KR20130024880A

KR20130024880A - 절연 전선

Info

Publication number: KR20130024880A
Application number: KR1020127020276A
Authority: KR
Inventors: 마코토 오야; 다이스케 무토
Original assignee: 후루카와 마그넷트 와이야 가부시키가이샤; 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2010-10-01
Filing date: 2011-09-30
Publication date: 2013-03-08
Also published as: EP2555204A4; EP2555204B1; EP2555204A1; CN102782773A; WO2012043839A1; CN102782773B; JPWO2012043839A1; JP5877159B2; US20120285724A1

Abstract

[과제]　절연수지 도료를 적층해도 층간 밀착성이 우수하기 때문에 절연 파괴가 높고, 비유전율이 낮기 때문에, 내(耐) 부분방전성에도 우수한 절연 전선을 제공하는 것.
[해결 수단]　도체(1)상에 직접 또는 간접으로, 도체측으로부터 순서대로, 절연층(21, 23)과, 상기 절연층(21, 23)보다 각각 비유전율이 높은 절연층(22, 24)을 적층한 적층 단위를 적어도 2개 가지는 절연 전선.

Description

절연 전선{INSULATED WIRE}

본 발명은, 절연 전선에 관한 것이다.

인버터는, 효율적인 가변속 제어장치로서, 많은 전기 기기에 장착되도록 되고 있다. 그러나, 수 kHz～수십 kHz에서 스위칭이 행해지고, 그들의 펄스마다 서지 전압이 발생된다. 이러한 인버터 서지는, 전반계(傳搬系)내에 있어서의 임피던스의 불연속점, 예를 들면 접속하는 배선의 시단(始端) 또는 종단(終端) 등에 있어서 반사가 발생되고, 그 결과, 최대로 인버터 출력 전압의 2배의 전압이 인가되는 현상이다. 특히, IGBT 등의 고속 스위칭 소자에 의해 발생하는 출력 펄스는, 전압 준도 (峻度)가 높고, 그것에 의해 접속 케이블이 짧아도 서지 전압이 높고, 게다가 그 접속 케이블에 의한 전압 감쇠도 작고, 그 결과, 인버터 출력전압의 2배 가까운 전압이 발생된다.

인버터 관련 기기, 예를 들면 고속 스위칭 소자, 인버터 모터, 변압기 등의 전기 기기 코일에는, 마그넷 와이어로서 주로 에나멜선인 절연 전선이 이용되고 있다. 따라서, 상술한 것처럼, 인버터 관련 기기에서는, 인버터 출력전압의 2배 가까운 전압이 걸리기 때문에, 인버터 서지에 기인하는 부분 방전 열화를 최소한으로 하는 것이, 절연 전선에 요구되도록 되고 있다.

이러한 부분 방전에 의한 절연 전선의 열화를 막기 위해, 부분 방전의 발생 전압이 높은 절연 전선의 검토가 행해지고 있다. 이 절연 전선을 얻기 위해서는, 절연 전선의 절연층의 두께를 두껍게 하거나, 절연층에 비유전율이 낮은 수지를 이용한다고 하는 방법을 생각할 수 있다.

그러나, 절연층을 두껍게 하면 절연 전선이 굵어지게 되고, 그 결과, 전기 기기의 대형화를 초래한다. 이것은, 최근의 모터나 변압기로 대표되는 전기 기기에 있어서, 소형화라고 하는 요구에 역행한다. 예를 들면, 구체적으로는, 스테이터 슬롯(stator slot)중에 몇 개의 전선을 넣을 수 있는지에 따라, 모터 등의 회전기의 성능이 결정된다고 해도 과언이 아니고, 그 결과, 스테이터 슬롯 단면적에 대한 도체 단면적의 비율(점적율)이, 최근 매우 높아지고 있다. 따라서, 절연층의 두께를 두껍게 하면 점적율이 낮게 되어 버리기 때문에 바람직하지 않다.

한편, 절연층의 비유전율이 낮은 절연 전선으로서, 분자내의 특정 부위에 불소 원자 또는 퍼플루오로알킬기를 가지는 폴리이미드 수지 도료를 도체상에 도포하여 얻어진 것이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 그러나, 통상의 절연 전선은, 용제를 포함한 도료를 도체상에 여러 번 덧발라서, 건조시키는 것에 의해, 절연층이 형성되고 있다. 상기의 특허문헌 1에 기재된 폴리이미드 수지는, 층간 밀착력이 충분하지 않다. 도체상에 형성된 수지 도료의 층간 밀착력이 불충분하면, 절연 전선을 가공할 때에 극단적인 경우에는 층간 박리가 일어나, 사용할 수 없다. 명확한 층간 박리가 일어나지 않는 경우에도, 절연 파괴 전압이 낮고, 전기 절연성에 문제가 있는 경우가 많다. 또, 고온이 되면 불화 수소를 비롯한 부식성의 가스가 발생하기 때문에 사용 기기의 금속부의 조기 열화를 발생시킨다고 하는 문제점이 있다.

그 외에 절연층의 비유전율이 낮은 절연 전선으로서, 반복 단위당의 아미드기의 수 및 이미드기의 수를 줄인 폴리아미드이미드 수지 도료를 이용한 절연 전선이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 이 절연 전선의 경우, 아미드기의 수 및 이미드기의 수를 줄이고 있기 때문에, 도체와의 밀착력이 충분하지 않다. 도체와의 밀착력은 굽힘이나 늘림 등의 가공을 행했을 때에 도체와 절연피막과의 박리가 발생하고, 전기 절연성에 문제가 있는 경우가 많다. 또, 사용하는 원료가 특수한 것이고 매우 고가이다.

또, 격한 압연 가공이나 권선 가공 등을 행해도 피막에 손상 등을 일으키지 않는 내가공성과, 폴리아미드이미드와 동등한 높은 내열성을 가지고, 게다가 절연 전선의 단말을 접합하는 공정으로, 접합부 부근의 절연피막이 접합의 열 등에 의해서 발포하거나 하지 않는 접합성을 가지는 절연 전선이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 3 참조). 이 특허문헌 3에 기재된 절연 전선은, (1) 실질적으로 폴리아미드이미드, 및 폴리이미드 중 적어도 한쪽으로 이루어지는 제 1 절연층과, (2) 폴리아미드이미드(A)에, 유리 전이 온도 140℃ 이상의 열가소성 수지(B)를, 중량비(A/B)로 표시하고 A/B＝70/30～30/70의 비율로 배합해서 이루어지는 제 2 절연층을 이 순서로 피복, 적층하는 것에 의해서, 도체상에, 상기 제 1 절연층의 막두께 (T₁)와 제 2 절연층의 막두께(T₂)와의 비(T₁/T₂)가 T₁/T₂＝5/95～40/60의 범위내이고, 또한 잔류 용제량이 절연피막 총량의 0.05중량％ 이하인 절연피막을 형성한 것이다. 특허문헌 3에 기재된 절연 전선에서는, 열연화 온도로 평가되는 내열성이, 400℃ 이상이다. 그러나, 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층의 2층의 적층 구조에 대해서, 각층의 비유전율에 대해서는 아무런 언급이 없고, 절연 파괴 강도가 낮다고 하는 문제점이 있다.

일본 공개특허공보 2002-56720호 일본 공개특허공보 2009-161683호 일본 공개특허공보 2001-155551호

본 발명은, 비유전율이 낮은 층과 비유전율이 높은 층을 적층해서 이루어지는 적층 단위를 적어도 2개 구비해서 이루어지는 것에 의해, 높은 비유전율의 층을 포함하는 것에도 관계없이, 비유전율이 낮은 재료를 높은 비유전율의 재료에 블렌드한 단독의 층을 가지는 절연 전선에 비해서 비유전율을 높게 하는 일이 없고, 절연 파괴 전압이 높은 절연 전선을 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자 등은, 상기 과제에 감안하여 열심히 검토한 결과, 도체상에 비유전율이 높은 절연층과 비유전율이 낮은 절연층을 복수 반복하여 형성한 절연 전선이, 비유전율이 높은 층을 포함하는 것에도 관계없이, 비유전율이 낮은 재료를 높은 비유전율의 재료에 블렌드한 단독의 층을 가지는 절연 전선에 비해서 비유전율을 높게 하는 일이 없고, 높은 절연 파괴 전압을 가지는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 이루어진 것이다.

본 발명에 의하면, 이하의 수단이 제공된다：

<1> 도체상에 직접 또는 간접으로, 도체측으로부터 순서대로, 제1의 절연층 (X1)과, 상기 제1의 절연층(X1)보다 비유전율이 높은 제2의 절연층(X2)을 적층해서 이루어지는 적층 단위를 적어도 2개 가지는 것을 특징으로 하는 절연 전선.

<2> 어느 1개의 적층 단위중의 제2의 절연층(X2)의 비유전율(ε(X2))이, 그 적층 단위보다 외층측에 위치하는 다른 적층 단위의 제1의 절연층(X1')의 비유전율 (ε(X1'))보다 높은 것을 특징으로 하는 <1>에 기재된 절연 전선.

<3> 상기 절연층의 안에서 서로 접하는 2개의 층의 비유전율의 차이의 절대치가 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 <1> 또는 <2>에 기재된 절연 전선.

<4> 각 적층 단위에 있어서, 비유전율이 낮은 제1의 절연층(X1, X1', …)이, 각각, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 <1>～<3> 중 어느 한 항에 기재된 절연 전선.

<5> 각 적층 단위에 있어서, 비유전율이 낮은 제1의 절연층(X1, X1', …)이, 각각, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하고, 게다가 폴리아미드이미드를 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 <1>～<3> 중 어느 한 항에 기재된 절연 전선.

<6> 각 적층 단위에 있어서, 비유전율이 높은 제2의 절연층(X2, X2', …)이, 각각, 폴리아미드이미드를 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 <4> 또는 <5>에 기재된 절연 전선.

<7> 각 적층 단위에 있어서, 비유전율이 높은 제2의 절연층(X2, X2', …)이, 각각, 폴리아미드이미드를 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 <4> 또는 <5>에 기재된 절연 전선.

여기서, 본 명세서에 있어서는, 위에서 설명한 것 같은 「제1의 절연층보다 비유전율이 높은 제2의 절연층」을 단지 「비유전율이 높은 제2의 절연층」 혹은 「비유전율이 높은 절연층」이라고도, 또, 이 관계에 있는 「제2의 절연층보다 비유전율이 낮은 제1의 절연층」을 단지 「비유전율이 낮은 제1의 절연층」 혹은 「비유전율이 낮은 절연층」이라고도, 각각 말하는 경우가 있다.

본 발명에 의해, 절연수지 도료를 적층해도 층간 밀착성이 우수하기 때문에 내절연 파괴성이 높고, 비유전율이 낮기 때문에, 내(耐)부분방전성에도 우수한 절연 전선을 제공할 수 있다.

본 발명의 상기 및 다른 특징 및 이점은, 적절히 첨부의 도면을 참조하여, 하기의 기재로부터 보다 명백하게 될 것이다.

도 1은, 본 발명의 절연 전선의 일 실시 형태를 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 2(a)는, 본 발명의 절연 전선의 일 실시 형태의 일부를 모식적으로 나타낸 단면도이며, 도 2(b)는, 본 발명의 절연 전선의 또 다른 실시형태의 일부를 모식적으로 나타낸 단면도이며, 도 2(c)는, 본 발명의 절연 전선의 또 다른 실시형태의 일부를 모식적으로 나타낸 단면도이다.

이하, 본 발명의 절연 전선의 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.

도 1에 단면도를 도시한 본 발명의 절연 전선의 일 실시 형태에서는, 도체 (1)와, 도체(1)를 피복한 절연층(2)을 가지고 있다. 본 발명의 절연 전선은, 도체상에 직접 또는 간접으로, 도체측으로부터 순서대로, 절연층(X1)과, 상기 절연층 (X1)보다 비유전율이 높은 절연층(X2)을 적층한 적층 단위를 적어도 2개 가지고 있다. 도 1에서는, 도체상에 직접, 절연층을 가지는 절연 전선이 기재되어 있지만, 후술과 같이, 도체상의 밀착층(도 1에는 도시하지 않음)을 통하여 절연층을 가지고 있어도 좋다. 또 절연층의 최표층에 표면 윤활층이나 내마모층 등의 톱코트(도 1에는 도시하지 않음)를 가지고 있어도 좋다. 도 2(a)～(c)에는, 밀착층과 톱코트를 가지는 절연 전선에 대해서, 도 1에 도시하는 바와 같이, A-A'의 부분 확대도의 일부가 도시되어 있다.

본 명세서에 있어서, 절연층(X1)과, 상기 절연층(X1)보다 비유전율이 높은 절연층(X2)을 적층한 것을 적층 단위라고 한다. 따라서, 적층 단위를 적어도 2개 가지는 것으로서는, 예를 들면, 도 1에 도시하는 바와 같이, 절연층(21(X1))상에 상기 절연층(21(X1))보다 비유전율이 높은 절연층(22(X2))이 적층되어서 제1의 적층 단위가 형성되고, 게다가 상기 제1의 적층 단위의 위에, 비유전율이 낮은 절연층(23(X1'))과 게다가 그 위에 상기 절연층(23(X1'))보다 비유전율이 높은 절연층 (24(X2'))이 적층되어서 제2의 적층 단위가 형성된 것을 들 수 있다.

더 바람직하게는, 제1의 적층 단위중의 비유전율이 높은 절연층(22(X2))과, 상기 제1의 적층 단위와 다른 제2의 적층 단위에 속하는 비유전율이 낮은 절연층 (23(X1'))의 비유전율이, 하기 식(1)로 표시되는 것이 바람직하다.

ε(X2)＞ε(X1') 식(1)

상기 식(1)에 있어서, ε(X2)는 절연층(X2)에 있어서의 비유전율, ε(X1')는 절연층(X1')에 있어서의 비유전율을 나타낸다.

여기서, 식(1)로 표시되는 관계는, 위에서 예시한 바와 같은 서로 이웃하는 2개의 적층 단위의 사이에서 채워지는 경우로 한정되는 것이 아니고, 이 형태를 포함하여 상기 <2>항에서 규정한 것처럼, 반드시 인접하고 있지 않은 특정의 2개의 적층 단위의 사이에서 채워져 있어도 좋다.

이것에 의해, 본 발명의 절연 전선은, 도체측으로부터 순서대로, 비유전율이 낮은 절연층과 그 절연층보다 비유전율이 높은 절연층이 교대로 적층된 적층 단위를 적어도 2이상 가지고 있다.

도체(1)는, 예를 들면, 구리, 구리합금, 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 그들의 조합 등으로 만들어져 있다. 도체(1)의 단면 형상은 한정되는 것이 아니고, 원형, 직사각형(평각) 등을 적용할 수 있다.

도체(1)의 사이즈(단면 형상이 원형인 경우에는 직경, 또는 단면 형상이 직사각형인 경우에는 긴 변의 길이)는 적절히 설정할 수 있지만, 0.05～5㎜로 할 수 있다. 더 바람직하게는, 사이즈 0.1～4㎜이다.

절연층(2)의 두께는 적절히 설정할 수 있지만, 절연층(21～24)의 합계로, 두께 20～200㎛로 할 수 있다. 더 바람직하게는, 두께 30～150㎛이다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 절연 전선은, 도체상에, 절연층 (21(X1))과, 상기 절연층(21(X1))보다 비유전율이 높은 절연층(22(X2))이 형성되고, 더 바람직하게는, 상기 절연층(22(X2))상에 상기 절연층(22(X2))보다 비유전율이 낮은 절연층(23(X1'))이 형성되고, 게다가 상기 절연층(23(X1'))상에 상기 절연층(23(X1'))보다 비유전율이 높은 절연층(24(X2'))이 형성되어 있다. 절연층 (24(X2'))상에는, 게다가 적층 단위를 겹쳐서 적층 단위를 3개 이상으로 할 수 있다. 비유전율은, 시판의 측정기를 사용해 측정할 수 있다. 측정 온도 및 측정 주파수에 대해서는, 필요에 따라서 변경할 수 있지만, 본 명세서에 있어서 특히 기재가 없는 한, 측정 온도를 25℃로 하고, 측정 주파수를 50Hz로 하여 측정한 값을 말한다. 각 절연층의 비유전율은, 절연층을 구성하는 수지 조성물 도료를 건조하고, 상기 도료에 포함되는 용제를 휘발시킨 것으로 측정한 값을 말한다.

각 절연층간의 안에서 서로 접하는 2개의 층의 비유전율의 차이의 절대치가, 0.2 이상 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.3～1.8이다. 게다가, 각 적층 단위내의 서로 접하는 2개의 절연층의 비유전율의 차이는, 비유전율이 높은 외층(도체로부터 떨어진 측)의 절연층의 비유전율인, 비유전율이 낮은 내층(도체에 가까운 측)의 절연층의 비유전율에 대한 차이가 0.2 이상 있는 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 이 차이가 0.3～1.8이다. 비유전율의 차이가 너무 작으면, 비유전율이 낮은 절연 전선을 얻을 수 없다. 비유전율의 차이가 너무 큰 경우에도, X2의 비유전율이 결과적으로 높아지게 되고, 피막 전체로서의 비유전율을 내릴 수 없다.

본 발명의 절연 전선의 절연층은 도체상에 직접 또는 간접으로 형성할 수 있다. 예를 들면, 도 2(a)에 도시하는 바와 같이, 각 절연층(21～24)은, 절연층을 구성하는 수지 조성물을 덧발라서, 적절히 건조하고, 적층하는 것에 의해, 각 절연층을 형성할 수 있다. 이와 같이 절연층(21)은, 도체상에 직접 형성해도 좋지만, 도체(1)와 최하층의(도체에 제일 가까운) 절연층(21)과의 사이에 도체와의 밀착성이 우수한 밀착층(11)을 형성해도 좋다. 밀착층으로서 사용할 수 있는 것으로서, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리우레탄, 폴리아미드이미드, 폴리에스테르, 폴리에스테르이미드, 멜라민 수지, 에폭시수지 등을 들 수 있다. 이들 수지는 통상, 비유전율이 높기 때문에, 밀착층을 포함하지 않고 밀착층상에 형성한 층을 절연층(21)으로 한다. 이들 밀착층의 수지에는, 예를 들면, 실란알콕시드계 밀착 개량제(실란커플링제), 티타늄알콕시드, 티타늄아실레이트, 티타늄킬레이트 등 티타늄계 밀착 개량제, 트리아진계 밀착 개량제, 이미다졸계 밀착 개량제, 멜라민계 밀착 개량제, 티올계 밀착 개량제 등의 밀착 개량제를 더해도 좋다.

각 절연층(21～24)에 있어서, 비유전율이 낮은 층과 비유전율이 높은 층을 적층하는 것에 의해, 높은 비유전율의 층을 포함하는 것에도 관계없이, 비유전율이 낮은 재료를 높은 비유전율의 재료에 블렌드한 단독의 층을 가지는 절연 전선과 비교하여 비유전율을 높게 하는 일이 없고, 절연 파괴 전압이 높은 절연 전선을 얻을 수 있다. 이 원인에 대해서는, 확실하지는 않지만, 비유전율은 부피당의 각 재료의 부피에 따라서 결정되기 때문이라고 생각할 수 있다. 게다가, 본 발명의 절연 전선은, 높은 절연 파괴 전압을 가지고, 전기 절연성이 우수하다. 종래, 비유전율이 낮은 수지, 예를 들면, 폴리에테르이미드나 폴리에테르술폰을 단독으로 절연층에 이용한 절연 전선은, 확실히 비유전율은 낮지만, 절연 파괴 전압이 낮았다. 이것에 대해서, 본 발명의 절연 전선은, 예를 들면, 이들 비유전율이 낮은 수지를 이용한 층과 비유전율이 높은 수지를 적층한 층을 복수 마련하는 것에 의해, 비유전율이 높은 층을 포함하는 것에도 관계없이, 비유전율이 낮은 재료를 높은 비유전율의 재료에 혼합하여 제작한 단독의 층을 가지는 절연 전선과 비교하여 비유전율을 높게 하는 일이 없고, 높은 절연 파괴 전압을 가질 수 있다.

본 발명의 절연 전선은, 피막 전체의 비유전율이 3.9 이하, 더 바람직하게는 3.8 이하인 것이 바람직하다. 피막 전체의 비유전율의 하한치에는 특별히 제한은 없으나, 통상, 2.5 이상, 바람직하게는 3.0 이상이다. 여기서, 피막 전체란, 상기의 밀착층(프라이머층), 낮은 비유전율을 가지는 절연층, 그것보다 높은 비유전율을 가지는 절연층, 및 표면 윤활층이나 내마모층 등의 톱코트를 합친 전체를 말한다. 또, 낮은 비유전율을 가지는 절연층과, 그것보다 높은 비유전율을 가지는 절연층을 합쳐서, 절연층(2)이라고 하고, 혹은 적층부라고도 한다. 상술한 바와 같이, 각 절연층간 중 접하는 층의 비유전율의 차이가 하층에 대해 0.2 이상 있는 것이 바람직하다. 피막 전체의 비유전율이 너무 높으면, 절연 파괴 전압이 높아도 부분 방전이 발생하기 때문에 수지가 열화하고, 절연 내력이 충분하다고는 말할 수 없다. 본 발명의 절연 전선의 절연 파괴 전압은, 후술의 실시예에 기재된 트위스트 페어(twisted pair)법으로 9.0kV 이상인 것이 바람직하다.

예를 들면, 폴리아미드이미드를 피복층으로 하는 절연 전선의 경우, 종래, 비유전율이 4.0, 피복층의 두께가 40㎛ 정도의 것이 사용되고 있다. 가령, 본 발명의 구성을 이용하여 피복 수지의 비유전율을 0.2만큼 내려서 3.8로 하면, 부분 방전 개시 전압을 동일한 정도로 멈추는 범위에서 삭감할 수 있는 피복층의 두께는 5％이다. 즉, 피복층의 두께를 2.0㎛ 삭감할 수 있다. 이것에 의해서 코일 성형후의 크기를 대폭으로 감소시킬 수 있다. 일반의 폴리아미드이미드를 피복층으로 하는 절연 전선은, 예를 들면, 한층 2㎛의 두께의 폴리아미드이미드를 겹쳐서 제조되고 있다. 비유전율을 0.2 내리는 것에 의해, 폴리아미드이미드의 덧발림 횟수를 1회 줄일 수 있다고 하는 우수한 효과를 가진다.

도 2(b)에 도시한 바와 같이, 본 발명의 절연 전선은, 비유전율이 높은 절연층(24(X2'))상에, 절연층(24(X2'))보다 비유전율이 낮은 절연층(31(Y1'))과, 상기 절연층(31(Y1'))보다 비유전율이 높은 절연층(32(Y2'))이 교대로 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 절연층(31)과 절연층(32)이 제３의 적층 단위이다. 이와 같이, 비유전율이 높은 층과 비유전율이 낮은 층의 적층 횟수를 많이 하는 것에 의해, 높은 절연 파괴 전압을 가지는 절연 전선을 얻을 수 있다. 이 원인에 대해서는 확실하지 않지만, 유전체의 절연 파괴는 전자의 에벌란시 효과(avalanche effect)에 의해 발생한다고 되어 있고, 에나멜선 피막인 절연체의 두께가 얇을수록 단위 두께당의 절연 파괴 전압이 향상한다고 하는 현상이, 적층하는 것에 의해서 효과가 지속되는 것이라고 생각할 수 있다. 비유전율이 높은 층과 비유전율이 낮은 층의 적층 횟수는 2～30회인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는, 2～15회이다. 적층 횟수가 너무 많으면, 작업 효율이 나빠지는 문제가 발생한다.

또 도 2(c)에 도시하는 바와 같이, 비유전율이 높은 절연층(24(X2'))상에, 절연층(24(X2'))보다 비유전율이 낮은 절연층(31(Y1'))과, 상기 절연층(31(Y1'))보다 비유전율이 높은 절연층(32(Y2'))이 형성되고, 게다가, 동일하게 하여, 비유전율이 낮은 절연층(33, 35, 37)과 비유전율이 높은 절연층(34, 36, 38)이 교대로 형성되어 있어도 좋다. 이 경우, 적층 단위는 합계 6개가 마련되어 있다.

본 발명의 절연 전선은, 상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층이, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로부터 선택된 적어도 1종으로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 폴리에테르이미드로서는, 예를 들면, 울템(GE플라스틱사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리에테르술폰으로서는, 예를 들면, 스미카엑셀PES(스미토모가가쿠사 제품 상품명), PES(미츠이가가쿠사 제품 상품명), 울트라존E(BASF재팬사 제품 상품명), 라델A(솔베이어드반스트폴리머즈사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐렌에테르로서는, 예를 들면, 자이론(아사히카세이케미컬즈사 제품 상품명), 유피에이스(미츠비시엔지니어링플라스틱스사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐술폰으로서는, 예를 들면, 라델R(솔베이어드반스트폴리머사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리이미드로서는, 예를 들면, U-와니스(우베코우산사 제품 상품명), HCI시리즈(히타치카세이사 상품명), U이미드 (유니티카사 제품 상품명), 오럼(미츠이가가쿠사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 이들 수지의 비유전율은, 폴리에테르이미드(비유전율 3.2～3.4), 폴리에테르술폰(비유전율 3.5), 폴리페닐렌에테르(비유전율 2.7), 폴리페닐술폰(비유전율 3.4), 폴리이미드(비유전율 3.5)이고, 비유전율이 낮다. 그러나 이들 수지 단독으로의 절연 파괴 전압은 낮지만, 후술의 절연층(X2) 및 절연층(X2')에 이용되는 수지와 조합시키는 것에 의해, 비유전율이 낮고, 절연 파괴 전압이 높은 절연 전선을 얻을 수 있다.

상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층을, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로부터 선택된 적어도 1종을 이용하여, 더 발포시키는 것에 의해, 비유전율을 낮게 할 수 있다.

본 발명의 절연 전선에 있어서는, 상기 절연층(X2) 및 절연층(X2') 등의 각 적층 단위에 있어서의 높은 비유전율을 가지는 절연층이, 폴리아미드이미드를 함유하는 것이 바람직하다. 이들 절연층이 폴리아미드이미드를 함유하는 것에 의해, 내열성과 가공성을 구비하는 절연 전선을 얻을 수 있다.

더 바람직하게는, 본 발명의 절연 전선은, 상기 절연층(X2) 및 절연층(X2') 등의 각 적층 단위에 있어서의 높은 비유전율을 가지는 절연층이, 폴리아미드이미드를 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 폴리아미드이미드를 필수 수지 성분으로서 포함하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 하는 것에 의해, 내열성이 우수한 낮은 비유전율의 절연 재료를 얻을 수 있다. 수지 조성물의 수지 성분중, 폴리아미드이미드가 20～100 질량％인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는, 60～90 질량％이다. 폴리아미드이미드가 너무 적으면 내용제성 및 내열성이 나빠지게 되고, 너무 많으면 비유전율을 낮게 하는 효과를 충분히 얻을 수 없게 된다.

폴리아미드이미드로서는, 예를 들면, 바이로막스(토요보사 제품 상품명), 톨론(솔베이어드반스트폴리머즈사 제품 상품명), HI-400, HI-405, HI-406시리즈(히타치카세이고교사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리에테르이미드로서는, 예를 들면, 울템(GE플라스틱사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리에테르술폰으로서는, 예를 들면, 스미카엑셀PES(스미토모가가쿠사 제품 상품명), PES(미츠이가가쿠사 제품 상품명), 울트라존E(BASF재팬사 제품 상품명), 베라델(솔베이어드반스트폴리머즈사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐렌에테르로서는, 예를 들면, 자이론(아사히카세이케미컬즈사 제품 상품명), 유피에이스(미츠비시엔지니어링플라스틱스사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐술폰으로서는, 예를 들면, 라델R(솔베이어드반스트폴리머사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리이미드로서는, 예를 들면, U-와니스(우베코우산사 제품 상품명), HCI시리즈(히타치카세이사 상품명), U이미드(유니티카사 제품 상품명), 오럼(미츠이가가쿠사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다.

일반적으로 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰 등의 비정성 수지는, 내약품성이 부족하고, 절연 전선을 코일 형상으로 성형한 후에, 상기 코일을 와니스에 함침하는 처리를 행할 때에 절연 피막에 크랙을 발생하고, 전기 특성을 저하시키기 쉽다. 이 원인에 대해서는 확실하지 않지만, 상기 크랙은, 잔류 응력이 존재하는 수지에 약품이 침투하고, 폴리머쇄(鎖)가 움직이기 쉽게 되는 결과, 국소적으로 응력이 완화되어 피막에 균열이 발생하는 현상이라고 생각할 수 있다. 예를 들면, 절연 전선을 권선하여 코일을 형성하고, 에폭시수지 등의 함침 와니스에 침지 후, 함침 와니스를 경화할 때에, 함침 와니스의 침투를 받아서 크랙이 발생하기 쉽다.

이것에 대해서, 상기 절연층(X2) 및 절연층(X2') 등의 각 적층 단위에 있어서의 높은 비유전율을 가지는 절연층, 특히 최외층의 절연층이, 폴리아미드이미드를 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것에 의해, 내용제성을 향상시킬 수 있다.

상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층을 구성하는 수지 조성물로서, 폴리아미드이미드를 수지 성분으로서 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유한 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층을 구성하는 수지 조성물로서, 폴리아미드이미드 5～70 질량％를 수지 성분으로서 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종 95～30 질량％를 함유한 것을 사용하는 것이 바람직하다. 이 구성의 수지 조성물을 이용하는 것에 의해, 절연 파괴 전압을 저하시키는 일 없이 비유전율을 낮게 유지할 수 있다. 폴리아미드이미드의 비유전율은 4.0이지만, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종과 혼합한 수지 조성물을 이용하는 것으로, 비유전율을 낮게 유지할 수 있다. 또 폴리아미드이미드는 내열성·내용제성의 특성이 우수하기 때문에, 이 수지 조성물을 이용하는 것에 의해, 함침 와니스시의 고온 경화 처리시의 크랙을 막는 효과를 가진다.

상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층을 구성하는 수지 조성물의 수지 성분중, 폴리아미드이미드는 10～60 질량％, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종은 90～40 질량％인 것이 더 바람직하다. 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드가 너무 적으면 비유전율의 저하가 작고, 너무 많으면 내용제성이 악화되어, 더 절연 파괴 전압이 저하된다.

폴리아미드이미드로서는, 예를 들면, 바이로막스(토요보사 제품 상품명), 톨론(솔베이어드반스트폴리머즈사 제품 상품명), HI-400, HI-405, HI-406 시리즈(히타치카세이고교사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 또, 폴리에테르이미드로서는, 예를 들면, 울템(GE플라스틱사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리에테르술폰으로서는, 예를 들면, 스미카엑셀PES(스미토모가가쿠사 제품 상품명), PES(미츠이가가쿠사 제품 상품명), 울트라존E(BASF재팬사 제품 상품명), 베라델(솔베이어드반스트폴리머즈사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐렌에테르로서는, 예를 들면, 자이론(아사히카세이케미컬즈사 제품 상품명), 유피에이스(미츠비시엔지니어링플라스틱스사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리페닐술폰으로서는, 예를 들면, 라델R(솔베이어드반스트폴리머사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다. 폴리이미드로서는, 예를 들면, U-와니스(우베코우산사 제품 상품명), HCI시리즈(히타치카세이사 상품명), U이미드(유니티카사 제품 상품명), 오럼(미츠이가가쿠사 제품 상품명) 등을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 상기 절연층(X1) 및 절연층(X1') 등의 각 적층 단위에 있어서의 낮은 비유전율을 가지는 절연층에는, 상기의 폴리이미드에 대신하여, 비유전율이 통상의 폴리이미드보다 낮은 폴리이미드(이하, 저비유전율 폴리이미드, 또는 저비유전율 PI라고도 한다.)를 이용할 수 있다. 이 저비유전율 폴리이미드는, 소정의 아민 성분과 소정의 산 성분과의 이미드화 반응에 의해 얻을 수 있다. 여기서, 상기 아민 성분으로서는, 2,2-비스[4-[4-아미노페녹시]페닐]프로판, 4,4'-옥시디아닐링, p-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노벤조페논, 4,4'-비스(4-아미노페닐)술피드, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐 등을 이용할 수 있다. 또 아민 성분은 단일 성분을 이용하여도 좋고, 또는 복수종을 혼합하는 등 그 성분의 조합에는 특별히 제한은 없다. 한편, 상기 산 성분으로서는, 5,5'-[1-메틸-1,1-에탄디일비스(1,4-페닐렌)비스옥시]비스(이소벤조푸란-1,3-디온), 무수 피로메리트산, 옥시디푸탈산2무수물, 비페닐-3,4,3',4'테트라카복실산2무수물, 벤조페논-3,4,3',4'-테트라카복실산2무수물, 4,4'-(2,2-헥사플루오로이소프로피리덴)디프탈산무수물 등을 이용할 수 있다. 산 성분은 단일 성분을 이용하여도 좋고, 또는 복수종을 혼합하는 등 그 성분의 조합에는 특별히 제한은 없다.

저비유전율 폴리이미드로서는, 그 구조중에, 비극성 탄화수소 부분이 많은 것이 바람직하다.

저비유전율 폴리이미드의 비유전율은 2.8 정도이며, 통상의 폴리이미드의 비유전율 3.5보다 낮다.

통상, 저비유전율 폴리이미드는, 내열성 및 내용제성이 통상의 폴리이미드보다 뒤떨어져 있기 때문에, 저비유전율 폴리이미드만으로 에나멜선을 구성해도 우수한 특성을 나타내지 않았다. 본 발명자들은, 저비유전율 폴리이미드로 상기의 낮은 비유전율을 가지는 절연층을 구성하고, 한편, 내열성 및 내용제성이 우수한 폴리아미드이미드나 폴리이미드 등에서 상기의 높은 비유전율을 가지는 절연층을 구성하고, 이들 2종의 절연층을 적층 단위로서 2개 이상의 적층 단위를 도체상에 적층시키는 것에 의해서, 저비유전율 폴리이미드를 포함해서 이루어지는 절연층이 구성되어 있어도, 얻어지는 절연 전선이 높은 내열성 및 내용제성을 발현하는 것을 발견한 것이다.

본 발명의 절연 전선의 절연층으로서는, 본 발명이 목적으로 하는 효과를 손상시키지 않는 범위내에서, 안료, 염료 등의 착색제, 무기 또는 유기의 필러, 윤활제 등의 각종의 첨가제를 포함하는 수지 조성물을 이용할 수 있다. 상기한 바와 같이, 도체상에는 상기의 밀착층(프라이머층)을 가지고 있어도 좋고, 절연층의 최표층(톱코트)으로서 표면 윤활층이나 내마모층을 가지고 있어도 좋다. 표면 윤활층으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 유동 파라핀이나 고형 파라핀 등을 도포하거나, 각종 왁스, 폴리에틸렌, 불소 수지 등의 윤활제를 절연층의 최표층에 제막할 수 있다. 내마모층으로서는, 폴리아미드이미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르이미드 수지 등의 각종 수지중에 산화 규소, 산화티타늄, 지르코니아, 알루미나 등의 무기 필러를 충전시킨 것을 절연층의 최표층에 제막시켜도 좋다.

여기서, 밀착층의 두께에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 3～9㎛로 할 수 있다. 또, 톱코트의 두께에는 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 2～8㎛로 할 수 있다.

본 발명의 절연 전선의 제조방법을 도 1을 참조하면서 설명한다. 예를 들면, 도체의 주위에, 절연층(21)을 구성하는 수지 조성물로서, 상기의 수지 조성물을 이용하고, 적절히, 덧발름과 건조를 반복하여 절연층(21)을 형성한다. 그 후, 동일한 방법으로, 더 절연층(22～24)을 형성하는 것으로, 소망하는 절연 전선을 얻을 수 있다. 얻어진 절연 전선은, 복수개의 절연 전선을 묶은 다음, 이들을 정리해서 피복하고 1개의 절연 전선(다심선(多芯線))으로 해도 좋다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.

본 발명자들은, 표 1～4에 기재된 구성의 절연 전선을 제조하고, 그 성능에 대해서 평가하였다. 직경 1㎜의 구리 도체에, 표 1～4에 기재된 비유전율이 낮은 절연층과 비유전율이 높은 절연층을, 표 1～4에 기재된 반복 횟수로 교대로 적층하고, 표 1～4에 기재된 두께로, 절연층을 형성하여 실시예 1～13과, 비교예 1～4의 절연 전선을 얻었다. 여기서 실시예 1～10, 실시예 13, 및 비교예 3에 있어서는, 도체의 주위에 표 1～4에 기재된 밀착성 폴리아미드이미드층으로서 HI-406 시리즈(히타치카세이고교사 제품 상품명)를 형성한 것을 사용하였다. 얻어진 절연 전선에 대해서, 이하의 항목에 대해서 평가하였다. 또 실시예 1～10, 실시예 12, 및 비교예 3에서는, 톱코트로서, 윤활성 폴리아미드이미드AIB-SL3(후루카와덴키고교사 제품 상품명)을 형성한 것을 사용하였다.

실시예 1～13, 비교예 1～4에 있어서는, 절연층을 구성하는 수지로서, 이하의 것을 사용하고, 수지를 혼합하고 조성물로 한 것을 이용하는 경우는, 표 1～4에 표시하는 질량비의 것을 이용하였다.

(1) PEI；폴리에테르이미드(울템(GE플라스틱사 제품 상품명))

(2) PES；폴리에테르술폰(스미카엑셀PES(스미토모가가쿠사 제품 상품명))

(3) PI；폴리이미드(U이미드(유니티카사 제품 상품명))

(4) PAI；폴리아미드이미드(HI-406 시리즈(히타치카세이고교사 제품 상품명))

(5) PPSU；폴리페닐술폰(라델R(솔베이어드반스트폴리머사 제품 상품명))

(6) PPE；폴리페닐렌에테르(자이론(아사히카세이케미컬즈사 제품 상품명))

<저비유전율 폴리이미드의 조제>

실시예 14, 15에서는, 상기 실시예 1～13의 절연 전선의 조제와 동일하게 하고, 단, 이하와 같이 조제한 표 3에 기재된 저비유전율 폴리이미드(저비유전율 PI)를 이용하여 절연 전선을 조제하였다.

즉, 500ml의 플라스크에, N-메틸-2-피롤리돈 395g, 2,2-비스[4-[4-아미노페녹시]페닐]프로판 47.94g(0.117mol) 및 5,5'-[1-메틸-1,1-에탄디일비스(1,4-페닐렌)비스옥시]비스(이소벤조푸란-1,3-디온) 57.06g(0.117mol)을 더하여, 실온, 질소 분위기하에서 12시간 교반하여 반응시키고, 저비유전율 폴리이미드를 얻었다.

이상과 같이 제작한 저비유전율 폴리이미드를, 상기의 낮은 비유전율을 가지는 절연층(X1) 및 (X1') 등의 형성에 사용하는 와니스에 이용하고, 이것을 굽는(도포, 건조) 것으로 실시예 14 및 15의 절연 전선을 얻었다.

[비유전율]

비유전율은, 에나멜선의 정전 용량을 측정하고, 정전 용량과 절연층의 두께로부터 얻어진 비유전율을 측정치로 하였다. 정전 용량의 측정에는, LCR하이테스터 (히오키덴키가부시키가이샤 제품, 형식 3532-50)를 이용하였다. 측정 온도는 25℃, 측정 주파수는 50Hz로 하였다. 비유전율이 3.9 이하를 합격으로 하였다.

[절연 파괴 전압]

트위스트 페어법으로 절연 파괴 전압을 측정하였다. 절연 파괴 전압이 9.0kV 이상을 합격으로 하였다.

(트위스트 페어법)

2개의 절연 전선을 서로 꼬아서, 각각의 도체 사이에 정현파(正弦波) 50Hz의 교류 전압을 인가하고, 연속적으로 승압시키면서 절연 파괴하는 전압(실효가)을 측정하였다. 측정 온도는 25℃로 하였다.

[내용제성]

길이 50㎝의 절연 전선을 직경 50㎜의 봉에 휘감은 것을 실온에서 크레졸에 1시간 침지하고, 그 후 꺼내서, 절연 전선의 표면을 관찰하였다. 그 모습으로부터 크랙의 발생이 없는 것을 합격으로 하고, 합격인 것은 표 1～4에 ○, 불합격인 것은 표 1～4에 ×로 표시하였다.

실시예 1～15 및 비교예 1～4에서 얻어진 절연 전선의 평가 결과를, 표 1～4에 표시한다.

표 1～4로부터 알 수 있듯이, 실시예 1～15의 절연 전선은 비유전율, 절연 파괴 전압 및 내용제성에 있어서 우수한 결과를 나타냈다. 한편, 폴리에테르이미드층만으로 이루어지는 절연 전선은, 비유전율은 낮지만, 내전압(절연 파괴 전압)과 내용제성이 불합격이었다(비교예 1). 또 폴리아미드이미드층만으로 이루어지는 절연 전선은, 내전압(절연 파괴 전압)은 높지만, 비유전율이 높았기 때문에 불합격이었다(비교예 2). 게다가, 비교예 3에 나타낸 바와 같이, 비유전율이 낮은 층으로서 폴리에테르이미드를 이용하고, 비유전율이 높은 층으로서 폴리이미드를 이용하여도, 적층 단위가 1개만인 것은, 비유전율은 합격 레벨이었지만, 절연 파괴 전압이 불합격이었다. 또, 비교예 4는, 상기 특허문헌 3(일본 공개특허공보 2001-155551호)에 기재된 실시예 12를 모방한 시험예이지만, 표 4에 나타낸 것처럼, 비유전율이 낮은 층으로서 폴리이미드의 와니스를 이용하고, 비유전율이 높은 층으로서 폴리에테르이미드와 폴리아미드이미드로 이루어지는 와니스를 이용하여도, 적층 단위가 1개만인 것은, 비유전율은 합격 레벨이었지만, 내용제성에 뒤떨어지고, 또, 절연 파괴 전압이 불합격이었다.

본 발명을 그 실시형태와 함께 설명하였으나, 우리는 특별히 지정하지 않는 한 우리의 발명을 설명의 어느 세부에 있어서도 한정하려고 하는 것이 아니고, 첨부의 청구의 범위에 나타낸 발명의 정신과 범위에 반하는 일 없이 폭넓게 해석되는 것이 당연하다고 생각한다.

본원은, 2010년 10월 1일에 일본에서 특허 출원된 특원 2010-224337에 기초하는 우선권을 주장하는 것이고, 이것은 여기에 참조하여 그 내용을 본 명세서의 기재의 일부로서 편입한다.

1 : 도체
2 : 절연층
11 : 밀착층
21 : 제1의 절연층(X1)
22 : 제1의 절연층(X1)보다 비유전율이 높은 절연층(X2)
23 : 제1의 절연층(X1')
24 : 제1의 절연층(X1')보다 비유전율이 높은 절연층(X2')
31 : 제1의 절연층(Y1')
32 : 제1의 절연층(Y1')보다 비유전율이 높은 절연층(Y2')
33, 35, 37 : 비유전율이 낮은 절연층
34, 36, 38 : 비유전율이 높은 절연층
41 : 톱코트

Claims

도체상에 직접 또는 간접으로, 도체측으로부터 순서대로, 제1의 절연층과, 상기 제1의 절연층보다 비유전율이 높은 제2의 절연층을 적층해서 이루어지는 적층 단위를 적어도 2개 가지는 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 1 항에 있어서,
어느 1개의 적층 단위중의 제2의 절연층의 비유전율이, 그 적층 단위보다 외층측에 위치하는 다른 적층 단위의 제1의 절연층의 비유전율보다 높은 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 절연층의 안에서 서로 접하는 2개의 층의 비유전율의 차이의 절대치가 0.2 이상인 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
각 적층 단위에 있어서, 제1의 절연층이, 각각, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
각 적층 단위에 있어서, 제1의 절연층이, 각각, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하고, 게다가 폴리아미드이미드를 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
각 적층 단위에 있어서, 제2의 절연층이, 각각, 폴리아미드이미드를 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연 전선.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
각 적층 단위에 있어서, 제2의 절연층이, 각각, 폴리아미드이미드를 함유하고, 게다가 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐술폰, 및 폴리이미드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연 전선.