KR20130031788A - 하전 입자 빔 조사 장치, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

하전 입자 빔 조사 장치, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 물품 제조 방법 Download PDF

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Abstract

조사 장치는, 복수의 개구가 형성된 차폐 부재와, 상기 복수의 개구를 각각 통과한 복수의 하전 입자 빔을 각각 검출하도록 구성된 복수의 검출기를 포함하는 측정 디바이스; 복수의 빔이 각각 상기 복수의 개구의 에지를 가로지르도록 상기 복수의 빔과 상기 측정 디바이스가 서로 상대적인 주사를 수행하도록 구성된 주사 기구; 및 상기 주사 기구와 상기 측정 디바이스의 제어를 수행하여 빔 각각의 특성을 취득하도록 구성된 컨트롤러를 포함한다. 컨트롤러는, 주사 기간에서, 하나의 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 다른 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성된다.

Description

하전 입자 빔 조사 장치, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 물품 제조 방법 {CHARGED PARTICLE BEAM IRRADIATION APPARATUS, CHARGED PARTICLE BEAM DRAWING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 하전 입자 빔 조사 장치, 하전 입자 빔 묘화 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
복수의 전자 빔을 이용하는 묘화 방법에서, 전자 빔의 특성의 변동과 시간적 변화의 영향을 감소시키기 위해서, 주기적으로 전자 빔의 특성을 측정해서 보정할 필요가 있다. 이러한 전자 빔의 특성을 측정하기 위한 2차원 센서의 각 화소보다 각 전자 빔의 직경 또는 스팟 사이즈(spot size)가 충분히 더 크다면, 이러한 특성은 이러한 센서를 이용해서 직접 측정될 수 있다. 하지만, 실제로는 각 전자 빔의 직경이 수십 나노미터만큼 작으므로, 이러한 전자 빔의 특성이 상술한 센서를 이용해서 직접 측정될 수 없다. 예를 들어, 나이프 에지(knife edge)의 이용이 이러한 전자 빔을 측정하는 데 있어 유효하다. 나이프 에지법에서, 센서 위에 형성된 나이프 에지 플레이트를 이용하여 이러한 전자 빔을 차폐하면서 각 전자 빔의 특성이 측정된다. 따라서, 나이프 에지 플레이트는 차폐된 전자 빔의 에너지로 조사되고, 그 결과 온도가 상승된다. 나이프 에지 플레이트의 온도가 상승하는 경우, 이는 열팽창되어 나이프 에지 플레이트의 나이프 에지의 에지 위치가 변한다. 나이프 에지법에서는, 차폐되는 전자 빔의 양이 측정 중에 변동하므로, 에지 위치도 측정 중에 변동하여 측정 정밀도의 저하로 귀결된다.
전자 빔의 조사시의 온도 변동의 영향을 감소시키기 위해서, 일본 특허 공개 평11-162811호는, 패턴화된 빔을 형성하는 개구 플레이트 상에 히터를 위치하여, 전자 빔 조사량과 히터에 의해 생성된 열량의 총합이 일정하게 되도록 제어하는 방법을 제안한다. 또한, 일본 특허 공개 평9-134869호는, 회로 기판에 의해 생성된 열량이 일정하게 되도록 블랭커(blanker)를 제어하는 회로 기판에 히터를 내장하는 방법을 제안한다. 전자 빔으로 조사된 노광 영역과 전자 빔으로 조사되지 않은 비노광 영역 사이의 온도차를 감소시키기 위해서, 일본 특허 공개 제2000-243696호는 비노광 영역을 레지스트에 영향을 주지 않는 방사선으로 조사해서, 객체에 인가되는 총에너지가 일정하게 되는 방법을 제안한다.
일본 특허 공개 평11-162811호 공보, 9-134869호 공보 및 2000-243696호 공보에 개시된 방법에서는, 입력되는 열량이 항상 일정하므로, 온도의 변동이 감소될 수 있다. 하지만, 전자 빔뿐만 아니라 히터에 의해서도 열이 객체에 인가되므로, 인가되는 열의 총량은 증가한다. 이는, 열 팽창으로 인한 주변 부재의 위치 어긋남량을 증가시킬 수 있고, 그 전기적 저항의 상승으로 인한 전송 경로의 신호 전송 특성을 저하시킬 수 있다. 또한, 히터를 이용하는 것은 온도 측정 유닛, 히터 및 컨트롤러와 같은 새로운 구성 요소들을 추가하는 것이 필요하여 장치의 구성을 복잡하게 한다.
본 발명은, 예를 들어, 하전 입자 빔의 특성의 측정 정밀도의 관점에서 유리한 조사 장치를 제공한다.
일 양태에 있어서의 본 발명은, 객체를 복수의 하전 입자 빔으로 조사하는 조사 장치로서, 복수의 개구가 형성된 차폐 부재와, 상기 복수의 개구를 각각 통과한 복수의 하전 입자 빔을 각각 검출하도록 구성된 복수의 검출기를 포함하는 측정 디바이스; 상기 복수의 하전 입자 빔이 각각 상기 복수의 개구의 에지를 가로지르도록 상기 복수의 하전 입자 빔과 상기 측정 디바이스가 서로 상대적인 주사를 수행하도록 구성된 주사 기구; 및 상기 주사 기구와 상기 측정 디바이스의 제어를 수행하여 상기 복수의 하전 입자 빔 각각의 특성을 취득하도록 구성된 컨트롤러를 포함하고, 상기 컨트롤러는, 주사 기간에서, 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성되는, 조사 장치를 제공한다.
본 발명의 추가적인 특징들은 첨부 도면을 참조하여 후술하는 실시예들의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 묘화 장치의 구성을 나타내는 블록도.
도 2a 내지 2c는 나이프 에지법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 측정 중의 전자 빔 조사량의 변화를 나타내는 그래프.
도 4a 및 4b는 관련 기술에 따른 측정을 설명하기 위한 도면.
도 5a 내지 5c는 제1 실시예에 따른 측정을 설명하기 위한 도면.
도 6a 내지 6c는 제2 실시예에 따른 측정을 설명하기 위한 도면.
도 7a 내지 7c는 제3 실시예에 따른 측정을 설명하기 위한 도면.
도 8은 제3 실시예에 따른 측정의 다른 예를 설명하기 위한 그래프.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명은 전자 빔 또는 이온 빔과 같은 복수의 하전 입자 빔으로 객체를 조사하는 조사 장치에 적용가능하지만, 복수의 전자 빔으로 기판 상에 패턴을 묘화하는 묘화 장치에 본 발명이 적용된 예에 대해서 설명한다. 우선, 복수의 전자 빔으로 묘화하는 묘화 장치의 구성을 도 1에 나타낸 개략 블록도를 참조하여 설명한다. 전자 총은 크로스오버(crossover)(1)의 화상을 형성한다. 크로스오버(1)를 하전 입자원으로서 이용하여, 콘덴서 렌즈(2)에 의해 거의 평행한 전자 빔이 형성된다. 개구 어레이(3)는 2차원으로 배열된 개구들에 의해 형성된다. 렌즈 어레이(4)는 동일한 초점 거리를 갖는 정전 렌즈를 2차원으로 배열함으로써 형성된다. 블랭커 어레이(5)는 전자 빔을 개별로 편향시킬 수 있는 정전 블랭커들을 2차원으로 배열함으로써 형성된다.
투영되는 전자 빔의 수는 블랭커 어레이(5)를 제어하는 블랭킹 컨트롤러(13)에 의해 제어된다. 콘덴서 렌즈(2)에 의해 형성된 평행한 전자 빔은 개구 어레이(3)에 의해 복수의 전자 빔으로 분할된다. 분할된 전자 빔은 렌즈 어레이(4)를 통해 블랭커 어레이(5)의 레벨에서 크로스오버(1)의 중간 화상을 형성한다. 블랭커 어레이(5)를 통과한 전자 빔은 전자기 렌즈(7, 9)를 통해 스테이지(11) 상에 유지된 기판(10) 또는 측정 디바이스(12) 상에 투영된다. 블랭커 어레이(5)를 통과한 전자 빔은 편향기 컨트롤러(16)에 의해 제어되는 편향기(8)에 의해 개별로 편향되어, 각 전자 빔의 투영된 화상의 위치는 편향기(8)에 의한 편향량(편향기의 편향 전압)에 의해 결정된다. 개구 어레이(3), 렌즈 어레이(4), 블랭커 어레이(5), 전자기 렌즈(7, 9) 및 편향기(8)는 복수의 전자 빔을 기판(10)을 향해 사출하는 하전 입자 광학계를 구성한다.
측정 디바이스(12)는 측정 디바이스 컨트롤러(14)의 제어 하에서 각각 인가된 전자 빔의 특성을 측정한다. 측정 항목은 각 전자 빔의 강도, 강도 분포 및 조사 위치 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 측정 조건은 메인 컨트롤러(15)에 의해 계산되어 블랭킹 컨트롤러(13)가 블랭커 어레이(5)를 구동하게 함으로써 선택된다. 측정 디바이스(12)에 의해 얻어진 측정 결과는 각 전자 빔의 특성을 계산하는 메인 컨트롤러(15)로 송신된다. 메인 컨트롤러(15) 및 측정 디바이스 컨트롤러(14)는 측정 디바이스(12)의 센서(검출기)의 출력으로부터 각 전자 빔의 특성을 취득하는 컨트롤러를 구성한다.
나이프 에지를 이용해서 측정을 수행하는 나이프 에지법의 개요에 대해서 도 2a 내지 2c와 도 3을 참조하여 설명한다. 측정 디바이스(12)는 나이프 에지 플레이트(차폐 또는 차폐 부재)(22)와 측정 센서(검출기)(23)를 포함한다. 나이프 에지 플레이트(22)는 도전성 플레이트이며, 그 내부에 형성된 복수의 구멍을 포함한다. 측정 디바이스(12)는, 전자 빔(21)이 구멍을 규정하는 에지(24)를 가로지르며 이동하도록 전자 빔(21)을 측정 디바이스(12)에 대하여 상대적으로 주사시키면서 전자 빔(21)의 강도를 측정한다. 각 전자 빔(21)이 측정 디바이스(12)에 대해 상대적으로 주사되는 방향은 나이프 에지 플레이트(22)의 표면에 평행하다. 여기에서는, 단순화를 위해 하나의 전자 빔(21)이 측정되는 경우에 대해 설명한다. 우선, 나이프 에지 플레이트(22)의 표면이 전자 빔(21)으로 조사되면서 측정이 개시된다(도 2a). 다음으로, 나이프 에지 플레이트(22)와 측정 센서(23)를 화살표에 의해 나타내어진 방향으로 주사하면서 측정이 수행된다(도 2b 및 2c). 이 때, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 전자 빔(21)의 에너지는 도 3에 나타낸 바와 같이 변하여, 나이프 에지 플레이트(22)의 온도가 변동된다.
[제1 실시예]
제1 실시예에 따른 측정 디바이스(12)에 있어서의 나이프 에지 플레이트(22)의 구성에 대해서 도 4a, 4b 및 도 5a 내지 5c를 참조하여 설명한다. 우선, 복수의 전자 빔(21)의 동시 측정을 위한 구성에 대해서 설명한다. 2 x 2의 배열의 전자 빔을 예로 들지만, 본 발명은 2 x 2 전자 빔의 배열에 한정되지 않는다. 도 4a 및 4b는, 4개의 전자 빔(21)과 4개의 나이프 에지(24)가 같은 패턴으로 배열되는 경우를 나타낸다. 전자 빔(21) 중에서, 단일 흑색 부분(212)은 나이프 에지 플레이트(22)에 의해 차폐되어 반사되는 부분을 나타낸다. 또한, 빗금 부분(211)은 나이프 에지 플레이트(22)를 통과해서 측정 센서(23)에 의해 검출되는 부분을 나타낸다. 하나의 전자 빔(21)의 전체 에너지를 "1"이라고 상정하면, 에지가 전자 빔(21)의 중앙에 에지가 위치할 경우, 빔 당 0.5의 에너지가 나이프 에지 플레이트(22)에 인가된다. 따라서, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 4개의 전자 빔(21)의 총 에너지는 0.5 x 4 = 2이다(도 4a). 다음으로, 에지의 위치가 각 전자 빔(21)의 직경의 1/4만큼 이동되는 경우를 고려한다. 이 경우, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 부분(212)의 영역은 빔 당 26%이다. 그 결과, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 4개의 전자 빔(21)의 총 에너지는 대략 절반, 즉 0.26 x 4 = 1.04로 감소된다(도 4b).
이하, 제1 실시예에 따른 나이프 에지 플레이트(22)의 구성에 대해 도 5a 내지 5c를 참조하여 설명한다. 나이프 에지(24)는 종래 기술의 나이프 에지(24')의 위치를 하나의 에지에 대응하는 양만큼 어긋나게 함으로써 형성된다(도 5a). 4개의 전자 빔(21)은 각 전자 빔의 주사 방향에서 서로 인접하게 안내된 2개의 전자 빔(21a, 21b)의 복수(도 5b 및 5c에서는 2개)의 조합에 의해 형성된다. 관련 기술에서와 마찬가지로, 하나의 전자 빔(21)의 총 에너지를 "1"로서 상정하면, 에지가 각 전자 빔(21)의 중앙에 있을 경우, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 4개의 전자 빔(21)의 영역은 모두 50%이다. 따라서, 그 경우에 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 4개의 전자 빔(21)의 총 에너지는 0.5 x 4 = 2이다(도 5b). 다음으로, 에지의 위치가 각 전자 빔의 직경의 1/4만큼 이동되는 경우를 고려한다. 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 한 쪽의, 우측 전자 빔(21b)의 영역은 관련 기술과 마찬가지로 26%로 감소하지만, 다른 쪽의, 좌측 전자 빔(21a)의 영역은 74%로 증가한다(도 5c). 그 결과, 4개의 전자 빔 중 적어도 하나가 적어도 일부 개구를 통과하는 기간 동안 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 총 에너지는 0.26 x 2 + 0.74 x 2 = 2의 일정값으로 유지될 수 있다.
제1 실시예에서는, 전자 빔이 주사되는 경우 나이프 에지 플레이트(22)에 의해 차폐될 때 다른 양만큼 변하는 에너지를 갖는 전자 빔(21a, 21b)이 서로 인접하게 안내되어 전자 빔의 하나의 세트로서 사용된다. 하지만, 전자 빔(21a, 21b)은 서로 인접하도록 언제나 안내될 필요는 없다. 복수의 전자 빔의 각각이 제1 그룹 또는 제2 그룹에 속하게 하여, 전자 빔이 주사될 때 제1 그룹의 전자 빔과 제2 그룹의 전자 빔이 나이프 에지 플레이트(22)에 의해 차폐될 때 다른 양만큼 변하는 에너지를 갖게 하기만 하면 된다. 제1 실시예에 따른 나이프 에지 플레이트(22)의 이용은 각 전자 빔의 측정 위치에 따르는 온도의 변동을 감소시킴으로써 나이프 에지법에 기초한 정밀한 측정을 가능하게 한다.
[제2 실시예]
제2 실시예의 전자 빔 편향 제어 방법에 대해서 도 6a 내지 6c를 참조하여 설명한다. 제1 실시예와 마찬가지로, 에지가 각 전자 빔(21)의 중앙에 있을 경우, 2의 총 에너지가 나이프 에지 플레이트(22)에 인가된다(도 6a). 다음으로, 모든 전자 빔(21)을 동일한 방향으로 편향시키는 종래의 측정 방법을 이용해서 각 전자 빔(21)이 그 직경의 1/4만큼 편향되는 경우를 고려한다. 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 총 에너지는 관련 기술과 마찬가지로, 대략 절반, 즉 0.26 x 4 = 1.04로 감소된다(도 6b).
제2 실시예에서는, 인접하는 전자 빔(21a, 21b)을 상이한 방향으로 편향시켜 측정이 행해진다. 예를 들어, 전자 빔(21a, 21b)이 반대 방향으로 편향되지만, 본 발명은 이들이 편향되는 방향의 관점에 한정되지 않는다. 에지의 위치가 각 전자 빔의 직경의 1/4만큼 이동하면, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 우측 전자 빔(21b)의 영역은 관련 기술에서와 마찬가지로 26%로 감소한다. 하지만, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 좌측 전자 빔(21a)의 영역은 74%로 증가한다(도 6c). 그 결과, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 4개의 전자 빔(21)의 총 에너지는 0.26 x 2 + 0.74 x 2=2의 일정값으로 유지될 수 있다. 제2 실시예에 따른 편향 제어 방법의 이용은 각 전자 빔의 측정 위치에 따르는 온도의 변동을 감소시킴으로써 나이프 에지법에 기초한 정밀한 측정을 가능하게 한다.
[제3 실시예]
제3 실시예에 따른, 조사를 위한 전자 빔의 개수 또는 조사 시간을 제어하는 방법에 대해 도 7a 내지 7c 및 도 8을 참조하여 설명한다. 예를 들어, 제1 실시예 및 제2 실시예에서와 동일한 빔 에너지가 나이프 에지 플레이트에 인가되는 경우에 대해 설명하지만, 본 발명은 에너지의 관점에 한정되지 않는다. 제1 및 제2 실시예에서는, 측정 동안 나이프 에지 플레이트에 인가되는 에너지는 전체 빔 에너지의 절반이다(도 7a). 도 7b는 비측정 상태를 나타낸다. 이 때, 4개의 전자 빔(21a 내지 21d) 모두가 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되므로, 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 전체 에너지는 4이며, 이는 온도의 변동으로 귀결된다. 제3 실시예에서는, 4개의 전자 빔(21) 중 절반이 오프되어 전체 빔 에너지의 절반으로 전체 에너지를 유지함으로써, 온도의 변동을 감소시킨다(도 7c). 또는, 전체 에너지는 도 8에 나타낸 바와 같이, 4개의 전자 빔 전부의 조사 시간을 절반으로 단축시킴으로써 제어될 수 있다. 상술한 제어 방법의 이용은 비측정 상태에서도 나이프 에지 플레이트(22)에 인가되는 에너지의 변동을 감소시킴으로써 정밀한 측정을 가능하게 한다.
이상, 복수의 하전 입자 빔으로 기판 상에 묘화를 행하는 묘화 장치를 예로 들어 본 발명의 실시예들을 설명하였다. 하지만, 본 발명은 묘화 장치에 한정되지 않고, 전자 현미경이나 전자 길이 측정 장치와 같은 복수의 하전 입자 빔을 이용하는 다른 하전 입자 빔 장치에도 적용될 수 있다.
[물품 제조 방법]
본 발명의 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 반도체 디바이스와 같은 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자를 포함하는 물품을 제조하는 데 적합하다. 본 방법은, 기판 상에 도포된 감광제 상에 상술한 묘화 장치를 이용해서 잠상 패턴을 형성하는 단계(기판 상에 묘화를 행하는 단계)와, 형성 단계에서 그 위에 형성된 잠상 패턴을 갖는 기판을 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 본 방법은 후속 단계를 포함할 수 있다(예를 들어, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩 및 패키징). 본 실시예에 따른 물품을 제조하는 방법은 종래의 방법에 비해 물품의 성능, 품질, 생산성 및 제조 비용 중 적어도 하나의 관점에서 더욱 유리하다.
실시예들을 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 개시된 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항들의 범위는, 이러한 모든 변형과 동등한 구성 및 기능을 포함하도록 최광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (9)

  1. 객체를 복수의 하전 입자 빔으로 조사하는 조사 장치로서,
    복수의 개구가 형성된 차폐 부재와, 상기 복수의 개구를 각각 통과한 복수의 하전 입자 빔을 각각 검출하도록 구성된 복수의 검출기를 포함하는 측정 디바이스;
    상기 복수의 하전 입자 빔이 각각 상기 복수의 개구의 에지를 가로지르도록 상기 복수의 하전 입자 빔과 상기 측정 디바이스가 서로 상대적인 주사를 수행하도록 구성된 주사 기구; 및
    상기 주사 기구와 상기 측정 디바이스의 제어를 수행하여 상기 복수의 하전 입자 빔 각각의 특성을 취득하도록 구성된 컨트롤러
    를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 주사 기간에서, 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성되는, 조사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 하전 입자 빔의 각각은 제1 그룹 및 제2 그룹 중 하나에 속하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 주사 기간에서, 상기 제1 그룹에 속하는 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 상기 제2 그룹에 속하는 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성되는, 조사 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 주사가 일 방향으로 수행되고, 상기 주사 기간에서, 상기 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 상기 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 상기 복수의 개구가 상기 차폐 부재에 배열되도록 제어를 수행하도록 구성되는, 조사 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 하전 입자 빔을 개별적으로 편향시키도록 구성된 편향기를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 주사 기간에서, 상기 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 상기 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록, 상기 편향기가 상기 하나의 하전 입자 빔과 상기 다른 하전 입자 빔을 각각 서로 다른 방향으로 편향시키게 하도록 구성되는, 조사 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 특성은 강도, 강도 분포 및 조사 위치 중 하나 이상을 포함하는, 조사 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 차폐 부재가 상기 복수의 하전 입자 빔의 전부를 차폐하는 기간과 상기 주사 기간의 합계 기간에서, 상기 복수의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 변동되지 않도록 제어를 수행하도록 구성되는, 조사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 하전 입자 빔을 생성하도록 구성된 하전 입자 광학계를 더 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 상기 차폐 부재가 상기 복수의 하전 입자 빔의 전부를 차폐하는 기간 동안, 상기 하전 입자 광학계가 상기 차폐 부재를 조사하는 하전 입자 빔의 개수 및 조사 시간 중 하나 이상을 제어하도록 구성되는, 조사 장치.
  8. 복수의 하전 입자 빔으로 기판 상에 묘화를 수행하는 묘화 장치로서,
    상기 기판을 상기 복수의 하전 입자 빔으로 조사하도록 구성된 조사 장치
    를 포함하고,
    상기 조사 장치는,
    복수의 개구가 형성된 차폐 부재와, 상기 복수의 개구를 각각 통과한 복수의 하전 입자 빔을 각각 검출하도록 구성된 복수의 검출기를 포함하는 측정 디바이스;
    상기 복수의 하전 입자 빔이 각각 상기 복수의 개구의 에지를 가로지르도록 상기 복수의 하전 입자 빔과 상기 측정 디바이스가 서로 상대적인 주사를 수행하도록 구성된 주사 기구; 및
    상기 주사 기구와 상기 측정 디바이스의 제어를 수행하여 상기 복수의 하전 입자 빔 각각의 특성을 취득하도록 구성된 컨트롤러
    를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 주사 기간에서, 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성되는, 묘화 장치.
  9. 물품 제조 방법으로서,
    묘화 장치를 이용하여 기판 상에 묘화를 수행하는 단계;
    상기 묘화가 수행된 기판을 현상하는 단계; 및
    현상된 기판을 처리하여 상기 물품을 제조하는 단계
    를 포함하고,
    상기 묘화 장치는 복수의 하전 입자 빔으로 상기 기판 상에 묘화를 수행하고, 상기 장치는 상기 기판을 상기 복수의 하전 입자 빔으로 조사하도록 구성된 조사 장치를 포함하고,
    상기 조사 장치는,
    복수의 개구가 형성된 차폐 부재와, 상기 복수의 개구를 각각 통과한 복수의 하전 입자 빔을 각각 검출하도록 구성된 복수의 검출기를 포함하는 측정 디바이스;
    상기 복수의 하전 입자 빔이 각각 상기 복수의 개구의 에지를 가로지르도록 상기 복수의 하전 입자 빔과 상기 측정 디바이스가 서로 상대적인 주사를 수행하도록 구성된 주사 기구; 및
    상기 주사 기구와 상기 측정 디바이스의 제어를 수행하여 상기 복수의 하전 입자 빔 각각의 특성을 취득하도록 구성된 컨트롤러
    를 포함하고,
    상기 컨트롤러는, 주사 기간에서, 하나의 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 증가하면서, 다른 하전 입자 빔의 에너지 중 상기 차폐 부재에 의해 차폐되는 에너지가 시간에 따라 감소하도록 제어를 수행하도록 구성되는, 물품 제조 방법.
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