KR20130105772A - Light emitting device - Google Patents

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KR20130105772A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device is provided to emit light generated from an active layer to the outside by maximizing the amount of light extraction. CONSTITUTION: A light emitting structure (160) includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer. The active layer is arranged between a first semiconductor layer and a second semiconductor layer. A concavo-convex part is positioned on the upper surface of a second semiconductor layer. A passivation layer (180) is arranged on the second semiconductor layer. A pattern layer (190) makes the light scatter.

Description

발광 소자 {LIGHT EMITTING DEVICE}Light Emitting Device {LIGHT EMITTING DEVICE}

실시예는 발광 소자에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting element.

LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.LED (Light Emitting Diode) is a device that converts electrical signals into infrared, visible light or light using the characteristics of compound semiconductors. It is used in household appliances, remote controls, display boards, The use area of LED is becoming wider.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다. 그러나, 발광휘도 뿐만 아니라 광 추출 효율, 발광층의 전류 분포 및 배광 패턴의 분포에 대한 고려도 필요하다.As the use area of the LED is widened as described above, it is important to increase the luminance of the LED as the brightness required for a lamp used in daily life and a lamp for a structural signal is increased. However, consideration should be given not only to the luminance of light but also to the light extraction efficiency, the current distribution of the light emitting layer, and the distribution of the light distribution pattern.

실시예는 활성층에서 생성한 빛을 외부로 방출시키는 광추출량이 극대화되는 발광소자 및 발광소자 패키지를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device and a light emitting device package in which the amount of light extraction for releasing light generated in the active layer to the outside is maximized.

실시예에 따른 발광소자는 제1 반도체층, 제1 반도체층 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물; 제2 반도체층 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 패시베이션층; 및 요철의 돌출부에 인접하도록 배치되어 빛을 난반사시키는 패턴층;을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer and having irregularities on an upper surface thereof, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. ; A passivation layer disposed on the second semiconductor layer and having irregularities on the upper surface thereof; And a pattern layer disposed to be adjacent to the protrusion of the unevenness to diffusely reflect light.

실시예에 따른 발광소자는 제2 반도체층과 패시베이션층의 경계면에서 빛의 반사를 최소화시켜 광추출 효율이 극대화될 수 있다.The light emitting device according to the embodiment may maximize light extraction efficiency by minimizing the reflection of light at the interface between the second semiconductor layer and the passivation layer.

실시예에 따른 발광소자는 패시베이션층 상면의 요철의 철(凸)부 위에 패턴층이 배치되어 빛을 난반사시켜 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the pattern layer is disposed on the convex portions of the concave-convex upper surface of the passivation layer to diffuse the light diffusely to improve the light extraction efficiency.

실시예에 따른 발광소자는 패턴층이 은(Ag), 백금(Pt) 또는 금(Au)을 포함하여 표면 플라즈몬 공명(surface Plasmon resonance)을 일으켜 광효율을 향상시킬 수 있다. In the light emitting device according to the embodiment, the pattern layer includes silver (Ag), platinum (Pt), or gold (Au) to cause surface plasmon resonance, thereby improving light efficiency.

실시예에 따른 발광소자는 패시베이션층이 제2 반도체층의 굴절율과 공기의 굴절율 사이의 굴절율을 가지는 물질로 형성되어 광추출 효율이 극대화될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the passivation layer may be formed of a material having a refractive index between the refractive index of the second semiconductor layer and the refractive index of air, thereby maximizing light extraction efficiency.

실시예에 따른 발광소자는 패시베이션층 상에 형성되는 요철이 제2 반도체층 상에 배치되는 요철에 비해서 크기가 작고 단위면적당 개수가 많아 광추출 효율이 높아질 수 있다. The light emitting device according to the embodiment has a smaller size and a larger number per unit area than the unevenness formed on the passivation layer, thereby increasing light extraction efficiency.

실시예에 따른 발광소자는 굴절율이 단계적으로 공기와 가까워지도록 제2 반도체층, 제2 오믹접촉영역 및 패시베이션층을 배치하여 내부적으로 빛의 전반사율을 줄이고 광추출량을 극대화할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the second semiconductor layer, the second ohmic contact region, and the passivation layer may be disposed such that the refractive index approaches the air step by step, thereby internally reducing the total reflectance of the light and maximizing the amount of light extraction.

실시예에 따른 발광소자는 제2 반도체층, 제2 오믹접촉영역 및 패시베이션층 상에 요철을 활성층에서 생성한 빛의 파장보다 좁도록 형성하여 빛의 추출량을 최대화할 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, irregularities may be formed on the second semiconductor layer, the second ohmic contact region, and the passivation layer to be narrower than the wavelength of the light generated by the active layer, thereby maximizing the extraction amount of light.

도 1 은 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도,
도 2 는 도 1 의 A 영역을 확대한 단면도,
도 3 은 실시예에 따른 발광소자의 구조를 도시한 단면도,
도 4a 는 실시예의 발광 소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 사시도,
도 4b 는 실시예의 발광 소자를 포함한 발광소자 패키지를 나타낸 단면도,
도 5a 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 사시도,
도 5b 는 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 조명장치를 도시한 단면도,
도 6 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도, 그리고
도 7 은 실시예에 따른 발광소자 모듈을 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light emitting device according to an embodiment,
2 is an enlarged cross-sectional view of region A of FIG. 1;
3 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting device according to the embodiment;
4A is a perspective view showing a light emitting device package including a light emitting device of the embodiment;
4B is a cross-sectional view showing a light emitting device package including a light emitting device of the embodiment;
5A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment,
FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating a lighting device including a light emitting device module according to an embodiment,
6 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device module according to an embodiment, and FIG.
7 is an exploded perspective view illustrating a backlight unit including a light emitting device module according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when flipping a device shown in the figure, a device described as "below" or "beneath" of another device may be placed "above" of another device. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The device can also be oriented in other directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1 은 일 실시예에 따른 발광소자(100)를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device 100 according to an embodiment.

도 1 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 제1 반도체층(162), 제1 반도체층(162) 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 제2 반도체층(166) 및 제1 반도체층(162)과 제2 반도체층(166) 사이에 배치되는 활성층(164)을 포함하는 발광구조물(160), 제2 반도체층(166) 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 패시베이션층(180) 및 요철의 돌출부(182)에 인접하도록 배치되어 빛을 난반사시키는 패턴층(190)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a light emitting device 100 according to an exemplary embodiment may include a first semiconductor layer 162, a second semiconductor layer 166 disposed on an upper surface of the first semiconductor layer 162, and irregularities on an upper surface thereof. A light emitting structure 160 including an active layer 164 disposed between the first semiconductor layer 162 and the second semiconductor layer 166, a passivation layer disposed on the second semiconductor layer 166 and having irregularities on an upper surface thereof. And a pattern layer 190 disposed to be adjacent to the protrusion 182 of the unevenness and diffusely reflects light.

실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상에 위치하는 결합층(120), 결합층(120) 상에 위치하는 전도층(130), 전도층(130) 상에 위치하는 제1 전극층(140), 제1 전극층(150) 상에 위치하는 전류제한층(150) 및 발광구조물(160) 상에 위치하는 제2 전극층(170)을 더 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the embodiment includes a substrate 110, a coupling layer 120 positioned on the substrate 110, a conductive layer 130 positioned on the coupling layer 120, and a conductive layer 130. The first electrode layer 140 may be disposed on the first electrode layer 140, the current limiting layer 150 may be disposed on the first electrode layer 150, and the second electrode layer 170 may be disposed on the light emitting structure 160.

본 실시예에 따른 발광소자(100)는 전극이 수직적으로 위치하는 수직형(vertical type) 발광소자이나, 본 발명의 실시예는 수직형 발광소자에만 국한되지 않고, 발광구조물의 일 영역을 에칭하여 전극을 수평적으로 배치하는 수평형(lateral type) 발광소자도 포함할 수 있다.The light emitting device 100 according to the present embodiment is a vertical type light emitting device in which electrodes are vertically positioned, but the embodiment of the present invention is not limited to the vertical light emitting device, but by etching one region of the light emitting structure. It may also include a horizontal type light emitting device to arrange the electrodes horizontally.

기판(110)은 제1 반도체층의 하부에 배치될 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층을 지지할 수 있다. 기판(110)은 제1 반도체층에서 열을 전달받을 수 있다. 기판(110)은 광 투과적 성질을 가질 수 있다. 기판(110)은 광 투과적 물질을 사용하거나, 소정의 물질을 일정 두께 이하로 형성하여 광 투과적 성질을 가질 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 기판(110)의 굴절율은 광추출 효율을 위해 제1 반도체층의 굴절율보다 작을 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The substrate 110 may be disposed under the first semiconductor layer. The substrate 110 may support the first semiconductor layer. The substrate 110 may receive heat from the first semiconductor layer. The substrate 110 may have a light transmissive property. The substrate 110 may have a light transmissive property by using a light transmissive material or by forming a predetermined material to a predetermined thickness or less, but is not limited thereto. The refractive index of the substrate 110 may be smaller than the refractive index of the first semiconductor layer for light extraction efficiency, but is not limited thereto.

기판(110)은 실시예에 따라 반도체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘카바이드(SiC), 실리콘게르마늄(SiGe), 질화갈륨(GaN), 갈륨(Ⅲ)옥사이드(Ga2O3)와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.The substrate 110 may be formed of a semiconductor material according to an embodiment. For example, silicon (Si), germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), zinc oxide (ZnO), silicon carbide (SiC), silicon germanium (SiGe), gallium nitride (GaN), gallium (III) oxide It may be implemented with a carrier wafer such as (Ga 2 O 3 ).

기판(110)은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 실시예에 따라서 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr)중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 위 물질 중 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 기판(110)이 금속으로 형성된 경우 발광 소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여, 발광 소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The substrate 110 may be formed of a conductive material. According to the embodiment, the metal may be formed of, for example, gold (Au), nickel (Ni), tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), aluminum (Al), tantalum (Ta), or silver. It may be formed of any one selected from (Ag), platinum (Pt), chromium (Cr) or formed of two or more alloys, and may be formed by stacking two or more of the above materials. When the substrate 110 is formed of a metal, heat emission generated from the light emitting device 100 may be facilitated, and thermal stability of the light emitting device 100 may be improved.

기판(110)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 기판(110)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.The substrate 110 may be formed using a material having excellent thermal conductivity, and may also be formed of a conductive material, and may be formed using a metal material or a conductive ceramic. The substrate 110 may be formed of a single layer and may be formed of a dual structure or multiple structures.

기판(110) 상에는 기판(110)과 전도층(130)의 결합을 위하여 결합층(Wafer Bonding Layer)(120)이 위치할 수 있다. 결합층(120)은 예를 들어, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 은(Ag), 니켈(Ni), 나이오븀(Nb) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.A wafer bonding layer 120 may be positioned on the substrate 110 to bond the substrate 110 and the conductive layer 130 to each other. The bonding layer 120 is, for example, from the group consisting of gold (Au), tin (Sn), indium (In), silver (Ag), nickel (Ni), niobium (Nb) and copper (Cu). It may be formed of the material selected or alloys thereof.

결합층(120) 상에는 전도층(130)이 형성될 수 있다. 전도층(130)은 금속의 확산을 방지하는 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 니오브(Nb), 바나듐(V), 철(Fe), 티타늄(Ti) 중 적어도 하나 또는 둘 이상의 합금을 포함할 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The conductive layer 130 may be formed on the bonding layer 120. The conductive layer 130 may be formed of a material that prevents the diffusion of metal. For example, platinum (Pt), palladium (Pd), tungsten (W), nickel (Ni), ruthenium (Ru), and molybdenum ( At least one of Mo, iridium (Ir), rhodium (Rh), tantalum (Ta), hafnium (Hf), zirconium (Zr), niobium (Nb), vanadium (V), iron (Fe), and titanium (Ti) Or two or more alloys, but is not limited thereto.

전도층(130)은 발광 소자(100)의 제조 공정상 발생할 수 있는 깨짐, 또는 박리와 같은 기계적 손상을 최소화할 수 있다. 전도층(130)은 기판(110) 또는 결합층(120)을 구성하는 금속 물질이 발광구조물로 확산되는 것을 방지할 수 있다.The conductive layer 130 may minimize mechanical damage, such as cracking or peeling, which may occur in the manufacturing process of the light emitting device 100. The conductive layer 130 may prevent the metal material constituting the substrate 110 or the bonding layer 120 from being diffused into the light emitting structure.

전도층(130)은 스퍼터링 증착 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 스퍼터링 증착 방법을 사용할 경우, 이온화된 원자를 전기장에 의해 가속시켜, 소스 재료(source material)에 충돌시키면, 소스 재료의 원자들이 튀어나와 전도층(130)이 증착된다. 전도층(130)은 금속 증착 방법이나, 유테틱 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용해 형성할 수도 있다. 전도층(130)은 복수의 층으로 형성될 수도 있으며 이에 한정하지 않는다.The conductive layer 130 may be formed using a sputtering deposition method. When using the sputtering deposition method, when ionized atoms are accelerated by an electric field and collide with the source material, atoms of the source material stick out and the conductive layer 130 is deposited. The conductive layer 130 may be formed using a metal deposition method, a bonding method using a eutectic metal, or the like. The conductive layer 130 may be formed of a plurality of layers, but is not limited thereto.

한편, 전도층(130) 상에는 제1 전극층(140)이 형성될 수 있으며, 제1 전극층(140)은 제1 오믹접촉영역(144), 반사층(142) 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 전극층(140)은 제1 오믹접촉영역(144)/반사층(142)의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 제1 전극층(140)은 반사층(142)과 제1 오믹접촉영역(144)이 순차로 적층된 형태일 수 있다.Meanwhile, the first electrode layer 140 may be formed on the conductive layer 130, and the first electrode layer 140 may include at least one of the first ohmic contact region 144 and the reflective layer 142. For example, the first electrode layer 140 may have a structure of the first ohmic contact region 144 / reflective layer 142, but is not limited thereto. For example, the first electrode layer 140 may have a form in which the reflective layer 142 and the first ohmic contact region 144 are sequentially stacked.

반사층(142)은 제1 오믹접촉영역(144)의 하면에 배치될 수 있으며, 반사특성이 우수한 물질, 예를 들어 은(Ag), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 루비듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 백금(Pt), 금(Au), 하프늄(Hf) 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(142)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층(142)을 발광구조물(예컨대, 제1 반도체층(162))과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 제1 오믹접촉영역(144)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective layer 142 may be disposed on the bottom surface of the first ohmic contact region 144, and may be formed of a material having excellent reflection characteristics, for example, silver (Ag), nickel (Ni), aluminum (Al), rubidium (Rh), Formed from materials consisting of palladium (Pd), iridium (Ir), ruthenium (Ru), magnesium (Mg), zinc (Zn), platinum (Pt), gold (Au), hafnium (Hf) and optional combinations thereof Or the metal material and indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IZAO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), and aluminum zinc oxide (AZO). ) And a translucent conductive material such as antimony tin oxide (ATO). In addition, the reflective layer 142 may be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, or the like. In addition, when the reflective layer 142 is formed of a material in ohmic contact with the light emitting structure (eg, the first semiconductor layer 162), the first ohmic contact region 144 may not be formed separately, but is not limited thereto. .

제1 오믹접촉영역(144)은 발광구조물(160)의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 제1 오믹접촉영역(144)은 투광성 전극층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 제1 오믹접촉영역(144)은 제1 반도체층(162)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The first ohmic contact region 144 is in ohmic contact with the bottom surface of the light emitting structure 160, and may be formed in a layer or a plurality of patterns. The first ohmic contact region 144 may be formed of a light transmissive electrode layer and a metal. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrO x , RuO x , RuO x / One or more of ITO, Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO can be used to implement a single layer or multiple layers. The first ohmic contact region 144 is for smoothly injecting a carrier into the first semiconductor layer 162 and is not necessarily formed.

또한 제1 전극층(140)은 본딩층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이때 본딩층(미도시)은 배리어 금속(barrier metal) 또는 본딩 금속, 예를 들어, 티타늄(Ti), 금(Au), 주석(Sn), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 갈륨(Ga), 인듐(In), 비스무트(Bi), 구리(Cu), 은(Ag) 또는 Ta(탄탈륨) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.In addition, the first electrode layer 140 may include a bonding layer (not shown), wherein the bonding layer (not shown) may be a barrier metal or a bonding metal, for example, titanium (Ti) or gold (Au). ), Tin (Sn), nickel (Ni), chromium (Cr), gallium (Ga), indium (In), bismuth (Bi), copper (Cu), silver (Ag), or Ta (tantalum) It may include, but is not limited to.

한편, 제1 전극층(140)과 후술하는 발광구조물 사이에는 전류제한층(150)(CBL : Current Blocking Layer)이 배치될 수 있다. Meanwhile, a current blocking layer 150 (CBL: Current Blocking Layer) may be disposed between the first electrode layer 140 and the light emitting structure described below.

전류제한층(150)은 전기 절연성을 갖는 재질, 제1 전극층(140) 또는 결합층(120)보다 전기 전도성이 낮은 재질 및 제1 반도체층(162)과 쇼트키 접촉을 형성하는 재질 중 적어도 하나를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, Si3N4, Al2O3, TiOx, TiO2, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The current limiting layer 150 is at least one of a material having electrical insulation, a material having a lower electrical conductivity than the first electrode layer 140 or the bonding layer 120, and a material forming a Schottky contact with the first semiconductor layer 162. It may be formed using, for example, may include at least one of Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , TiO x , TiO 2 , Ti, Al, Cr.

제1 전극층(140)과 발광구조물(160) 사이에 전류제한층(150)이 배치됨으로써, 전류 군집현상이 방지될 수 있으나, 이에 한정하지 아니하고, 실시예에 따라 전류제한층(150)은 생략될 수 있다.Since the current limiting layer 150 is disposed between the first electrode layer 140 and the light emitting structure 160, current grouping may be prevented, but the present invention is not limited thereto and according to an embodiment, the current limiting layer 150 is omitted. Can be.

제1 전극층(140) 사이에는 발광구조물(160)이 배치될 수 있다.The light emitting structure 160 may be disposed between the first electrode layers 140.

발광구조물(160)은 적어도 제1 반도체층(162), 제2 반도체층(166) 및 제1 반도체층(162)과 제2 반도체층(166) 사이에 배치되는 활성층(164)을 포함할 수 있다.The light emitting structure 160 may include at least a first semiconductor layer 162, a second semiconductor layer 166, and an active layer 164 disposed between the first semiconductor layer 162 and the second semiconductor layer 166. have.

도 1 의 실시예에 따른 발광소자(100)에서, 제1 반도체층(162)은 활성층(164)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(162)은 활성층(164)에서 파장이 약 400 내지 550nm인 파랑색(Blue) 빛을 생성하는 경우, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaP(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제1 반도체층(162)은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.In the light emitting device 100 according to the embodiment of FIG. 1, the first semiconductor layer 162 may be implemented as a p-type semiconductor layer to inject holes into the active layer 164. When the first semiconductor layer 162 generates blue light having a wavelength of about 400 to 550 nm in the active layer 164, In x Al y Ga 1 -x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 Semiconductor materials having a compositional formula of ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1, for example, gallium nitride (GaP), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), InN (Indium nitride), InAlGaN, AlInN and the like. The first semiconductor layer 162 may be doped with p-type dopants such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba).

제1 반도체층(162)은 활성층(164)에서 파장이 약 610 내지 780 nm의 빨강색(Red) 빛을 생성하는 경우, InxAlyGa1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(162)은 GaP 또는 AlGaInP 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제1 반도체층(162)은 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.When the first semiconductor layer 162 generates red light having a wavelength of about 610 to 780 nm in the active layer 164, In x Al y Ga 1 -x- y P (0 ≦ x ≦ 1, It can be formed of a semiconductor material having a composition formula of 0≤y≤1, 0≤x + y≤1. For example, the first semiconductor layer 162 may be formed of GaP or AlGaInP, but is not limited thereto. The first semiconductor layer 162 may be doped with p-type dopants such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), and barium (Ba).

활성층(164)은 제1 반도체층(162) 상에 형성될 수 있다. 활성층(164)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 164 may be formed on the first semiconductor layer 162. The active layer 164 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of a group III-V group element.

생성하는 빛의 파장이 파랑색 계열인 경우, 양자우물구조인 활성층(264)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 포함할 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the wavelength of the generated light is blue, the active layer 264 having a quantum well structure has In x Al y Ga 1-xy N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). A well layer having a compositional formula and a barrier layer having a compositional formula of In a Al b Ga 1 -a- b N ( 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a + b≤1) or It may include a quantum well structure. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

생성하는 빛의 파장이 빨간색 계열인 경우, 양자우물구조인 활성층(264)은 InxAlyGa1-x-yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bP (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 포함할 수 있다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the wavelength of the generated light is a red series, the active layer 264 having a quantum well structure may have In x Al y Ga 1-xy P (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). Single or both having a well layer having a compositional formula and a barrier layer having a compositional formula of In a Al b Ga 1 -a- b P ( 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a + b≤1) It may include a well structure. The well layer may be formed of a material having an energy band gap smaller than the energy band gap of the barrier layer.

활성층(164) 상에는 제2 반도체층(166)이 형성될 수 있다. 도 1 에 따른 실시예의 발광소자(100)에서, 제2 반도체층(166)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다.The second semiconductor layer 166 may be formed on the active layer 164. In the light emitting device 100 of the exemplary embodiment of FIG. 1, the second semiconductor layer 166 may be implemented as an n-type semiconductor layer.

예를 들어, 활성층(164)이 생성하는 빛의 파장이 파란색 계열인 경우, 제2 반도체층(166)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있다. 제2 반도체층(166)은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, if the wavelength of light to the active layer 164 to create a blue line of the second semiconductor layer 166 is In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1, a semiconductor material, for example, gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), or indium nitride (InN) ), InAlGaN, AlInN and the like. The second semiconductor layer 166 may be doped with n-type dopants such as silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

예를 들어, 활성층(164)이 생성하는 빛의 파장이 빨간색 계열인 경우 제2 반도체층(166)은 InxAlyGa1 -x- yP (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 예를 들어, 제1 반도체층(162)은 GaP 또는 AlGaInP 등으로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 제2 반도체층(166)은 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.For example, the active layer 164 when the wavelength of light to create a red line the second semiconductor layer 166 is In x Al y Ga 1 -x- y P (0≤x≤1, 0≤y≤1 , 0 ≦ x + y ≦ 1), but is not limited thereto. For example, the first semiconductor layer 162 may be formed of GaP or AlGaInP, but is not limited thereto. The second semiconductor layer 166 may be doped with n-type dopants such as silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), selenium (Se), and tellurium (Te).

한편, 발광구조물(160)은 제2 반도체층(166) 위에 제2 반도체층(166)과 반대의 극성을 갖는 제3 도전성 반도체층(미도시)을 포함할 수 있다. 또한 제1 반도체층(162)이 n 형 반도체층이고, 제2 반도체층(166)이 p 형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 발광구조물은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting structure 160 may include a third conductive semiconductor layer (not shown) having a polarity opposite to that of the second semiconductor layer 166 on the second semiconductor layer 166. In addition, the first semiconductor layer 162 may be an n-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 166 may be implemented as a p-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

제2 반도체층(166)은 상부의 표면의 일 영역에 요철이 위치할 수 있다. 제2 반도체층(166)은 상면의 적어도 일 영역에 에칭을 수행하여 요철을 형성할 수 있다. 상기 에칭 공정은 습식 또는 건식 에칭 공정을 포함할 수 있다. 제2 반도체층(166)의 에칭이 수행되는 에칭면은 습식 에칭에 의해 용이하게 에칭되는 N(나이트라이드)-face일 수 있으며, Ga(갈륨)-face에 비해 표면 거칠기가 향상될 수 있다. 에칭 과정을 거침에 따라서, 제2 반도체층(166)의 상면은 광추출 구조를 형성하는 요철이 형성될 수 있다. 제2 반도체층(166) 상면의 요철은 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지 아니한다. 제2 반도체층(166) 상면의 요철은 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 대하여 한정하지 아니한다.The second semiconductor layer 166 may be uneven in one region of the upper surface. The second semiconductor layer 166 may form irregularities by etching to at least one region of the upper surface. The etching process may include a wet or dry etching process. The etching surface on which the etching of the second semiconductor layer 166 is performed may be an N (nitride) -face which is easily etched by wet etching, and the surface roughness may be improved as compared with Ga (gallium) -face. As the etching process is performed, irregularities forming the light extraction structure may be formed on the upper surface of the second semiconductor layer 166. The unevenness of the upper surface of the second semiconductor layer 166 may be irregularly formed in a random size, but is not limited thereto. The unevenness of the upper surface of the second semiconductor layer 166 may include at least one of a texture pattern, an uneven pattern, and an uneven pattern, but is not limited thereto.

제2 반도체층(166)의 요철은 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 뿔 형상을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The unevenness of the second semiconductor layer 166 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal pillar, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, and the like, but the present invention is not limited thereto.

제2 반도체층(166) 상의 요철은 활성층(164)에서 발생하는 빛의 파장보다 작은 주기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 620 내지 700nm의 빨강영역이라면 제2 반도체층(166)의 요철의 주기가 620nm 이하일 수 있다. 또한, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 450 내지 480nm의 파랑영역이라면 제2 반도체층(166)의 요철의 주기는 450nm 이하일 수 있다.The unevenness on the second semiconductor layer 166 may be formed in a period smaller than the wavelength of light generated in the active layer 164. For example, if light generated in the active layer 164 is a red region of 620 to 700 nm, the period of the unevenness of the second semiconductor layer 166 may be 620 nm or less. In addition, if the light generated in the active layer 164 is a blue region of 450 to 480 nm, the period of the unevenness of the second semiconductor layer 166 may be 450 nm or less.

제2 반도체층(166)은 상면에 요철이 형성되어 상면의 유효굴절율이 제2 반도체층(166) 자체의 굴절율보다 작아질 수 있고, 외부로 빛이 발산되는 과정을 용이하게 할 수 있다.The second semiconductor layer 166 may have irregularities formed on the upper surface thereof, so that the effective refractive index of the upper surface may be smaller than the refractive index of the second semiconductor layer 166 itself, and may facilitate the process of emitting light to the outside.

제2 반도체층(166)의 요철은 PEC(photo electro chemical) 또는 KOH 용액을 사용한 습식 식각 방법 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The unevenness of the second semiconductor layer 166 may be formed by a method such as a wet etching method using a PEC (photo electrochemical) or a KOH solution, but is not limited thereto.

제2 반도체층(166)은 상부에 요철이 형성되어 활성층(164)에서 생성된 빛이 전반사되어 발광구조물(160) 내부에서 재흡수되거나 산란되는 것을 최소화할 수 있다. 제2 반도체층(166)은 상부에 요철이 형성되어 광 추출 효율이 향상될 수 있다.The second semiconductor layer 166 may have irregularities formed on the top thereof to minimize the total reflection of light generated by the active layer 164 to be reabsorbed or scattered in the light emitting structure 160. As the unevenness is formed on the second semiconductor layer 166, light extraction efficiency may be improved.

실시예에 따라 제1 전극층(140)과 발광구조물(160) 사이에는 투명 전도층(미도시)이 배치될 수 있다. 투명전도층(미도시)은 투명전도층(미도시)의 밴드갭 에너지에 따른 파장보다 큰 파장의 빛은 흡수하지 않고 그대로 통과시킬 수 있다. 예를 들어, 밴드갭 에너지가 2.24eV인 경우, 투명전도층(미도시)은 553nm 이상의 파장의 빛은 흡수하지 않고 투과시킬 수 있다. 투명전도층(미도시)은 전류를 발광구조물(160) 하부에 고르게 전달할 수 있다. 투명전도층(미도시)은 GaP 등의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.In some embodiments, a transparent conductive layer (not shown) may be disposed between the first electrode layer 140 and the light emitting structure 160. The transparent conductive layer (not shown) may pass light as it is without absorbing light having a wavelength larger than the wavelength according to the band gap energy of the transparent conductive layer (not shown). For example, when the bandgap energy is 2.24 eV, the transparent conductive layer (not shown) may transmit light without absorbing light having a wavelength of 553 nm or more. The transparent conductive layer (not shown) may evenly transfer current to the lower portion of the light emitting structure 160. The transparent conductive layer (not shown) may be made of a material such as GaP, but is not limited thereto.

제2 반도체층(166) 상에는 제2 반도체층(166)과 전기적으로 연결된 제2 전극층(170)을 형성될 수 있으며, 제2 전극층(170)은 적어도 하나의 패드(미도시) 또는/및 소정 패턴을 갖는 전극을 포함할 수 있고, 이에 한정하지 아니한다. 제2 전극층(170)은 제2 반도체층(166)의 상면 중 센터 영역, 외측 영역 또는 모서리 영역에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 한편, 제2 전극층(170)은 패드(미도시) 및 패드(미도시)와 연결되어 적어도 일 방향으로 연장되는 적어도 하나의 브랜치(branch) 전극(미도시)이 연결될 수 있다. 제2 전극층(170)은 제2 반도체층(166)의 위가 아닌 다른 영역에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The second electrode layer 170 may be formed on the second semiconductor layer 166 and may be electrically connected to the second semiconductor layer 166. The second electrode layer 170 may include at least one pad (not shown) or / and a predetermined shape. It may include an electrode having a pattern, but is not limited thereto. The second electrode layer 170 may be disposed in the center region, the outer region, or the corner region of the upper surface of the second semiconductor layer 166, but is not limited thereto. The second electrode layer 170 may be connected to a pad (not shown) and at least one branch electrode (not shown) extending in at least one direction by being connected to the pad (not shown). The second electrode layer 170 may be disposed in a region other than the second semiconductor layer 166, but is not limited thereto.

단, 제2 반도체층(166) 상에 제2 오믹접촉영역(미도시)이 배치되는 경우 제2 전극층(170)은 제2 오믹접촉영역(미도시)과 접할 수 있으며, 제2 반도체층(166)과는 이격될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.However, when the second ohmic contact region (not shown) is disposed on the second semiconductor layer 166, the second electrode layer 170 may contact the second ohmic contact region (not shown), and the second semiconductor layer ( 166), but is not limited thereto.

제2 전극층(170)은 전도성 물질, 예를 들어 인듐(In), 토발트(Co), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 레늄(Re), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 하프늄(Hf), 탄탈(Ta), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 은(Ag), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 나이오븀(Nb), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 구리(Cu), 및 티타늄 텅스텐 합금(WTi) 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The second electrode layer 170 is a conductive material such as indium (In), tobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), gold (Au), palladium (Pd), platinum (Pt), ruthenium (Ru), rhenium (Re), magnesium (Mg), zinc (Zn), hafnium (Hf), tantalum (Ta), rhodium (Rh), iridium (Ir), tungsten (W), titanium (Ti), silver (Ag), chromium (Cr), molybdenum (Mo), niobium (Nb), aluminum (Al), nickel (Ni), copper (Cu), and titanium tungsten alloy (WTi) It can be formed in a single layer or multiple layers.

한편, 제2 전극층(170)은 제2 반도체층(166)의 평탄한 상면 위에 배치될 수 있고 평탄하지 않는 요철 위에 배치될 수도 있으며, 이에 한정하지 아니한다.Meanwhile, the second electrode layer 170 may be disposed on the flat upper surface of the second semiconductor layer 166 or may be disposed on the uneven unevenness, but is not limited thereto.

도 2 는 도 1 의 A 영역, 즉 패시베이션층(180)과 패턴층(190)을 확대하여 도시한 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of region A, that is, the passivation layer 180 and the pattern layer 190 of FIG. 1.

도 2 를 참조하면, 발광소자(100)는 제2 반도체층(166) 상에 패시베이션층(180)을 더 포함할 수 있다.2, the light emitting device 100 may further include a passivation layer 180 on the second semiconductor layer 166.

패시베이션층(180)은 제2 반도체층(166)의 상에 위치할 수 있다. 패시베이션층(180)은 발광구조물(160)의 측면까지 연장될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The passivation layer 180 may be located on the second semiconductor layer 166. The passivation layer 180 may extend to the side of the light emitting structure 160, but is not limited thereto.

패시베이션층(180)은 절연물질로 형성될 수 있다. 패시베이션층(180)은 광투과율이 높은 물질로 형성될 수 있다. 패시베이션층(180)은 굴절율이 공기의 굴절율과 제2 반도체층(166)의 굴절율 사이에 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(180)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The passivation layer 180 may be formed of an insulating material. The passivation layer 180 may be formed of a material having high light transmittance. The passivation layer 180 may include a material having a refractive index between the refractive index of air and the refractive index of the second semiconductor layer 166. For example, the passivation layer 180 may be formed of SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , but is not limited thereto.

패시베이션층(180)은 상면에 요철이 위치할 수 있다. 패시베이션층(180) 상면의 요철은 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지 아니한다. 패시베이션층(180) 상면의 요철은 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 대하여 한정하지 아니한다.The passivation layer 180 may have irregularities on the upper surface. Unevenness of the upper surface of the passivation layer 180 may be irregularly formed in a random size, but is not limited thereto. The unevenness of the upper surface of the passivation layer 180 may include at least one of a texture pattern, an uneven pattern, and an uneven pattern, but is not limited thereto.

패시베이션층(180)의 요철은 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 뿔 형상을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The unevenness of the passivation layer 180 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal pillar, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, and the like, but the present invention is not limited thereto.

패시베이션층(180)은 발광구조물(160)을 전기적으로 보호할 수 있다. 예를 들어, 패시베이션층(180)은 발광구조물이 외부 전극 등과 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. 패시베이션층(180)은 발광구조물(160)을 외부의 이물질로부터 보호할 수 있다. The passivation layer 180 may electrically protect the light emitting structure 160. For example, the passivation layer 180 may prevent the light emitting structure from being electrically shorted to the external electrode. The passivation layer 180 may protect the light emitting structure 160 from foreign matter.

패시베이션층(180)은 상부에 요철이 형성되어, 활성층(164)에서 생성된 빛이 패시베이션층(180)의 상면에서 전반사되어 발광소자(100) 내부에서 재흡수되거나 산란되는 것을 최소화할 수 있다. 패시베이션층(180) 상부의 요철은 발광면적을 최대화하여 발광소자(100)의 광추출 효율을 극대화할 수 있다.The passivation layer 180 may have irregularities formed thereon, so that light generated in the active layer 164 may be totally reflected on the upper surface of the passivation layer 180 to be reabsorbed or scattered in the light emitting device 100. The unevenness on the passivation layer 180 can maximize the light emitting area to maximize the light extraction efficiency of the light emitting device 100.

패시베이션층(180)은 상면에 요철이 위치하여 상면의 유효굴절율이 패시베이션층(180) 자체의 굴절율보다 작아질 수 있고, 외부로 빛이 발산되는 과정을 용이하게 할 수 있다.The passivation layer 180 may have concavities and convexities on the upper surface, so that the effective refractive index of the upper surface may be smaller than the refractive index of the passivation layer 180 itself, and may facilitate the process of emitting light to the outside.

패시베이션층(180) 상의 요철은 제2 반도체층(166) 상의 요철에 비해서 단위면적당 개수가 더 많을 수 있다. 패시베이션층(180) 상의 요철은 제2 반도체층 상면의 요철에 비해서 높이 또는 폭이 작을 수 있다. 패시베이션층(180)은 제2 반도체층(166)의 요철 상에 형성되어, 성장과정 상에서 자연스럽게 형성된 요철 위에 추가적인 에칭을 수행하여 제2 반도체층(166)의 요철보다 더 작은 요철을 형성할 수 있다. The unevenness on the passivation layer 180 may have a greater number per unit area than the unevenness on the second semiconductor layer 166. The unevenness on the passivation layer 180 may be smaller in height or width than the unevenness on the upper surface of the second semiconductor layer. The passivation layer 180 may be formed on the unevenness of the second semiconductor layer 166 to form an unevenness smaller than the unevenness of the second semiconductor layer 166 by performing additional etching on the unevenness naturally formed during the growth process. .

패시베이션층(180) 상의 요철이 제2 반도체층(166) 상의 요철에 비해서 크기가 작아, 제2 반도체층(166), 패시베이션층(180), 공기의 순으로 점차 굴절율이 작아지도록 할 수 있다.The unevenness on the passivation layer 180 is smaller in size than the unevenness on the second semiconductor layer 166, so that the refractive index of the second semiconductor layer 166, the passivation layer 180, and the air may gradually decrease.

패시베이션층(180) 상의 요철은 활성층(164)에서 발생하는 빛의 파장보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 620 내지 700nm의 빨강영역이라면 패시베이션층(180)의 요철의 폭이 620nm 이하일 수 있다. 또한, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 450 내지 480nm의 파랑영역이라면 패시베이션층(180)의 요철의 폭이 450nm 이하일 수 있다.Unevenness on the passivation layer 180 may be formed to a size smaller than the wavelength of light generated in the active layer 164. For example, if the light generated in the active layer 164 is a red region of 620 to 700 nm, the width of the unevenness of the passivation layer 180 may be 620 nm or less. In addition, if the light generated in the active layer 164 is a blue region of 450 to 480 nm, the width of the unevenness of the passivation layer 180 may be 450 nm or less.

패시베이션층(180)은 제2 반도체층(166)과 공기의 중간의 굴절율을 가져, 빛의 외부추출량을 극대화할 수 있어 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. The passivation layer 180 may have a refractive index between the second semiconductor layer 166 and the air to maximize the amount of external extraction of light, thereby improving light extraction efficiency.

패시베이션층(180)의 상부에 형성되는 요철은 상부로 돌출된 돌출부(182)와 하부로 함몰된 형태인 함몰부(184)를 포함할 수 있다.The unevenness formed on the passivation layer 180 may include a protrusion 182 protruding upward and a depression 184 recessed downward.

패시베이션층(180)은 두께가 300 내지 600 nm 일 수 있다. 패시베이션층(180)은 두께가 300 nm 이하인 경우에는 발광구조물(160)을 전기적으로 보호하는 기능이 부족해질 수 있고, 600 nm 이상인 경우에는 광의 내부 흡수율이 높아져 열적 스트레스가 발생할 수 있다.The passivation layer 180 may have a thickness of 300 to 600 nm. If the passivation layer 180 is less than 300 nm in thickness, the function of electrically protecting the light emitting structure 160 may be insufficient. If the passivation layer 180 is greater than 600 nm, the internal absorption rate of the light may be increased to generate thermal stress.

패시베이션층(180)의 돌출부(182)의 상에는 패턴층(190)이 배치될 수 있다.The pattern layer 190 may be disposed on the protrusion 182 of the passivation layer 180.

패턴층(190)은 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으며, 그 형태에 한정하지 아니한다. 예를 들어, 패턴층(190)은 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 뿔 형상을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지 아니한다.The pattern layer 190 may be irregularly formed in a random size and is not limited thereto. For example, the pattern layer 190 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal cylinder, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, etc., but may not include the horn shape.

패턴층(190)은 돌출부(182)상에 위치할 수 있으나, 경우에 따라 함몰부(184)에 위치할 수 있으며, 이는 공정 오차 범위일 수 있다.The pattern layer 190 may be located on the protrusion 182, but in some cases, the pattern layer 190 may be located in the depression 184, which may be a process error range.

패턴층(190)은 표면 플라즈몬 공명(surface Plasmon Resonance)을 일으키는 물질일 수 있다. 예를 들어, 패턴층(190)은 은(Ag), 백금(Pt) 또는 금(Au)을 포함할 수 있다. The pattern layer 190 may be a material that causes surface plasmon resonance. For example, the pattern layer 190 may include silver (Ag), platinum (Pt), or gold (Au).

패턴층(190)은 활성층(164)에서 발생하는 빛의 파장보다 작은 주기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 620 내지 700nm의 빨강영역이라면 패턴층(190)의 패턴의 주기가 620nm 이하일 수 있다. 또한, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 450 내지 480nm의 파랑영역이라면 패턴층(180)의 패턴의 주기는 450nm 이하일 수 있다.The pattern layer 190 may be formed with a period smaller than the wavelength of light generated from the active layer 164. For example, when light generated in the active layer 164 is a red region of 620 to 700 nm, the pattern period of the pattern layer 190 may be 620 nm or less. In addition, if the light generated in the active layer 164 is a blue region of 450 to 480 nm, the pattern period of the pattern layer 180 may be 450 nm or less.

패턴층(190)은 금(Au), 백금(Pt) 또는 은(Ag)으로 형성되어 표면 플라즈몬 공명(SPR : Surface Plasmon Resonance)현상을 일으킬 수 있다. 표면 플라즈몬 공명(SPR : Surface Plasmon Resonance)에 의해 인접하는 패턴 간에 광전계(optical electric field)가 강하게 형성될 수 있다. 따라서, 광구속율(optical confinement factor)이 향상되며 활성층(164)의 양자효율이 향상될 수 있다. 양자효율은 광증폭율(light amplification factor)에 비례한다. 활성층(164)의 광전계(optical electric field)가 주변에 비해 상대적으로 커질수록 광구속율(optical confinement factor)이 커지게 되며, 광증폭율(light amplification factor)이 커지게 된다.The pattern layer 190 may be formed of gold (Au), platinum (Pt), or silver (Ag) to cause surface plasmon resonance (SPR). An optical electric field may be strongly formed between adjacent patterns by Surface Plasmon Resonance (SPR). Accordingly, the optical confinement factor may be improved and the quantum efficiency of the active layer 164 may be improved. Quantum efficiency is proportional to the light amplification factor. As the optical electric field of the active layer 164 becomes larger than the surroundings, the optical confinement factor becomes large and the light amplification factor becomes large.

활성층(164)의 광전계(optical electric field)는 활성층(164)에서 발생된 빛에 의해 금속층에 발생되는 표면 플라즈몬(surface plasmon)이 여기되는 표면 플라즈몬 공명(Surface Plasmon Resonance; SPR)에 의해 강하게 형성될 수 있다.The optical electric field of the active layer 164 is strongly formed by Surface Plasmon Resonance (SPR) in which the surface plasmon generated in the metal layer is excited by the light generated in the active layer 164. Can be.

즉, 표면 플라즈몬 공명(Surface Plasmon Resonance; SPR)에 의해 패턴층(190)은 절대값이 큰 음의 유효유전율(effective dielectric constant)을 갖게 되며, 이에 의해 활성층(164)에는 강한 광전계가 형성될 수 있다. 따라서, 패턴층(190)에 의해 발광소자(100)의 광효율이 향상될 수 있다.That is, the surface plasmon resonance (SPR) causes the pattern layer 190 to have a negative effective dielectric constant having a large absolute value, whereby a strong photoelectric field may be formed in the active layer 164. have. Therefore, the light efficiency of the light emitting device 100 may be improved by the pattern layer 190.

도 3 은 다른 실시예에 따른 발광소자(200)를 도시한 도면이다.3 is a view showing a light emitting device 200 according to another embodiment.

도 3 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(200)는 패시베이션층(280)과 제2 반도체층(166) 사이에 배치되는 제2 오믹접촉영역(295)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device 200 according to the embodiment may further include a second ohmic contact region 295 disposed between the passivation layer 280 and the second semiconductor layer 166.

제2 오믹접촉영역(295)은 제2 반도체층(166)과 오믹접촉(Ohmic Contact)을 형성할 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295)은 제2 반도체층(166)과 오믹접촉을 할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 오믹접촉영역(295)은 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295)은 투광성 전극층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO(Zinc Oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, SiN, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295)은 제2 반도체층(166)에 캐리어의 주입을 원활히 할 수 있다.The second ohmic contact region 295 may form an ohmic contact with the second semiconductor layer 166. The second ohmic contact region 295 may include a material capable of ohmic contact with the second semiconductor layer 166. For example, the second ohmic contact area 295 may be formed in a layer or a plurality of patterns. The second ohmic contact region 295 may selectively use a light transmissive electrode layer and a metal. For example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), and indium aluminum zinc oxide), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), zinc oxide (ZnO), IrO x , Single or multiple layers may be implemented using one or more of RuO x , RuO x / ITO, Ni, SiN, Ag, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO. The second ohmic contact region 295 may smoothly inject a carrier into the second semiconductor layer 166.

제2 오믹접촉영역(295)은 상면에 요철이 형성될 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295)은 상면에 요철이 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지 아니한다. 제2 오믹접촉영역(295) 상면의 요철은 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 대하여 한정하지 아니한다.Unevenness may be formed on an upper surface of the second ohmic contact region 295. The second ohmic contact area 295 may be irregularly formed on the upper surface of the second ohmic contact area 2 with a random size, but is not limited thereto. The unevenness of the upper surface of the second ohmic contact area 295 may include at least one of a texture pattern, an uneven pattern, and an uneven pattern, but is not limited thereto.

제2 오믹접촉영역(295)의 요철은 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 뿔 형상을 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The unevenness of the second ohmic contact region 295 may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal pillar, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal truncated cone, and the like, but are not limited thereto.

제2 오믹접촉영역(295) 상의 요철은 제2 반도체층(166) 상의 요철에 비해서 단위면적당 개수가 더 많을 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295) 상의 요철은 제2 반도체층(166) 상면의 요철에 비해서 높이 또는 폭이 작을 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295)은 제2 반도체층(166)의 요철 상에 형성되어, 성장과정 상에서 자연스럽게 형성된 요철 위에 추가적인 에칭을 수행하여 제2 반도체층(166)의 요철보다 더 작은 요철을 형성할 수 있다.The unevenness on the second ohmic contact region 295 may have a greater number per unit area than the unevenness on the second semiconductor layer 166. The unevenness on the second ohmic contact area 295 may be smaller in height or width than the unevenness on the upper surface of the second semiconductor layer 166. The second ohmic contact region 295 is formed on the unevenness of the second semiconductor layer 166, thereby performing additional etching on the unevenness naturally formed during the growth process to form smaller unevenness than the unevenness of the second semiconductor layer 166. can do.

제2 오믹접촉영역(295) 상의 요철이 제2 반도체층(166) 상의 요철에 비해서 크기가 작아, 제2 반도체층(166), 제2 오믹접촉영역(295), 패시베이션층(180), 공기의 순으로 점차 굴절율이 작아지도록 할 수 있다.The unevenness on the second ohmic contact region 295 is smaller in size than the unevenness on the second semiconductor layer 166, so that the second semiconductor layer 166, the second ohmic contact region 295, the passivation layer 180, and air The refractive index can be gradually reduced in the order of.

제2 오믹접촉영역(295) 상의 요철은 활성층(164)에서 발생하는 빛의 파장보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 620 내지 700nm의 빨강영역이라면 제2 오믹접촉영역(295)의 요철의 폭이 620nm 이하일 수 있다. 또한, 활성층(164)에서 발생하는 빛이 450 내지 480nm의 파랑영역이라면 제2 오믹접촉영역(295)의 요철의 폭이 450nm 이하일 수 있다.The unevenness on the second ohmic contact region 295 may be formed to a size smaller than the wavelength of light generated in the active layer 164. For example, if the light generated in the active layer 164 is a red region of 620 to 700 nm, the width of the unevenness of the second ohmic contact region 295 may be 620 nm or less. In addition, if the light generated in the active layer 164 is a blue region of 450 to 480 nm, the width of the unevenness of the second ohmic contact region 295 may be 450 nm or less.

제2 오믹접촉영역(295)은 상부에 요철이 형성되어, 활성층(164)에서 생성된 빛이 제2 오믹접촉영역(295)의 상면에서 전반사되어 발광소자(200) 내부에서 재흡수되거나 산란되는 것을 최소화할 수 있다. 제2 오믹접촉영역(295) 상부의 요철은 발광면적을 최대화하여 발광소자(200)의 광추출 효율을 극대화할 수 있다.The second ohmic contact region 295 has irregularities formed thereon, so that the light generated in the active layer 164 is totally reflected on the upper surface of the second ohmic contact region 295 to be reabsorbed or scattered in the light emitting device 200. Can be minimized. The unevenness of the upper portion of the second ohmic contact region 295 may maximize the light emitting area to maximize the light extraction efficiency of the light emitting device 200.

제2 오믹접촉영역(295)은 제2 반도체층(166)보다 굴절율이 작을 수 있다. 제2 반도체층(166), 제2 오믹접촉영역(295) 및 패시베이션층(180)은 굴절율이 순차적으로 변하도록 배치되어 발광소자(200)의 광추출 효율을 극대화시킬 수 있다.The second ohmic contact area 295 may have a smaller refractive index than the second semiconductor layer 166. The second semiconductor layer 166, the second ohmic contact region 295, and the passivation layer 180 may be arranged so that refractive indexes may be sequentially changed to maximize light extraction efficiency of the light emitting device 200.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)를 나타낸 사시도이며, 도 4b는 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)의 단면을 도시한 단면도이다.4A is a perspective view illustrating a light emitting device package 300 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting device package 300 according to the embodiment.

도 4a 및 도 4b 를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 캐비티가 형성된 몸체(310), 몸체(310)에 실장된 제1 및 제2 전극(340, 350) 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결되는 발광소자(320) 및 캐비티에 형성되는 봉지재(330)를 포함할 수 있고, 봉지재(330)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다.4A and 4B, the light emitting device package 300 according to the embodiment includes a body 310 having a cavity formed therein, and first and second electrodes 340 and 350 mounted on the body 310. The light emitting device 320 electrically connected to the two electrodes and the encapsulant 330 formed in the cavity may be included, and the encapsulant 330 may include a phosphor (not shown).

몸체(310)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The body 310 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), photo sensitive glass (PSG), polyamide 9T ), new geo-isotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), is a printed circuit board (PCB, printed circuit board), it may be formed of at least one of ceramic. The body 310 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(310)의 내측면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(320)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 310 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 320 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be adjusted.

몸체(310)에 형성되는 캐비티를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity formed in the body 310 as viewed from above may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and in particular, may have a curved shape, but is not limited thereto.

봉지재(330)는 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 봉지재(330)는 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있다. 봉지재(330)는 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. The encapsulant 330 may be filled in the cavity and may include a phosphor (not shown). The encapsulant 330 may be formed of transparent silicone, epoxy, and other resin materials. The encapsulant 330 may be formed in such a manner that the encapsulant 330 is filled in the cavity and then cured by ultraviolet rays or heat.

형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지(300)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light emitting device 320 to allow the light emitting device package 300 to realize white light.

봉지재(330)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The fluorescent material (not shown) included in the encapsulant 330 may be a blue light emitting phosphor, a blue light emitting fluorescent material, a green light emitting fluorescent material, a yellow green light emitting fluorescent material, a yellow light emitting fluorescent material, Fluorescent material, orange light-emitting fluorescent material, and red light-emitting fluorescent material may be applied.

형광체(미도시)는 발광소자(320)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(320)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(300)는 백색 빛을 제공할 수 있다. The phosphor (not shown) may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 320 to generate the second light. For example, when the light emitting element 320 is a blue light emitting diode and the phosphor (not shown) is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and blue light emitted from the blue light emitting diode As the yellow light generated by excitation by blue light is mixed, the light emitting device package 300 can provide white light.

발광소자(320)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하는 경우, 발광소자(320)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.When the light emitting device 320 is a green light emitting diode, a magenta phosphor or a blue and red phosphor (not shown) is mixed. When the light emitting device 320 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a blue and green phosphor is mixed. For example,

형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.The phosphor (not shown) may be a known one such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride, or phosphate.

몸체(310)에는 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)이 실장될 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)와 전기적으로 연결되어 발광소자(320)에 전원을 공급할 수 있다.The first electrode 340 and the second electrode 350 may be mounted on the body 310. The first electrode 340 and the second electrode 350 may be electrically connected to the light emitting device 320 to supply power to the light emitting device 320.

제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(320)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 발광소자(320)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.The first electrode 340 and the second electrode 350 are electrically separated from each other and reflect light generated from the light emitting device 320 to increase light efficiency. The first electrode 340 and the second electrode 350 may discharge heat generated from the light emitting device 320 to the outside.

도 4b에서는 발광소자(320)가 제1 전극(340) 상에 실장되었으나, 이에 한정되지 않으며, 발광소자(320)와 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식, 플립 칩(flip chip) 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.The light emitting device 320 and the first electrode 340 and the second electrode 350 may be formed by wire bonding or the like, ) Method, a flip chip method, or a die bonding method.

제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 제1 전극(340) 및 제2 전극(350)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first electrode 340 and the second electrode 350 may be formed of a metal material such as titanium (Ti), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), chromium (Cr), tantalum ), Platinum (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorous (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt ), Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). The first electrode 340 and the second electrode 350 may have a single-layer structure or a multi-layer structure, but the present invention is not limited thereto.

발광소자(320)는 제1 전극(340) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 발광 소자(320)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting device 320 is mounted on the first electrode 340 and may be a light emitting device that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto. One or more light emitting devices 320 may be mounted.

발광소자(320)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 320 is applicable to both a horizontal type whose electrical terminals are all formed on the upper surface, a vertical type formed on the upper and lower surfaces, or a flip chip.

한편, 발광소자(320)는 제2 반도체층(미도시) 상에 요철이 형성되고, 패시베이션층(미도시) 상에도 요철이 형성되어 광추출량을 극대화하여 발광소자(320) 및 발광소자 패키지(300)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the light emitting device 320 has irregularities formed on the second semiconductor layer (not shown), and irregularities are formed on the passivation layer (not shown) to maximize the amount of light extraction to light emitting device 320 and the light emitting device package ( The luminous efficiency of 300 can be improved.

실시예에 따른 발광소자 패키지(300)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(300)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on a light path of the light emitting device package 300.

발광소자 패키지(300), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 발광소자(미도시) 또는 발광소자 패키지(300)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. The light emitting device package 300, the substrate, and the optical member may function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, a lighting system including a light emitting device (not shown) or a light emitting device package 300, for example, the lighting system may include a lamp, a streetlight .

도 5a는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템(400)을 도시한 사시도이며, 도 5b는 도 5a의 조명 시스템의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.5A is a perspective view illustrating a lighting system 400 including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating a cross-sectional view taken along line D-D 'of the lighting system of FIG. 5A.

즉, 도 5b 는 도 5a의 조명 시스템(400)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.That is, FIG. 5B is a cross-sectional view of the illumination system 400 of FIG. 5A cut in the plane of the longitudinal direction Z and the height direction X, and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 조명 시스템(400)은 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.5A and 5B, the lighting system 400 may include a body 410, a cover 430 coupled to the body 410, and a closing cap 450 positioned at both ends of the body 410. have.

몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(443)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열 발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The lower surface of the body 410 is fastened to the light emitting device module 443, the body 410 is conductive and so that the heat generated from the light emitting device package 444 can be discharged to the outside through the upper surface of the body 410 The heat dissipation effect may be formed of an excellent metal material, but is not limited thereto.

발광소자 패키지(444)는 발광소자(미도시)를 포함한다. 발광소자(미도시)는 제2 반도체층(미도시) 상에 요철이 형성되고, 패시베이션층(미도시) 상에도 요철이 형성되어 광추출량을 극대화하여 발광소자 패키지(444) 및 조명 시스템(400)의 광추출 효율이 향상되고 조명 시스템(400)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting device package 444 includes a light emitting device (not shown). In the light emitting device (not shown), unevenness is formed on the second semiconductor layer (not shown), and unevenness is formed on the passivation layer (not shown) to maximize the amount of light extraction, so as to maximize the light emitting device package 444 and the illumination system 400. ) Light extraction efficiency can be improved and the reliability of the illumination system 400 can be further improved.

발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting device package 444 may be mounted on the substrate 442 in multiple colors and in multiple rows to form a module. The light emitting device package 444 may be mounted at the same interval or may be mounted at various separation distances as necessary to adjust brightness. As the substrate 442, a metal core PCB (MCPCB) or a PCB made of FR4 may be used.

커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The cover 430 may be formed in a circular shape to surround the lower surface of the body 410, but is not limited thereto.

커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(443)을 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 430 may protect the light emitting device module 443 from the foreign matters. The cover 430 may include diffusing particles to prevent glare of light generated from the light emitting device package 444 and to uniformly emit light to the outside, and may also include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430. A prism pattern or the like may be formed on the surface. In addition, a phosphor may be applied to at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430.

발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(430)는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.Since the light generated from the light emitting device package 444 is emitted to the outside through the cover 430, the cover 430 should be excellent in light transmittance, and sufficient heat resistance to withstand the heat generated from the light emitting device package 444. The cover 430 is made of a material containing polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polymethyl methacrylate (PMMA). Can be formed.

마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(400)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.Closing cap 450 is located at both ends of the body 410 may be used for sealing the power supply (not shown). Power cap 452 is formed in the closing cap 450, the lighting system 400 according to the embodiment can be used immediately without a separate device to the terminal from which the existing fluorescent lamps are removed.

도 6 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 6 은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.FIG. 6 illustrates an edge-light method, and the liquid crystal display 500 may include a liquid crystal display panel 510 and a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510.

액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 510 may display an image by using light provided from the backlight unit 570. The liquid crystal display panel 510 may include a color filter substrate 512 and a thin film transistor substrate 514 facing each other with a liquid crystal interposed therebetween.

컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 512 may implement colors of an image displayed through the liquid crystal display panel 510.

박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 514 is electrically connected to the printed circuit board 518 on which a plurality of circuit components are mounted through the driving film 517. The thin film transistor substrate 514 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 518 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 518.

박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 514 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed of a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 560, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The backlight unit 570 may convert the light provided from the light emitting device module 520, the light emitting device module 520 into a surface light source, and provide the light guide plate 530 to the liquid crystal display panel 510. Reflective sheet for reflecting the light emitted from the rear of the light guide plate 530 and the plurality of films 550, 560, 564 to uniform the luminance distribution of the light provided from the 530 and improve the vertical incidence ( 540.

발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 520 may include a PCB substrate 522 so that a plurality of light emitting device packages 524 and a plurality of light emitting device packages 524 may be mounted to form a module.

발광소자 패키지(524)는 발광소자(미도시)를 포함한다. 발광소자(미도시)는 제2 반도체층(미도시) 상에 요철이 형성되고, 패시베이션층(미도시) 상에도 요철이 형성되어 광추출량을 극대화하여, 백라이트 유닛(570)의 광추출 효율이 향상되고 백라이트 유닛(570)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting device package 524 includes a light emitting device (not shown). In the light emitting device (not shown), irregularities are formed on the second semiconductor layer (not shown), and irregularities are formed on the passivation layer (not shown) to maximize the amount of light extraction, thereby increasing the light extraction efficiency of the backlight unit 570. The reliability of the backlight unit 570 may be further improved.

백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 is a diffusion film 566 for diffusing light incident from the light guide plate 530 toward the liquid crystal display panel 510 and a prism film 550 for condensing the diffused light to improve vertical incidence. It may be configured, and may include a protective film 564 for protecting the prism film 550.

도 7 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 6에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display including the light emitting device according to the embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 6 are not repeatedly described in detail.

도 7 은 직하 방식으로, 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다.7 is a direct view, the liquid crystal display 600 may include a liquid crystal display panel 610 and a backlight unit 670 for providing light to the liquid crystal display panel 610.

액정표시패널(610)은 도 6 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 610 is the same as that described with reference to FIG. 6, a detailed description thereof will be omitted.

백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The backlight unit 670 may include a plurality of light emitting device modules 623, a reflective sheet 624, a lower chassis 630 in which the light emitting device modules 623 and the reflective sheet 624 are accommodated, and an upper portion of the light emitting device module 623. It may include a diffusion plate 640 and a plurality of optical film 660 disposed in the.

발광소자 모듈(623) 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.LED Module 623 A plurality of light emitting device packages 622 and a plurality of light emitting device packages 622 may be mounted to include a PCB substrate 621 to form a module.

발광소자 패키지(622)는 발광소자(미도시)를 포함한다. 발광소자(미도시)는 제2 반도체층(미도시) 상에 요철이 형성되고, 패시베이션층(미도시) 상에도 요철이 형성되어 광추출량을 극대화하여, 백라이트 유닛(670)의 광추출 효율이 향상되고 백라이트 유닛(670)의 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.The light emitting device package 622 includes a light emitting device (not shown). In the light emitting device (not shown), irregularities are formed on the second semiconductor layer (not shown), and irregularities are formed on the passivation layer (not shown) to maximize the amount of light extraction, thereby increasing the light extraction efficiency of the backlight unit 670. The reliability of the backlight unit 670 may be further improved.

반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 624 reflects the light generated from the light emitting device package 622 in the direction in which the liquid crystal display panel 610 is positioned to improve light utilization efficiency.

발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.Light generated by the light emitting device module 623 is incident on the diffusion plate 640, and the optical film 660 is disposed on the diffusion plate 640. The optical film 660 includes a diffusion film 666, a prism film 650, and a protective film 664.

실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The configuration and the method of the embodiments described above are not limitedly applied, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made. .

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다Although the preferred embodiments have been illustrated and described above, the invention is not limited to the specific embodiments described above, and does not depart from the gist of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by the person who has them, and these modifications should not be understood individually from the technical idea or the prospect of the present invention.

110: 기판 120: 결합층
130: 전도층 140: 제1 전극층
150: 전류제한층 160: 발광구조물
170: 제2 전극층 180 : 패시베이션층
190: 패턴층 110: substrate 120: bonding layer
130: conductive layer 140: first electrode layer
150: current limiting layer 160: light emitting structure
170: second electrode layer 180: passivation layer
190: pattern layer

Claims (13)

제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광구조물;
상기 제2 반도체층 상에 배치되고 상면에 요철이 위치하는 패시베이션층; 및
상기 요철의 돌출부에 인접하도록 배치되어 빛을 난반사시키는 패턴층;을 포함하는 발광소자.A light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer disposed on the first semiconductor layer and having irregularities on an upper surface thereof, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
A passivation layer disposed on the second semiconductor layer and having irregularities on an upper surface thereof; And
And a pattern layer disposed to be adjacent to the protrusion of the unevenness to diffusely reflect light. 제1항에 있어서,
상기 패시베이션층 상면의 요철은 상기 제2 반도체층 상면의 요철에 비해서 단위면적당 개수가 더 많은 발광소자.The method of claim 1,
The unevenness of the upper surface of the passivation layer has a greater number per unit area than the unevenness of the upper surface of the second semiconductor layer. 제1항에 있어서
상기 패시베이션층 상면의 요철은 상기 제2 반도체층 상면의 요철에 비해서 높이 또는 폭이 작은 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1, wherein
The unevenness of the upper surface of the passivation layer is a light emitting device comprising a smaller height or width than the unevenness of the upper surface of the second semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 반도체층 상면의 요철은 상기 활성층에서 발생시킨 빛의 파장보다 작은 크기인 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The unevenness of the upper surface of the second semiconductor layer is a light emitting device comprising a size smaller than the wavelength of light generated in the active layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 반도체층과 패시베이션층의 사이에 배치되고, 상면에 요철이 위치하며, SiN, ITO 및 ZnO 중에 하나를 포함하는 제2 오믹접촉영역을 더 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
And a second ohmic contact region disposed between the second semiconductor layer and the passivation layer and having irregularities on an upper surface thereof and including one of SiN, ITO, and ZnO. 제5항에 있어서,
상기 제2 오믹접촉영역 상의 요철은 상기 제2 반도체층 상의 요철보다 크기가 작은 발광소자.The method of claim 5,
The unevenness on the second ohmic contact area is smaller in size than the unevenness on the second semiconductor layer. 제5항에 있어서,
상기 제2 오믹접촉영역 상면의 요철은 상기 활성층에서 발생시킨 빛의 파장보다 작은 크기인 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 5,
The unevenness of the upper surface of the second ohmic contact region is smaller than the wavelength of light generated in the active layer. 제5항에 있어서,
상기 제2 오믹접촉영역의 굴절율은 상기 제2 반도체층의 굴절율보다 작은 발광소자.The method of claim 5,
The refractive index of the second ohmic contact region is smaller than the refractive index of the second semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 패시베이션층의 두께는 300 nm 내지 600 nm 인 발광소자.The method of claim 1,
The passivation layer has a thickness of 300 nm to 600 nm. 제1항에 있어서,
상기 패시베이션층 상면의 요철은 상기 활성층에서 발생시킨 빛의 파장보다 작은 크기인 것을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The unevenness of the upper surface of the passivation layer is a light emitting device comprising a size smaller than the wavelength of light generated in the active layer. 제1항에 있어서,
상기 패시베이션층의 굴절율은 상기 제2 반도체층의 굴절율보다 작은 발광소자.The method of claim 1,
The refractive index of the passivation layer is smaller than the refractive index of the second semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 상기 활성층에서 발생시킨 빛의 파장보다 주기가 작도록 형성되는 발광소자.The method of claim 1,
The pattern layer is a light emitting device is formed so that the cycle is smaller than the wavelength of the light generated by the active layer. 제1항에 있어서,
상기 패턴층은 은(Ag), 금(Au) 또는 백금(Pt)을 포함하는 발광소자.The method of claim 1,
The pattern layer includes silver (Ag), gold (Au) or platinum (Pt).
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