JP2012064742A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保持部7に保持された半導体ウェハーWにハロゲンランプHLからハロゲン光を照射して予備加熱を行ったときに、周縁部の温度が中心部よりも低下する。保持部7に保持された半導体ウェハーWの中心直下に配置されたレーザ光出射部45から半導体ウェハーWの周縁部に向けてレーザ光を出射しつつ、そのレーザ光出射部45を半導体ウェハーWの中心線CXを回転中心として回転モータ44によって回転させている。このため、レーザ光出射部45から出射されたレーザ光の照射スポットが半導体ウェハーWの裏面周縁部に沿って円形軌道を描くように旋回する。その結果、相対的に温度の低下した半導体ウェハーWの周縁部の全体が均一に加熱されることとなり、半導体ウェハーWの面内温度分布を均一にすることができる。
【選択図】図9
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図13は、第2実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図13において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第2実施形態の補助照射部40は、第1実施形態の構成に加えてカム機構を備えている。すなわち、第2実施形態の補助照射部40は、回転モータ44に固設された従動節47および従動節47に当接するカム46を備える。なお、第2実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40にカム機構を備えている点を除いては第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図15は、第3実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図15において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第3実施形態の補助照射部40は、第1,2実施形態のレーザ光出射部45に代えて、ガルバノミラー49を備えている。ガルバノミラー49は、2枚のミラーを個別に駆動電圧に応じた量だけ回動させることによって、入射されたレーザ光を反射しつつ2次元面内で(XY方向に)走査させることができる。なお、第3実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40がレーザ光出射部45に代えてガルバノミラー49を備えている点を除いては第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図16は、第4実施形態における補助照射部40の構成を示す図である。図16において、図9と同一の要素については同一の符号を付している。第4実施形態の補助照射部40は、半導体ウェハーWの裏面周縁部に向けてアーク光を照射する。なお、第4実施形態の熱処理装置1の構成は、補助照射部40の構成を除いて第1実施形態と同様である。また、熱処理装置1における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と概ね同じである。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第2実施形態においては、カム機構によってレーザ光出射部45を上下動させるようにしていたが、これに限定されるものではなく、エアシリンダーやアクチュエータなどの他の昇降駆動機構によってレーザ光出射部45を鉛直方向に沿って往復移動させるようにしても良い。
2 シャッター機構
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
40 補助照射部
41 レーザユニット
42 光ファイバー
43,144 レンズ
44 回転モータ
45 レーザ光出射部
45a 投光部
45b 導光部
46 カム
47 従動節
49 ガルバノミラー
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
70 サセプタ
74 保持プレート
91 トリガー電極
141 アークランプ
142 楕円ミラー
143 反射板
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
LP 照射スポット
W 半導体ウェハー
Claims (7)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を水平姿勢にて下方より保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に上方よりフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記保持手段に保持された基板のうちの他の領域よりも温度が低い一部領域に光を照射する補助照射手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記保持手段は石英にて形成され、
前記保持手段に保持された基板に下方から光照射を行って予備加熱するハロゲンランプをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記補助照射手段は、前記保持手段に保持された基板の前記一部領域に下方からレーザ光を照射するレーザ光照射手段を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記レーザ光照射手段は、
前記保持手段に保持された基板の中心直下に配置され、当該基板の周縁部に向けてレーザ光を出射するレーザ光出射部と、
前記レーザ光出射部を前記基板の中心線を回転中心として回転させる回転部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記レーザ光照射手段は、前記回転部によって回転される前記レーザ光照射手段を上下方向に沿って往復移動させる昇降部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記レーザ光照射手段は、
出射したレーザ光を前記保持手段に保持された基板の面内にて走査させるレーザ光走査部を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記補助照射手段は、前記保持手段に保持された基板の周縁部に向けて円環状にアーク光を照射するアーク光照射手段を含むことを特徴とする熱処理装置。
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