KR20130013345A - Horizontal equipment for plasma thermal spray and horizontal plasma thermal spraying method thereby - Google Patents

Horizontal equipment for plasma thermal spray and horizontal plasma thermal spraying method thereby Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A horizontal plasma thermal spraying device capable of easily making a necessary atmosphere for a spraying work and a horizontal plasma spraying method using the same are provided to horizontally arrange a substrate, thereby moving a plasma gun in a horizontal direction of the horizontally arranged substrate. CONSTITUTION: A chamber(12) has an openable and sealable structure. A support structure(30) is arranged inside the chamber. The support structure horizontally supports a substrate loaded on the top. A transfer rail(28) is extended to a first axial direction on the top of the support structure. A first axial direction guide rail(18) is horizontally arranged in parallel at the both sides inside the chamber. A first axial direction LM block(20) is combined to the top of the first axial direction guide rail. A second axial direction guide rail(22) is extended to the second axial direction at the first axial direction LM block of the both sides intersecting the axis line of a first direction guide rail. A second axis direction LM block(24) is combined to the top of the second axial direction guide rail. A spraying nozzle spraying a plasma arc includes a plasma gun(26).

Description

수평형 플라즈마 용사 장치 및 이를 이용한 수평형 플라즈마 용사 방법 {HORIZONTAL EQUIPMENT FOR PLASMA THERMAL SPRAY AND HORIZONTAL PLASMA THERMAL SPRAYING METHOD THEREBY}Horizontal Plasma Spraying Device and Horizontal Plasma Spraying Method {HORIZONTAL EQUIPMENT FOR PLASMA THERMAL SPRAY AND HORIZONTAL PLASMA THERMAL SPRAYING METHOD THEREBY}

본 발명은 수평형 플라즈마 용사 장치에 관한 것으로, 특히 반도체, LCD 및 OLED를 포함하는 평판디스플레이(FPD), OLED 등의 조명소자, 태양전지 등의 제조공정에 사용되는 대면적의 정전척(ESC: Electrostatic Chuck)과 같은 대면적의 피처리대상을 수평으로 배치하여 플라즈마 용사처리가 가능한 수평형 플라즈마 용사 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a horizontal plasma spraying device. In particular, a large-area electrostatic chuck (ESC) used in manufacturing processes such as flat panel displays (FPDs) including semiconductors, LCDs and OLEDs, lighting devices such as OLEDs, and solar cells, etc. The present invention relates to a horizontal plasma spraying apparatus capable of plasma spraying by placing a large-area target object such as an electrostatic chuck) horizontally.

또한, 본 발명은 이러한 수평형 플라즈마 용사 장치를 이용한 수평형 플라즈마 용사 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a horizontal plasma spraying method using such a horizontal plasma spraying device.

일반적으로, 플라즈마 용사는 Ar, He, N2 등의 가스를 전기아크로 이온화하여 플라즈마를 형성하고 이를 이용하여 세라믹, 금속 등의 분말들을 용융 및 노즐로 분사하는 초고온 및 고속의 플라즈마 제트를 열원으로 하는 피막형성 기술이다. 이러한 플라즈마 용사의 개념이 도 1에서 설명된다. In general, plasma spraying uses an ultra high temperature and high velocity plasma jet that ionizes gases such as Ar, He, and N 2 into an electric arc to form a plasma, and melts and injects powders such as ceramics and metals into nozzles as heat sources. Encapsulation technology. This concept of plasma spraying is explained in FIG.

도 1은 직류(DC) 플라즈마 용사의 개념을 설명하는 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is explanatory drawing explaining the concept of DC plasma spraying.

도 1을 참조하면, 플라즈마 용사는 플라즈마 건(1)에 의하여 이루어진다. 건(1)은 가스주입구(2)를 갖는 건동체(3), 건동체(3) 내에 형성된 가스주입구(2)내에 배치된 음극(4), 건동체(3)의 가스주입구(2)의 선단에 배치되는 양극(5)과, 분말주입구(6)를 포함한다. 이러한 플라즈마 건(1)에 의한 플라즈마 용사는 가스주입구(2)를 통하여 플라즈마 가스가 주입되고 주입된 플라즈마 가스는 음극(4)과 양극(5) 사이의 고전압 직류 고전력에 의해서 플라즈마 아크로 변환되어 분사되며 분말주입구(6)를 통하여 주입되는 세라믹, 금속 등의 분말은 용융상태에서 피처리대상인 기판(7)에 분사됨으로써 기판(7) 상에 코팅층을 형성한다. 이러한 플라즈마 용사관련 기술들은 국내공개특허 제10-2008-0082283호(2008. 9. 11 공개), 국내특허 제10-1007675호(2011. 1. 5 등록), 일본특개2009-161789호(2009. 7. 23 공개) 등에 개시되어 있다.Referring to FIG. 1, plasma spraying is performed by the plasma gun 1. The gun 1 is composed of a moving body 3 having a gas inlet 2, a cathode 4 disposed in the gas inlet 2 formed in the moving body 3, and a gas inlet 2 of the dry body 3. An anode 5 arranged at the tip and a powder inlet 6 are included. Plasma spraying by the plasma gun 1 is injected into the plasma gas through the gas inlet 2 and the injected plasma gas is converted into a plasma arc by a high voltage direct current high power between the cathode 4 and the anode 5 is injected Powders, such as ceramics and metal, injected through the powder inlet 6 are sprayed onto the substrate 7 to be processed in a molten state to form a coating layer on the substrate 7. Such plasma spraying related technologies are disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2008-0082283 (published on September 11, 2008), Korean Patent No. 10-1007675 (registered on Jan. 5, 2011), and Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-161789 (2009. 7. 23 publication).

한편, 웨이퍼나 글라스 등의 기판을 고정 및 지지하는 대면적의 정전척(ESC: Electrostatic Chuck)은 반도체, LCD 및 OLED 등의 평판디스플레이(FPD), OLED 등의 조명소자, 태양전지 및 전자부품 제조에 필요한 전공정 및 기타 진공설비에 광범위하게 사용된다. 이러한 정전척은 문자 그대로 피흡착체와 척(chuck) 사이에 정전력을 발생시켜 흡착 및 고정한다. Meanwhile, large area electrostatic chucks (ESCs), which hold and support substrates such as wafers and glass, manufacture flat panel displays (FPDs) such as semiconductors, LCDs, and OLEDs, lighting devices such as OLEDs, solar cells, and electronic components. Widely used in preprocessing and other vacuum installations. Such an electrostatic chuck literally generates an electrostatic force between the adsorbed body and the chuck to adsorb and fix it.

이러한 대면적의 정전척을 피처리 대상으로 하여 전술한 플라즈마 용사를 이용하여 코팅층을 형성하는 경우에 있어서, 종래에는 밀폐형 챔버 내에서 수직으로 배치된 상태에서 플라즈마 건이 다관절 로봇에 의하여 플라즈마 용사 작업을 수행할 수 있게 되어 있다. In the case where the coating layer is formed by using the above-described plasma spray using the large-area electrostatic chuck as the object to be treated, conventionally, the plasma gun is operated by the articulated robot by the articulated robot in a state in which it is vertically disposed in the hermetically sealed chamber. You can do it.

그러나, 전형적인 이러한 종래기술은 피처리 대상인 정전척을 수직으로 배치하여야 하므로, 처리를 위한 챔버의 공간이 커야 하고 이에 따라 챔버를 밀폐형으로 구성하기가 어려워 무엇보다도 챔버 내부의 분위기(예를 들어, 아르곤 또는 질소)를 적정하게 조성 및 유지하기가 어려운 기본적인 문제가 있다. However, such a conventional technique requires that the electrostatic chuck to be processed is arranged vertically, so that the space of the chamber for processing must be large and thus it is difficult to configure the chamber in a hermetic manner, and above all, the atmosphere inside the chamber (for example, argon Or nitrogen), which is a basic problem that is difficult to properly configure and maintain.

이외에도, 이러한 수직형 플라즈마 용사처리는 피처리 대상의 수직 배치로 인하여 발생하는 용사코팅 전 피처리 대상 표면의 수분이나 이물을 제거하기 위한 예열과정이 반드시 필요하나, 이러한 예열과정 역시 플라즈마 건에 의한 플라즈마 열로 진행되기 때문에, 결국 플라즈마 건 내의 소모성 부품의 교체주기가 불필요하게 짧아져 제조경비를 상승시킨다. 또한, 플라즈마 용사막을 형성할 때 피처리 대상의 수직 배치로 인하여 피처리 대상 표면의 미세한 홀(예를 들면, 정전척 표면상의 He 가스용 홀)이 막히거나 좁아지므로, 작업 중간에 일정주기로 매번 번거롭게 홀 드릴링을 해야하므로 생산성이 떨어진다.In addition, the vertical plasma spray treatment requires a preheating process for removing moisture or foreign matter from the surface to be treated before the thermal spraying, which is caused by the vertical arrangement of the target object. Since it proceeds with heat, the replacement cycle of consumable parts in the plasma gun is unnecessarily shortened, thereby increasing the manufacturing cost. Further, when the plasma spray film is formed, the minute holes (for example, He gas holes on the surface of the electrostatic chuck) on the surface to be treated are blocked or narrowed due to the vertical arrangement of the object to be treated, which is cumbersome every time at regular intervals in the middle of the work. Hole drilling requires low productivity.

본 발명에 있어서는 종래의 이와 같은 점을 감안하여 창안한 것으로, 정전척 등의 대면적의 피처리 대상기판을 수평배치하여 플라즈마 용사처리가 이루어질 수 있도록 함으로써 플라즈마 용사처리 공간을 크게 줄이고 이로써 용사작업에 필요한 분위기의 조성이 용이하게 이루어질 수 있도록 하는 수평형 플라즈마 용사 장치 및 이를 이용한 수평형 플라즈마 용사 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, the invention was made in view of the above-mentioned conventional matters, and the plasma spray treatment can be performed by horizontally arranging a substrate to be treated such as an electrostatic chuck in a large area, thereby greatly reducing the plasma spray treatment space and thereby reducing the thermal spraying process. It is an object of the present invention to provide a horizontal plasma spraying device and a horizontal plasma spraying method using the same, which can easily make a necessary atmosphere.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 의한 수평형 플라즈마 용사 장치는 플라즈마 용사에 의해 기판의 표면상에 소정의 용사막을 형성하기 위한 수평형 플라즈마 용사 장치로서, 개방 및 밀폐가 가능한 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되고 상부에 로딩되는 상기 기판을 수평으로 지지하며 상부에 제1축방향으로 이송레일이 연장된 지지구조물과, 상기 챔버 내에서 양측에 수평으로 평행하게 배치되고 상부에 제1축방향 엘엠블록이 결합된 제1축방향 가이드레일과, 양측의 상기 제1축방향 엘엠블록에 상기 제1방향 가이드레일의 축선에 직각을 이루어 제2축방향으로 연장되게 배치되고 상부에 제2축방향 엘엠블록이 결합된 제2축방향 가이드레일과, 플라즈마 아크를 발생시키고 상기 발생된 플라즈마 아크를 분사하는 분사구를 포함하며 상기 분사구는 상기 기판을 향하도록 상기 제2축방향 가이드레일 상에 배치된 제2축방향 엘엠블록에 수직하측으로 착설되는 플라즈마 건을 포함할 수 있다. The horizontal plasma spraying device according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a horizontal plasma spraying device for forming a predetermined sprayed film on the surface of the substrate by the plasma spraying, the chamber and the chamber which can be opened and closed; And a support structure horizontally supporting the substrate disposed inside the chamber and loaded thereon, the transfer rail extending in a first axial direction thereon, and disposed horizontally parallel to both sides in the chamber, A first axial guide rail coupled to the axial LM block and the first axial LM block on both sides are arranged to extend in a second axial direction at a right angle to the axis of the first guiding guide rail, And a second axial guide rail coupled to the biaxial LM block, and an injection hole for generating a plasma arc and spraying the generated plasma arc. The injection port may comprise a plasma gun which chakseol vertically lower side in the second axial linear motion block disposed on the second axis direction guide rail so as to face the substrate.

또한, 상기 수평형 플라즈마 용사 장치는 상기 챔버의 외부에 준비되고 상부에 이송레일이 배치되며 상기 이송레일에서 상기 기판을 수평으로 지지하는 캐리지가 안내되는 이송대를 더 포함할 수 있고, 상기 기판을 수평으로 지지하는 캐리지는 상기 지지구조물의 이송레일 상으로 이동될 수 있다. 또한, 상기 챔버 내에 상기 기판이 로딩 및 언로딩될 때 상기 이송대는 개방된 상기 챔버의 전면에 배치되고 상기 이송대의 상기 이송레일이 상기 챔버의 내부에 배치된 상기 지지구조물의 상기 이송레일에 정렬되어 상기 기판을 수평으로 지지하는 캐리지가 상기 이송대 및 지지구조물 간에 이동될 수 있다.In addition, the horizontal plasma spraying device may further include a transport stage is prepared outside the chamber and the transport rail is disposed on the upper side and the carriage for supporting the substrate horizontally from the transport rail, the substrate The carriage which supports horizontally can be moved on the conveyance rail of the said support structure. In addition, when the substrate is loaded and unloaded in the chamber, the carriage is disposed in front of the open chamber and the transfer rail of the carriage is aligned with the transfer rail of the support structure disposed inside the chamber. The carriage supporting the substrate horizontally may be moved between the carriage and the support structure.

또한, 상기 캐리지는 상기 기판의 저면과 접촉하는 상부 프레임 내에 배열되어 상기 기판을 냉각 또는 가열하는 열교환코일을 포함할 수 있다. 이때, 상기 열교환코일은 10~150℃의 온도범위로 조정될 수 있다.In addition, the carriage may include a heat exchange coil arranged in the upper frame in contact with the bottom surface of the substrate to cool or heat the substrate. At this time, the heat exchange coil may be adjusted to a temperature range of 10 ~ 150 ℃.

또한, 상기 플라즈마 건은 상기 제1축 방향 및 제2축 방향 중의 하나 이상으로 이동하면서 상기 기판 상에 상기 플라즈마 아크를 분사할 수 있다.The plasma gun may spray the plasma arc onto the substrate while moving in one or more of the first and second axis directions.

또한, 본 발명의 다른 일 관점에 의한 수평형 플라즈마 용사방법은 전술한 수평형 플라즈마 용사 장치를 이용하여 수평으로 배치된 상기 기판의 표면상에 플라즈마 아크를 분사하여 소정의 용사막을 형성할 수 있다. 이때, 상기 플라즈마 용사는 상기 챔버 내부에서, 상기 챔버 내부의 산소 및 수분을 정화 또는 감압하는 단계와, 상기 챔버 내부를 아르곤 및 질소 중의 하나 이상으로 충전하는 단계를 포함하여 형성되는 분위기 내에서 수행될 수 있다.In addition, in the horizontal plasma spraying method according to another aspect of the present invention, a predetermined thermal spraying film may be formed by spraying a plasma arc on the surface of the substrate arranged horizontally using the horizontal plasma spraying device described above. In this case, the plasma spraying may be performed in an atmosphere formed inside the chamber, including purifying or depressurizing oxygen and moisture in the chamber, and filling the chamber with at least one of argon and nitrogen. Can be.

본 발명에 의하면, 정전척 등 대면적의 기판을 대상으로 하는 플라즈마 용사는 기판(32)이 수평으로 배치되고 플라즈마 건이 수평으로 배치된 기판에 대하여 수평방향으로 이동하면서 수행되므로, 종래의 수직형 챔버를 이용하는 것에 비하여 예를 들어 1/7~1/6배 정도로 챔버의 공간이 축소될 수 있어 이에 따라 챔버의 밀폐가 용이하고 또한 챔버 내 분위기가 적정하게 조성 및 유지하기 용이하다.According to the present invention, plasma spraying for a large-area substrate such as an electrostatic chuck is performed while the substrate 32 is horizontally disposed and the plasma gun is moved horizontally with respect to the horizontally disposed substrate. For example, the space of the chamber can be reduced by, for example, 1/7 to 1/6 times as compared to the use of the chamber, and thus the chamber is easily sealed and the atmosphere in the chamber can be easily formed and maintained.

본 발명을 첨부도면에 의거하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the present invention in more detail based on the accompanying drawings as follows.

도 1은 직류(DC) 플라즈마 용사의 개념을 설명하는 설명도.
도 2는 본 발명 장치의 정면도.
도 2a는 도 2에서 점선원으로 표시한 부부의 확대도.
도 3은 본 발명 장치의 우측면도.
도 3a는 도 3에서 점선원으로 표시한 부부의 확대도.
도 4는 기판이 얹히어 공급되는 이동대를 보인 측면도.
도 4a는 도 4에서 점선원으로 표시한 부분의 확대도.
도 5는 기판이 이송대에 의하여 챔버내로 이송되는 것을 보인 설명도.
도 6은 기판이 챔버내로 완전히 이송된 것을 보인 설명도.
도 7은 플라즈마 건에 의하여 기판에 대하여 플라즈마 용사 작업이 수행되는 것을 보인 정면도.
도 8은 도 7에서 보인 작업이 수행되는 것을 보인 측면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Explanatory drawing explaining the concept of DC plasma spraying.
2 is a front view of the device of the present invention;
FIG. 2A is an enlarged view of a couple indicated by a dotted circle in FIG. 2; FIG.
3 is a right side view of the device of the present invention;
Figure 3a is an enlarged view of the couple shown by the dotted circle in Figure 3;
Figure 4 is a side view showing a moving table on which the substrate is supplied.
4A is an enlarged view of a portion indicated by a dotted circle in FIG. 4.
5 is an explanatory view showing that the substrate is transferred into the chamber by the transfer table.
6 is an explanatory view showing that the substrate is completely transferred into the chamber.
7 is a front view showing that the plasma spraying operation is performed on the substrate by the plasma gun.
8 is a side view showing that the operation shown in FIG. 7 is performed.

먼저, 도 2는 본 발명에 의한 수평형 플라즈마 용사 장치의 정면도이고, 도 2a는 도 2에서 점선원으로 표시한 부분의 확대도이며, 도 3은 본 발명에 의한 수평형 플라즈마 용사 장치의 우측면도이고, 도 3a는 도 3에서 점선원으로 표시한 부분의 확대도이다.First, FIG. 2 is a front view of a horizontal plasma spraying device according to the present invention, FIG. 2A is an enlarged view of a portion indicated by a dotted circle in FIG. 2, and FIG. 3 is a right side view of the horizontal plasma spraying device according to the present invention. 3A is an enlarged view of a portion indicated by a dotted circle in FIG. 3.

도 2, 2a, 3 및 3a를 참조하면, 도어(10)를 갖춘 밀폐형 챔버(12) 내에 양측의 지지대(14)와 지주(16)에 의하여 수평으로 평행하게 Y축방향 가이드레일(18)이 배치된다. 이와 같이 챔버(12) 내에서 양측에 수평으로 평행하게 배치된 Y축방향 가이드레일(18)은 이러한 Y축방향 가이드레일(18) 상에서 모터(미도시)에 의하여 작동되는 Y축방향 엘엠블록(20)이 결합된다. 2, 2A, 3, and 3A, the Y-axis guide rail 18 is horizontally paralleled by the support 14 and the support 16 on both sides in the sealed chamber 12 having the door 10. Is placed. As described above, the Y-axis guide rails 18 arranged horizontally on both sides in the chamber 12 are Y-axis L-blocks operated by a motor (not shown) on the Y-axis guide rails 18. 20) are combined.

이때, 본 명세서에서, 편의상 "X축방향" 및 "Y축방향"이라는 용어는 직교좌표계에 따른 것으로, "Y축방향"은 도 2의 정면을 향하는 Y축방향을 가리키며, "X축방향"은 이러한 Y축방향과 동일평면상에서 수직하는 X축방향을 가리킨다.In this specification, for the sake of convenience, the terms "X-axis direction" and "Y-axis direction" refer to a rectangular coordinate system, and the "Y-axis direction" refers to the Y-axis direction toward the front of FIG. 2 and the "X-axis direction". Denotes the X-axis direction perpendicular to the same plane as the Y-axis direction.

또한, 양측의 Y축방향 엘엠블록(20)에는 Y축방향 가이드레일(18)의 축선에 직각을 이루는 X축방향 가이드레일(22)이 가로질러 연장되게 착설된다. 그리고, 이러한 X축방향 가이드레일(22) 상에는 X축방향 엘엠블록(24)이 배치되고 이에 분사구가 수직하측으로 향하는 플라즈마 건(26)이 착설된다.In addition, the X-axis direction guide rails 22 which are perpendicular to the axis of the Y-axis direction guide rails 18 are installed on both Y-axis direction M blocks 20 so as to extend across. Then, on the X-axis direction guide rails 22, the X-axis direction M block 24 is disposed, and the plasma gun 26 is installed so that the injection hole is directed vertically downward.

한편, 챔버(12) 내에서 양측의 지지대(14) 사이의 중간에는 상부에 Y축방향으로 이송레일(28)이 연장된 지지구조물(30)이 배치된다. 이 지지구조물(30)에는 이후 상세히 설명되는 바와 같이 대면적 정전척의 형태인 기판이 얹히어 플라즈마 용사가 이루어질 수 있도록 한다.On the other hand, in the chamber 12 in the middle between the support 14 on both sides is disposed on the support structure 30 is extended to the conveying rail 28 in the Y-axis direction. The support structure 30 is mounted with a substrate in the form of a large-area electrostatic chuck, as will be described in detail later to enable plasma spraying.

도 4는 대면적의 기판이 얹히어 공급되는 이동대를 보인 측면도이고, 도 4a는 도 4에서 점선원으로 표시한 부분의 확대도이다.FIG. 4 is a side view showing a moving table on which a large-area substrate is mounted, and FIG. 4A is an enlarged view of a portion indicated by a dotted circle in FIG. 4.

도 4 및 4a를 참조하면, 기판(32)은 부스형태인 밀폐형 챔버(12)의 외부에 준비된 이송대(34)에 얹히어 챔버(12)의 지지구조물(30)측으로 이송된다. 이를 위하여, 이송대(34)에는 하측에 캐스터(36)가 달려 있으며 상부에는 이송레일(38)이 배치되어 있고 이러한 이송레일(38) 상에는 하측의 이송휠(40)이 이송레일(38) 상에서 안내되는 캐리지(42)가 결합되어 있다. 4 and 4A, the substrate 32 is mounted on a transfer table 34 prepared outside of the hermetic chamber 12 having a booth shape and transferred to the support structure 30 of the chamber 12. To this end, the transfer table 34 has a caster 36 on the lower side and a transfer rail 38 is disposed on the upper side, and the lower transfer wheel 40 on the transfer rail 38 on the transfer rail 38. The guided carriage 42 is engaged.

캐리지(42)는 대체로 사각형 등의 대면적 기판(32)을 충분히 지지할 수 있는 크기로 되고 캐리지(42)의 상부 프레임 내에는 열교환코일(44)이 배열되어 기판(32)의 코팅작업중 요구된 온도를 유지할 수 있도록 한다. 일반적으로, 플라즈마 용상에 의한 용사막 코팅시 기판에 흡착되는 용융된 물질에 의한 발열은 기판의 크기와 챔버 내부온도 및 집진능력에 따라 달라진다. 본 발명자들은 특히 LCD 제조용 정전척의 경우 경험적으로 LCD 4~5세대급 크기의 기판은 용사공정시 약 70℃ 전후의 온도를, LCD 4~5세대급 크기의 기판은 약 50℃ 전후의 온도를 관찰할 수 있었다. 따라서, 코팅되는 용사막의 품질을 확보하기 위해 요구되는 기판(32)의 온도는 약 40℃ 전후로 유지하는 것이 바람직하며, 이에 따라 열교환코일(44)의 온도조정범위는 10~150℃, 바람직하게는 20~60℃로 될 수 있다.The carriage 42 is generally large enough to support a large area substrate 32, such as a quadrangle, and a heat exchange coil 44 is arranged in the upper frame of the carriage 42 so that it is required during the coating operation of the substrate 32. Allow to maintain the temperature. In general, the heat generated by the molten material adsorbed on the substrate during the thermal spray coating of the plasma solution depends on the size of the substrate, the internal temperature of the chamber, and the dust collecting capability. The present inventors have observed that the electrostatic chuck, especially for LCD manufacturing, observes the temperature of about 70 ° C. during the thermal spraying process and the temperature of about 50 ° C. for the LCD 4 ~ 5 generation size substrate during the thermal spraying process. Could. Therefore, the temperature of the substrate 32 required to ensure the quality of the sprayed coating to be coated is preferably maintained at about 40 ℃, and thus the temperature adjustment range of the heat exchange coil 44 is 10 ~ 150 ℃, preferably May be from 20 to 60 ℃.

이상과 같은 본 발명의 작동은 다음과 같다. The operation of the present invention as described above is as follows.

도 5는 기판이 이송대에 의하여 챔버 내로 이송되는 것을 보인 설명도이고, 도 6은 기판이 챔버 내로 완전히 이송된 것을 보인 설명도이다. 또한, 도 7은 플라즈마 건에 의하여 기판에 대하여 플라즈마 용사 작업이 수행되는 것을 보인 정면도이고, 도 8은 도 7에서 보인 작업이 수행되는 것을 보인 측면도이다.5 is an explanatory view showing that the substrate is transferred into the chamber by the transfer table, and FIG. 6 is an explanatory view showing that the substrate is completely transferred into the chamber. 7 is a front view showing that the plasma spraying operation is performed on the substrate by the plasma gun, and FIG. 8 is a side view showing the operation shown in FIG.

도 4, 4a 및 5~8을 참조하면, 먼저 플라즈마 용사의 대상이 되는 피처리대상으로서 예를 들어 정전척의 형태인 기판(32)이 이송대(34) 상에 얹혀 있는 캐리지(42) 상에 수평으로 배치된다. 캐리지(42)의 상부 프레임에 배열된 열교환코일(44)에 의하여 기판(32)은 코팅작업에 요구된 온도를 유지한다. 이송대(34)는 도어(10)의 개방으로 입구가 개방된 챔버(12)의 전면에 배치되고, 이송대(34)의 이송레일(38)이 챔버(12)의 내부에 배치된 지지구조물(30)의 이송레일(28)에 정렬된다(도 5 참조). 4, 4A and 5 to 8, first, a substrate 32 in the form of an electrostatic chuck, for example, an object to be plasma sprayed, is placed on a carriage 42 mounted on a transfer table 34. It is placed horizontally. The heat exchange coil 44 arranged in the upper frame of the carriage 42 maintains the temperature required for the coating operation. The carriage 34 is disposed in front of the chamber 12 in which the inlet is opened by the opening of the door 10, and the support structure in which the transfer rail 38 of the carriage 34 is disposed inside the chamber 12. It is aligned with the transfer rail 28 of 30 (refer FIG. 5).

이후, 기판(32)이 얹힌 캐리지(42)가 이송휠(40)의 도움으로 챔버(12) 외부의 이송대(34)로부터 챔버(12) 내부의 지지구조물(30)의 이송레일(28)측으로 이송되어 챔버(12) 내에 로딩됨으로써 챔버(12)의 내부중앙에 놓이게 된다(도 6 참조). Subsequently, the carriage 42 on which the substrate 32 is placed is transferred from the transfer table 34 outside the chamber 12 to the transfer rail 28 of the support structure 30 inside the chamber 12 with the aid of the transfer wheel 40. It is transported to the side and loaded into the chamber 12 so that it is placed in the inner center of the chamber 12 (see FIG. 6).

그리고, 플라즈마 건에 의한 플라즈마 용사를 수행하기 위하여, 챔버(12)의 도어(10)가 밀폐되고 챔버(12) 내부는 기판(32)의 플라즈마 용사를 위한 분위기가 조성된다. 이때, 일 예로서, 먼저 챔버(12) 내부의 산소 및 수분을 정화(purification) 또는 감압 처리를 통하여 제거 또는 감소시킨 후, 아르곤 및/또는 질소로 분위기화할 수 있다. 이에 의하여, 내 크랙(crack) 특성, 기공율 및 경도가 우수한 용사막을 얻을 수 있고, 특히 플라즈마 용사공정 중의 산소와의 결합을 방지함으로써 저저항의 메탈막이 형성가능하다.In addition, in order to perform plasma spraying by the plasma gun, the door 10 of the chamber 12 is sealed and the chamber 12 has an atmosphere for plasma spraying of the substrate 32. In this case, as an example, the oxygen and moisture inside the chamber 12 may be first removed or reduced through purification or reduced pressure, and then may be atmosphered with argon and / or nitrogen. As a result, a thermal spraying film having excellent crack resistance, porosity, and hardness can be obtained, and in particular, a low resistance metal film can be formed by preventing the bonding with oxygen during the plasma spraying process.

그리고, 챔버(12)의 내부에 배치되어 있는 지지구조물(30) 상에 놓여 챔버(12)의 내부중앙에 놓이게 된 기판(32)에 대하여 플라즈마 건(26)의 플라즈마 용사에 의한 코팅작업이 수행된다(도 7~8 참조). 정면에서 보았을 때(도 2), 양측에 수평으로 평행하게 배치된 Y방향 가이드레일(18)을 따라 Y방향 엘엠블록(20)이 전후로 이동하고 이러한 엘엠블럭(20) 상에 가로질러 착설된 X방향 가이드레일(22)이 이에 따라서 좌우로 이동함으로써, 이러한 플라즈마 건(26)은 X-Y축을 기준으로 자유로이 이동하면서 플라즈마 용사가 이루어진다. 이로써, 챔버(12)의 내부에서 수평으로 배치된 기판(32)의 표면상에 플라즈마 용사에 의한 코팅층이 형성된다.In addition, a coating operation by plasma spraying of the plasma gun 26 is performed on the substrate 32 placed on the support structure 30 disposed inside the chamber 12 and placed in the center of the chamber 12. (See FIGS. 7-8). When viewed from the front (FIG. 2), the Y-direction L-block 20 moves back and forth along the Y-direction guide rails 18 arranged horizontally on both sides, and the X is placed across the L-block 20. As the directional guide rail 22 is moved to the left and right accordingly, the plasma gun 26 is freely moved around the XY axis to perform plasma spraying. As a result, a coating layer by plasma spraying is formed on the surface of the substrate 32 arranged horizontally in the chamber 12.

플라즈마 건(26)에 의한 플라즈마 용사의 작업공정이 완료되면, 도어(10)가 개방되고 이송대(34)가 입구가 개방된 챔버(12)의 전면에 배치되며 이송대(34)의 이송레일(38)이 챔버(12)의 내부에 배치된 지지구조물(30)의 이송레일(28)에 정렬된다. 이후, 챔버(12) 내에서 기판(32)이 얹힌 캐리지(42)가 이송대(34)측으로 이송되어 기판(32)이 언로딩된다.When the operation process of the plasma spraying by the plasma gun 26 is completed, the door 10 is opened and the carriage 34 is disposed in front of the chamber 12 in which the inlet is opened, and the transfer rail of the carriage 34 is provided. 38 is aligned with the transfer rail 28 of the support structure 30 disposed inside the chamber 12. Subsequently, in the chamber 12, the carriage 42 on which the substrate 32 is placed is transferred to the conveyance table 34 to unload the substrate 32.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 대면적의 기판(32)을 대상으로 하는 플라즈마 용사의 작업은 기판(32)이 수평으로 배치되고 플라즈마 건이 수평으로 배치된 기판(32)에 대하여 수평방향으로 이동하면서 작업을 수행하므로, 종래의 수직형 챔버를 이용하는 것에 비하여 예를 들어 1/7~1/6배 정도로 챔버의 공간이 축소될 수 있어 이에 따라 챔버 내 분위기의 조성이 용이해진다.As described above, according to the present invention, the plasma spraying operation for the large-area substrate 32 is performed while the substrate 32 is horizontally disposed and the plasma gun is horizontally moved with respect to the substrate 32 disposed horizontally. Since the work is performed, the space of the chamber can be reduced by, for example, 1/7 to 1/6 times as compared with the conventional vertical chamber, thereby facilitating the composition of the atmosphere in the chamber.

전술한 본 발명은 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이고, 이러한 수정, 변경, 부가 등은 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다. 일 예를 들어, 여기서는 대면적의 기판의 형상을 사각형의 예로 들었으나, 본 발명에서는 상기 기판의 형상은 이에 한정되지 아니한다. 또한, 다른 일 예로서, 본 발명은 플라즈마 용사처리 도중 발생하는 챔버 내의 분진 등을 집진 및 배기함으로써 제거하는 집진장치(미도시) 및/또는 배기장치(미도시)를 더 포함할 수 있다. Anyone with ordinary skill in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Such modifications, changes, and additions should be regarded as belonging to the claims. . For example, although the shape of the large-area substrate is exemplified here as a quadrangular shape, the shape of the substrate is not limited thereto. As another example, the present invention may further include a dust collector (not shown) and / or an exhaust device (not shown) for removing dust by collecting and exhausting dust and the like in the chamber generated during the plasma spray treatment.

10: 도어, 12: 챔버, 14: 지지대, 16: 지주, 18: Y축방향 가이드레일, 20: Y축방향 엘엠블록, 22: X축방향 가이드레일, 24: X축방향 엘엠블록, 26: 플라즈마 건, 28: 이송레일, 30: 지지구조물, 32: 기판, 34: 이송대, 36: 캐스터, 38: 이송레일, 40: 이송휠, 42: 캐리지, 44: 열교환코일.10: door, 12: chamber, 14: support, 16: support, 18: Y-axis guide rail, 20: Y-axis L block, 22: X-axis guide rail, 24: X-axis El block, 26: Plasma gun, 28: transfer rail, 30: support structure, 32: substrate, 34: transfer table, 36: caster, 38: transfer rail, 40: transfer wheel, 42: carriage, 44: heat exchange coil.

Claims (9)

플라즈마 용사에 의해 기판(32)의 표면상에 소정의 용사막을 형성하기 위한 수평형 플라즈마 용사 장치에 있어서,
개방 및 밀폐가 가능한 챔버(12)와;
상기 챔버(12)의 내부에 배치되고 상부에 로딩되는 상기 기판(32)을 수평으로 지지하며, 상부에 제1축방향으로 이송레일(28)이 연장된 지지구조물(30)과;
상기 챔버(12) 내에서 양측에 수평으로 평행하게 배치되고 상부에 제1축방향 엘엠블록(20)이 결합된 제1축방향 가이드레일(18)과;
양측의 상기 제1축방향 엘엠블록(20)에 상기 제1방향 가이드레일(18)의 축선에 직각을 이루어 제2축방향으로 연장되게 배치되고 상부에 제2축방향 엘엠블록(24)이 결합된 제2축방향 가이드레일(22)과;
플라즈마 아크를 발생시키고, 상기 발생된 플라즈마 아크를 분사하는 분사구를 포함하며, 상기 분사구는 상기 기판(32)을 향하도록 상기 제2축방향 가이드레일(22) 상에 배치된 제2축방향 엘엠블록(24)에 수직하측으로 착설되는 플라즈마 건(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
In the horizontal plasma spraying device for forming a predetermined sprayed film on the surface of the substrate 32 by plasma spraying,
A chamber 12 capable of being opened and closed;
A support structure (30) horizontally supporting the substrate (32) disposed inside the chamber (12) and loaded thereon, the transfer rail (28) extending in a first axial direction thereon;
A first axial guide rail 18 disposed horizontally parallel to both sides in the chamber 12 and having a first axial L block 20 coupled thereto;
The first axial direction M block 20 is disposed at a right angle to the axis line of the first direction guide rail 18 and extends in the second axial direction, and the second axial direction M block 24 is coupled to the upper side. A second axial guide rail 22;
And an injection hole for generating a plasma arc and injecting the generated plasma arc, wherein the injection hole is disposed on the second axial guide rail 22 to face the substrate 32. And horizontal plasma spraying device (26) mounted below and vertical to (24).
제1항에 있어서,
상기 챔버(12)의 외부에 준비되고 상부에 이송레일(38)이 배치되며 상기 이송레일(38)에서 상기 기판(32)을 수평으로 지지하는 캐리지(42)가 안내되는 이송대(34)를 더 포함하고, 상기 기판(32)을 수평으로 지지하는 캐리지(42)는 상기 지지구조물(30)의 이송레일(28) 상으로 이동되어 상기 기판(32)이 상기 지지구조물(30) 상에 로딩되는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
The method of claim 1,
The transfer table 34 is provided on the outside of the chamber 12 and a transfer rail 38 is disposed at an upper portion thereof and the carriage 42 for guiding the substrate 32 horizontally on the transfer rail 38 is guided. Further, the carriage 42 supporting the substrate 32 horizontally is moved onto the transfer rail 28 of the support structure 30 so that the substrate 32 is loaded on the support structure 30 Horizontal plasma spraying apparatus characterized in that the.
제2항에 있어서,
상기 챔버(12) 내에 상기 기판(32)이 로딩 및 언로딩될 때 상기 이송대(34)는 개방된 상기 챔버(12)의 전면에 배치되고 상기 이송대(34)의 상기 이송레일(38)이 상기 챔버(12)의 내부에 배치된 상기 지지구조물(30)의 상기 이송레일(28)에 정렬되어 상기 기판(32)을 수평으로 지지하는 캐리지(42)가 상기 이송대(34) 및 지지구조물(30) 간에 이동되는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
The method of claim 2,
When the substrate 32 is loaded and unloaded in the chamber 12, the transfer table 34 is disposed in front of the open chamber 12 and the transfer rail 38 of the transfer table 34. The carriage 42 and the carriage 42, which are aligned with the transfer rail 28 of the support structure 30 disposed in the chamber 12 and horizontally support the substrate 32, are supported. Horizontal plasma spraying device, characterized in that moved between the structure (30).
제2항에 있어서,
상기 캐리지(42)는 상기 기판(32)의 저면과 접촉하는 상부 프레임 내에 배열되어 상기 기판(32)을 냉각 또는 가열하는 열교환코일(44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
The method of claim 2,
The carriage (42) comprises a heat exchange coil (44) arranged in an upper frame in contact with the bottom of the substrate (32) to cool or heat the substrate (32).
제4항에 있어서,
상기 열교환코일(44)은 10~150℃의 온도범위로 조정되는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
5. The method of claim 4,
The heat exchange coil 44 is a horizontal plasma spraying device, characterized in that adjusted to a temperature range of 10 ~ 150 ℃.
제1항에 있어서,
상기 기판(32)은 정전척인 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
The method of claim 1,
And said substrate (32) is an electrostatic chuck.
제1항에 있어서,
상기 플라즈마 건(26)은 상기 제1축 방향 및 제2축 방향 중의 하나 이상으로 이동하면서 상기 기판(32) 상에 상기 플라즈마 아크를 분사하는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사 장치.
The method of claim 1,
And the plasma gun (26) sprays the plasma arc onto the substrate (32) while moving in one or more of the first and second axis directions.
제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 의한 수평형 플라즈마 용사 장치를 이용하여 수평으로 배치된 상기 기판(32)의 표면상에 플라즈마 아크를 분사하여 소정의 용사막을 형성하는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사방법.A predetermined thermal spraying film can be formed by spraying a plasma arc on the surface of the substrate 32 arranged horizontally using the horizontal plasma spraying device according to any one of claims 1 to 7. Equilibrium Plasma Spraying Method. 제8항에 있어서,
상기 플라즈마 용사는 상기 챔버(12) 내부에 다음 단계들을 포함하여 형성되는 분위기 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수평형 플라즈마 용사방법.
상기 챔버(12) 내부의 산소 및 수분을 정화 또는 감압하는 단계와;
상기 챔버(12) 내부를 아르곤 및 질소 중의 하나 이상으로 충전하는 단계.
9. The method of claim 8,
Wherein the plasma spraying is performed in an atmosphere formed in the chamber (12) including the following steps.
Purifying or depressurizing oxygen and moisture in the chamber (12);
Filling said chamber (12) with at least one of argon and nitrogen.
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