CN116149130B - 版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法，其中版图包括六种版图图案，每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；相邻版图图案中的排列图案交错布局设置于非图形区域。本说明书实施例设计一版图，其包含多种版图图案，在掩膜版上增设包含版图图案的版图并通过该掩膜版进行曝光，对按照版图曝光的光刻图形进行线宽及胶条形貌的验证；根据版图图案中不同验证功能的版图图案尺寸进行光刻图形的验证，避免了测量验证过程中重复性的分析与定位过程，可快速、准确实现线宽和胶条形貌等验证，进而提升生产产能和产品良率等。

Description

版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法。

背景技术

集成电路的发展要求芯片的制造越来越集成化。因此，芯片的尺寸至关重要，现有制造流程中有专门的设备量测晶圆上关键图形的线宽，最理想的情况是每个图形的线宽等于目标值。

半导体全场光刻机研发曝光后需对曝光的线条进行设计需求验证，直接按照现有技术的量测方案如扫描型电子显微镜（Scanning ElectronMicroscope，简称为SEM）需一遍一遍地对待测量区域进行定位及问题分析，且需严格进行SEM的对焦，每一点的计测时间非常长，针对多个点的计测更是需数小时或数十小时，验证效率低下。另外由于需精细的对准若遗漏一点差错就会导致验证结果不理想，严重时甚至影响生产的产能目标。

因此，需要一种新的集成电路版图布局方案。

发明内容

有鉴于此，本说明书实施例提供一种版图、掩膜版及光刻机曝光验证方法，应用于半导体曝光工艺过程。

本说明书实施例提供以下技术方案：

本说明书实施例提供一种版图，所述版图包括：六种版图图案，

每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；

相邻版图图案中的排列图案交错布局设置于光刻过程的非图形区域；

第一版图图案设置于非图形区域的中间位置；

第二版图图案、第三版图图案均设置于第一版图图案的一侧；

第六版图图案设置于第一版图图案的另一侧；

第四版图图案包括两边，第四版图图案的一边位于第一版图图案与第六版图图案之间，第四版图图案的另一边垂直第四版图图案的一边，设置于第一版图图案及第二版图图案对应边方向的位置处；

第五版图图案设置于第四版图图案另一边未连接第四版图图案一边对应端的位置处，

其中，基于各个版图图案对晶圆进行曝光后根据每个版图图案中的排列图案来检测光刻各功能的验证结果。

本说明书实施例还提供一种掩膜版，所述掩膜版增设如本说明书实施例中任一技术方案版图中的至少一种版图图案，用于采用光刻机对其曝光后的线宽及胶条形貌进行验证。

本说明书实施例还提供一种光刻机曝光验证方法，采用如本说明书实施例任一技术方案的掩膜版，所述光刻机曝光验证方法包括：

采用光刻机在晶片上按照版图制作的掩膜版进行光刻曝光得到光刻图形；其中，所述掩膜版包括增设至少一版图，所述版图包括不同验证功能的多个版图图案；

对光刻图形进行误差验证，得到各功能的验证结果。

与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：

设计一验证版图，该版图上包含整体布局的各个版图图案，通过在掩膜版上增设版图并进行曝光，利用版图图案自身尺寸对曝光的光刻图形尺寸进行线宽及胶条形貌的验证；根据版图图案中不同功能的版图图案尺寸进行验证，避免了测量验证过程中重复性的分析与定位过程，可快速、准确实现线宽和胶条形貌等验证，进而提升生产产能和产品良率等。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本申请中的一种增设版图图案的掩膜版示例图；

图2是本申请中版图上不同验证功能版图图案的布局示例图；

图3是本申请中第一版图图案的示例图；

图4是本申请中第二版图图案的示例图；

图5是本申请中第三版图图案的示例图；

图6是本申请中第四版图图案的示例图；

图7是本申请中第五版图图案的示例图；

图8是本申请中第六版图图案的示例图；

图9是本申请一种第六版图图案的布局放大图；

图10是本申请另一种第六版图图案的布局放大图；

图11是本申请SEM形貌分析的图形示例图；

图12是本申请一种光刻机曝光验证方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

要说明的是，下文描述在所附权利要求书的范围内的实施例的各种方面。应显而易见，本文中所描述的方面可体现于广泛多种形式中，且本文中所描述的任何特定结构及/或功能仅为说明性的。基于本申请，所属领域的技术人员应了解，本文中所描述的一个方面可与任何其它方面独立地实施，且可以各种方式组合这些方面中的两者或两者以上。举例来说，可使用本文中所阐述的任何数目和方面来实施设备及/或实践方法。另外，可使用除了本文中所阐述的方面中的一或多者之外的其它结构及/或功能性实施此设备及/或实践此方法。

还需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，图式中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

另外，在以下描述中，提供具体细节是为了便于透彻理解实例。然而，所属领域的技术人员将理解，可在没有这些特定细节的情况下实践。

现有技术光刻线宽的测量验证等过程依靠专门的测量设备及测量工艺来实现。但仅利用目前的量测验证过程需对光刻图形进行重复性分析与定位，导致量测验证的效率不高。一旦量测验证的结果稍有差池则在后续规模化生产中严重影响生产产能及产品良率等。

有鉴于此，发明人发现设计一包含各种线宽及胶条形貌的版图，利用该版图进行光刻曝光，依据版图中原本的尺寸来辅助光刻曝光后的光刻图形进行尺寸等的量测验证，可以大大提升量测验证的效率及准确率。

基于此，本说明书实施例提供一种新的版图方案，版图上各个版图图案整体构成的集成电路版图布局，将该版图加工设置于掩码版上，利用版图中图案自身的尺寸及排列布设在光刻过程中通过版图图案本身光刻曝光后对图形线宽及胶条形貌等进行验证，若验证结果符合工艺要求，进而根据版图中的版图图案进行曝光工艺，从而完成光刻任务等。

如图2所示，版图中包括六种版图图案，每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每个版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；相邻版图图案中的排列图案交错布局设置；第一版图图案设置于非图形区域的中间位置；第二版图图案、第三版图图案均设置于第一版图图案的一侧；第六版图图案设置于第一版图图案的另一侧；第四版图图案包括两边，第四版图图案的一边位于第一版图图案与第六版图图案之间，第四版图图案的另一边垂直于第四版图图案的一边，设置于第一版图图案及第二版图图案对应边方向的位置处；第五版图图案设置于第四版图图案另一边未连接第四版图图案一边对应端的位置处；其中，基于各个版图图案对晶圆进行曝光后根据每个版图图案中的排列图案来检测光刻各功能的验证结果。通过利用版图中各个版图图案中线条及图形的排列，及版图图案自身尺寸可对光刻后的图形进行验证，如获得线条的宽度及线条的均匀性等，还可快读定位需要切片做SEM分析形貌图形的位置，实现快速定位分析，节约定位分析的时间，进而提升光刻曝光后量测验证的效率和准确性。

本说明书实施例提出了一种新的光刻机曝光验证方案：如图1所示，在掩膜版上增设包含不同验证功能的版图图案，其中版图图案来源于版图，如图2中的六种版图图案。利用版图图案自身的尺寸及版图图案的排布对光刻曝光后图形的线宽及胶条形貌进行验证。尤其根据不同验证功能版图图案曝光后，采用原本版图图案的尺寸与光刻图形的尺寸比对，从而获得线条的宽度和线条的均匀性等，还可快读定位需要切片做SEM分析形貌图形的位置，实现快速定位分析，节约定位分析时间，从而提升光刻机曝光后量测验证的效率和准确性，加快半导体全场光刻机研发曝光设计需求验证的实现。若验证结果满足设计要求，进而在后续生产过程中提升产品产能和生产质量良率。若验证结果不能满足目标值，可利用版图图案中的其他不同图案进行调节来获得目标值的效果，从而在发现设计问题后省略了现有技术中需针对每个设计问题重新进行设计的过程，进而在光刻曝光及验证的过程中，无需不断重复上述研发过程，但根据本说明书实施例提供的任一技术方案可加快研发设计及验证的实现，可提升后续生产的产能和产品良率。

以下结合附图，说明本申请各实施例提供的技术方案。

如图1、图2所示，设计包括六种版图图案的版图，每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列。如第一版图图案、第二版图图案中排列图案按照尺寸从小到大的排列，第三版图图案中排列图案按照尺寸从大到小的排列，第四版图图案中的部分排列图案按照尺寸从小到大的顺序排列。相邻版图图案中的排列图案交错布局设置。如图2所示，第一版图图案1设置于非图形区域的中间位置，第二版图图案2、第三版图图案3均设置于第一版图图案1的上侧，第六版图图案6设置于第一版图图案1的下侧；第四版图图案4包括两边（如横边与垂直边），第四版图图案的横边位于第一版图图案1与第六版图图案6之间，第四版图图案4的垂直边垂直第四版图图案的横边，设置于第一版图图案1及第二版图图案2对应一边方向（如这2个版图图案对应右边）的位置处；第五版图图案设置于第四版图图案垂直边未连接横边对应端（如上端）的位置处。利用版图中各个版图图案中线条及图形的排列，及版图图案自身尺寸可对光刻后的图形进行验证，如获得线条的宽度及线条的均匀性等，还可快读定位需要切片做SEM分析形貌图形的位置，实现快速定位分析，节约定位分析的时间，进而提升光刻曝光后量测验证的效率和准确性。一些实施例中用于光刻过程的版图设置于掩码版上非图形区域。

进而通过设置一光刻掩膜版，按照该掩膜版上的版图图案进行光刻，形成光刻图形，对光刻图形上线宽的尺寸等进行验证以得到光刻机曝光的情况。理想情况是光刻图形的线宽尺寸及胶条形貌等与掩膜版上设计的版图图案的尺寸等完全一致，则确定满足设计需求。一些实施例中，该掩膜版上单独设置版图图案，即该掩膜版用于依照其自身版图图案的尺寸与被光刻机进行光刻曝光后得到的图形尺寸进行比对，验证光刻图形上的胶条、线宽等是否符合光刻要求，以验证半导体全场研发设计是否满足需求。版图图案可设置于掩膜版的四周等位置。另一些实施例中掩膜版上的版图图案可随晶圆光刻图形区域进行设置，如设置于光刻掩膜版的四周但不会影响有效光刻图形的进行，可用于在光刻机生产一段时间后对按照版图图案曝光获得的光刻图形来进行胶条、线宽及畸形等验证，尤其进行线宽及胶条形貌等验证以确保后续生产过程中光刻机满足生产要求，保持光刻机的精准度等。另外，若将版图图案在裸片四周进行光刻曝光机验证，并不影响裸片核心区域的二次利用，还能实现光刻线宽及胶条形貌的需求验证。

如图1所示，该掩膜版上版图图案可分为透光或者不透光等两种形式。

增设版图的掩膜版用于采用光刻机对其曝光后的线宽、胶条形貌等进行验证。具体地，掩膜版上的版图包括多个版图图案，不同的版图图案用于不同线宽或胶条形貌的验证。

具体地，增设的版图中包括六种版图图案，六种版图图案规整设置于掩膜版上，如图2所述，每种编号对应为一种版图图案的布局，六种版图图案最终在掩膜版上组成矩形等规则布局设置。本说明书实施例通过在掩膜版上增设版图实现光刻曝光的量测验证，实现快速定位分析，快读定位需要切片做SEM分析形貌图形的位置，节约定位分析的时间，进而提升光刻曝光后量测验证的效率和准确性。

每种版图图案用于对其光刻曝光后线宽或胶条形貌与其自身原本尺寸进行对比，实现一种特定情形的功能验证。

在一些实施例中，第二版图图案、第三版图图案呈阶梯型；第一版图图案、第六版图图案呈矩形；第五版图图案呈方形；第四版图图案呈L型。

如图2所示，第二版图图案2和第三版图图案3呈阶梯型，第二版图图案2和第三版图图案3的阶梯型交错布局趋近呈现为矩形，第一版图图案1、第六版图图案6呈矩形，第五版图图案5相比于其他矩形呈方形，第四版图图案呈L型。

在一些实施例中，第一版图图案包括线条组合图形，用于对其曝光后的线条线宽进行验证。第二版图图案包括正方形排列图形，用于对其曝光后的矩形边长线宽进行验证。第三版图图案包括圆形排列图形，用于对其曝光后的弧线线宽进行验证。第四版图图案包括不同线宽线条排列图形，分为对称排列或不对称排列，用于对其曝光后的胶条侧壁形貌进行验证。第五版图图案包括对称或不对称矩阵分布圆形，其包括一方形外边框，外边框至少一角处设置为三角形，方形外边框内分布排列圆形，用于对其曝光后的圆形畸变进行验证。第六版图图案包括方形内框、与方形内框同心点的外框，用于对其曝光后的套刻偏差进行验证。

如图3为一种线条线宽测试版图图案，可表示为第一版图图案，第一版图图案为线条组合图形，用于对其曝光后的线条线宽进行验证。如图3示例的不同大小的第一版图图案，每个第一版图图案中胶条和胶条宽度均相等，第一版图图案自身的尺寸即可用于验证的线条线宽尺寸（如单位为um）包括0.1、 0.2、 0.3、 0.4、 0.5、 0.6、 0.7、 0.8、 1.0、1.2 、1.4、 1.6、 1.8、 2.0 、2.5 、3.0 、4.0 、5.0 、6.0 、7.0 、8.0、 9.0、 10.0 、12.0、15.0、 20.0。第一版图图案中相邻线条的间距相同。

如图3中每种不同大小尺寸的第一版图图案，其线条组合图形中包括垂直相交的2边框，其剩余2边框为垂直相交的2列短线（相对于其他边缘线条较短）边缘，与2垂直短线分别呈45度夹角连接的多条斜线条、至少其中一条斜线与其两端对应短线连接超出短线本身的长度。该第一版图图案不仅用来验证平行或垂直的线宽尺寸等，还可以验证45°、135°、225°315°斜线的线宽尺寸等。

在一些实施例中，第二版图图案为正方形排列图形，用于对其曝光后的矩形边长线宽进行验证。如图4示例的不同大小的第二版图图案，按照矩阵形式布阵，其中第二版图图案中正方形宽度的尺寸（如单位为um）即用于验证的线条线宽尺寸包括：0.1、 0.2 、0.3、0.4 、0.5、 0.6、 0.7 、0.8 、1.0 、1.2、 1.4 、1.6、 1.8、 2.0 、2.5 、3.0、 4.0 、5.0 、6.0、 7.0、 8.0、 9.0 、10.0 、12.0 、15.0、 20.0。

在一些实施例中，第三版图图案为圆形排列图形，用于对其曝光后的弧线线宽等进行验证。如图5示例的不同大小的第三版图图案，按照矩阵形式分布，其中第三版图图案中圆的直径尺寸（如单位为um）即用于验证的线条线宽尺寸包括：0.1、 0.2、 0.3、 0.4、0.5 、0.6 、0.7、 0.8、 1.0、 1.2、 1.4、 1.6、 1.8、 2.0、 2.5、 3.0、 4.0、 5.0、 6.0、7.0、 8.0、 9.0、 10.0 、12.0 、15.0 、20.0。

上述实施例中的第一版图图案、第二版图图案及第三版图图案通过加工制作成掩膜版，全场光刻机使用该掩膜版曝光后，在晶圆上形成对应的光刻胶图形。使用量测设备量测曝光后在晶圆上分别形成的与第一版图图案、第二版图图案及第三版图图案对应的光刻图形，检测光刻图形的尺寸等即可知道光刻机在某种条件下可以曝光出最小宽度是多少的胶条。通过量测晶圆满片对应的光刻图形，可以测量出全场曝光线条的宽度的均匀性等。

在一些实施例中，第四版图图案为不同线宽线条排列图形，分为对称排列或不对称排列，用于对其曝光后的胶条侧壁形貌进行验证。

具体地，第四版图图案中并排设置三组排列线条，每组排列线条包括线宽相同的五根线条，每根线条长度设置为2500um，第四版图图案两边的线条沿垂直的两个方向设置。

如图6所示，该线条排列图形包括3组不同线宽的长条线条排列图形，每组线条排列图形包括5根并排放置的平行线条，每组线条排列图形用于光刻后的胶条和胶条间距宽度。即通过SEM电镜拍照，检测胶条侧壁是否平直，胶条横断面是否均匀等。如图2中第四版图图案中的横边及垂直边相互垂直，如沿x方向和y方向垂直。

每个第四版图图案中胶条和胶条间距宽度都是相等尺寸，具体尺寸（如单位为um）包括：2.0、 4.0 和8.0。每根线条的长度为2500um。参见图2在整体版图图案布局设计，第四版图图案可分别沿x、y向方向布置。利用第四版图图案检测长度较长胶条形貌等尤其方便。由于第四版图图案中线条长度较长，若仅采用现有技术测量设备进行验证，在SEM电镜下定位对应图形花费时间较长不利于验证。而通过本实施例利用包含第四版图图案的掩膜版进行曝光得到对应光刻图形，由于线条长度较长又分为XY方向，所以极容易切割就能在SEM电镜下找到对应的光刻图形，从而对胶条形貌等进行验证。节约了至少一小时以上的验证时间，提升测量验证效率。

在一些实施例中，第五版图图案为对称或不对称矩阵分布圆形，其包括一方形外边框，外边框至少一角处设置为三角形，方形外框内分布排列圆形，用于对其曝光后的圆形畸变进行验证。

如图7所示，本说明书实施例示出不同圆形直径对称或不对称呈矩阵分布示例。其中圆的直径尺寸（如单位为um）包括2.0和1.0。图7根据圆的直径两种尺寸及对称或不对称呈矩阵分布等2种形式组合的4种情形展示。

在一些实施例中，第六版图图案为方形内框、与方形内框同心点的外框，用于对其曝光后的套刻偏差进行验证。

如图8所示，两种用于套刻偏差矩阵排列图形，每种套刻矩阵图形以同心点的内框、外框做x、y方向的偏离分布，具体的偏离值（如单位为nm）包含10、20、40、60、80、100、150套刻图形等尺寸。图9和图10 为图8中两种版图图案的放大图，如图9的一种套刻偏差版图图案，方形内框与包围该方形内框的部分外框具有同心点。如图10的另一种套刻偏差版图图案，方形内框与全包围该方形内框的外框具有同心点。两种套刻偏差版图图案沿x、y两方向有偏离分布，则在套刻图形曝光后可获得具体的偏离值。另外按照第六种版图图案进行曝光进行套刻精度量测后的晶圆还可用于后续生产等过程，不会造成晶片浪费，实现二次利用。

如图1、图2示例多个版图图案整体呈规则布设。一些实施例中，版图图案规整布设于掩膜版，每个版图图案可为透光设置或者反向不透光设置，分别如图1、图2中左边或者右边关于透光情况的两种设计。

一些实施例中掩膜版仅包含版图图案，光刻机曝光之后用于对线条线宽及胶条形貌等进行验证。另一些实施例中，掩膜版可以包含上述任意一版图图案及其组合，还可包括晶片上需光刻的其他图形区域，光刻机经过一段时间光刻曝光后采用版图图案重新进行线条线宽及胶条形貌等验证，从而用来验证光刻机的准确度等。尤其将版图图案全面规整布设于掩码版上，在晶圆满片上全面光刻曝光后进行验证，即容易量测出全场曝光线条宽度的均匀性等。

结合上述实施例，如图12所示，本说明书实施例提供一种光刻机曝光验证方法，可包括步骤S210～步骤S220。其中，步骤S210、采用光刻机在晶片上按照版图制作的掩膜版进行光刻曝光得到光刻图形；其中掩膜版包括增设的至少一版图，版图包括不同验证功能的多个版图图案。步骤S220、对光刻图形进行误差验证，得到各功能的验证结果。

具体地，步骤S210、光刻机在晶片上按照版图制作的掩膜版进行光刻得到光刻图形。光刻图形按照掩膜版上的不同版图图案形成，掩膜版包括增设的至少一版图，该版图包括不同验证功能的多个版图图案。其中不同验证功能包括线宽验证，如单独线条线宽的验证、矩形线宽的验证及弧形线宽的验证（如圆的畸变）等，上述线宽的验证可验证曝光的最小宽度具体为多少的胶条，通过量测光刻图形测出全场曝光线条的宽度的均匀性等。还包括胶条形貌验证等，对曝光后的样品进行切片做SEM分析形貌的图形位置，验证胶条的横断面是否平滑，侧壁是否直。若胶条横断面侧壁直且平滑则满足设计要求。由于版图图案长度较长（如2500um）且包含x、y方向，在切割获取胶条过程中，可准确定位及更快获得对应的光刻图形，从而缩短验证的时间，如缩短至少一小时以上的时间。还包括两种套刻精度量测版图图案，通过这些套刻版图图案对套刻设备做校验测试，不仅可快速获得套刻的准确度，还避免试验后的晶圆浪费。具体版图可包括六种版图图案。如第一版图图案为线条组合版图图案，用于对其曝光后的线条线宽进行验证。所述第二版图图案为正方形排列图形，用于对其曝光后的矩形边长线宽进行验证。第三版图图案为圆形排列图形，用于对其曝光后的弧线的线宽进行验证。第四版图图案为不同线宽线条排列图形，分为对称排列或不对称排列，用于对其曝光后的胶条侧壁形貌进行验证。如图11所示，胶条的顶视图，一些情况如胶条侧壁有凹或横切面不均匀平滑，侧壁不直等不满足设计要求。

第五版图图案为对称或不对称矩阵分布圆形，其包括一方形外边框，外边框至少一角处设置三角形，方形外边框内分布排列圆形，用于对其曝光后的圆形畸变进行验证。第六版图图案为方形内框、与方形内框同心点的外框排列图形，用于对其曝光后的套刻偏差进行验证等。

步骤S220、对光刻图形进行误差验证，得到各功能的验证结果。对光刻图形进行误差验证，若验证满足预设误差验证范围，则确定根据某一版图图案进行的功能验证符合需求，得到该符合需求的验证结果。若验证结果为不符合需求，一些实施例中，可适应性选择光刻版图图案尺寸的大小，以期得到符合需求的设计。一些实施例中，版图设置于裸晶片上。另一些实施例版图可设置于需光刻图形区域对应掩膜版的四周等位置。无论上述哪种情形，光刻机采用上述的掩膜版进行曝光得到光刻图形后，均可用来验证不同功能是够满足需求得到对应的验证结果。

本说明书中各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例侧重说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于后面说明的产品实施例而言，由于其与方法是对应的，描述比较简单，相关之处参见系统实施例的部分说明即可。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种版图，其特征在于，所述版图包括：六种版图图案，

每种版图图案包括不同线条及图形的排列图案，每种版图图案中的多个排列图案根据尺寸的不同依次排列；

相邻版图图案中的排列图案交错布局设置于光刻过程的非图形区域；

第一版图图案设置于非图形区域的中间位置；

第二版图图案、第三版图图案均设置于第一版图图案的一侧；

第六版图图案设置于第一版图图案的另一侧；

第四版图图案包括两边，第四版图图案的一边位于第一版图图案与第六版图图案之间，第四版图图案的另一边垂直第四版图图案的一边，设置于第一版图图案及第二版图图案对应边方向的位置处；

第五版图图案设置于第四版图图案另一边未连接第四版图图案一边对应端的位置处，

其中，基于各个版图图案对晶圆进行曝光后根据每个版图图案中的排列图案来检测光刻各功能的验证结果；

其中，第二版图图案、第三版图图案呈阶梯型；第一版图图案、第六版图图案呈矩形；第五版图图案呈方形；第四版图图案呈L型；

所述第一版图图案包括线条组合图形，用于对其曝光后的线条线宽进行验证；

所述第二版图图案包括正方形排列图形，用于对其曝光后的矩形边长线宽进行验证；

所述第三版图图案包括圆形排列图形，用于对其曝光后的弧线线宽进行验证；

所述第四版图图案包括不同线宽线条排列图形，分为对称排列或不对称排列，用于对其曝光后的胶条侧壁形貌进行验证；

所述第五版图图案包括对称或不对称矩阵分布圆形，其包括一方形外边框，外边框至少一角处设置为三角形，方形外边框内分布排列圆形，用于对其曝光后的圆形畸变进行验证；

所述第六版图图案包括方形内框、与方形内框同心点的外框，用于对其曝光后的套刻偏差进行验证。

2.根据权利要求1所述的版图，其特征在于，第一版图图案中相邻线条的间距相同；

第四版图图案中并排设置多组排列线条，每组排列线条包括线宽相同的线条，每根线条长度设置为2500um，第四版图图案两边的线条分别沿垂直的两个方向设置。

3.根据权利要求1所述的版图，其特征在于，第六版图图案中方形内框与方形外框以同心点为基准做垂直两方向的分布。

4.根据权利要求1所述的版图，其特征在于，所述多个版图图案整体呈规则布设。

5.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版增设如权利要求1-4中任一项所述版图中的至少一种版图图案，用于采用光刻机对其曝光后的线宽及胶条形貌进行验证。

6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，每种所述版图图案设置为透光或不透光。

7.一种光刻机曝光验证方法，其特征在于，采用如权利要求5或6所述的掩膜版，所述光刻机曝光验证方法包括：

采用光刻机在晶片上按照版图制作的掩膜版进行光刻曝光得到光刻图形；其中，所述掩膜版包括增设的至少一版图，所述版图包括不同验证功能的多个版图图案；

对光刻图形进行误差验证，得到各功能的验证结果。