KR20060079888A - Uv baking apparatus used in fabrication of semiconductor device - Google Patents

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KR20060079888A KR1020050000232A KR20050000232A KR20060079888A KR 20060079888 A KR20060079888 A KR 20060079888A KR 1020050000232 A KR1020050000232 A KR 1020050000232A KR 20050000232 A KR20050000232 A KR 20050000232A KR 20060079888 A KR20060079888 A KR 20060079888A
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Abstract

자외선 발생기 및 상기 자외선 발생기의 하부에 설치된 핫 플레이트를 포함하는 자외선 베이킹 장치를 제공한다. 상기 자외선 베이킹 장치는 상기 핫 플레이트의 표면 상에 로딩되는 반도체 웨이퍼를 고정시키기 위하여 상기 핫 플레이트 및 상기 반도체 웨이퍼 사이의 대기를 진공라인을 통하여 배출시키는 진공펌프을 구비한다. 상기 진공 라인에 전자식 진공 스위치가 설치되고, 상기 전자식 진공 스위치는 상기 진공 라인 내의 진공도의 이상 유무를 알리는 전기적 신호를 발생시킨다.  Provided is an ultraviolet baking device including an ultraviolet generator and a hot plate installed under the ultraviolet generator. The ultraviolet baking apparatus includes a vacuum pump for discharging air between the hot plate and the semiconductor wafer through a vacuum line to fix the semiconductor wafer loaded on the surface of the hot plate. An electronic vacuum switch is installed in the vacuum line, and the electronic vacuum switch generates an electrical signal indicating whether there is an abnormality in the degree of vacuum in the vacuum line.

자외선 베이킹 장치, 핫 플레이트, 진공 스위치, 포토레지스트 플로우UV baking device, hot plate, vacuum switch, photoresist flow

Description

반도체소자의 제조에 사용되는 자외선 베이킹 장치{UV baking apparatus used in fabrication of semiconductor device}UV baking apparatus used in fabrication of semiconductor device

도 1은 종래기술에 따른 자외선 베이킹 장치의 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining the problem of the ultraviolet baking apparatus according to the prior art.

도 2a는 도 1의 A영역 내의 컨택홀 포토레지스트 패턴의 단면도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view of the contact hole photoresist pattern in region A of FIG. 1.

도 2b는 도 1의 B영역 내의 컨택홀 포토레지스트 패턴의 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view of the contact hole photoresist pattern in region B of FIG. 1.

도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic view for explaining an ultraviolet baking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 장치를 사용하는 자외선 베이킹 공정을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart for explaining an ultraviolet baking process using the apparatus of FIG. 3.

본 발명은 반도체소자의 제조에 사용되는 자외선 베이킹(UV Baking) 장치에 관한 것으로써, 상세하게는 핫 플레이트(hot plate)와 반도체 웨이퍼 사이의 진공상태를 조절할 수 있는 전자식 진공 스위치(vacuum switch) 및 진공펌프를 구비하는 자외선 베이킹 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ultraviolet baking apparatus used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly, to an electronic vacuum switch capable of adjusting a vacuum state between a hot plate and a semiconductor wafer. An ultraviolet baking apparatus provided with a vacuum pump.                         

자외선 베이킹 장치는 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 리소그라피(lithography) 공정이 완료된 후, 후속 식각공정 전에 포토레지스트 패턴을 경화시키는 자외선 베이킹 공정에 사용되어진다. 상기 자외선 베이킹 공정은 식각공정 중 발생할 수 있는 포토레지스트 버닝(burning)의 문제를 방지하거나 포토레지스트의 식각 선택비를 향상시키기 위하여 자외선을 사용하여 포토레지스트 패턴을 경화(hardening)시키는 공정이다.The ultraviolet baking apparatus is used in an ultraviolet baking process of curing a photoresist pattern after a lithography process of forming a photoresist pattern is completed and before a subsequent etching process. The ultraviolet baking process is a process of hardening a photoresist pattern using ultraviolet rays to prevent a problem of photoresist burning that may occur during the etching process or to improve the etching selectivity of the photoresist.

일반적으로, 자외선 베이킹 장치는 포토레지스트 패턴을 갖는 반도체 웨이퍼 (wafer)가 로딩되는 핫 플레이트를 구비한다. 상기 안착된 반도체 웨이퍼와 상기 핫 플레이트 사이의 공간은 진공펌프에 의하여 진공된다. 상기 진공펌프는 진공 스위치에 의해서 상기 진공펌프의 온/오프(on/off)가 조절된다. 특히, 종래기술에 따른 자외선 베이킹 장치는 기계식 진공 스위치를 사용하여 상기 진공펌프의 온/오프를 조절한다. 상기 반도체 웨이퍼와 상기 핫 플레이트 사이의 공간이 정해진 진공도에 이르면, 자외선 베이킹 장치는 자외선 및 상기 핫 플레이트을 사용하여 상기 반도체 웨이퍼을 일정 온도로 가열한다. 상기 가열 온도는 상기 핫 플레이트 내부의 히팅코일 및 쿨링패스에 의하여 일정하게 제어된다. In general, an ultraviolet baking apparatus includes a hot plate loaded with a semiconductor wafer having a photoresist pattern. The space between the seated semiconductor wafer and the hot plate is vacuumed by a vacuum pump. The vacuum pump is controlled on / off (on / off) of the vacuum pump by a vacuum switch. In particular, the ultraviolet baking apparatus according to the prior art controls the on / off of the vacuum pump using a mechanical vacuum switch. When the space between the semiconductor wafer and the hot plate reaches a predetermined degree of vacuum, the ultraviolet baking device heats the semiconductor wafer to a constant temperature using ultraviolet light and the hot plate. The heating temperature is constantly controlled by the heating coil and the cooling path inside the hot plate.

도 1은 종래기술에 따른 자외선 베이킹 장치의 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining the problem of the ultraviolet baking apparatus according to the prior art.

도 2a는 도 1의 A영역 내의 컨택홀 포토레지스트 패턴의 단면도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view of the contact hole photoresist pattern in region A of FIG. 1.

도 2b는 도 1의 B영역 내의 컨택홀 포토레지스트 패턴의 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view of the contact hole photoresist pattern in region B of FIG. 1.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 종래기술에 따른 자외선 베이킹 장치의 문 제점을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the problem of the ultraviolet baking apparatus according to the prior art with reference to Figures 1, 2a and 2b as follows.

종래기술에 따른 자외선 베이킹 장치는 상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼와 핫 플레이트 사이를 진공시키기 위하여 진공펌프를 사용하고, 상기 진공펌프를 온/오프시키는 데 기계식 진공 스위치를 사용한다. 상기 기계식 진공 스위치는 단순히 진공라인의 진공도만을 체크하여 진공펌프를 온/오프하는 기능을 할 뿐이고, 컴퓨터와 연결하여 직접적으로 온라인으로 진공의 크기를 지시해 줄 수 있는 전기적인 신호 발생 장치를 갖지 않는다. 도 1은 핫 플레이트(240) 상부에 국부적으로 이물질(410)이 있고, 상기 이물질(410) 위에 반도체 웨이퍼(220)가 로딩된 경우의 단면도이다. 이 경우에 상기 기계식 진공 스위치는 상기 진공펌프를 온시키고, 상기 기계식 진공 스위치에 세팅된 진공도에 이르면 진공 펌프를 오프시킴으로써, 후속 자외선 베이킹이 계속해서 진행되도록 한다. The ultraviolet baking apparatus according to the prior art uses a vacuum pump to vacuum between the semiconductor wafer and the hot plate as described above, and uses a mechanical vacuum switch to turn on / off the vacuum pump. The mechanical vacuum switch merely functions to turn on / off the vacuum pump by checking only the degree of vacuum of the vacuum line, and directly online by connecting to a computer. It does not have an electrical signal generator that can indicate the magnitude of the vacuum. FIG. 1 is a cross-sectional view when a foreign material 410 is locally formed on an upper portion of the hot plate 240, and a semiconductor wafer 220 is loaded on the foreign material 410. In this case, the mechanical vacuum switch turns on the vacuum pump and turns off the vacuum pump when the degree of vacuum set in the mechanical vacuum switch is reached, so that subsequent ultraviolet baking continues.

이때, 상기 이물질(410) 상의 상기 반도체 웨이퍼(220) 영역(A영역)은 상기 이물질(410)로 인해 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240) 사이가 이격되고, 상기 이물질(410)과 접촉되지 않는 상기 반도체 웨이퍼(220) 영역(B영역)은 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240)가 접촉된다. 따라서, 상기 반도체 웨이퍼(220)의 B영역은 쿨링패스을 사용하여 그 영역의 온도를 제어할 수 있으나, 상기 반도체 웨이퍼(220)의 A영역은 쿨링패스을 사용하여 자외선에 의해 상승된 온도를 낮출 수 없다. 그 결과, 상기 반도체 웨이퍼(220)의 A영역은 상기 반도체 웨이퍼(220)의 B영역보다 40℃ 내지 70℃정도의 높은 온도를 갖도록 가열되는 문제가 발생한다. In this case, the semiconductor wafer 220 region (region A) on the foreign substance 410 is spaced apart from the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240 by the foreign substance 410, and the foreign substance 410. The semiconductor wafer 220 is in contact with the hot plate 240 in a region (region B) that is not in contact with the semiconductor wafer 220. Accordingly, the temperature of the region B of the semiconductor wafer 220 may be controlled by using a cooling pass, but the temperature of the region A of the semiconductor wafer 220 may not be lowered by the ultraviolet light using the cooling pass. . As a result, a problem arises in that the region A of the semiconductor wafer 220 is heated to have a temperature of about 40 ° C. to about 70 ° C. higher than the region B of the semiconductor wafer 220.                         

예를 들어, 컨택홀 (contact hole) 포토레지스트(212)를 경화하는 경우에 상기 이물질(410)이 있는 A영역이 상술한 바와같이 높은 온도에서 가열됨으로써 A영역 반도체기판(211) 상의 컨팩홀 포토레지스트(212)에서 포토레지스트 플로우 (photoresist flow) 현상이 발생한다. 따라서, 상기 A영역 반도체기판 상의 컨택홀 포토레지스트 패턴은 도 2a와 같은 비정상적인 컨택홀 프로파일(213)가지고, 이에 반하여 정상적으로 자외선 베이킹 공정이 완료된 B영역 반도체기판(211) 상의 컨택홀 포토레지스트 패턴은 도 2b와 같은 정상적인 컨택홀 프로파일(214)을 가진다.For example, in the case of curing the contact hole photoresist 212, the region A having the foreign matter 410 is heated at a high temperature as described above, so that the photoreceptor photo on the region A semiconductor substrate 211 is heated. A photoresist flow phenomenon occurs in the resist 212. Accordingly, the contact hole photoresist pattern on the region A semiconductor substrate has an abnormal contact hole profile 213 as shown in FIG. 2A, whereas the contact hole photoresist pattern on the region B semiconductor substrate 211 where the ultraviolet baking process is normally completed is illustrated in FIG. 2A. It has a normal contact hole profile 214 such as 2b.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 종래기술의 문제점을 개선하기 위해서 핫 플레이트(hot plate)와 반도체 웨이퍼 사이의 진공도를 확인하여 전기적 신호를 발생하는 전자식 진공 스위치 및 진공 이상시 베이킹 공정을 중단시키는 인터락 시스템을 구비하는 자외선 베이킹 장치을 제공하는데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to check the degree of vacuum between the hot plate (hot plate) and the semiconductor wafer in order to improve the problems of the prior art, the electronic vacuum switch to generate an electrical signal and the interlock to stop the baking process in the event of a vacuum abnormality An ultraviolet baking apparatus having a system is provided.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 자외선 발생기 및 상기 자외선 발생기의 하부에 설치된 핫 플레이트를 포함하는 자외선 베이킹 장치를 제공한다. 상기 핫 플레이트의 표면 상에 로딩되는 반도체 웨이퍼를 고정시키기 위하여 상기 핫 플레이트 및 상기 반도체 웨이퍼 사이의 대기를 진공라인을 통하여 배출시키는 진공펌프가 포함된다. 상기 진공 라인에 설치되고 상기 진공 라인 내의 진공도의 이상 유무를 알리는 전기적 신호를 발생시키는 전자식 진공 스위치를 포함한다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an ultraviolet baking device including an ultraviolet generator and a hot plate installed under the ultraviolet generator. And a vacuum pump for discharging the atmosphere between the hot plate and the semiconductor wafer through the vacuum line to fix the semiconductor wafer loaded on the surface of the hot plate. And an electronic vacuum switch installed in the vacuum line and generating an electrical signal indicating whether there is an abnormality in the degree of vacuum in the vacuum line.                     

본 발명의 다른 실시예로서, 상기 자외선 베이킹 장치는 상기 전자식 진공 스위치가 발생시킨 일정 시간 경과 후의 진공 라인의 진공도가 상기 전자식 진공 스위치에 세팅된 기준 진공도에 이르지 못하는 경우에 인터락(interlock)을 발생하여 상기 반도체 웨이퍼의 베이킹 공정을 중단하는 인터락 시스템을 더 포함할 수 있다. In another embodiment of the present invention, the ultraviolet baking device generates an interlock when the vacuum degree of the vacuum line after a predetermined time elapsed by the electronic vacuum switch does not reach the reference vacuum degree set in the electronic vacuum switch. It may further include an interlock system for stopping the baking process of the semiconductor wafer.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예을 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고, 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하여 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed contents are thorough and complete, and that the technical spirit of the present invention can be sufficiently delivered to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. Like numbers refer to like elements throughout.

도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 베이킹 장치를 설명하기 위한 개략도이다.3 is a schematic view for explaining an ultraviolet baking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 자외선 베이킹 장치는 방사선 조사 장치 (irradiator housing ; 110), 챔버부(210) 및 진공부(310)를 구비한다. 상기 방사선 조사 장치(110)는 개략적으로 자외선 벌브(UV bulb ; 120), 반사경(reflector ; 130) 및 석영 플레이트(quartz plate ; 140)를 포함하고, 상기 챔버부는 반도체 웨이퍼(220)를 로딩/언로딩하기 위해서 열고/닫히는 셔터(미도시), 상기 반도체 웨이퍼(220)를 상승 또는 하강시키는 지지핀(미도시), 챔버벽(230) 및 상기 반도체 웨 이퍼(220)를 가열하기 위하여 안착시키는 핫 플레이트(240)를 포함한다. 상기 셔터와 지지핀은 각각 제 1 에어 실린더, 제2 에어 실린더(미도시)에 의해서 상승 또는 하강하고, 상기 핫 플레이트(240)의 내부에는 상기 핫 플레이트(240)의 온도를 높히는 히팅코일(260)과 상기 핫 플레이트(240)의 온도를 낮추기 위해 물 공급기(water supply ; 270)로부터 물이 공급되는 쿨링패스(cooling path ; 250)가 있다. 상기 진공부(310)는 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240)의 사이를 진공 펌핑할 수 있은 진공라인(340)과 진공펌프(330)를 포함하고, 상기 진공라인(340)에는 상기 진공펌프(340)를 온/오프할 수 있고, 상기 진공라인(340)의 진공도를 확인하여 전기적 신호를 전달할 수 있는 전자식 진공 스위치(320)가 연결되어 있다. 상기 전자식 진공 스위치(320)는 진공 레벨(vacuum level)을 제어 또는 조정하도록 설계되어 압력의 변화를 전기적 신호로 바꾸어 전달할 수 있고, 전달장치(transmitter)를 내장할 수 있어 컴퓨터와 연결하여 실시간으로 진공의 크기를 확인할 수 있다.Referring to FIG. 3, the ultraviolet baking apparatus according to the present invention includes a radiator housing 110, a chamber part 210, and a vacuum part 310. The irradiation apparatus 110 may include an ultraviolet bulb 120, a reflector 130, and a quartz plate 140, and the chamber part may load / unload a semiconductor wafer 220. A shutter that opens / closes a shutter (not shown) for heating, a support pin (not shown) for raising or lowering the semiconductor wafer 220, a chamber wall 230, and the semiconductor wafer 220 for heating. Plate 240. The shutter and the support pin are respectively raised or lowered by the first air cylinder and the second air cylinder (not shown), and inside the hot plate 240, a heating coil for increasing the temperature of the hot plate 240 ( 260 and a cooling path 250 through which water is supplied from a water supply 270 to lower the temperature of the hot plate 240. The vacuum unit 310 includes a vacuum line 340 and a vacuum pump 330 capable of vacuum pumping between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240, and in the vacuum line 340 An electronic vacuum switch 320 may be connected to turn on / off the vacuum pump 340 and to transmit an electrical signal by checking a degree of vacuum of the vacuum line 340. The electronic vacuum switch 320 is designed to control or adjust the vacuum level to transfer the change of pressure to an electrical signal, and to incorporate a transmitter so that the vacuum can be connected to a computer in real time. You can check the size.

도 4는 도 3의 장치를 사용하는 자외선 베이킹 공정을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart for explaining an ultraviolet baking process using the apparatus of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 웨이퍼(220)를 로딩하기 위해 지지핀을 상승시키고 셔터(shutter)를 하강시켜 챔버를 연다(단계 100). 상기 반도체 웨이퍼(220)는 상기 자외선 베이킹 장치에 로딩되고(단계 200), 상기 셔터는 하강하여 챔버가 닫히며, 상기 지지핀은 하강하여 상기 반도체 웨이퍼(220)를 핫 플레이트(240) 상부에 안착시킨다(단계 300). 상기 반도체 웨이 퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240) 사이의 공간은 전자식 진공 스위치(320)를 사용하여 진공펌프(330)를 온/오프시킴으로써 진공된다(단계 400). 한편, 상기 전자식 진공 스위치(320)는 전달장치(transmitter)를 내장할 수 있어 컴퓨터와 연결되어 실시간으로 진공의 크기를 제공해 줌으로써 진공상태를 확인할 수 있다. 이때, 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240) 사이에 이물질이 국부적으로 존재하는 경우에는 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240) 사이의 공간이 진공되는데 소요되는 시간이 길어질 수 있다. 그 결과, 일정 시간 경과 후의 진공도가 전자식 진공 스위치(320)에 세팅된 기준 진공도에 이르지 못하게 되는 경우에 인터락이 발생하여 상기 자외선 베이킹 공정 진행이 중단된다. 즉, 자외선 벌브(120)에서는 자외선이 조사되지 않고, 챔버 내로 공기가 주입된다. 상기 반도체 웨이퍼(220)는 챔버 내에 정지한 상태로 후속 클리닝등의 조치를 기다린다(단계800). 이에 반하여, 상기 반도체 웨이퍼(220)와 상기 핫 플레이트(240) 사이의 진공이 정상적인 경우에는 자외선 벌브(120)에서 조사된 자외선 및 핫 플레이트(240) 내부의 히팅코일(260)과 쿨링패스(250)에 의해서 포토레지스트 패턴이 160℃ 내지 180℃정도의 온도에서 베이킹된다(단계 500). 상기 베이킹이 끝나면 상기 지지핀이 상승하고, 상기 셔터가 하강되어 챔버가 열리고(단계 600), 상기 반도체 웨이퍼(220)가 언로딩됨으로써 자외선 베이킹 공정이 완료된다(단계 700). 3 and 4, the chamber is opened by raising the support pin and lowering the shutter to load the semiconductor wafer 220 on which the photoresist pattern is formed (step 100). The semiconductor wafer 220 is loaded into the ultraviolet baking device (step 200), the shutter is lowered to close the chamber, and the support pin is lowered to seat the semiconductor wafer 220 on the hot plate 240. (Step 300). The space between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240 is vacuumed by turning on / off the vacuum pump 330 using the electronic vacuum switch 320 (step 400). On the other hand, the electronic vacuum switch 320 can be built in a transmitter (transmitter) can be connected to a computer to provide a vacuum size in real time to check the vacuum state. In this case, when foreign matter is present locally between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240, the time required for vacuuming the space between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240 may be increased. have. As a result, an interlock occurs when the vacuum degree after a predetermined time does not reach the reference vacuum degree set in the electronic vacuum switch 320, thereby stopping the ultraviolet baking process. That is, the ultraviolet bulb 120 is not irradiated with ultraviolet rays, but air is injected into the chamber. The semiconductor wafer 220 waits for a subsequent cleaning or the like while being stopped in the chamber (step 800). On the contrary, when the vacuum between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240 is normal, the heating coil 260 and the cooling path 250 inside the hot plate 240 and the ultraviolet rays irradiated from the ultraviolet bulb 120. ), The photoresist pattern is baked at a temperature of about 160 ° C to 180 ° C (step 500). After the baking is finished, the support pin is raised, the shutter is lowered to open the chamber (step 600), and the semiconductor wafer 220 is unloaded to complete the ultraviolet baking process (step 700).

따라서 본 발명에 의하면, 상기 반도체 웨이퍼(220) 및 상기 핫 플레이트(240) 사이에 이물질이 존재하는 경우에 상기 핫 플레이트(240) 및 상기 반도체 웨이퍼(220) 사이의 이물질 존재여부를 확인할 수 있고, 이들을 클리닝하는 조치를 취함으로써 다시 정상적인 자외선 베이킹 공정을 진행할 수 있다. Therefore, according to the present invention, when foreign matter exists between the semiconductor wafer 220 and the hot plate 240, it is possible to check whether foreign matter exists between the hot plate 240 and the semiconductor wafer 220. By taking steps to clean them, the normal ultraviolet baking process can be carried out again.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 상기 핫 플레이트 상에 이물질이 존재하는 경우에 전자식 진공 스위치를 사용하여 상기 핫 플레이트와 상기 반도체 웨이퍼 사이의 진공도를 확인할 수 있고, 인터락을 발생하여 자외선 베이킹 공정을 미연에 중단시킬 수 있음으로써 반도체소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.       As described above, according to the present invention, when foreign matter is present on the hot plate, the degree of vacuum between the hot plate and the semiconductor wafer can be checked using an electronic vacuum switch, and an interlock is generated to generate an ultraviolet baking process. By stopping in advance, the productivity of the semiconductor device can be improved.

Claims (2)

자외선 발생기;Ultraviolet generator; 상기 자외선 발생기의 하부에 설치된 핫 플레이트;A hot plate installed under the ultraviolet generator; 상기 핫 플레이트의 표면 상에 로딩되는 반도체 웨이퍼를 고정시키기 위하여 상기 핫 플레이트 및 상기 반도체 웨이퍼 사이의 대기를 진공라인을 통하여 배출시키는 진공펌프; 및A vacuum pump for discharging the atmosphere between the hot plate and the semiconductor wafer through a vacuum line to fix the semiconductor wafer loaded on the surface of the hot plate; And 상기 진공 라인에 설치되고 상기 진공 라인 내의 진공도의 이상 유무를 알리는 전기적 신호를 발생시키는 전자식 진공 스위치를 포함하는 자외선 베이킹 장치. And an electronic vacuum switch installed in the vacuum line and generating an electrical signal indicating whether there is an abnormality in the degree of vacuum in the vacuum line. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전자식 진공 스위치에서 발생시킨 상기 전공 라인 내의 전공도 이상의 전기적 신호를 받아 상기 반도체 웨이퍼의 베이킹 공정 진행을 중단시키는 인터락 시스템(interlock system)을 더 포함하는 자외선 베이킹 장치.And an interlock system receiving an electrical signal greater than or equal to a porosity in the electroporation line generated by the electronic vacuum switch to stop the baking process of the semiconductor wafer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130017705A (en) * 2011-08-11 2013-02-20 세메스 주식회사 Removal apparatus of ions on a photomask

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