KR20120128398A - 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는다.

Description

마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법{GAlIUM-NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE OF MICROARRAY TYPE STRUCTURE AND MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는, 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN)계 화합물 반도체는 직접 천이형 반도체로서, 가시광선에서 자외선까지 파장 제어가 가능하다. 질화갈륨계 화합물 반도체는 열적 및 화학적 안정성이 높고, 전자 이동도 및 포화 전자속도도 높다. 질화갈륨계 화합물 반도체는 큰 에너지 밴드갭 등 기존의 갈륨비소(GaAs) 및 인듐인(InP)계 화합물 반도체에 비하여 뛰어난 물성이 있다. 이러한 특성을 바탕으로 가시광 영역의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 및 레이저 다이오드(LD: Laser Diode) 등의 광소자, 고출력 및 고주파 특성이 요구되는 차세대 무선통신 및 위성통신 시스템에 사용되는 전자소자 등 기존의 화합물 반도체로는 한계성을 가지는 분야로 응용범위가 확대되고 있다.
질화갈륨계 발광소자는 인듐 갈륨 질화물(InGaN), 인듐 알루미늄 갈륨 질화물(InAlGaN) 등으로 구성되는 활성층과 활성층에서 방출된 빛을 외부로 끌어내는 p-형 전극층에 따라 발광특성이 좌우된다. 그러나 활성층과 전극층 사이의 격자 부정합 및 성장온도의 차이 등으로 인하여 내부 양자효율을 높이는 데 어려움이 있다.
특히, 절연성인 사파이어 기판의 사용으로 인하여 n-형 및 p-형 전극이 동일 평면상에 존재하는 전극 구조로 인하여 전류 밀집현상(Current Crowding)이 쉽게 발생 된다. 또한, p-형 질화갈륨(GaN)은 높은 박막 저항 및 낮은 이동도 특성으로 인하여 전류 확산이 어렵다. 이는 불균일한 발광특성 및 열 발생으로 인하여 소자 특성을 저하시키는 주요한 원인이 되고 있다. 따라서 고출력 및 대면적의 발광소자를 제작하기 위한 다양한 소자 구조 및 제조 공정이 절실히 필요한 실정이다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는, 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위하여, 본 발명의 제1 측면에 따른 장치는, 기판 상에 완충층, n-형 질화물 전극층, 활성층 및 p-형 질화물 전극층이 순차적으로 적층된 발광 반도체층; 및 상기 발광 반도체층의 평면을 마이크로 어레이 형태의 발광 영역으로 분리하고 상기 분리된 발광 영역을 연결시키는 다층의 투명 전극층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 측면에 따른 방법은, 기판 상에 완충층, n-형 질화물 전극층, 활성층 및 p-형 질화물 전극층을 순차적으로 적층하여 발광 반도체층을 형성하는 발광 반도체층 형성 단계; 상기 형성된 발광 반도체층 상에 1차 투명 전극층을 형성하는 1차 전극층 형성 단계; 패턴 형성을 통한 상기 1차 투명 전극층의 열처리를 통해 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 분리하는 발광 영역 분리 단계; 및 상기 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층으로 연결시키는 2차 전극층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 투명 전극층의 부분 열처리를 통한 마이크로 어레이 형태의 발광소자를 통해 발광 소자에서 이용되는 투명 전극층을 1차 및 2차로 구분하여 각각 마이크로 발광 영역의 형성 및 연결에 이용함으로써, 종래의 식각 공정을 통한 소자간 분리공정에 비하여 식각 공정에 의한 표면 손상을 최소화하고, 빛을 생성하는 활성층 영역의 감소를 최소화하고, 패턴 형성시 사용되는 투명 저항층을 통해 빛의 방출을 가능하게 함으로써, 대면적 발광소자 제조시 발광효율이 저하되는 문제점을 감소시켜 고효율의 대면적 발광 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 1차 투명 전극층의 열처리에 따른 저항변화 특성을 이용하여 마이크로 발광 영역을 구분함으로써, 종래의 식각 공정에 의한 마이크로 어레이 발광 소자 제조 방법에 비하여 후속 공정을 통한 표면 평탄화가 가능하며, 다양한 종류의 소자를 함께 집적할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 1차 투명 전극층을 이용하여 마이크로 발광 영역 이외의 부분에 전류를 흐르지 않도록 함으로써, 주입전류를 제한할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 2차 투명 전극층을 이용하여 마이크로 발광 영역 간에 동일한 전류를 흐르도록 함으로써, 대면적 발광다이오드 제작시 문제가 되는 전류 밀집현상을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 이는 발광효율이 높은 마이크로 발광다이오드를 어레이 형태로 제작하여 대면적 소자를 구현할 수 있으며, 종래의 대면적 소자 제조시 전류밀집 및 발광효율이 저하되는 단점을 극복하여 발광소자의 균일도를 향상시키고, 대면적화가 가능하게 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 종래의 수직형 발광다이오드의 제작 공정에서 마이크로 발광 다이오드 구조를 적용할 경우 전류 분포 및 확산을 위한 금속 전극층의 사용에 따른 유효 발광면적의 감소라는 효율 저하 요인을 줄여주게 되어 대면적 발광소자의 제조 및 발광효율의 증대가 가능하게 하는 효과가 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 발광 소자의 일실시예 단면 구조도,
도 2 내지 도 7 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자의 제조 방법에 대한 일실시예 공정 흐름도,
도 8 은 본 발명에 따른 발광 다이오드에서 발광 영역의 전류 이동에 대한 일실시예 예시도,
도 9 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드의 일실시예 평면도,
도 10 은 본 발명에 따른 대면적 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드의 일실시예 평면도,
도 11 은 본 발명에 따른 수직형 발광 소자의 발광 영역의 전류 이동에 대한 일실시예 예시도,
도 12 은 본 발명에 따른 수직형 마이크로 어레이 형태의 발광다이오드의 일실시예 평면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다.
본 발명은 마이크로 어레이 형태의 발광 소자(100)는 갈륨(Ga: Gallium), 알루미늄(Al: Aluminum), 인디움(In: Indium) 등의 III족 원소와 질소를 포함하는 III-질화물(Nitride) 반도체를 이용한 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 발광 소자의 일실시예 단면 구조도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 발광 소자는 사파이어 기판(101), 저온 완충(Buffer)층(102), 질화갈륨계 지지층(103), n+-형 전극층(104), 활성층(Active Layer)(105), p-형 클래딩(Cladding)층(106), p-형 전극층(107), 1차 투명 전극층(Transparent Contact layer)(108), 투명 저항층(109), 2차 투명 전극층(111) 및 n-/p-형 금속 전극층(112)을 포함한다. 여기서, 질화갈륨계 지지층(103)은 도핑하지 않은 무도핑(Undoped) 지지층이다. 투명 저항층(109)은 발광 영역 구분층의 기능을 수행한다.
사파이어 기판(101) 위에 저온 완충층(102), 질화갈륨계 지지층(103), n-형 전극층(104), 활성층(105), p-형 클래딩층(106) 및 p-형 전극층(107)이 순차적으로 적층되어 이루어진 발광 소자(100)는 다층 구조의 투명 전극층을 포함한다. 다층구조의 투명 전극층은 마이크로 발광 영역 형성을 위한 1차 투명 전극층(108) 및 어레이 연결을 위한 2차 투명 전극층(111)을 포함한다.
본 발명은 투명 전극층(Transparent Ccontact Layer)(108)으로 이용되는 투명 산화막(TCO: Transparent Conducting Oxide)의 열처리에 따른 전기전도도 특성 변화를 이용하여 부분적인 저항체 형성을 통해 발광 영역을 분리한다. 그리고 본 발명은 2차 투명 전극층(111)의 형성을 통한 발광 영역의 연결공정을 통하여 대면적 발광소자의 균일한 전류 분포 및 효율을 향상시킬 수 있다.
도 2 내지 도 7 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자의 제조 방법에 대한 일실시예 공정 흐름도이다.
도 2에는 질화물 발광 소자의 기본 구조인 발광 반도체층이 나타나 있다.
이하, 사파이어 기판(101), 저온 완충(Buffer)층(102), 질화갈륨계 지지층(103), n+-형 전극층(104), 활성층(Active Layer)(105), p-형 클래딩(Cladding)층(106) 및 p-형 전극층(107)이 순차적으로 적층된 구조를 발광 반도체층이라 한다.
이를 더욱 구체적으로 살펴보면, 제조 방법은 사파이어 기판(101) 상에 저온 완충층(102)을 성장시킨다. 그리고 그 제조 방법은 결정성을 향상시키기 위하여 저온 완충층(102) 상에 도핑하지 않은 무도핑(Undoped) 질화갈륨(GaN) 지지층(103)을 2 ~ 3㎛ 두께로 성장시킨다.
그리고 그 제조 방법은 지지층(103) 상에 n+-형 전극층(104)을 성장시킨다. n+-형 전극층(104)은 다중 양자 우물(MQW: Multi Quantum Well) 내부로 전자를 공급하는 기능을 수행하며, 두께는 2 ~ 4 ㎛ 범위이다.
그리고 그 제조 방법은 n+-형 전극층(104) 상에 발광파장을 결정하는 인듐갈륨질소/갈륨질소(InGaN/GaN) 다중 양자 우물 구조로 이루어진 활성층(105)을 성장시킨다.
그리고 그 제조 방법은 전류 제한(Current Blocking) 기능을 수행하는 p-AlxGa1-xN 배리어(Barrier) 층인 클래딩층(106)을 성장시킨다. 이때 알루미늄(Al)의 조성비인 x의 범위는 0.1 ~ 0.2이며, 두께는 30 ~ 1000Å 범위이다.
그리고 그 제조 방법은 클래딩층(106) 상에 p-형 전극층(107)을 성장시킨다. p-형 전극층(107)은 정공을 공급하여 주는 p-갈륨질소(GaN)로 이루어져 있으며, 두께는 500 ~ 5000Å 범위이다.
도 3에는 1차 투명 전극층(108)이 형성된 발광 소자의 단면구조가 나타나 있다.
도 3을 참조하면, 발광 소자의 제조 방법은 1차 식각 공정을 통하여 n+-질화갈륨(GaN) 전극층(104)까지 식각하고 p-형 전극층(107) 상에 1차 투명 전극층(108)을 적층시킨다. 1차 식각 공정은 건식 식각 공정이다. 이때, 1차 투명 전극층(108)은 열처리에 따른 저항값의 증가특성을 갖는 IZO 계열의 투명 산화막으로 적층된다.
여기서, 1차 투명 전극층(108)은 열처리에 의하여 저항값이 변화되는 IZO(IndiumZinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 계열의 투명 산화막이 이용된다. 1차 투명 전극층(108)의 두께는 10 ~ 1000nm 사이의 범위가 바람직하며, 투과도는 활성층(105)의 발광파장 범위에서 80% 이상인 것이 바람직하다.
도 4 에는 마이크로 발광 영역이 정의되는 패턴 형성층이 형성된 발광소자의 단면구조가 나타나 있다.
발광 소자의 제조 방법은 순차적으로 열처리 공정을 위한 실리콘 질화막(SiNx: Silicon Nitride)층인 패턴 형성층(110)을 1차 투명 전극층(108) 상에 적층시킨다. 즉, 투명 산화막(IZO)인 1차 투명 전극층(108)의 열처리를 위하여 고온 열처리 및 패턴형성이 가능한 SiNx층을 증착하여 마이크로 발광 영역이 정의되는 패턴이 발광 소자에 형성된다. 발광 소자의 제조 방법은 증착된 SiNx층을 이용하여 발광 영역을 구분하는 소자 패턴 형성 작업을 수행한다. 수평형 발광소자 제조시, p-형 전극층(107) 상에 마이크로 발광 영역이 형성된다. 패턴 형성층(110)은 질화규소(SiNx)로 이루어져 있다.
도 5 에는 패턴 형성 및 열처리를 위하여 이용된 패턴 형성층을 제거한 발광소자의 단면구조가 나타나 있다.
발광 소자의 제조 방법은 도 4의 발광 소자의 구조에서 1차 투명 전극층(108)의 열처리를 수행한다. 1차 투명 전극층(108)의 저항을 높이기 위하여, 산소 분위기의 열처리가 수행된다. 발광 소자의 제조 방법은 열처리를 통하여 투명 저항층(109)이 형성된 이후, 패턴 형성 및 열처리를 위하여 사용된 SiNx층을 제거한다. 발광 소자의 제조 방법은 1차 투명 전극층(108)으로 이용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성을 이용하여 1차 투명 전극층을 이용한 미세 발광 영역을 분리한다.
여기서, 1차 투명 전극층(108)의 열처리 공정은 산소(O2)분위기에서 진행하며, 열처리 온도는 300 ~ 600℃이고, 열처리 시간은 1분 ~ 60분 사이의 범위를 가지는 것이 바람직하다. 마이크로 발광 영역의 형성시 전류가 흐르지 않는 영역의 1차 투명 전극층(108)의 저항이 최소 103Ω/square 이상인 것이 바람직하다. 열처리 공정은 마이크로 발광 영역의 형성을 위하여 열처리 공정에 의한 투명 산화막의 저항값 변화를 이용한다. 즉, 마이크로 발광 영역의 형성을 위하여 미세 패턴형성 및 고온 열처리 공정, 선택적 에칭을 위하여 SiNx(Silicon Nitride) 박막을 이용한다.
여기서, 마이크로 발광 영역의 크기가 1㎛ ~ 100㎛ 사이인 것이 바람직하다. 전류가 흐르지 않는 1차 투명 전극층(108)의 크기가 1㎛ ~ 10㎛ 사이인 것이 바람직하다.
도 6 은 2차 투명 전극층이 형성된 발광소자의 단면구조가 나타나 있다.
발광 소자의 제조 방법은 투명 저항층(109)에 의해 구분된 발광 영역을 연결하기 위한 2차 투명 전극층(111)을 도 5의 구조 상에 증착한다. 즉, 발광 소자의 제조 방법은 마이크로 발광 영역의 연결을 위하여 2차 투명 전극층(111)을 이용하여 마이크로 발광소자의 어레이 형태로 제작한다.
여기서, 2차 투명 전극층(111)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO 및 ZnO 계열의 투명 산화막으로 이루어지는 것이 바람직하다. 2차 투명 전극층(111)은 투명 저항층(109)에 의해 분리된 발광 영역을 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는 대면적 발광소자에 적합하다.
도 7 은 도 6의 구조에 n-형/p-형 금속 전극층(112)이 증착된 발광 소자의 단면구조가 나타나 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, n-/p-형 금속 전극층(112)은 2차 투명 전극층(111) 상에 적층된다. 즉, n-형 및 p-형 금속 전극층(112)이 2차 투명 전극층(111)이 증착되고 순차적으로 증착한다.
따라서 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자의 제조 방법은 대면적 발광소자의 제조를 위하여 미세 발광 영역의 구분을 통한 마이크로 어레이 형태의 발광 소자를 제작한다. 발광 소자의 제조 방법은 발광 영역의 구분 및 전류 분포를 위하여 1차 투명 전극층(108)을 형성하고, 패턴 형성을 통한 1차 투명 전극층(108)의 열처리를 통한 미세 발광 영역을 분리한다. 그리고 발광 소자의 제조 방법은 분리된 발광 영역을 연결하기 위한 2차 투명 전극층(111)을 형성한다. 즉, 발광 소자의 제조 방법은 마이크로 어레이 형태의 대면적 발광 소자를 구현하기 위하여 투명 산화막인 1차 투명 전극층(108)의 열처리를 이용한 발광 영역을 분리하고, 분리된 발광 영역을 연결하는 2차 투명 전극층(111)을 형성하는 과정을 포함한다.
이를 통해, 발광 소자의 제조 방법은 종래의 발광 소자 제조방법에 비하여 균일한 전류 분포를 가지는 미세 발광 영역을 형성하고 이를 연결하여 대면적 발광 다이오드의 효율을 향상시키고 출력을 증가시킬 수 있다.
도 8 은 본 발명에 따른 발광 다이오드에서 발광 영역의 전류 이동에 대한 일실시예 예시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 발광 소자의 일예로 발광 다이오드에서의 전류는 n-형 및 p-형 금속 전극층(112)을 기점으로 흐른다. 여기서, 2차 투명 전극층(111)으로부터 투명 저항층(109)에 의해 구분된 1차 투명 전극층(108)을 통해 발광 소자의 전류 흐름이 나타나 있다.
도 9 은 본 발명에 따른 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드의 일실시예 평면도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드는 1차 투명 전극층(108), 투명 저항층(109), 2차 투명 전극층(111) 및 n-/p-형 금속 전극층(112)을 포함한다. 발광 영역으로 구분되는 1차 투명 전극층(108)은 도 9에 도시된 바와 같이, 원형 또는 사각형 등 다양한 모양으로 형성될 수 있다. 이러한 1차 투명 전극층(108), 투명 저항층(109), 2차 투명 전극층(111) 및 n-/p-형 금속 전극층(112)은 수평형 발광 소자의 제조시, p-형 전극층(107) 위에 마이크로 발광 영역으로 형성된다.
도 10 은 본 발명에 따른 대면적 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드의 일실시예 평면도이다.
도 10에는 도 9의 마이크로 발광 다이오드의 기본 구조를 이용하여 제작한 대면적 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드에 대한 평면 구조가 나타나 있다. 대면적 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드는 1차 투명 전극층(108), 투명 저항층(109), 2차 투명 전극층(111) 및 n-/p-형 금속 전극층(112)을 포함한다.
도 11 은 본 발명에 따른 수직형 발광 소자의 발광 영역의 전류 이동에 대한 일실시예 예시도이다.
도 11에는 수직형 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드 제작시 발광 다이오드에서 전류의 흐름이 나타나 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 수직형 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드는 수직형 발광 다이오드의 p-형 금속 전극층 및 반사층(113)을 포함한다. 수직형 발광 다이오드에서는 2차 투명 전극층(111)으로부터 투명 저항층(109)에 의해 구분된 1차 투명 전극층(108)을 통해 흐르고, p-형 금속 전극층 및 반사층(113)을 통한 발광 다이오드의 전류 흐름이 나타나 있다.
도 12 은 본 발명에 따른 수직형 마이크로 어레이 형태의 발광다이오드의 일실시예 평면도이다.
도 12에는 수직형 마이크로 어레이 형태의 발광 다이오드의 평면구조가 나타나 있다. 수직형 발광소자 제조 방법은 n-형 전극층 또는 u-GaN층 상에 마이크로 발광 영역을 형성한다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.
본 발명은 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는다. 이러한 점에서 기존 기술의 한계를 뛰어 넘음에 따라 관련 기술에 대한 이용만이 아닌 적용되는 장치의 시판 또는 영업의 가능성이 충분할 뿐만 아니라 현실적으로 명백하게 실시할 수 있는 정도이므로 산업상 이용 가능성이 있는 발명이다.
101: 사파이어 기판 102: 저온 완충층
103: 질화갈륨계 지지층 104: n+-형 전극층
105: 활성층 106: p-형 클래딩층
107: p-형 전극층 108: 1차 투명 전극층
109: 투명 저항층(109), 110: 패턴 형성층
111: 2차 투명 전극층 112: n-/p-형 금속 전극층
113: p-형 금속 전극층 및 반사층

Claims (17)

  1. 기판 상에 완충층, n-형 질화물 전극층, 활성층 및 p-형 질화물 전극층이 순차적으로 적층된 발광 반도체층; 및
    상기 발광 반도체층의 평면을 마이크로 어레이 형태의 발광 영역으로 분리하고 상기 분리된 발광 영역을 연결시키는 다층의 투명 전극층
    을 포함하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층의 투명 전극층은,
    상기 발광 반도체층의 평면을 마이크로 어레이 형태의 발광 영역으로 분리하는 1차 투명 전극층; 및
    상기 1차 투명 전극층에 의해 분리된 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 연결하는 2차 투명 전극층
    을 포함하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 1차 투명 전극층은,
    열처리에 의해 저항값이 변화되는 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 계열의 투명 산화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 1차 투명 전극층의 두께는,
    10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 1차 투명 전극층은,
    마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 구분하기 위해 전류가 흐르지 않는 투명 저항층을 더 포함하고,
    상기 투명 저항층의 저항은 103Ω/square 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 투명 저항층의 크기는,
    1 내지 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 2차 투명 전극층은,
    ITO(Indium Tin Oxide), IZO 및 ZnO 중 어느 하나의 계열의 투명 산화막인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역의 크기는,
    1 내지 100 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역은,
    수평형 발광 소자인 경우, 상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역이 p-형 전극층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역은,
    수직형 발광 소자인 경우, n-형 전극층 또는 u-GaN층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자.
  11. 기판 상에 완충층, n-형 질화물 전극층, 활성층 및 p-형 질화물 전극층을 순차적으로 적층하여 발광 반도체층을 형성하는 발광 반도체층 형성 단계;
    상기 형성된 발광 반도체층 상에 1차 투명 전극층을 형성하는 1차 전극층 형성 단계;
    패턴 형성을 통한 상기 1차 투명 전극층의 열처리를 통해 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 분리하는 발광 영역 분리 단계; 및
    상기 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층으로 연결시키는 2차 전극층 형성 단계
    를 포함하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 발광 영역 분리 단계는,
    상기 형성된 1차 투명 전극층 상에 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 구분하는 패턴 형성층을 형성시키는 패턴 형성 단계;
    상기 패턴 형성층이 형성된 1차 투명 전극층을 열처리하는 열처리 단계; 및
    상기 형성된 패턴 형성층을 식각하는 패턴 형성층 식각 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 열처리 단계는,
    상기 1차 투명 전극층을 산소(O2) 분위기에서 300 내지 600℃의 열처리 온도 및 1분 내지 60분 사이의 열처리 시간 범위에서 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 1차 전극층 형성 단계는,
    열처리에 의해 저항값이 변화되는 IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 계열의 투명 산화막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 2차 전극층 형성 단계는,
    ITO(Indium Tin Oxide), IZO 및 ZnO 중 어느 하나의 계열의 투명 산화막을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 발광 영역 분리 단계는,
    수평형 발광 소자인 경우, 상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 p-형 전극층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 발광 영역 분리 단계는,
    수직형 발광 소자인 경우, 상기 마이크로 어레이 형태의 발광 영역을 n-형 전극층 또는 u-GaN층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 제조 방법.
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