JP6750342B2 - 発光素子の製造方法及び発光素子 - Google Patents
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前記発光層を、CdS結晶またはCdSe結晶上にエピタキシャル成長させることを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
前記発光層がウルツ鉱構造であることを特徴とする発光素子を提供する。
上記したような従来の発光素子において、橙色より短波長になると急速に発光効率が低下し、黄緑色付近では暗い発光素子しか実現していないという問題があった。
図2に示すように、本発明の発光素子100は、(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1.0,0.4≦y≦0.6)からなるn型クラッド層4、活性層5、p型クラッド層6が順次積層された発光層7を有する発光素子であって、発光層7がウルツ鉱構造である。
次に、本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態について、図1、2を参照して説明する。
次に、本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態について、図1、3を参照して説明する。
次に、本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態について、図4、5を参照して説明する。
次に、本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態について、図4、6を参照して説明する。
図1、2に示すような本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態に基づいて、発光素子100を製造した。
図1、3に示すような本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態に基づいて、発光素子200を製造した。
図4、5に示すような本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態に基づいて、発光素子300を製造した。
図4、6に示すような本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態に基づいて、発光素子400を製造した。
図7、8に示すような従来の発光素子の製造方法に基づいて、発光素子500を製造した。
図7、9に示すような従来の発光素子の製造方法に基づいて、発光素子600を製造した。
4、24…n型クラッド層、 5、25…活性層、 6、26…p型クラッド層、
7、27…発光層、 8、28…緩衝層、 9、29…GaP層、
10、30…第一電極、 11、31…第二電極、
12、32…発光素子基板、 22…CdSe結晶、
100、200、300、400…発光素子。
Claims (2)
- (AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1.0,0.4≦y≦0.6)からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された発光層を有し、前記活性層は前記活性層よりバンドギャップの大きい多重障壁層で前記活性層を挟んだ多重活性層構造を有する発光素子の製造方法であって、
結晶方位が(11X)のGaAs基板上(X=1〜7)に、200℃以下のMBE法又はCBE法によりCdS結晶又はCdSe結晶を0.01〜1μmの厚さで成長させ、前記成長したCdS結晶又はCdSe結晶上に前記発光層をエピタキシャル成長させることを特徴とする発光素子の製造方法。 - (AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1.0,0.4≦y≦0.6)からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された発光層を有する発光素子であって、
前記活性層は前記活性層よりバンドギャップの大きい多重障壁層で前記活性層を挟んだ多重活性層構造を有し、前記発光層がウルツ鉱構造であることを特徴とする発光素子。
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