KR100874893B1 - 기판 손상 검출 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 손상 검출 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치는 RF 전원 공급부가 공급하는 RF 전압을 인가 받아 플라즈마를 생성하여 전극 상부에 놓여진 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 연결된다. 또한, 기판 손상 검출 장치는 플라즈마 공정 시 입력되는 입력 전압 신호에 포함된 기판 DC 전압을 연산하여 출력하는 기판 DC 전압 연산부를 포함하고, 상기 기판 DC 전압을 이용하여 기판의 손상 여부를 판단하는 기판 손상 판단부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 플라즈마 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출할 수 있는 장점이 있다.
기판, 손상, DC 전압, 쉬스, RF, 필터링, 기준 DC 전압

Description

기판 손상 검출 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING SUBSTRATE DEMAGE}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 연결된 기판 손상 검출 장치를 도시한 도면.
도 2는 기판 손상 전 플라즈마 전위와 기판 DC 전압을 도시한 도면.
도 3은 기판 손상 시 플라즈마 전위와 기판 DC 전압을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 손상 검출 장치의 블록도.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 DC 전압 연산부의 회로도.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 손상 판단부의 상세 구성을 도시한 블록도.
도 7은 본 발명에 따른 기판 손상 검출 과정을 도시한 흐름도.
본 발명은 기판 손상 검출 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 공정에서 사용되는 기판의 손상 여부를 용이하게 검출할 수 있도록 하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자, LCD, 유기 EL, PDP(Plasma Display Panel) 등과 같은 구성부품들은 구조 또는 구성이 보다 정밀해지므로, 이러한 구성부품들의 제조 공정에서는 고정밀 처리 제어가 필요한데, 이러한 고정밀 처리 제어가 가능한 장치 중에 일반적으로 플라즈마 처리 장치가 각광받고 있다.
플라즈마 처리 장치로는 전압 인가 방식에 따라 직류 전류(direct current, 이하 'DC'라 함) 플라즈마 처리 장치, RF(Radio Frequency) 플라즈마 처리 장치, 마이크로파(microwave) 플라즈마 처리 장치, 전자 사이클로트론 공진(electron cyclontron resonance) 플라즈마 처리 장치 등이 있다.
이중 RF 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 챔버 내의 상부 및 하부에 평행 평판 전극을 제공하며, 양 전극에 고주파(예를 들어 13.6MHz)의 교류 전압을 인가함으로써 플라즈마를 생성한다.
RF 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 생성과 유지를 위한 전극을 전도성, 비전도성으로 모두 사용가능하며, 이온화율이 높고 제어가 용이하다는 점에서 화학 증착, 에칭(etching), 애싱(ashing) 및 세정과 같은 플라즈마 공정에 주로 사용되고 있다.
특히 플라즈마 에칭 공정은 전자 소자 제조 시 포토리소그라피로 만들어진 패턴을 기판 위로 옮기는 과정이다. 플라즈마 에칭 시 플라즈마 안의 반응 가스에서 생성된 라디컬 등이 대상 표면과 반응하여 휘발성 화합물을 만드는 방법으로 표면이 에칭된다.
그러나 이와 같은 플라즈마 에칭 과정에서 기판 손상 없이 에칭이 이루어지는 것이 바람직하나 공정 제어가 제대로 이루어지지 못하는 경우 또는 다른 변수들에 의해 기판이 손상될 수 있다.
기판의 손상은 전자 소자의 특성에 영향을 미치기 때문에 기판의 손상 여부의 확인은 필수적이다.
종래기술에 따르면 기판의 손상 여부를 검출을 플라즈마 공정 후에 레이저 센서 등을 이용하여 수행하였다.
즉 종래에는 플라즈마 공정 중에 기판의 손상 여부를 알지 못하는 문제점이 있었다.
일반적으로 플라즈마 공정 중에 기판이 손상되는 경우 기판에 인가되는 전압 변화에 의해 전극에 아크가 발생하거나 손상을 입을 수 있는데, 종래에는 플라즈마 공정 후에만 기판의 손상 여부를 알 수 있었으므로 플라즈마 공정 중에 발생하는 플라즈마 처리 장치의 손상을 방지할 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명에서는 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 플라즈마 공정 중에 기판의 손상 여부를 알 수 있는 기판 손상 검출 장치 및 방법을 제 안하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출함으로써 플라즈마 처리 장치를 안정적으로 유지할 수 있는 기판 손상 검출 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 레이저 센서와 같은 고가의 장비 없이도 기판의 손상 여부를 검출할 수 있는 기판 손상 검출 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, RF 전원 공급부가 공급하는 RF 전압을 인가 받아 플라즈마를 생성하여 전극 상부에 놓여진 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 연결되는 기판 손상 검출 장치로서, 플라즈마 공정 시 입력되는 입력 전압 신호에 포함된 기판 DC 전압을 연산하여 출력하는 기판 DC 전압 연산부; 및 상기 기판 DC 전압을 이용하여 기판의 손상 여부를 판단하는 기판 손상 판단부를 포함하는 기판 손상 검출 장치가 제공된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, RF 전원 공급부가 공급하는 RF 전압을 인가 받아 플라즈마를 생성하여 전극 상부에 놓여진 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 공정에서 기판의 손상 여부를 검출하는 방법으로서, 플라즈마 공정 시 입력되는 입력 전압 신호를 수신하는 단계; 상기 입력 전압 신호에 포함된 기판 DC 전압을 연산하는 단계; 및 상기 기판 DC 전압을 미리 설정된 기준 DC 전압과 비교하여 상기 기판의 손상 여부를 판단하는 단계를 포함하는 기판 손상 검출 방법이 제공된다.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조 번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치 하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치 및 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 결합된 기판 손상 검출 장치를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치는 플라즈마 처리 장치에 연결되어 플라즈마 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출한다.
본 발명의 이해를 위해 플라즈마 처리 장치를 간략하게 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이 플라즈마 처리 장치는 하부 전극(102), 상부 전극(104)을 포함하는 플라즈마 챔버(100) 및 플라즈마 챔버 내에 전기장을 발생시키는 RF 전원 공급부(108) 및 임피던스 매칭부(110)를 포함한다.
플라즈마 챔버는 외부로부터 격리되며, 바람직하게 플라즈마 공정 시 진공 상태로 유지된다. 도면에는 도시하지 않았으나 플라즈마 챔버의 일 측면에는 기판을 탑재하기 위한 구조가 형성될 수 있으며, 그밖에 플라즈마 형성을 위한 반응 가스가 유입되는 구조가 형성된다.
플라즈마 챔버 내부 공간은 외부에서 격리된 후에 대략 10-1 내지 10-3 Torr 정도로 유지된다.
하부 전극(102) 및 상부 전극(104)은 RF 방전을 일으켜 플라즈마 챔버 내에 존재하는 비활성 기체에서 플라즈마를 생성하며, 플라즈마 공정 중 에칭에 필요한 플라즈마 전위가 유지되도록 한다.
하기에서는 본 발명이 플라즈마 에칭 공정 중에 적용되는 것을 중심으로 설명할 것이나 기판의 손상을 야기할 수 있는 모든 플라즈마 처리 공정에 본 발명에 따른 기판 손상 검출 방법이 적용될 수 있다는 점을 당업자는 이해하여야 할 것이다.
도 1에서 하부 전극(102) 및 상부 전극(104) 사이에 형성된 고주파 전계에 의해 플라즈마는 소정의 전하 분포를 가진다.
RF 전원 공급부(108)는 플라즈마 챔버 내에 소정 주파수의 교류 전압을 인가하여 플라즈마 챔버 내에서 RF 방전에 의해 플라즈마가 생성되도록 한다.
여기서 RF의 주파수는 13.56MHz가 일반적으로 사용되나, 이의 정수배인 27.12MHz, 40.68MHz도 사용될 수 있으며 그밖에 다양한 주파수가 사용될 수 있다.
도 1에서는 RF 전원 공급부(108)가 하부 전극(102)에 전압을 인가하는 것으로 도시하였으나 이에 한정됨이 없이 상부 전극(104) 또는 전극과의 직접 연결 없이 RF 방전이 가능하도록 하는 모든 플라즈마 처리 장치가 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치와 연결될 수 있을 것이다.
임피던스 매칭부(110)는 플라즈마 챔버의 임피던스와 RF 전원 공급부(108)의 출력 저항(일반적으로 50Ω)을 일치시켜 RF 전원 공급부(108)를 통해 공급되는 전력의 반사 손실을 최소화한다.
상기한 고주파 전압 인가를 통해 하부 전극(102)에 위치한 기판(106) 위에 증착된 막이 에칭될 수 있다.
에칭 과정은 반응 가스(예를 들어, CF 반응가스인 CF4, SF6)가 플라즈마 챔버(100) 내에 유입되어 활성 종(라디칼)을 생성하고, 이러한 활성 종이 기판(106) 표면에 증착된 막과 화학 반응을 하여 휘발성 화합물을 만드는 과정이다.
본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치에 연결된 플라즈마 처리 장치는 도 1에 도시된 것 외에 다양한 요소를 포함하고 있으나 이는 본 발명의 요지에서 벗어나며 당업자에게 공지된 사실이므로 이에 대한 상세한 설명을 생략한다.
한편, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기한 플라즈마 처리 장치에는 기판 손상 검출 장치(112)가 연결된다.
본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치(112)는 플라즈마 에칭 공정 중 기판 전압을 실시간으로 모니터링하여 기판의 손상이 있는지 여부를 검출한다.
일반적으로 활성 종이 기판(106)의 표면을 에칭하는 경우에 플라즈마 공정의 제어가 제대로 이루어지지 못해 기판(106)이 손상되는 일이 발생한다.
이처럼 기판이 손상되는 경우에 쉬스 영역에 걸리는 전압에 의해 기판 DC 전압의 크기가 상승하게 되는데 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치(112)는 이와 같 은 기판 DC 전압의 변화를 모니터링하여 기판의 손상을 검출한다.
도 2는 기판 손상 전 플라즈마 전위와 기판 DC 전압을 도시한 도면이고, 도 3은 기판 손상 시 플라즈마 전위와 기판 DC 전압을 도시한 도면이다.
도 2 내지 도 3은 기판(106)과 플라즈마와의 거리와 전위차(전압)의 관계를 도시한 도면이다.
기판(106) 표면에 도달한 이온과 전자는 재결합하여 중성 종으로 변하고 이온보다 열속도(thermal velocity)가 매우 큰 전자들은 기판 표면에 먼저 도달하여 기판 표면의 플라즈마는 양전하를 띠게 된다.
이와 같이 플라즈마와 접촉하는 기판 표면에 생기는 양전하 공간을 플라즈마 쉬스(sheath, 200) 영역이라 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판이 손상되지 않은 경우, 특히 기판이 부도체에 해당하는 글래스인 경우 기판의 DC 전압은 0V(또는 소정의 음전위)를 가지게 된다. 그러나 기판이 손상되는 경우에는 기판(106) 내에 전자가 방출되면서 음전위쪽으로 기판 DC 전압의 크기가 상승하게 된다.
전술한 바와 같이, 종래에는 플라즈마 에칭 공정이 완료된 후에 레이저 센서 등을 이용하여 기판 손상을 검출하였으나, 본 발명은 기판 손상 검출 장치(112)를 이용하여 기판 DC 전압을 실시간으로 모니터링함으로써 플라즈마 에칭 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치(112)를 보다 상세하게 살펴본다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 손상 검출 장치의 블록도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치(112)는 저항(400), RF 필터부(402), 기판 DC 전압 연산부(404) 및 기판 손상 판단부(406)를 포함할 수 있다.
저항(400)은 인덕턱스가 없는 무유도 저항으로서 탄소 피막 저항기나 솔리드 저항기를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면 1.5mΩ이 사용되나 반드시 이에 한정되는 것이 아니다.
저항(400)으로 전압 신호가 입력되며, 여기서 입력 전압 신호는 RF 전원 공급부(108)에 의한 RF 전압 신호와 기판 DC 전압 신호를 포함한다.
저항(400)을 통과한 입력 전압 신호는 RF 필터부(402)를 거쳐 기판 DC 전압 연산부(404)로 입력된다.
본 발명에 따른 RF 필터부(402)는 인덕터와 커패시터의 조합으로 이루어지는 구조를 가지며, 도 1에 도시된 RF 전원 공급부(108)에 의한 RF 성분을 필터링하는 기능을 수행한다. 이에 따라 기판 손상 검출 장치(112)가 RF 성분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기한 기판 DC 전압은 RF 성분에 의해 교류 성분을 포함하고 있다.
기판 DC 전압 연산부(404)는 입력된 기판 DC 전압 신호에서 교류 성분을 제거하고 기판 손상 판단부(406)가 기판 손상 여부를 판단할 수 있는 크기로 변환하여 출력한다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 DC 전압 연산부의 회로도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판 DC 전압 연산부(404)는 교류 성분 제거부(500) 및 전압 강하부(502)를 포함할 수 있다.
교류 성분 제거부(500)는 인턱터(L1)과 커패시터(C1)을 통해 입력된 기판 DC 전압 신호의 교류 성분을 제거한다.
교류 성분이 제거된 후에 기판 DC 전압 연산부(404)의 전압 강하부(502)는 두 개의 저항(R1, R2)의 비를 통해 교류 성분이 제거된 기판 DC 전압을 0 내지 10V 범위 내로 전압 강하한다. 전압 강하된 기판 DC 전압(Vdcout)은 기판 손상 판단부(406)로 출력된다.
기판 손상 판단부(406)는 기판 DC 전압을 수신하고 이를 미리 설정된 기준 DC 전압과 비교하여 기판의 손상 여부를 판단한다.
여기서 기준 DC 전압을 기판이 손상되지 않은 경우에 대해 설정된 전압으로서, 0 내지 -5V 범위 내일 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기판의 재질 등에 따라 다양하게 결정될 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판 손상 판단부(406)에 대해 상세하게 살펴본다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 손상 판단부의 상세 구성을 도시한 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판 손상 판단부(406)는 기판 DC 전압 수신부(600), 아날로그-디지털 변환부(602, Analog-Digital Converter 이하 ADC), 기판 전압 비교부(604), 디스플레이부(606), 사용자 인터페이스부(608) 및 제어부(610)를 포함할 수 있다.
기판 DC 전압 수신부(600)는 기판 DC 전압 연산부(404)가 전압 강하하여 출력한 기판 DC 전압 신호를 수신한다. 수신된 기판 DC 전압 신호는 아날로그 신호이므로 ADC(602)를 거쳐 디지털 신호로 변환된다.
기판 전압 비교부(604)는 디지털 신호로 변환된 기판 DC 전압과 기준 DC 전압을 비교하는 과정을 수행한다.
전술한 바와 같이, 기판이 손상되는 경우 기판 DC 전압은 음전위를 가지므로 기판 전압 비교부(604)는 기판 DC 전압의 절대값을 기준 DC 전압과 비교하는 과정을 수행한다.
기판 DC 전압이 기준 DC 전압보다 큰 경우 기판이 손상된 것이므로 제어부(610)는 소정 제어 신호를 출력하여 경보음을 출력하거나 또는 디스플레이부(606)가 기판 손상을 인식할 수 있는 정보를 출력하도록 한다.
한편, 사용자 인터페이스부(608)는 사용자가 플라즈마 공정 제어를 위한 수치 등을 입력할 수 있도록 하며, 특히 기판에 따른 기준 DC 전압값을 입력할 수 있도록 한다.
제어부(610)는 기판 DC 전압의 수신, 디지털 신호로의 변환, 기판 전압 비교 과정 및 기판 손상 시 경고를 위한 신호의 출력 과정을 전반적으로 제어하는 과정 을 수행한다.
이와 같이, 본 발명에 따른 기판 손상 검출 장치(112)는 기판 전압을 통해 기판의 손상 여부를 검출하기 때문에 플라즈마 에칭 공정 중에서 기판의 손상 여부를 검출할 수 있게 된다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판 손상 검출 과정을 전체적으로 살펴본다.
도 7은 본 발명에 따른 기판 손상 검출 과정을 도시한 흐름도이다.
도 7을 참조하면, 플라즈마 에칭 공정을 위해 플라즈마 처리 장치에는 RF 전압이 공급되며(단계 700), RF 전압은 임피던스 매칭(단계 702) 후에 플라즈마 처리 장치에 인가된다. 이에 따라 플라즈마 처리 장치에 플라즈마가 생성되고 플라즈마 에칭 과정을 수행된다(단계 704).
플라즈마 에칭 공정 중에 기판 DC 전압 연산부(404)는 RF 성분 및 기판 DC 전압 신호를 포함하는 입력 전압 신호를 수신한다(단계 706).
기판 DC 전압 연산부(404)는 RF 전원 공급부(108)에 의한 RF 신호를 필터링하며(단계 708), 상기한 기판 DC 전압 신호에서 교류 성분을 제거한다(단계 710).
기판 DC 전압 신호는 두 개의 저항비를 통해 전압 강하되어(단계 712), 기판 손상 판단부(406)로 출력된다.
기판 손상 판단부(406)는 미리 기판의 손상 여부 판단을 위한 기준 DC 전압을 설정하며(단계 714), 전압 강하된 기판 DC 전압이 수신되는 경우(단계 716), 이를 디지털 신호로 변환한다(단계 718).
기판 손상 판단부(406)는 디지털 신호로 변환된 기판 DC 전압과 상기한 기준 DC 전압을 비교한다(단계 720). 이때 전압의 크기 비교는 기판 DC 전압의 절대값과 기준 DC 전압을 비교하는 과정일 수 있다.
전술한 바와 같이, 기판이 손상된 경우 기판 DC 전압이 상승하므로 기판 DC 전압이 기준 DC 전압보다 큰 경우 기판 손상 판단부(406)는 기판 손상 정보를 출력하게 된다(단계 722).
플라즈마 에칭 공정 중에 기판 손상 정보가 출력되는 경우 작업자는 플라즈마 에칭 공정을 중단하게 되며, 이를 통해 다른 기판까지 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 플라즈마 에칭 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출하기 때문에 기판의 연속적인 손상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따르면 플라즈마 에칭 공정 중에 기판의 손상 여부를 검출하기 때문에 기판 손상에 의한 전극의 손상(Arching 및 Damage)을 최소화할 수 있는 장점이 있다.
또한 본 발명에 따르면 기판의 손상 여부를 간편하게 검출할 수 있기 때문에 종래에 레이저 센서 등을 이용하는 것에 비해 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. RF 전원 공급부가 공급하는 RF 전압을 인가 받아 플라즈마를 생성하여 전극 상부에 놓여진 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 연결되는 기판 손상 검출 장치로서,
    플라즈마 공정 시 입력되는 입력 전압 신호에 포함된 기판 DC 전압을 연산하여 출력하는 기판 DC 전압 연산부; 및
    상기 기판 DC 전압을 이용하여 기판의 손상 여부를 판단하는 기판 손상 판단부를 포함하고,
    상기 기판 DC 전압 연산부는,
    상기 입력 전압 신호에 포함된 기판 DC 전압의 교류 성분을 제거하는 교류 성분 제거부; 및
    상기 교류 성분이 제거된 기판 DC 전압을 강하하는 전압 강하부를 포함하며,
    상기 기판 손상 판단부는 상기 기판 DC 전압을 미리 설정된 기준 DC 전압과 비교하는 기판 전압 비교부를 포함하되,
    상기 기준 DC 전압은 기판의 재질에 따라 기판이 손상이 없는 경우에 대해 설정되는 기판 손상 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 RF 전원 공급부에 의한 RF 전압 신호를 필터링하는 RF 필터부를 더 포함하는 기판 손상 검출 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전압 강하부는 적어도 두 개 저항의 저항비를 이용하여 소정 전압 범위 내의 기판 DC 전압을 출력하는 기판 손상 검출 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판 전압 비교부는 상기 기판 DC 전압이 상기 미리 설정된 기준 전압보다 큰 경우에 기판이 손상된 것으로 판단하는 기판 손상 검출 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 손상 판단부는,
    상기 기판 DC 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부;
    상기 기판 전압 비교부의 비교 결과에 따라 경보 신호 출력을 제어하는 제어부; 및
    기판 손상 시 기판 손상 정보를 출력하는 디스플레이부를 더 포함하는 기판 손상 검출 장치.
  8. 삭제
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