KR20120120283A - 태양 전지의 웨이퍼형 기본 재료의 열처리 방법 및 장치 - Google Patents

태양 전지의 웨이퍼형 기본 재료의 열처리 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

이 발명은 태양 전지, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘 태양 전지의 원판형 기본 재료의 열처리 장치에 관한 것이며, 상기 장치는 적어도 하나의 레이저 광원(4a, 4b)을 포함한다.

Description

태양 전지의 웨이퍼형 기본 재료의 열처리 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR HEAT TREATING THE WAFER-SHAPED BASE MATERIAL OF A SOLAR CELL}
이 발명은 청구항 제 1항의 전제부에 따른, 태양 전지, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘 태양 전지의 원판형 기본 재료의 열처리 방법에 관한 것이다. 또한, 이 발명은 청구항 제 8항의 전제부에 따른, 태양 전지, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘 태양 전지의 원판형 기본 재료의 열처리 장치에 관한 것이다.
이 발명의 배경기술이 되는 태양전지의 열처리에 대한 선행 기술로는, 약 10 m 길이 및 약 1 m 폭(약 10 qm 베이스) 그리고 100 kW까지의 전기 접속 전력을 가진 컨베이어 퍼니스가 있다.
그리고 과거에 이미 플래시 램프로 태양 전지를 신속하게 동시에 광학 열처리하기 위한 연구가 이루어졌다. 반도체 생산에서의 방법과 유사하게, 이러한 연구는 반도체 산업에서 공지된 일반 용어 "RTP"(Rapid Thermal Processing)로 알려져 있다.
이 연구 결과, RTP는 몇 가지 기술적 장점을 갖기는 하지만, 결정적 문제, 스루풋 및 프로세스 비용에 있어서 컨베이어 퍼니스를 넘을 수 없다. 따라서, 태양 전지-RTP는 현재 대량 생산되지 않는다. 이러한 장벽은 균일화된 레이저 다이오드 장치의 사용에 의해 극복될 수 있다: ㎲-범위에서 그 모듈화 가능성은 하나의 사이클(1 s) 내에 가열 역학을 충분히 제공한다(시간적 정밀도). 하나의 차수만큼 더 적은 레이저 분해능의 접속 전력은 컨베이어 퍼니스에 비해 상응하게 더 적은 작동 비용을 제공한다.
그리고 Ji Youn Lee의 박사 학위 논문, Fraunhofer ISE, 2003년 2월에는 이미 결정질 실리콘 태양 전지에서 다중 RTP-처리가 더 긴 전하 캐리어 수명 및 그에 따라 더 양호한 태양 전지 효율을 달성할 수 있는 것이 연구되고 개시되어 있다. 제시된 장치에 의해, 상기 다중 처리는 확장될 수 있다. 즉, 더 짧은 전체 지속시간 내에 더 많은 수의 신속한 열 처리 단계들이 실시될 수 있다. 예: Ji Youn Lee의 박사 학위 논문, Fraunhofer ISE, 2003년 2월에는 1초보다 긴 지속 시간의 2번의 반복이 개시되어 있다. 여기에 설명된 장치에 의해, 1초 내에 1,000 번의 반복이 문제없이 이루어질 수 있다. 많은 수의 신속한 온도 변동에 의해 지금까지 달성될 수 없었던 다른 재료 특성이 달성될 수 있을 것이다.
Ji Youn Lee의 박사 학위 논문, Fraunhofer ISE, 프라이부르크, 2003년에는 신속한 산화 프로세스("RTO") 동안 불균일한 조명이 불균일한 산화막 두께, 그에 따라 불균일한 전하 캐리어 수명, 결국 불균일한 태양 전지 효율을 야기하는 것이 연구되고 개시되어 있다.
또한 반도체 부품("칩")의 생산 동안 짧은 온도 급상승("스파이크-어닐")은 이미 선행 제조 기술에 속한다. 이것은 지금까지 태양 전지의 제조시 저자의 지식에 따라 이 출원서에서는 연구되지 않았다.
이 발명의 과제는 더 효과적이고 및/또는 더 경제적으로 전술한 방식의 방법을 제공하고 전술한 방식의 장치를 형성하는 것이다.
상기 과제는 방법과 관련해서는 청구항 제 1항의 특징들을 포함하는 전술한 방식의 방법에 의해 달성되고, 장치와 관련해서는 청구항 제 8항의 특징들을 포함하는 전술한 방식의 장치에 의해 달성된다. 종속 청구항들은 이 발명의 바람직한 실시예들에 관한 것이다.
매우 다양하게 구성된 다수 타입의 태양 전지들이 있다. 이 출원서는 특히 결정질 및 다결정질 실리콘 태양 전지를 다룬다. 이는 치수 H x B x T(일반적으로): H = 80...220 ㎛ x B = 125...210 ㎜ x T = 125...210 ㎜를 가진 균일한 두께의 정사각형 실리콘 기판이다.
이러한 타입의 태양 전지의 열처리는 용매의 베이크 아웃(bake-out) 및 바로 후속해서 도펀트의 내방 확산 및 동시에 금속화 면의 내방 확산 및 소결을 위해 이루어진다. 이 출원서에 제시된 레이저 분해능은 더 작은 효용 공간 및 더 낮은 접속 전력으로 달성될 수 있다.
이러한 타입의 태양 전지의 열 처리는 복잡한 일인데, 왜냐하면 일련의 서로 의존하는 프로세스들이 시간적으로 연속하는 그리고 복잡한 가열 프로파일 하에서 차례로, 그러나 부분적으로는 동시에 그리고 중첩되어 이루어지기 때문이다. 상기 프로세스들은 모두 태양 전지의 효율에 심한 영향을 미치고, 태양 전지의 경제성에 결정적인 영향을 준다.
현재, 상기 타입의 태양 전지의 제조업자의 목표는 1초의 클록 사이클이다. 즉, 매 초마다 하나의 태양 전지가 제조되어야 한다. 상기 클록 사이클을 경제적으로 구현하기 위해, 태양 전지를 스캐닝하는 방법(스캔 방법)은 더 느린 프로세스 속도로 인해 덜 적합하다. 전체 태양 전지의 동시 처리를 허용하는 방법이 더 적합하다. 동시 조명은 균일화된 레이저 다이오드들 또는 레이저 다이오드 바아들의 다양한 배치에 의해 공간적으로 매우 정밀하게 조절될 수 있다 (프리이미터 또는 섬유 결합된 모듈). 조명에서의 정밀도는 태양 전지의 구조적으로 정확한 조명을 가능하게 하므로, 전체 광이 조명 및 가열을 위해 사용된다(공간적 정밀도, 에너지 효율).
태양 전지 생산에서 다른 중요한 경계 조건은 태양 전지의 전체 면에 걸친 프로세싱의 균일성이다. 불균일성은 태양 전지의 효율 및 그에 따라 경제성을 떨어뜨릴 수 있다(예: 내방 확산된 알루미늄 페이스트와 태양 전지 후면 전체의 균일한 접촉). 퍼니스 및 플래시 램프 장치에서 균일한 가열은 지속적인 도전인데, 그 이유는 상기 가열 메커니즘이 심하게 에이징됨으로써 지속적인 측정 및 재조절이 필요하기 때문이다. 상기 단점은 출원서에서 정밀하게 자동으로 조절되는 균일화된 레이저 다이오드의 사용에 의해 제거된다(공간적 및 시간적 정밀도).
퍼니스 또는 플래시 램프 장치를 이용해서 시간에 따라 변하는 온도 프로파일로 동적 가열시, 항상 에지 효과가 나타나는데, 그 이유는 정확히 균일한 가열시에도 태양 전지의 에지들이 단지 180°열 전도에 의해 360°열 전도에 의한 내부 영역보다 더 강력히 가열되기 때문이다. 상기 불균일한 가열은 광학 빔 형성에 의해 정밀하게 미리 조절된, 의도적으로 불균일한 태양 전지 노광에 의해 방지될 수 있다. 즉, 중앙에서 더 큰 강도 및 에지에서 더 작은 강도가 시간에 따라 변하는 온도 프로파일 하에서도 균일한 온도 분포를 제공한다.
에지 효과를 피하기 위해 추가로, 빔 형성이 태양 전지 상에 미리 정해진 "더 뜨거운" 및 "더 차가운" 영역을 가진 의도적으로 공간적으로 상이한 추가의 가열 프로파일을 위해 사용될 수 있다(예: 태양 전지 상에 전방면 접촉을 위한 핑거 구조).
장치의 부분으로서 석영 유리로 이루어진 태양 전지의 투명한 홀더는 실리콘의 용융점까지 높은 온도를 견디지만, 태양 전지를 가열하기 위한 다이오드 레이저 광을 통과시킨다. 홀더는 동시에 태양 전지의 공간적으로 정밀하게 제어된 조명을 위한 광학 빔 형성의 부분으로서 광학적 기능을 할 수 있다.
완전한 레이저 가열 시스템은 하기 기능 유닛들로 이루어진다.
1. 입력 버퍼를 가진 전지 처리부
2. 전지 가공부(레이저, 빔 형성부, 전지 홀더, 흡입부)
3. 전지 처리부를 가진 출력 버퍼
시스템은 인라인-태양 전지 공장의 "흐름" 내에 시임(seam) 없이 통합될 수 있다.
장치는 100,000,000 K/s 보다 큰 램프의 기울기를 특징으로 하고 프로세스 설계시 추가의 자유도를 제공한다. 이는 수 100 K/s의 램프 기울기를 가진 종래의 퍼니스를 포함하는 선행 기술을 훨씬 능가하므로, 지금까지는 달성될 수 없었다. 장점은 열처리 온도 프로파일의 더 양호한 제어 및 조정 가능성에 있다.
장치의 높은 램프 기울기는 장치 즉, 전지 가공부(레이저, 빔 형성부, 전지 홀더, 흡입부)의 제 2 기능 유닛(기능 유닛 리스트: 텍스트의 상부 참고)의 동작 방식으로부터 얻어진다. 빔을 형성하는 레이저에 전류 공급은 10 ㎲의 상승 및 강하 시간 및 가변 조절 가능한 펄스 지속시간(> 10 ㎲) 및 가변 펄스 반복률을 가진, 상업적으로 구입 가능한 전자 펄스 제너레이터에 의해 펄스 제어가 이루어질 수 있도록 설계된다.
출원인은 몇몇 적용에서 빔을 형성하는 유사한 레이저 소스를 가진 센터가 칩-생산용 실리콘 웨이퍼를 가열하게 함으로써 10 ㎲의 가열 지속시간 내에 온도 차 > 1000 K를 달성한다. 이는 100,000,000 K/s의 온도 기울기(램프 기울기)를 나타낸다.
나노초 범위의 펄스 지속시간을 가진 고전류-단펄스-전자 장치의 분야에서 제 1의 제한된 개선들은 상업적으로 제공될 수 있는 고전력 다이오드 레이저용 파워 서플라이에서 상승 및 강하 시간 그리고 펄스 지속시간의 추가 감소를 나타낼 수 있다.
여기에 설명된 장치는 반도체 생산에서 공지된 스파이크-어닐과 유사한 새로운 프로세스가 태양 전지 성능을 더 높이기 위해 태양 전지의 제조에 적용될 수 있게 한다. 반도체 부품 제조시 스파이크-어닐의 장점은 결정 에러의 확산 없는 어닐이다. 제시된 장치에 의해 결정 에러의 확산 없는 어닐이 태양 전지에도 사용될 수 있게 된다.
제시된 장치에 의해, 열 처리는 신속하게 연속하는 단계들에서 실시될 수 있다. 제조 또는 건조 프로세스 동안 태양 전지의 온도의 단계적인 상승 또는 강하는 열처리의 진행 동안 더 정밀한 제어를 가능하게 한다.
균일한 조명은 필수적인데, 그 이유는 태양 전지의 가열시 10℃의 온도 변동이 태양 전지의 전기적 특성의 큰 차이를 발생시키기 때문이다. 1000℃의 퍼니스 프로세스 동안 태양 전지의 온도에서 10℃는 1%의 온도 변동이다. 이는 직접 실리콘 내로 들어온 광 에너지가 조명 지속시간 내에 확산하는 것을 고려해서 조명 변동이 1% 보다 크지 않아야 한다는 요구 조건을 야기한다.
불균일성은 이 발명에 따른 장치에 의해 제거된다. 조명은 제시된 장치에서 마이크로 광학적으로 빔이 형성되는 다이오드 레이저 조명에 의해 정밀하게 조절됨으로써, 태양 전지의 공간적으로 균일한 처리 온도 및 상응하게 공간적으로 균일한, 기계적, 전기적 및 전기-광학적 특성이 보장된다(막 두께, 전하 캐리어 수명, 전지 효율).
이 발명에 의해, 더 효과적이고 및/또는 더 경제적인, 태양 전지의 기본 재료의 열처리 방법 및 장치가 제공된다.
이하, 이 발명의 실시예들이 첨부한 도면을 참고로 상세히 설명된다.
도 1은 이 발명에 따른 장치의 제 1 실시예의 개략적인 사시도.
도 2는 이 발명에 따른 장치의 제 2 실시예의 개략적인 사시도.
도 3은 태양 전지의 기본 재료의 홀더의 개략적인 사시도.
도 4는 도 3에 따른 홀더의 평면도.
도 5는 홀더의 대안적 실시예의, 도 4에 상응하는 평면도.
도면들에서 동일한 또는 동일한 기능의 부품들은 동일한 도면 부호로 표시된다.
도 1에 도시된, 이 발명에 따른 장치의 제 1 실시예는 다수의 홀더들(1)을 포함하고, 상기 홀더들은 이하에서 도 3 내지 도 5를 참고로 상세히 설명된다. 개별 홀더들(1)은 태양 전지용 기본 재료으로서 사용되는 실리콘 기판을 홀딩한다.
개별 홀더들(1)은 적합한 연결 수단(2)에 의해 서로 연결되므로, 서로 연결된 다수의 홀더들(1)이 이송 장치(3)에서 동시에 도 1에서 우측으로 이동될 수 있다.
장치는 또한 2개의 레이저 광원(4a, 4b)을 포함하고, 상기 레이저 광원들(4a, 4b)은 예컨대 각각 하나의 레이저 다이오드 또는 다수의 레이저 다이오드, 특히 하나의 레이저 다이오드 바아 또는 레이저 다이오드 바아 스택을 포함한다. 상업적 이유 때문에, 레이저 광원(4a, 4b)의 파장은 800 nm 내지 1100 nm의 범위이다. 그러나, 더 긴 및 특히 더 짧은 파장을 가진 광원들(4a, 4b)이 사용될 수도 있다.
또한, 레이저 광원들(4a, 4b)은 제어 수단들을 포함하거나 또는 제어 수단들과 연결될 수 있고, 상기 제어 수단들은 레이저 광원(4a, 4b)의 작동을, 특히 그 스위칭 시간 또는 펄스 지속시간을 제어할 수 있다. 특히, 1 ns 내지 1s의 펄스 지속 시간이 고려된다.
장치는 또한 개략적으로 도시된 제 1 및 제 2 광학 수단(5a, 5b)을 포함한다. 광학 수단들(5a, 5b)은 각각 균일화기를 포함하며, 균일화기는 예컨대 다수의, 특히 서로 교차되는 실린더 렌즈 어레이 및 하나의 필드 렌즈를 포함할 수 있다. 광학 수단들(5a, 5b)은 각각 빔 형성 렌즈를 포함할 수 있다. 광학 수단들(5a, 5b)로부터 나온 레이저 방사선(6a, 6b)은 파선으로 표시된다.
제 1 레이저 광원(4a)에 할당된 제 1 광학 수단(5a)은 홀더(1)에 의해 지지된 실리콘 기판의 전체 면이 상부로부터 조명되도록 형성된다(예컨대, 제 1 광학 수단 하부에 있는 홀더(1)의 실리콘 기판의 상부면에 평면 강도 분포(6)가 제공된다). 제 2 레이저 광원(4b)에 할당된 제 2 광학 수단(5b)은 홀더(1)에 의해 홀딩된 실리콘 기판의 전체 면이 하부로부터 조명되도록 형성된다. 전체 노광 지속시간은 1 s의 클록 레이트를 지키기 위해 특히 최대 1 s 이어야 한다.
이 경우, 레이저 방사선(6a)은 실리콘 기판의 상부면에 실질적으로 수직으로 부딪히고, 레이저 방사선(6b)은 실리콘 기판의 하부면에 실질적으로 수직으로 부딪히는 것이 가능하다. 대안으로서, 레이저 방사선들(6a, 6b)은 각각 0°가 아닌 각으로 상부면 및 하부면에 부딪힐 수 있다.
특히, 실리콘 기판의 상부면에 제 1 레이저 방사선(6a)이 제공될 수 있고, 실리콘 기판의 하부면에 제 2 레이저 방사선(6b)이 제공된다. 태양 전지용 기본 재료로 사용되는 실리콘 기판의 상부면 및 하부면에서 상이한 프로세스를 실시하기 위해, 제 1 및 제 2 레이저 방사선(6a, 6b)은 하나 또는 다수의 특성에 있어서 상이할 수 있다.
펄스 형태는 각각 시간에 따라 구조화될 수 있어서, 더 낮은 강도의 예열 단계에 후속해서 더 높은 강도의 경우에 따라 짧은 단계가 이어진다. 확산 프로세스를 조장하기 위해, 더 높은 강도의 상기 단계에 후속해서 예컨대 다시 더 낮은 강도의 더 긴 단계가 이어질 수 있다. 펄스 형태는 계속 넓게 설정됨으로써, "인라인-제조 라인"에서 각각의 실리콘 원판에 대해 동일한 펄스 형태가 연속해서 동일하게 제공된다. 클록 사이클이 1초인 경우, 펄스 형태는 1 Hz의 주파수로 반복된다.
조명 과정 동안 이송 장치(3)에서 서로 연결된 홀더(1)의 이송은 정지된다. 그러나, 조명 과정 동안 이송이 중단되지 않고 계속될 수도 있다. 이 경우, 레이저 광원들(4a, 4b)은 광학 수단들(5a, 5b)과 함께 바로 조명될 실리콘 기판을 따라 약간 안내될 수 있고, 다음 실리콘 기판의 조명 시작 전에 다시 되돌아 올 수 있다.
실리콘 상부면 상에서 파워 밀도는 대략 0.1 내지 30 kW/㎠의 범위로 선택될 수 있다.
실리콘 기판의 불균일한 가열은 광학 빔 형성에 의해 정밀하게 미리 조절된, 태양 전지의 의도적으로 불균일한 노광이 보장됨으로써 방지될 수 있다. 특히, 실리콘 기판의 중앙에서 더 큰 강도 및 에지에서 더 낮은 강도는 시간에 따라 변하는 온도 프로파일 하에서도 균일한 온도 분포를 제공한다.
에지 효과를 피하기 위해 추가로, 태양 전지 상에 미리 정해진 "더 뜨거운" 및 "더 차가운" 영역을 가진 의도적으로 공간적으로 상이한 추가 가열 프로파일을 위한 빔 형성이 이용될 수 있다(예: 태양 전지 상에 전방면 접촉을 위한 핑거 구조).
도 2에 따른 실시예는 실리콘 기판의 상부면 및 하부면이 각각 동시에 전체 면이 조명되지 않고 변하는 선형 강도 분포(8)에 의해 연속적으로 조명되는 점만이 도 1에 따른 실시예와 다르다. 따라서, 다소 예리한 선을 형성하기 위해, 광학 수단들(5a, 5b)이 약간 달리 형성된다.
이 경우, 실리콘 기판의 상부면 위의 선을 스캐닝하기 위해, 서로 연결된 홀더(1)의 운동이 이용될 수 있는 것이 바람직하다. 여기서 단점은 레이저 광의 시간 변조를 위해 더 짧은 시간이 제공된다는 것이다.
도 3은 연결 수단(2)을 통해 서로 연결된 2개의 홀더(1)를 도시한다. 각각의 홀더(1)는 사용된 레이저 파장에 대해 투명한 재료로 이루어진 상부 프레임(9) 및 하부 프레임(10)을 포함한다. 예컨대, 석영이 적합한 재료로 고려된다. 가열될 실리콘 기판(11)은 2개의 프레임들(9, 10) 사이에 배치된다.
도 4 및 도 5에는 직사각형 윤곽을 가진 실리콘 기판(11)이 도시된다. 실리콘 기판이 개략적으로 도시된 것과 달리 정사각형 윤곽을 가질 수 있다.
홀더는 또한 2개의 클램프들(12)을 포함하고, 상기 클램프들은 프레임(9, 10)을 상부로부터 그리고 하부로부터 실리콘 기판(11)에 가압한다. 도 4는 클램프들(12)이 각각 최대로 실리콘 기판(11)의 에지(13)에까지 돌출하지만, 이것을 지나 돌출하지 않을 정도로만 외부로부터 프레임(9, 10) 상으로 돌출한다. 이로 인해, 실리콘 기판(11)의 상부면 및 하부면에 전체 면으로 및 부분적으로 프레임(9, 10)을 통해 레이저 방사선(6a, 6b)이 제공될 수 있다.
대안적 실시예가 도 5에 도시된다. 여기서는 중앙 리세스를 가진 환형 프레임들(9, 10) 대신에, 중앙 리세스가 없는 플레이트들(14, 15)이 사용된다. 실리콘 기판(11)의 상부면 및 하부면에 레이저 방사선(6a, 6b)을 제공하는 것은 플레이트들(14, 15)을 통해서만 이루어진다.
1 홀더
2 연결 수단
6a, 6b 레이저 방사선
9, 10 프레임
14, 15 플레이트

Claims (17)

  1. 태양 전지, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘 태양 전지의 원판형 기본 재료의 열처리 방법에서,
    적어도 하나의 방법 단계에서 상기 기본 재료, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘이 레이저 방사선(6a, 6b)에 의해 열처리되는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  2. 제 1항에서, 상기 기본 재료의 상부면 및 하부면에 동시에 상기 레이저 방사선(6a, 6b)이 제공되는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에서, 상기 레이저 방사선(6a, 6b)은 시간에 따라 구조화된 펄스들로 이루어지거나 또는 시간에 따라 구조화된 펄스들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에서, 상기 기본 재료의 상기 상부면 및/또는 상기 하부면의 전체 면에 동시에 상기 레이저 방사선(6a, 6b)이 제공되는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에서, 상기 기본 재료의 상기 상부면 및/또는 상기 하부면은 전체 면에 걸쳐 연속적으로 움직이는, 상기 레이저 방사선(6a, 6b)의 선형 강도 분포에 의해 부하를 받는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에서, 상기 기본 재료의 상기 상부면 및/또는 상기 하부면에 중앙에서는 상기 레이저 방사선(6a, 6b)의 더 큰 강도가 그리고 에지에서는 상기 레이저 방사선(6a, 6b)의 더 작은 강도가 제공되는 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에서, 상기 기본 재료의 상기 상부면에 제 1 레이저 방사선(6a)이 제공되고, 상기 기본 재료의 상기 하부면에 제 2 레이저 방사선(6b)이 제공되며, 상기 제 1 및 제 2 레이저 방사선(6a, 6b)은 상기 기본 재료의 상기 상부면 및 상기 하부면에서 상이한 프로세스를 실시하기 위해 하나 또는 다수의 특성과 관련해서 상이한 것을 특징으로 하는, 열처리 방법.
  8. 태양 전지, 특히 결정질 또는 다결정질 실리콘 태양 전지의 원판형 기본 재료의 열처리 장치로서, 특히 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 방법을 실시할 수 있는 열처리 장치에서,
    상기 장치는 적어도 하나의 레이저 광원(4a, 4b)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  9. 제 8항에서, 상기 장치는 상기 원판형 기본 재료용 적어도 하나의 홀더(1)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  10. 제 9항에서, 상기 적어도 하나의 홀더(1)는 적어도 부분적으로 사용된 레이저 방사선(6a, 6b)의 파장 범위에서 투명한 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에서, 상기 적어도 하나의 홀더(1)는 적어도 부분적으로 석영으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  12. 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에서, 상기 적어도 하나의 홀더(1)는 상기 사용된 레이저 방사선(6a, 6b)의 파장 범위에서 투명한 재료로 이루어진 하나, 바람직하게는 2개의 프레임(9, 10)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  13. 제 12항에서, 가열될 기본 재료가 상기 2개의 프레임들(9, 10) 사이에 지지될 수 있는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  14. 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에서, 상기 적어도 하나의 홀더(1)는 상기 사용된 레이저 방사선(6a, 6b)의 파장 범위에서 투명한 재료로 이루어진 하나, 바람직하게는 2개의 플레이트(14, 15)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  15. 제 14항에서, 가열될 기본재료가 상기 2개의 플레이트들(14, 15) 사이에 지지될 수 있는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  16. 제 9항 내지 제 15항 중 어느 한 항에서, 상기 장치는 적합한 연결 수단(2)에 의해 서로 연결된 다수의 홀더들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
  17. 제 8항 내지 제 16항 중 어느 한 항에서, 상기 장치는 광학 수단들(5a, 5b)을 포함하고, 상기 광학 수단들은 상기 적어도 하나의 레이저 광원(4a, 4b)으로부터 나온 상기 레이저 방사선(6a, 6b)을 상기 기본 재료의 상기 상부면 및/또는 하부면 상에 제공할 수 있는 것을 특징으로 하는, 열처리 장치.
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