KR20130016100A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

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KR20130016100A
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마사키 무라마츠
마사오 이즈미
겐지 니시오
히로노리 사토
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니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A wiring board manufacturing method is provided to form a conductive layer using electroplating having a high speed of growth by performing electroless plating. CONSTITUTION: A first process forms a wiring groove in an insulation layer(33). A second process forms a conductive layer(21,22) being a wiring layer. Some of the conductive layer is buried in the wiring groove. The surface of the conductive layer is cut using a cutting tool. A wiring layer(32, 34) is formed.

Description

배선기판의 제조방법{Method For Manufacturing Wiring Board}Manufacturing Method for Wiring Boards {Method For Manufacturing Wiring Board}

본 발명은 배선기판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 절연층에 배선용의 배선 홈을 형성하고, 이 배선 홈 내에 도체층을 형성하는 배선기판의 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board, and more particularly, to a method of manufacturing a wiring board in which wiring grooves for wiring are formed in an insulating layer and a conductor layer is formed in the wiring grooves.

배선기판의 제조방법으로서, 예를 들면 세미 애디티브법이 종래부터 알려져 있다. 세미 애디티브법에서는 코어기판에 에폭시 수지를 주성분으로 하는 필름 형상의 절연 수지재료를 겹쳐서 맞춘 적층물을 진공 압착 열 프레스기로 가압 가열하여 필름 형상의 절연 수지재료를 열경화시키면서 압착하고, 이 필름 형상의 절연 수지재료에 레이저 조사 등에 의해서 비아 홀을 형성한 후, 이 비아 홀의 내벽을 포함하는 필름 형상의 절연 수지재료 상에 무전해 도금층을 형성한다. 그 후, 이 무전해 도금층 상에 소망하는 형상으로 도금 레지스트를 형성하고, 이 도금 레지스트를 마스크로 하여 전해 도금에 의해서 소망하는 형상의 배선 패턴을 얻고 있다.As a manufacturing method of a wiring board, the semiadditive process is known conventionally, for example. In the semi-additive process, a laminate obtained by stacking a film-shaped insulating resin material containing epoxy resin as a main component on a core substrate is press-heated by a vacuum compression heat press to press the film-shaped insulating resin material to be thermally cured. After the via hole is formed in the insulating resin material of the via hole by laser irradiation or the like, an electroless plating layer is formed on the film-shaped insulating resin material including the inner wall of the via hole. Thereafter, a plating resist is formed on the electroless plating layer in a desired shape, and a wiring pattern having a desired shape is obtained by electroplating using this plating resist as a mask.

그러나, 근래에 있어서는 배선 패턴의 미세화가 진행되고 있어, 상기 세미 애디티브법으로는 이 미세화에 대응하는 것이 곤란하게 되고 있다. 세미 애디티브법에서는 필름 형상의 절연 수지재료 상에 배선 패턴을 형성하고 있는데, 이 경우 배선의 하면만이 필름 형상의 절연 수지재료와 접촉하게 된다. 그러므로, 배선 패턴이 미세화될 수록 필름 형상의 절연 수지재료와의 접촉면적이 감소하기 때문에 접착력이 약해지게 되고, 도중의 제조 공정에서 박리될 우려가 있다. 또, 도금 레지스트에 대해서도 배선 패턴이 미세화될 수록 필름 형상의 절연 수지재료와의 접촉면적이 감소하여 접착력이 약해지게 되기 때문에, 도중의 제조 공정에서 박리될 우려가 있다.However, in recent years, miniaturization of wiring patterns is progressing, and it is difficult to cope with this miniaturization by the semi-additive method. In the semi-additive process, a wiring pattern is formed on a film-shaped insulating resin material. In this case, only the lower surface of the wiring comes into contact with the film-shaped insulating resin material. Therefore, as the wiring pattern becomes finer, the contact area with the film-shaped insulating resin material decreases, so that the adhesive strength becomes weaker, and there is a fear that the wiring pattern is peeled off in the middle of the manufacturing process. Also, as the wiring pattern becomes finer, the contact area with the film-shaped insulating resin material decreases as the wiring pattern decreases, so that the adhesive force is weakened.

그래서, 상기 문제를 해결하는 방법으로서 다마신법(damascene process)("트렌치 필링법(trench filling process)"이라고도 한다)에 의해서 배선을 형성하는 것이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 다마신법에서는, 필름 형상의 절연 수지재료에 포토리소그래피 및 에칭에 의해서 소망하는 형상이 되는 배선 홈을 형성하고, 배선 홈 내 및 필름 형상의 절연 수지재료 표면에 도금에 의해서 도체층을 형성한 후, 필름 형상의 절연 수지재료 표면을 CMP(Chemical Mechanical Polishing: 화학적 기계적 연마)에 의해 연마하여 배선 홈 내 이외의 여분의 도체층을 제거하고 있다.Then, as a method of solving the said problem, it is proposed to form wiring by the damascene process (also called a "trench filling process") (for example, refer patent document 1). In the damascene method of patent document 1, the wiring groove which becomes a desired shape by photolithography and an etching is formed in the film-shaped insulating resin material, and a conductor layer is formed in the wiring groove and the film-shaped insulating resin material surface by plating. After the film was formed, the surface of the film-shaped insulating resin material was polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing) to remove excess conductor layers other than the inside of the wiring groove.

이상과 같이 다마신법에 의하면, 배선 홈 내에 배선을 형성하기 때문에, 배선의 하면 및 양 측면이 필름 형상의 절연 수지재료에 형성된 홈의 내벽에 맞닿은 상태, 즉 배선이 홈에 매립된 상태로 형성되기 때문에, 배선 혹은 도금 레지스트가 도중의 제조 공정에서 박리될 우려를 저감할 수 있다.
According to the damascene method as described above, since the wiring is formed in the wiring groove, the lower surface and both side surfaces of the wiring are in contact with the inner wall of the groove formed in the film-shaped insulating resin material, that is, the wiring is formed in the embedded state. Therefore, it is possible to reduce the risk that the wiring or plating resist is peeled off during the manufacturing process.

특허문헌 1 : 일본국 특개 2008-85373호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-85373

상기한 바와 같이 다마신법에 의하면 배선 패턴의 미세화에 대응할 수 있다. 그러나, CMP는 연마면의 형상에 영향을 받기 때문에, 장소에 따라서는 도체층이 과잉 연마되거나 반대로 도체층의 연마가 부족한 영역이 생긴다. 또, CMP 이외의 방법, 예를 들면 웨트 에칭에 의해서 여분의 도체층을 제거한 경우에도 형성되는 도금막의 두께가 균일하지 않기 때문에 같은 문제가 생긴다.As described above, according to the damascene method, the wiring pattern can be miniaturized. However, since CMP is affected by the shape of the polished surface, some areas of the conductor layer are excessively polished or conversely, the polishing layer is insufficient. In addition, even when the excess conductor layer is removed by a method other than CMP, for example, wet etching, the same problem occurs because the thickness of the plated film formed is not uniform.

도체층이 과잉 연마된 경우에는 배선 두께가 얇게 되어 규정의 전류를 흘릴 수 없는 문제가 생길 우려가 있다. 한편, 도체층의 연마가 부족한 경우에는 배선 간이 연마 부족에 의해서 잔존하는 도체층을 통해서 전기적으로 쇼트되는 문제가 생길 우려가 있다.In the case where the conductor layer is excessively polished, there is a fear that a problem arises in that the wiring thickness becomes thin and a specified current cannot flow. On the other hand, when polishing of a conductor layer is insufficient, there exists a possibility that the problem of electrically shorting through the remaining conductor layer may arise by the lack of polishing between wiring.

본 발명은 상기한 사정에 대처하기 위해서 이루어진 것으로서, 배선층이 되는 도체층의 과잉 절삭이나 절삭 부족을 억제할 수 있는 배선기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board which can suppress excessive cutting and short cutting of the conductor layer serving as the wiring layer.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 절연층 및 배선층을 각각 1층 이상 가지는 배선기판의 제조방법으로서, 상기 절연층에 배선 홈을 형성하는 제 1 공정과, 상기 배선 홈 내에 적어도 일부가 매설되게 하여 상기 배선층이 되는 도체층을 형성하는 제 2 공정과, 상기 도체층의 표면을 절삭공구를 이용하여 절삭함으로써 상기 배선층을 형성하는 제 3 공정을 가지는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a manufacturing method of a wiring board each having at least one insulating layer and a wiring layer, the first step of forming a wiring groove in the insulating layer, and at least a portion of the wiring groove is embedded And a third step of forming the wiring layer by cutting the surface of the conductor layer with a cutting tool, thereby forming a conductor layer serving as the wiring layer.

본 발명에 의하면, 절연층에 형성한 배선 홈 내에 적어도 일부가 매설되게 하여 배선층이 되는 도체층을 형성하고, 이 도체층의 표면을 절삭공구를 이용하여 절삭하고 있다. 따라서, 도체층의 표면을 절삭할 때에 절연층이나 도체층의 형상(예를 들면, 요철)에 영향을 받기 어렵기 때문에, 도체층의 절삭 부족이나 과잉 절삭을 억제할 수 있다. 또, 절삭에 의해서 가공을 하기 때문에, 도체층의 금속재료에 연마 가공시에 볼 수 있는 것 같은 코너 슬로프가 발생하기 어렵다. 또한, 절연층이나 도체층의 형상(예를 들면, 요철)에 영향을 받기 어렵기 때문에, 절삭 가공면이 평탄(flat)하게 된다. 따라서, 절연층 및 배선층을 복수 적층한 경우에서도 기판 표면이 평탄하게 되어, 노광시에 있어서의 디포커스(Defocus)의 발생을 억제할 수 있다.According to this invention, the conductor layer used as a wiring layer is formed by making at least one part embed | buried in the wiring groove formed in the insulating layer, and the surface of this conductor layer is cut using a cutting tool. Therefore, when cutting the surface of a conductor layer, since it is hard to be influenced by the shape of an insulating layer and a conductor layer (for example, unevenness | corrugation), cutting shortage of an conductor layer and overcut can be suppressed. Moreover, since it processes by cutting, it is hard to produce the corner slope which can be seen at the time of grinding | polishing to the metal material of a conductor layer. Moreover, since it is hard to be influenced by the shape (for example, unevenness | corrugation) of an insulating layer or a conductor layer, a cutting surface becomes flat. Therefore, even when a plurality of insulating layers and wiring layers are laminated, the surface of the substrate is flat, and generation of defocus during exposure can be suppressed.

또한, 절삭공구로서는 다이아몬드 바이트를 이용할 수 있다. 다이아몬드 바이트는 매우 높은 내마모성을 가지기 때문에 장시간 사용할 수 있다. 또, 절삭 후의 표면조도가 낮기 때문에 배선층 표면에 발생하는 요철을 억제할 수 있다. 따라서, 배선층에서 생기는 전기 노이즈를 저감할 수 있다. 또, 경도(硬度)가 높기 때문에 고속도의 절삭 가공을 할 수 있어 생산성이 향상된다.In addition, a diamond bite can be used as a cutting tool. Diamond bites have a very high wear resistance and can be used for a long time. Moreover, since the surface roughness after cutting is low, the unevenness | corrugation which arises in the wiring layer surface can be suppressed. Therefore, electrical noise generated in the wiring layer can be reduced. In addition, since the hardness is high, high-speed cutting can be performed, and productivity is improved.

또한, 본 발명의 일 형태에서는, 제 3 공정에 있어서, 도체층의 표면을 절삭함과 동시에 절연층의 표면을 절삭함으로써 절연층에 조화면(粗化面)을 형성할 수 있다. 절연층에 조화면을 형성함으로써, 절삭면 상에 적층되는 절연층과의 밀착성이 향상된다. 또, 절연층의 표면이 절삭되기 때문에, 배선층을 형성하였을 때에 절연층의 표면에 부착된 배선재료를 에칭에 의해서 제거할 필요가 없게 된다. 따라서, 배선기판의 제조공정을 간략화할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the third step, a roughened surface can be formed on the insulating layer by cutting the surface of the conductor layer and cutting the surface of the insulating layer. By forming a rough surface in an insulating layer, adhesiveness with the insulating layer laminated | stacked on a cutting surface improves. In addition, since the surface of the insulating layer is cut, it is not necessary to remove the wiring material attached to the surface of the insulating layer by etching when the wiring layer is formed. Therefore, the manufacturing process of the wiring board can be simplified.

또, 본 발명의 다른 형태에서는, 제 3 공정에 있어서, 절삭을 복수 회로 나눠서 실시할 수 있다. 절삭을 복수 회로 나눔으로써 정밀한 절삭 가공이 가능하게 된다. 또, 도체층이 두꺼운 경우에서도 절삭할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the cutting can be performed by dividing a plurality of circuits. By dividing the cutting into multiple circuits, precise cutting is possible. Moreover, even when a conductor layer is thick, it can cut.

또한, 본 발명의 또 다른 형태에서는, 제 2 공정을 무전해 도금에 의해서 배선 홈 내에 제 1 도체층을 형성하는 공정과 전해 도금에 의해서 제 1 도체층 상에 제 2 도체층을 형성하는 공정으로 나눠서 실시할 수 있다. 절연층 상에 무전해 도금을 실시함으로써 도체층을 성막속도가 빠른 전해 도금으로 형성할 수 있다. 따라서, 배선기판의 생산성이 향상된다.
In still another aspect of the present invention, the second step is a step of forming a first conductor layer in a wiring groove by electroless plating and a step of forming a second conductor layer on the first conductor layer by electrolytic plating. Can be divided. By carrying out electroless plating on an insulating layer, a conductor layer can be formed by electrolytic plating with a fast film-forming rate. Thus, the productivity of the wiring board is improved.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 배선층이 되는 도체층의 과잉 절삭이나 절삭 부족을 억제할 수 있는 배선기판의 제조방법을 제공할 수 있다.
As explained above, according to this invention, the manufacturing method of the wiring board which can suppress the excessive cutting of the conductor layer used as a wiring layer, or a lack of cutting can be provided.

도 1은 실시형태에 관한 배선기판의 단면도
도 2는 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(코어기판 공정)
도 3은 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(빌드업 공정)
도 4는 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(빌드업 공정)
도 5는 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(빌드업 공정)
도 6은 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(솔더 레지스트층 공정)
도 7은 실시형태에 관한 배선기판의 제조 공정도(백 앤드(back end) 공정)
도 8은 CMP에 의한 연마의 예를 나타내는 도면
도 9는 실시예에 관한 절삭면의 SEM 사진
1 is a cross-sectional view of a wiring board according to an embodiment.
2 is a manufacturing process diagram of a wiring board according to the embodiment (core board process).
3 is a manufacturing process diagram of the wiring board according to the embodiment (build-up process)
4 is a manufacturing process diagram of the wiring board according to the embodiment (build-up process)
5 is a manufacturing process diagram of the wiring board according to the embodiment (build-up process)
6 is a manufacturing process chart of the wiring board according to the embodiment (solder resist layer step).
7 is a manufacturing process diagram (back end process) of the wiring board according to the embodiment;
8 shows an example of polishing by CMP.
9 is a SEM photograph of a cutting surface according to an embodiment

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 설명에서는 코어기판 상에 빌드업층을 형성한 배선기판을 예로 하여 본 발명의 실시형태를 설명하지만, 코어기판을 가지지 않는 배선기판이어도 좋다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described in detail, referring drawings. In the following description, the embodiment of the present invention will be described with reference to a wiring board having a buildup layer formed on the core board as an example. However, the wiring board having no core board may be used.

≪실시형태≫`` Embodiment ''

도 1은 실시형태에 관한 배선기판(1)의 단면도이다. 배선기판(1)은 코어기판(2)과, 코어기판(2)의 양면에 각각 형성된 빌드업층(3)(표면측) 및 빌드업층(13)(이면측)과, 빌드업층(3) 상에 형성된 솔더 레지스트층(4)(표면측)과, 빌드업층(13) 상에 형성된 솔더 레지스트층(14)(이면측)과, 빌드업층(3)의 접속단자(T1) 상에 형성된 솔더 범프(5)(표면측)와, 빌드업층(13)의 접속단자(T11) 상에 형성된 솔더 볼(15)(이면측)을 구비한다.1 is a cross-sectional view of a wiring board 1 according to the embodiment. The wiring board 1 includes the core board 2, the build-up layer 3 (surface side) and the build-up layer 13 (rear side) formed on both surfaces of the core board 2, and the build-up layer 3, respectively. Formed on the solder resist layer 4 (surface side), the solder resist layer 14 (back side) formed on the buildup layer 13, and the solder bumps formed on the connection terminal T1 of the buildup layer 3. (5) (surface side) and the solder ball 15 (rear side) formed on the connection terminal T11 of the buildup layer 13 are provided.

코어기판(2)은 내열성 수지판(예를 들면, 비스말레이미드 트리아진 수지판)이나 섬유 강화 수지판(예를 들면, 유리 섬유 강화 에폭시 수지) 등으로 구성된 판상의 수지제 기판이다. 코어기판(2)의 표면 및 이면에는 금속 배선(L1,L11)을 이루는 코어 도체층(21,22)이 각각 형성되어 있다. 또, 코어기판(2)에는 드릴 등에 의해 천공된 스루홀(23)이 형성되고, 그 내벽면에는 코어 도체층(21,22)을 서로 도통시키는 스루홀 도체(24)가 형성되어 있다. 또한, 스루홀(23)은 에폭시 수지 등의 수지제 구멍 매립재(25)에 의해서 충전되어 있다.The core board | substrate 2 is a plate-shaped resin board comprised from a heat resistant resin board (for example, bismaleimide triazine resin board), a fiber reinforced resin board (for example, glass fiber reinforced epoxy resin), etc. The core conductor layers 21 and 22 which form the metal wiring L1 and L11 are formed in the surface and the back surface of the core board | substrate 2, respectively. In addition, through-holes 23 drilled by a drill or the like are formed in the core substrate 2, and through-hole conductors 24 which conduct the core conductor layers 21 and 22 to each other are formed in the inner wall surface thereof. In addition, the through hole 23 is filled with the resin hole filling material 25 such as an epoxy resin.

〈표면측의 구성〉<Constitution of the surface side>

빌드업층(3)은 코어기판(2)의 표면측에 적층된 수지 절연층(31,33) 및 수지 절연층(31,33)에 각각 형성된 배선층(32,34)으로 이루어진다. 수지 절연층(31)은 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 수지 절연층(31)에는 소망하는 형상으로 배선 홈(31a) 및 비아 홀(31b)이 형성되고, 이 배선 홈(31a) 및 비아 홀(31b) 내에는 금속 배선(L2)을 이루는 배선층(32) 및 이 배선층(32)과 코어 도체층(21)을 전기적으로 접속하는 비아 도체(35)가 도금법에 의해서 형성되어 있다.The buildup layer 3 consists of the resin insulating layers 31 and 33 laminated on the surface side of the core substrate 2 and the wiring layers 32 and 34 formed on the resin insulating layers 31 and 33, respectively. The resin insulating layer 31 is made of a thermosetting resin composition. The wiring groove 31a and the via hole 31b are formed in the resin insulating layer 31 in a desired shape, and the wiring layer 32 forming the metal wiring L2 is formed in the wiring groove 31a and the via hole 31b. ) And via conductors 35 which electrically connect the wiring layer 32 and the core conductor layer 21 to each other are formed by the plating method.

수지 절연층(33)은 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 수지 절연층(33)에는 소망하는 형상으로 배선 홈(33a) 및 비아 홀(33b)이 형성되고, 이 배선 홈(33a) 및 비아 홀(33b) 내에는 접속단자(T1)를 가지는 배선층(34) 및 이 배선층(34)과 배선층(32)을 전기적으로 접속하는 비아 도체(36)가 도금법에 의해서 형성되어 있다. 접속단자(T1)는 예를 들면 반도체 칩과 접속하는 접속단자이다. 또한, 접속단자(T1)의 표면에는 무전해 도금에 의해서 니켈(Ni)이 도금되고, 이 니켈(Ni) 상에 무전해 도금에 의해서 금(Au)이 더 도금되어 있다.The resin insulating layer 33 consists of a thermosetting resin composition. A wiring groove 33a and a via hole 33b are formed in the resin insulating layer 33 in a desired shape, and the wiring layer 34 having the connection terminal T1 is formed in the wiring groove 33a and the via hole 33b. ) And via conductors 36 which electrically connect the wiring layer 34 and the wiring layer 32 to each other are formed by the plating method. The connection terminal T1 is, for example, a connection terminal for connecting with a semiconductor chip. Further, nickel (Ni) is plated on the surface of the connection terminal T1 by electroless plating, and gold (Au) is further plated on the nickel (Ni) by electroless plating.

솔더 레지스트층(4)은 필름 형상 또는 액상의 솔더 레지스트를 빌드업층(3)의 표면 상에 적층하여 형성되어 있다. 솔더 레지스트층(4)에는 각 접속단자(T1)의 표면의 일부를 노출시키는 개구(4a)가 형성되어 있다. 그러므로, 각 접속단자(T1)는 그 표면의 일부가 개구(4a)에 의해서 솔더 레지스트층(4)에서 노출된 상태로 되어 있다. 즉, 솔더 레지스트층(4)의 개구(4a)는 각 접속단자(T1)의 표면의 일부를 노출시킨 SMD(Solder Mask Defined) 형상으로 되어 있다.The soldering resist layer 4 is formed by laminating a film or liquid solder resist on the surface of the buildup layer 3. In the soldering resist layer 4, the opening 4a which exposes a part of the surface of each connection terminal T1 is formed. Therefore, each connection terminal T1 is in a state where a part of its surface is exposed in the soldering resist layer 4 by the opening 4a. That is, the opening 4a of the solder resist layer 4 has a SMD (Solder Mask Defined) shape in which a part of the surface of each connection terminal T1 is exposed.

개구(4a) 내에는 예를 들면 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, Sn-Sb 등의 실질적으로 Pb을 함유하지 않는 솔더로 이루어지는 솔더 범프(5)가 접속단자(T1)와 전기적으로 접속하도록 형성되어 있다. 또한, 배선기판(1)의 표면에 반도체 칩 등을 실장할 때에는 배선기판(1)의 솔더 범프(5)를 리플로우 함으로써 배선기판(1)의 접속단자(T1)와 반도체 칩 등의 접속단자를 전기적으로 접속한다.In the opening 4a, solder bumps 5 made of solder substantially free of Pb, such as, for example, Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, and Sn-Sb, are connected to the connection terminal T1. It is formed so as to be electrically connected. In addition, when mounting a semiconductor chip or the like on the surface of the wiring board 1, the solder bumps 5 of the wiring board 1 are reflowed so that the connection terminal T1 of the wiring board 1 and the connection terminal of the semiconductor chip, etc. Is electrically connected.

〈이면측의 구성〉<Constitution of the back side>

빌드업층(13)은 코어기판(2)의 이면측에 적층된 수지 절연층(131,133) 및 수지 절연층(131,133)에 각각 형성된 배선층(132,134)으로 이루어진다. 수지 절연층(131)은 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 수지 절연층(131)에는 소망하는 형상으로 배선 홈(131a) 및 비아 홀(131b)이 형성되고, 이 배선 홈(131a) 및 비아 홀(131b) 내에는 금속 배선(L12)을 이루는 배선층(132) 및 이 배선층(132)과 코어 도체층(22)을 전기적으로 접속하는 비아 도체(135)가 도금법에 의해 형성되어 있다.The buildup layer 13 is composed of the resin insulating layers 131 and 133 laminated on the back surface side of the core substrate 2 and the wiring layers 132 and 134 formed on the resin insulating layers 131 and 133, respectively. The resin insulating layer 131 is made of a thermosetting resin composition. A wiring groove 131a and a via hole 131b are formed in the resin insulating layer 131 in a desired shape, and the wiring layer 132 forming the metal wiring L12 is formed in the wiring groove 131a and the via hole 131b. ) And a via conductor 135 that electrically connects the wiring layer 132 and the core conductor layer 22 are formed by the plating method.

수지 절연층(133)은 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 수지 절연층(133)에는 소망하는 형상으로 배선 홈(133a) 및 비아 홀(133b)이 형성되고, 이 배선 홈(133a) 및 비아 홀(133b) 내에는 접속단자(T11)를 가지는 배선층(134) 및 이 배선층(134)과 배선층(132)을 전기적으로 접속하는 비아 도체(136)가 도금법에 의해 형성되어 있다. 접속단자(T11)는 예를 들면 메인보드나 소켓 등(이하, '메인보드 등'이라 한다)과 접속하는 접속단자이다. 또한, 접속단자(T11)의 표면에는 무전해 도금에 의해서 니켈(Ni)이 도금되고, 또한 이 니켈(Ni) 상에 무전해 도금에 의해서 금(Au)이 더 도금되어 있다.The resin insulating layer 133 is made of a thermosetting resin composition. A wiring groove 133a and a via hole 133b are formed in the resin insulating layer 133 in a desired shape, and a wiring layer 134 having a connection terminal T11 in the wiring groove 133a and the via hole 133b. ) And a via conductor 136 which electrically connects the wiring layer 134 and the wiring layer 132 with the plating method. The connection terminal T11 is a connection terminal which connects with a main board, a socket, etc. (henceforth "main board etc."), for example. Further, nickel (Ni) is plated on the surface of the connection terminal T11 by electroless plating, and gold (Au) is further plated on the nickel (Ni) by electroless plating.

솔더 레지스트층(14)은 필름 형상 또는 액상의 솔더 레지스트를 빌드업층(13)의 표면 상에 적층하여 형성되어 있다. 솔더 레지스트층(14)에는 각 접속단자(T11)의 표면의 일부를 노출시키는 개구(14a)가 형성되어 있다. 그러므로, 각 접속단자(T11)는 그 표면의 일부가 개구(14a)에 의해서 솔더 레지스트층(14)에서 노출된 상태로 되어 있다. 즉, 솔더 레지스트층(14)의 개구(14a)는 각 접속단자(T11)의 표면의 일부를 노출시킨 SMD 형상으로 되어 있다.The solder resist layer 14 is formed by laminating a film-like or liquid solder resist on the surface of the buildup layer 13. The solder resist layer 14 is formed with an opening 14a exposing a part of the surface of each connection terminal T11. Therefore, each connection terminal T11 is in a state in which a part of its surface is exposed in the solder resist layer 14 by the opening 14a. That is, the opening 14a of the soldering resist layer 14 is a SMD shape which exposed a part of surface of each connection terminal T11.

개구(14a) 내에는 예를 들면 Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, Sn-Sb 등의 실질적으로 Pb을 함유하지 않는 솔더로 이루어지는 솔더 볼(15)이 접속단자(T11)와 전기적으로 접속하도록 형성되어 있다. 또한, 배선기판(1)의 이면에 메인보드 등을 실장할 때에는 배선기판(1)의 솔더 볼(15)을 리플로우 함으로써 배선기판(1)의 접속단자(T11)와 메인보드 등의 접속단자를 전기적으로 접속한다.In the opening 14a, solder balls 15 made of solder substantially free of Pb, such as Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, Sn-Sb, and the like, are connected to the connection terminal T11. It is formed so as to be electrically connected. When the main board or the like is mounted on the back surface of the wiring board 1, the solder balls 15 of the wiring board 1 are reflowed to connect the terminal T11 of the wiring board 1 with the connection terminal of the main board or the like. Is electrically connected.

〈배선기판(1)의 제조방법〉<Method of manufacturing wiring board 1>

도 2~도 4는 도 1을 참조하여 설명한 배선기판(1)의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다. 이하, 도 2~도 4를 참조하여 배선기판(1)의 제조방법에 대해서 설명한다.2 to 4 are diagrams for explaining the manufacturing process of the wiring board 1 described with reference to FIG. Hereinafter, the manufacturing method of the wiring board 1 is demonstrated with reference to FIGS.

(코어기판 공정: 도 2)(Core substrate process: Fig. 2)

판상의 수지제 기판의 표면 및 이면에 동박이 점착된 동장 적층판을 준비한다. 또, 동장 적층판에 대해서 드릴을 이용하여 펀칭가공을 실시하여 스루홀(23)이 되는 관통구멍을 소정 위치에 미리 형성하여 둔다. 그리고, 종래의 공지 수법에 따라서 무전해 구리 도금 및 전해 구리 도금을 실시함으로써 스루홀(23) 내벽에 스루홀 도체(24)를 형성하고, 동장 적층판의 양면에 구리 도금층을 형성한다{도 2(a) 참조}.The copper clad laminated board which copper foil adhered to the surface and back surface of a plate-shaped resin substrate is prepared. Further, punching processing is performed on the copper clad laminate using a drill to form through holes serving as through holes 23 at predetermined positions. And through-hole electroplating and electrolytic copper plating are performed according to the conventional well-known method, the through-hole conductor 24 is formed in the inside wall of the through-hole 23, and the copper plating layer is formed in both surfaces of a copper clad laminated board (FIG. 2 ( a) reference}.

그 후, 스루홀 도체(24) 내를 에폭시 수지 등의 수지제 구멍 매립재(25)로 충전한다. 또한, 동장 적층판의 양면의 동박 상에 형성된 구리 도금층을 소망하는 형상으로 에칭하여 동장 적층판의 표면 및 이면에 금속 배선(L1,L11)을 이루는 코어 도체층(21,22)을 각각 형성한 코어기판(2)을 얻는다{도 2(b) 참조}. 또한, 스루홀(23)을 형성한 후에는 가공부분의 스미어를 제거하는 디스미어 처리를 실시하는 것이 바람직하다.Thereafter, the inside of the through hole conductor 24 is filled with a hole filling material 25 made of resin such as an epoxy resin. In addition, the core substrate is formed by etching the copper plating layers formed on the copper foils on both sides of the copper clad laminate in a desired shape to form the core conductor layers 21 and 22, respectively, on the front and back surfaces of the copper clad laminate to form the metal wirings L1 and L11. (2) is obtained (see Fig. 2 (b)). In addition, after forming the through hole 23, it is preferable to perform the desmear process which removes the smear of a process part.

(빌드업 공정: 도 3~도 5)(Build-up process: FIGS. 3-5)

코어기판(2)의 표면 및 이면에 수지 절연층(31,131)이 되는 에폭시 수지를 주성분으로 하는 필름 형상의 절연 수지재료를 각각 겹쳐지게 배치한다. 그리고, 이 적층물을 진공 압착 열 프레스기로 가압 가열하여 필름 형상의 절연 수지재료를 열경화시켜면서 압착한다. 그 다음, 종래의 주지된 레이저 가공장치를 이용하여 레이저 조사를 실시함으로써 수지 절연층(31,131)에 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b)을 각각 형성한다{도 3(a) 참조}. 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b)을 형성한 후에는 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b)의 표면을 조화(粗化)하는 처리를 실시한다. 또한, 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b)을 노광ㆍ현상에 의해서 형성하여도 좋다.On the front and back surfaces of the core substrate 2, film-shaped insulating resin materials containing epoxy resins serving as the resin insulating layers 31 and 131 as main components are arranged to overlap each other. Then, the laminate is pressurized with a vacuum press hot press to press the film while insulating a film-shaped insulating resin material. Subsequently, laser irradiation is performed using a conventionally known laser processing apparatus to form wiring grooves 31a and 131a and via holes 31b and 131b in the resin insulating layers 31 and 131, respectively (Fig. 3 (a)). Reference}. After the wiring grooves 31a and 131a and the via holes 31b and 131b are formed, a process of roughening the surfaces of the wiring grooves 31a and 131a and the via holes 31b and 131b is performed. In addition, the wiring grooves 31a and 131a and the via holes 31b and 131b may be formed by exposure and development.

계속해서, 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b) 내를 포함하는 수지 절연층(31,131)의 표면에 무전해 도금을 실시하여 배선 홈(31a,131a) 및 비아 홀(31b,131b) 내를 포함하는 수지 절연층(31,131)의 표면에 무전해 구리 도금층(제 1 도체층)(C1)을 형성한다. 그 다음, 전해 도금을 실시하여 무전해 구리 도금층(C1) 상에 전해 구리 도금층(제 2 도체층)(C2)을 형성한다{도 3(b) 참조}.Subsequently, electroless plating is performed on the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131 including the wiring grooves 31a and 131a and the via holes 31b and 131b, respectively, to form the wiring grooves 31a and 131a and the via holes 31b, respectively. An electroless copper plating layer (first conductor layer) C1 is formed on the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131 including the inside of 131b). Next, electrolytic plating is performed to form an electrolytic copper plating layer (second conductor layer) C2 on the electroless copper plating layer C1 (see Fig. 3 (b)).

그 다음, 다이아몬드 바이트를 이용하여 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)으로 구성되는 도체층을 두께방향으로 복수 회로 나눠서 절삭함으로써, 여분의 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)을 제거하여{도 4(a) 참조}, 배선층(32,132) 및 비아 도체(35,135)를 얻는다{도 4(b) 참조}. 또한, 도 4(a) 이후는 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)을 하나의 층으로서 기재하고 있다.Then, the conductor layer composed of the electroless copper plating layer (C1) and the electrolytic copper plating layer (C2) is cut into a plurality of circuits in the thickness direction by using a diamond bite, so that the extra electroless copper plating layer (C1) and the electrolytic copper plating layer are cut. (C2) is removed (see FIG. 4 (a)) to obtain wiring layers 32 and 132 and via conductors 35 and 135 (see FIG. 4 (b)). In addition, after FIG.4 (a), the electroless copper plating layer (C1) and the electrolytic copper plating layer (C2) are described as one layer.

도 4(a)에서는 3회로 나눠서 각각 절삭면(A1~A3)의 위치가 될 때까지 표면측에서부터 소정의 두께씩 여분의 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)을 절삭하고 있다. 또, 3번째의 절삭에서는 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)의 표면을 절삭할 때에 절연층인 수지 절연층(31,131)의 표면도 절삭하여 수지 절연층(31,131)의 표면에 조화면(粗化面)을 형성하고 있다.In Fig. 4 (a), the extra electroless copper plating layer C1 and the electrolytic copper plating layer C2 are cut by the predetermined thickness from the surface side until the cutting surfaces A1 to A3 are positioned in three times. . In the third cutting process, when the surfaces of the electroless copper plating layer C1 and the electrolytic copper plating layer C2 are cut, the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131, which are insulating layers, are also cut to the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131. A rough surface is formed.

복수 회로 나눠서 절삭함으로써, 보다 정밀한 절삭가공이 가능하게 된다. 또, 복수 회로 나눔으로써, 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)이 두꺼운 경우에서도 절삭할 수 있다. 또한, 수지 절연층(31,131)의 표면에 조화면을 형성함으로써, 수지 절연층(31,131) 상에 적층되는 수지 절연층(33,133)과의 밀착성이 향상된다. 또, 수지 절연층(31,131)의 표면이 절삭되기 때문에, 수지 절연층(31,131)의 표면에 부착된 배선재료(구리)를 에칭에 의해서 제거하는 공정을 생략할 수 있어 배선기판(1)의 제조 공정을 간략화할 수 있다. 또한, 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)의 절삭은 시판의 절삭장치, 예를 들면 DISCO사 제품의 FS8910을 이용하여 실시할 수 있다.By cutting a plurality of circuits, more precise cutting is possible. Moreover, by dividing into multiple circuits, it can cut also when the electroless copper plating layer C1 and the electrolytic copper plating layer C2 are thick. In addition, by forming a roughened surface on the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131, the adhesion to the resin insulating layers 33 and 133 laminated on the resin insulating layers 31 and 131 is improved. In addition, since the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131 are cut, the step of removing the wiring material (copper) adhered to the surfaces of the resin insulating layers 31 and 131 by etching can be omitted, thereby producing the wiring board 1. The process can be simplified. In addition, cutting of an electroless copper plating layer C1 and an electrolytic copper plating layer C2 can be performed using a commercially available cutting device, for example, FS8910 by DISCO.

표면이 조면화된 수지 절연층(31,131) 상에 수지 절연층(33,133)이 되는 에폭시 수지를 주성분으로 하는 필름 형상의 절연 수지재료를 각각 겹쳐지게 배치한다. 그리고, 이 적층물을 진공 압착 열 프레스기로 가압 가열하여 필름 형상의 절연 수지재료를 열경화시키면서 압착한다. 그 다음, 종래의 주지된 레이저 가공장치를 이용하여 레이저 조사를 실시함으로써 수지 절연층(33,133)에 배선 홈(33a,133a) 및 비아 홀(33b,133b)을 각각 형성한다{도 5(a) 참조}. 배선 홈(33a,133a) 및 비아 홀(33b,133b)을 형성한 후에는 배선 홈(33a,133a) 및 비아 홀(33b,133b)의 표면을 조화하는 처리를 실시한다. 또한, 배선 홈(33a,133a) 및 비아 홀(33b,133b)을 노광ㆍ현상에 의해서 형성하여도 좋다.On the resin insulating layers 31 and 131 whose surface is roughened, the film-shaped insulating resin material which has the epoxy resin used as the resin insulating layers 33 and 133 as a main component is respectively overlapped. Then, the laminate is pressurized and heated with a vacuum press heat press to press the film while insulating the insulating resin material in a thermosetting manner. Subsequently, laser irradiation is performed using a conventionally known laser processing apparatus to form wiring grooves 33a and 133a and via holes 33b and 133b in the resin insulating layers 33 and 133, respectively (Fig. 5 (a)). Reference}. After the wiring grooves 33a and 133a and the via holes 33b and 133b are formed, a process of matching the surfaces of the wiring grooves 33a and 133a and the via holes 33b and 133b is performed. Further, the wiring grooves 33a and 133a and the via holes 33b and 133b may be formed by exposure and development.

계속해서, 배선층(32,132) 및 비아 도체(35,135)를 얻었을 때와 마찬가지로 하여, 배선 홈(33a,133a) 및 비아 홀(33b,133b) 내를 포함하는 수지 절연층(33,133)의 표면에 무전해 도금을 실시하고, 그 위에 전해 도금을 실시한다. 그 후, 다이아몬드 바이트를 이용하여 무전해 구리 도금층 및 전해 구리 도금층을 절삭함으로써, 여분의 무전해 구리 도금층 및 전해 구리 도금층을 제거하여 배선층(34,134) 및 비아 도체(36,136)를 얻는다{도 5(b) 참조}.Subsequently, in the same manner as when the wiring layers 32 and 132 and the via conductors 35 and 135 are obtained, the surfaces of the resin insulating layers 33 and 133 including the wiring grooves 33a and 133a and the via holes 33b and 133b are electrically charged. The plating is carried out, and electroplating is performed thereon. Thereafter, the electroless copper plating layer and the electrolytic copper plating layer are cut using the diamond bite, thereby removing the extra electroless copper plating layer and the electrolytic copper plating layer to obtain the wiring layers 34 and 134 and the via conductors 36 and 136 (Fig. 5 (b). ) Reference}.

또한, 이 경우에도 무전해 구리 도금층(C1) 및 전해 구리 도금층(C2)을 절삭하였을 때와 마찬가지로 복수 회로 나눠서 실시하는 것이 바람직하다. 또, 절연층인 수지 절연층(33,133)의 표면도 절삭하여 조화면을 형성하는 것이 바람직하다. 수지 절연층(33,133)의 표면에 조화면을 형성함으로써 솔더 레지스트층(4,14)과의 밀착성이 향상된다.In this case as well, the electroless copper plating layer (C1) and the electrolytic copper plating layer (C2) are preferably divided into a plurality of circuits as in the case of cutting. In addition, it is preferable that the surfaces of the resin insulating layers 33 and 133 serving as the insulating layers are also cut to form a roughened surface. By forming a rough surface on the surfaces of the resin insulating layers 33 and 133, the adhesion to the solder resist layers 4 and 14 is improved.

(솔더 레지스트층 공정: 도 6)Solder Resist Layer Process: FIG. 6

표층에 접속단자(T1,T11)를 각각 가지는 빌드업층(3,13) 상에 각각 필름 형상의 솔더 레지스트를 프레스하여 적층한다. 빌드업층(3,13) 상에 각각 적층된 필름 형상의 솔더 레지스트를 노광ㆍ현상하여 각 접속단자(T1,T11)의 일부를 노출시키는 SMD 형상의 개구(4a,14a)가 형성된 솔더 레지스트층(4,14)을 얻는다. 그 다음, 접속단자(T1,T11)의 표면에 무전해 도금에 의해서 니켈(Ni) 및 금(Au)을 도금한다.The film-type soldering resist is pressed and laminated on the buildup layers 3 and 13 having the connecting terminals T1 and T11 respectively at the surface layer. A solder resist layer having SMD-shaped openings 4a and 14a for exposing and developing a film-shaped solder resist laminated on the buildup layers 3 and 13 to expose a part of the connection terminals T1 and T11, respectively. 4,14). Then, nickel (Ni) and gold (Au) are plated on the surfaces of the connection terminals T1 and T11 by electroless plating.

(백 앤드 공정(Back end process): 도 7)(Back end process: FIG. 7)

솔더 인쇄에 의해서 솔더 레지스트층(4,14)에 형성된 개구(4a,14a)에서 노출된 접속단자(T1,T11)의 표면에 솔더 페이스트를 도포한 후, 소정의 온도와 시간으로 리플로우를 실시하여 접속단자(T1,T11)와 전기적으로 접속된 솔더 범프(5) 및 솔더 볼(15)을 형성한다.Solder paste is applied to the surfaces of the connection terminals T1 and T11 exposed at the openings 4a and 14a formed in the solder resist layers 4 and 14 by solder printing, and then reflowed at a predetermined temperature and time. The solder bumps 5 and the solder balls 15 electrically connected to the connection terminals T1 and T11 are formed.

이상과 같이, 실시형태에 관한 배선기판(1)은 배선층(32,34,132,134)이 되는 구리 도금층(도체층)을 다이아몬드 바이트를 이용하여 절삭하고 있기 때문에, 절삭 대상인 배선층(32,34,132,134)이나 수지 절연층(31,33,131,133)의 형상(예를 들면, 요철)에 영향을 받기 어렵다. 그러므로, 배선층(32,34,132,134)이 되는 도체층의 절삭 부족이나 과잉 절삭을 억제할 수 있다.As mentioned above, since the wiring board 1 which concerns on embodiment cuts the copper plating layer (conductor layer) used as the wiring layers 32, 34, 132, and 134 using a diamond bite, the wiring layers 32, 34, 132, 134 and resin insulation which are the cutting objects are cut. The shape (for example, irregularities) of the layers 31, 33, 131, 133 is hardly affected. Therefore, the cutting shortage and excess cutting of the conductor layer used as the wiring layers 32, 34, 132, and 134 can be suppressed.

특히, CMP에 의해서 연마할 경우에는, 평면방향에 있어서의 치수가 7㎜×5㎜ 이상인 직사각 형상의 저면 영역을 가지는 홈 상에 형성된 도체층을 제거할 때에, 연마 후의 배선층 상면에 오목부가 생기기 쉽다. 이것은 도 8(a)에 나타낸 바와 같이, 평면방향에 있어서의 치수가 7㎜×5㎜ 이상인 직사각 형상의 저면 영역(201)을 가지는 홈(202) 상에 형성된 도체층(203)은 그 상면에 오목부(204)가 형성되는 경우가 많고, CMP에 의한 연마에서는 연마 전의 도체층(203)의 형상에 영향을 받기 때문에, 상기 오목부(204)를 제거할 수 없기 때문이다{오목부(204) 자체는 작아지게 되지만 제거할 수는 없다}. 따라서, 도 8(b)에 나타낸 바와 같이, CMP에 의한 연마에서는 연마 후의 배선층(205) 상면에 오목부(204)가 남게 된다. 또한, 상기 오목부(204)는, 홈(202)이 적어도 상술한 치수의 저면 영역을 가지고 있으면, 비록 홈(202)의 평면 형상이 직사각 형상 이외의 원형이나 타원형이라 하더라도 남게 된다.In particular, in the case of polishing by CMP, when removing the conductor layer formed on the groove having a rectangular bottom surface area having a dimension in the planar direction of 7 mm x 5 mm or more, a recess is likely to occur on the wiring layer upper surface after polishing. . This is because, as shown in Fig. 8A, the conductor layer 203 formed on the groove 202 having the rectangular bottom surface area 201 having a dimension in the planar direction of 7 mm x 5 mm or more is formed on the upper surface thereof. This is because the concave portion 204 is often formed and the concave portion 204 cannot be removed because the shape of the conductor layer 203 before polishing is affected by polishing by CMP. ) Itself becomes smaller but cannot be removed}. Therefore, as shown in Fig. 8B, in the polishing by CMP, the recess 204 remains on the upper surface of the wiring layer 205 after polishing. Further, the recess 204 remains even if the groove 202 has at least the bottom area of the above-described dimensions, even if the planar shape of the groove 202 is circular or elliptical other than rectangular.

한편, 본 실시형태의 배선기판(1)과 같이 다이아몬드 바이트를 이용하여 절삭하는 경우에는, 상술한 바와 같이 절삭 대상인 도체층(203)의 형상(예를 들면, 요철)에 영향을 받기 어렵다. 따라서, 도 8(c)에 나타낸 바와 같이, 절삭 후의 상면에 오목부(204)가 거의 없는 혹은 오목부(204)가 있다 하더라도 O.5㎛ 이하의 깊이가 되는 배선층(205)을 얻을 수 있다.On the other hand, when cutting using a diamond bite like the wiring board 1 of this embodiment, it is hard to be influenced by the shape (for example, unevenness | corrugation) of the conductor layer 203 which is a cutting object as mentioned above. Therefore, as shown in Fig. 8C, even if there is little concave portion 204 or the concave portion 204 is formed on the upper surface after cutting, the wiring layer 205 having a depth of 0.5 mu m or less can be obtained. .

또, 절삭에 의해서 가공을 하기 때문에, 도체층의 금속재료에 연마 가공시에 볼 수 있는 것 같은 코너 슬로프가 발생하기 어렵다. 또한, 절삭 대상인 배선층(32,34,132,134)이 되는 도체층이나 수지 절연층(31,33,131,133)의 형상에 영향을 받기 어렵기 때문에, 절삭 가공면이 평탄(flat)하게 된다. 따라서, 수지 절연층 및 배선층을 복수 적층한 경우에서도 기판 표면이 평탄하게 되어, 노광시에 있어서의 디포커스(Defocus)가 생기기 어렵다.Moreover, since it processes by cutting, it is hard to produce the corner slope which can be seen at the time of grinding | polishing to the metal material of a conductor layer. In addition, since the shape of the conductor layer and the resin insulating layers 31, 33, 131, and 133, which are the wiring layers 32, 34, 132, and 134 to be cut, is hardly affected, the cutting surface becomes flat. Therefore, even when a plurality of resin insulating layers and wiring layers are laminated, the surface of the substrate becomes flat, and defocus during exposure is unlikely to occur.

또한, 절삭공구로서 다이아몬드 바이트를 이용하기 때문에 장시간 사용할 수 있다. 또, 절삭 후의 표면조도가 낮기 때문에, 배선층(32,34,132,134) 표면에 발생하는 요철을 억제할 수 있다. 따라서, 배선층(32,34,132,134)에서 생기는 전기 노이즈를 저감할 수 있다. 또, 경도(硬度)가 높기 때문에 고속도의 절삭 가공을 할 수 있어 생산성이 향상된다.Moreover, since a diamond bite is used as a cutting tool, it can be used for a long time. Moreover, since the surface roughness after cutting is low, the unevenness | corrugation which arises in the surface of the wiring layer 32, 34, 132, 134 can be suppressed. Therefore, electrical noise generated in the wiring layers 32, 34, 132, and 134 can be reduced. In addition, since the hardness is high, high-speed cutting can be performed, and productivity is improved.

또, 배선층(32,34,132,134)이 되는 도체층의 표면을 절삭할 때에 수지 절연층(31,33,131,133)의 표면도 절삭하여 수지 절연층(31,33,131,133)에 조화면을 형성하고 있다. 따라서, 적층되는 수지 절연층(33,133)이나 솔더 레지스트층(4,14)과의 밀착성이 향상된다. 또, 수지 절연층(31,33,131,133)의 표면이 절삭되기 때문에, 수지 절연층(31,33,131,133)의 표면에 부착된 배선재료(구리 도금층)를 에칭에 의해서 제거할 필요가 없게 된다. 따라서, 배선기판(1)의 제조 공정을 간략화할 수 있다.When cutting the surface of the conductor layer serving as the wiring layers 32, 34, 132 and 134, the surface of the resin insulating layers 31, 33, 131 and 133 is also cut to form roughened surfaces on the resin insulating layers 31, 33, 131 and 133. Therefore, adhesiveness with the resin insulating layers 33 and 133 and the soldering resist layers 4 and 14 laminated | stacked improves. In addition, since the surfaces of the resin insulating layers 31, 33, 131, 133 are cut, it is not necessary to remove the wiring material (copper plating layer) adhered to the surfaces of the resin insulating layers 31, 33, 131, 133 by etching. Therefore, the manufacturing process of the wiring board 1 can be simplified.

또한, 절삭을 복수 회로 나눠서 실시하고 있기 때문에 정밀한 절삭 가공이 가능하게 된다. 또, 도금에 의해서 형성된 구리 도금층(도체층)이 두꺼운 경우에서도 절삭할 수 있다. 또한, 무전해 도금에 의해서 무전해 구리 도금을 형성한 후, 성막속도가 빠른 전해 도금에 의해서 전해 구리 도금층을 형성하고 있다. 따라서, 배선기판(1)의 생산성이 향상된다.
In addition, since the cutting is performed by dividing a plurality of circuits, precise cutting is possible. Moreover, even when the copper plating layer (conductor layer) formed by plating is thick, it can cut. Furthermore, after electroless copper plating is formed by electroless plating, an electrolytic copper plating layer is formed by electrolytic plating with a fast film formation rate. Therefore, the productivity of the wiring board 1 is improved.

[실시예1][Example 1]

이어서, 실시예에 대해서 설명한다. Next, an Example is described.

본 실시예에서는 상술한 제조방법에 의거하여 수지 절연층의 배선 홈 내에 매설되게 형성한 구리 도금층을 다이아몬드 바이트로 절삭한 시료를 작성하고, 이 시료의 절삭면을 SEM(scanning electron microscope)장치로 관찰하였다.In this embodiment, a sample obtained by cutting a diamond bite into a copper plated layer formed to be embedded in a wiring groove of a resin insulating layer is prepared according to the above-described manufacturing method, and the cutting surface of the sample is observed with a scanning electron microscope (SEM) apparatus. It was.

〈시료의 작성〉<Making of sample>

본 발명자들은 코어기판이 되는 판상의 수지제 기판의 표면에 에폭시 수지를 주성분으로 하는 필름 형상의 절연 수지재료를 적층되게 배치하고, 이 적층물을 진공 압착 열 프레스기로 가압 가열하여 필름 형상의 절연 수지재료를 열경화시키면서 압착하였다. 그 후, 레이저 가공장치를 이용하여 레이저 조사를 실시함으로써 열경화된 절연 수지재료에 배선 홈을 형성하고, 무전해 도금 및 전해 도금을 실시하여 배선 홈 내를 포함하는 절연 수지재료의 표면에 구리 도금층을 형성하였다. 그 후, 구리 도금층을 DISCO사 제품의 FS8910을 이용하여 절삭함으로써 배선 홈 내에 배선층을 형성하였다. 또한, 절삭은 다이아몬드 바이트를 사용하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors arrange | positions the film-shaped insulated resin material which has an epoxy resin as a main component laminated | stacked on the surface of the plate-shaped resin substrate used as a core board | substrate, and pressurizes and heats this laminated body with a vacuum compression hot press, and the film-shaped insulated resin is carried out. The material was pressed while thermosetting. Thereafter, laser irradiation is performed using a laser processing apparatus to form wiring grooves in the thermosetting insulating resin material, and electroless plating and electrolytic plating are performed to form a copper plating layer on the surface of the insulating resin material including the wiring grooves. Formed. Then, the wiring layer was formed in the wiring groove by cutting the copper plating layer using FS8910 by DISCO Corporation. In addition, the cutting used the diamond bite.

〈시료의 절삭면〉<Cutting surface of sample>

도 9는 절삭면의 SEM 사진이다. 도 9에 나타낸 바와 같이 절삭면{특히 재질이 다른 구리 도금층(X)과 절연 수지재료(Y)의 경계}에는 요철이 보이지 않아 양호한 상태인 것을 알 수 있다. 또, 이른바 연마 코너 슬로프도 생기지 않았다. 이상과 같이, 실시형태에 관한 배선기판(1)의 제조방법에 의하면, 절삭 대상인 도체층이나 수지 절연층의 형상(예를 들면, 요철)에 영향을 받기 어렵고, 요철이 없는 양호한 절삭면을 얻을 수 있는 것을 알 수 있었다.9 is an SEM photograph of a cutting surface. As shown in FIG. 9, it is understood that the cutting surface (in particular, the boundary between the copper plating layer X and the insulating resin material Y having different materials) does not show irregularities and is in a good state. Moreover, what is called a grinding | polishing corner slope also did not arise. As mentioned above, according to the manufacturing method of the wiring board 1 which concerns on embodiment, it is hard to be influenced by the shape (for example, unevenness | corrugation) of the conductor layer and resin insulating layer which are cutting objects, and the favorable cutting surface without unevenness is obtained. I could see.

〈그 외의 실시형태〉<Other embodiment>

이상, 본 발명을 구체적인 예를 들면서 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기한 내용에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 범주를 일탈하지 않는 한에 있어서 여러 가지 변형이나 변경이 가능하다. 예를 들면, 상기한 실시형태에서는 배선기판(1)이 솔더 볼(15)을 통해서 메인보드 등에 접속되는 BGA 기판인 형태에 대해서 설명하였으나, 솔더 볼(15) 대신에 핀 혹은 랜드를 형성한 이른바 PGA(Pin Grid Array) 기판 혹은 LGA(Land Grid Array) 기판으로서의 배선기판(1)을 메인보드 등에 접속하도록 하여도 좋다.As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail, giving a specific example, this invention is not limited to the above-mentioned content, A various deformation | transformation and a change are possible as long as it does not deviate from the range of this invention. For example, in the above-described embodiment, the form in which the wiring board 1 is a BGA substrate connected to the main board or the like through the solder ball 15 has been described, but a so-called pin or land is formed instead of the solder ball 15. The wiring board 1 as a PGA (Pin Grid Array) substrate or a LGA Array board may be connected to a main board or the like.

또, 상기한 실시형태에서는 솔더 레지스트의 개구의 형상이 접속단자의 표면의 일부가 노출된 이른바 SMD(Solder Mask Defined) 형상으로 되어 있으나, 접속단자의 표면이 모두 노출된 이른바 NSMD(Non-Solder Mask Defined) 형상으로 하여도 좋다. 또한, 상기한 실시형태에서는 도체층을 3회로 나눠서 절삭하였으나, 절삭 회수는 3회에 한정하지 않고 최적한 절삭 회수로 설정할 수 있다.
In the above embodiment, the solder resist opening has a so-called SMD (Solder Mask Defined) shape in which a part of the surface of the connection terminal is exposed, but a so-called non-solder mask in which all of the surface of the connection terminal is exposed. The shape may be defined. In the above embodiment, the conductor layer is cut in three times, but the number of cuttings is not limited to three times but can be set to an optimum number of cuttings.

1 - 배선기판 2 - 코어기판
3 - 빌드업층 4 - 솔더 레지스트층
4a - 개구 5 - 솔더 볼
13 - 빌드업층 14 - 솔더 레지스트층
14a - 개구 15 - 솔더 볼
21,22 - 코어 도체층 23 - 스루홀
24 - 스루홀 도체 25 - 수지제 구멍 매립재
31,33 - 수지 절연층 31a,33a - 배선 홈
32,34 - 배선층 35,36 - 비아 도체
131,133 - 수지 절연층 131a,133a - 배선 홈
132,134 - 배선층 135, 136 - 비아 도체
201 - 저면 영역 202 - 홈
203 - 도체층 204 - 오목부
205 - 배선층 L1,L2 - 금속 배선
L11,L12 - 금속 배선 T1,T11 - 접속단자
1-Wiring Board 2-Core Board
3-buildup layer 4-solder resist layer
4a-opening 5-solder ball
13-Buildup Layer 14-Solder Resist Layer
14a-opening 15-solder balls
21,22-Core Conductor Layer 23-Through Hole
24-Through Hole Conductor 25-Resin Landfill
31,33-Resin Insulation Layer 31a, 33a-Wiring Groove
32,34-Wiring Layer 35,36-Via Conductor
131,133-Resin Insulation Layer 131a, 133a-Wiring Groove
132,134-Wiring Layer 135, 136-Via Conductor
201-Bottom Area 202-Home
203-Conductor layer 204-Recess
205-Wiring Layer L1, L2-Metal Wiring
L11, L12-Metal Wiring T1, T11-Connection Terminal

Claims (6)

절연층 및 배선층을 각각 1층 이상 가지는 배선기판의 제조방법으로서,
상기 절연층에 배선 홈을 형성하는 제 1 공정과,
상기 배선 홈 내에 적어도 일부가 매설되게 하여 상기 배선층이 되는 도체층을 형성하는 제 2 공정과,
상기 도체층의 표면을 절삭공구를 이용하여 절삭함으로써 상기 배선층을 형성하는 제 3 공정을 가지는 배선기판의 제조방법.
As a manufacturing method of a wiring board which has one or more insulating layers and wiring layers, respectively,
A first step of forming a wiring groove in the insulating layer,
A second step of forming a conductor layer serving as the wiring layer by embedding at least a portion in the wiring groove;
And a third step of forming the wiring layer by cutting the surface of the conductor layer with a cutting tool.
청구항 1에 있어서,
상기 제 3 공정은 상기 절삭공구로서 다이아몬드 바이트를 이용하는 것을 특징으로 하는 배선기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
And said third step uses a diamond bite as said cutting tool.
청구항 1에 있어서,
상기 제 3 공정은 상기 도체층의 표면을 절삭함과 동시에 상기 절연층의 표면을 절삭함으로써 상기 절연층에 조화면(粗化面)을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
And wherein said third step cuts the surface of said conductor layer and simultaneously cuts the surface of said insulating layer to form a roughened surface on said insulating layer.
청구항 2에 있어서,
상기 제 3 공정은 상기 도체층의 표면을 절삭함과 동시에 상기 절연층의 표면을 절삭함으로써 상기 절연층에 조화면을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선기판의 제조방법.
The method according to claim 2,
And wherein said third step cuts the surface of said conductor layer and simultaneously cuts the surface of said insulating layer to form a roughened surface on said insulating layer.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 3 공정은 복수 회로 나눠서 절삭하는 것을 특징으로 하는 배선기판의 제조방법.
The method according to any one of claims 1 to 4,
And the third step is to cut a plurality of circuits.
청구항 1에 있어서,
상기 제 2 공정은 무전해 도금에 의해서 상기 배선 홈 내에 제 1 도체층을 형성하는 공정과, 전해 도금에 의해서 상기 제 1 도체층 상에 제 2 도체층을 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 배선기판의 제조방법.
The method according to claim 1,
The second step includes a step of forming a first conductor layer in the wiring groove by electroless plating, and a step of forming a second conductor layer on the first conductor layer by electrolytic plating. Method of manufacturing a substrate.
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