KR20120122572A - 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법 - Google Patents

매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼에 부착된 이물질을 낱장의 웨이퍼 단위로 세정 및 건조할 수 있도록 구성된 매엽식 세정 및 건조 장치 및 매엽식 세정 및 건조 방법에 관한 것이다. 상기 매엽식 세정 및 건조 장치는, 기판을 지지하여 회전시키는 지지대; 상기 기판 위로 린스액을 분사하는 린스액 노즐; 상기 기판 위로 불활성가스를 분사하는 가스 노즐; 를 포함하고, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐은 서로 인접하도록 나란하게 배치되어, 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동 가능한 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 따르면, 웨이퍼 세정 및 건조 효율을 향상시키고, 장치 및 운전방법을 간단하게 할 수 있는 매엽식 세정 및 건조 장치 및 매엽식 세정 및 건조 방법을 제공할 수 있다.

Description

매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법 {Apparatus and method for cleaning and drying single wafer}
본 발명은 웨이퍼에 부착된 이물질을 낱장의 웨이퍼 단위로 세정 및 건조할 수 있도록 구성된 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 단결정 실리콘 박판을 지칭한다. 이러한 웨이퍼(wafer)는, 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정, 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼 내부의 손상층 제거를 위한 식각 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 폴리싱 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 웨이퍼로 생산된다.
이러한 공정들을 거치는 동안 웨이퍼 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 웨이퍼 상에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정공정이 수행된다.
상기 세정공정을 위한 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식(Wet) 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 오염물들을 제거하기 위해서 일반적으로 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(Deionized water)를 이용하게 된다. 웨이퍼의 습식 세정 방법은, 대표적으로 배치식 웨이퍼 세정 방법과 매엽식 웨이퍼 세정 방법으로 구분된다.
배치식 웨이퍼 세정 방법은 한번에 여러 장의 웨이퍼를 세정하기 때문에 세정시간이 짧고 높은 처리율을 갖고 있어 생산 효율이 크다. 그러나, 웨이퍼 간의 크로스(cross) 오염으로 인해 세정 효율이 떨어지며, 다량의 세정액을 사용함으로써 비용이 많이 들고 환경 오염을 유발한다는 문제점이 있다.
이에 반해, 매엽식 웨이퍼 세정 방법은 단일 웨이퍼에 대해 소량의 세정액을 사용하여 세정하는 방법으로써, 세정 효율이 낮은 대신 웨이퍼 간의 크로스 오염이 없고, 고청정도 분위기에서 세정이 진행되므로 세정 효율이 높다는 장점을 갖는다. 특히, 웨이퍼의 대구경화로 인해 배치식 세정 방법에는 한계가 있고, 고집적화되어 가는 반도체 소자에 있어서는 세정 효율이 더욱 중요하므로 매엽식 세정 방법의 이용이 점차 증가하고 있다.
일반적으로, 매엽식 세정장치는 고속으로 회전시킨 웨이퍼 표면에 세정액을 분사함으로써, 웨이퍼의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.
도 1은 종래의 매엽식 세정 및 건조 장치에서 웨이퍼를 건조하는 방법을 나타내는 도면이다.
먼저, 웨이퍼(W)를 챔버(1) 내에 설치된 스핀척(10)의 척핀(11) 위에 안착시킨다. 다음에, 스핀척(10)에 의해 웨이퍼(W)를 회전시키면서 세정액을 분사하면, 세정액에 의해 웨이퍼(W)의 세정이 이루어진다. 이때, 웨이퍼(W)의 표면 등에 충돌되어 발생되는 세정액 미스트(mist)는 배기커버(20)를 지나서 배기부(21, 22,23)를 통해 배기될 수 있다.
다음으로, 린스노즐(30)로부터 약 10초 동안 웨이퍼(W) 위로 순수가 분사된다. 분사된 순수는 웨이퍼(W)의 표면을 세정한다(린스공정).
다음에, 스캔아암(40)의 분사구(41)를 웨이퍼(W)의 중심부 위쪽에 위치시킨다. 스핀척(10)을 저속(예를 들어, 400 rpm)으로 회전시키면서 스캔아암(40)의 분사구를 통해 질소가스를 분사한다.
스캔아암(40)의 질소가스의 분사점을 웨이퍼(W)의 중심부에서 외주 쪽으로 이동시키면서 약 60초 동안 스캔한다. 질소가스의 분사점이 웨이퍼(W)의 외주를 벗어나는 순간, 질소가스의 분사를 정지한다. 다음으로, 스핀척(10)을 약 5초 동안 고속(예를 들어, 2000rpm)으로 회전시킨 후 종료한다(건조과정).
이러한 종래의 매엽식 세정 및 건조 방법은, 린스를 위한 순수의 공급과 건조를 위한 질소가스의 공급이 별개의 공정으로 이루어져 장치 및 운전 방법이 복잡해지는 문제점이 있다.
또한, 순수를 공급한 후 질소가스를 공급하여 건조하는 과정에서 웨이퍼의 회전속도가 저속으로 인가되어 순수 내에 부유한 파티클 및 웨이퍼(W) 표면에 약하게 흡착되어 있는 파티클을 제거하기는 어렵다. 웨이퍼(W)를 고속으로 일정 시간 이상 회전시킬 경우, 정전기가 발생하여 파티클의 원인이 되고, 웨이퍼(W)의 직경이 커짐으로써 고속회전이 어려운 점도 있다.
또한, 린스 및 건조 과정에서 구간에 따라 스핀척(10)의 회전 속도를 조절하는 번거로움이 있다.
따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 웨이퍼 세정 및 건조 효율을 향상시키고, 장치 및 운전방법을 간단하게 할 수 있는 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법에 관한 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 매엽식 세정 및 건조 장치는, 기판을 지지하여 회전시키는 지지대; 상기 기판 위로 린스액을 분사하는 린스액 노즐; 상기 기판 위로 불활성가스를 분사하는 가스 노즐; 를 포함하고, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐은 서로 인접하도록 나란하게 배치되어, 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐과 함께 연결되어, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키는 이동 장치; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 이동 장치는 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 동시에 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 이동 방향에서 볼 때, 상기 린스액 노즐이 상기 기판의 외주측에 가깝고, 상기 가스 노즐이 상기 기판의 외주측에서 멀도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 승강시키는 승강 장치; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 승강 장치는 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 동시에 승강시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 분사각도는 상기 기판에 수직인 직선에 대해 0°에서 90°사이에서 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐 사이의 간격은 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판 표면에서 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐까지의 높이는 4 내지 10 mm인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐과 상기 가스 노즐 사이의 간격은 4 내지 10 mm인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 분사각도는 상기 기판 표면에 평행한 면에서 30~50°인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액의 분사량은 1.5 lpm 이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 불활성가스의 분사량은 3 내지 5 lpm인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판의 회전속도는 1400 내지 1600 rpm인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐이 상기 기판 위를 이동하는 속도는 0.7 내지 1.5 mm/sec인 것을 특징으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 매엽식 세정 및 건조 방법은, 지지대 위에 기판을 지지하여 회전시키는 단계; 린스액 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키면서 상기 기판 위로 린스액을 분사하는 단계; 가스 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키면서 상기 기판 위로 불활성가스를 분사하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스 노즐은 상기 린스액 노즐을 뒤따라 가면서 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 세정 및 건조 효율을 향상시키고, 장치 및 운전방법을 간단하게 할 수 있는 매엽식 세정 및 건조 장치, 매엽식 세정 및 건조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 매엽식 세정 및 건조 장치에서 웨이퍼를 건조하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 장치를 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2의 매엽식 세정 및 건조 장치의 린스액 노즐과 가스 노즐의 실시예를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 방법을 나타내는 타임차트이다.
도 6은 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 웨이퍼의 건조공정에서 50nm 파티클 수준을 비교한 결과를 나타내는 도면이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 장치를 도시하는 도면이다. 도 3은 도 2의 매엽식 세정 및 건조 장치의 린스액 노즐과 가스 노즐의 실시예를 도시하는 도면이다.
매엽식 세정 및 건조 장치(100)는 챔버(110), 지지대(120), 린스액 노즐(130), 가스 노즐(140), 이동 장치(150), 승강 장치(160)를 포함한다.
챔버(110)는 웨이퍼(또는 기판)(W)에 대한 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(110)는 지지대(120)를 둘러싸는 형태를 갖고 웨이퍼(W)의 출입이 가능하도록 상부 또는 하부가 개방되게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 웨이퍼(W)는 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 웨이퍼(W)는 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리 따위의 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 웨이퍼(W)는 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 웨이퍼(W)의 형상 및 크기에 따라 챔버(110) 및 지지대(120)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.
지지대(120)는 웨이퍼(W)를 고정시킨 상태에서 회전 가능하도록 챔버(110) 내에 구비된다. 지지대(120)는 웨이퍼(W)에 대응되는 원형 플레이트 형태를 갖고, 지지대(120) 상에는 웨이퍼(W)가 안착된다. 지지대(120)는 웨이퍼(W)를 고정시킨 상태에서 회전 가능하도록 웨이퍼(W)를 선택적으로 고정시키는 척핀(121)과, 회전축(124)을 포함하는 스핀척으로 이루어질 수 있다.
척핀(121)은 웨이퍼(W)를 지지대(120) 표면으로부터 소정 간격 이격되게 지지할 수 있도록 지지대(120) 상면에서 소정 높이로 돌출된다. 또한, 지지대(120) 상면에는 웨이퍼(W)를 안정적으로 지지할 수 있도록 복수의, 예를 들어 3개의 척핀(121)이 이격되어 배치된다. 예를 들어, 척핀(121)은 지지대(120)에서 웨이퍼(W)의 에지(edge)부에 대응되는 원주 상에 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
웨이퍼 세정 공정에서는, 웨이퍼(W)를 지지대(120) 위에 지지하여 회전시키면서 웨이퍼(W) 위로 세정액을 공급한다. 웨이퍼(W)의 세정이 어느 정도 진행되면, 웨이퍼(W) 위로 린스액을 공급하여 웨이퍼(W) 표면을 린스하는 과정을 거치게 된다. 다음에는 웨이퍼(W) 위로 불활성가스를 분사하여 웨이퍼(W) 표면의 린스액 제거 및 건조 과정을 거치게 된다.
린스액 노즐(130)은 웨이퍼(W) 위로 린스액을 분사한다. 린스액은 예를 들어, 초순수(DI water)일 수 있다. 린스액 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동하면서 웨이퍼(W) 위로 린스액을 분사할 수 있다. 린스액 노즐(130)은 린스액 공급배관(135)과 연결된다.
가스 노즐(140)은 웨이퍼(W) 위로 불활성가스를 분사한다. 이러한 불활성가스는 예를 들어, 질소가스일 수 있다. 가스 노즐(140)은 린스액 노즐(130)에 인접하여 나란하게 배치될 수 있다. 가스 노즐(140)은 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동하면서 웨이퍼(W) 위로 불활성가스를 분사할 수 있다. 가스 노즐(140)은 가스 공급배관(145)과 연결된다.
이동 장치(150)는 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)과 함께 연결되어, 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)을 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동시킬 수 있다. 이동 장치(150)는 이동 아암(151)에 의해 린스액 노즐(130)과 가스 노즐(140)을 동시에 횡방향으로 이동시킬 수 있다.
웨이퍼(W)의 이동방향에서 볼 때, 가스 노즐(140)이 린스액 노즐(130)을 뒤따라 진행할 수 있도록, 린스액 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 외주 쪽에 가깝게 배치되고, 가스 노즐(140)은 린스액 노즐(130)과 나란하게 웨이퍼(W)의 외주 쪽에서 멀도록 배치된다.
승강 장치(160)는 린스액 노즐(130)과 가스 노즐(140)을 승강시켜 웨이퍼(W)로부터의 이격거리를 조절한다. 승강 장치(160)는 승강축(161)에 의해 이동 장치(150)와 연결될 수 있다.
한편, 세정액 또는 린스액 등은 챔버(110) 하단의 배출부(115)를 통해 배출될 수 있다.
본 실시예에서는, 린스액 노즐(130)과 가스 노즐(140)이 나란하게 인접하게 배치된다. 린스액 노즐(130)에서 초순수를 웨이퍼(W) 위로 분사하면서 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동하면, 가스 노즐(140)이 린스액 노즐(130)을 뒤따라 가면서 질소가스를 웨이퍼(W) 위로 분사하면서 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동할 수 있다. 따라서,린스액 중에 포함된 파티클들은 웨이퍼(W) 표면에 흡착되기 전에 질소가스에 의해 제거되면서 동시에 웨이퍼(W)의 건조가 이루어질 수 있어, 웨이퍼(W)의 세정 및 건조 효율이 향상된다. 또한, 린스액 노즐(130)과 가스 노즐(140)을 이동 장치(150)에 의해 동시에 이동시키므로, 장치 및 운전 방법이 간단해진다.
도 3을 참조하면, 린스액 노즐(130)은 다수의 관절을 갖도록 구성되어, 단부가 자유롭게 굴곡될 수 있도록 할 수 있다. 예를 들어, 린스액 노즐(130)은 다수의 볼조인트(130a)로 연결되어 린스액이 분사되는 분사구(130b)의 각도 및 방향을 조절할 수 있다.
가스 노즐(140)도 다수의 관절을 갖도록 구성되어, 단부가 자유롭게 굴곡되도록 할 수 있다. 예를 들어, 가스 노즐(140)도 다수의 볼조인트(140a)로 연결되어 질소가스가 분사되는 분사구(140b)의 각도 및 방향을 조절할 수 있다.
린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)의 분사각도는 웨이퍼(W)에 수직인 직선에 대해 0°에서 90°사이에서 조절될 수 있다. 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)의 분사각도는 사람이 수동으로 조작하여 조절할 수도 있지만, 제어부와 기계적인 장치에 의해 자동으로 조절하는 것도 가능하다. 또한, 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140) 사이의 간격도 수동 또는 자동으로 조절할 수 있다. 이러한 자동 제어는 기술분야에 잘 알려져 있으므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 매엽식 세정 및 건조 방법을 나타내는 타임차트이다.
도 2, 도 4 및 도 5를 참조하면, 먼저 지지대(120) 위에 웨이퍼(W)를 지지하여 회전시킨다(S10). 지지대(120)는 웨이퍼(W)를 1000~2000 rpm, 예를 들어 1500 rpm으로 회전시킬 수 있다.
다음으로, 웨이퍼(W)의 회전과 동시에 이동 장치(150)에 의해 린스액 노즐(130)을 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동시키면서 웨이퍼(W) 위로 린스액(예를 들어, 초순수)을 분사한다(S20).
다음으로, 이동 장치(150)에 의해 가스 노즐(140)을 웨이퍼(W)의 중앙에서 외주로 이동시키면서 웨이퍼(W) 위로 불활성가스(예를 들어, 질소가스)를 분사한다(S30). 이때, 가스 노즐(140)은 린스액 노즐(130)에 인접하여 나란하게 배치되어, 린스액 노즐(130)을 뒤따라 가면서 불활성가스를 분사한다. 도 5를 참조하면, 불활성가스는 린스액보다 약간의 시간차를 두고 공급되는 것을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 웨이퍼의 건조공정에서 50nm 파티클 수준을 비교한 결과를 나타내는 도면이다.
실험은 초기 파티클 오염 수준이 50nm, 500ea 수준의 웨이퍼를 이용하여 동일한 조건으로 약액 세정 과정을 진행하였으며, 이후 표 1에 명시된 건조 조건으로 최종 파티클 수준을 평가하였다.
비교예와 실시예의 실험조건
조건 비교예 실시예
노즐 높이 30 mm 5 mm
노즐 간격 40 mm 5 mm
분사 각도 90° 30~40°
질소가스 분사량 9 lpm 3.5 lpm
초순수 분사량 1 lpm 1 lpm 이하
웨이퍼 회전속도 2000 rpm 1500 rpm
스캔 속도 1 mm/sec 1 mm/sec
건조 시간 90초 90초
표 1에서, 노즐 높이는 웨이퍼(W) 표면으로부터 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)까지의 높이를 말한다. 실시예에서, 노즐 높이는 4 내지 10 mm, 바람직하게는 5 mm가 된다.
노즐 간격은 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140) 사이의 간격을 말한다. 실시예에서, 노즐 간격은 4 내지 10 mm, 바람직하게는 5 mm가 된다.
초순수 및 질소가스의 분사각도는 비교예의 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 평행한 면에서 90°이었고, 실시예에서는 30~50°, 바람직하게는 30~40°를 유지하였다.
질소가스의 분사량은 실시예에서 더 적은 양을 분사하였다. 실시예에서, 질소가스의 분사량은 3 내지 5 lpm, 바람직하게는 3.5 lpm이 된다.
초순수 분사량은 실시예에서, 1.5 lpm 이하, 바람직하게는 1 lpm 이하가 된다.
웨이퍼의 회전속도도 실시예에서 더 낮은 속도로 회전시켰다. 실시예에서, 웨이퍼의 회전속도는 1400 내지 1600 rpm, 바람직하게는 1500 rpm이 된다.
스캔 속도는 린스액 노즐(130) 및 가스 노즐(140)이 웨이퍼(W) 위를 이동하는 속도로서, 실시예에서 0.7 내지 1.5 mm/sec, 바람직하게는 1 mm/sec가 된다.
건조 시간은 실시예에서 90초가 되었다.
실험 결과를 보면, 비교예에서는 130ea의 파티클이 발견되었고, 실시예에서는 50ea의 파티클이 발견됨으로써, 실시예의 건조조건을 적용한 샘플이 비교예의 파티클 수준과 비교하여 우수한 수준을 나타냄을 확인할 수 있었다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
100 : 웨이퍼 세정 장치
110 : 챔버
115 : 배출부
120 : 지지대
121 : 척핀
124 : 회전축
130 : 린스액 노즐
135 : 린스액 배관
140 : 가스 노즐
145 : 가스 배관
150 : 이동 장치
151 : 이동 아암
160 : 승강 장치
161 : 승강축
W : 웨이퍼

Claims (19)

  1. 매엽식 세정 및 건조 장치에 있어서,
    기판을 지지하여 회전시키는 지지대;
    상기 기판 위로 린스액을 분사하는 린스액 노즐;
    상기 기판 위로 불활성가스를 분사하는 가스 노즐;
    를 포함하고,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐은 서로 인접하도록 나란하게 배치되어, 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐과 함께 연결되어, 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키는 이동 장치;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이동 장치는 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 동시에 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 이동 방향에서 볼 때, 상기 린스액 노즐이 상기 기판의 외주측에 가깝고, 상기 가스 노즐이 상기 기판의 외주측에서 멀도록 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 승강시키는 승강 장치;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 승강 장치는 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐을 동시에 승강시키는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 분사각도는 상기 기판에 수직인 직선에 대해 0°에서 90°사이에서 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐 사이의 간격은 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판 표면에서 상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐까지의 높이는 4 내지 10 mm인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐과 상기 가스 노즐 사이의 간격은 4 내지 10 mm인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 분사각도는 상기 기판 표면에 평행한 면에서 30~50°인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 린스액의 분사량은 1.5 lpm 이하인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 불활성가스의 분사량은 3 내지 5 lpm인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 회전속도는 1400 내지 1600 rpm인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐이 상기 기판 위를 이동하는 속도는 0.7 내지 1.5 mm/sec인 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 장치.
  16. 매엽식 세정 및 건조 방법에 있어서,
    지지대 위에 기판을 지지하여 회전시키는 단계;
    린스액 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키면서 상기 기판 위로 린스액을 분사하는 단계;
    가스 노즐을 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동시키면서 상기 기판 위로 불활성가스를 분사하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 가스 노즐은 상기 린스액 노즐을 뒤따라 가면서 상기 기판의 중앙에서 외주로 이동되는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐 사이의 간격은 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 린스액 노즐 및 상기 가스 노즐의 분사각도는 상기 기판에 수직인 직선에 대해 0°에서 90°사이에서 자동 또는 수동으로 조절 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 세정 및 건조 방법.
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