KR20120121972A - 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법 - Google Patents

플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마가 생성되는 공간을 구비한 공정챔버; 상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원; 을 포함하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 개시된다. 상기 구성 및 방법에 의하여 기판에 형성된 회로 중 미세 개방된 회로를 검출할 수 있기 대문에 미세 개방된 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방이 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.

Description

플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING SUBSTRATE USING PLASMA}
본 발명은 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 플라즈마와 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화에 따라 기판에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검사할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법에 관한 것이다.
인쇄회로기판(PCB : Printed Circuit Board)은 페이퍼-페놀(Paper Phenol) 수지 또는 글래스-에폭시(Glass Epoxy) 수지 등과 같은 재질의 기판 상에 동박을 입힌 다음 필요한 회로를 인쇄한 다음 그 외의 부분을 식각(Etching) 등의 기술에 의해 제거하여 만든 회로기판으로서 그 회로 상에는 IC 등과 같은 부품이 납땜으로 부착된다.
인쇄회로기판은 전자기술의 발달로 고집적도 부품을 실장시키기 위하여 경박단소화되고 있는 바, 전자제품의 집적도를 높이는 기본 요소가 되어 그 중요성이 높아지고 있다. 이에, 최근에 제작되는 인쇄회로기판들은 집적도가 높아짐에 따라 그 패턴이 미세화되어 정교한 패턴 인쇄 공정이 요구되고 있으며, 그에 따라 불량의 발생가능성이 높아져 인쇄회로기판에 대한 검사의 중요성도 높아지고 있다.
통상 인쇄회로기판의 이상유무에 대한 검사는 이송 가능한 검사유닛의 검사핀으로 인쇄회로기판의 임의의 접점에 전기신호를 보내 통전 여부를 확인하는 방식으로 이루어지고 있다. 즉, 인쇄회로기판에 대한 검사는 인쇄회로기판 검사장치로써 행하게 되는데, 인쇄회로기판 검사장치는 인쇄회로기판 상의 패턴단자에 전기신호를 흘려보낼 수 있는 검사핀을 가진 검사핀 유닛과, 상기 검사핀 유닛을 인쇄회로기판 측으로 이송할 수 있는 이송장치를 포함하도록 구성된다. 검사자는 상기 이송장치로써 검사핀 유닛을 인쇄회로기판의 검사가 필요한 패턴단자 측으로 이송한 후 상기 패턴단자에 검사핀을 접촉하여 전기신호를 보냄으로써 통전 여부를 가려 인쇄회로기판의 불량 유무를 검사할 수 있다.
그러나, 검사핀을 이용한 종래의 기판검사는 검사핀이 회로기판의 패턴에 정확하게 접촉되지 않으면 정확한 검사를 할 수 없다는 문제가 있다.
이러한 검사핀을 이용한 기판 검사의 단점을 극복하기 위해서 플라즈마를 이용하여 기판의 불량 유무를 검사하는 방법이 제안된 바 있다.
플라즈마(plasma)란 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF electromagnetic fields)에 의해 생성된다.
특히, 글로우 방전(glow discharge)에 의한 플라즈마 생성은 직류(DC)나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 이루어지는데, 여기된 자유전자는 가스분자와 충돌하여 이온, 라디칼, 전자 등과 같은 활성족(active species)을 생성한다. 그리고 이와 같은 활성족은 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다.
이러한 플라즈마를 이용하여 기판의 불량 여부를 검사하는 경우, 상기 회로의 결함 유무에 따라 생성되는 플라즈마가 변하게 된다. 이와 같이 플라즈마의 상태 변화를 외부에서 광학적으로 측정하고 회로에 흐르는 전류의 변화를 측정하여 회로의 불량유무를 검사할 수 있다.
그러나, 종래의 플라즈마를 이용한 기판 검사는 플라즈마 생성을 위한 기체 방전에 기판 극판이 사용되는데, 플라즈마 발생을 위해서는 기판에 고전압을 인가하게 되므로 기판에 인가되는 고전압에 의해 기판 손상이 발생할 수 있다. 특히 근래에 들어서 기판에 형성되는 회로 패턴의 고집적화에 따른 미세한 패턴으로 형성되기 때문에 기판에 고전압이 인가되면 기판에 형성되는 고집적화되고 미세한 회로 패턴에 손상이 발생할 가능성이 높아질 수 있다.
또한 고집적화된 회로의 경우, 회로의 신호선(pattern)이나 연결통로(via)에서 미세하게 연결된 미세 개방 불량(latent open defect)이 발생한 확률이 높다. 이러한 미세 개방 불량이 잠재적으로 제품의 불량을 초래할 수 있는 것으로, 완성된 제품에 미세 개방 불량 회로가 내장될 경우 제품이 구비된 주변 환경에 따라 회로가 파손되어 제품 불량으로 진행하여 최종적으로 제품의 신뢰성이 저하될 수 있다. 이러한 미세 개방 회로를 검출해야 하는데 종래의 플라즈마를 이용한 기판 검사는 검사의 대상이 되는 기판이 플라즈마 생성에 사용되기 때문에 미세하게 연결된 개방 불량의 검출에 어려움이 따른다.
더불어, 기판에 구성된 회로의 불량 유무에 따라 발생하는 플라즈마의 상태가 변하기 때문에 일정한 플라즈마 공정 처리 조건을 확립하기 어렵다. 즉, 일정한 조건을 가진 고밀도 플라즈마 생성이 어렵기 때문에 공정 능력 향상을 위하여 플라즈마 발생 조건을 조절하는데 불편함이 따른다.
본 발명은 기판의 손상을 최소화하며 기판에 형성된 회로의 불량 유무를 검사할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다.
본 발명은 기판에 형성된 미세 개방 불량 회로를 용이하게 검출함으로써 완성된 제품의 불량률을 줄일 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다.
본 발명은 일정하게 플라즈마가 발생할 수 있는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법이 제공된다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치에 따르면, 상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비한 공정챔버; 상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;을 포함할 수 있다.
상기 기판의 상부는 공정챔버 내에 제공되어 플라즈마 및 쉬스에 노출되고, 기판의 하부는 기판에 형성된 회로의 전기 검사를 위한 치공구에 고정되되, 치공구의 검사핀이 연결되며, 전기검사유닛은 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 기판 위에 형성된 쉬스를 통해 기판의 상부로 입사하여 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정할 수 있다.
이때, 전기검사유닛은, 기판의 하부를 고정하는 치공구; 치공구에 형성되어 기판의 하부와 접촉하여 회로의 전기 검사를 하는 검사핀; 및 회로와 전기적으로 연결되어 회로의 전기적 불량을 연속적으로 측정하는 멀티플렉서;를 포함할 수 있다. 상기의 구성을 통해 기판에 형성된 회로를 통해 흐르는 전류나 전압을 측정할 수 있다.
한편, 가변 직류 전압원은 기판에 인가되는 전압이 플라즈마의 전위에 근접하도록 기판에 인가되는 전압을 바이어스(bias) 할 수 있다. 이때, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 클수록 플라즈마의 전자는 기판의 상부로 입사되기 어렵다. 따라서, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차에 따라 쉬스의 저항 및 전류가 변화될 수 있다.
여기서 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 쉬스의 저항이 작아질 수 있다. 이때, 전기검사유닛은, 기판의 회로에 미세 개방이 있는 경우에 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 쉬스의 저항이 작아지고, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 미세 개방의 전류가 작아지는 것을 이용하여 기판에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검출할 수 있다.
기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 미세 개방의 전류 변화량은 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커질 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용하여 기판의 회로를 검사하는 방법에 있어서, (a) 공정챔버 내에 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 공정챔버 내부에 반응가스를 공급하는 단계; (c) 상기 공정챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계; (d) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하는 단계; 및 (e) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따른 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 통해 상기 기판에 형성된 회로를 전기적으로 검사하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 (d) 단계는, 플라즈마의 전위에 근접하도록 기판에 인가되는 전압을 조절할 수 있다.
상기 (e) 단계는, 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스의 저항 또는 전류의 변화에 따라 기판의 상부로 입사하여 회로를 통과하는 정도를 측정할 수 있다. 즉, 상기 기판에 형성된 회로의 개방, 단락 또는 미세 개방 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도를 이용하여 상기 기판을 검사하고, 기판에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도는 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지게 된다.
또한, (e) 단계에서, 플라즈마의 전위와 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지며, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류가 감소하는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검출할 수 있다.
다시 말해, 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지게 되기 때문에, 보다 용이하게 미세 개방 회로를 검출할 수 있게 된다.
한편, 상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 표면을 세정하는 단계를 더 포함하여 기판 표면의 접착력이 향상될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판에 인가하는 전압값을 저 전압으로 인가하여 낮은 전압으로도 기판에 형성된 회로의 특성을 측정할 수 있고 기판의 손상을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 독립적으로 원거리 타입의 플라즈마를 발생시키기 때문에 기판의 전기검사 유무에 상관없이 기판 표면에 동일한 플라즈마 처리가 가능해진다.
또한, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판에 형성된 회로 중 미세 개방된 회로를 검출할 수 있기 대문에 미세 개방된 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방이 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.
더불어, 본 발명의 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 방법은 기판 표면 접착력을 강화시키기 위한 플라즈마 세척 공정과 기판에 형성된 회로의 전기적 불량 유무를 검사하는 전기 검사 공정이 동시에 진행되기 때문에 기판 제작 공정 단계를 감소시켜 공정 단가를 개선하고 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 이용한 기판에 인가한 전압에 따라 쉬스의 저항값 변화 및 정상 회로에 대한 미세 개방 회로의 전류값 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3은 도 1의 기판 검사 장치를 이용하여, 기판에 인가하는 전압에 따라 기판에 형성된 회로의 불량 종류에 따른 전류의 변화를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법을 도시한 순서도이다.
이하에서, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 이용한 기판에 인가한 전압에 따라 쉬스의 저항값 변화 및 정상 회로에 대한 미세 개방 회로의 전류값 변화를 나타낸 그래프이며, 도 3은 도 1의 기판 검사 장치를 이용하여, 기판에 인가하는 전압에 따라 기판에 형성된 회로의 불량 종류에 따른 전류의 변화를 도시한 그래프이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법을 도시한 순서도이다.
도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치(100)는 공정챔버(110), 가스공급유닛(120), 전기검사유닛(150) 및 가변 직류 전압원(140)을 포함할 수 있다.
상기 공정챔버(110)는 플라즈마(P)가 생성되는 공간을 구비할 수 있으며, 공정챔버(110)의 상부에는 플라즈마(P) 생성을 위한 절연체(180, dielectric)가 형성될 수 있다. 절연체(180)는 공정챔버(110)의 상부에 구비될 수 있으며, 절연체(180)는 예를 들어 석영, 세라믹 물질 등으로 구성될 수 있으며, 절연체의 종류는 발명에서 요구하는 조건에 따라 변경될 수 있다.
또한, 공정챔버(110)에 발생하는 플라즈마(P)는 원거리 타입으로 유도결합 플라즈마(inductively coupled plasma)가 발생할 수 있다. 이와 같이 원거리 타입으로 플라즈마를 생성하기 위하여 공정 챔버(110)의 외부에는 플라즈마 발생부(170)가 형성될 수 있다. 여기서, 플라즈마 발생부(170)는 플라즈마를 발생시키기 위한 코일 안테나 형태를 가지며 공정챔버(110)의 천정부 외측에 설치될 수 있다. 플라즈마 발생부(170)는 RF 전원을 인가하고 임피던스 매칭을 위해 매칭네트워크(160)에 연결될 수 있다.
한편, 가스공급유닛(120)은 공정챔버(110)와 연결되며, 플라즈마(P) 생성을 위해 공정챔버(110) 내부에 반응가스를 공급할 수 있다. 가스공급유닛(120)에 의해 공급되는 가스는 기판(50)과 반응할 수 있는 반응성 가스로 구성될 수 있으며, 예시적으로, 산소 함유 가스, 플루오르 함유 가스 등으로 구성될 수 있다.
여기서, 공정챔버(110)에는 펌핑시스템(130)이 구비될 수 있다. 상기 펌핑시스템(130)은 플라즈마 이외의 기타 잔여 가스를 공정챔버(110)의 외부로 배출할 수 있다.
상기 공정챔버(110) 내에는 기판(50)이 제공될 수 있다. 상기 기판(50)의 상부는 플라즈마(P)에 노출되도록 플라즈마(P)와 대향되도록 구비되고, 기판(50)의 하부는 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 검사하기 위한 전기검사유닛(150)과 연결될 수 있다.
상기 전기검사유닛(150)은 기판(50)에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 연속적으로 측정할 수 있다. 이때, 전기검사유닛(150)은 정상회로의 전압 또는 전류와 대비하여 측정되는 회로의 전압 또는 전류의 값으로부터 기판의 회로에 존재하는 불량 종류를 알 수 있다. 예시적으로 끊어진 회로(open)의 경우 전기검사유닛(150)에 의해 측정되는 전류 또는 전압의 값이 0으로 측정되고, 적어도 두 개의 회로가 서로 연결된(short) 경우 측정되는 전류 또는 전압의 값은 정상회로 대비하여 증가된 값으로 측정되기 때문에, 전기검사유닛(150)에 의해 측정되는 전류 또는 전압값 또는 그 변화를 통해 회로의 불량 종류를 판단할 수 있다.
한편, 기판 검사 장치(100)는 전기검사유닛(150)과 연결되며 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절할 수 있도록 기판(50) 하부에 인가되는 전압을 조절하거나 바이어스(bias) 하는 가변 직류 전압원(140)을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마(P)가 발생할 때, 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에는 쉬스(sheath, S)라고 하는 영역이 발생할 수 있다.
상기 쉬스(S)에 대해 자세히 살펴보면, 공정챔버(110)에서 기체 방전에 의해 플라즈마(P)는 발광하게 되지만, 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 발광하지 않는 영역이 존재한다. 상기 영역을 쉬스 영역이라고 하며, 쉬스(S)는 전자가 고갈되어 있어서, 전자에 의한 이온화가 거의 발생하지 않지만, 저항 및 전류를 가지고 있다.
한편, 플라즈마(P)에는 플라즈마 전위라고 불리는 고정 전위가 발생하는데, 기판(50)에 인가되는 전압(VB)에 따라 플라즈마 전위와 기판(50)에 인가되는 전위의 차이에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류가 변하게 된다. 즉, 쉬스(S)의 저항 및 전류는 플라즈마의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차에 의해 종속된다. 이때, 기판(50) 하부에 구비된 가변 직류 전압원(140)을 통해 기판(50)에 인가되는 전압을 가변하거나 바이어스 함으로써, 쉬스(S)의 저항 및 전류값을 변화시킬 수 있으며, 이를 통해 다양한 조건에서 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 측정할 수 있게 된다.
상기 구성을 통해 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부 측정에 대해 보다 자세하게 살펴보면, 기판(50)의 상부는 쉬스(S)에 노출되고, 기판(50)의 하부는 기판(50)에 형성된 회로의 전기 검사를 위해 구비되는 치공구(153)에 고정되되 치공구(153)의 검사핀(155)이 기판(50)의 하부에 연결될 수 있다. 즉, 전기검사유닛(150)은 기판(50)의 하부를 고정하는 치공구(153), 기판(50)의 하부와 접촉하여 회로의 전기 검사를 하는 검사핀(155) 및 회로와 전기적으로 연결되어 회로의 전기적 불량 여부를 연속적으로 측정하는 멀티플렉서(156) 및 회로의 전류값을 측정하는 전류계(157)을 포함할 수 있다.
상기와 같이 구성된 전기검사유닛(150)을 통해 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스(S)를 통해 기판(50) 상부로 입사하여 기판(50)에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하여 회로의 정상 및 불량을 검출하고 불량의 종류 또한 검출할 수 있다.
여기서, 기판(50)에 형성된 회로는 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 쉬스를 통해 기판(50) 상부로 입사할 수 있도록 상부연결패드(152)가 형성될 수 있으며, 기판(50) 하부에는 검사핀(155)과 접촉될 수 있는 하부연결패드(154)가 형성될 수 있다. 즉, 상기 상부연결패드(152)에 플라즈마(P) 내 전자나 이온이 입사되면 하부연결패드(154)로 통과될 수 있다. 이때, 상부연결패드(152)와 하부연결패드(154)가 연결되어 있지 않은 회로(open)라면 개방된 회로를 통해 흐르는 전류가 없으므로 검사핀(155)은 회로의 전류나 전압값을 측정할 수 없다(도 1의 e 참조). 이와 다르게 두 개 이상의 회로가 서로 연결된 회로(short)라면 검사핀(155)에서는 상부연결패드(152)에 입사된 이온이나 전자의 전류 또는 전압값을 정상회로 대비 2배 이상 측정할 수 있다(도 1의 a 및 b 참조). 이와 같이, 전류가 전혀 흐르지 않으면 그 회로는 개방된 것으로 판단하고, 전류가 정상치 보다 많이 흐르는 경우에는 그 회로가 단락된 것으로 판단할 수 있다.
이때, 상기 가변 직류 전압원(140)에 의해 기판(50)에 인가되는 전압이 플라즈마(P)의 전위에 근접하도록 기판(50)에 인가되는 전압을 바이어스할 수 있다. 즉, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압(VB) 사이의 전위차가 클수록 플라즈마(P)의 전자 또는 이온은 기판(50) 상부로 입사되기 어렵고, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이 전위차에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류가 변한다는 것을 이용하여 기판(50)에 인가되는 전압을 바이어스할 수 있다.
상기 장치를 이용하여 기판(50)의 회로를 전기적으로 측정하는 방법 및 측정 결과를 보다 자세히 설명하기 위하여 도 2 내지 도 4를 참고하기로 한다.
상기 기판(50)의 회로를 전기적으로 측정하기 위하여 공정챔버(110) 내에 기판(50)을 제공하게 된다(S410). 공정챔버(110) 내에 기판(50)이 제공되면, 공정챔버(110) 내부에 반응가스를 공급하여(S420) 플라즈마(P)를 발생시키게 된다(S430).
이때, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하게 되는데(S440), 기판(50)에 인가되는 전압은 최대 플라즈마(P)의 전위에 근접하도록 조절될 수 있다(S450).
상기 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따라 플라즈마(P)와 기판(50) 사이에 형성되는 쉬스(S)의 저항 및 전류가 종속적으로 변하는 것을 통해 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부를 전기적으로 검사하게 된다.
즉, 앞서 설명한 바와 같이 기판(50)에 인가하는 전압을 변화시키면 쉬스(S)의 저항 또는 전류값이 변화하게 된다. 이와 같이 저항 또는 전류값이 변화된 쉬스(S)를 통해 플라즈마(P) 내에 형성된 전자 또는 이온이 기판(50) 상부로 입사하면 입사된 플라즈마(P)의 전자 또는 이온이 기판(50) 회로를 통과하는 정도를 측정하게 된다.
이때, 기판(50)에 형성된 회로에는 정상, 개방(open_ 회로가 떨어진 상태), 단락(short_ 두 개 이상의 회로가 연결된 상태) 및 미세 개방(latent open_ 두 개 이상의 회로가 미세하게 연결된 상태)이 존재할 수 있으며, 각각의 경우에 대해서 회로를 통과하는 전류값을 측정하고(S460), 측정된 전류값을 통해 회로의 불량의 종류 및 불량의 정도를 검사할 수 있다(S470).
여기서, 기판(50)에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 회로를 통과하는 전류가 변화는 정도는 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지게 된다.
도 3을 참고하면, 기판(50)에 인가되는 전압(VB)이 플라즈마(P) 전위인 15V와 근접하게 증가함에 따라, 회로의 불량 여부 또는 불량 종류에 따른 회로의 전류변화가 나타남을 알 수 있다.
또한, 도 2를 참고하면, 플라즈마(P)의 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 쉬스(S)의 저항(도 2의 검은색 그래프 참조)이 작아지고 정상 회로 대비 미세 개방(latent)의 전류 변화가 증가(도 2의 파란색 그래프 참조)하는 것을 알 수 있는데, 쉬스(S) 저항이 작아짐에 따라 정상 회로 대비 미세 개방의 전류 변화가 커지는 것을 이용하여 기판(50)에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검출할 수 있다.
보다 자세하게, 동일한 플라즈마 조건에서 기판(50)에 인가하는 전압에 따라 플라즈마(P) 전위와 기판(50)에 인가되는 전압 사이의 전위차가 변하게 되고, 이에 따라 쉬스(S)의 저항 및 전류값이 변할 수 있다. 즉, 가변 직류 전압원(140)의 전압을 변화시켜 기판(50)에 인가하는 전압을 조절하면 쉬스(S)가 발생하는 조건이 변화하기 때문에 쉬스(S)의 저항 및 전류값이 변화하게 된다.
상기 쉬스(S)의 저항 및 전류값에 의해 기판(50)에 형성된 회로의 전류 및 전압값이 변화될 수 있다. 이때, 설명의 편의상 전기검사유닛(150)에서 측정하는 회로의 전류 또는 전압값 중 전류값을 측정하는 예를 들기로 한다.
다시 도면을 참고하면, 도 1의 회로(c)를 정상 회로라고 하고, 플라즈마(P)의 전위가 약 15V일 때, 회로(c)에서 측정되는 전류의 값을 0.35A라고 가정한다.
상기 회로(c)를 기준으로 회로(a)와 회로(b)는 서로 연결된 상태(short)이며, 상기 회로(a)와 회로(b)는 서로 연결되어 있기 때문에 회로(a)나 회로(b)에서 측정되는 전류값은 회로(c)에 비하여 크게 증가될 것이다.
또한, 회로(e)는 개방된 상태(open)이라고 하며, 회로(e)는 끊어져 있는 회로이기 때문에 측정되는 전류값은 0이 될 것이다.
이와 다르게 회로(d) 는 미세하게 연결된 상태 즉, 미세 개방(latent open)이라고 하며, 실질적으로 회로(d) 는 끊어진 상태가 아니기 때문에 각 회로의 전류값을 측정할 경우 0.35A에 유사한 전류값으로 측정되어, 마치 불량이 아닌 것으로 검사될 수 있다. 하지만, 기판(50)의 전압을 플라즈마(P) 전위에 근접하도록 바이어스함에 따라, 미세 개방된 회로(d) 의 전류값은 정상 회로의 전류값에 대해 변화가 큰 것을 알 수 있다(도 2 참조).
예시적으로 미세 개방 회로의 저항이 0.1옴인 경우 정상회로의 전류값과 거의 유사하게 측정되다가 기판(50)에 인가되는 전압값이 플라즈마 전위인 15V에 근접할수록 정상 회로에서 측정되는 전류값보다 작은 값으로 측정됨을 알 수 있다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(50)에 인가되는 전압값이 플라즈마 전위에 근접할수록 정상 회로 전류 대비 미세 개방 회로의 전류 변화가 커짐을 알 수 있다.
또한, 미세 개방 회로의 저항이 0.3옴인 경우 상기 0.1옴인 경우보다 전류값이 작게 측정되는데, 마찬가지로 기판(50)에 인가하는 전압을 플라즈마(P) 전위 근처로 바이어스하면 기판(50)에 형성된 회로 저항 대비 쉬스(S) 저항이 작아지므로 기판 전압이 증가함에 따란 정상 회로 대리 미세 개방 회로의 전류 변화가 증가함을 알 수 있다. 미세 개방 회로의 저항이 0.5옴인 경우도 마찬가지의 결과를 보임을 알 수 있다.
여기서, 도 3의 결과를 참조하면, 회로가 완전히 끊어진 개방(open) 상태의 경우에는 흐르는 전류가 없으므로 기판에 인가되는 전압이 증가하더라도 전류의 변화가 없게 된다. 반면, 회로가 단락(short)된 경우에는 가장 큰 전류 변화를 보임을 알 수 있다. 회로가 미세 개방(latent open)된 경우에는 기판(50)에 인가되는 전압의 증가에 따른 전류의 변화가 완전 개방(open)과 단락(short) 사이에 있음을 알 수 있다. 즉, 도 3을 참조하면, 회로의 불량 종류에 따라서, 정상 회로 대비 불량 회로의 전류 변화 정도가 다름을 알 수 있고, 이러한 전류 변화의 상이함으로부터 불량의 종류를 판별해 낼 수 있다.
또한, 미세 개방의 경우에는 미세한 회로 저항 변화에서도 전류의 차이가 나타나기 때문에 미세 개방된 회로를 용이하게 검출할 수 있게 된다.
한편, 회로의 불량 종류 또는 불량 여부를 보다 정확하게 판별하기 위해서는 기판(50)에 인가되는 전압을 플라즈마 전위에 최대한 근접시킨 상태에서 전류의 변화를 측정하는 것이 바람직하다. 기판(50)에 인가되는 전압이 플라즈마 전위에 최대한 근접할수록 전류의 변화가 크고 보다 분명하게 나타나기 때문이다.
상기 구성으로 기판(50)에 형성된 회로 중 미세 개방된 회로를 검출할 수 있기 때문에 미세 개방된 회로가 구비된 제품이 완성되어 추후 제품의 주변 환경에 따라 미세 개방이 개방(open)되어 회로 불량을 초래할 수 있는 잠재적 불량을 미연에 방지함으로써 제품의 신뢰성이 향상될 수 있다.
또한, 기판(50)에 인가하는 전압값을 플라즈마 전위인 약 15V와 근접하도록 바이어스함으로써, 낮은 전압으로도 기판(50)의 회로를 측정할 수 있기 때문에 기판 손상을 방지할 수 있다.
더불어, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마는 원거리 타입으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 기판의 전기검사 유무에 상관없이 기판(50) 표면에 플라즈마 처리가 가능하고 발생한 플라즈마(P)에 의하여 기판(50) 표면의 세정작업이 이루어질 수 있다.
상기에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치 및 검사 방법이 인쇄회로기판에 적용되는 경우에 대해서 설명하였으나 반드시 이에 국한되는 것은 아니며, 플렉서블 기판(flexible substrate), HDI(High Density Interconnection) PCB, FCB(Flip chip BGA), BGA(Ball grid Array), CSP(Chip scaled package) 또는 차세대 임베디드 기판(embedded substrate) 등에도 적용될 수 있으며, 반도체 후공정 전기검사 또는 플라즈마 설비 처리 등에서 적용될 수 있을 것이다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 기판 검사 장치 110: 공정챔버
120: 가스공급유닛 130: 펌핑시스템
140: 가변 직류 전압원 150: 전기검사유닛
160: 매칭네트워크 170: 플라즈마 발생부

Claims (16)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판을 검사하는 장치에 있어서,
    상기 플라즈마가 생성되는 공간을 구비한 공정챔버;
    상기 플라즈마 생성을 위해 상기 공정챔버의 내부에 반응가스를 공급하는 가스공급유닛;
    상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 기판에 형성된 회로의 전류 또는 전압을 측정하는 전기검사유닛; 및
    상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 조절하기 위해 상기 기판의 하부에 바이어스를 인가하는 가변 직류 전압원;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 상부는 상기 공정챔버 내에 제공되어 상기 플라즈마 및 상기 쉬스에 노출되고,
    상기 기판의 하부는 상기 기판에 형성된 회로의 전기 검사를 위한 치공구에 고정되되 상기 치공구의 검사핀이 연결되며,
    상기 전기검사유닛은 상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 기판 위에 형성된 상기 쉬스를 통해 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 기판에 형성된 회로를 통과할 때의 전류 또는 전압을 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전기검사유닛은,
    상기 기판의 하부를 고정하는 상기 치공구;
    상기 기판의 하부와 접촉하여 상기 회로의 전기 검사를 하는 상기 검사핀; 및
    상기 회로와 전기적으로 연결되어 상기 회로의 전기적 불량을 연속적으로 측정하는 멀티플렉서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 가변 직류 전압원은 상기 기판에 인가되는 전압이 상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 클수록 상기 플라즈마의 전자는 상기 기판의 상부로 입사되기 어려운 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차에 따라 상기 쉬스의 저항 및 전류가 변하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 상기 쉬스의 저항이 작아지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전기검사유닛은,
    상기 기판의 회로에 미세 개방이 있는 경우에 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고, 상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류가 작아지는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 장치.
  10. 플라즈마를 이용하여 기판의 회로를 검사하는 방법에 있어서,
    (a) 공정챔버 내에 기판을 제공하는 단계;
    (b) 상기 공정챔버 내부에 반응가스를 공급하는 단계;
    (c) 상기 공정챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계;
    (d) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차를 조절하는 단계; 및
    (e) 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차의 변화에 따른 상기 플라즈마와 상기 기판 사이에 형성되는 쉬스의 저항 및 전류의 변화를 통해 상기 기판에 형성된 회로를 전기적으로 검사하는 단계;
    를 포함하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 (d) 단계는,
    상기 플라즈마의 전위에 근접하도록 상기 기판에 인가되는 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 (e) 단계는,
    상기 플라즈마 내에 형성된 전자 또는 이온이 상기 쉬스의 저항 또는 전류의 변화에 따라 상기 기판의 상부로 입사하여 상기 회로를 통과하는 정도를 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서,
    상기 기판에 형성된 회로의 개방, 단락 또는 미세 개방 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도를 이용하여 상기 기판을 검사하며,
    상기 기판에 형성된 회로의 불량 여부에 따라 상기 회로를 통과하는 전류가 변하는 정도는 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아질수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서,
    상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작아짐에 따라 상기 쉬스의 저항이 작아지고,
    상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류가 감소하는 것을 이용하여 상기 기판에 형성된 회로의 미세 개방 여부를 검출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 (e) 단계에서,
    상기 기판에 형성된 회로가 정상인 경우의 전류 대비 상기 미세 개방의 전류 변화량은 상기 플라즈마의 전위와 상기 기판에 인가되는 전압 사이의 전위차가 작을수록 커지는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
  16. 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판 검사 방법.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102067513B1 (ko) * 2018-05-03 2020-01-17 한양대학교 산학협력단 스퍼터링 방법으로 제조되는 저항변화층을 구비하는 저항변화 메모리 및 그의 제조 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104091554A (zh) * 2014-05-22 2014-10-08 四川长虹电器股份有限公司 列驱动芯片的测试方法及系统
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