KR20130014315A - 광전센서 - Google Patents

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KR20130014315A
KR20130014315A KR1020120003094A KR20120003094A KR20130014315A KR 20130014315 A KR20130014315 A KR 20130014315A KR 1020120003094 A KR1020120003094 A KR 1020120003094A KR 20120003094 A KR20120003094 A KR 20120003094A KR 20130014315 A KR20130014315 A KR 20130014315A
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KR1020120003094A
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Inventor
타카시 후지이
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파나소닉 디바이스 썬크스 주식회사
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    • A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G9/00—Cultivation in receptacles, forcing-frames or greenhouses; Edging for beds, lawn or the like
    • A01G9/14—Greenhouses
    • A01G9/1407—Greenhouses of flexible synthetic material
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Abstract

수광소자는 투광소자에서 투광되는 광을 수광하여 수광신호를 출력한다. 제어부는 해당 수광소자에서 출력되는 수광신호에 기초하여 워크의 유무를 검출한다.
투광소자는, 900nm 이상의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광을 투광한다.
수광소자는, 근적외광에 대응한 포토 다이오드이다. 상기 수광소자의 전단에는 900nm 이하의 파장의 광을 제거하는 커트 필터가 형성된다.

Description

광전센서{PHOTOELECTRONIC SENSOR}
본 발명은 광전센서에 관한 것이다.
종래, 광전센서는, 투광소자에서 투광된 광을 수광소자에서 수광하여, 그 수광소자로부터 출력된 수광신호에 기초하여 검출물의 유무를 검출한다.(예를 들면, 특개 2005-285500호 공보 참조)
이때, 상술한 바와 같은 광전센서에는. 가시광 및 가시광에 극히 가까운 파장대의 광(光)(예를 들면, 860nm의 파장에서 피크 파워(Peak Power)를 갖는 광)을 투광하는 투광소자가 사용된다. 이 투광소자가 투광하는 광의 피크 파장대의 광만을 통과시키는 커트 필터(cut filter)가 수광소자의 전단에 설치된다. 이 커트 필터에 의해, 공장내 형광등 조명이나 태양광등의 외란광(外亂光)이 수광소자의 전단에서 제거되기 때문에, 수광소자가 외란광을 수광하여 발생하는 오검출을 억제하는 것이 가능하다. 그러나, 커트 필터로 투광소자의 피크 파장대 이외의 파장을 가지는 광을 제거하기 위해서는, 투광소자의 피크 파장대 보다 단파장 측 및 장파장 측의 양 방향의 파장대를 제거하는 특수한 필터가 필요하기 때문에, 제조 비용 증가를 유발한다.
본 발명의 목적은, 외란광의 영향을 억제하면서도 저비용화에 기여할 수 있는 광전센서를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따르면, 투광소자에서 투광된 광을 수광소자에서 수광하여, 해당 수광소자로부터 출력된 수광신호에 기초하여 광로상의 검출물의 유무를 검출하는 광전센서에 있어서, 상기 광전소자는, 900nm이상의 파장의 피크 파워(peak power)를 가지는 근적외광(近赤外光)을 투광하고, 상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하는 포토 다이오드(photodiode)이며, 상기 광로상의 해당 수광소자의 전단에는, 900nm이하의 파장을 갖는 광을 제거하는 커트 필터(cut filter)가 형성되는 광전센서가 제공된다.
상기 실시예에 있어서, 상기 커트 필터는, 상기 수광소자의 수광면에 일체로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 실시예에 있어서, 상기 커트 필터는 상기 수광소자의 수광면에 증착되는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 커트 필터가 수광소자의 수광면에 증착되기 때문에, 커트 필터를 수광소자의 수광면에 용이하게 형성하는 것이 가능하다.
상기 실시예에 있어서, 상기 수광소자는 수광기에 형성되고, 상시 수광기는, 상기 수광소자를 내부에 구비하는 하우징과, 상기 하우징의 수광면 측에 형성되어 상기 투광소자의 광을 투과시키는 투명부재로 이루어지는 렌즈부재와, 상기 하우징 내에 형성되어 상기 투광소자와 상기 수광소자와의 광축이 정렬되었음을 표시하는 광축 정렬용 표시등을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 실시예에 있어서, 상기 투광소자는, 900nm 내지 1000nm 범위 내의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광을 투과하는 것이며, 상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하여, 900nm 내지 1000nm 범위 내의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드인 것이 바람직하다.
상기 실시예에 있어서, 상기 투광소자는, 930nm 내지 950nm 범위 내의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광을 투광하는 것이며, 상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하여, 930nm 내지 950nm 범위 내의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 투광소자는, 900nm이상의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광을 투광한다. 수광소자는 이 근적외광에 대응하는 포토 다이오드이다. 이와 같은, 포토 다이오드는, 장파장대(예를 들면, 1050nm이상의 파장대)에서 수광감도가 낮기 때문에(도 2참조), 장파장대의 광을 제거하기 위한 필터를 설치하지 않아도, 장파장대의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하다. 한편, 단파장대의 외란광(900nm이하의 파장을 가지는 광)은, 수광소자의 전단에 형성된 커트 필터에 의해 제거되기 때문에, 단파장대의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하다. 이에, 특수 필터를 사용하지 않고, 투광소자의 피크 파장(즉, 수광소자의 수광감도의 피크 파장) 보다 단파장 측을 커트하는 커트 필터만으로 필터구성을 함으로써 저비용화를 실현함과 동시에, 단파장 측 및 장파장 측의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
따라서, 본 발명의 광전센서에 따르면, 외란광의 영향을 억제하면서도 저비용화에 기여하는 것이 가능하다.
도 1은, 본 발명의 일실시예에 따른 광전센서의 구성을 도시한 개략도,
도 2는. 도 1의 광전센서의 수광소자의 분광 감도 특성을 도시한 그래프,
도 3은, 태양광의 분광 방사 분포를 도시한 그래프이다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 광전센서를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에서 도시한 바와 같이, 본 실시예의 광전센서(10)는, 투광기(11)와, 수광기(12)와, 투광기(11) 및 수광기(12)를 제어하기 위한 제어부(13)를 구비한다.
투광기(11)는, 하우징(11a) 내에 투광소자(21)를 구비한다. 투광소자(21)에는, 전면 발광 타입의 950nm 파장의 LED(Light Emitting Diode)가 사용된다. 이 투광소자(21)는, 950nm의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광(R)을 투광한다.
수광기(12)는, 하우징(12a) 내에 수광소자(22)를 구비한다. 수광소자(22)에는, 투광소자(21)로부터 투광된 근적외광(R)에 대응한 950nm 파장의 광을 수광하기 위한 실리콘 포토 다이오드가 사용된다. 하우징(12a)의 수광면 측에는, 투명부재로 이루어지는 렌즈부재(23)가 형성된다. 투광소자(21)의 광은, 렌즈부재(23)를 투과하여 하우징(12a) 내에 입사하고, 그 하우징(12a) 내의 수광소자(22)의 수광면에서 수광된다. 또한, 수광기(12)의 하우징(12a) 내에는, 광축 정렬용 표시등(24)이 형성된다. 표시등(24)에서 발하는 광은, 수광기(12)의 수광면 측의 렌즈부재(23)를 통하여 육안으로 확인하는 것이 가능하다.
여기서, 수광소자(22)에 사용된 실리콘 포토 다이오드의 분광 감도 특성이 도 2에 도시된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 실리콘 포토 다이오드의 수광감도는, 수광하는 광의 파장에 따라 다른 것으로, 950nm 부근의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높고, 도 2의 그래프에서는, 그 피크 파장의 수광감도가 1(기준치)로 설정된다. 수광감도의 피크 파장 보다 단파장 측을 보면, 수광하는 광의 파장이 짧을수록 수광감도가 낮고, 850nm의 파장의 광의 수광감도는 대략 0.9이며, 750nm의 파장의 광의 수광감도는 0에 가깝다.
한편, 수광감도의 피크 파장 보다도 장파장 측에서는, 수광하는 광의 파장이 길수록 수광감도가 낮고, 1000nm의 파장의 광의 수광감도는 대략 0.9로, 1050nm의 파장의 광의 수광감도는 대략 0이며, 1150nm의 파장의 광의 수광감도는 0에 가깝다.
수광소자(22)는, 이와 같은 특성을 가지는 실리콘 포토 다이오드의 수광면에 커트 필터(22a)가 증착된다. 커트 필터(22a)는, 900nm이하의 파장의 광을 제거한다. 이를 위해, 수광소자(22)의 수광면에는, 900mn보다 장파장의 광만이 수광된다.
외란광의 일례로서 태양광의 분광 방사 분포 특성이 도 3에서 도시된다. 도 3에서 도시한 바와 같이, 태양광의 광강도(光强度)는, 가시광 영역에서 제일 높고, 가시광 보다 장파장 측에서는, 900nm이하의 영역에서도 비교적 높다. 여기서, 본 실시예의 수광소자(22)의 수광면에는 900nm 이하의 파장의 광을 제거하는 커트 필터(22a)가 형성되기 때문에, 태양광의 하나로서, 광강도가 높아 오검출의 원인이 될 수 있는 900nm이하의 파장의 광은, 커트 필터(22a)에 의해 제거되어 수광소자(22)에서 수광되지 않는다.
한편, 태양광에서, 900nm보다 장파장 영역에서의 광강도는 비교적 작고, 게다가, 이 장파장 영역의 수광소자(22)의 수광감도는 낮기 때문에, 이 장파장 영역의 태양광에 기인하여 수광소자(22)의 오검출이 일어나기 쉽지 않다. 또한, 태양광의 광강도는, 900nm 내지 1000nm의 파장 영역에서 급격하게 떨어지는 특성을 가지고 있으며, 이 파장 영역 내에서는 약 940nm에서 제일 낮다. 이에, 본 실시예의 수광소자(22)에는, 930nm 내지 950nm의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드가 사용되기 때문에, 외란광(태양광)에 의한 오검출이 특히 일어나기 힘들다.
다음으로, 본 실시예의 작용에 대해서 설명한다.
제어부(13)는, 투광소자(21)에서 근적외광(R)을 투광시킨다. 그 광로상에 검출물로서의 워크(W)가 없는 경우에는, 근적외광(R)이 커트 필터(22a)를 통해 수광소자(22)의 수광면에 수광된다. 이때, 수광소자(22)에서 제어부(13)로 출력된 수광신호는, 소정의 역치 이상이 된다. 그 수광신호에 기초하는 제어부(13)는, 워크(W)가 근적외광(R)의 광로상에 없는 것으로 판정한다.
한편, 워크(W)가 투광소자(21)에서 투광된 근적외광(R)을 차단하는 위치에 있으면, 수광소자(22)에서 제어부(13)로 출력되는 수광신호가 상기 역치를 하회한다. 그 수광신호에 기초하는 제어부(13)는, 워크(W)가 근적외광(R)의 광로상에 있는 것으로 판정한다.
여기서, 본 실시예의 광전센서(10)에서는, 수광소자(22)의 수광면에 커트 필터(22a)가 형성된다. 이 때문에, 태양광 및 공장 내의 형광등 조명의 광등의 외란광의 900nm이하의 파장의 광은, 커트 필터(22a)에 의해, 제거되어 수광소자(22)에서 수광되지 않는다. 이에, 단파장 영역의 외란광에 의한 워크(W)의 오검출이 발생하지 않는다. 한편, 외란광의 900nm 보다 장파장 영역의 광은, 그 강도 자체가 낮고, 또한, 수광소자(22)의 수광 감도 특성에 기인하여 수광되기 어렵기 때문에, 장파장 영역의 외란광에 의한 워크(W)의 오검출이 발생하기 힘들다. 결국, 본 실시예에서는, 900nm이하의 파장의 광을 제거하는 커트 필터(22a)만의 필터구성으로, 외란광의 단파장 영역의 광 및 장파장 영역의 광에 의한 오검출의 발생이 억제된다.
다음으로, 투광기(11)와 수광기(12)를 설치할 때, 광축 정렬에 대해서 설명한다. 우선, 수광기(12)가 소정의 위치에 설치된다. 다음으로, 사용자가 투광기(11)을 가지고, 그 투광기(11)에서 근적외광(R)을 투광시킨 상태에서 투광소자(21)와 수광소자(22)의 광축을 정렬시킨다. 투광소자(21)와 수광소자(22)의 광축을 정렬시키면, 제어부(13)는 수광소자(22)로부터의 수광신호에 기초하여 표시등(24)를 점등시킨다. 이 때, 표시등(24)는, 렌즈부재(23)(투명부재)를 통해 수광기(12)의 수광면 측에서 점등하기 때문에, 사용자는, 투광기(11)을 가지고 광축 정렬 작업을 하면서 표시등(24)의 점등을 육안으로 확인하는 것이 가능하다. 이에, 광축 정렬의 작업성이 향상된다.
다음으로, 본 실시예의 특징적인 효과를 기재한다.
(1) 수광소자(22)는 투광소자(21)에서 투광된 광을 수광한다. 제어부(13)는, 해당 수광소자(22)에서 출력된 수광신호에 기초하여 워크(W)의 유무를 검출한다. 이에, 투광소자(21)는, 900nm이상의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광(R)을 투광한다. 수광소자(22)는, 근적외광(R)에 대응하는 포토 다이오드이다. 해당 수광소자(22)의 전단에는, 900nm이하의 파장의 광을 제거하는 커트 필터(22a)가 형성된다. 이로 인해, 수광소자(22)의 장파장대(예를 들어, 1050nm 이상의 파장대)에서 수광감도가 작기 때문에(도 2 참조), 장파장대의 광을 제거하기 위한 필터를 설치하지 않아도, 장파장대의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다. 한편, 단파장대의 외란광(900nm이하의 파장의 광)은, 수광소자(22)의 전단에 형성된 커트 필터(22a)에 의해 제거되기 때문에, 단파장대의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하다. 이로 인해, 특수 필터를 사용하지 않고, 투광소자(21)의 피크 파장(즉, 수광소자(22)의 수광감도의 피크 파장)보다 단파장 측을 커트하는 커트 필터(22a)만의 필터구성을 함으로써, 저비용화를 실현함과 동시에, 단파장 측 및 장파장 측의 외란광에 의한 오검출의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
(2) 커트 필터(22a)가 수광소자(22)의 수광면에 일체로 형성되기 때문에, 커트 필터(22a)를 수광소자(22)와 별개로 형성하는 것에 비해, 구성의 간소화에 기여하는 것이 가능하다.
(3) 커트 필터(22a)가 수광소자(22)의 수광면에 증착되기 때문에, 커트 필터(22a)를 수광소자(22)의 수광면에 용이하게 형성하는 것이 가능하다.
(4) 수광소자(22)를 구비하는 수광기(12)는, 수광소자(22)를 내부에 포함하는 하우징(12a)와, 하우징(12a)의 수광면 측에 형성되어, 투광소자(21)의 광을 투과시키는 투명부재로 이루어지는 렌즈부재(23)와, 하우징(12a) 내에 형성된 광축 정렬용 표시등(24)을 구비한다. 이로 인해, 수광소자(22)로서, 900nm 이상의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광(R)에 대응하는 포토 다이오드를 사용함으로써, 특수 필터가 불필요 하게 된다. 때문에, 수광기(12)의 렌즈부재(23)에 특수한 필터 가공이 실시되어 가시광을 투과시키는 않는 부재를 사용할 필요가 없어지며, 투명부재를 사용하는 것이 가능하다. 이 때문에, 하우징(12a) 내에 형성된 광축 정렬용 표시등(24)의 광을, 수광면 측에 형성된 렌즈부재(23)를 통해서 육안으로 확인하는 것이 가능하다. 그 결과, 광축 정렬 작업중에 표시등(24)의 점등 확인이 용이하게 되어, 광축 정렬의 작업성을 향상시키는 것이 가능하다.
(5) 투광소자(21)는, 900nm 내지 1000nm의 범위 내의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광(R)을 투광한다. 수광소자(22)는, 근적외광(R)에 대응하여 900nm 내지 1000nm의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 가지는 포토 다이오드이다. 외란광의 광강도는, 900nm 내지 1000nm의 파장 영역에서 급격하게 떨어지는 특성이 있다.(도 3 참조) 때문에, 수광소자(22)의 수광감도가 제일 높게 되는 파장을 900nm 내지 1000nm로 설정함으로써, 외란광에 의한 오검출의 발생을 보다 억제하는 것이 가능하게 된다.
(6) 투광소자(21)은, 930nm 내지 950nm의 범위 내의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광(R)을 투광하는 것으로, 수광소자(22)는, 근적외광(R)에 대응하여, 930nm 내지 950nm의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드이다. 외란광의 광강도는, 900nm 내지 1000nm의 파장 영역 내에 있어서, 약 940nm에서 제일 낮다.(도 3 참조). 때문에, 수광소자(22)의 수광감도가 제일 높게 되는 파장을 930nm 내지 950nm로 설정함으로써, 외란광에 의한 오검출의 발생을 더욱 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 실시예는 이하와 같이 변경해도 좋다.
상기 실시예에서는, 투광소자(21)로서 파장 950nm의 LED가 사용되고, 수광소자(22)로서 파장 950nm 수광용 실리콘 포토 다이오드가 사용된다. 이것 이외에, 예를 들면, 피크 파장이 900nm 내지 1000nm의 범위 내에 있는 경우, 피크 파장이 950nm 이외의 LED가 사용되어도 좋다. 또한, 이 경우에, 수광소자(22)에는, 투광소자(21)의 피크 파장에 맞춘, 900nm 내지 1000nm의 범위 내에서 어느 하나의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 가지는 실리콘 포토 다이오드가 사용된다. 이와 같은 구성에 의해서도, 장파장 측의 외란광의 영향을 적절하게 억제하는 것이 가능하지만. 그 중에서도, 투광소자(21)로서, 피크 파장이 930nm 내지 950nm 범위 내의 LED가 사용되고, 수광소자(22)로서, 930nm 내지 950nm의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드가 사용되는 구성에서는, 장파장 측의 외란광의 영향을 보다 적절하게 억제하는 것이 가능하게 된다. 또한, 그 중에서도, 상기 실시예와 같이, 투광소자(21)에 950nm의 LED가 사용되고, 수광소자(22)로서, 950nm 수광 실리콘 포토 다이오드 사용된 구성에서는, 장파장 측의 외란광의 영향을 특히, 적절하게 억제하는 것이 가능하게 된다.
상기 실시예에서는, 커트 필터(22a)는 수광소자(22)의 수광면에 증착된다. 이것 이외에 예를 들면, 커트 필터(22a)가 수광소자(22)의 수광면에 접착되어도 좋다. 또한, 커트 필터를 전단에 배치한 필터 판(filter plate)이 사용되어도 좋다.
본 발명은, 상기 실시예에서는, 투광기(11)와 수광기(12)가 분리된 구성의 광전센서(10)에 적용 된다. 본 발명은, 이것 이외에 예를 들면, 투광기와 수신기가 일체형의 광전센서에 적용되어도 좋다. 이와 같은 구성에 있어서, 투광소자 및 수광 소자는 하우징 내에 수용된다. 하우징의 전면(투수광면)의 렌즈부재로서, 투명부재가 사용된다. 하우징 내부에 가시광의 포인터(pointer)가 설치되면, 이 포인터의 광을, 투명 렌즈부재를 통해서 하우징 외부로 출사하는 것이 가능하게 된다.
10 : 광전센서
11 : 투광기
11a,12a : 하우징
12 : 수광기
13 : 제어부
21 : 투광소자
22 : 수광소자
22a : 커트 필터
24 : 표시등

Claims (6)

  1. 투광소자에서 투광된 광을 수광소자에서 수광하여, 해당 수광소자로부터 출력된 수광신호에 기초하여 광로상의 검출물의 유무를 검출하는 광전센서에 있어서,
    상기 광전소자는, 900nm이상의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광을 투광하고,
    상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하는 포토 다이오드이며, 상기 광로상의 해당 수광소자의 전단에는, 900nm이하의 파장을 갖는 광을 제거하는 커트 필터가 형성되는 것을 특징으로 하는 광전센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 커트 필터는, 상기 수광소자의 수광면에 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 광전센서.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 커트 필터는, 상기 수광소자의 수광면에 증착되는 것을 특징으로 하는 광전센서.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수광소자는 수광기에 형성되고,
    상시 수광기는,
    상기 수광소자를 내부에 구비하는 하우징과,
    상기 하우징의 수광면 측에 형성되어, 상기 투광소자의 광을 투과시키는 투명부재로 이루어지는 렌즈부재 및,
    상기 하우징 내에 형성되어 상기 투광소자와 상기 수광소자와의 광축이 정렬되었음을 표시하는 광축 정렬용 표시등,
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전센서.
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투광소자는, 900nm 내지 1000nm 범위 내의 파장에서 피크 파워를 가지는 근적외광을 투과하고,
    상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하여, 900nm 내지 1000nm 범위 내의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드인 것을 특징으로 하는 광전센서.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 투광소자는, 930nm 내지 950nm 범위 내의 파장에서 피크 파워를 갖는 근적외광을 투광하는 것이며,
    상기 수광소자는, 상기 근적외광에 대응하여, 930nm 내지 950nm 범위 내의 파장의 광을 수광하는 감도가 제일 높은 특성을 갖는 포토 다이오드인 것을 특징으로 하는 광전센서.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105353425B (zh) * 2015-12-23 2018-05-08 深圳市艾礼安安防设备有限公司 一种采用辅助光校准主动红外探测器的方法
JP6846786B2 (ja) * 2016-07-29 2021-03-24 コーデンシ株式会社 光センサ
JP7085885B2 (ja) * 2018-04-27 2022-06-17 アズビル株式会社 光電センサ
CN108663721A (zh) * 2018-05-03 2018-10-16 芜湖懒人智能科技有限公司 一种大范围碰撞检测传感器
JP7336404B2 (ja) * 2020-02-28 2023-08-31 ローム株式会社 赤外線測定装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56116230A (en) * 1980-02-15 1981-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Photoelectric switch
JPH05122774A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Matsushita Electric Works Ltd 赤外線リモコン装置の受光部に於けるインバータ光による誤動作防止機構
JP2000357816A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Sharp Corp 光結合装置
JP4354322B2 (ja) * 2004-03-29 2009-10-28 株式会社キーエンス 光電センサー、投光装置及び光電センサー用の回帰反射型ミラー
JP2007271382A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Sunx Ltd 物理量検出装置、格納ユニット、コントロールユニット及びプログラム記憶媒体
DE102007011877A1 (de) * 2007-03-13 2008-09-18 Eppendorf Ag Optisches Sensorsystem an einer Vorrichtung zur Behandlung von Flüssigkeiten

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