KR20120121793A - 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어 - Google Patents

마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어 Download PDF

Info

Publication number
KR20120121793A
KR20120121793A KR1020110039816A KR20110039816A KR20120121793A KR 20120121793 A KR20120121793 A KR 20120121793A KR 1020110039816 A KR1020110039816 A KR 1020110039816A KR 20110039816 A KR20110039816 A KR 20110039816A KR 20120121793 A KR20120121793 A KR 20120121793A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vernier
mask
pattern
overlay
composite
Prior art date
Application number
KR1020110039816A
Other languages
English (en)
Inventor
방창진
Original Assignee
에스케이하이닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이하이닉스 주식회사 filed Critical 에스케이하이닉스 주식회사
Priority to KR1020110039816A priority Critical patent/KR20120121793A/ko
Publication of KR20120121793A publication Critical patent/KR20120121793A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어는, 셀(cell) 영역 및 스크라이브 레인(scribe lane) 영역을 포함하는 마스크 기판; 스크라이브 레인 영역 상에 형성된 모 버니어 및 자 버니어를 포함하는 오버레이 버니어 패턴 및 오버레이 버니어 패턴이 형성된 마스크 기판의 중심부에 형성된 마스크 레지스트레이션용 마크로 이루어진다.

Description

마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어{Combine vernier for measurement of mask error}
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정 가운에 사진식각(photolithography)공정에서 노광 공정과 같이 중요한 공정 가운데 하나로 계측 공정을 들 수 있다. 계측 공정은 두 가지로 나눌 수 있는데, 하나는 원하는 크기로 패턴이 형성되었는지 확인하는 임계치수(CD; Critical dimension)를 확인하는 공정이다. 그리고 다른 하나는 적층(stack) 구조로 이루어진 반도체 칩에서 이전 공정에서 형성시킨 레이어(layer)와 현 공정에서 형성한 레이어와의 정렬(alignment) 정도를 검사하는 정렬 계측 공정이다. 반도체 소자가 고집적화함에 따라 반도체 소자 상에 증착되는 전후 레이어 간의 정렬은 피치(pitch)가 작아지면서 더욱 세밀해지고 오버레이 마진(overlay margin) 또한 감소하고 있다. 이와 같이 반도체 소자의 집적도가 높아지면서 레이어들을 정확하게 정렬시키는 것이 더욱 중요해지면서 레이어들 사이의 정렬 정확도를 측정하기 위해 오버레이 버니어(overlay vernier)를 도입하고 있다.
이러한 오버레이 마진과 함께 마스크(또는 레티클) 제작시 마스크상에 형성되는 패턴의 위치 정확도 또한 중요한 변수로 작용하고 있다. 마스크에서 패턴의 위치 정확도는 레지스트레이션(registration)으로 표현된다. 여기서 레지스트레이션은 마스크에서 패턴이 실제로 형성된 위치가 패턴이 형성될 위치로부터 벗어나는 정도를 측정한 값으로 이해될 수 있으며, 레지스트레이션 값을 측정하기 위해 마스크 상에 레지스트레이션용 버니어를 도입하고 있다.
도 1 및 도 2는 일반적인 레지스트레이션 버니어 및 오버레이 버니어를 간략하게 나타내보인 도면들이다.
도 1을 참조하면, 마스크(100)에는 복수개의 다이(105)들이 배치되며, 다이(105) 주위에는 스크라이브 레인(scribe lane) 영역(110)이 배치되어 있다. 스크라이브 레인 영역(110)에는 마스크 레지스트레이션 측정용 마크(115) 및 도 2의 오버레이 버니어(200)가 배치되어 있다. 여기서 마스크 레지스트레이션 측정용 마크(115)는 노광 이후의 레이어들간의 오버레이는 측정할 수 없는 버니어로써 오버레이의 정렬도를 확인하기 위해서는 도 2의 오버레이 버니어(200)를 별도로 배치하여 측정해야 한다. 이에 따라 마스크 레지스트레이션을 측정하는 마크와 오버레이 정도를 측정하는 버니어가 스크라이브 레인의 각각 다른 단계에서 별도로 측정하게 되므로 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이의 상관관계가 떨어져 실제 마스크 레지스트레이션 에러가 오버레이에 얼마나 영향을 미치는지 정량적으로 표현하기 어려운 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 반도체 소자의 제조 공정 중 마스크의 정렬 정도를 측정하는 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이 정렬 정도를 함께 측정할 수 있는 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어를 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어는, 셀(cell) 영역 및 스크라이브 레인(scribe lane) 영역을 포함하는 마스크 기판; 상기 스크라이브 레인 영역 상에 형성된 모 버니어 및 자 버니어를 포함하는 오버레이 버니어 패턴 및 상기 오버레이 버니어 패턴이 형성된 마스크 기판의 중심부에 형성된 마스크 레지스트레이션용 마크로 이루어진다.
본 발명에 있어서, 상기 자 버니어는 상기 마스크 기판의 제1 방향으로 배열된 제1 패턴 및 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 배열된 제2 패턴으로 이루어지고, 상기 모 버니어는 상기 자 버니어의 제1 패턴과 나란한 제1 방향으로 배열된 제3 패턴 및 상기 제2 패턴과 나란한 제2 방향으로 배열된 제4 패턴으로 형성된다.
상기 자 버니어 및 모 버니어는 라인 앤드 스페이스의 패턴으로 형성된다.
상기 마스크 레지스트레이션용 마크는 정방형 또는 장방형을 포함하는 다각형 형상 또는 십자(cross) 형상을 포함하여 형성된다.
상기 마스크 레지스트레이션용 마크는 상기 모 버니어로부터 5mm의 거리를 벗어나지 않는 위치에 형성된다.
본 발명에 따르면, 복합 버니어를 도입함으로써 동일한 위치에서 동일한 버니어를 이용하여 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이 정도를 동시에 측정할 수 있다. 이에 따라 스크라이브 레인 영역의 공간을 확보할 수 있어 활용성을 증가시킬 수 있다.
또한 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이 정도를 동시에 측정할 수 있는 복합 버니어를 도입함으로써 마스크 레지스트레이션이 오버레이에 미치는 영향을 정량화시킬 수 있다. 아울러 복합 버니어를 이용하여 마스크 제작시 오차를 줄여 오버레이를 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2는 일반적인 레지스트레이션 버니어 및 오버레이 버니어를 간략하게 나타내보인 도면들이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 복합 버니어를 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 5는 복합 버니어를 이용하여 마스크 레지스트레이션 에러와 오버레이의 상관관계를 측정하는 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다.
도 6은 도 5의 방법으로 측정한 마스크 레지스트레이션 에러와 오버레이의 상관관계를 나타내보인 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어를 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 3을 참조하면, 마스크 기판 상에 복합 버니어(300)를 배치한다. 여기서 복합 버니어(300)가 배치되는 마스크 기판은 셀 영역 및 셀 영역을 둘러싸게 배치된 스크라이브 레인 영역을 포함한다. 여기서 셀 영역에는 리세스 게이트와 같은 트랜지스터등을 포함하여 반도체 메모리 소자의 동작에 영향을 미치는 셀 패턴들이 배치되고, 스크라이브 레인 영역에는 소자에 동작에 영향을 미치지 않는 패턴인 소자 특성 측정용 테스트 패턴, 모니터링 박스등이 배치되어 소자의 정렬도 등을 측정할 수 있다. 여기서 본 발명에 따른 복합 버니어(300)는 마스크 기판의 스크라이브 레인 영역에 배치된다.
다시 도 3을 참조하면, 복합 버니어(300)는 자 버니어(315) 및 모 버니어(330)으로 이루어진 오버레이용 버니어 패턴(335) 및 복합 버니어(300)의 중심부에 배치된 마스크 레지스트레이션용 마크(340)를 포함하여 구성된다. 여기서 자 버니어(315)는 마스크 기판(303)의 제1 방향으로 배열된 제1 패턴(305) 및 제1 패턴(305)의 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 배열된 제2 패턴(310)으로 이루어지고, 모 버니어(330)는 자 버니어(315)의 제1 패턴(305)과 동일한 방향으로 배치된 제3 패턴(325) 및 자 버니어(315)의 제2 패턴(310)과 동일한 방향으로 배치된 제4 패턴(320)을 포함하여 이루어진다.
자 버니어(315)의 제1 패턴(305)은 마스크 기판(303)의 제1 방향, 예컨대 X축 방향으로 소정 간격의 스페이스(S1)를 포함하는 라인 앤드 스페이스(line and space) 타입의 복수의 패턴들이 배열되며, 제2 패턴(310)은 반도체 기판(303)의 제2 방향, 예컨대 Y축 방향으로 소정 간격의 스페이스(S2)를 포함하는 라인 앤드 스페이스 타입의 복수의 패턴들이 배열되어 이루어진다. 또한 모 버니어(330)는 자 버니어(315)의 제1 패턴(305)과 나란한 제1 방향으로 배열되면서 스페이스(S1)를 포함하는 라인 앤드 스페이스 타입의 복수의 패턴들로 이루어진 제3 패턴(325) 및 제2 패턴(310)과 나란한 제2 방향으로 배열되면서 스페이스(S2)를 포함하는 라인 앤드 스페이스 타입의 복수의 패턴들로 이루어진 제4 패턴(320)으로 이루어진다.
그리고 마스크 레지스트레이션용 마크(340)는 마스크 기판(303)의 중앙부에 배치되면서 모 버니어(330)의 제3 패턴(325) 및 제4 패턴(320) 사이의 공간에 배치된다. 여기서 마스크 레지스트레이션용 마크(340)는 도 3에 도시한 바와 같이, 정방형 또는 장방형을 포함하는 다각형 형상으로 형성하거나 도 4에 도시한 바와 같이, 십자(cross) 형상(345)으로 구현할 수 있고, 또는 원형의 형상으로도 구현할 수 있으며, 마스크 레지스트레이션의 측정이 가능한 형상이라면 형상에 제한을 두지 않고 형성할 수 있다. 또한 마스크 레지스트레이션용 마크(340)의 크기에는 제한이 없으나, 자 버니어(330)의 제3 패턴(325) 및 제4 패턴(320) 사이에 노출된 중앙부의 공간 면적 범위 내에서 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 오버레이용 버니어 패턴(335)은 이너 박스(inner box) 및 아우터 박스(outer box)로 이루어진 형상을 적용하는 대신 라인 앤드 스페이스 타입의 바(bar) 패턴으로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이 마스크의 스크라이브 레인 영역에 모 버니어(330) 및 자 버니어(315)를 포함하는 오버레이용 버니어 패턴(335) 및 마스크 레지스트레이션용 마크(340)가 동일한 공간에 배치된 복합 버니어(300)를 도입함으로써 동일한 위치에서 동일한 버니어를 이용하여 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이 정도를 동시에 측정할 수 있다. 또한 동일한 공간에 오버레이용 버니어 패턴(335) 및 마스크 레지스트레이션용 마크(340)를 배치함에 따라 오버레이용 버니어 패턴 및 마스크 레지스트레이션용 마크를 각각 별도의 위치에 형성함으로써 별도의 공간이 요구되던 스크라이브 레인 영역의 공간을 확보할 수 있어 스크라이브 레인 영역의 활용성을 증가시킬 수 있다.
또한 복합 버니어(300)를 도입함으로써 마스크 레지스트레이션 에러 및 오버레이 정도를 동시에 측정할 수 있어 마스크 레지스트레이션이 오버레이에 미치는 영향을 정량화시킬 수 있다. 이하 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 5는 복합 버니어를 이용하여 마스크 레지스트레이션 에러와 오버레이의 상관관계를 측정하는 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 그리고 도 6은 도 5의 방법으로 측정한 마스크 레지스트레이션 에러와 오버레이의 상관관계를 나타내보인 도면이다.
도 5를 참조하면, 복합 버니어(300)의 중앙부에 위치한 마스크 레지스트레이션용 마크(340) 및 오버레이용 버니어 패턴(335)의 거리(a, b, c, d)를 측정한다. 여기서 오버레이용 버니어 패턴(335)은 자 버니어(315)를 기준으로 측정할 수 있다. 다음에 마스크 레지스트레이션용 마크(340)과 오버레이용 버니어 패턴(335) 사이의 측정된 거리를 데이터로 수집한다. 다음에 도 6에 도시한 바와 같이, X축을 마스크 레지스트레이션용 마크(340)로부터 오버레이용 버니어 패턴까지의 거리로 하고, 결정계수(R2)를 Y축으로 하여 회귀곡선(regression curve)으로 나타낸다. 회귀곡선은 한 변수의 증감이 다른 요인의 단위증가에 대해 어느 정도 영향을 미치는가를 결정하는 곡선으로 본 발명에서는 마스크 레지스트레이션용 마크(340)와 오버레이용 버니어 패턴(335) 사이의 측정된 거리의 적합도를 판단할 수 있다. 이러한 적합도는 결정계수(R2)의 분포로부터 판단할 수 있다. 결정계수(coefficient of determination)는 회귀분석에서 표본관측으로 추정한 회귀곡선이 실제로 관측된 표본을 어느 정도 설명해주고 있는가, 즉, 회귀곡선이 실제 관측치를 어느 정도 대표하여 그 적합성을 보여주고 있는가를 측정하는 계수로 정의된다. 이러한 결정계수는 두 변수 사이의 상관관계의 정도를 나타내는 상관계수(R)를 제곱한 것과 같으며, 0과 1 사이의 값을 가진다. 회귀 곡선에서 결정계수(R2) 값이 1에 가까울수록 회귀곡선의 적합도가 높아진다는 것을 의미한다.
다시 도 6을 참조하면, 회귀 곡선에서 본 발명의 복합 버니어(300, 도 3 참조)를 도입한 참조 부호 "P1"을 참조하면, 1에 가장 가까운 값을 가지는 것을 확인할 수 있다. 이 경우 마스크 레지스트레이션 에러가 발생하는 경우 오버레이에 영향을 미치게 되는 것으로 분석할 수 있다. 그리고 마스크 레지스트레이션용 마크와 오버레이용 버니어 패턴이 각각 별도의 위치에 형성된 경우 측정한 참조 부호 "P2"를 참조하면, 복합 버니어의 경우보다 낮은 값을 가지고 있는 것을 확인할 수 있다. 이러한 결정 계수는 마스크 레지스트레이션용 마크(340)와 오버레이용 버니어 패턴(335) 사이의 거리가 증가할수록 감소하며, 5mm 이상 되는 경우에는 마스크 레지스트레이션의 에러를 오버레이 에러로 분석할 수 없게 된다. 이에 따라 마스크 레지스트레이션용 마스(340) 및 오버레이용 버니어 패턴(335) 사이의 거리는 5mm를 넘지 않게 배치하는 것이 바람직하다. 즉, 오버레이용 버니어 패턴(335)과 마스크 레지스트레이션용 마크(340)가 서로 가까운 위치에 있을수록 에러 정도를 정확하게 측정할 수 있다. 이는 서로 가까운 위치에 있음에 따라 다른 성분의 에러가 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.
이러한 곡선을 이용하여 마스크 레지스트레이션 에러를 보정함으로써 오버레이 특성을 향상시킬 수 있다.
300 : 복합 버니어 303: 마스크 기판
315 : 자 버니어 330: 모 버니어
340 : 마스크 레지스트레이션 마크

Claims (5)

  1. 셀(cell) 영역 및 스크라이브 레인(scribe lane) 영역을 포함하는 마스크 기판;
    상기 스크라이브 레인 영역 상에 형성된 모 버니어 및 자 버니어를 포함하는 오버레이 버니어 패턴 및 상기 오버레이 버니어 패턴이 형성된 마스크 기판의 중심부에 형성된 마스크 레지스트레이션용 마크로 이루어진 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 자 버니어는 상기 마스크 기판의 제1 방향으로 배열된 제1 패턴 및 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 배열된 제2 패턴으로 이루어지고, 상기 모 버니어는 상기 자 버니어의 제1 패턴과 나란한 제1 방향으로 배열된 제3 패턴 및 상기 제2 패턴과 나란한 제2 방향으로 배열된 제4 패턴으로 형성된 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 자 버니어 및 모 버니어는 라인 앤드 스페이스의 패턴으로 형성된 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 레지스트레이션용 마크는 정방형 또는 장방형을 포함하는 다각형 형상 또는 십자(cross) 형상을 포함하여 형성된 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 레지스트레이션용 마크는 상기 모 버니어로부터 5mm의 거리를 벗어나지 않는 위치에 형성된 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어.
KR1020110039816A 2011-04-27 2011-04-27 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어 KR20120121793A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110039816A KR20120121793A (ko) 2011-04-27 2011-04-27 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110039816A KR20120121793A (ko) 2011-04-27 2011-04-27 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120121793A true KR20120121793A (ko) 2012-11-06

Family

ID=47508189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110039816A KR20120121793A (ko) 2011-04-27 2011-04-27 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20120121793A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112838017A (zh) * 2019-11-22 2021-05-25 长鑫存储技术有限公司 光刻图形检测方法及系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112838017A (zh) * 2019-11-22 2021-05-25 长鑫存储技术有限公司 光刻图形检测方法及系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12055904B2 (en) Method to predict yield of a device manufacturing process
US9316925B2 (en) Methods for monitoring source symmetry of photolithography systems
US9594309B2 (en) Method and apparatus to characterize photolithography lens quality
US8804137B2 (en) Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability
KR100242503B1 (ko) 반도체 기판에 형성된 패턴의 오정렬 검출 마크
KR20160130848A (ko) 패턴화된 구조물에서 측정을 위한 테스트 구조물을 사용하는 테스트 구조물 및 계측 기술
CN106154741B (zh) 掩模板、散焦量的测试方法及其测试系统
US8034515B2 (en) Pattern forming method, pattern designing method, and mask set
TW201423462A (zh) 製造積體電路設計佈局的方法、積體電路設計佈局以及於積體電路佈局中定位圖樣的方法
CN101241309B (zh) 利用间距偏移量校准次纳米关键尺寸的方法
KR20090071735A (ko) 웨이퍼 패턴 계측 데이터를 이용한 광근접효과보정 방법
US9134628B2 (en) Overlay mark and application thereof
CN116149130B (zh) 版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法
US9548274B1 (en) Reticle for non-rectangular die
KR20120121793A (ko) 마스크 에러를 측정하기 위한 복합 버니어
KR20180033971A (ko) 웨이퍼 좌표계와 직교하지 않는 방향을 따라서 형성된 패턴 층용 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 반도체 디바이스 제조방법
JP2006100619A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
US20160043037A1 (en) Mark, semiconductor device, and semiconductor wafer
TWI514492B (zh) 驗證晶圓之電性測試是否存在偏移誤差的方法
CN105759563B (zh) 光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法
CN117111398B (zh) 光罩制程偏差的监控方法及监控系统
US20060266953A1 (en) Method and system for determining a positioning error of an electron beam of a scanning electron microscope
US20100015534A1 (en) Method for monitoring photolithography process and monitor mark
TWI614587B (zh) 對準方法、對位系統，及黃光微影製程
Sorkhabi et al. Performance of measuring contact holes using the Opti-Probe 7341 3-D RT/CD technology

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid