KR20130007683A - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device package is provided to form a coating layer including a concavo-convex region between a light emitting device and a resin layer and to uniformly distribute fluorescent substance. CONSTITUTION: A first and a second lead frame are arranged in a body. A light emitting device(130) is electrically connected to the first and the second lead frame. A resin layer(160) is molded in a cavity. A coating layer is arranged between the resin layer and the light emitting device. A first concavo-convex region(180) includes the depressed region and the protruded region of the coating layer.

Description

발광소자 패키지{Light Emitting Device Package}Light Emitting Device Package

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts an electric signal into a light form using the characteristics of a compound semiconductor, and is used for home appliances, remote controllers, electronic displays, indicators, and various automation devices. There is a trend.

한편, 발광소자 패키지 내의 발광소자에서 생성된 광은 소정의 수지층을 통과하며 상기 광에 의해서 수지층 내의 형광체가 여기되어 의도한 광을 생성하게 된다. 따라서 수지층 내의 형광체의 균일한 분포를 통해 발광소자 패키지의 광의 균일도 및 분포도를 확보할 필요가 있다.On the other hand, the light generated by the light emitting device in the light emitting device package passes through a predetermined resin layer and the phosphor in the resin layer is excited by the light to generate the intended light. Therefore, it is necessary to ensure uniformity and distribution of light of the light emitting device package through uniform distribution of the phosphor in the resin layer.

실시예는 발광소자 패키지의 발광소자와 수지층 사이에 요철부를 포함한 코팅층을 형성함으로써 수지층에 포함된 형광체가 균일하게 분포하게 하여 광의 균일도 및 분포도가 개선된 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package in which the phosphor included in the resin layer is uniformly distributed by forming a coating layer including an uneven portion between the light emitting device and the resin layer of the light emitting device package, thereby improving uniformity and distribution of light.

실시예에 따른 발광소자 패키지는, 캐비티가 형성된 몸체와, 몸체에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임과, 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자와, 캐비티 내에 몰딩되고 형광체를 포함하는 수지층 및 수지층과 발광소자 사이에 배치되는 코팅층을 포함하며, 코팅층은 함몰 영역 및 돌출 영역을 포함한 제1 요철부를 포함하고, 형광체의 적어도 일부는 함몰 영역에 배치된다.The light emitting device package according to the embodiment includes a body in which a cavity is formed, first and second lead frames disposed on the body, a light emitting device electrically connected to the first and second lead frames, and a phosphor molded in the cavity. And a coating layer disposed between the resin layer and the light emitting element, wherein the coating layer includes a first uneven portion including a recessed area and a protruding area, and at least a portion of the phosphor is disposed in the recessed area.

한편, 코팅층은 절연성 재질을 포함한다.On the other hand, the coating layer comprises an insulating material.

한편, 발광소자는 투광성 전극층을 포함한다.On the other hand, the light emitting device includes a transparent electrode layer.

한편, 투광성 전극층은 제2 요철부를 포함한다.On the other hand, the transparent electrode layer includes a second uneven portion.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자와 수지층 사이에 요철부를 포함한 코팅층을 형성함으로써 수지층에 포함된 형광체가 균일하게 분포하게 하여 광의 균일도 및 분포도가 개선된다.The light emitting device package according to the embodiment forms a coating layer including an uneven portion between the light emitting device and the resin layer to uniformly distribute the phosphor contained in the resin layer, thereby improving uniformity and distribution of light.

또한, 발광소자와 수지층 사이에 형성된 코팅층에 의해서 발광소자가 더욱 신뢰성 있게 보호된다.In addition, the light emitting device is more reliably protected by a coating layer formed between the light emitting device and the resin layer.

도 1a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도,
도 1b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도,
도 1c 는 도 1b 에 나타난 A 영역을 나타낸 확대도,
도 1d 는 도 1b 에 나타난 A 영역을 나타낸 확대도,
도 1e 는 도 1b 에 나타난 A 영역을 나타낸 확대도,
도 1f 는 도 1b 에 나타난 A 영역을 나타낸 확대도,
도 1g 는 도 1b 에 나타난 A 영역을 나타낸 확대도,
도 2a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도,
도 2b 는 도 2a 에 나타난 B 영역을 나타낸 확대도,
도 3 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도,
도 4a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 사시도,
도 4b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 나타낸 단면도,
도 5 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치를 나타낸 분해 사시도, 그리고
도 6 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치를 나타낸 분해 사시도이다.1A is a perspective view of a light emitting device package according to an embodiment;
1B is a sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment;
FIG. 1C is an enlarged view of a region A shown in FIG. 1B;
1D is an enlarged view of a region A shown in FIG. 1B;
1E is an enlarged view of a region A shown in FIG. 1B;
1F is an enlarged view of a region A shown in FIG. 1B;
FIG. 1G is an enlarged view of a region A shown in FIG. 1B;
2A is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment;
FIG. 2B is an enlarged view of a region B shown in FIG. 2A;
3 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment;
4A is a perspective view of a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment;
4B is a sectional view showing a lighting apparatus including a light emitting device package according to an embodiment;
5 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device including a light emitting device package according to the embodiment;
6 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display including a light emitting device package according to an embodiment.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한, 동일한 구성에 대하여서는 동일한 부호를 사용하기로 한다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size. In addition, the same code | symbol is used about the same structure.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a 내지 도 1g 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도 및 단면도이다.1A to 1G are perspective and cross-sectional views illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

이하에서는, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 발광소자 패키지(100)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.Hereinafter, in order to describe the shape of the light emitting device package 100 according to the embodiment in more detail, the longitudinal direction (Z) of the light emitting device package 100, the horizontal direction (Y) perpendicular to the longitudinal direction (Z), The height direction X perpendicular to the longitudinal direction Z and the horizontal direction Y will be described.

즉, 도 1b 는 도 1a의 발광소자 패키지(100)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 1B is a cross-sectional view of the light emitting device package 100 of FIG. 1A cut in the plane of the longitudinal direction Z and the height direction X, and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 1a 내지 도 1g 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 캐비티(120)가 형성된 몸체(110), 몸체(110)에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)과, 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)과 전기적으로 연결되는 발광소자(130), 형광체(162)를 포함하며 캐비티(120) 내에 몰딩되는 수지층(160), 및 수지층(160)과 발광소자(130) 사이에 배치되는 코팅층(170)을 포함하며, 코팅층(170)은 제1 요철부(180)를 포함한다. 1A to 1G, the light emitting device package 100 according to the embodiment may include a body 110 having a cavity 120 and first and second lead frames 140 and 150 disposed on the body 110. And a light emitting element 130 electrically connected to the first and second lead frames 140 and 150, a phosphor layer 162, and a resin layer 160 molded in the cavity 120, and a resin layer 160. ) And the light emitting device 130 includes a coating layer 170, and the coating layer 170 includes a first uneven portion 180.

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 110 is made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), photosensitive glass (PSG), polyamide 9T (PA9T) ), Neo geotactic polystyrene (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), may be formed of at least one of a printed circuit board (PCB, Printed Circuit Board). The body 110 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(110)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(130)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 110 may be formed with an inclined surface. The angle of reflection of the light emitted from the light emitting device 130 may vary according to the angle of the inclined surface, thereby adjusting the directivity of the light emitted to the outside.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.As the directivity of the light decreases, the concentration of light emitted from the light emitting device 130 to the outside increases. On the contrary, the greater the directivity of the light, the less the concentration of light emitted from the light emitting device 130 to the outside.

한편, 몸체(110)에 형성되는 캐비티(120)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, the shape of the cavity 120 formed on the body 110 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but is not limited thereto.

발광소자(130)는 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)과 전기적으로 연결되며, 발광소자(130)는 일 예로 발광 다이오드일 수 있다.The light emitting device 130 is electrically connected to the first and second lead frames 140 and 150, and the light emitting device 130 may be, for example, a light emitting diode.

발광 다이오드는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 다이오드는 한 개 이상 배치될 수 있다.The light emitting diode may be, for example, a colored light emitting diode that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) light emitting diode that emits ultraviolet light. In addition, one or more light emitting diodes may be disposed.

또한, 발광 다이오드는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.In addition, the light emitting diode is applicable to both a horizontal type in which the electrical terminals are formed on the upper surface, or to a vertical type or flip chip formed on the upper and lower surfaces. .

수지층(160)은 발광소자(130)를 덮도록 캐비티(120)에 몰딩될 수 있다.The resin layer 160 may be molded in the cavity 120 to cover the light emitting device 130.

수지층(160)은 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(120) 내에 소정의 수지물을 몰딩한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The resin layer 160 may be formed of silicon, epoxy, and other resin materials, and may be formed by molding a predetermined resin material in the cavity 120 and then UV or heat curing the resin.

또한 수지층(160)은 형광체(162)를 포함할 수 있으며, 형광체(162)는 발광소자(130)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.In addition, the resin layer 160 may include a phosphor 162. The phosphor 162 may be selected by a type of wavelength of light emitted from the light emitting device 130 to allow the light emitting device package 100 to realize white light. have.

이러한 형광체는 발광소자(130)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor is one of a blue light emitting phosphor, a blue green light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a yellow green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow red light emitting phosphor, an orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor according to a wavelength of light emitted from the light emitting element 130. Can be applied.

즉, 형광체는 발광소자(130)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(130)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 130 to generate the second light. For example, when the light emitting element 130 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and the blue light and blue light generated by the blue light emitting diode As the generated yellow light is mixed, the light emitting device package 100 may provide white light.

이와 유사하게, 발광소자(130)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(130)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting device 130 is a green light emitting diode, a magenta phosphor or a mixture of blue and red phosphors is mixed. When the light emitting device 130 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a blue and green phosphor is mixed. For example,

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such a fluorescent material may be a known fluorescent material such as a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 140 and 150 may be formed of a metal material, for example, titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), and tantalum (Ta). , Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge) It may include one or more materials or alloys of hafnium (Hf), ruthenium (Ru), iron (Fe). In addition, the first and second lead frames 140 and 150 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the embodiment is not limited thereto.

제1 제2 리드 프레임(140, 150)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(130)는 제1 리드 프레임(140) 상에 배치되며, 제1 리드 프레임(140)은 발광소자(130)와 직접 접촉하거나 또는 전도성을 갖는 재료(미도시)를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제2 리드 프레임(150)은 와이어(134)에 의해서 발광소자(130)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150)에 전원이 연결되면 발광소자(130)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(110)에 배치되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(미도시)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first second lead frames 140 and 150 are spaced apart from each other and electrically separated from each other. The light emitting device 130 is disposed on the first lead frame 140, and the first lead frame 140 may be in direct contact with the light emitting device 130 or electrically connected through a conductive material (not shown). have. In addition, the second lead frame 150 may be electrically connected to the light emitting device 130 by a wire 134, but is not limited thereto. Therefore, when power is connected to the first and second lead frames 140 and 150, power may be applied to the light emitting device 130. On the other hand, several lead frames (not shown) may be disposed on the body 110 and each lead frame (not shown) may be electrically connected to a light emitting device (not shown), but is not limited thereto.

수지층(160)과 발광소자(130) 사이에는 코팅층(170)이 배치될 수 있다.The coating layer 170 may be disposed between the resin layer 160 and the light emitting device 130.

코팅층(170)은 발광소자(130)와 수지층(160) 사이에 적어도 하나의 층을 이루며 배치될 수 있고, 예컨대 도 1f 에 도시된 바와 같이 발광소자(130)를 덮게 형성될 수 있으며, 예컨대 발광소자(130)를 제1 및 제2 리드 프레임(140, 150) 상에 배치하고 소정의 재질을 도포한 후 경화하여 형성될 수 있다. The coating layer 170 may be disposed to form at least one layer between the light emitting device 130 and the resin layer 160. For example, the coating layer 170 may be formed to cover the light emitting device 130 as illustrated in FIG. 1F. The light emitting device 130 may be disposed on the first and second lead frames 140 and 150, coated with a predetermined material, and cured.

코팅층(170)은 절연성을 갖는 재질로 형성될 수 있고, 예컨대 SiO2, SiN, Al2O3 중 어느 하나를 포함한 실리콘 수지, 또는 에폭시 수지 등으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. The coating layer 170 may be formed of an insulating material. For example, the coating layer 170 may be formed of a silicone resin including any one of SiO 2 , SiN, and Al 2 O 3 , or an epoxy resin, but is not limited thereto.

한편, 코팅층(170)은 지나치게 두꺼울 경우 발광소자(130)의 발광 휘도를 저해할 수 있으며, 지나치게 얇을 경우 발광소자(130)의 배광 분포를 저해할 수 있다. 따라서, 코팅층(170)의 두께 d 는 발광소자(130)에 포함된 다중 양자 우물 구조(미도시)의 1 주기의 두께보다 두껍게 형성될 수 있고, 예컨대 코팅층(170)의 두께 d 는 20 nm 내지 100 um 일 수 있다.On the other hand, when the coating layer 170 is too thick may inhibit the light emission luminance of the light emitting device 130, when the coating layer 170 is too thin may inhibit the light distribution of the light emitting device 130. Therefore, the thickness d of the coating layer 170 may be formed to be thicker than the thickness of one cycle of the multi-quantum well structure (not shown) included in the light emitting device 130. For example, the thickness d of the coating layer 170 may be 20 nm to Can be 100 um.

코팅층(170)은 제1 요철부(180)를 포함할 수 있다.The coating layer 170 may include a first uneven portion 180.

제1 요철부(180)는 코팅층(170)을 소정의 에칭 공정 등에 의해서 식각하여 형성하거나, 또는 발광소자(130)를 코팅층(170)으로 코팅하는 과정에서 제1 요철부(180)가 형성되게 할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. The first uneven portion 180 may be formed by etching the coating layer 170 by a predetermined etching process, or the first uneven portion 180 may be formed in the process of coating the light emitting device 130 with the coating layer 170. It is possible to, but not limited to.

제1 요철부(180)는 수개의 돌출 영역(182), 및 함몰 영역(184)을 포함하게 형성되며, 돌출 영역(182) 및 함몰 영역(184)의 형상은 랜덤하게 형성될 수 있고, 예컨대 도 1c 내지 도 1e 에 도시된 바와 같이 다각형 단면, 또는 라운딩된 단면을 가질 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 각각의 돌출 영역(182), 및 함몰 영역(184)의 형상은 서로 상이할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first concave-convex portion 180 is formed to include several protruding regions 182 and recessed regions 184, and the shapes of the protruding regions 182 and the recessed regions 184 may be formed at random. As illustrated in FIGS. 1C to 1E, the cross section may have a polygonal cross section or a rounded cross section, but is not limited thereto. In addition, the shapes of the protruding regions 182 and the recessed regions 184 may be different from each other, but are not limited thereto.

또한, 도 1g 에 도시된 바와 같이 코팅층(170)이 발광소자(130)를 덮도록 형성되고 발광소자(130)의 측면 영역에 형성된 코팅층(170)에 제1 요철부(180)가 형성될 수 있다. 또한, 제1 요철부(180)는 소정의 패턴을 갖는 요철 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.In addition, as illustrated in FIG. 1G, the coating layer 170 may be formed to cover the light emitting device 130, and the first uneven portion 180 may be formed in the coating layer 170 formed in the side region of the light emitting device 130. have. In addition, the first uneven portion 180 may be formed as a uneven pattern having a predetermined pattern, but is not limited thereto.

코팅층(170)에 제1 요철부(180)가 형성됨에 따라서, 수지층(160)의 일 영역및 형광체(162)의 일부가 제1 요철부(180)의 함몰 영역(184)에 배치될 수 있다. As the first uneven portion 180 is formed in the coating layer 170, one region of the resin layer 160 and a part of the phosphor 162 may be disposed in the recessed region 184 of the first uneven portion 180. have.

경화되기 전의 수지층(160)은 액상으로 형성되므로, 수지층(160) 내의 형광체(162)는 자체 질량에 의해서 수지층(160) 하부로 침강할 수 있으며, 따라서 발광소자(130) 상부 영역에 형광체(162)가 분포할 확률이 적고 아울러 그 분포 또한 불균일할 수 있다. Since the resin layer 160 before curing is formed in a liquid phase, the phosphor 162 in the resin layer 160 may settle under the resin layer 160 by its own mass, and thus, the upper portion of the light emitting device 130 may be deposited. The phosphor 162 is less likely to be distributed, and the distribution thereof may also be nonuniform.

그러나, 제1 요철부(180)의 함몰 영역(184)에 수지층(160)이 몰딩됨으로써, 수지층(160)에 포함된 형광체(162)가 함몰 영역(184)에 배치되어 발광소자(130) 상부 영역에 분포할 확률이 증가하며, 아울러 형광체(162) 균일한 분포가 가능해진다.However, since the resin layer 160 is molded in the recessed region 184 of the first uneven portion 180, the phosphor 162 included in the resin layer 160 is disposed in the recessed region 184 to emit light 130. The probability of distribution in the upper region increases, and the phosphor 162 can be uniformly distributed.

형광체(162)가 발광소자(130) 상에 분포할 확률이 증가하고 형광체(162)가 발광소자(130) 상에 균일하게 분포됨으로써, 발광소자 패키지(100)의 광의 균일도 및 분포도가 향상될 수 있다. 또한, 제1 요철부(180)에 의해서 발광소자(130)에서 생성된 광이 분산될 수 있기 때문에 발광소자 패키지(100)의 광 지향각 및 배광 분포가 개선될 수 있다. 또한 발광소자 패키지(100)의 발광 효율이 개선될 수 있으며, 형광체(162)의 부분 분포로 인한 형광체(162) 열화가 방지될 수 있다.Since the probability that the phosphor 162 is distributed on the light emitting device 130 is increased and the phosphor 162 is uniformly distributed on the light emitting device 130, the uniformity and distribution of light of the light emitting device package 100 may be improved. have. In addition, since the light generated by the light emitting device 130 may be dispersed by the first uneven portion 180, the light directing angle and the light distribution of the light emitting device package 100 may be improved. In addition, the luminous efficiency of the light emitting device package 100 may be improved, and deterioration of the phosphor 162 due to partial distribution of the phosphor 162 may be prevented.

한편, 발광소자(130)를 둘러싸게 코팅층(170)이 형성됨으로써, 수분 등과 같은 외부의 이물질 침투로 인한 발광소자(130)의 손상이 방지될 수 있다. 또한 발광소자(130)와 수지층(160) 사이에 제1 요철부(180)를 포함한 코팅층(170)이 형성되어 발광소자(130)와 수지층(160) 사이를 본딩함으로써, 발광소자(130)와 수지층(160) 사이의 계면박리가 방지되어 발광소자 패키지(100)의 신뢰성이 향상될 수 있다.On the other hand, since the coating layer 170 is formed to surround the light emitting device 130, damage to the light emitting device 130 due to the infiltration of foreign matter such as moisture can be prevented. In addition, a coating layer 170 including a first uneven portion 180 is formed between the light emitting device 130 and the resin layer 160 to bond the light emitting device 130 and the resin layer 160 to each other. ) And interfacial separation between the resin layer 160 may be prevented, thereby improving reliability of the light emitting device package 100.

한편, 함몰 영역(184)의 폭 w 및 깊이 h 는 형광체(162)가 배치될 수 있도록 형광체(162) 보다 큰 크기를 가질 수 있다. 예컨대 폭 w 는 100 nm 내지 500 um 의 크기를 가질 수 있으며, 깊이 h 는 10 nm 내지 99 um 의 크기를 가질 수 있다.On the other hand, the width w and the depth h of the recessed region 184 may have a larger size than the phosphor 162 so that the phosphor 162 can be disposed. For example, the width w may have a size of 100 nm to 500 um and the depth h may have a size of 10 nm to 99 um.

도 2a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이며, 도 2b 는 도 2a 에 도시된 B 영역의 확대도이다.2A is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 2B is an enlarged view of region B shown in FIG. 2A.

도 2a 및 도 2b 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 캐비티(220)가 형성된 몸체(210), 몸체(210)에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임(240, 250)과, 제1 및 제2 리드 프레임(240, 250)과 전기적으로 연결되는 발광소자(230), 형광체를 포함하며 캐비티(220) 내에 몰딩되는 수지층(260), 및 수지층(260)과 발광소자(230) 사이에 배치되는 코팅층(270)을 포함하며, 코팅층(270)은 제1 요철부(280)를 포함하고, 발광소자(230)는 투광성 전극층(232)을 포함하며, 투광성 전극층(232)은 제2 요철부(290)를 포함할 수 있다. 2A and 2B, the light emitting device package 200 according to the embodiment may include a body 210 having a cavity 220 and first and second lead frames 240 and 250 disposed on the body 210. And a light emitting element 230 electrically connected to the first and second lead frames 240 and 250, a resin layer 260 including phosphors and molded in the cavity 220, and a light emission with the resin layer 260. A coating layer 270 disposed between the elements 230, the coating layer 270 includes a first uneven portion 280, the light emitting element 230 includes a light transmitting electrode layer 232, and a light transmitting electrode layer ( 232 may include a second uneven portion 290.

몸체(210), 캐비티(220), 발광소자(230) 제1 및 제2 리드 프레임(240, 250), 수지층(260), 코팅층(270), 및 제1 요철부(280)는 상술한 바와 같으므로 중복 설명은 생략한다.The body 210, the cavity 220, the light emitting device 230, the first and second lead frames 240 and 250, the resin layer 260, the coating layer 270, and the first uneven portion 280 are described above. Since the description is the same, duplicate description is omitted.

투광성 전극층(232)은 전기 전도성 및 광투과성을 갖는 재질로 형성되며, 예컨대 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 발광소자(230) 상부에 투광성 전극층(232)이 형성됨으로써, 와이어(234)로부터 발광소자(230)로 전달되는 전류가 일부 영역에 집중되는 전류군집현상이 방지되고 전류 스프레딩 효과가 달성되어 발광소자(230) 및 발광소자 패키지(200)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The transmissive electrode layer 232 is formed of a material having electrical conductivity and light transmittance, for example, ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO (Al-Ga ZnO), At least one of IGZO (In-Ga ZnO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO may be formed. The light-transmitting electrode layer 232 is formed on the light emitting device 230, thereby preventing a current grouping phenomenon in which a current transferred from the wire 234 to the light emitting device 230 is concentrated in a partial region, and achieving a current spreading effect. The light emission efficiency of the device 230 and the light emitting device package 200 may be improved.

한편, 코팅층(270)의 두께는 투광성 전극층(232)의 두께와 같거나, 또는 그 이상일 수 있다.Meanwhile, the thickness of the coating layer 270 may be equal to or greater than the thickness of the transparent electrode layer 232.

투광성 전극층(232) 상에는 제2 요철부(290)가 형성될 수 있다. The second uneven portion 290 may be formed on the transparent electrode layer 232.

제2 요철부(290)는 수개의 돌출 영역(292) 및 함몰 영역(284)을 포함하며, 돌출 영역(292) 및 함몰 영역(284)의 형상은 랜덤하게 형성될 수 있고, 예컨대 도에 도시된 바와 같이 다각뿔 단면, 또는 라운딩된 단면을 가질 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 제2 요철부(290)는 소정의 패턴을 갖는 요철 패턴으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. The second uneven portion 290 includes several protruding regions 292 and recessed regions 284, and the shapes of the protruding regions 292 and the recessed regions 284 may be formed at random, for example, as shown in the figure. As described above, it may have a polygonal pyramid cross section or a rounded cross section, but is not limited thereto. In addition, the second concave-convex portion 290 may be formed as a concave-convex pattern having a predetermined pattern, but is not limited thereto.

투광성 전극층(232) 상에 제2 요철부(290)가 형성됨으로써, 코팅층(270)과 발광소자(230) 사이의 접촉 면적이 증가할 수 있고, 따라서 코팅층(270)과 발광소자(230) 사이의 본딩 신뢰성이 개선될 수 있다. 또한, 발광소자(230)에서 발생한 광이 투광성 전극층(232)과 코팅층(270) 사이의 계면에서 전반사되거나 또는 흡수되는 것이 방지되어 발광소자 패키지(200)의 발광 효율이 향상될 수 있다.By forming the second uneven portion 290 on the light transmissive electrode layer 232, the contact area between the coating layer 270 and the light emitting device 230 may increase, and thus, between the coating layer 270 and the light emitting device 230. The bonding reliability of can be improved. In addition, light emitted from the light emitting device 230 may be prevented from being totally reflected or absorbed at the interface between the transparent electrode layer 232 and the coating layer 270, thereby improving light emission efficiency of the light emitting device package 200.

도 3 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a light emitting device package according to the embodiment.

도 3 을 참조하면, 발광소자 패키지(300)는 광학 시트(390)를 포함할 수 있으며, 광학 시트(390)는 베이스부(392) 및 프리즘 패턴(394)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device package 300 may include an optical sheet 390, and the optical sheet 390 may include a base portion 392 and a prism pattern 394.

베이스부(392)는 프리즘 패턴(394)를 형성하기 위한 지지체로서 열적 안정성이 우수하고 투명한 재질로 이루어진 것으로, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 및 폴리에폭시로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The base portion 392 is a support for forming the prism pattern 394 and is made of a transparent material having excellent thermal stability. For example, the base portion 392 is made of polyethylene terephthalate, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polystyrene, and polyepoxy. It may be made of any one selected from the group, but is not limited thereto.

또한, 베이스부(392)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예로 베이스부(392)를 형성하는 재질에 형광체(미도시)를 골고루 분산시킨 상태에서 이를 경화하여 베이스부(392)를 형성할 수 있다. 이와 같이 베이스부(392)를 형성하는 경우는 형광체(미도시)는 베이스부(392) 전체에 균일하게 분포될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지(300)에 형광체를 포함하는 광학시트(390)를 부착하는 경우는, 발광소자 패키지(300)의 광의 균일도 및 분포도가 향상될 수 있다.In addition, the base 392 may include a phosphor (not shown). As an example, the base portion 392 may be formed by curing the phosphor (not shown) evenly in a state in which the base portion 392 is formed. As described above, when the base portion 392 is formed, the phosphor (not shown) may be uniformly distributed over the base portion 392. Therefore, when the optical sheet 390 including the phosphor is attached to the light emitting device package 300, the uniformity and distribution of light of the light emitting device package 300 may be improved.

한편, 베이스부(392) 상에는 광을 굴절하고, 집광하는 입체 형상의 프리즘 패턴(394)이 형성될 수 있다. 프리즘 패턴(394)을 구성하는 물질은 아크릴 레진일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, a three-dimensional prism pattern 394 may be formed on the base 392 to refract and collect light. The material constituting the prism pattern 394 may be acrylic resin, but is not limited thereto.

프리즘 패턴(394)은 베이스부(392)의 일 면에서 일 방향을 따라 상호 인접하여 평행하게 배열된 복수의 선형 프리즘을 포함하며, 선형 프리즘의 축 방향에 대한 수직 단면은 삼각형일 수 있다.The prism pattern 394 includes a plurality of linear prisms arranged in parallel with one another in one direction on one surface of the base portion 392, and a vertical cross section of the linear prism in the axial direction may be triangular.

프리즘 패턴(394)은 광을 집광하는 효과가 있기 때문에, 도 3의 발광소자 패키지(300)에 광학 시트(390)를 부착하는 경우는 광의 직진성이 향상될 수 있다.Since the prism pattern 394 has an effect of condensing light, when the optical sheet 390 is attached to the light emitting device package 300 of FIG. 3, the linearity of the light may be improved.

한편, 프리즘 패턴(394)에는 형광체(미도시)가 포함될 수 있다.On the other hand, the prism pattern 394 may include a phosphor (not shown).

형광체(미도시)는 분산된 상태로 프리즘 패턴(394)을 형성하는, 예를 들면 아크릴 레진과 혼합하여 페이스트 또는 슬러리 상태로 만든 후, 프리즘 패턴(394)을 형성함으로써 프리즘 패턴(394) 내에 균일하게 포함될 수 있다.Phosphors (not shown) are uniformly formed in the prism pattern 394 by forming the prism pattern 394 in a dispersed state, for example, by mixing with acrylic resin to form a paste or slurry, and then forming the prism pattern 394. Can be included.

이와 같이 프리즘 패턴(394)에 형광체(미도시)가 포함되는 경우는 발광소자 패키지(300)의 광의 균일도 및 분포도가 향상됨은 물론, 프리즘 패턴(394)에 의한 광의 집광효과 외에 형광체(미도시)에 의한 광의 분산효과가 있기 때문에 발광소자 패키지(300)의 지향각을 향상시킬 수 있다.When the phosphor (not shown) is included in the prism pattern 394 as described above, the uniformity and distribution of the light of the light emitting device package 300 are improved, and in addition to the light condensing effect of the prism pattern 394, the phosphor is not shown. Due to the light scattering effect, the directivity of the light emitting device package 300 can be improved.

도 4a는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 4b는 도 4a의 조명장치의 C - C' 단면을 도시한 단면도이다.4A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a C-C 'cross section of the lighting device of FIG. 4A.

즉, 도 4b는 도 4a의 조명장치(400)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 4B is a cross-sectional view of the lighting apparatus 400 of FIG. 4A cut in the plane of the longitudinal direction Z and the height direction X, and viewed in the horizontal direction Y. As shown in FIG.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 조명장치(400)는 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.4A and 4B, the lighting device 400 may include a body 410, a cover 430 fastened to the body 410, and a closing cap 450 positioned at both ends of the body 410. have.

몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(440)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The lower surface of the body 410 is fastened to the light emitting device module 440, the body 410 is conductive and so that the heat generated from the light emitting device package 444 can be discharged to the outside through the upper surface of the body 410 The heat dissipation effect may be formed of an excellent metal material, but is not limited thereto.

발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 배치되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 배치되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 배치될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting device package 444 may be arranged on the substrate 442 in a multi-colored, multi-row array to form a module. The light emitting device package 444 may be arranged at the same interval or may be arranged at various separation distances as necessary to adjust brightness. As the substrate 442, a metal core PCB (MCPCB) or a PCB made of FR4 may be used.

발광소자 패키지(444)는 발광소자(미도시)를 포함하며, 발광소자(미도시)는 요철부(미도시)가 형성된 코팅층(미도시)에 의해서 코팅되어 발광소자 패키지(444) 내의 형광체(미도시)가 균일하게 분포될 수 있고, 따라서 발광소자 패키지(444) 및 조명장치(400)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The light emitting device package 444 includes a light emitting device (not shown), and the light emitting device (not shown) is coated by a coating layer (not shown) having an uneven portion (not shown) to form a phosphor in the light emitting device package 444 ( Not shown) may be uniformly distributed, and thus the luminous efficiency of the light emitting device package 444 and the lighting device 400 may be improved.

커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 430 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 410, but is not limited thereto.

커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(440)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 430 protects the light emitting device module 440 from the outside and the like. In addition, the cover 430 may include diffusing particles to prevent glare of the light generated from the light emitting device package 444 and to uniformly emit light to the outside, and may also include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430. A prism pattern or the like may be formed on either side. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430.

한편, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는 바, 커버(430)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.On the other hand, since the light generated from the light emitting device package 444 is emitted to the outside through the cover 430, the cover 430 should be excellent in the light transmittance, sufficient to withstand the heat generated in the light emitting device package 444 The cover 430 should be provided with heat resistance, and the cover 430 may include polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like. It is preferably formed of a material.

마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(400)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 450 is located at both ends of the body 410 may be used for sealing the power supply (not shown). In addition, the closing cap 450 is a power pin 452 is formed, the lighting device 400 according to the embodiment can be used immediately without a separate device to the terminal from which the existing fluorescent lamps are removed.

도 5는 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.5 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the optical sheet according to the embodiment.

도 5는 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.5 is an edge-light method, and the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510.

액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 510 may display an image by using light provided from the backlight unit 570. The liquid crystal display panel 510 may include a color filter substrate 512 and a thin film transistor substrate 514 facing each other with a liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 512 may implement colors of an image displayed through the liquid crystal display panel 510.

박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 배치되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 514 is electrically connected to the printed circuit board 518 on which a plurality of circuit components are disposed through the driving film 517. The thin film transistor substrate 514 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 518 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 518.

박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 514 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 566, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The backlight unit 570 may convert the light provided from the light emitting device module 520, the light emitting device module 520 into a surface light source, and provide the light guide plate 530 to the liquid crystal display panel 510. Reflective sheet for reflecting the light emitted from the rear of the light guide plate 530 and the plurality of films 550, 566, 564 to uniform the luminance distribution of the light provided from the 530 and improve the vertical incidence ( 540.

발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 배치되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 520 may include a PCB substrate 522 such that a plurality of light emitting device packages 524 and a plurality of light emitting device packages 524 are disposed to form a module.

발광소자 패키지(524)는 발광소자(미도시)를 포함하며, 발광소자(미도시)는 요철부(미도시)가 형성된 코팅층(미도시)에 의해서 코팅되어 발광소자 패키지(524) 내의 형광체(미도시)가 균일하게 분포될 수 있고, 따라서 발광소자 패키지(524) 및 백라이트 유닛(570)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The light emitting device package 524 includes a light emitting device (not shown), and the light emitting device (not shown) is coated by a coating layer (not shown) having an uneven portion (not shown) to form a phosphor in the light emitting device package 524 ( Not shown) may be uniformly distributed, and thus the luminous efficiency of the light emitting device package 524 and the backlight unit 570 may be improved.

한편, 백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the backlight unit 570 includes a diffusion film 566 for diffusing light incident from the light guide plate 530 toward the liquid crystal display panel 510, and a prism film 550 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. ), And may include a protective film 564 to protect the prism film 550.

도 6은 실시예에 따른 광학시트를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 5에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.6 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including the optical sheet according to the embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 5 are not repeatedly described in detail.

도 6은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.6 illustrates a direct method, the liquid crystal display 600 may include a liquid crystal display panel 610 and a backlight unit 670 for providing light to the liquid crystal display panel 610.

액정표시패널(610)은 도 5에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 610 is the same as that described with reference to FIG. 5, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The backlight unit 670 may include a plurality of light emitting device modules 623, a reflective sheet 624, a lower chassis 630 in which the light emitting device modules 623 and the reflective sheet 624 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device module 623. It may include a diffusion plate 640 and a plurality of optical film 660 disposed in the.

발광소자 모듈(623) 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 배치되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.LED Module 623 A plurality of light emitting device packages 622 and a plurality of light emitting device packages 622 may be disposed to include a PCB substrate 621 to form a module.

발광소자 패키지(622)는 발광소자(미도시)를 포함하며, 발광소자(미도시)는 요철부(미도시)가 형성된 코팅층(미도시)에 의해서 코팅되어 발광소자 패키지(622) 내의 형광체(미도시)가 균일하게 분포될 수 있고, 따라서 발광소자 패키지(622) 및 백라이트 유닛(670)의 발광 효율이 개선될 수 있다.The light emitting device package 622 includes a light emitting device (not shown), and the light emitting device (not shown) is coated by a coating layer (not shown) on which an uneven portion (not shown) is formed to form a phosphor in the light emitting device package 622 ( Not shown) may be uniformly distributed, and thus the luminous efficiency of the light emitting device package 622 and the backlight unit 670 may be improved.

반사시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 624 reflects the light generated from the light emitting device package 622 in the direction in which the liquid crystal display panel 610 is positioned to improve light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.On the other hand, the light generated from the light emitting device module 623 is incident on the diffusion plate 640, the optical film 660 is disposed on the diffusion plate 640. The optical film 660 includes a diffusion film 666, a prism film 650, and a protective film 664.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

110 : 몸체 130 : 발광소자
160 : 수지층 170 : 코팅층
180 : 요철부110 body 130 light emitting element
160: resin layer 170: coating layer
180: uneven portion

Claims (15)

캐비티가 형성된 몸체;
상기 몸체에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 및 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광소자;
상기 캐비티 내에 몰딩되고 형광체를 포함하는 수지층; 및
상기 수지층과 상기 발광소자 사이에 배치되는 코팅층;을 포함하며,
상기 코팅층은 함몰 영역 및 돌출 영역을 포함하는 제1 요철부를 포함하고,
상기 형광체의 적어도 일부는 상기 함몰 영역에 배치되는 발광소자 패키지.A body formed with a cavity;
First and second lead frames disposed on the body;
A light emitting device electrically connected to the first and second lead frames;
A resin layer molded in the cavity and including a phosphor; And
And a coating layer disposed between the resin layer and the light emitting device.
The coating layer includes a first uneven portion including a recessed area and a projected area,
At least a portion of the phosphor is disposed in the recessed area package. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은,
절연성을 갖는 재질을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The coating layer may include,
A light emitting device package comprising a material having an insulating property. 제1항에 있어서,
상기 코팅층은,
SiO2, SiN, Al2O3 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The coating layer may include,
A light emitting device package comprising at least one of SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 . 제1항에 있어서,
상기 함몰 영역의 폭은,
100 nm 내지 500 um 인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The width of the recessed area,
A light emitting device package of 100 nm to 500 um. 제1항에 있어서,
상기 함몰 영역의 깊이는,
10 nm 내지 99 um 인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The depth of the recessed area,
A light emitting device package of 10 nm to 99 um. 제1항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는,
20 nm 내지 100 um 인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The thickness of the coating layer,
A light emitting device package of 20 nm to 100 um. 제1항에 있어서,
상기 제1 요철부는,
소정의 패턴을 갖는 요철 패턴인 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The first uneven portion,
A light emitting device package which is a concave-convex pattern having a predetermined pattern. 제1항에 있어서,
상기 발광소자는 투광성 전극층을 포함한 발광소자 패키지.The method of claim 1,
The light emitting device is a light emitting device package including a transparent electrode layer. 제8항에 있어서,
상기 투광성 전극층은 제2 요철부를 포함하며,
상기 제2 요철부는 상기 투광성 전극층과 접하게 형성된 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
The light transmitting electrode layer includes a second uneven portion,
The second uneven portion is a light emitting device package formed in contact with the light transmitting electrode layer. 제8항에 있어서,
상기 코팅층의 두께는,
상기 투광성 전극층의 두께와 같거나 또는 상기 투광성 전극층의 두께보다 두꺼운 발광소자 패키지.9. The method of claim 8,
The thickness of the coating layer,
The light emitting device package equal to or greater than the thickness of the light transmissive electrode layer. 제1항에 있어서,
광학 시트를 더 포함하며,
상기 광학 시트는 상기 몸체의 상부에 배치된 발광소자 패키지.The method of claim 1,
Further comprising an optical sheet,
The optical sheet is a light emitting device package disposed on the upper portion of the body. 제11항에 있어서,
상기 광학 시트는 베이스부 및 상기 베이스부 상에 형성된 프리즘 패턴을 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 11,
The optical sheet includes a base portion and a prism pattern formed on the base portion. 제12항에 있어서,
상기 베이스부 또는 상기 프리즘 패턴은 형광체를 포함하는 발광소자 패키지.The method of claim 12,
The base portion or the prism pattern is a light emitting device package including a phosphor. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치.An illumination apparatus comprising the light emitting device package of any one of claims 1 to 13. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 발광소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛.A backlight unit comprising the light emitting device package of any one of claims 1 to 13.
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