KR20130017705A - Removal apparatus of ions on a photomask - Google Patents

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KR20130017705A
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Abstract

PURPOSE: A photomask ion removing device is provided to simultaneously or individually perform a bake process and a UV process. CONSTITUTION: A chamber(3310) includes a body(3320) and a cover(3330). The body includes an entrance to input and output a photomask. A bake plate is located near the bottom of the body. A height control unit(3370) controls the height of the bake plate and a lift pin(3360) and includes a top plate(3371), a bottom plate(3372), a first lifting driver(3380), and a second lifting driver(3390).

Description

포토 마스크 이온 제거 장치{REMOVAL APPARATUS OF IONS ON A PHOTOMASK}Photomask ion removal device {REMOVAL APPARATUS OF IONS ON A PHOTOMASK}

본 발명은 포토 마스크 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 마스크의 이온을 제거하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a photomask processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for removing ions of a photomask.

포토 마스크는 노광 장치와 함께 웨이퍼에 소정의 감광막 패턴을 전사하는 포토리소그라피 공정에 사용된다. 포토 마스크는 마스크 기판 전면에 소정의 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴 등을 형성하고, 이러한 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴을 보호하기 위해, 마스크 기판 위에 광차단막 패턴 또는 위상 반전막을 덮는 펠리클을 부착하여 제조된다. A photo mask is used in the photolithography process which transfers a predetermined | prescribed photosensitive film pattern to a wafer with an exposure apparatus. The photo mask forms a predetermined light blocking film pattern or a phase inversion film pattern on the entire surface of the mask substrate, and attaches a pellicle covering the light blocking film pattern or the phase inversion film on the mask substrate to protect the light blocking film pattern or the phase inversion film pattern. It is manufactured by.

한편, 이러한 포토 마스크는 마스크 기판 상에 잔류하는 각종 이물을 제거하기 위해 세정 처리된다. 포토 마스크 세정에는 황산(H2SO4) 등을 포함한 습식 세정액이 많이 이용된다. 이러한 세정공정은 포토마스크의 리페어(repair) 공정을 행한 후에도 필수적으로 거치게 된다. On the other hand, such a photo mask is cleaned to remove various foreign matters remaining on the mask substrate. In the photomask cleaning, a wet cleaning solution containing sulfuric acid (H 2 SO 4) or the like is often used. This cleaning process is essentially passed after the repair process of the photomask.

그런데, 이와 같이 황산(H2SO4)등을 포함한 습식 세정액에서 세정을 행할 경우, SO4-2 이온이 잔류하는 것을 방지하기 위해 세정 후에, 포토 마스크를 베이킹(baking) 장비에서 열처리하여 SO4 -2 이온을 방출시키는 공정을 더 거치는 것이 일반적이다. By the way, when cleaning in a wet cleaning solution containing sulfuric acid (H2SO4) or the like, in order to prevent the remaining SO4-2 ions, after cleaning, the photomask is heat treated with a baking equipment to release SO4-2 ions. It is common to go further through the process.

지금까지 포토 마스크의 이온 제거 공정에는 히터 라인이나 히터 블럭을 포함하는 가열로(furnace)가 이용되었는데, 이러한 장비에서는 50～200℃의 온도로 30분～2시간 가량 포토 마스크의 이온 제거 공정을 진행하는 것이 일반적이다. 그런데, 반도체 소자 등의 제조공정에서 턴어라운드 타임(turn-around)을 조금이라도 줄여야 하는 상황에서 포토 마스크를 장시간에 걸쳐서 처리한다는 것은 공정지연을 가져올 수 있기 때문에, 신속하게 포토 마스크를 베이킹할 수 있는 장치가 요구된다. Until now, the ion mask removal process of the photo mask has been used a furnace including a heater line or a heater block. In such equipment, the ion mask removal process is performed for 30 minutes to 2 hours at a temperature of 50 to 200 ° C. It is common to do However, in the manufacturing process of semiconductor devices and the like, even if the turn-around time is to be reduced even a little, processing the photomask for a long time can cause a process delay, so that the device can be quickly baked. Is required.

한편, 미국특허 제6,908,511호에는 포토 마스크 등의 기판을 베이킹하는 장치에 대해서 개시하고 있는데, 이 장치는 기판의 온도를 전면에 걸쳐서 균일하게 만들어서 베이킹을 하기 위해 유체 배스(liquid bath)를 이용하는 것이어서, 공정의 균일도(uniformity) 향상에는 도움이 될 수는 있으나, 공정의 빠른 처리에는 도움을 주지 못한다.On the other hand, US Patent No. 6,908,511 discloses an apparatus for baking a substrate such as a photo mask, which uses a fluid bath to bake by making the temperature of the substrate uniform across the entire surface. While this may help to improve the uniformity of the process, it does not help to speed up the process.

[문헌1] 미국특허 제6,908,511호[Reference 1] US Patent No. 6,908,511

본 발명은 포토 마스크의 다양한 열처리가 가능한 포토 마스크 이온 제거 장치를 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a photo mask ion removal device capable of various heat treatment of the photo mask.

또한, 본 발명은 베이크 처리와 UV 처리를 동시 또는 개별적으로 진행할 수 있는 포토 마스크 이온 제거 장치를 제공하기 위한 것이다. In addition, the present invention is to provide a photo mask ion removal device that can proceed the baking treatment and UV treatment simultaneously or separately.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시 예에 따른 포토 마스크 이온 제거 장치는 포토 마스크가 로딩되는 베이크 플레이트; 상기 베이크 플레이트가 위치되고, 상면이 개방되며, 일측면에 포토 마스크의 반입 반출을 위한 출입구를 갖는 본체; 상기 본체의 개방된 상면을 개폐하는 커버; 및 상기 커버에 설치되고, 포토 마스크에 자외선을 조사하는 자외선 램프들을 포함한다.In order to achieve the above object, a photo mask ion removing device according to an embodiment of the present invention is a baking plate is loaded with a photo mask; A main body having the bake plate positioned thereon and having an upper surface open and having an entrance and exit at one side thereof for carrying in and out of the photo mask; A cover for opening and closing the opened upper surface of the main body; And ultraviolet lamps installed on the cover and irradiating ultraviolet rays to the photo mask.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 출입구를 통해 반입/반출되는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들; 및 상기 리프트 핀들에 의해 지지되는 포토 마스크를 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프 사이에서 승하강시키는 제1승하강 구동부를 더 포함한다.According to an embodiment of the invention, the lift pins for supporting the photo mask carried in / out through the entrance; And a first elevating driving unit for elevating a photo mask supported by the lift pins between the bake plate and the ultraviolet lamp.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1승하강 구동부는 상기 출입구를 통해 포토 마스크가 반입/반출되는 로딩/언로딩 위치; 상기 로딩/언로딩 위치보다 낮고, 포토 마스크의 베이크 처리를 위해 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착되는 베이크 위치; 및 상기 로딩/언로딩 위치보다 높고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위해 포토 마스크가 상기 자외선 램프에 근접하게 위치되는 자외선 조사 위치에서 승하강 동작된다. According to an embodiment of the present disclosure, the first elevating driving unit may include a loading / unloading position at which a photo mask is loaded / exported through the doorway; A bake position lower than the loading / unloading position and in which the photo mask is seated on the bake plate for baking of the photo mask; And a lowering operation at an ultraviolet irradiation position higher than the loading / unloading position, wherein the photomask is positioned close to the ultraviolet lamp for ultraviolet treatment of the photomask.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, a second elevating driving unit for elevating the baking plate may be further included.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제2승하강 구동부는 포토 마스크의 자외선 처리를 위해 상기 베이크 플레이트를 상기 자외선 램프에 근접한 자외선 조사 위치로 승강시킨다.According to an embodiment of the present disclosure, the second elevating driving unit elevates the bake plate to an ultraviolet irradiation position proximate to the ultraviolet lamp for ultraviolet treatment of the photo mask.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 자외선 조사 위치는 상기 자외선 램프와 1~3mm 간격을 갖는다.According to an embodiment of the present invention, the ultraviolet irradiation position is 1 to 3mm interval with the ultraviolet lamp.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 본체는 상기 자외선 조사 위치에 위치한 포토 마스크와 상기 자외선 램프 사이로 프로세스 가스를 공급하는 가스 주입부와, 상기 가스 주입부와 마주하는 일측면에 프로세스 가스를 배기하는 가스 배기부를 더 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, the main body may include a gas injection unit supplying a process gas between the photomask positioned at the ultraviolet irradiation position and the ultraviolet lamp, and a gas exhausting the process gas on one side facing the gas injection unit. It may further include an exhaust.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 프로세스 가스는 에어, 질소, 산소 또는 아르곤일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the process gas may be air, nitrogen, oxygen or argon.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 본체는 메인 배기구; 및 뷰 포트 및 포토 마스크 감지를 위한 센싱 포트들을 더 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the main body comprises a main exhaust port; And sensing ports for view port and photo mask detection.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 포토 마스크 이온 제거 장치는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들; 포토 마스크의 베이크 처리를 위한 베이크 플레이트; 상기 베이크 플레이트와 마주보도록 상기 베이크 플레이트 상부에 위치되고, 포토 마스크의 자외선 처리를 위한 자외선 램프들; 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프들 사이에서 포토 마스크의 위치를 상이하게 제공하기 위해 상기 리프트 핀들과 상기 베이크 플레이트의 높낮이를 조절하는 높낮이 조절부를 포함할 수 있다.The photo mask ion removal device of the present invention for achieving the above object is a lift pin for supporting the photo mask; A baking plate for baking the photo mask; Ultraviolet lamps positioned on the baking plate so as to face the baking plate and for ultraviolet treatment of a photo mask; It may include a height adjustment unit for adjusting the height of the lift pins and the bake plate to differently provide the position of the photo mask between the bake plate and the ultraviolet lamps.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 높낮이 조절부는 상기 리프트 핀들을 승하강시키는 제1승하강 구동부; 및 상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the height adjusting unit includes: a first elevating driving unit for elevating the lift pins; And a second elevating driving unit for elevating the baking plate.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 제1승하강 구동부는 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트 안착되어 베이크 처리되도록 상기 리프트 핀들을 하강시키고, 포토 마스크가 상기 자외선 램프에 근접하게 위치되어 자외선 처리되도록 상기 리프트 핀들을 승강시키며, 싱기 제2승하강 구동부는 포토 마스크가 베이크 플레이트에 의한 베이크 처리 및 상기 자외선 램프에 의한 자외선 조사가 동시에 이루어지도록 상기 베이크 플레이트를 승강시킨다.According to an embodiment of the present disclosure, the first lift driver lowers the lift pins so that a photo mask is seated on the bake plate and baked, and the lift pins are positioned so that the photo mask is positioned close to the ultraviolet lamp and subjected to UV treatment. The second lowering driving unit lifts the bake plate so that the photo mask is simultaneously baked by the bake plate and irradiated with the ultraviolet lamp.

상기한 과제를 달성하기 위한 포토 마스크 이온 제거 방법은 포토 마스크가 리프트 핀들에 로딩되는 단계; 포토 마스크에 잔류하는 이온제거를 위한 베이크 처리와 자외선 처리를 단독으로 또는 복합적으로 실시하는 이온 제거 단계를 포함하되; 상기 이온 제거 단계는 상기 리프트 핀들의 높낮이 및 포토 마스크 아래에 위치한 베이크 플레이트의 높낮이에 따라 포토 마스크에 대한 자외선 처리, 포토 마스크에 대한 베이크 처리 그리고 포토 마스크에 대한 자외선/베이크 처리가 이루어진다.The photo mask ion removal method for achieving the above object is a step of loading a photo mask on the lift pins; An ion removal step of performing a bake treatment and an ultraviolet treatment alone or in combination to remove the ions remaining in the photomask; In the ion removing step, the UV treatment of the photo mask, the baking treatment of the photo mask, and the UV / baking treatment of the photo mask are performed according to the height of the lift pins and the height of the baking plate positioned under the photo mask.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 자외선 처리는 상기 리프트 핀들의 승강 동작에 의해 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치된 상태에서 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the ultraviolet treatment of the photo mask may be performed while the photo mask is positioned adjacent to the ultraviolet lamps by the lifting operation of the lift pins.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 베이크 처리는 상기 리프트 핀들의 하강 동작에 의해 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착된 상태에서 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, the baking process for the photo mask may be performed in a state where the photo mask is seated on the baking plate by the lowering operation of the lift pins.

본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 포토 마스크에 대한 자외선/베이크 처리는 포토 마스크가 상기 베이크 플레이트에 안착된 상태에서 상기 베이크 플레이트의 승강 동작에 의해 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치된 상태에서 이루어질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the ultraviolet / baking treatment for the photo mask may be performed in a state where the photo mask is positioned adjacent to the ultraviolet lamps by the lifting operation of the baking plate while the photo mask is seated on the baking plate. Can be done.

본 발명에 의하면, 포토 마스크의 다양한 열처리가 가능하다. 또한, 본 발명에 의하면 베이크 처리와 UV 처리를 동시 또는 개별적으로 진행할 수 있다According to the present invention, various heat treatments of the photomask are possible. In addition, according to the present invention, the bake treatment and the UV treatment can be performed simultaneously or separately.

이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 2층 레이아웃을 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 이온 제거 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5는 이온 제거 장치의 후면도이다.
도 6은 본체의 평면도이다.
도 7은 높낮이 조절부의 평단면도이다.
도 8은 포토 마스크가 로딩/언로딩 높이에 위치한 상태를 보여주는 단면도이다.
도 9는 리프트 핀들에 지지된 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치되어 자외선 처리를 단독으로 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.
도 10은 포토 마스크가 베이크 플레이트에 안착되어 베이크 처리를 단독으로 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.
도 11은 베이크 플레이트에 안착된 포토 마스크가 자외선 램프들에 인접하게 위치되어 자외선 처리와 베이크 처리를 동시에 실시하는 상태를 보여주는 단면도이다.The drawings described below are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the invention.
1 is a view showing a photo mask cleaning equipment according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 shows a one-layer layout of the photo mask cleaning equipment shown in FIG. 1.
FIG. 3 shows a two-layer layout of the photo mask cleaning equipment shown in FIG. 1.
4 is a schematic perspective view of the ion removing device shown in FIG. 2.
5 is a rear view of the ion removing device.
6 is a plan view of the main body.
7 is a plan sectional view of the height adjustment unit.
8 is a cross-sectional view illustrating a state in which a photo mask is positioned at a loading / unloading height.
9 is a cross-sectional view showing a state in which a photo mask supported by lift pins is positioned adjacent to ultraviolet lamps to perform ultraviolet treatment alone.
10 is a cross-sectional view showing a state in which a photo mask is seated on a baking plate to perform baking treatment alone.
FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a state in which a photo mask mounted on a baking plate is positioned adjacent to ultraviolet lamps to simultaneously perform ultraviolet treatment and bake treatment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 이온 제거 장치가 구비된 포토 마스크 세정 설비를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a photo mask cleaning equipment equipped with an ion removing device according to an embodiment of the present invention. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

( 실시 예 )(Example)

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 세정 설비를 보여주는 구성도이다. 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 포토 마스크 세정 설비의 1층과 2층의 레이아웃을 보여주는 도면들이다. 1 is a block diagram showing a photo mask cleaning equipment according to an embodiment of the present invention. 2 and 3 show layouts of the first and second layers of the photo mask cleaning apparatus shown in FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 포토 마스크 세정 설비(1)는 인덱스부(1000), 제1처리부(2000), 제2처리부(3000) 및 반전 버퍼부(4000)를 포함한다. 1 to 3, the photo mask cleaning apparatus 1 includes an index unit 1000, a first processing unit 2000, a second processing unit 3000, and an inversion buffer unit 4000.

인덱스부(1000)는 포토 마스크가 담겨진 용기가 놓여지는 4개의 포트(1100)들과, 포토 마스크 이송을 위한 인덱스 로봇(1200)을 포함한다. 포토 마스크는 패턴면이 아래로 향하도록 뒤집힌 상태로 용기에 담겨져 포트(1100)에 놓여진다. 따라서, 포토 마스크의 패턴면이 오염되는 것을 최소화할 수 있다. 포토 마스크는 제1처리부(2000) 또는 제2처리부(3000)로 반입되기 전, 반전 버퍼부(4000)에서 패턴면이 상부를 향하도록 반전된 후 제공된다.The index unit 1000 includes four ports 1100 on which a container containing a photo mask is placed, and an index robot 1200 for transferring the photo mask. The photo mask is placed in the port 1100 in a container with the pattern side turned upside down. Therefore, it is possible to minimize the contamination of the pattern surface of the photo mask. The photo mask is provided after the pattern surface is inverted to face upward in the inversion buffer unit 4000 before being loaded into the first processing unit 2000 or the second processing unit 3000.

제1처리부(2000)에서는 포토 마스크의 습식 세정이 이루어진다. 제1처리부(2000)는 반전 버퍼부(4000)와 연결되고, 포토 마스크 반송을 위한 제1반송 장치(2200)를 갖는 제1이송(2100)로 및 제1이송로(2100)를 따라 배치되는 글루 제거용 처리모듈(HSU,GSU)(2300,2400) 3개와, 포토 마스크 냉각 장치(CPU;2500) 2개를 포함한다. The first processing unit 2000 performs wet cleaning of the photo mask. The first processing unit 2000 is connected to the inversion buffer unit 4000 and is disposed along the first transport path 2100 and the first transport path 2100 having the first transport device 2200 for transporting the photo mask. Three glue removal processing modules (HSU, GSU) (2300, 2400) and two photo mask cooling unit (CPU) (2500).

글루 제거용 처리모듈(HSU,GSU)들은 SPM 용액을 포토 마스크 전면에 도포하여 글루를 제거하는 전면 처리모듈(HSU)(2300) 및 SPM 용액을 포토 마스크 가장자리 부분적으로 도포하여 글루를 제거하는 부분 처리모듈(HSU)(2400)을 포함할 수 있다. 포토 마스크 냉각 장치(2500)는 자외선/가열 처리모듈(3300)에서 열처리된 포토 마스크의 온도를 상온으로 낮추기 위한 냉각처리 장치이다. The glue removal processing modules (HSU, GSU) apply SPM solution to the entire surface of the photo mask to remove the glue by applying the HSU (2300) to remove the glue and SPM solution partially on the edge of the photo mask. Module (HSU) 2400. The photo mask cooling apparatus 2500 is a cooling apparatus for lowering the temperature of the photo mask heat treated by the ultraviolet / heat processing module 3300 to room temperature.

제2처리부(3000)는 제1처리부(2000)와는 층으로 구획되도록 배치된다. 제2처리부(3000)에서는 포토 마스크의 건식 및 기능수 세정이 이루어진다. 제2처리부(3000)는 포토 마스크 반송을 위한 제2반송 장치(3200)를 갖는 제2이송로(3100) 및 제2이송로(3100)를 따라 배치되는 이온 제거 장치(HPU)(3300) 2개와, 기능수 처리모듈(SCU)(3400) 2개를 포함한다. 이온 제거 장치(HPU)(3300)는 건식 세정 및 잔류 이온 제거를 위한 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 단독 및 복합 운영할 수 있는 장치이다. The second processing unit 3000 is arranged to be partitioned from the first processing unit 2000 in layers. In the second processing unit 3000, the photo mask is dried and washed with functional water. The second processor 3000 is an ion removal device (HPU) 3300 disposed along the second transport path 3100 and the second transport path 3100 having the second transport device 3200 for transporting the photo mask. Dog, and two functional water treatment modules (SCU) 3400. The ion removal unit (HPU) 3300 is a device capable of independently and combining a baking process and an ultraviolet irradiation process for dry cleaning and removal of residual ions.

반전 버퍼부(4000)는 제1처리부(2000)와 인덱스부(1000) 사이에 배치된다. 도시하지 않았지만, 반전 버퍼부(4000)는 제2처리부(3000)와 인덱스부(1000) 사이에 배치될 수 있다. 반전 버퍼부(4000)는 포토 마스크를 반전시킨다.The inversion buffer unit 4000 is disposed between the first processing unit 2000 and the index unit 1000. Although not shown, the inversion buffer unit 4000 may be disposed between the second processing unit 3000 and the index unit 1000. The inversion buffer unit 4000 inverts the photo mask.

본 발명의 포토 마스크 세정 설비(1)를 보면, 1층은 습식 세정을 위한 모듈들로 구성되고, 2층은 건식 세정을 위한 모듈들로 구성된다. 즉, 약액을 이용한 습식 세정은 1층에 배치하여 다운 플로우에 의한 이온 오염이 건식처리한 포토마스크에 영향을 주지 않도록 배치하였다. 예컨대, 본 발명의 포토 마스크 세정 설비(1)는 습식 세정을 위한 모듈들과 건식 세정을 위한 모듈들이 단일층에 모두 배치되도록 구성할 수 있다. In the photo mask cleaning installation 1 of the present invention, the first layer is composed of modules for wet cleaning, and the second layer is composed of modules for dry cleaning. That is, the wet cleaning using the chemical liquid was arranged in one layer so that the ion contamination by the downflow did not affect the dry-processed photomask. For example, the photo mask cleaning installation 1 of the present invention can be configured such that both the modules for wet cleaning and the modules for dry cleaning are arranged in a single layer.

포토 마스크 세정 설비는 최대 5매의 포토 마스크를 동시에 처리할 수 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.The photo mask cleaning equipment can process up to five photo masks simultaneously, so high productivity can be expected.

포토 마스크는 패턴면이 Cr성분으로 이루어져 있어 정전기에 매우 취약하다, 따라서, 본 발명의 포토 마스크 세정 설비는 정전기에 의한 데미지를 최소화하기 위해 이동 경로상(제1이송로, 제2이송로, 각각의 처리 모듈 내부)에 이오나이져(ionizer)가 설치될 수 있다. The photo mask is very vulnerable to static electricity because the pattern surface is made of Cr. Therefore, the photo mask cleaning equipment of the present invention has a movement path (first feed path, second feed path, respectively) to minimize damage caused by static electricity. Ionizer (inside the processing module) of the (ionizer) can be installed.

도 4는 도 2에 도시된 이온 제거 장치의 개략적인 사시도이고, 도 5는 이온 제거 장치의 후면도이다. 도 6은 본체의 평면도이다. 도 7은 높낮이 조절부의 평단면도이다. 도 8 내지 도 11은 이온 제거 장치에서 포토 마스크의 다양한 높낮이 변경을 보여주는 도면들이다. 도 4는 도면 편의상 챔버 구조를 간략하게 도시하였다. 4 is a schematic perspective view of the ion removing device shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a rear view of the ion removing device. 6 is a plan view of the main body. 7 is a plan sectional view of the height adjustment unit. 8 to 11 are views showing various height changes of the photo mask in the ion removing device. 4 briefly shows the chamber structure for the sake of drawing.

도 4 내지 도 11을 참조하면, 이온 제거 장치(3300)는 챔버(3310), 베이크 플레이트(3340), 자외선 램프(3350)들, 리프트 핀(3360)들 그리고 높낮이 조절부(3370)를 포함한다.4 to 11, the ion removing device 3300 includes a chamber 3310, a bake plate 3340, ultraviolet lamps 3350, lift pins 3360, and a height adjusting unit 3370. .

챔버(3310)는 본체(3320)와 커버(3330)를 포함한다. 본체(3320)는 상면이 개방되어 있으며 정면에는 포토 마스크 반입 및 반출을 위한 출입구(3321)를 갖는다. 본체(3320)의 측면들에는 작업자가 내부를 확인할 수 있는 뷰 포트(도 5에 표시됨)(3322)와, 포토 마스크 감지를 위한 센싱 포트(3323)들이 제공된다. 센싱 포트(3322)들은 대각선 방향으로 위치된다. 수광/발광 센서(3324)들은 센싱 포트(3322)들 외곽에 배치되어 포토 마스크의 유무 감지 및 위치 틀어짐을 감지한다. 본체(3320) 후면에는 챔버 내부공간의 오존 가스를 배출하기 위한 메인 배기구(3326)가 설치된다. The chamber 3310 includes a body 3320 and a cover 3330. The main body 3320 has an open top surface and has an entrance and exit 3321 for loading and unloading a photo mask. Sides of the main body 3320 are provided with a view port (shown in FIG. 5) 3322 that the operator can check inside and a sensing port 3323 for photo mask detection. Sensing ports 3322 are positioned diagonally. The light receiving / light emitting sensors 3324 are disposed outside the sensing ports 3322 to detect the presence or absence of a photo mask and a position shift. The main exhaust port 3326 is provided at the rear of the main body 3320 to discharge ozone gas from the chamber internal space.

본체(3320)는 자외선 조사 위치(도 9에 도시된 포토 마스크 위치)에 위치한 포토 마스크와 자외선 램프 사이로 프로세스 가스를 공급하는 가스 주입부(3328)와, 가스 주입부(3328)와 마주하는 일측면에 프로세스 가스를 배기하는 가스 배기부(3329)를 포함한다. 프로세스 가스는 에어, 질소, 산소 또는 아르곤 중에 하나일 수 있다. 도 6에 표시된 화살표는 프로세스 가스의 흐름을 표현한 것이다. The main body 3320 has a gas injection unit 3328 supplying a process gas between a photo mask and an ultraviolet lamp positioned at an ultraviolet irradiation position (photo mask position shown in FIG. 9), and one side facing the gas injection unit 3328. And a gas exhaust section 3333 for exhausting the process gas. The process gas can be one of air, nitrogen, oxygen or argon. The arrows shown in FIG. 6 represent the flow of process gas.

커버(3330)는 본체(3320)의 개방된 상면을 개폐할 수 있도록 본체(3320)에 힌지 결합된다. 커버(3330)는 자외선 램프(3350)들이 설치되는 램프 설치공간(3331)을 가지며, 램프 설치공간(3331)은 챔버(3310) 내부와는 석영 윈도우(3332)로 차단된다. 도시하지 않았지만, 커버(3330)는 자외선 램프(3350)들의 열차단을 위한 냉각수 라인이 제공될 수 있다. 참고로, 자외선 램프(3350)는 172nm Ecximer 4본으로 구성된다. The cover 3330 is hinged to the main body 3320 to open and close the open upper surface of the main body 3320. The cover 3330 has a lamp installation space 3331 in which the ultraviolet lamps 3350 are installed, and the lamp installation space 3331 is blocked by a quartz window 3332 in the chamber 3310. Although not shown, the cover 3330 may be provided with a coolant line for the thermal cutoff of the ultraviolet lamps 3350. For reference, the ultraviolet lamp 3350 is composed of four 172nm Ecximer.

베이크 플레이트(3340)는 본체(3320) 바닥에 인접하게 제공된다. 베이크 플레이트(3340)는 상면에 포토 마스크(P)들이 안착되는 8개의 받침돌기(3342)들을 포함한다. 예를 들면, 베이크 플레이트(3340)는 300도까지 온도가 상승되며, 온도 균일도를 위해 5개의 히팅 영역(heating zone)으로 구성 되어진다. 베이크 플레이트(3340)는 챔버 내에서 높낮이 이동이 가능하게 설치된다. 베이크 플레이트(3340)는 리프트 핀(3360)들이 위치되는 관통공들을 갖는다. The bake plate 3340 is provided adjacent to the bottom of the body 3320. The baking plate 3340 includes eight support protrusions 3332 on which photo masks P are mounted on the top surface. For example, the baking plate 3340 is heated up to 300 degrees, and consists of five heating zones for temperature uniformity. The bake plate 3340 is installed to move in height in the chamber. The bake plate 3340 has through holes in which the lift pins 3360 are located.

리프트 핀(3360)들은 포토 마스크(P)의 모서리 4지점을 지지하기 위한 4개의 핀으로 구성된다. 리프트 핀(3360)들은 챔버 바닥을 관통해서 높낮이 조절부(3370)와 연결된다. The lift pins 3360 are composed of four pins for supporting four corners of the photo mask P. The lift pins 3360 are connected to the height adjuster 3370 through the bottom of the chamber.

높낮이 조절부(3370)는 챔버(3310) 아래에 설치된다. 높낮이 조절부(3370)는 포토 마스크(P)의 위치를 상이하게 제공하기 위해 리프트 핀(3360)들과 베이크 플레이트(3340)의 높낮이를 조절하는 구동 장치이다. The height adjusting unit 3370 is installed below the chamber 3310. The height adjusting unit 3370 is a driving device for adjusting the heights of the lift pins 3360 and the baking plate 3340 in order to provide different positions of the photo mask P.

높낮이 조절부(3370)는 상부 플레이트(3371), 하부 플레이트(3372), 리프트 핀들을 승하강시키는 제1승하강 구동부(3380) 그리고 베이크 플레이트(3340)를 승하강시키는 제2승하강 구동부(3390)를 포함한다. 상부 플레이트(3371)는 챔버(3310)에 고정 설치된다. 하부 플레이트(3372)는 상부 플레이트(3371)로부터 충분하게 이격되어 위치된다. The height adjusting unit 3370 includes an upper plate 3171, a lower plate 3372, a first elevating driver 3380 for elevating the lift pins, and a second elevating driver 3390 for elevating the bake plate 3340. ). The upper plate 3371 is fixedly installed in the chamber 3310. Lower plate 3372 is located sufficiently apart from upper plate 3371.

제1승하강 구동부(3380)는 한 쌍의 제1LM가이드(3381), 제1이동링(3382), 제1구동모터(3383), 제1볼 스크류(3384) 그리고 벨트(3385)와 풀리(3386)를 포함한다. The first lift driver 3380 includes a pair of first LM guides 3831, a first moving ring 3302, a first driving motor 3383, a first ball screw 3342, and a belt 3385 and a pulley ( 3386).

한 쌍의 제1LM가이드(3381)는 상부 플레이트(3371)와 하부 플레이트(3372)에 수직하게 설치된다. 제1이동링(3382)은 한 쌍의 제1LM가이드(3381)를 따라 승하강 가능하게 설치된다. 제1이동링(3382)에는 리프트 핀(3360)들의 하단이 고정된다. 제1이동링(3382)에는 제1볼 스크류(3384)가 연결된다. 제1구동모터(3383)는 제1볼 스크류를 회전시키기 위한 것으로, 제1구동모터(3383)의 동력은 벨트(3385)와 풀리(3386)를 통해 제1볼 스크류(3384)로 전달된다. 제1이동링(3382)은 제1볼 스크류(3384)의 회전에 의해 제1LM가이드(3381)를 따라 승하강된다. 리프트 핀(3360)들은 수직 이동에 의한 공간 밀폐성을 위해 메탈 벨로우즈로 감싸진다. The pair of first LM guides 3831 are installed perpendicular to the upper plate 3331 and the lower plate 3372. The first moving ring 3302 is installed to be lowered and lowered along the pair of first LM guides 3831. Lower ends of the lift pins 3360 are fixed to the first moving ring 3302. A first ball screw 3338 is connected to the first moving ring 3338. The first driving motor 3383 is for rotating the first ball screw, the power of the first driving motor 3383 is transmitted to the first ball screw 3338 through the belt 3385 and the pulley 3386. The first moving ring 3302 is moved up and down along the first LM guide 3831 by the rotation of the first ball screw 3338. Lift pins 3360 are wrapped with metal bellows for space closure by vertical movement.

제1승하강 구동부(3380)는 리프트 핀(3360)들을 3단으로 높이 조절한다. The first lift driver 3380 adjusts the lift pins 3360 to three levels.

제1단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착되는 베이크 처리 높이이다. 도 10에는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 베이크 처리 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제2단 높이는 출입구를 통해 포토 마스크(P)가 반입/반출되는 로딩/언로딩 높이이다. 도 8은 포토 마스크(P)가 리프트 핀(3360)들에 안착된 상태에서 로딩/언로딩 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제3단 높이는 포토 마스크(P)의 자외선 처리를 위해 포토 마스크(P)가 자외선 램프(3350)에 근접하게 위치되는 자외선 조사 높이이다. 도 9는 포토 마스크(P)가 리프트 핀(3360)들에 안착된 상태에서 자외선 조사 높이에 위치한 상태를 보여준다. The first stage height is a baking treatment height at which the photomask P is seated on the baking plate 3340. FIG. 10 shows a state where the photo mask P is positioned at the baking treatment height in a state where the photo mask P is seated on the baking plate 3340. The second stage height is a loading / unloading height at which the photo mask P is loaded / exported through the doorway. 8 shows a state where the photo mask P is positioned at the loading / unloading height in a state in which the photo mask P is seated on the lift pins 3360. The third stage height is an ultraviolet irradiation height at which the photo mask P is located close to the ultraviolet lamp 3350 for ultraviolet treatment of the photo mask P. FIG. 9 illustrates a state where the photo mask P is positioned at the UV irradiation height in a state in which the photo mask P is seated on the lift pins 3360.

제2승하강 구동부(3390)는 한 쌍의 제2LM가이드(3391), 제2이동링(3392), 제2구동모터(3393), 제2볼 스크류(3394), 벨트(3395), 풀리(3396) 그리고 베이크 지지핀(3398)들을 포함한다. The second elevating driving unit 3390 includes a pair of second LM guides 3391, a second moving ring 3332, a second driving motor 3393, a second ball screw 3394, a belt 3395, and a pulley ( 3396 and bake support pins 3398.

한 쌍의 제2LM가이드(3391)는 상부 플레이트(3371)와 하부 플레이트(3372)에 수직하게 설치된다. 제2이동링(3392)은 한 쌍의 제2LM가이드(3391)를 따라 승하강 가능하게 설치된다. 제2이동링(3392)에는 베이크 지지핀(3398)들의 하단이 고정된다. 베이크 지지핀(3398)은 챔버를 통해 베이크 플레이트(3340)를 지지한다. 제2이동링(3392)에는 제2볼 스크류(3394)가 연결된다. 제2구동모터(3393)는 제2볼 스크류를 회전시키기 위한 것으로, 제2구동모터(3393)의 동력은 벨트(3395)와 풀리(3396)를 통해 제2볼 스크류(3394)로 전달된다. 제2이동링(3392)은 제2볼 스크류(3394)의 회전에 의해 제2LM가이드(3391)를 따라 승하강된다. 베이크 지지핀(3398)들은 수직 이동에 의한 공간 밀폐성을 위해 메탈 벨로우즈로 감싸진다. The pair of second LM guides 3391 are installed perpendicular to the upper plate 3371 and the lower plate 3372. The second moving ring 3392 is installed to be lowered and lowered along the pair of second LM guides 3391. Lower ends of the baking support pins 3398 are fixed to the second moving ring 3332. The bake support pin 3398 supports the bake plate 3340 through the chamber. A second ball screw 3394 is connected to the second moving ring 3392. The second driving motor 3393 is for rotating the second ball screw, the power of the second driving motor 3393 is transmitted to the second ball screw 3394 through the belt 3395 and the pulley 3396. The second moving ring 3392 is moved up and down along the second LM guide 3391 by the rotation of the second ball screw 3394. The bake support pins 3398 are wrapped with metal bellows for space closure by vertical movement.

제2승하강 구동부(3390)는 베이크 플레이트(3340)를 2단으로 높이 조절한다. 제1단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착되는 베이크 처리 높이이다. 도 10에는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 베이크 처리 높이에 위치한 상태를 보여준다. 제2단 높이는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 자외선 램프(3350)에 근접하게 위치되는 자외선 조사 높이이다. 도 11은 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 안착된 상태에서 자외선 조사 높이에 위치한 상태를 보여준다. The second lift driver 3390 adjusts the bake plate 3340 in two stages. The first stage height is a baking treatment height at which the photomask P is seated on the baking plate 3340. FIG. 10 shows a state where the photo mask P is positioned at the baking treatment height in a state where the photo mask P is seated on the baking plate 3340. The second stage height is an ultraviolet irradiation height which is located close to the ultraviolet lamp 3350 in a state where the photo mask P is seated on the baking plate 3340. FIG. 11 shows a state where the photo mask P is positioned at the ultraviolet irradiation height in a state where the photo mask P is seated on the baking plate 3340.

이처럼, 제2승하강 구동부(3390)는 포토 마스크(P)가 베이크 플레이트(3340)에 의한 베이크 처리 및 자외선 램프에 의한 자외선 조사가 동시에 이루어지도록 베이크 플레이트(3340)를 2단 높이로 승강시킨다. 자외선 조사 높이는 포토 마스크의 상면과 자외선 램프(3350) 간의 간격이 1~3mm 이내인 것이 바람직하다. As such, the second lift driver 3390 raises and lowers the bake plate 3340 to two levels so that the photo mask P may be baked by the bake plate 3340 and UV irradiation by the UV lamp. As for the ultraviolet irradiation height, it is preferable that the space | interval between the upper surface of a photo mask and the ultraviolet lamp 3350 is within 1-3 mm.

상술한 바와 같이, 본 발명의 이온 제거 장치(3300)는 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 단독으로 각각 실시하거나 또는 베이크 공정과 자외선 조사 공정을 동시에 복합 실시할 수 있다.As described above, the ion removing device 3300 of the present invention may be each performed by a baking step and an ultraviolet irradiation step alone, or a combination of the baking step and the ultraviolet irradiation step may be performed simultaneously.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

3310: 챔버 3340 : 베이크 플레이트
3350 : 자외선 램프 3360 : 리프트 핀
3370 : 높낮이 조절부3310: chamber 3340: bake plate
3350: UV lamp 3360: lift pin
3370: height adjustment unit

Claims (2)

포토 마스크 이온 제거 장치에 있어서:
포토 마스크가 로딩되는 베이크 플레이트;
상기 베이크 플레이트가 위치되고, 상면이 개방되며, 일측면에 포토 마스크의 반입 반출을 위한 출입구를 갖는 본체;
상기 본체의 개방된 상면을 개폐하는 커버; 및
상기 커버에 설치되고, 포토 마스크에 자외선을 조사하는 자외선 램프들을 포함하는 포토 마스크 이온 제거 장치.In photo mask ion removal device:
A baking plate loaded with a photo mask;
A main body having the bake plate positioned thereon and having an upper surface open and having an entrance and exit at one side thereof for carrying in and out of the photo mask;
A cover for opening and closing the opened upper surface of the main body; And
The photo mask ion removal device is installed on the cover, including ultraviolet lamps for irradiating ultraviolet rays to the photo mask. 제1항에 있어서,
상기 출입구를 통해 반입/반출되는 포토 마스크를 지지하는 리프트 핀들;
상기 리프트 핀들에 의해 지지되는 포토 마스크를 상기 베이크 플레이트와 상기 자외선 램프 사이에서 승하강시키는 제1승하강 구동부; 및
상기 베이크 플레이트를 승하강시키는 제2승하강 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 이온 제거 장치.The method of claim 1,
Lift pins for supporting the photo mask to be carried in and out through the doorway;
A first elevating driving unit for elevating a photo mask supported by the lift pins between the baking plate and the ultraviolet lamp; And
And a second lift driver for lifting the bake plate up and down.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220131729A (en) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 선익시스템 Substrate curing apparatus
CN116755288A (en) * 2023-05-30 2023-09-15 常州瑞择微电子科技有限公司 Device and method for removing sulfate radical of photomask

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030037909A (en) * 2001-11-07 2003-05-16 삼성전자주식회사 Baking apparatus for semiconductor manufacturing
US6908511B2 (en) 2000-08-22 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniformly baking substrates such as photomasks
JP2005340591A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment device
KR20060079888A (en) * 2005-01-03 2006-07-07 삼성전자주식회사 Uv baking apparatus used in fabrication of semiconductor device
KR100831683B1 (en) * 2006-12-29 2008-05-22 주식회사 하이닉스반도체 Apparatus of removing haze in photomask and method of removing the haze

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6908511B2 (en) 2000-08-22 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniformly baking substrates such as photomasks
KR20030037909A (en) * 2001-11-07 2003-05-16 삼성전자주식회사 Baking apparatus for semiconductor manufacturing
JP2005340591A (en) * 2004-05-28 2005-12-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Heat treatment device
KR20060079888A (en) * 2005-01-03 2006-07-07 삼성전자주식회사 Uv baking apparatus used in fabrication of semiconductor device
KR100831683B1 (en) * 2006-12-29 2008-05-22 주식회사 하이닉스반도체 Apparatus of removing haze in photomask and method of removing the haze

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220131729A (en) * 2021-03-22 2022-09-29 주식회사 선익시스템 Substrate curing apparatus
CN116755288A (en) * 2023-05-30 2023-09-15 常州瑞择微电子科技有限公司 Device and method for removing sulfate radical of photomask
CN116755288B (en) * 2023-05-30 2024-02-27 常州瑞择微电子科技有限公司 Device and method for removing sulfate radical of photomask

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