JP2008124124A - Core board manufacturing method, and wiring board manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、コア基板の製造方法及び配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a core substrate manufacturing method and a wiring substrate manufacturing method.
従来より、MPUのパッケージに使用されるプリント基板(配線基板)として、複数の配線基板が積層された多層配線基板が使用されている。
この多層配線基板には、1枚のコアとなる配線基板(コア基板)が使用されており、このコア基板の上に多層に配線基板が形成されている(引用文献1、2参照)。
Conventionally, a multilayer wiring board in which a plurality of wiring boards are stacked is used as a printed board (wiring board) used for an MPU package.
For this multilayer wiring board, a wiring board (core board) serving as a single core is used, and wiring boards are formed in multiple layers on this core board (see cited documents 1 and 2).
上述したコア基板は、例えば下記の手順(1)〜(8)で製造されている。
(1)まず、図5(a)に示す様に、樹脂製の板状コア101の表面に銅箔(Cu層103)が被覆された基板(CCL)105に、均一エッチングを施し、Cu層103の膜厚を5μmに加工する。
The core substrate described above is manufactured, for example, by the following procedures (1) to (8).
(1) First, as shown in FIG. 5A, uniform etching is performed on a substrate (CCL) 105 in which the surface of a resinous plate-
(2)次に、図5(b)に示す様に、エッチング後の基板105にドリル加工を行って、スルーホール107を形成する。
(3)次に、図5(c)に示す様に、メッキ(無電解Cuメッキ+電解Cuメッキ)によって、基板105の表面及びスルーホール107の内周面にCuメッキ層109を形成する。尚、内周面がメッキされたスルーホール107がPTH(Plated Through Hole)である。
(2) Next, as shown in FIG. 5B, the
(3) Next, as shown in FIG. 5C, a
(4)次に、スルーホール107内のCuメッキ層109の表面を、エッチングによって粗化する。
(5)次に、図5(d)に示す様に、穴埋め印刷によって、スルーホール107に樹脂111を充填した後に、樹脂111の硬化を行ってビア113を形成する。
(4) Next, the surface of the
(5) Next, as shown in FIG. 5D, after filling the through
(6)次に、図5(e)に示す様に、基板表面の研磨を行って、ビア113の端部の余分な樹脂111を除去する。
(7)次に、図5(f)に示す様に、ビア113の表面を含む基板表面を覆うように、蓋メッキ(無電解Cuメッキ+電解Cuメッキ)を行う。
(6) Next, as shown in FIG. 5E, the substrate surface is polished to remove
(7) Next, as shown in FIG. 5F, lid plating (electroless Cu plating + electrolytic Cu plating) is performed so as to cover the substrate surface including the surface of the
(8)次に、ドライフィルムによってレジストを形成した後に、サブトラクティブエッチングを行って、配線パターンを形成する。
しかしながら、サブトラクティブ法によって、コア基板に微細な配線を形成する場合には、従来の基板表面の銅厚みでは、エッチング残りが発生するという問題があった。
この対策として、銅厚みを薄くすることが考えられるが、その場合には、下記(1)〜(3)の様な別の問題が生じてしまい、必ずしも十分ではない。
However, when fine wiring is formed on the core substrate by the subtractive method, there is a problem in that etching residue occurs with the copper thickness of the conventional substrate surface.
As a countermeasure, it is conceivable to reduce the copper thickness, but in this case, another problem such as the following (1) to (3) occurs, which is not always sufficient.
(1)CCLでは、表面の銅箔は元々5μm程度であり、通常は、これ以上薄くできない。
(2)PTHメッキは、これ以上薄くすると、バレルクラックの懸念があるので、これ以上薄くできない。
(1) In CCL, the copper foil on the surface is originally about 5 μm, and usually cannot be made thinner than this.
(2) If the PTH plating is thinner than this, there is a risk of barrel cracking, so it cannot be made thinner.
(3)蓋メッキは、薄くし過ぎると、蓋メッキ上に形成する(ビルドアップ)ビアとの接続信頼性に問題が生じる。
つまり、元々の銅箔や(後に形成する)メッキの厚みを、エッチング残りが生じないように、十分に薄くすることができないという問題があった。
(3) If the cover plating is made too thin, there is a problem in connection reliability with vias (build-up) formed on the cover plating.
That is, there is a problem that the thickness of the original copper foil or plating (to be formed later) cannot be made sufficiently thin so as not to cause etching residue.
そこで、蓋メッキの前の工程、即ち、穴埋めした後に行う研磨の工程にて、基板表面のCu層の厚みを薄くしたいところだが、従来の研磨工程での薄膜化は、研磨のバラツキが大きいので、逆に、研磨過剰による下地露出という不具合が発生することがあり、好ましくない。 Therefore, I would like to reduce the thickness of the Cu layer on the substrate surface in the process before lid plating, that is, the polishing process after filling the hole, but the thinning in the conventional polishing process has a large variation in polishing. On the contrary, the problem of underexposure due to excessive polishing may occur, which is not preferable.
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、コア基板表面の導電層の厚みのバラツキを抑えた上で、その導電層を薄膜化して、微細配線を形成することができるコア基板の製造方法及びそのコア基板を用いた配線基板の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and its purpose is to form a fine wiring by reducing the thickness of the conductive layer on the surface of the core substrate and reducing the thickness of the conductive layer. Another object of the present invention is to provide a core substrate manufacturing method and a wiring substrate manufacturing method using the core substrate.
(1)請求項1の発明(コア基板の製造方法)は、基板本体の表面に表面導電層を形成するとともに、スルーホールの内周面にスルーホール導電層を形成する工程と、スルーホール導電層を備えたスルーホール内に、充填材を充填する工程と、充填材の表面側の突出部分及び表面導電層の表面側を、第1研磨により除去する工程と、表面導電層の表面側を、エッチングにより更に除去する工程と、エッチングにより表面に突出した充填材の端部を、第2研磨により除去する工程と、表面導電層の表面及び充填材の表面を、メッキにより被覆導電層で覆う工程と、を備えたことを特徴とする。 (1) The invention of claim 1 (core substrate manufacturing method) includes a step of forming a surface conductive layer on the surface of the substrate body and forming a through-hole conductive layer on the inner peripheral surface of the through-hole; A step of filling the through hole provided with a layer with a filler, a step of removing the protruding portion on the surface side of the filler and the surface side of the surface conductive layer by first polishing, and a surface side of the surface conductive layer. The step of further removing by etching, the step of removing the end of the filler protruding to the surface by etching, the second polishing, and the surface of the surface conductive layer and the surface of the filler are covered with the coated conductive layer by plating And a process.
本発明では、第1研磨後に、エッチングを行って表面導電層を薄化し、そのエッチングによって突出した充填材を第2研磨によって除去し、その後メッキによって基板表面を被覆導電層で覆うので、従来に比べて、表面導電層を、バラツキなく均一に薄くすることができる。 In the present invention, after the first polishing, etching is performed to thin the surface conductive layer, the filler protruding by the etching is removed by the second polishing, and then the substrate surface is covered with the covering conductive layer by plating. In comparison, the surface conductive layer can be uniformly thin without variation.
つまり、表面導電層の厚みのバラツキを抑えた上で、その表面導電層を薄膜化することができるので、エッチングによって配線を形成する際に、エッチング残りが生じることなく、よって、好適に微細配線を形成することができるという顕著な効果を奏する。 In other words, since the surface conductive layer can be thinned while suppressing variations in the thickness of the surface conductive layer, there is no etching residue when the wiring is formed by etching. There is a remarkable effect that can be formed.
尚、後述する様に、基板本体の表面に予め導電層(ベース導電層)を備えている場合にには、「表面導電層を形成する」とは、ベース導電層を下層に含んで一体となった導電層を形成することである。 As will be described later, when a conductive layer (base conductive layer) is provided in advance on the surface of the substrate body, “to form a surface conductive layer” means that the base conductive layer is included in the lower layer and integrated. Forming a conductive layer.
(2)請求項2の発明では、基板本体は、絶縁性の板状コア又は該絶縁性の板状コアの表面にベース導電層を備えたものである。
本発明は、基板本体を例示したものである。このうち、特に、基板本体として、板状コアをベース導電層で被覆したものを採用することにより、表面導電層の必要な厚みを容易に確保することができる。
(2) In the invention of claim 2, the substrate body is provided with an insulating plate-like core or a base conductive layer on the surface of the insulating plate-like core.
The present invention exemplifies a substrate body. Of these, the required thickness of the surface conductive layer can be easily ensured by employing a substrate body in which a plate-like core is covered with a base conductive layer.
尚、板状コアの表面にベース導電層を備えている場合には、前記表面導電層は、ベース導電層とその表面に形成された導電層(例えばメッキによって形成される第1導電層)とから構成されるが、ベース導電層が無い場合には、例えばメッキによって形成される第1導電層が、そのまま表面導電層となる。 In the case where a base conductive layer is provided on the surface of the plate-shaped core, the surface conductive layer includes a base conductive layer and a conductive layer (for example, a first conductive layer formed by plating) formed on the surface. However, when there is no base conductive layer, the first conductive layer formed by plating, for example, becomes the surface conductive layer as it is.
(3)請求項3の発明では、第2研磨として、バフ研磨を採用する。
このバフ研磨とは、布による研磨であり、これにより、表面導電層の表面を殆ど(或いは全く)削ることなく、充填材のみを容易に除去することができる。
(3) In invention of Claim 3, buffing is employ | adopted as 2nd grinding | polishing.
This buffing is polishing with a cloth, whereby only the filler can be easily removed without scraping the surface of the surface conductive layer almost (or not at all).
(4)請求項4の発明では、エッチングにより、基板本体上の導電層全体の厚みを、5μm以上15μm以下とする。
この厚みであれば、下地が露出することなく、後に被覆導電層を形成した場合でも、導電層の厚みを十分に薄膜化することができる。
(4) In invention of Claim 4, the thickness of the whole conductive layer on a board | substrate body shall be 5 micrometers or more and 15 micrometers or less by an etching.
With this thickness, the underlying layer is not exposed, and the thickness of the conductive layer can be sufficiently reduced even when a coated conductive layer is formed later.
尚、前記基板本体上の導電層全体とは、ベース導電層の有無にかかわらず、板状コア上に形成された導電層の全体を示している。
(5)請求項5の発明では、被覆導電層を形成した後の基板本体上の導電層全体の厚みを、15μm以上20μm以下としている。
The entire conductive layer on the substrate body indicates the entire conductive layer formed on the plate-like core regardless of the presence or absence of the base conductive layer.
(5) In invention of
本発明では、導電層の厚みを十分に薄膜化することができるので、後にエッチングによって配線を形成した場合でも、エッチング残りを生じにくく、よって、微細配線容易に形成することができる。 In the present invention, since the thickness of the conductive layer can be sufficiently reduced, even when wiring is formed later by etching, it is difficult for etching residue to occur, so that fine wiring can be easily formed.
尚、前記基板本体上の導電層全体とは、ベース導電層の有無にかかわらず、板状コア上に形成された導電層の全体を示している。
(6)請求項6の発明では、上述したコア基板の製造方法により製造されたコア基板の表面に、ビルドアップ層を積層形成して、多層の配線基板を製造する。
The entire conductive layer on the substrate body indicates the entire conductive layer formed on the plate-like core regardless of the presence or absence of the base conductive layer.
(6) In the invention of claim 6, a build-up layer is formed on the surface of the core substrate manufactured by the above-described core substrate manufacturing method to manufacture a multilayer wiring substrate.
これによって、微細配線を備えた配線基板を容易に製造することができる。 Thereby, a wiring board provided with fine wiring can be easily manufactured.
次に、本発明の最良の形態(実施形態)について、図面に基づいて説明する。
[実施形態]
a)まず、本実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板について説明する。尚、図1は配線基板の断面構造を模式的に示すものである。
Next, the best mode (embodiment) of the present invention will be described based on the drawings.
[Embodiment]
a) First, the wiring board manufactured by the manufacturing method of the wiring board of this embodiment will be described. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional structure of the wiring board.
図1に示す様に、配線基板1は、コア基板3の上下両面に、複数のビルドアップ層5〜11を積層して形成したものである。
前記コア基板3は、配線基板1の機械的強度を確保するための芯となるものであり、主として、絶縁性を有する板状コア13と、その両表面に形成されたコア導体層15、17と、両表面のコア導体層15、17を電気的に接続するビア19とから構成されている。
As shown in FIG. 1, the wiring substrate 1 is formed by laminating a plurality of
The core substrate 3 serves as a core for securing the mechanical strength of the wiring substrate 1, and mainly includes a plate-
このうち、板状コア13は、耐熱性樹脂板(例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板材である。
Among these, the plate-
コア導体層15、17は、板状コア13の上下の両表面に、その表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成された銅からなる配線金属層であり、電源層または接地層として用いられるものである。
The
ビア19は、板状コア13に空けられたスルーホール21の内周面に、銅からなるスルーホール導電層23が形成され、スルーホール導電層23内側の貫通孔25に、エポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材(充填材)27が充填されたものである。このスルーホール導体層23によって、板状コア13の両表面のコア導体層15、17が電気的に接続されている。
In the
また、前記ビルドアップ層5〜11は、熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂絶縁層であり、そのうち第1ビルドアップ層5、7は、コア導体層15、17の上層(即ち板状コア13の両表面上)に形成されている。
The build-up
前記第1ビルドアップ層5、7の表面には、それぞれ配線金属層である第1導体層29、31がCuメッキにより形成されている。なお、コア導体層15、17と第1導体層29、31とは、それぞれビア33、35により層間接続がなされている。
On the surfaces of the first build-up
同様に、第1導体層29、31の上層(即ち第1ビルドアップ層5、7の両表面)上には、第2ビルドアップ層9、11がそれぞれ形成され、第2ビルドアップ層9、11の表面には、それぞれ第2導体層41、43が形成されている。また、第2導体層41、43は、金属端子パッド37、39を有している。なお、第1導体層29、31と第2導体層41、43とは、それぞれビア45、47により層間接続がなされている。
Similarly, second buildup layers 9 and 11 are formed on the upper layers of the first conductor layers 29 and 31 (that is, both surfaces of the first buildup layers 5 and 7), respectively. 11 are formed with second conductor layers 41 and 43, respectively. The second conductor layers 41 and 43 have
更に、前記金属端子パッド37、39のうち、図1の上方(第1主面側)の金属端子パッド37には、集積回路チップなどをフリップチップ接続するための半田バンプ49が形成されている。
Further, of the
つまり、金属端子パッド37は、配線基板1の第1主表面の中央部分に格子状に配列されており、各々その上に形成された半田バンプ49とともにチップ搭載部が形成されている。なお、半田バンプ49は、例えばSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Sbなど実質的にPbを含有しない半田にて構成することができる。
That is, the
一方、図1の下方(第2主面側)の金属端子パッド39は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ(PGA)あるいはボールグリッドアレイ(BGA)により接続するための裏面ランド(PGAパッド、BGAパッド)として利用されるものである。尚、第2主面側の金属端子パッド39も、格子状に配列されている。
On the other hand, the
そして、各第2導体層41、43(即ち第2ビルドアップ層9、11)上には、それぞれ、感光性または熱硬化性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層51、52が形成されている。尚、ソルダーレジスト層51、52は、半田バンプ49や金属端子パッド39のランド部分が露出するように形成されている。
Solder resist
b)次に、本実施形態の(コア基板の製造方法を含む)配線基板の製造方法を説明する。尚、図2及び図3は、配線基板の製造手順を示す説明図である。
前記配線基板1は、公知のビルドアップ法等を利用して、板状コア13の両主表面に、順次ビルドアップ層5〜11等を形成することにより製造することができる。以下、具体的に説明する。
b) Next, a method for manufacturing a wiring board (including a method for manufacturing a core substrate) of this embodiment will be described. 2 and 3 are explanatory views showing a manufacturing procedure of the wiring board.
The wiring board 1 can be manufactured by sequentially forming
・まず、図2(a)に示すように、コア基板3を製造するために、繊維強化樹脂板等の板状コア13の両側に、Cu箔等(ベース導電層)53、55が被覆された基板本体(銅被覆基板:CCL)57を用意する。
First, as shown in FIG. 2A, in order to manufacture the core substrate 3, Cu foils (base conductive layers) 53 and 55 are coated on both sides of the plate-
この板状コア13の厚みは600μm(100〜2000μmの範囲で可能)であり、ベース導電層53、55の厚みは12μm(又は18μm)である。
なお、ここでは、基板本体として銅被覆基板57を用いるが、ベース導電層53、55を備えていない基板本体(即ち板状コア13のみ)を採用することも可能である。
The plate-
Here, the copper-coated
・次に、図2(b)に示すように、過酸化水素・硫酸系化学研磨液(クリーンエッチSE−07:三菱ガス化学(株)製)を用いて、ベース導電層53、55の表面を全面エッチングし、その厚みを5μmとする。
Next, as shown in FIG. 2 (b), the surface of the base
・次に、図2(c)に示すように、エッチングを施した銅被覆基板57に、ドリル等の方法で、基板の厚さ方向に貫通する直径約250μm(50〜550μmの範囲で可能)のスルーホール21を複数穿孔する。
Next, as shown in FIG. 2 (c), a diameter of about 250 μm (possible in the range of 50 to 550 μm) penetrating the etched copper-coated
・次に、図2(d)に示すように、そのスルーホール21の内周面と銅被覆基板57の上下の両表面上に、Cuの無電解メッキを施し、その上にCuの電解メッキを施して、スルーホール導電層23及び第1導電層59、61を形成する。尚、エッチング後のベース導電層53、55と第1導電層59、61とによって、第1積層導電層(表面導電層)63、65が構成される。
Next, as shown in FIG. 2D, the electroless plating of Cu is performed on the inner peripheral surface of the through-
ここで、スルーホール21内と銅被覆基板57の表面とでは、メッキによるCuの被膜の形成速度が異なるので、図4に示すように、スルーホール導電層23の厚みt1より第1導電層59、61の厚みt2が大きくなる。なお、メッキの厚みの比(スローイングパワー)t1/t2は、通常、0.9程度となる。
Here, since the formation rate of the Cu film by plating is different between the inside of the through
また、スルーホール導電層23の厚みt1は、バレルクラックを防止する観点から、15μm以上必要と考えられるので、ここでは、スルーホール導電層23の厚みt1=16μm、第1導電層59、61の厚みt2=23μmとされている。尚、エッチング後のベース導電層53、55の厚みt3は5μmであるので、第1積層導電層63、65の厚みt4は、28μmである。
In addition, since the thickness t1 of the through-hole
・次に、図2(e)に示すように、メッキを施した銅被覆基板57を水平に保った状態で、その一方の主面(本実施例では上側)に印刷用マスク67を重ね合わせる。この印刷用マスク67には、スルーホール21の形成位置に対応した開口部69が設けられている。
Next, as shown in FIG. 2E, with the plated copper-coated
そして、印刷用マスク67の表面上に(エポキシ樹脂等からなる)樹脂ペースト73を配置し、スキージ71等の印刷器具を印刷用マスク67上で移動させて、樹脂ペースト73を開口部69を介してスルーホール21内(詳しくはスルーホール導電層23内側の貫通孔25内)に一時に圧入していく。
Then, a resin paste 73 (made of epoxy resin or the like) is placed on the surface of the
これにより、樹脂ペースト57は、銅被覆基板57の表面上にて、貫通孔25の表面側に印刷用マスク67の厚さ分だけ盛り上がって印刷されるとともに、貫通孔25の周縁から外向きに張り出す位置にも盛り上がって印刷される。
As a result, the
・次に、図3(a)に示すように、樹脂ペースト73を充填した銅被覆基板57の表面から印刷用マスク67を離間させ、充填した樹脂ペースト73を乾燥させて硬化させる。
これにより、樹脂ペースト73は、銅被覆基板57の表面にて盛り上がるようにして硬化した状態(樹脂穴埋め材27)となる。
Next, as shown in FIG. 3A, the
As a result, the
・次に、図3(b)に示すように、銅被覆基板57の表面を研磨(第1研磨)して、その表面を平坦にする。つまり、銅被覆基板57の表面に盛り上がった樹脂穴埋め材27の端部を除去するとともに、貫通孔25内の樹脂穴埋め材27の表面と銅被覆基板57の表面とが面一になるように研磨加工する。
Next, as shown in FIG. 3B, the surface of the copper-coated
このとき、第1導電層59、61の表面全体(従って第1積層導電層63、65の表面全体)も研磨されるので、第1導体積層部63、65の厚みt4は23μmと薄くなる。
尚、この第1研磨は、具体的には、ベルトサンダー機を用いて行う。
At this time, since the entire surfaces of the first
In addition, this 1st grinding | polishing is specifically performed using a belt sander machine.
・次に、図3(c)に示すように、研磨した銅被覆基板57の表面を、前記図2(b)に示す工程と同様に、過酸化水素・硫酸系化学研磨液を用いて全面エッチングし、第1積層導電層63、65の厚みt4を13μmと、更に薄くする。尚、この第1積層導電層63、65の厚みt4は、10〜15μmの範囲が好適である。
Next, as shown in FIG. 3 (c), the surface of the polished copper-coated
このエッチングにより、樹脂穴埋め材27の周囲の第1積層導電層63、65が薄くなるので、樹脂穴埋め材27の上下両端は、それぞれ銅被覆基板57の表面から突出した状態となる。
By this etching, the first laminated
・次に、図3(d)に示すように、エッチングした銅被覆基板57の表面を、バフ研磨(第2研磨)し、銅被覆基板57の表面から突出した樹脂穴埋め材27の上下両端部分を除去して、樹脂穴埋め材27の表面と銅被覆基板57の表面とが面一になるように加工する。
Next, as shown in FIG. 3 (d), the upper and lower ends of the resin
尚、このバフ研磨は、具体的には、フラップブラシ等によるロール研磨によって行うので、第1積層導電層63、65の厚みは、少し研磨されて10μmとなるが、殆ど変化しない。
In addition, since this buffing is specifically performed by roll polishing using a flap brush or the like, the thickness of the first laminated
・次に、図3(e)に示すように、バフ研磨した銅被覆基板57に対して、樹脂穴埋め材27の表面(従ってビア19の表面)を含む基板表面全体を覆うように、蓋メッキを行う。
Next, as shown in FIG. 3 (e), the batter-polished copper-coated
この蓋メッキとは、無電解Cuメッキの後に電解Cuメッキを行って、厚み10μmの第2導電層(被覆導電層)75、77を形成するものである。
これにより、基板表面は、厚みt4が10μmの第1積層導電層63、65と厚み10μmの第2導電層75、77とが積層された厚み20μmの第2積層導電層79、81に覆われることになる。尚、この第2積層導電層79、81の厚みは、15〜20μmの範囲が好適である。
In this lid plating, electroless Cu plating is performed after electroless Cu plating to form second conductive layers (covering conductive layers) 75 and 77 having a thickness of 10 μm.
Thus, the substrate surface is covered with the second laminated
その後、図示しないが、第2積層導電層79、81上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出する導体層をエッチング除去することにより、板状コア13の両表面上に所定パターンのコア導体層15、17が形成される。
Thereafter, although not shown, an etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the second laminated
更に、上述したように公知のビルドアップ法等により、平坦に形成された板状コア13の両主表面(即ちコア基板3の両主表面)に、それぞれ順次ビルドアップ層5〜11等を形成することにより配線基板1を製造することができる。
Further, as described above, the build-up
c)本実施形態の効果
本実施形態では、上述した製造方法で、コア基板3を製造するとともに配線基板1を製造するので、すなわち、第1研磨後に、均一エッチングを行って第1積層導電層63、65を薄化し、そのエッチングによって突出した樹脂穴埋め材27を第2研磨(バフ研磨)によって除去し、その後蓋メッキを行うので、従来に比べて、第2積層導電層79、81(従ってコア導体15、17)を、バラツキなく均一に薄くすることができる。
c) Effects of this embodiment In this embodiment, the core substrate 3 and the wiring substrate 1 are manufactured by the above-described manufacturing method. That is, after the first polishing, uniform etching is performed to perform the first laminated conductive layer. 63 and 65 are thinned, and the resin
つまり、コア基板3の表面のコア導体15、17の厚みのバラツキを抑えた上で、そのコア導体15、17を薄膜化することができるので、エッチングによって配線を形成する際に、エッチング残りが生じることなく、よって、好適に微細配線を形成することができるという顕著な効果を奏する。
That is, since the
尚、本発明は前記実施の形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
例えば、上記した樹脂ペーストとしては、貫通孔を穴埋め充填できるものであれば良いが、熱応力の発生を少なくするため被充填基板の熱膨張率と同程度の熱膨張率であるものが良い。また、硬化性収縮の少ないものが扱いやすい。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、BT樹脂等が挙げられる。更に、これらの樹脂に、シリカ、アルミナ等の無機粉末を混入したものでも良く、あるいはCu粉末、Ag粉末などの金属粉末を含有させて、電気メッキによるメッキ層を被着可能としたり、導電性を付与したものであってもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment at all, and it cannot be overemphasized that it can implement with a various aspect in the range which does not deviate from this invention.
For example, as the above-described resin paste, any resin paste can be used as long as the through hole can be filled and filled, but in order to reduce the occurrence of thermal stress, a resin having a thermal expansion coefficient similar to that of the substrate to be filled is preferable. Moreover, a thing with little sclerosing | shrinkage shrinkage is easy to handle. For example, an epoxy resin, a polyimide resin, a BT resin, etc. are mentioned. Furthermore, these resins may be mixed with inorganic powders such as silica and alumina, or may contain metal powders such as Cu powder and Ag powder to make it possible to deposit a plating layer by electroplating, May be provided.
1…配線基板
3…コア基板
5、7、9、11…ビルドアップ層
13…板状コア(板状コア)
21…スルーホール
23…スルーホール導電層
27…樹脂穴埋め材
53、55…ベース導電層
57…銅被覆基板(基板本体)
59、61…第1導電層
63、65…第1積層導電層(表面導電層)
75、77…第2導電層(被覆導電層)
79、81…第2積層導電層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wiring board 3 ... Core board |
DESCRIPTION OF
59, 61 ... first
75, 77 ... second conductive layer (covered conductive layer)
79, 81 ... Second laminated conductive layer
Claims (6)
前記スルーホール導電層を備えたスルーホール内に、充填材を充填する工程と、
前記充填材の表面側の突出部分及び前記表面導電層の表面側を、第1研磨により除去する工程と、
前記表面導電層の表面側を、エッチングにより更に除去する工程と、
前記エッチングにより表面に突出した充填材の端部を、第2研磨により除去する工程と、
前記表面導電層の表面及び充填材の表面を、メッキにより被覆導電層で覆う工程と、
を備えたことを特徴とするコア基板の製造方法。 Forming a surface conductive layer on the surface of the substrate body and forming a through-hole conductive layer on the inner peripheral surface of the through-hole;
Filling the through hole with the through hole conductive layer with a filler;
Removing the protruding portion on the surface side of the filler and the surface side of the surface conductive layer by first polishing;
A step of further removing the surface side of the surface conductive layer by etching;
Removing the end of the filler protruding to the surface by the etching by second polishing;
Covering the surface of the surface conductive layer and the surface of the filler with a coated conductive layer by plating;
A method for manufacturing a core substrate, comprising:
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006303868A JP2008124124A (en) | 2006-11-09 | 2006-11-09 | Core board manufacturing method, and wiring board manufacturing method |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181630A (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Kyocer Slc Technologies Corp | Method of manufacturing wiring substrate |
US8797755B2 (en) | 2012-08-24 | 2014-08-05 | Sony Corporation | Wiring board and manufacturing method of wiring board |
JP2018114328A (en) * | 2018-03-30 | 2018-07-26 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | Game machine |
-
2006
- 2006-11-09 JP JP2006303868A patent/JP2008124124A/en not_active Withdrawn
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US8797755B2 (en) | 2012-08-24 | 2014-08-05 | Sony Corporation | Wiring board and manufacturing method of wiring board |
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