KR20130006976A - 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판 - Google Patents

발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20130006976A
KR20130006976A KR1020110062690A KR20110062690A KR20130006976A KR 20130006976 A KR20130006976 A KR 20130006976A KR 1020110062690 A KR1020110062690 A KR 1020110062690A KR 20110062690 A KR20110062690 A KR 20110062690A KR 20130006976 A KR20130006976 A KR 20130006976A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
buffer layer
light emitting
substrate
layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110062690A
Other languages
English (en)
Inventor
박건
김선모
오충석
황세광
송호근
원준호
박지수
Original Assignee
(주)세미머티리얼즈
박건
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)세미머티리얼즈, 박건 filed Critical (주)세미머티리얼즈
Priority to KR1020110062690A priority Critical patent/KR20130006976A/ko
Publication of KR20130006976A publication Critical patent/KR20130006976A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2011—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate the substrate being of crystalline insulating material, e.g. sapphire

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

실시예는 발광소자 및 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 보이드를 개재하여 형성된 제1 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 형성된 보이드를 유지하면서 형성되는 제2 버퍼층; 및 상기 제2 버퍼층 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물;을 포함한다.

Description

발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND SUBSTRATE FOR LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device: LED)는 반도체 PN 접합소자로 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 발광 반도체로서, 발광소자는 화합물 반도체 단자에 전류를 흘려서 PN 접합부근 혹은 활성층에서 전자와 홀의 결합에 의해 빛을 방출하는 소자이다.
종래기술에 의하면 LED는 사파이어 기판 상에 질화갈륨(GaN) 반도체층을 에피성장하여 형성하는데, 사파이어 기판과 질화갈륨의 결정격자 차이에 의해 많은 전위(dislocation)가 발생하고, 이러한 전위는 비발광 재결합(non-radiative recombination) 사이트인 디펙트로 작용하여 발광소자의 내부 발광효율을 저하하는 문제가 있다.
실시예는 고품질의 발광구조물을 포함하는 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자는 기판; 상기 기판 상에 보이드를 개재하여 형성된 제1 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 형성된 보이드를 유지하면서 형성되는 제2 버퍼층; 및 상기 제2 버퍼층 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물;을 포함한다.
또한, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 제1 버퍼층의 일부를 제거하여 홈을 형성하는 단계; 상기 홈을 포함하는 제1 버퍼층 상에 제2 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자용 기판은 기판; 상기 기판 상에 보이드를 개재하여 형성된 제1 GaN 버퍼층; 상기 보이드에 의해 형성된 홈을 포함하는 제1 GaN 버퍼층 상에 형성된 제2 GaN 버퍼층;을 포함한다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판에 의하면, 기판 및 버퍼층에 형성된 보이드에 의해 전위(dislociton)가 차단됨으로써 발광소자의 내부 발광효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판이 일부 식각되어 PSS(Patterned Sapphire Substrate)가 형성되는 효과가 생기어 외부 광추출효과가 개선되는 효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판과 GaN 버퍼 계면상에 보이드(Void)가 개재되어 수직형 LED 제작을 위한 LLO(Laser Lift-Off) 공정시 수율향상을 꾀할수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형 LED의 광추출 효과를 위한 N-GaN쪽에 표면 패터닝(patterning) 처리가 보이드(void) 형성 공정을 통해 이미 되어 있으므로 별도의 광추출 구조 형성공정이 필요 없다는 장점이 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도.
도 2 내지 도 5는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태들을 설명한다.
본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다,
또한, 실시예의 설명에 있어 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
(실시예)
도 1은 실시예에 따른 발광소자(100)의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(102)과, 상기 기판(102) 상에 보이드(V)를 개재하여 형성된 제1 버퍼층(104), 상기 제1 버퍼층(104) 상에 형성된 보이드(V)를 유지하며 형성되는 제2 버퍼층(106) 및 상기 제2 버퍼층(106) 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 구비하는 발광구조물(110)을 포함할 수 있다.
실시예에서 상기 제1 버퍼층(104)의 보이드(V) 영역 하측의 기판(102)이 일부가 제거된 형태일 수 있다.
실시예에 의하면 기판(102) 상에 제1 버퍼층(104), 예를 들어, 제1 GaN층을 약 2㎛ 정도 성장 후 현저한 이방성 에칭을 통해 보이드를 형성하는 단계에서 사파이어 기판의 일부까지 에칭할 수 있다.
예를 들어, 고온에서 가스를 이용한 건식식각(gas treatment dry etching)을 이용하여 사파이어 기판 표면 밑까지 에칭을 전개할 수 있다. 예를 들어, 아르곤(Ar) 분위기에서 Cl2 또는 CCl4 기체를 이용하여 RIE(Reactive Ion Etching)을 진행함으로써 사파이어 기판의 일부까지 에칭할 수 있다.
이후, 제2 버퍼층(106), 예를 들어 제2 GaN층을 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 방법으로 성장하면 에칭된 기판 영역에 보이드(V)가 잔존한 형태로 제2 버퍼층(106)을 형성할 수 있다.
실시예에 의하면 제2 GaN층인 제2 버퍼층(106) 내부 외에도 사파이어 기판의 일부까지 에칭(Etching)하여 보이드(V)가 사파이어 기판에서 GaN층에 걸쳐 존재할 수 있다.
실시예에 의하면 사파이어 기판 상부에 형성되는 제2 GaN층인 제2 버퍼층(106)을 성장할 때, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)가 아닌 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용해야 보이드(V)가 잘 형성되며, HVPE를 이용하면 보이드가 메꾸어질 수 있다.
실시예는 상기 발광구조물(110) 상측에 형성된 투광성 오믹층(124)을 포함할 수 있다. 상기 투광성 오믹층(124)은 상기 발광구조물 상에 형성되어 캐리어 확산층의 기능을 할 수 있다.
또한, 실시예는 상기 투광성 오믹층(124) 상에 제2 패드전극(132)과 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결되는 제1 패드전극(131)을 포함할 수 있다.
실시예에 따라 사파이어 기판과 GaN 버퍼 계면상에 보이드(Void)를 형성하게 되면 결함감소가 극대화될 수 있으며, 사파이어 이종기판으로부터의 스트레스(stress)가 최소화될 수 있다.
이에 따라 실시예에 따른 발광소자에 의하면, 기판 및 버퍼층에 형성된 보이드에 의해 전위(dislociton)가 차단됨으로써 발광소자의 내부 발광효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판이 일부 식각되어 PSS(Patterned Sapphire Substrate)가 형성되는 효과가 생기어 외부 광추출효과가 개선되는 효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판과 GaN 버퍼 계면상에 보이드(Void)가 개재되어 수직형 LED 제작을 위한 LLO(Laser Lift-Off) 공정시 수율향상을 꾀할수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형 LED의 광추출 효과를 위한 N-GaN쪽에 표면 패터닝(patterning) 처리가 보이드(void) 형성 공정을 통해 이미 되어 있으므로 별도의 광추출 구조 형성공정이 필요 없다는 장점이 있다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다.
우선, 도 2와 같이 기판(102)을 준비하고, 상기 기판(102) 상에 버퍼층(104)을 형성한다.
상기 기판(102)은 절연성 기판 또는 전도성 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(102)은 사파이어(Al2O3), 실리콘 카바이드(SiC), GaAs, GaN, ZnO, GaP, Ge, Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 상기 기판(102) 상에 제1 버퍼층(104)을 형성한다. 상기 제1 버퍼층(104)은 기판(102)과 발광구조물(110)의 격자 부정합을 완화시켜 줄 수 있다. 상기 제1 버퍼층(104)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 도 3과 같이 소정의 마스크 패턴(P)을 이용하여 상기 제1 버퍼층(104)의 일부를 제거하여 홈(H)을 형성한다. 상기 마스크 패턴(P)은 감광막(PR) 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 마스킹 공정없이 식각진행될 수도 있다.
실시예는 상기 제1 버퍼층(104)의 일부를 제거하여 홈(H)을 형성하는 단계에서 상기 제1 버퍼층(104)의 일부가 제거됨에 따라 노출되는 기판(102)의 일부도 함께 제거될 수 있다.
실시예에 의하면 기판(102) 상에 제1 버퍼층(104), 예를 들어, 제1 GaN층을 약 2㎛ 정도 성장 후 현저한 이방성 에칭을 통해 보이드를 형성하는 단계에서 사파이어 기판의 일부까지 에칭할 수 있다.
예를 들어, 고온에서 가스를 이용한 건식식각(gas treatment dry etching)을 이용하여 사파이어 기판 표면 밑까지 에칭을 전개할 수 있다. 예를 들어, 아르곤(Ar) 분위기에서 Cl2 또는 CCl4 기체를 이용하여 RIE(Reactive Ion Etching)을 진행함으로써 사파이어 기판의 일부까지 에칭할 수 있다.
다음으로, 도 4와 같이 상기 마스크 패턴(P)을 제거한 후, 홈을 포함하는 제1 버퍼층(104) 상에 제2 버퍼층(106)을 형성한다.
실시예에 의하면 상기 제2 버퍼층(106)을 형성하는 단계에서, 상기 홈 영역에 형성된 보이드(V)를 유지하며 상기 제2 버퍼층(106)이 형성될 수 있다. 실시예에서 보이드(V)는 홈 영역 중 제2 버퍼층(106)에 의해 메꿔지지 않은 부분을 칭할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 버퍼층(106), 예를 들어 제2 GaN층을 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 방법으로 성장하면 에칭된 기판 영역에 보이드(V)가 잔존한 형태로 제2 버퍼층(106)을 형성할 수 있다.
실시예에 의하면 제2 GaN층인 제2 버퍼층(106) 내부 외에도 사파이어 기판의 일부까지 에칭(Etching)하여 보이드(V)가 사파이어 기판에서 GaN층에 걸쳐 존재할 수 있다.
실시예에 의하면 사파이어 기판 상부에 형성되는 제2 GaN층인 제2 버퍼층(106)을 성장할 때, HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)가 아닌 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)를 이용해야 보이드(V)가 잘 형성되며, HVPE를 이용하면 보이드가 메꾸어질 수 있다.
예를 들어, 실시예에서 제2 GaN층인 제2 버퍼층(106)을 MOCVD로 성정하는 경우, 한쪽에서 트리메틸갈륨(TMGa)이라는 Ga에 메틸(methyl)기를 붙인 물질을 수송기체에 보내고, 다른 쪽에서는 암모니아(NH3)를 불어넣어서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN층을 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따라 사파이어 기판과 GaN 버퍼 계면상에 보이드(Void)를 형성하게 되면 결함감소가 극대화될 수 있으며, 사파이어 이종기판으로부터의 스트레스(stress)가 최소화될 수 있다.
이에 따라 실시예에 따른 발광소자에 의하면, 기판 및 버퍼층에 형성된 보이드에 의해 전위(dislociton)가 차단됨으로써 발광소자의 내부 발광효율을 증가시킬 수 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판이 일부 식각되어 PSS(Patterned Sapphire Substrate)가 형성되는 효과가 생기어 외부 광추출효과가 개선되는 효과가 있다.
또한, 실시예에 의하면 사파이어 기판과 GaN 버퍼 계면상에 보이드(Void)가 개재되어 수직형 LED 제작을 위한 LLO(Laser Lift-Off) 공정시 수율향상을 꾀할수 있다.
또한, 실시예에 의하면 수직형 LED의 광추출 효과를 위한 N-GaN쪽에 표면 패터닝(patterning) 처리가 보이드(void) 형성 공정을 통해 이미 되어 있으므로 별도의 광추출 구조 형성공정이 필요 없다는 장점이 있다.
이후, 상기 제2 버퍼층(106) 상에 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(114) 및 제2 도전형 반도체층(116)을 구비하는 발광구조물(110)을 형성한다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 도전형 반도체층(112)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(112)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
상기 활성층(114)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 활성층(114)은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 활성층(114)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 반도체층(116)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(116)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 P형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(116)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 물질이 주입되어 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 상기 발광구조물(110) 상에 투광성 오믹층(124)을 형성한다. 상기 투광성 오믹층(124)은 상기 발광구조물(110) 상에 형성되어 캐리어 확산층의 기능을 할 수 있다.
예를 들어, 상기 투광성 오믹층(124)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), IZON(IZO Nitride), ZnO, AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, NiO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
다음으로, 도 5와 같이 발광구조물(110)의 일부를 제거한 후 상기 투광성 오믹층(124) 상에 제2 패드전극(132)과 상기 제1 도전형 반도체층(112)과 전기적으로 연결되는 제1 패드전극(131)을 형성할 수 있다.
상기 제1 패드전극(131)은 Ti/Au를 포함할 수 있고, 상기 제2 패드전극(132)은 Ni/Au를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 따른 발광소자 및 발광소자의 제조방법에 의하면, 기판 및 버퍼층에 형성된 보이드에 의해 전위(dislociton)가 차단됨으로써 발광소자의 내부 발광효율을 증가시킬 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 않는다.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 보이드를 개재하여 형성된 제1 버퍼층;
    상기 제1 버퍼층 형성된 보이드를 유지하면서 형성되는 제2 버퍼층; 및
    상기 제2 버퍼층 상에 형성되며, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물;을 포함하는 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층의 보이드 영역 하측의 기판이 일부가 제거된 발광소자.
  3. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 상에 제1 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 제1 버퍼층의 일부를 제거하여 홈을 형성하는 단계;
    상기 홈을 포함하는 제1 버퍼층 상에 제2 버퍼층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 버퍼층 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 발광구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층의 일부를 제거하여 홈을 형성하는 단계에서,
    상기 제1 버퍼층의 일부가 제거됨에 따라 노출되는 기판의 일부도 함께 제거되는 발광소자의 제조방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 홈을 포함하는 제1 버퍼층 상에 제2 버퍼층을 형성하는 단계에서,
    상기 홈 영역에 형성된 보이드를 유지하며 상기 제2 버퍼층이 형성되는 발광소자의 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 홈을 포함하는 제1 버퍼층 상에 제2 버퍼층을 형성하는 단계에서,
    상기 제2 버퍼층은 MOCVD에 의해 형성되는 발광소자의 제조방법.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 보이드를 개재하여 형성된 제1 GaN 버퍼층;
    상기 보이드에 의해 형성된 홈을 포함하는 제1 GaN 버퍼층 상에 형성된 제2 GaN 버퍼층;을 포함하는 발광소자용 기판.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 버퍼층의 보이드 영역 하측의 기판이 일부가 제거된 발광소자용 기판.
KR1020110062690A 2011-06-28 2011-06-28 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판 KR20130006976A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110062690A KR20130006976A (ko) 2011-06-28 2011-06-28 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110062690A KR20130006976A (ko) 2011-06-28 2011-06-28 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130006976A true KR20130006976A (ko) 2013-01-18

Family

ID=47837647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110062690A KR20130006976A (ko) 2011-06-28 2011-06-28 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20130006976A (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104218128A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 晶元光电股份有限公司 具有高效率反射结构的发光元件
KR20150035208A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 서울바이오시스 주식회사 질화물 반도체 성장 방법, 이를 이용한 반도체 제조용 템플릿 제조 방법 및 반도체 발광 소자 제조 방법
CN105914281A (zh) * 2015-02-19 2016-08-31 晶元光电股份有限公司 具有高效率反射结构的发光元件
WO2016195341A1 (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 이를 구비하는 조명시스템
CN108598237A (zh) * 2018-07-12 2018-09-28 广东省半导体产业技术研究院 半导体器件及其制备方法
US10693039B2 (en) 2013-05-24 2020-06-23 Epistar Corporation Light-emitting element having a reflective structure with high efficiency

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10693039B2 (en) 2013-05-24 2020-06-23 Epistar Corporation Light-emitting element having a reflective structure with high efficiency
CN104218128A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 晶元光电股份有限公司 具有高效率反射结构的发光元件
KR20150035208A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 서울바이오시스 주식회사 질화물 반도체 성장 방법, 이를 이용한 반도체 제조용 템플릿 제조 방법 및 반도체 발광 소자 제조 방법
CN105914281A (zh) * 2015-02-19 2016-08-31 晶元光电股份有限公司 具有高效率反射结构的发光元件
WO2016195341A1 (ko) * 2015-05-29 2016-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법 및 이를 구비하는 조명시스템
US10374124B2 (en) 2015-05-29 2019-08-06 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, method for manufacturing light emitting device and lighting system having same
CN108598237A (zh) * 2018-07-12 2018-09-28 广东省半导体产业技术研究院 半导体器件及其制备方法
CN108598237B (zh) * 2018-07-12 2023-11-10 广东省半导体产业技术研究院 半导体器件及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101732524B1 (ko) 붕소를 포함하는 ⅲ-질화물 발광 장치
US8399273B2 (en) Light-emitting diode with current-spreading region
KR101047652B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101782081B1 (ko) 발광 소자
KR20130006976A (ko) 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자용 기판
KR20160013552A (ko) 발광소자 및 조명시스템
US8372727B2 (en) Method for fabricating light emitting device
KR101072200B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US8148732B2 (en) Carbon-containing semiconductor substrate
US8247244B2 (en) Light emitting device and method of manufacturing the same
KR102249624B1 (ko) 발광구조물 및 이를 포함하는 발광소자
KR102249630B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR20170093614A (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR102261957B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템
KR101755670B1 (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR101765903B1 (ko) 발광소자, 그 제조방법 및 발광소자 패키지
KR20130006970A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20170109904A (ko) 발광소자 및 조명장치
KR20130006978A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20170037024A (ko) 발광소자
KR20130006975A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20130006979A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20130006977A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR100986327B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR102261950B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application