KR20130017157A - Array substrate and liquid crystal display device including thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An array substrate and a liquid crystal display device including the same are provided to reduce the number of a common line by forming a common line per N gate lines. CONSTITUTION: A gate line(207) is parallel to a common line(270a). A pixel electrode(212) is formed in a pixel region. A common electrode(260) is formed between passivation layers and vertically separated from the pixel electrode. The common electrode includes opening parts. One common line corresponds to N gate lines.

Description

어레이 기판 및 그를 포함하는 액정표시장치{ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INCLUDING THEREOF}ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INCLUDING THEREOF

본 발명은 어레이 기판 및 그를 포함하는 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공통 배선의 수를 줄여서 개구율을 향상시키는 어레이 기판 및 그를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an array substrate and a liquid crystal display device including the same. More particularly, the present invention relates to an array substrate and a liquid crystal display device including the same to reduce the number of common wirings and improve an aperture ratio.

최근 정보화 사회가 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 증가하고 있으며, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전기발광표시장치(Electro Luminescent Display device) 등이 연구되고 있다.Recently, as the information society develops, the demand for the display field is increasing in various forms, and in response, various flat panel display devices, for example, liquid crystal, which have features such as thinning, light weight, and low power consumption Liquid crystal display devices, plasma display panel devices, electroluminescent display devices, and the like have been studied.

이 중에서 액정표시장치는 현재 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나이며, 화소전극과 공통전극 등이 형성되는 두 기판과, 두 기판 사이의 액정층을 포함한다.Among these, the liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices, and includes two substrates on which pixel electrodes, a common electrode, and the like are formed, and a liquid crystal layer between the two substrates.

이러한 액정표시장치는, 전극에 인가된 전압에 의해 생성된 전기장에 따라 액정층의 액정분자들의 배향을 결정하고, 입사광의 편광을 제어하여 영상을 표시한다.Such a liquid crystal display determines an orientation of liquid crystal molecules of a liquid crystal layer according to an electric field generated by a voltage applied to an electrode, and controls polarization of incident light to display an image.

액정표시장치는 액정의 배열과 액정에 전계를 인가하는 전극의 배열 형태에 따라, 액정 분자가 90도 트위스트 되도록 배열한 후 전압을 인가하여 액정 분자를 제어하는 TN(Twisted Nematic)모드, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성하여 배향막과 나란한 평면에서 수평전계에 의해 액정분자의 배향을 변화시키는 IPS(In-Plane Switching)모드, 액정분자의 초기 배향이 기판에 평행하게 배열되고 전극은 제1 및 제2기판 각각에 형성되어 액정에 수직전계를 인가하는 VA(Vertical Alignment)모드 등으로 구분된다.TN (Twisted Nematic) mode in which the liquid crystal molecules are arranged so that the liquid crystal molecules are twisted by 90 degrees according to the arrangement of the liquid crystals and the arrangement of electrodes that apply an electric field to the liquid crystals, and then the voltage is applied to control the liquid crystal molecules. In-Plane Switching (IPS) mode, in which two electrodes are formed in a plane parallel to the alignment layer to change the orientation of the liquid crystal molecules by a horizontal electric field. The initial orientation of the liquid crystal molecules is arranged parallel to the substrate, and the electrodes It is formed in each of the two substrates and is divided into a VA (Vertical Alignment) mode for applying a vertical electric field to the liquid crystal.

이 중 IPS방식의 액정표시장치는, 일반적으로 서로 대향배치되며 그 사이에 액정층을 구비하는 제1기판과 제2기판을 포함하며, 액정층의 액정분자가 횡전계에 의해 수평 구동되므로 시야각이 우수하다.
Among them, an IPS type liquid crystal display device generally includes a first substrate and a second substrate that are disposed to face each other and have a liquid crystal layer therebetween, and the viewing angle is reduced because the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer are driven horizontally by a transverse electric field. great.

도1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도1에 도시한 바와 같이, 어레이 기판(10)과 컬러필터 기판(20)이 서로 이격되어 대향하고 있으며, 어레이 기판(10) 및 컬러필터 기판(20) 사이에는 액정층(30)이 개재되어 있다.As shown in FIG. 1, the array substrate 10 and the color filter substrate 20 are spaced apart from each other, and the liquid crystal layer 30 is interposed between the array substrate 10 and the color filter substrate 20. have.

어레이 기판(10)상에는 공통전극(60)과 화소전극(12)이 동일 평면상에 형성되어 있으며, 이때, 공통전극(60)과 화소전극(12)에 전압이 인가됨에 따라 공통전극(60)과 화소전극(12) 사이에는 수평전계(L)가 형성될 수 있다.The common electrode 60 and the pixel electrode 12 are formed on the same plane on the array substrate 10. In this case, as the voltage is applied to the common electrode 60 and the pixel electrode 12, the common electrode 60 is formed. A horizontal electric field L may be formed between the pixel electrode 12 and the pixel electrode 12.

이와 같은 수평전계(L)에 의해 액정층(30)의 액정분자들의 배향이 결정되고 그를 이용하여 영상을 표시할 수 있다.The orientation of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 30 is determined by the horizontal electric field L, and an image may be displayed using the same.

하지만, 이러한 구성을 갖는 횡전계형 액정표시장치는 시야각을 향상시키는 장점이 있는 반면에 개구율 및 투과율이 낮은 단점도 존재한다.However, the transverse electric field type liquid crystal display device having such a configuration has an advantage of improving the viewing angle, but also has disadvantages of low aperture ratio and low transmittance.

따라서, 이러한 횡전계형 액정표시장치의 단점을 개선하기 위하여 프린지 필드(Fringe field)에 의해 액정이 동작하는 것을 특징으로 하는 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(Fringe Field Switching mode LCD)가 제안되었다.
Accordingly, in order to improve the disadvantage of the transverse electric field type liquid crystal display, a fringe field switching mode LCD, in which a liquid crystal is operated by a fringe field, has been proposed.

도2는 종래의 프린지 필드 스위칭 모드 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이다.2 is a plan view showing a portion of a conventional fringe field switched mode array substrate.

먼저, 제 1 기판 상에 저저항 특성을 갖는 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 등의 제 1 금속물질을 증착하고 마스크 공정을 통해 패터닝하여 게이트 배선(107)과 게이트 전극(108)을 형성한다.First, a first metal material such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), or copper alloy having low resistance on the first substrate is deposited and patterned through a mask process to form a gate wiring 107. And the gate electrode 108 is formed.

그리고 나서, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질을 증착하여 기판 전면에 게이트 절연막(미도시)을 형성한다.Then, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited to form a gate insulating film (not shown) on the entire surface of the substrate.

또한, 게이트 절연막 위로 순수 비정질 실리콘층과 불순물 비정질 실리콘층 및 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 등의 물질로 이루어지는 제 2 금속층을 증착하고, 마스크 공정을 통해 패터닝하여 반도체층(120)과 데이터 배선(230)과 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)을 형성한다.Further, a pure amorphous silicon layer, an impurity amorphous silicon layer, and a second metal layer made of materials such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), copper (Cu), and copper alloy are deposited on the gate insulating layer, and patterned through a mask process. The semiconductor layer 120, the data line 230, the source electrode 133, and the drain electrode 136 are formed.

이때, 반도체층(120)은 액티브층(미도시) 및 오믹콘택층(미도시)으로 이루어질 수 있으며, 게이트 배선(107)과 데이터 배선(230)이 교차하여 화소영역을 정의할 수 있다.In this case, the semiconductor layer 120 may be formed of an active layer (not shown) and an ohmic contact layer (not shown), and the gate line 107 and the data line 230 may cross each other to define a pixel area.

그 다음에, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 등의 투명 도전성 물질을 증착하여 화소전극(112)을 형성한다.Next, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is deposited to form the pixel electrode 112.

이때, 화소전극(112)은 게이트 절연막과 반도체층(120)을 사이에 두고 드레인 전극(136)의 일 끝단과 서로 중첩하도록 형성될 수 있다.In this case, the pixel electrode 112 may be formed to overlap one end of the drain electrode 136 with the gate insulating layer and the semiconductor layer 120 interposed therebetween.

따라서, 화소영역 마다 게이트 전극(108)과, 게이트 절연막과, 반도체층(120)과, 서로 이격하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)으로 구성되는 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다.Accordingly, the thin film transistor Tr including the gate electrode 108, the gate insulating layer, the semiconductor layer 120, and the source electrode 133 and the drain electrode 136 spaced apart from each other is formed in each pixel region.

도시하지는 않았지만, 기판 전면에 산화실리콘(SiO2) 등의 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)등의 유기절연물질을 도포하여 보호층(미도시)을 형성한다.Although not shown, a protective layer (not shown) is formed by coating an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl on the entire surface of the substrate.

그리고 나서, 보호층 위로 인듐-틴-옥사이드(ITO) 등의 투명 도전성 물질을 증착하여 제 2 투명 도전성 물질층(미도시)을 증착하고, 마스크 공정을 통해 패터닝하여 도 2d에 도시한 바와 같이, 각 화소영역 내에 바(bar) 형태로 일정간격 이격하는 다수의 개구부(oa)를 갖는 공통전극을 형성한다.Then, a second transparent conductive material layer (not shown) is deposited by depositing a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) on the protective layer, and patterned through a mask process, as shown in FIG. 2D, A common electrode having a plurality of openings (oa) spaced at predetermined intervals in a bar shape is formed in each pixel area.

그리고, 드레인 콘택홀(143)에 대응하는 화소 드레인 연결패턴(167)을 형성하여 화소전극(112)과 드레인 전극(136)을 연결시킬 수 있다.The pixel drain connection pattern 167 corresponding to the drain contact hole 143 may be formed to connect the pixel electrode 112 and the drain electrode 136.

이와 같이 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(FFS mode LCD)는 일반적으로 별도의 메탈 공통 배선을 없애고, 개구율을 향상시키기 위하여 하부에 화소전극을 배치하고, 공통전극은 보호층 위로 기판 전면에 하나로 형성한다.As described above, a fringe field switching mode liquid crystal display (FFS mode LCD) generally eliminates a separate metal common wiring, and arranges pixel electrodes at a lower portion to improve an aperture ratio, and a common electrode is formed on the entire surface of the substrate above the protective layer. .

하지만, 공통전극 저항 때문에 상기한 바와 같이 보호층 위에 바(bar) 형태로 일정간격 이격하는 다수의 개구(oa)를 갖는 공통전극을 액정표시장치 전면에 하나로 형성하기에는 한계가 존재하였다.
However, due to the common electrode resistance, as described above, there is a limit to forming a common electrode having a plurality of openings (oa) spaced at regular intervals in a bar shape on the protective layer as one on the front of the liquid crystal display.

본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 공통 배선의 수를 줄여서 개구율을 향상시키는 어레이 기판 및 그를 포함하는 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an array substrate and a liquid crystal display device including the array substrate for improving the aperture ratio by reducing the number of common wirings.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 어레이 기판은, 서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 공통 배선과; 상기 화소영역 내에 형성되는 화소전극과; 보호층을 사이에 두고 상기 화소전극과 수직으로 이격하며 다수의 개구부를 갖는 공통전극을 포함하며, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선 N(N은 2이상의 자연수) 개당 하나씩 형성되며, 부극성의 전압이 인가되는 제 1 공통 배선과 정극성의 전압이 인가되는 제 2 공통 배선으로 구성되는 것을 특징으로 한다.An array substrate for achieving the above object includes: a gate wiring and a data wiring crossing each other to define a plurality of pixel regions; A common wiring formed in parallel with the gate wiring; A pixel electrode formed in the pixel region; A common electrode having a plurality of openings and spaced vertically from the pixel electrode with a protective layer interposed therebetween, wherein the common wiring is formed one per gate wiring N (N is a natural number of two or more), and a negative voltage And a first common wiring to be applied and a second common wiring to which a positive voltage is applied.

여기서, 상기 공통전극은 상기 공통 배선을 노출시키는 공통 콘택홀을 통해 상기 공통 배선과 접촉할 수 있다.The common electrode may contact the common wire through a common contact hole exposing the common wire.

그리고, 상기 공통 콘택홀은 상기 제 1 공통 배선 상에 형성되는 제 1 공통 콘택홀과, 상기 제 2 공통 배선 상에 형성되는 제 2 공통 콘택홀을 포함하는 것이 바람직하다.The common contact hole may include a first common contact hole formed on the first common wire and a second common contact hole formed on the second common wire.

한편, 상기 공통전극은 제 1 연결패턴을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 2 연결패턴을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 3 연결패턴을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결될 수 있다.
On the other hand, the common electrode is connected to the neighboring common electrode diagonally through the first connection pattern, the common electrode neighboring in the vertical direction through the second connection pattern, or neighboring in the horizontal direction through the third connection pattern It can be connected to the common electrode.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 액정표시장치는, 서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선이 형성되는 제 1 기판과 상기 제 1 기판과 대향합착되는 제2기판을 포함하며, 상기 제 1 기판은 상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 공통 배선과, 상기 화소영역 내에 형성되는 화소전극과, 보호층을 사이에 두고 상기 화소전극과 수직으로 이격하며 다수의 개구부를 갖는 공통전극으로 이루어지며, 상기 공통 배선은 상기 게이트 배선 N(N은 2이상의 자연수) 개당 하나씩 형성되며, 부극성의 전압이 인가되는 제 1 공통 배선과 정극성의 전압이 인가되는 제 2 공통 배선으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a liquid crystal display device includes a first substrate on which a plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed crossing each other and a second substrate facing and bonding to the first substrate. The first substrate includes a common wiring formed in parallel with the gate wiring, a pixel electrode formed in the pixel region, and a plurality of openings spaced apart from the pixel electrode with a protective layer interposed therebetween. And a common electrode having one common electrode for each of the gate lines N (N is a natural number of two or more), the first common wiring to which a negative voltage is applied, and the second common wiring to which a positive voltage is applied. It is characterized in that the configuration.

여기서, 상기 공통전극은 상기 공통 배선을 노출시키는 공통 콘택홀을 통해 상기 공통 배선과 접촉할 수 있다.The common electrode may contact the common wire through a common contact hole exposing the common wire.

그리고, 상기 공통 콘택홀은 상기 제 1 공통 배선 상에 형성되는 제 1 공통 콘택홀과, 상기 제 2 공통 배선 상에 형성되는 제 2 공통 콘택홀을 포함할 수 있다.The common contact hole may include a first common contact hole formed on the first common wire and a second common contact hole formed on the second common wire.

한편, 상기 공통전극은 제 1 연결패턴을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 2 연결패턴을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 3 연결패턴을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것이 바람직하다.
On the other hand, the common electrode is connected to the neighboring common electrode diagonally through the first connection pattern, the common electrode neighboring in the vertical direction through the second connection pattern, or neighboring in the horizontal direction through the third connection pattern It is preferable to be connected to the common electrode.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 어레이 기판 및 그를 포함하는 액정표시장치에서는, 게이트 배선 N(N은 2이상의 자연수) 개당 공통 배선을 하나씩 형성하여 공통 배선의 수를 줄일 수 있다.As described above, in the array substrate and the liquid crystal display including the same according to the present invention, the number of common wirings can be reduced by forming one common wiring per gate wiring N (N is a natural number of two or more).

그 결과 액정표시장치의 개구율 및 투과율을 향상시킬 수 있다.
As a result, the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal display device can be improved.

도1은 일반적인 횡전계 방식 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.
도2는 종래의 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이다.
도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이다.
도4는 도3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ'를 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도5는 도3을 절단선 Ⅴ-Ⅴ'를 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에서 공통 전압 인가를 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
도7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이다.
도8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에서 공통 전압 인가를 설명하기 위해 참조되는 도면이다.
1 is a cross-sectional view of a general transverse electric field type liquid crystal display device.
2 is a plan view showing a portion of a conventional array substrate.
3 is a plan view showing a portion of an array substrate according to a first embodiment of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of a portion cut along the cutting line IV-IV 'of FIG.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a portion cut along the cutting line VV ′ of FIG. 3.
6 is a view referred to for explaining the application of a common voltage in the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention.
7 is a plan view showing a portion of an array substrate according to a second embodiment of the present invention.
8 is a view referred to for explaining the application of a common voltage in the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이고, 도4는 도3을 절단선 Ⅳ-Ⅳ'를 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이며, 도5는 도3을 절단선 Ⅴ-Ⅴ'를 따라 절단한 부분에 대한 단면도를 개략적으로 도시한 도면이다. 박막트랜지스터(Tr)는 채널을 이루는 영역이 ‘U'형태를 이루는 것을 일례로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 아니하고 다양한 형태로 변형될 수 있다.3 is a plan view showing a portion of an array substrate according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a portion cut along the cutting line IV-IV 'of FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a portion cut along the cutting line VV ′ of FIG. 3. The thin film transistor Tr is illustrated as an example in which a region forming a channel forms a 'U' shape, but is not limited thereto and may be modified in various forms.

도3 및 도4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판에는 제 1 방향으로 연장하는 다수의 게이트 배선(207)이 일정간격 이격하며 형성된다.3 and 4, a plurality of gate lines 207 extending in a first direction are formed in the array substrate according to the first embodiment of the present invention at regular intervals.

그리고, 게이트 배선(207)과 동일한 층에는 게이트 배선(207)과 나란하게 제 1 공통배선(270a) 및 제 2 공통배선(270b)이 형성된다.The first common wiring 270a and the second common wiring 270b are formed in the same layer as the gate wiring 207 in parallel with the gate wiring 207.

이때, 제 1 공통배선(270a)은 부극성(-)의 전압이 인가되고, 제 2 공통배선(270b)은 정극성(+)의 전압이 될 수 있다.In this case, a voltage of negative polarity (−) may be applied to the first common wiring 270a, and a voltage of positive polarity may be applied to the second common wiring 270b.

다음으로, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질을 증착하여 기판 전면에 게이트 절연막(215)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited to form a gate insulating film 215 on the entire surface of the substrate.

그리고, 게이트 절연막(215) 위로 판 형태를 갖는 화소전극(212)과, 제 2 방향으로 연장되며 다수의 게이트 배선(207)과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선(230)을 형성한다.The pixel electrode 212 having a plate shape over the gate insulating layer 215 and the plurality of data lines 230 extending in the second direction and crossing the plurality of gate lines 207 to define a plurality of pixel regions are formed. Form.

이때, 각 화소영역에는 게이트 전극(208)과, 게이트 절연막(215)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(220b)으로 이루어진 반도체층(220)과, 서로 이격하는 소스 전극(233) 및 드레인 전극(236)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다.In this case, each pixel region includes a gate electrode 208, a gate insulating film 215, a semiconductor layer 220 including an active layer 220a of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 220b of impurity amorphous silicon. The thin film transistor Tr including the source electrode 233 and the drain electrode 236 spaced apart from each other is formed.

이러한 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선(207) 및 데이터 배선(230)과 연결된다.The thin film transistor Tr is connected to the gate line 207 and the data line 230.

그리고, 박막트랜지스터(Tr)와 화소전극(212)을 포함하여 기판 전면에는 보호층(240)이 형성된다.The protective layer 240 is formed on the entire surface of the substrate including the thin film transistor Tr and the pixel electrode 212.

이러한 보호층(240)은 산화실리콘(SiO2) 등의 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)등의 유기절연물질로 구성될 수 있다.The protective layer 240 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl.

또한, 각 화소영역 내에는 보호층(240) 위로 제 1 공통 콘택홀(272a) 또는 제 2 공통 콘택홀(272b)을 통해 제 1 공통배선(270a) 또는 제 2 공통배선(270b)과 접촉하는 공통전극(260)이 형성될 수 있다.In addition, each pixel area may contact the first common line 270a or the second common line 270b through the first common contact hole 272a or the second common contact hole 272b on the passivation layer 240. The common electrode 260 may be formed.

즉, 공통전극(260)은 종래와 같이 보호층(240) 위에 기판 전면에 하나로 형성하는 것이 아니라, 각 화소영역 마다 판 형태로 형성될 수 있다.That is, the common electrode 260 is not formed as one on the entire surface of the substrate on the protective layer 240 as in the prior art, but may be formed in a plate shape for each pixel region.

그에 따라 고해상도 대면적 액정표시장치는 각 화소영역 마다 공통전극을 형성함에 따라 종래 대비 공통전극 저항에 의한 영향을 줄일 수 있다.Accordingly, in the high resolution large area liquid crystal display, the common electrode is formed in each pixel region, thereby reducing the influence of the common electrode resistance.

그리고, 공통전극(260)은 보호층(240)을 사이에 두고 화소전극(212)과 수직으로 이격하여 형성된다.The common electrode 260 is formed to be vertically spaced apart from the pixel electrode 212 with the protective layer 240 interposed therebetween.

이때, 공통전극(260)은 게이트 배선(207)이 연장하는 방향으로 연장하는 가상의 선을 기준으로 대칭적으로 형성되는 다수의 개구부를 포함한다.In this case, the common electrode 260 includes a plurality of openings symmetrically formed with respect to an imaginary line extending in the direction in which the gate wiring 207 extends.

한편, 공통전극(260)은 제 1 내지 제3 연결패턴을 통해 이웃하는 공통전극과 연결될 수 있으며, 연결되는 공통전극들은 제 1 공통배선(270a) 및 제 2 공통배선(270b)을 통해 동일한 극성의 공통전압이 인가될 수 있다.Meanwhile, the common electrode 260 may be connected to neighboring common electrodes through first to third connection patterns, and common electrodes to be connected have the same polarity through the first common line 270a and the second common line 270b. The common voltage of can be applied.

예를 들어, 공통전극(260)은 제 1 연결패턴(262)을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 2 연결패턴(264)을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결될 수 있다.For example, the common electrode 260 may be connected to the neighboring common electrode in a diagonal direction through the first connection pattern 262 or may be connected to the common electrode neighboring in the vertical direction through the second connection pattern 264. .

또한, 제 3 연결패턴(미도시)을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결될 수도 있다.In addition, it may be connected to the common electrode neighboring in the horizontal direction through the third connection pattern (not shown).

이와 같은 연결패턴들은 제 1 공통배선(270a) 및 제 2 공통배선(270b)을 통해 동일한 극성의 공통전압이 인가되는 공통전극들을 연결하기 위하여 적절하게 배치되어 형성할 수 있다.The connection patterns may be appropriately disposed to connect common electrodes to which a common voltage of the same polarity is applied through the first common line 270a and the second common line 270b.

이러한 구조를 갖는 공통전극(260)을 구비한 어레이 기판을 구비하는 액정표시장치(미도시)는 하나의 화소영역 내의 서로 다른 도메인에 위치하는 액정분자의 움직임이 달라질 수 있다.In a liquid crystal display (not shown) having an array substrate having a common electrode 260 having such a structure, the movement of liquid crystal molecules positioned in different domains in one pixel area may vary.

그에 따라 최종적으로 액정분자의 장축의 배치가 달라지게 되어 특정 방위각에서의 컬러 쉬프트 현상을 저감시킬 수 있다.As a result, the arrangement of the long axes of the liquid crystal molecules may be finally changed, thereby reducing color shift at a specific azimuth angle.

도5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판에는 화소전극(212)과 공통전극(260)이 보호층(240)을 사이에 두고 이격하여 형성된다.As shown in FIG. 5, the pixel electrode 212 and the common electrode 260 are formed on the array substrate according to the first embodiment of the present invention with a protective layer 240 therebetween.

그리고, 화소전극(212) 하부에는 데이터 배선(230)과 화소전극(212) 사이에 발생하는 횡전계를 차폐시키기 위한 보조 공통전극(미도시)이 형성될 수 있다.An auxiliary common electrode (not shown) may be formed below the pixel electrode 212 to shield the transverse electric field generated between the data line 230 and the pixel electrode 212.

이러한 보조 공통전극은 공통전극(260)과 수직방향으로 대응되도록 형성할 수 있다.The auxiliary common electrode may be formed to correspond to the common electrode 260 in a vertical direction.

그리고, 공통전극(260) 및 보조 공통전극은 인듐-틴-옥사이드(Induim-Tin-Oxide:)와 같은 투명한 전도성 물질로 구성되기 때문에 블랙매트릭스(BM)와 대응되는 영역에서 벗어나더라도 개구율이 좁아지는 문제점이 발생하지 않는다.In addition, since the common electrode 260 and the auxiliary common electrode are made of a transparent conductive material such as indium tin oxide, the aperture ratio becomes narrow even if the common electrode 260 and the auxiliary common electrode deviate from a region corresponding to the black matrix BM. The problem does not occur.

따라서, 도시한 바와 같이, 공통전극(260)은 블랙매트릭스(BM)의 양 끝단을 벗어나도록 형성될 수 있다.
Thus, as shown, the common electrode 260 may be formed to be out of both ends of the black matrix (BM).

도6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치에서 공통 전압 인가를 설명하기 위해 참조되는 도면이다. 이하에서는 수직 2도트 Z 인버전 방식으로 구동하는 경우를 예를 들어 설명하기로 한다.6 is a view referred to for explaining the application of a common voltage in the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, a case of driving in the vertical 2-dot Z inversion method will be described as an example.

도6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판에서는 제 1 연결패턴(도3의 262)을 통해 두 화소영역의 공통전극(260)이 연결되고 제 1 공통배선(270a)을 통해 부극성(-)의 공통전압이 인가된다.As shown in FIG. 6, in the array substrate according to the first embodiment of the present invention, the common electrodes 260 of two pixel regions are connected through the first connection pattern 262 of FIG. 3, and the first common wiring 270a is connected. Through), a common voltage of negative polarity (-) is applied.

그리고, 제 2 연결패턴(도3의 264)을 통해 두 화소영역의 공통전극(260)이 연결되고 제 2 공통배선(270b)을 통해 정극성(+)의 공통전압이 인가된다.The common electrodes 260 of the two pixel regions are connected through the second connection pattern 264 of FIG. 3, and a common voltage of positive polarity is applied through the second common wiring 270b.

다시 말해서, 제 1 공통배선(270a)이 형성된 부분에서는 제 1 연결패턴을 통해 대각선방향의 공통전극이 연결되고, 연결되는 공통전극으로는 부극성(-)의 공통전압이 인가된다.In other words, in a portion where the first common wiring 270a is formed, a diagonal common electrode is connected through the first connection pattern, and a negative common voltage is applied to the common electrode to be connected.

그리고, 제 2 공통배선(270b)이 형성된 부분에서는 제 2 연결패턴을 통해 수직방향의 공통전극이 연결되고, 연결되는 공통전극으로는 정극성(+)의 공통전압이 인가된다.In the portion where the second common wiring 270b is formed, the common electrode in the vertical direction is connected through the second connection pattern, and a common voltage of positive polarity is applied to the common electrode to be connected.

그리하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터전압을 컬럼 인버젼 방식으로 데이터 배선을 통해 전달하고, 공통전압을 부극성(-)의 공통전압과 정극성(+)의 공통전압을 나누어 각각의 공통배선을 통해 인가하여 수직 2도트 Z 인버전 방식으로 구동할 수 있다.Thus, the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention transfers the data voltage through the data wiring in the column inversion method, and converts the common voltage into the common voltage of negative polarity and the common voltage of positive polarity (+). By dividing and applying through each common wiring, it can be driven by the vertical 2-dot Z inversion method.

이처럼 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판에서는 종래와 같이, 공통전극을 기판 전면에 하나로 형성하는 것이 아니라, 화소영역마다 공통전극을 형성하여 공통 배선 및 공통 콘택홀을 통해 다수의 공통전극을 연결한다.As described above, in the array substrate according to the first embodiment of the present invention, a common electrode is not formed on the entire surface of the substrate as in the related art, but a plurality of common electrodes are formed through common wiring and common contact holes by forming a common electrode for each pixel region. Connect.

그 결과 공통전극을 기판 전면에 하나로 형성했던 종래 대비 공통전극 저항의 영향을 줄일 수 있다.
As a result, it is possible to reduce the influence of the common electrode resistance compared to the conventional one formed on the front of the common electrode.

하지만, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판에서는 공통 전극을 연결할 공통 배선 및 공통 콘택홀이 필요하고, 그러한 공통 배선과 공통 콘택홀에 의해 개구율 및 투과율이 감소하는 문제점이 발생하였다. 이를 해결하기 위한 방안을 도면을 참조하여 설명하기로 한다.However, the array substrate according to the first embodiment of the present invention requires a common wiring and a common contact hole to connect a common electrode, and a problem arises in that the aperture ratio and transmittance are reduced by the common wiring and the common contact hole. A method for solving this problem will be described with reference to the drawings.

도7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판의 일부를 도시한 평면도이고, 도8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치에서 공통 전압 인가를 설명하기 위해 참조되는 도면이다.FIG. 7 is a plan view of a portion of an array substrate according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view referred to for explaining common voltage application in the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention.

도7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판에는 제 1 방향으로 연장하는 다수의 게이트 배선(307)이 일정간격 이격하며 형성된다.As shown in FIG. 7, a plurality of gate lines 307 extending in the first direction are formed on the array substrate according to the second embodiment of the present invention at regular intervals.

그리고, 게이트 배선(307)과 동일한 층에는 게이트 배선(307)과 나란하게 제 1 공통배선(370a) 및 제 2 공통배선(370b)이 형성된다.The first common line 370a and the second common line 370b are formed on the same layer as the gate line 307 in parallel with the gate line 307.

이때, 제 1 공통배선(370a)은 부극성(-)의 전압이 인가되고, 제 2 공통배선(370b)은 정극성(+)의 전압이 될 수 있다.In this case, a voltage of negative polarity (−) may be applied to the first common wiring 370a, and a voltage of positive polarity may be applied to the second common wiring 370b.

이와 같은 공통 배선(370a, 370b)은 게이트 배선(307) N(N은 2이상의 자연수) 개당 하나씩 형성할 수 있으며, 그 결과 기판 전체에 형성되는 공통 배선 수를 줄일 수 있다.The common wirings 370a and 370b may be formed one per N of the gate wirings 307 (N is a natural number of two or more), and as a result, the number of common wirings formed on the entire substrate can be reduced.

다음으로, 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 무기절연물질을 증착하여 기판 전면에 게이트 절연막(도3의 215)을 형성한다.Next, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is deposited to form a gate insulating film (215 of FIG. 3) on the entire surface of the substrate.

그리고, 게이트 절연막(도3의 215) 위로 판 형태를 갖는 화소전극(312)과, 제 2 방향으로 연장되며 다수의 게이트 배선(307)과 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선(330)을 형성한다.The pixel electrode 312 having a plate shape over the gate insulating film 215 and a plurality of data wires extending in a second direction and crossing the plurality of gate wires 307 to define a plurality of pixel regions ( 330 is formed.

이때, 각 화소영역에는 게이트 전극(308)과, 게이트 절연막과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(도3의 220a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(도3의 220b)으로 이루어진 반도체층(도3의 220)과, 서로 이격하는 소스 전극(333) 및 드레인 전극(336)으로 구성된 박막트랜지스터(Tr)가 형성된다.At this time, each pixel region includes a gate electrode 308, a gate insulating film, a semiconductor layer made of pure amorphous silicon active layer (220a of FIG. 3) and an ohmic contact layer of impurity amorphous silicon (220b of FIG. 3). , And a thin film transistor Tr including a source electrode 333 and a drain electrode 336 spaced apart from each other.

이러한 박막트랜지스터(Tr)는 게이트 배선(307) 및 데이터 배선(330)과 연결된다.The thin film transistor Tr is connected to the gate line 307 and the data line 330.

그리고, 박막트랜지스터(Tr)와 화소전극(312)을 포함하여 기판 전면에는 보호층(도3의 240)이 형성된다.A protective layer (240 in FIG. 3) is formed on the entire surface of the substrate including the thin film transistor Tr and the pixel electrode 312.

이러한 보호층(240)은 산화실리콘(SiO2) 등의 무기절연물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 또는 포토아크릴(photo acryl)등의 유기절연물질로 구성될 수 있다.The protective layer 240 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or an organic insulating material such as benzocyclobutene (BCB) or photo acryl.

또한, 각 화소영역 내에는 보호층(240) 위로 제 1 공통 콘택홀(372a) 또는 제 2 공통 콘택홀(372b)을 통해 제 1 공통배선(370a) 또는 제 2 공통배선(370b)과 접촉하는 공통전극(360)이 형성될 수 있다.In addition, each pixel area may contact the first common line 370a or the second common line 370b through the first common contact hole 372a or the second common contact hole 372b on the passivation layer 240. The common electrode 360 may be formed.

즉, 공통전극(360)은 종래와 같이 보호층 위에 액정표시장치 전면에 하나로 형성하는 것이 아니라, 각 화소영역마다 형성될 수 있다.That is, the common electrode 360 may be formed in each pixel region instead of being formed as one on the entire surface of the liquid crystal display on the protective layer as in the prior art.

그에 따라 고해상도 대면적 액정표시장치의 경우 공통전극 저항에 의한 영향을 줄일 수 있다.Accordingly, in the case of a high resolution large area liquid crystal display, the influence of the common electrode resistance can be reduced.

그리고, 공통전극(360)은 보호층을 사이에 두고 화소전극(312)과 수직으로 이격하여 형성된다.The common electrode 360 is vertically spaced apart from the pixel electrode 312 with a protective layer interposed therebetween.

이때, 공통전극(360)은 게이트 배선(307)이 연장하는 방향으로 연장하는 가상의 선을 기준으로 대칭적으로 형성되는 다수의 개구부를 포함한다.In this case, the common electrode 360 includes a plurality of openings symmetrically formed with respect to an imaginary line extending in the direction in which the gate wiring 307 extends.

한편, 공통전극(360)은 제 1 내지 제3 연결패턴을 통해 이웃하는 공통전극과 연결될 수 있으며, 연결되는 공통전극들은 제 1 공통배선(370a) 및 제 2 공통배선(370b)을 통해 동일한 극성의 공통전압이 인가될 수 있다.Meanwhile, the common electrode 360 may be connected to neighboring common electrodes through first to third connection patterns, and the common electrodes connected to each other have the same polarity through the first common line 370a and the second common line 370b. The common voltage of can be applied.

예를 들어, 공통전극(360)은 제 1 연결패턴(362)을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되거나, 제 2 연결패턴(364)을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결될 수 있다.For example, the common electrode 360 may be connected to the neighboring common electrode diagonally through the first connection pattern 362 or to the common electrode neighboring in the vertical direction through the second connection pattern 364. .

또한, 제 3 연결패턴(미도시)을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결될 수도 있다.In addition, it may be connected to the common electrode neighboring in the horizontal direction through the third connection pattern (not shown).

이와 같은 연결패턴들은 제 1 공통배선(370a) 및 제 2 공통배선(370b)을 통해 동일한 극성의 공통전압이 인가되는 공통전극들을 연결하기 위하여 적절하게 배치되어 형성할 수 있다.Such connection patterns may be appropriately disposed to connect common electrodes to which a common voltage having the same polarity is applied through the first common line 370a and the second common line 370b.

도8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판에서는 제 1 연결패턴(362) 및 제 2 연결패턴(364)을 통해 화소영역 네 개의 공통전극(360)이 연결되고 제 1 공통배선(270a)을 통해 부극성(-)의 공통전압이 인가된다.As shown in FIG. 8, in the array substrate according to the second exemplary embodiment of the present invention, four common electrodes 360 of pixel regions are connected through a first connection pattern 362 and a second connection pattern 364. 1 A common voltage of negative polarity (−) is applied through the common wiring 270a.

그리고, 1 연결패턴(362) 및 제 2 연결패턴(364)을 통해 화소영역 네 개의 공통전극(360)이 연결되고 제 2 공통배선(370b)을 통해 정극성(+)의 공통전압이 인가된다.Four common electrodes 360 of the pixel region are connected through the first connection pattern 362 and the second connection pattern 364, and a common voltage of positive polarity (+) is applied through the second common line 370b. .

이때, 공통전극(360)은 제 1 연결패턴(362) 및 제 2 연결패턴(364)을 통해 대각선방향 및 수직방향으로의 연결되는 경우만 도시하고 있지만 이에 한정하지 아니하며, 구동 방식에 따라 제 1 내지 제 3 연결패턴을 통해 다양한 형태로 연결될 수 있다.In this case, the common electrode 360 is illustrated only when the first and second connection patterns 362 and 364 are connected in a diagonal direction and a vertical direction, but the present invention is not limited thereto. Through the third connection pattern may be connected in various forms.

그리하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 데이터전압을 컬럼 인버젼 방식으로 데이터 배선을 통해 전달하고, 공통전압을 부극성(-)의 공통전압과 정극성(+)의 공통전압을 나누어 각각의 공통배선을 통해 인가하는 방식으로 구동할 수 있다.Thus, the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention transfers the data voltage through the data wiring in the column inversion method, and converts the common voltage into the common voltage of negative polarity and the common voltage of positive polarity (+). It can be driven by dividing and applying through each common wiring.

이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판에서는 게이트 배선(307) N(N은 2이상의 자연수) 개당 공통 배선(370a, 370b))을 하나씩 형성함에 따라 전체적으로 공통 배선의 수를 줄일 수 있다.As described above, in the array substrate according to the second embodiment of the present invention, the common wirings 370a and 370b are formed for each of the gate wirings 307 N (N is a natural number of two or more), thereby reducing the number of common wirings as a whole. have.

그리고, 공통 배선 수가 줄어들면 공통 콘택홀의 개수 또한 줄일 수 있다. 그 결과 개구율 및 투과율이 향상될 수 있다.If the number of common wirings is reduced, the number of common contact holes can also be reduced. As a result, the aperture ratio and transmittance can be improved.

한편, 화소영역의 크기를 리사이징하여 공통 배선 제거에 따른 개구율 차이를 줄이도록 조절할 수 있다.
On the other hand, the size of the pixel region may be adjusted to reduce the aperture ratio difference caused by removing the common wiring by resizing.

이상과 같은 본 발명의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 첨부된 특허청구범위 및 이와 균등한 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The embodiments of the present invention as described above are merely illustrative, and those skilled in the art can make modifications without departing from the gist of the present invention. Accordingly, the protection scope of the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

207: 게이트 배선 208: 게이트전극
212: 화소전극 220: 반도체층
230: 데이터 배선 233: 소스전극
236: 드레인전극 260: 공통전극
262: 제 1 연결패턴 264: 제 2 연결패턴
207: gate wiring 208: gate electrode
212: pixel electrode 220: semiconductor layer
230: data wiring 233: source electrode
236: drain electrode 260: common electrode
262: first connection pattern 264: second connection pattern

Claims (12)

서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 공통 배선과;
상기 화소영역 내에 형성되는 화소전극과;
보호층을 사이에 두고 상기 화소전극과 수직으로 이격하며 다수의 개구부를 갖는 공통전극을 포함하며,
상기 공통 배선은 상기 게이트 배선 N(N은 2이상의 자연수) 개당 하나씩 형성되며, 부극성의 전압이 인가되는 제 1 공통 배선과 정극성의 전압이 인가되는 제 2 공통 배선으로 구성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
Gate wiring and data wiring crossing each other to define a plurality of pixel regions;
A common wiring formed in parallel with the gate wiring;
A pixel electrode formed in the pixel region;
A common electrode having a plurality of openings and vertically spaced apart from the pixel electrode with a protective layer interposed therebetween,
The common wiring is formed one by one for each gate wiring N (N is a natural number of 2 or more), and the array includes a first common wiring to which a negative voltage is applied and a second common wiring to which a positive voltage is applied. Board.
제1항에 있어서,
상기 공통전극은 상기 공통 배선을 노출시키는 공통 콘택홀을 통해 상기 공통 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method of claim 1,
And the common electrode contacts the common wiring through a common contact hole exposing the common wiring.
제2항에 있어서,
상기 공통 콘택홀은 상기 제 1 공통 배선 상에 형성되는 제 1 공통 콘택홀과, 상기 제 2 공통 배선 상에 형성되는 제 2 공통 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method of claim 2,
And the common contact hole includes a first common contact hole formed on the first common wiring, and a second common contact hole formed on the second common wiring.
제1항에 있어서,
상기 공통전극은 제 1 연결패턴을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method of claim 1,
And the common electrode is connected to a common electrode neighboring in a diagonal direction through a first connection pattern.
제1항에 있어서,
상기 공통전극은 제 2 연결패턴을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method of claim 1,
And the common electrode is connected to a common electrode neighboring in a vertical direction through a second connection pattern.
제1항에 있어서,
상기 공통전극은 제 3 연결패턴을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
The method of claim 1,
And the common electrode is connected to a common electrode neighboring in a horizontal direction through a third connection pattern.
서로 교차하여 다수의 화소영역을 정의하는 다수의 게이트 배선 및 다수의 데이터 배선이 형성되는 제 1 기판과 상기 제 1 기판과 대향합착되는 제2기판을 포함하며,
상기 제 1 기판은 상기 게이트 배선과 나란하게 형성되는 공통 배선과, 상기 화소영역 내에 형성되는 화소전극과, 보호층을 사이에 두고 상기 화소전극과 수직으로 이격하며 다수의 개구부를 갖는 공통전극으로 이루어지며,
상기 공통 배선은 상기 게이트 배선 N(N은 2이상의 자연수) 개당 하나씩 형성되며, 부극성의 전압이 인가되는 제 1 공통 배선과, 정극성의 전압이 인가되는 제 2 공통 배선으로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
A first substrate having a plurality of gate lines and a plurality of data lines crossing each other and defining a plurality of pixel regions, and a second substrate facing and bonding to the first substrate,
The first substrate includes a common wiring formed parallel to the gate wiring, a pixel electrode formed in the pixel region, a common electrode having a plurality of openings spaced apart from the pixel electrode vertically with a protective layer therebetween. Lose,
The common wiring is formed one by one for the gate wiring N (N is a natural number of two or more), and the first wiring includes a first common wiring to which a negative voltage is applied, and a second common wiring to which a positive voltage is applied. LCD display device.
제7항에 있어서,
상기 공통전극은 상기 공통 배선을 노출시키는 공통 콘택홀을 통해 상기 공통 배선과 접촉하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 7, wherein
And the common electrode contacts the common wiring through a common contact hole exposing the common wiring.
제8항에 있어서,
상기 공통 콘택홀은 상기 제 1 공통 배선 상에 형성되는 제 1 공통 콘택홀과, 상기 제 2 공통 배선 상에 형성되는 제 2 공통 콘택홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
9. The method of claim 8,
And the common contact hole includes a first common contact hole formed on the first common wire and a second common contact hole formed on the second common wire.
제7항에 있어서,
상기 공통전극은 제 1 연결패턴을 통해 대각선방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 7, wherein
And the common electrode is connected to a neighboring common electrode in a diagonal direction through a first connection pattern.
제7항에 있어서,
상기 공통전극은 제 2 연결패턴을 통해 수직방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 7, wherein
And the common electrode is connected to a common electrode neighboring in a vertical direction through a second connection pattern.
제7항에 있어서,
상기 공통전극은 제 3 연결패턴을 통해 수평방향으로 이웃하는 공통전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
The method of claim 7, wherein
And the common electrode is connected to a common electrode neighboring in a horizontal direction through a third connection pattern.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20100000721A (en) * 2008-06-25 2010-01-06 엘지디스플레이 주식회사 Array substrate for liquid crystal display device
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