화량을 말한다. 또한, (g) 공정의 후 (h) 공정 전에, 웨이퍼 가공용 테이프의 기재 필름에 있어서의 점접착제층이 적층된 면과는 반대측의 면에 대하여, 메탈 할라이드 고압 수은등에 의해, 질소 분위기 하에서, 30mW/㎠, 200mJ/㎠의 조건에서 자외선을 조사했다. 그리고, (h) 공정에서 다이싱된 칩 100개에 대해서 다이스 피커 장치(케논 머시너리사제, 상품명 CAP-300II)에 의한 픽업 시험을 행하고, 픽업 성공율을 구했다. 결과를 표 3의「픽업 성공률」의 란에 나타냈다.

(3) 결론

표 3에 나타낸 바와 같이, 가열 수축 후의 외관의 평가 결과로부터, 기재 필름으로서 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지를 사용한 실시예 1 내지 6의 웨이퍼 가공용 테이프는 가열 수축에 의해도 이완이나 파단을 발생하지 않는 것이 명백하였다. 또한, 픽업 성공율의 평가로부터, 양호한 픽업성을 갖는 것도 명백하였다. 이에 대해, 기재 필름으로서 열전도율이 0.15W/mㆍK 미만인 열가소성 수지를 사용한 비교예 1 내지 8의 웨이퍼 가공용 테이프는, 가열 수축 후의 외관의 평가의 결과로부터, 가열 수축에 의한 이완이나 파단이 발생한다. 또한, 픽업 성공율의 평가로부터 픽업성이 나쁜 것이 명확해졌다.

이상의 결과로부터, 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 기재 필름(11)으로서 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지를 사용하는 것은 가열 수축성, 픽업성의 관점에 있어서 유용하다.

또한, 상술한 반도체 장치의 제조 방법 B 내지 D는, 익스팬드 공정에 있어서 이미 개개의 반도체 칩으로 분단되어 있는 점을 제외하고, 반도체 장치의 제조 방법 A에 있어서의 익스팬드 공정, 가열 수축 공정, 픽업 공정과 동등한 공정을 행하는 것이다. 따라서, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 8의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 사용했을 경우의 결과는, 표 3에 나타낸 결과와 동등한 결과로 되는 것은 명백하며, 반도체 장치의 제조 방법 B 내지 D에 있어서도 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 사용하는 것은 가열 수축성, 픽업성의 관점에 있어서 유용하다. 또한, 실시예 1 내지 6에 개시한 기재 필름(11)은, 염소 원자의 함유량이 1질량％ 미만으로, 사용 후에 소각 처분해도 다이옥신이나 그의 유사체인 염소화 방향족 탄화수소가 발생해서 환경에 부하를 주는 일은 없다.

10 : 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 기재 필름
12 : 점착제층
13 : 접착제층
14 : 표면 보호 테이프
20 : 링 프레임
21 : 스테이지
22 : 밀어 올림 부재
25 : 히터 테이블
26 : 흡착 테이블
27 : 자외선 광원
28 : 가열 수축 영역
29 : 온풍 노즐

Claims (10)

1. 익스팬드에 의해 접착제층을 칩을 따라 분단할 때에 이용하는, 익스팬드 가능한 웨이퍼 가공용 테이프이며,
   기재 필름과,
   상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층과, 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖고,
   상기 기재 필름은, 열전도율이 0.15W/mㆍK 이상인 열가소성 가교 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
2. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 에틸렌-(메트)아크릴산 2원 공중합체를 금속 이온으로 가교시킨 아이오노머 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
3. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 에틸렌-(메트)아크릴산-(메트)아크릴산알킬에스테르 3원 공중합체를 금속 이온으로 가교시킨 아이오노머 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
4. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 저밀도 폴리에틸렌을 전자선 조사에 의해 가교시킨 수지, 또는 초저밀도 폴리에틸렌을 전자선 조사에 의해 가교시킨 수지인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
5. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지가 에틸렌-아세트산비닐 공중합체를 전자선 조사에 의해 가교시킨 수지인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 가교 수지는, 염소 원자의 함유량이 1질량％ 미만인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,
   (a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,
   (b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
   (c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,
   (d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
   (e) 상기 반도체 웨이퍼의 분할 예정 부분에 레이저광을 조사하여, 상기 웨이퍼의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 공정과,
   (f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼와 상기 접착제층을 분단 라인을 따라 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,
   (g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,
   (h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정
   을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,
   (a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,
   (b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
   (c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,
   (d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
   (e) 상기 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 분단 라인을 따라 레이저 광을 조사하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,
   (f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,
   (g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,
   (h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정
   을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,
   (a) 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,
   (b) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정과,
   (c) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 반도체 웨이퍼의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,
   (d) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
   (e) 다이싱 블레이드를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼를 분단 라인을 따라 절삭하여, 개개의 반도체 칩으로 분단하는 공정과,
   (f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,
   (g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,
   (h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정
   을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 가공용 테이프는,
    (a) 다이싱 블레이드를 사용하여 회로 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼를 분단 라인 예정 라인을 따라 웨이퍼의 두께 미만의 깊이까지 절삭하고,
    (b) 상기 반도체 웨이퍼 표면에 표면 보호 테이프를 접합하는 공정과,
    (c) 상기 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하여 개개의 반도체 칩으로 분단하는 백그라인드 공정과,
    (d) 70 내지 80℃로 반도체 웨이퍼를 가열한 상태에서, 상기 반도체 칩의 이면에 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을 접합하는 공정과,
    (e) 상기 반도체 웨이퍼 표면으로부터 표면 보호 테이프를 박리하는 공정과,
    (f) 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 익스팬드함으로써, 상기 접착제층을 상기 반도체 칩마다 분단하여 상기 접착제층이 붙은 복수의 반도체 칩을 얻는 공정과,
    (g) 상기 웨이퍼 가공용 테이프의 상기 반도체 칩과 겹쳐지지 않는 부분을 가열 수축시킴으로써 상기 익스팬드 공정에 있어서 발생한 이완을 제거하여 상기 반도체 칩의 간격을 유지하는 공정과,
    (h) 접착제층이 붙은 상기 반도체 칩을 웨이퍼 가공용 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.

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