KR20130025830A - 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 - Google Patents

포토레지스트용 스트리퍼 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제조 공정을 단순화시킴과 아울러 제조 공정 시간을 줄일 수 있는 p-n 접합 기판 제조에 사용되는 수평형/수직형 디바이스 형성을 위한 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물, 이를 사용하는 포토레지스트의 박리 방법과 이를 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자에 관한 것이다.

Description

포토레지스트용 스트리퍼 조성물 {STRIPPER COMPOSITION FOR PHOTORESIST}
본 발명은 본 발명은 제조 공정을 단순화시킴과 아울러 제조 공정 시간을 줄일 수 있는 p-n 접합 기판 제조에 사용되는 수평형/수직형 디바이스 형성을 위한 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물에 관한 것이다.
LED는 반도체 고체 조명으로 환경 친화적이고, 기존의 일반 조명 기구에 비하여 에너지 절약 효과가 우수하며, 장시간 사용이 가능하다는 장점을 지닌다.
이에 따라, 2000년대 들어서면서 생활 전반에 사용되기 시작하여 휴대폰의 액정 표지 소자, 옥외용 대형 디스플레이 전광판, 교통신호동, 자동차용 부품, TV의 BLU(back light unit)에 이르기까지 모든 분야에서 다양한 용도로 사용되고 있으며, 출력 및 효율 향상을 위한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. LED는 p-n 접합 다이오드의 일종으로, 순방향으로 전압이 걸릴 때 단파장광(monochromatic light)이 방출되는 현사인 전기발광효과(electroluminescence)를 이용한 반도체 소자이다. 즉, 순반향 전압 인가시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하면서 전도대(conduction band)와 가전대(valance band)의 높이 차이(에너지 갭)에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.
LED 기술 단계는 통상적으로 에피, 칩, 패키지, 모듈, 시스템으로 분류할 수 있으며 그 연관 관계는 다음의 그림과 같다. 일반적으로 상용화된 LED 기판에은 사파이어(Al2O3)나 SiC 기판이며 LED 칩은 이들 기판 위에서 에피 성장하여 제작된다. 에피는 기초 소재인 기판 위에 금속 유기 화학증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 장비를 사용하여 화합물 반도체를 성장시켜 에피 웨이퍼를 제조하는 단계이다. 예를 들어 청색 LED의 경우 사파이어나 SiC 기판 위에 n형 반도체(n-GaN)와 빛을 발광하는 활성층(InGaN), 그리고 p-형 반도체(p-GaN)가 차례로 증착되는 과정이다. 칩은 LED 개별 소자를 말하는 것으로, 칩 제작은 에피 웨이퍼에 전극을 형성하고 절단하는 등의 공정을 통하여 발광할 수 있는 최소의 단위칩으로 만드는 단계이다. 통상적으로 p-형 반도체에 (+)전극이 형서되고, 절연체 기판 위에 전극이 형성될 수 없기 때문에 건식 식각(drying etching) 방식으로 위해서 n-형 반도체 일부분까지 식각하여 전극을 형성한다. 일반형 LED 칩 구조는 빛을 내는 활성층과 이를 둘러싼 두 개의 클래드층으로 이루어진 기본 형태로 구성된다. 기판에 접한 클래딩층 부분은 n-도핑(doping)되어 있고, 다른 클래딩층 부분은 p-도핑(doping)되어 있다. 각 전극을 통해 전압을 인가하면 n-도핑(doping)된 클래딩층에서는 전자를, p-도핑(doping)된 클래딩층에서는 정공을 공급하여 전류가 흐르면서 이들 전자와 정공이 활성층에서 결합하여 빛을 낸다. 기판은 발광되는 빛의 파장에 따라 방출되는 빛의 일부를 반사하거나 투과하고, 일반형 LED에서는 기판을 분리하지 않고 그대로 두며 반사판으로 활용한다.
플립칩형 LED는 일반형 LED를 거꾸로 뒤집어 실리콘 서브 마운트 위에 고정한 형태로 발광의 기본 구조면에서 보면 일반형 LED와 동일하지만, 방열 특성과 고출력 특성이 우수하며, 기판을 통하여 빛을 방출한다. 수직형 LED도 일반형 LED와 같은 발광의 기본 구조에서 윗부분의 클래딩층에 bonding/reflector와 receptor 기판을 차례로 부착한 후, 전극을 형성하고 반대편의 기판을 분리한다. 분리된 기판의 클래딩층에 전극을 형성하면 수직형 LED의 기본구조가 완성된다. 수직형 LED 활성층에서 발광된 빛은 아래 면의 반산판에서 수직으로 반사되어 윗부분으로 방출된다. 방열특헝과 고출력 특성이 우수하다. 실제 LED 칩으로부터 발광할 때, LED 반도체 소재와 공기의 굴절률 차이로 인하여 활성층 내부에서 발광된 빛이 일정각도 이상이 되면 공기와의 경계면에서 내부로 전반산되어 외부로 발광이 되지 않는다. 광추출(optical extraction) 기술은 이러한 내부로부터의 반사를 막아 외부로 탈출하게 하여 방출되는 빛의 양을 활성시키기 위한 기술이다. 사파이어 기판을 제거하거나 칩의 표면을 가공하여 광추출 효율을 향상시킨다. PSS 표면 가공 기술은 사파이어 기판 표면에 일정한 형태의 형상과 깊이로 패터닝을 식각하여 사파이어 기판 쪽으로 진행하는 빛을 굴절률 차이에 의해 외부로 방출하는 방법이다. p-GaN 요철(Roughness) 성장 기술은 LED p-GaN 표면 쪽에서 반사되어 내부로 재반사되는 광손실을 제거하여 외부로 빛을 방출시키는 기술이다.
p-n 접합(Junction) 디바이스는 LED, 태양 전지(Solar Cell)이 있으며 공정은 기판상에 형성된 알루미늄 또는 알루미늄 합금 혹은 구리, 구리 합금막 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트(PR)를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식 또는 건식으로 에칭하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후 불필요해진 포토레지스트층을 스트리퍼(박리액)으로 제거하는 공정으로 진행된다. 그러나, 액정디스플레이와 달리 네거티브 방식인 리프트-오프 방식이 많으며 PR을 전면 도포한 후 원하는 패터닝을 한 후, 그 위에 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막을 증착후 PR을 제거하는 방법을 말한다. 따라서, 박막을 패터닝하는 에칭 공정이 하나 줄어드는 장점이 있다. 그러나 가장 큰 문제는 PR이 전면에 노출된 것이 아니기 때문에 PR 박리 공정 많이 걸린다.
상기 LED/태양 전지(solar cell)용 전극 형성 및 메사 형성을 위한 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼가 갖추어야 할 기본 특성은 다음과 같다.
먼저, 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리할 수 있어야 하고 세척(rinse)후 기판상에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않아야 하는 우수한 박리 능력을 가져야 한다. 또한, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 또한, 스트리퍼를 이루는 용제간에 상온 방응이 일어나면 스트리퍼의 저장 안정성이 문제되고 스트리퍼 제조시의 혼합순서에 따라 다른 물성을 보일 수 있으므로, 혼합 용제간의 무반응성 및 고온 안정성이 있어야 한다. 또한, 작업자의 안전이나 폐기 처리시의 환경 문제를 고려하여 독성이 적도록 저독성이 있어야 한다. 또한, 고온 공정에서 포토레지스트 박리가 진행될 경우 휘발이 많이 일어나면 구성 성분비가 빨리 변하게 되고 스트리퍼의 공정 안정성과 작업 재현성이 저하되므로, 저휘발성이 있어야 한다. 또한, 일정 스트리퍼 양으로 처리할 수 있는 기판수가 많아야 하고, 스트리퍼를 구성하는 성분의 수급이 용이하고 저가이며 폐스트리퍼의 재처리를 통한 재활용이 가능하도록 경제성이 있어야 한다.
이러한 조건들을 충족시키기 위해 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개발되고 있으며, 구체적 예를 들면 다음과 같다. 초기에 개발된 포토레지스트 스트리퍼 조성물들은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금 등의 도전성 금속막에 대한 부식이 심하고 강한 독성 및 환경 오염문제 등으로 사용이 곤란하였다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 수용성 알칸올 아민을 필수 성분으로 여러 유기 용제를 혼합시켜 제조한 스트리퍼 조성물들이 제안되었지만, 이러한 포토레지스트 스트리핑용 조성물은 알루미늄 및 알루미늄 합금막에 대한 부식 방지력이 약하여, 스트립 공정 중에 심삭한 부식을 유발하고, 후 공정인 게이트 절연막 증착시 불량을 발생시키는 문제가 있다.
또한, DMI, DMSO, 수용성 유기 아민으로 구성된 스트리퍼 조성물도 알려져 있으나, 이러한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물들은 박리력과 안정성 등에서 비교적 양호한 특성을 나타내고는 있으나, 최근의 액정표시소자 및 반도체 소자 제조 공정에서는 유리 기판과 실리콘 웨이퍼 기판을 120 ℃ 이상의 고온에서 처리하는 등, 공정 조건이 가혹해짐에 따라 포토레지스트가 고온에서 포스트베이크(postbake)되는 경우가 많아지고, 이로부터 변질 경화 정도가 심해져서 앞서 언급한 스트리퍼 조성물로는 제거가 완저히 되지 않는 문제가 있다.
상기 고온 공정을 거쳐 경화된 포토레지스트를 깨끗이 제거하기 위한 조성물로 물 및/또는 히드록실아민 화합물을 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물이 제안된 바 있다. 그러나, 이러한 스트리퍼 조성물들은 가혹한 고온 공정, 건식시각, 애슁, 및 이온 주입 공정에 의해 변질되며, 가교 경화된 포토레지스트막과 식각 공정에서 금속성 부산물과 반응하여 생성되는 포토레지스트 식각 잔류물에 대한 박리력 및 포토레지스트 도전성 하부막인 알루미늄 및 알루미늄 합금막의 부식 방지 성능면에서 충분하지 못한 문제가 있다. 또한, 고온 조건에서 히드록실 아민 화합물은 불안정하여 시간이 경과함에 따라 분해되는 문제점이 있다.
상기와 같은 다양한 스트리퍼 조성물들은 구성 성분과 성분가의 함량비에 따라 포토레지스트 박리성, 금속 부식성, 박리후의 세정 공정의 다양성, 작업 재현성 및 보관안정성, 경제성 면에서 현저한 차이가 나면 다양한 공정 조건에 대하여 최적 성능을 갖는 경제적인 스트리퍼 조성물의 개발이 계속 요구되고 있다.
한편, 액정 표시 장치가 대형화되고 대량 생산이 이루어짐에 딸 스트리퍼의 사용량이 많은 딥(Dipping) 방식보다는 낱장식으로 처리하는 매엽식(single wafer treatment method) 설비를 이용한 포토레지스트의 박리가 일반화되고 있고 이 설비에 적합한 스트리퍼 조성물이 소개되고 있다. 그러나, 기존의 스트리퍼 조성물들은 금속 부식성은 양호하나 저온 박리력이 다소 약한 단점이 있다.
그리고, 상기 열거한 모든 조성물들은 리프트 오프 방식에서 PR 박리시간이 10 min 이상이고 그 적용 배선이 알루미늄 배선, 혹은 구리 배선에서 부식 발생이 있다는 단점이 있다.
본 발명은 절연막에 대한 부식방지력이 우수한 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물을 제공하고자 한다.
본 발명은 또한, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 또한, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 방법을 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 a) 수용성 유기 아민 화합물, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물, c) 비양자성 용매, 및 d) 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 포토레지스트의 박리 방법을 제공한다.
본 발명은 또한, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 방법을 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자를 제공한다.
이하, 발명의 구체적인 구현예에 따른 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용하는 포토레지스트의 박리 방법과 이를 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 발명의 하나의 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니며, 발명의 권리범위 내에서 구현예에 대한 다양한 변형이 가능함은 당업자에게 자명하다.
추가적으로, 본 명세서 전체에서 특별한 언급이 없는 한 "포함" 또는 "함유"라 함은 어떤 구성 요소(또는 구성 성분)를 별다른 제한 없이 포함함을 지칭하며, 다른 구성 요소(또는 구성 성분)의 부가를 제외하는 것으로 해석될 수 없다.
일반적인 수평형 LED 칩 제조 공정은 도 1에 나타낸 바와 같다. 사파이어 기판이나 SiC 기판 상에 N형 반도체(N-GaN)와 활성층(InGaN), P형 반도체(p-GaN)가 MOCVD로 차례로 증착된다. ITO 패턴닝 후 건식 에칭(dry etching) 방식으로 가장 위쪽에서 N-GaN의 일부분까지 식각하는 MESA 패터닝 공정이 이루어진다. 이때, ITO와 MESA 패터닝을 위해 포토리쏘그래피(photolithogrphy) 공정이 필요하며, PR 제거와 클리닝(cleaning)을 위해 Strip 공정을 거치게 된다. 또한, 전극 형성을 위해서는 리프트-오프(Lift-off) 공정을 거치게 되는데 이때 전극 형성을 위해 사용된 PR도 스트립(strip) 과정을 거치게 된다.
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 기존의 스트리퍼 조성물은 수직형 수평형 칩에 통합할 수 없으며, 중간 세정이 필요한 문제점이 있다. 이에 따라, 본 발명자들은 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 등에 대한 연구를 거듭하는 과정에서, LED process 수직형/수평형 LED 칩 공정에서 모두 사용할 수 있는 통합형 스트리퍼(stripper)를 개발하며, 습식 벤치(Wet bench) 장비, 단일 스프레이(single spray) 방식으로 모두 사용할 수 있는 스트리퍼(stripper) 개발하게 되어 본 발명을 완성하였다.
이에 발명의 일 구현예에 따르면, 절연막에 대한 부식방지력이 우수한 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물이 제공된다. 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물은 a) 수용성 유기 아민 화합물, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물, c) 비양자성 용매, 및 d) 부식 방지제를 포함한다.
특히, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물은 a) 수용성 유기 아민 화합물 2.5 내지 45 중량%, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물 0.01 내지 35 중량%, c) 비양자성 용매 10 내지 80 중량%, d) 부식 방지제 0.01 내지 10 중량%를 포함할 수 있다.
본 발명은 수용성 유기 아민 화합물, 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물, 극성 비양자성 용매, 포토레지스트 하부의 금속막에 대한 부식을 방지하기 위한 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공하는 특징이 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, a) 성분의 수용성 유기 아민 화합물은 1차 아미노 알코올류 화합물, 2차 아미노 알코올류 화합물, 및 3차 아미노 알코올류 화합물 중 1중 이상인 것이 바람직하다. 상기 아미노 알코올류 화합물의 구체적 예를 들면, 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올아민(DEA), 및 트리에탄올 아민(TEA)으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 MEA, AIP, N-MAE, 보다 AEE가 박리 성능, 부식방지력, 및 경제성 면에서 우수하다.
상기 수용성 유기 아민 화합물의 사용량은 전체 조성물에 대하여 2.5 내지 45 중량%가 바람직하며, 상기 수용성 유기 아민 화합물의 사용량이 2.5 중량% 미만이면 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 충분치 못할 수 있으며, 45 중량%를 초과하면 점도값이 증가하여 리프트 오프 방식에서 PR 침투력이 낮아 박리시간이 증가하고 또한 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막에 대한 부식성이 커질 수도 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, b) 성분의 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물은 물과 유기화합물과의 상용성이 뛰어나고 포토레지스트를 용해시키는 용제 역할을 한다. 상기 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물은 점도가 5 cP 이하이고, 비점이 적어도 150 ℃ 이상일 수 있다. 또한, 상기 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물은 용제로서의 기능 외에도 스틀리퍼 의 표면 장력을 저하시켜 포토레지스트막에 대한 습윤성(wetting property)을 향상시켜 준다.
상기 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물로는 디에틸렌글리콜 t-부틸에테르(DGtB), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(메틸 카비톨, MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(에틸 카비톨, EDG), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(부틸 카비톨, BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 및 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(DPE)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 양자성 알킬렌클리콜 모노알킬에테르의 사용량은 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 35 중량%가 바람직하며, 그 사용량이 0.01 중량% 미만이면 스트리퍼의 표면 장력이 감소하여 습윤성(wetting)이 증가되나 그러나 전체 가열감량은 크게 증가할 수 있으며, 35 중량%를 초과하면 점도가 상승하여 스트리퍼의 박리력이 저하될 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 a) 수용성 유기 아민 화합물, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물과 함께, c) 비양자성 용매 및 d) 부식 방지제를 모두 포함함으로써, 기존의 스트리퍼와는 달리 알루미늄, 구리 등의 차세대 배선 재료에 적용할 수 있는 우수한 효과가 있다.
상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, c) 성분의 비양자성 용매 화합물은 포토레지스트의 주성분인 고분자 수지와 광활성 화합물에 대한 용해력이 기타 용제에 비해서 매우 우수한 화합물을 사용할 수 있다. 특히, 상기 비양자성 용매 화합물은 물과의 상용성이 매우 크고 상기 성분 a) 성분의 수용성 유기 아민 화합물과 성분 b) 성분의 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르와 모든 비율로 혼합 가능한 화합물을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 점도가 1 cP 이하이고, 비점이 적어도 150 ℃ 이상인 극성 비양자성 용매를 사용할 수 있다. 또한, 휘발성 측면에서 비양자성 용제 화합물로는 N-메탈아세트아마이드, N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디놀(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 및 테트라메틸렌설폰으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 비양자성 용제 화합물의 사용량은 전체 조성물에 대하여 10 내지 80 중량%인 것이 바람직하다. 이때, 물을 포함하지 않는 유기계 스트리퍼의 경우에는 20 내지 80 중량%로 사용하는 것이 더욱 바람직하고, 물을 함유하는 수계 스트리퍼의 경우에는 10 내지 50 중량%로 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 극성 비양자성 용제 화합물의 사용량이 10 중량% 미만이면 점도가 낮아 스트리퍼 조성물의 박리력이 저하될 수 있으며, 80 중량%를 초과하여 사용될 경우 a) 성분, 및 b) 성분 원료보다 휘발성이 좋아 가열감량이 크게 증가할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물에 있어서, d) 성분의 부식방지제는 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막과 절연막이 손상되지 않도록 하는 화합물이다. 본 발명의 부식방지제는 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하더라도 알루미늄 또는 알루미늄 합금막의 부식을 방지할 수 있다. 일반적으로 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하면, 스트리퍼 내의 아민 성분이 물과 혼합하여 부식성이 강한 알칼리의 하이드록시드 이온이 생기게 되어 금속 부식을 촉진시키나, 본 발명의 부식방지제는 알칼리 상태에서 알루미늄과 착화합물을 형성하여 알루미늄 표면에 흡착하여 보호막을 형성하여 하이드록시드 이온에 의한 부식을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 부식방지제는 기존에 구리막의 부식방지제로 널리 사용되어온 벤조트리아졸, 톨릴트리아졸 등에 비해 부식 방지 성능이 획기적으로 개선되어, 소량 첨가시에도 포토레지스트 하부층의 구리 또는 구리 합금막의 부식을 일으키지 않을 뿐만 아니라 경화된 포토레지스트의 잔류물을 제거하는 데에도 매우 효과적으로 작용할 수도 있다. 은 성분에 적용시에도 또한 상기 구리 성분과 동일한 메커니즘을 보인다.
이러한 부식 방지제는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물 중 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 수소, 또는 하이드록시기이고,
R3는 수소, t-부틸기, 또는 카르복실산기(-COOH), 또는 메틸카르복실산기(-COOCH3), 또는 에틸카르복실산기(-COOC2H5), 또는 프로필카르복실산기(-COOC3H7)이며,
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서,
R4은 수소, 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2로 대표되는 부식방지제의 부식 방지 메커니즘은 다음과 같다. 벤젠 고리에 직접 치환된 하이드록시기는 알루미늄과 흡착을 하여 염기성 용액에 의한 금속 부식을 제어하며 트리아졸 고리에 존재하는 풍부한 질소 원자의 비공유전자쌍이 구리와 전자적 결합을 하여 금속 부식을 제어할 수 있다.
한편, 상기 부식방지제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 0.01 내지 10 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%가 좋다. 상기 부식방지제의 사용량이 0.01 중량% 미만이면 박리하고자 하는 기판이 장시간 박리액과 접촉할 때 금속 배선에서 부분적인 부식 현상이 일어날 수 있고, 10 중량%를 초과하여 사용될 경우에는 점도가 증가하여 박리력을 감소시킬 수 있으며 조성물 가격이 상승하여 가격 대비 성능면에서 비효율적인 문제가 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 추가로 물을 최대 30 중량% 이하로 더욱 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 추가로, e) 성분의 수용성 비온성 계면활성제를 더욱 포함하여 수계 스트리퍼 조성물로 제공될 수도 있다.
상기 e) 성분의 수용성 비이온성 계면활성제는 물의 함량이 증가할 때 스트리퍼의 표면 장력을 저하시키기 위해 사용될 수 있으며, 또한 변질된 포토레지스트의 기판으로부터의 박리 후, 재침착(redeposition) 현상을 방지하는 측면에서 더욱 바람직한 효과를 얻을 수 있다.
상기 수용성 비이온성 계면활성제로는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다. 특히, 하기 화학식 3으로 표시되는 계면활성제는 염기성이 강한 스트리퍼 조성물에서도 화학적 변화를 일으키지 않고, 물 뿐만 아니라 상술한 바와 같은 스트리퍼 조성물에 사용 가능한 유기 용제 등과의 상용성이 우수하며, 스트리퍼의 박리성을 현저히 향상시킬 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 화학식 3에서,
n은 1 내지 50의 정수이다.
상기 수용성 비이온성 계면활성제의 사용량은 상기 스트리퍼 성분들의 종류와 성분비에 따라 달라지며 물이 포함되지 않을 경우 사용치 않아도 무방하다. 물의 함량이 많아지면 최대 1 중량%까지 사용 가능하며, 보다 바람직하게는 0.01 내지 0.3 중량%의 양이 효과적이다. 상기 수용성 계면활성제의 함량이 1 중량%를 초과하면 특별한 개선점이 없고, 점도가 상승하고 또한 조성물 가격이 올라 경제성이 떨어질 수 있다. 일반적으로 점도가 낮을수록 저온 박리력은 우수하다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 점도가 2 cP 이하일 수 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 LED 수직형 및 수평형 LED 칩 공정에 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 첫째, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고도 포토레지스트 하부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 도전성막 및 절연막에 대한 부식을 현저히 감소시킬 수 있다. 둘째로, 포토레지스트 하부의 알루미늄, 알루미늄 합금막, 구리 구리 합금막, 은, 은합막 등의 도전성 금속막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 대한 부식 방지력이 우수한 특징을 갖는다. 셋째로, 패터닝 형성 방법 중 리프트-오프 방식에서 PF 박리력이 기존 스트리퍼 대비 침투력이 좋아 2배 이상 빠르며, 또한 사진 식각 공정 동안 변성된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 짧은 시간 내에 용이하게 제거 가능한 특징을 갖는다.
또한, 본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물은 수직형 수평형 포지 네거티브 방식의 가혹힌 포토리소그라피 및 습식 에칭 공정에 의해 변질 경화된 포토레지스트막에 대한 고온 및 저온에서의 박리 성능이 우수하고, 포토레지스트 하부층인 알루미늄 배선에서 부식을 최소화할 수 있으며, 또한 연속되는 세척 공정에서 고순도 이소프로판올과 같은 유기 용제를 사용할 필요가 없고 물만으로도 세척 가능한 장점이 있다.
한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 포토레지스트의 박리 방법이 제공된다.
상기 포토레지스트의 박리 방법은 금속 배선, 또는 금속 배선과 무기 재료층을 포함하는 기판상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 에칭 처리하고, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물로 박리(stripping)하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 미세 회로 패턴이 새겨진 기판으로부터 포토레지스트를 박리하는 방법은 많은 양의 스트리퍼액에 박리하고자 하는 기판을 동시에 여러 장 침지(dipping)하는 딥 방식과 한장씩 박리액을 기판에 스프레이(분무)시켜 포토레지스트를 제거하는 매엽식 방식 모두 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 이용하여 박리할 수 있는 포토레지스트의 종류로 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트, 포지형/네가형 겸용 포토레지스트(dual tone photoresist)가 있고 구성 성분에 제약을 받지 않지만 특히 효과적으로 적용되는 포토레지스트는 노블라계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트막이다.
상기 금속 배선은 하부막으로 Au/Al/Ni/Cr 사중막과 Cu/이종금속합금, 은 또는 은합금 등을 포함하는 것이 될 수 있으며, 이는 p 전극 및 n 전극으로 사용할 수 있다.
*한편, 발명의 또다른 구현예에 따르면, 상기 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 사용하는 방법을 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자가 제공된다.
특히, 본 발명은 상술한 바와 같은 박리 방법을 포함하여 통상적인 방법으로 제조되는 액정 표시 장치 또는 반도체 소자, 즉, p-n 접합(Junction) 소자를 제공할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 기재된 내용 이외의 사항은 필요에 따라 가감이 가능한 것이므로, 본 발명에서는 특별히 한정하지 아니한다.
본 발명은 사진 식각 공정 동안 변성된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 짧은 시간 내에 용이하게 제거 가능하며, 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고도 포토레지스트 하부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 도전성막 및 절연막에 대한 부식이 적은 포토레지스트용 스트리퍼 조성물을 제공할 수 있다.
도 1은 수평형 LED 공정이며 스트립(Strip) 구간을 나타낸 개략도이다.
도 2는 수직형 LED 공정이며 스트립(Strip) 구간을 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 실시예 4, 비교예 25, 비교예 2의 부식력 평가 결과를 나타낸 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 실시예 1~3, 실시예 9, 실시예 16의 부식력 평가 결과를 나타낸 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 실시예 1~3, 실시예 9, 실시예 16의 박리력 평가 결과를 나타낸 사진이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예 및 비교예 있어서 별도의 언급이 없으면 조성물의 성분비는 중량비이다.
실시예 1
a) 성분의 수용성 유기 아민 화합물로 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 50 g, b) 성분의 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물로 디에틸렌글리콜 t-부틸에테르(DGtB) 200 g, c) 성분의 극성 비양자성 용매로 N-메틸피롤리돈(NMP) 150 g, 디메틸아세트아마이드(DMAc) 590 g, d) 성분의 부식방지제로 하기 화학식 4의 화합물 (D1) 7 g, 하기 화학식 5의 화합물 (D2) 2 g, 및 e) 성분의 수용성 비온성 계면활성제로 하기 화학식 6의 화합물 (E1) 1 g을 혼합하여 상온에서 2 시간 동안 교반한 후, 0.1 ㎛의 필터로 여과하여 스트리퍼 용액을 제조하였다.
[화학식 4]
Figure pat00004
[화학식 5]
Figure pat00005
[화학식 6]
Figure pat00006

실시예 2~21 및 비교예 1~12
하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), N-메틸아미노에탄올(NMAE), 모노에탄올아민(MEA), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(EDG), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), N-메틸아세트아마이드(MMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸렌글라이콜 t-부틸에테르(DGtB), 디메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸포름아마이드(NMF), 화학식 4~6 화합물(D1, D2, E1)을 사용하여 각 조성 성분 및 함량을 달리한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 스트리퍼 용액을 제조하였다.
실시예 1~24 및 비교예 1~12에 따른 스트리퍼 용액의 구체적인 조성성분 및 함량(중량%)은 하기 표 1에 나타낸 바와 같다.
구분 조성성분(중량%)
a)성분 b)성분 c)성분 d)성분 e)성분
종
류		 함
량		 종
류		 함
량		 종
류		 함
량		 종
류		 함
량		 종
류		 함
량		 종
류		 함
량		 종
류		 함
량
실시예1 AEE 5 DGTB 20 NMP 15 DMAc 59 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예2 AEE 10 DGTB 20 NMP 15 DMSO 54 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예3 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예4 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 MMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예5 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 DMSO 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예6 AEE 20 DGTB 20 NMP 15 MMAc 44 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예7 AEE 30 DGTB 20 NMP 15 NMF 34 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예8 MEA 5 DGTB 20 NMP 15 DMAc 59 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예9 MEA 10 DGTB 20 NMP 15 DMSO 54 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예10 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예11 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 MMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예12 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMSO 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예13 MEA 20 DGTB 20 NMP 15 MMAc 44 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예14 MEA 30 DGTB 20 NMP 15 NMF 34 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예15 NMEA 5 DGTB 20 NMP 15 DMAc 59 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예16 NMEA 10 DGTB 20 NMP 15 DMSO 54 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예17 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예18 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 MMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예19 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMSO 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예20 NMEA 20 DGTB 20 NMP 15 MMAc 44 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
실시예21 NMEA 30 DGTB 20 NMP 15 NMF 34 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
비교예1 AEE 15 BDG 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
비교예2 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.3 D1 0.7 D2 0 E1 0
비교예3 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.8 D1 0 D2 0.2 E1 0
비교예4 AEE 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.9 D1 0 D2 0 E1 0.1
비교예5 MEA 15 BDG 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
비교예6 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.3 D1 0.7 D2 0 E1 0
비교예7 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.8 D1 0 D2 0.2 E1 0
비교예8 MEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.9 D1 0 D2 0 E1 0.1
비교예9 NMEA 15 BDG 20 NMP 15 DMAc 49 D1 0.7 D2 0.2 E1 0.1
비교예10 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.3 D1 0.7 D2 0 E1 0
비교예11 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.8 D1 0 D2 0.2 E1 0
비교예12 NMEA 15 DGTB 20 NMP 15 DMAc 49.9 D1 0 D2 0 E1 0.1
실험예
실시예 1~21 및 비교예 1~12에 따른 스트리퍼 용액에 대하여 다음과 같은 방법으로 포토레지스트 박리력과 부식 특성을 평가하였다.
이 때, 실험에 사용한 시편은 수직형/수평형 LED 회로 제작에서 리프트 오프 밧기으로 제작된 전극과 p-GaN, n-GaN 형성을 위해 드라이 에칭 공정을 거친 메사 공정, 수직형 Cu 지지막을 형성한 웨이퍼이다.
1) 박리력 평가
상기 시편을 50 ℃, 상온에서 유지된 상기 스트리퍼 용액에 1분간 침적후, 초순수에 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 건조 완료 후 시편을 1,000 배율의 광학현미경과 5,000~10,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 포토레지스트의 박리 정도를 관찰하였다. 박리 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였으며, 평가 결과 포토레지스트 이물이 전혀 없는 깨끗한 패턴을 얻을 수 있었다.
◎: 박리 성능 우수
○: 박리 성능 양호
△: 박리 성능 양호하지 못함
×: 박리 성능 불량
2) Au/Al/Ni/Cr 사중막 배선에 대한 부식 평가
부식 평가-1은 스트립 완료 후 초순수에 세정하는 공정에서 부식 여부를 평가하기 위한 것이며, 평가용 시편은 상기 시편을 40 ℃로 유지된 아세톤 용액에 10 분 동안 침적 후, 이소프로판올에 30 초, 초순수에 30 초간 세척하여 제조하였다. 위의 평가용 시편을 상기 스트리퍼 용액 10 g과 물 990 g의 혼합액에 상온에서 3 분 동안 침적 후 초순수에 30 초 세척한 후 질소로 건조하였다. 50,000~100,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하였다. 부식 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였으며, 평가 결과 표면, 측면 및 단면에 부식이 전형 없는 깨끗한 패턴을 얻을 수 있었다.
◎: Au/Al/Ni/Cr 배선의 표면과 측면에 부식이 없는 경우
○: Au/Al/Ni/Cr 배선의 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△: Au/Al/Ni/Cr 배선의 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
×: Au/Al/Ni/Cr 배선의 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
3) Cu 배선에 대한 부식 평가
상기 시편을 70 ℃로 유지된 상기 스트리퍼 용액에 10 분 동안 침적 후, 초순수에 30 초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 본 스트립 실험을 3회 연속으로 실시한 후 50,000~100,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하였다. 부식 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였으며, 평가 결과 표면, 측면 및 단면에 부식이 전형 없는 깨끗한 패턴을 얻을 수 있었다.
◎: Cu 배선의 표면과 측면에 부식이 없는 경우
○: Cu 배선의 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△: Cu 배선의 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
×: Cu 배선의 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
4) Ag 배선에 대한 부식 평가
상기 시편을 70 ℃로 유지된 상기 스트리퍼 용액에 10 분 동안 침적 후, 초순수에 30 초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 본 스트립 실험을 3회 연속으로 실시한 후 50,000~100,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하였다. 부식 성능 평가는 하기와 같은 기준으로 평가하였으며, 평가 결과 표면, 측면 및 단면에 부식이 전형 없는 깨끗한 패턴을 얻을 수 있었다.
◎: Ag 배선의 표면과 측면에 부식이 없는 경우
○: Ag 배선의 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△: Ag 배선의 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
×: Ag 배선의 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
실시예 1~24 및 비교예 1~12에 따른 스트리퍼 용액에 대한 물성 평가 결과는 하기 표 2에 나타낸 바와 같다.
구분 박리력 부식력
50℃ 25℃ Al Cu Ag
실시예1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예5 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예6 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예7 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예8 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예9 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예10 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예11 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예12 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예13 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예14 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예15 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예16 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예17 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예18 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예19 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예20 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예21 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예1 △ × ◎ ◎ ◎
비교예2 ◎ ◎ ◎ × ×
비교예3 ◎ ◎ × ◎ ◎
비교예4 ◎ ◎ × × ×
비교예5 ○ △ ◎ ◎ ◎
비교예6 ◎ ◎ ◎ × ×
비교예7 ◎ ◎ × ◎ ◎
비교예8 ◎ ◎ × × ×
비교예9 ○ △ ◎ ◎ ◎
비교예10 ◎ ◎ ◎ × ×
비교예11 ◎ ◎ × ◎ ◎
비교예12 ◎ ◎ × × ×
상기 표 2에서와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 21의 스트리퍼 조성물의 경우, 비교예 1~12와 비교하여 알루미늄과 구리, 은 배선 모두에서 박리 성능과 부식방지력이 매우 우수함을 알 수 있다.

Claims (18)

  1. a) 수용성 유기 아민 화합물, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물, c) 비양자성 용매, 및 d) 부식 방지제를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    a) 수용성 유기 아민 화합물 2.5 내지 45 중량%, b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물 0.01 내지 35 중량%, c) 비양자성 용매 10 내지 80 중량%, d) 부식 방지제 0.01 내지 10 중량%를 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 a)의 수용성 유기 아민 화합물이 1차 아미노 알코올류 화합물, 2차 아미노 알코올류 화합물, 및 3차 아미노 알코올류 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 아미노 알코올류 화합물인 포토레지스트용 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 아미노 알코올류 화합물이 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올아민(DEA), 및 트리에탄올 아민(TEA)으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 포토레지스트용 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 b)의 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물이 디에틸렌글리콜 t-부틸에테르(DGtB), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(메틸 카비톨, MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(에틸 카비톨, EDG), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(부틸 카비톨, BDG), 디프로필렌그리콜 모노메틸에테르(DPM), 및 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(DPE)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 1종 이상 선택되는 포토레지스트용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 c)의 극성 비양자성 용매가 N-메탈아세트아마이드, N-메틸피롤리돈(NMP), N-메틸포름아마이드(NMF), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디놀(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), 및 테트라메틸렌설폰으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 포토레지스트용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 d)의 부식 방지제가 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물 중 1종 이상인 포토레지스트용 스트리퍼 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00007

    상기 화학식 1에서,
    R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 수소, 또는 하이드록시기이고,
    R3는 수소, t-부틸기, 또는 카르복실산기(-COOH), 또는 메틸카르복실산기(-COOCH3), 또는 에틸카르복실산기(-COOC2H5), 또는 프로필카르복실산기(-COOC3H7)이며,
    [화학식 2]
    Figure pat00008

    상기 화학식 2에서,
    R4은 수소, 탄소수 1 내지 4의 알킬기임.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 b)의 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물은 점도가 5 cP 이하이고, 비점이 150 ℃ 이상인 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 c)의 비양자성 용매 화합물양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물은 점도가 5 cP 이하이고, 비점이 150 ℃ 이상인 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  10. 제2항에 있어서,
    물 30 중량% 이하를 추가로 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  11. 제2항에 있어서,
    e) 수용성 비온성 계면활성제 1 중량% 이하를 추가로 포함하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 e)의 수용성 비온성 계면활성제는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
    [화학식 3]
    Figure pat00009

    상기 화학식 3에서,
    n은 1 내지 50의 정수임.
  13. 제1항에 있어서,
    점도가 2 cp 이하인 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    LED 수직형 및 수평형 LED 칩 공정에 사용하는 포토레지스트용 스트리퍼 조성물.
  15. 금속 배선, 또는 금속 배선과 무기 재료층을 포함하는 기판상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 에칭 처리하는 단계; 및
    제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 조성물로 박리(strupping)하는 단계를 포함하는 포토레지스트의 박리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 박리 단계는 딥 방식 또는 매엽식 방식으로 수행하는 포토레지스트의 박리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 금속 배선은 하부막으로 Cu/AlNiCr 사중막과 Cu/이종금속합금, 은 또는 은합금을 포함하는 포토레지스트의 박리 방법.
  18. 제15항에 따른 박리 방법을 적용하여 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자.
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