KR20120119220A - 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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KR20120119220A KR1020110032243A KR20110032243A KR20120119220A KR 20120119220 A KR20120119220 A KR 20120119220A KR 1020110032243 A KR1020110032243 A KR 1020110032243A KR 20110032243 A KR20110032243 A KR 20110032243A KR 20120119220 A KR20120119220 A KR 20120119220A
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조정호
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Abstract

본 발명은 특정 구조의 폴리이미드 수지; 광개시제; 가교제; 및 유기 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물; 및 이러한 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전자 소자에 관한 것으로서, 상기 감광성 수지 조성물에 의하면 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성을 나타내며, 우수한 기계적 물성 및 높은 현상성을 가지면서도 초미세화된 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지를 얻을 수 있다.

Description

감광성 수지 조성물 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}
본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성을 나타내며, 우수한 감광성과 내열성, 높은 현상성 및 우수한 기계적 물성을 가지면서도 초미세화된 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
감광성 수지는 각종 정밀 전자ㆍ정보 산업제품 생산에 실용화된 대표적인 기능성 고분자 재료로서, 현재 첨단 기술 산업, 특히 반도체 및 디스플레이의 생산에 중요하게 이용되고 있다. 일반적으로 감광성 수지는 광조사에 의하여 단시간내에 분자 구조의 화학적 변화가 일어나 특정 용매에 대한 용해도, 착색, 경화 등의 물성의 변화가 생기는 고분자 화합물을 의미한다. 감광성 수지를 이용하면 미세정밀 가공이 가능하고, 열반응 공정에 비하여 에너지 및 원료를 크게 절감할 수 있으며, 작은 설치 공간에서 신속하고 정확하게 작업을 수행할 수 있어서, 첨단 인쇄 분야, 반도체 생산, 디스플레이 생산, 광경화 표면 코팅 재료 등의 각종 정밀 전자ㆍ정보 산업 분야에서 다양하게 사용되고 있다.
이러한 감광성 수지는 크게 네가티브형 및 포지티브형으로 나눌 수 있는데, 네가티브형의 감광성 수지는 광조사된 부분이 현상액에 불용화하는 타입이고, 포지티브형의 감광성 수지는 광조사된 부분이 현상액에 가용화되는 타입이다. 특히, 상기 네가티브형 감광성 수지는 현상시 불명확하게 제거되는 부분이 매우 적으며 매우 높은 감광 특성과 우수한 내열성을 나타내는 특성이 있다. 다만, 이러한 네가티브형 감광성 수지는 일반적으로 유기 용매를 사용하여 현상을 하는데, 이전의 감광성 수지들이 낮은 현상성을 가져서 과량의 유기 용매가 사용되었으며, 이에 따라 상기 유기 용매의 후처리 비용이 증가하고 공정의 안정성이 저하되는 문제점이 있었다.
한편, 최근 전자 기기가 고집적화 및 미세패턴화 되면서, 불량률을 극소화할 수 있고 처리 효울과 해상도를 높일 수 있는 감광성 수지가 요구되고 있다. 이에 따라, 다양한 형태의 감광성 수지, 예를 들어 폴리아미드 산 또는 폴리아믹산 등을 감광성 수지에 사용하는 방법이 소개되었다. 그러나, 폴리아미드산은 공기 중의 물 등에 의하여 쉽게 가수 분해되어 보존성 및 안정성이 충분하지 않았으며, 폴리아믹산은 적용되는 기판 등에 대한 밀착성이 낮고 고온의 적용에 따라 전기 배선이나 기판의 물성을 저하시키는 문제점이 있었다. 또한, 다른 형태의 감광성 수지들도 최종적으로 경화된 상태에서의 내약품성, 내열성, 전기적 특성이 충분하지 않거나, 금속 기판에 대한 밀착성이 충분하지 않아서 현상 또는 경화 과정에서 기판으로부터 박리되는 문제점이 있었다.
이에 따라서, 기존 재료의 한계를 극복하는 새로운 형태의 감광성 수지 재료, 즉 탁월한 기계적 물성을 가지면서도 초미세화된 패턴의 형성할 수 있고, 우수한 현상성 및 기판에 대한 밀착성을 갖는 감광성 수지 재료의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성을 나타내며, 우수한 감광성과 내열성, 높은 현상성 및 우수한 기계적 물성을 가지면서도 초미세화된 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전자 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 특정 구조의 폴리이미드 수지; 광개시제; 가교제; 및 유기 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 감광성 수지 조성물 및 전기 소자에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식1의 폴리이미드 수지; 광개시제; 가교제; 및 유기 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물이 제공될 수 있다.
[화학식1]
Figure pat00001
상기 화학식1에서, X1, X2는 4가의 유기기로서 서로 동일하거나 상이하고, Y는 2가의 유기기이며, E1,E2는 각각 티올(thiol)기를 포함하는 작용기, 바람직하게는 페놀성 티올기를 포함하는 작용기이며, n은 2 내지 500의 정수일 수 있다.
본 발명자들은, 상기 특정의 구조의 폴리이미드 수지를 포함하는 감광성 수지가 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판, 예를 들어, Au, Cu, Ni, Ti 등의 금속 기판이나 SiO2, SiNx 등의 무기질 기판, 특히 Au기판에 대하여 높은 밀착성을 구현할 수 있고, 우수한 내열성, 내열성 또는 내약품성 등의 향상된 기계적 물성 및 높은 현상성을 가지며, 초미세화된 패턴을 용이하게 형성할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다.
특히, 상기 화학식1의 폴리이미드는 말단에 티올기를 포함하는 작용기, 특히 페놀성 티올기를 포함하는 작용기가 도입됨으로서 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성과 함께 우수한 기계적 물성을 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 티올기를 포함하는 작용기가 가교제와 가교 결합을 이루면서 망상 구조의 고분자 수지를 형성할 수 있는데, 이러한 망상 구조로 인하여 내열성 내약품성 또는 내구성 등의 기계적 물성이 향상되며, 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대한 밀착성도 높아지게 된다.
또한, 상기 화학식1의 폴리이미드의 말단에 도입된 티올기를 포함하는 작용기, 특히 페놀성 티올기를 포함하는 작용기는 알카리성 현상액에 대한 용해성을 높일 수 있어서, 과량의 현상액을 사용하지 않고도 전 영역에 걸쳐 명확한 제거(스트리핑)가 일어날 수 있게 한다. 이전의 감광성 수지에 사용되는 폴리이미드는 현상성을 높이기 위해서 일정한 작용기, 예를 들어 카르복실기 또는 페놀성 히드록시기 등을 도입하거나 페놀 수지를 첨가하여 사용되었는데, 이에 의하면 현상 이후에 감광성 수지막에 불필요한 잔류물이 남게 되어 최종 제품의 품질 및 신뢰성이 저하되는 문제가 있었다. 이에 반하여, 상기 상기 화학식1의 폴리이미드는 추가적인 작용기의 도입이나 다른 수지의 사용 없이 말단에 티올기를 포함하는 작용기, 바람직하게는 페놀성 티올기를 포함하는 작용기를 도입하는 것만으로도 높은 현상성을 구현할 수 있어서, 제조되는 감광성 수지막의 품질 및 신뢰성을 높일 수 있다.
상기 폴리이미드 수지는 1,000 내지 500,000, 바람직하게는 5,000내지 100,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 중량평균분자량이 1,000미만인 경우에는 상기 폴리이미드 공중합체를 적용시 원하는 코팅성 및 기계적 물성의 구현이 어려울 수 있으며, 500,000초과인 경우에는 현상액에 대한 용해성이 낮아져 감광성 재료로서 적용이 어려워질 수 있다.
한편, 상기 화학식1에서 E1,E2는 각각 티올(thiol)기를 포함하는 작용기일 수 있으며, 구체적으로 각각 티올(thiol)기가 도입된 방향족 고리, 바람직하게는 페놀성 티올기를 포함하는 작용기일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 E1,E2는 각각 하기 화학식2의 작용기일 수 있다.
[화학식2]
Figure pat00002
상기 화학식2에서, R은 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬이며, m은 2 내지 4의 정수이며, l은 1 내지 3의 정수이고, m+l=5이다.
상기 화학식1에서, X1, X2는 4가의 유기기로서 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 구체적으로 상기 X1, X2는 각각 1 내지 3개의 방향족 고리 또는 지방족 고리를 포함하는 4가의 유기기; 또는 탄소수 1 내지 5의 4가 지방족 유기기일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 X1, X2는 각각 하기 화학식 4내지 18으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기일 수 있다.
[화학식4]
Figure pat00003
[화학식5]
Figure pat00004
[화학식6]
Figure pat00005
[화학식7]
Figure pat00006
[화학식8]
Figure pat00007
[화학식9]
Figure pat00008
[화학식10]
Figure pat00009
[화학식11]
Figure pat00010
[화학식12]
Figure pat00011
[화학식13]
Figure pat00012
[화학식14]
Figure pat00013
[화학식15]
Figure pat00014
[화학식16]
Figure pat00015
[화학식17]
Figure pat00016
[화학식18]
Figure pat00017
상기 화학식1에서, Y는 2가의 유기기 일 수 있고, 구체적으로 바람직하게는 1 내지 5개의 방향족 고리를 포함하는 2가의 유기기, 1 내지 3개의 지방족 고리를 포함하는 2가의 유기기, 에테르 또는 에스터 작용기를 갖는 2가의 유기기 또는 2가의 폴리실록산계 작용기일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 Y는 하기 화학식 30내지 47 로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기일 수 있다.
[화학식30]
Figure pat00018
[화학식31]
Figure pat00019
[화학식32]
Figure pat00020
[화학식33]
Figure pat00021
[화학식34]
Figure pat00022
[화학식35]
Figure pat00023
[화학식36]
Figure pat00024
[화학식37]
Figure pat00025
[화학식38]
Figure pat00026
[화학식39]
Figure pat00027
[화학식40]
Figure pat00028
[화학식41]
Figure pat00029
[화학식42]
Figure pat00030
[화학식43]
[화학식44]
Figure pat00032
[화학식45]
Figure pat00033
[화학식46]
Figure pat00034
상기 화학식46에서, R1은 탄소수 2 내지 8의 알킬렌 또는 아릴렌이고, R2는 탄소수 2 내지 8의 알킬렌이고, a,b는 각각 0 또는 1이고, c는 1 내지 21의 정수일 수 있다.
[화학식47]
Figure pat00035
또한, 상기 화학식47에서, d는 1 내지 12의 정수일 수 있다.
한편, 상기 광개시제(photo-initiator)로는 감광성 수지 조성물에 통상적으로 사용될 수 있는 것으로 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으며, 사용되는 자외선의 파장을 고려하여 광개시제를 적절하게 선택할 수 있다. 이러한 광개시제로는, 예를 들어 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물, 옥심계 화합물 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 광중합 개시제의 구체적인 예로, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)-페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인메틸 에테르, 벤조인에틸 에테르, 벤조인이소부틸 에테르, 벤조인부틸 에테르, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-(4-메틸티오)페닐-2-몰폴리노-1-프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰폴리노페닐)-부탄-1-온, 또는 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰폴리노프로판-1-온 등의 아세토페논계(acetophenone) 화합물;
2,2-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐 비이미다졸, 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라키스(3,4,5-트리메톡시페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐 비이미다졸, 또는 2,2'-비스(o-클로로페닐)-4,4,5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등의 비이미다졸계(biimidazole) 화합물;
3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피오닉 산, 1,1,1,3,3,3-헥사플로로이소프로필-3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피오네이트, 에틸-2-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}아세테이트, 2-에폭시에틸-2-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}아세테이트, 시클로헥실-2-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}아세테이트, 벤질-2-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}아세테이트, 3-{클로로-4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피오닉 산, 3-{4-[2,4-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진-6-일]페닐티오}프로피온아미드, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(1-p-디메틸아미노페닐)-1,3,-부타디에닐-s-트리아진, 또는 2-트리클로로메틸-4-아미노-6-p-메톡시스티릴-s-트리아진 등의 트리아진계 화합물; 및 일본 시바사의 CGI-242, CGI-124 등의 옥심계 화합물 등을 들 수 있다.
한편, 상기 가교제로는 네가티브형 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것으로 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 광중합성 화합물을 포함할 수 있다. 상기 '에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 광중합성 화합물'은 분자 내에 1개 이상의 탄소간 이중 결합을 포함하고 광중합 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 의미한다.
또한, 상기 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 광중합성 화합물은 상기 폴리이미드 수지 말단에 도입된 티올기와 가교 결합을 이루어서 망상 구조의 고분자 수지를 형성할 수 있으며, 이러한 망상 구조로 인하여 형성된 감광성 수지의 가교도가 최적으로 유지되어 내열성, 내약품성 또는 내구성 등의 기계적 물성과 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대한 밀착성을 향상시킬 수 있으며, 노광 및 현상 공정 진행 후에 노광된 부분의 잔막율을 매우 우수하게 유지할 수 있다.
이러한 '에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 광중합성 화합물'의 예로는, 에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 에틸렌기의 수가 2 내지 14인 폴리에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 2-트리스아크릴로일옥시메틸에틸프탈산, 프로필렌기의 수가 2 내지 14인 프로필렌 글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메타)아크릴레이트의 산성 변형물과 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트의 혼합물의 다가 알콜을 α,β-불포화 카르복실산으로 에스테르화하여 얻어지는 화합물; 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르아크릴산 부가물, 비스페놀 A 디글리시딜에테르아크릴산 부가물 등의 글리시딜기를 함유하는 화합물에 (메타)아크릴산을 부가하여 얻어지는 화합물;
β-히드록시에틸(메타)아크릴레이트의 프탈산디에스테르, β-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트의 톨루엔 디이소시아네이트 부가물 등의 수산기 또는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 다가 카르복실산과의 에스테르 화합물, 또는 폴리이소시아네이트와의 부가물이며;[여기서 상기 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물로는 알릴 글리시딜 에테르, 글리시딜 (메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 5-노보넨-2-메틸-2-카복실레이트(엔도, 엑소 혼합물), 1,2-에폭시-5-헥센, 1,2-에폭시-9-데센 또는 이들의 혼합물]
메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 및 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트
로 이루어진 그룹으로부터 선택된 (메타)아크릴산 알킬에스테르;
및 9,9'-비스[4-(2-아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 등을 들 수 있다.
한편, 상기 유기 용매로, 상기 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것으로 알려진 유기 용매는 별 다른 제한 없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피오네이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP), 에틸락테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), γ-부티로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌 글리콜디메틸에테르, 다이글라임(Diglyme), 테트라하이드로퓨란(THF), 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소-프로판올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸 에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄 및 옥탄 중에서 선택된 용매를 단독으로 또는 2종 이상을 혼합한 용매를 사용할 수 있다.
한편, 상기 감광성 수지 조성물은 상기 폴리이미드 수지 100중량부에 대하여, 상기 광개시제 0.1내지 10 중량부; 상기 가교제 10내지 200 중량부; 및 상기 유기 용매 20 내지 2000 중량부를 포함할 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 100중량부에 대하여 상기 광중합 개시제의 함량이 0.1 중량부 미만일 경우 광개시제의 광경화 참여도가 떨어지며, 10 중량부를 초과할 경우 경화에 참여하지 못한 라디칼이 감광성 수지 조성물로부터 제조된 감광성 수지의 물성을 저하시킬 수 있다.
상기 폴리이미드 수지 100중량부에 대하여 상기 가교제의 함량이 10 중량부 미만일 경우 현상 특성 및 패턴 채움성이 저하되며, 200 중량부를 초과할 경우 내열성 저하 및 감광성 수지의 기계적 특성이 저하될 수 있다.
상기 유기 용매를 상기 함량 범위로 사용하는 경우, 충분한 두께의 패턴을 형성할 수 있으며, 용해도 및 코팅성도 우수하여 바람직하다.
한편, 상기 감광성 수지 조성물은 접착력 증진제, 계면 활성제, 소포제, 레벨링제, 겔 방지제 또는 이들의 혼합물 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 접착력 증진제로 에폭시, 카르복실기 또는 이소시아네이트 등의 작용기를 갖는 실란 커플링제를
사용하는 것이 바람직하며, 이의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴 벤조산(trimethoxysilyl benzoic acid),
트리에톡시실릴벤조산(triethoxysilyl benzoic acid),
감마-이소시아네이토프로필트리메톡시실란(γ-isocyanatopropyltrimethoxysilane),
감마-이소시아네이토프로필트리에톡시실란(γ-isocyanatopropyltriethoxysilane),
감마-글리시독시프로필트리메톡시실란(γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilane),
감마-글리시독시프로필트리에톡시실란(γ-Glycidoxypropyltriethoxysilane) 또는 이들의 혼합물 등이 있다.
이러한 접착력 증진제는 상기 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다.
상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있는 것을 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용 가능하나, 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 계면활성제는 상기 폴리이미드 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
한편, 상기 감광성 수지 조성물은 비노광부가 현상 되는 네가티브형인 것이 바람직하다. 상기 네가티브형 감광성 수지는 현상시 불명확하게 제거되는 부분이 매우 적으며 매우 높은 감광 특성과 함께 우수한 기계적 물성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 네가티브형 감광성 수지 조성물은 불량률을 극소화할 수 있고 처리 효울과 해상도를 높일 수 있기 때문에, 고집적화 및 미세패턴화 된 전자 소자에 용이하게 적용할 수 있다.
한편, 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전기 소자가 제공될 수 있다.
상기 유기 절연막 또는 감광성 패턴은, 말단에 티올기를 포함하는 작용기, 바람직하게는 페놀성 티올기를 포함하는 작용기가 도입된 특정 구조의 폴리이미드를 포함하여, 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판, 예를 들어Au, Cu, Ni, Ti 등의 금속 기판이나 SiO2, SiNx 등의 무기질 기판, 특히 Au기판에 대하여 높은 밀착성을 구현할 수 있으면서도, 우수한 내열성, 절연성 또는 내약품성 등의 향상된 기계적 물성을 가질 수 있다.
따라서, 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전기 소자는, 고해상도, 고감도 등의 우수한 성능을 구현할 수 있고 우수한 필름 특성 및 높은 기계적 물성을 나타낼 수 있을 뿐만 아니라, 우수한 내열 특성, 예를 들어, 장기간 사용 하거나 또는 고온 조건에서 장시간 노출되더라도 유기 절연막 또는 감광성 패턴의 밀착성이 저하되지 않고 견고하게 유지될 수 있는 특성을 구현할 수 있다.
상기 유기 절연막은 반도체 장치 또는 디스플레이 장치의 각종 절연막, 예들 들어, 층간 절연막, 표면보호막, 전극보호층 버퍼 코트막 또는 패시베이션막 등을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 전기 소자는 반도체 장치 또는 디스플레이 장치의 각종 부품을 포함할 수 있다.
한편, 상기 유기 절연막 또는 감광성 패턴은, 상기 감광성 수지 조성물을 지지 기판 위에 도포하고 건조하여 수지막을 형성하는 단계; 상기 수지막을 노광하는 단계; 상기 노광된 수지막을 현상액으로 현상하는 단계 및 상기 현상된 감광성 수지막을 가열 처리하는 단계를 통하여 형성될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물을 이용하면, 유리, 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 패턴화된 감광성 수지막을 용이하게 형성할 수 있는데, 이때 상기 감광성 수지 조성물을 도포하는 방법으로는 스핀 코팅(spin coating), 바 코팅(bar coating), 스크린 프린팅(screen printing) 등을 이용할 수 있다.
상기 감광성 수지막의 형성 과정에서 사용될 수 있는 지지 기판은 전자 통신 분야나 반도체 또는 디스플레이 관련 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 알려진 것이면 별 다른 제한 없이 사용 가능하나, 그 구체적인 예로 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 금속 기판, 세라믹 기판, 고분자 기판 등을 들 수 있다.
상기 도포 이후의 건조 과정에서는, 50 내지 150℃에서 1 내지 20 분 정도 전가열(prebaking)하여 용매를 휘발시킴으로서, 전가열막(prebaked film)을 형성할 수 있다. 상기 건조 온도가 너무 낮으면 잔류하는 용매의 양이 너무 많아져서 현상 시 비노광 영역에도 막 손실이 일어나 잔막이 낮아질 수 있고, 상기 건조 온도가 너무 높으면 경화반응이 촉진되어 노광 영역이 현상되지 않을 수 있다.
상기 수지막을 노광하는 단계에서는 가공하고자 하는 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 200~500nm파장의 자외선 또는 가시 광선을 조사할 수 있고, 조사시 노광량은 10 내지 4,000 mJ/㎠ 이 바람직하다. 노광 시간도 특별히 한정되는 것이 아니고, 사용 되는 노광 장치, 조사 광선의 파장 또는 노광량에 따라 적절히 변화시킬 수 있으며, 구체적으로 노광 시간은 5~250초의 범위내에서 변화시킬 수 있다.
상기 감광성 수지막의 형성 단계에서는 반도체 또는 디스플레이 생산 단계에서 사용 가능한 것으로 통상적으로 알려진 현상액을 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 사용 되는 기판에 대하여 높은 밀착성을 나타내며, 우수한 기계적 물성 및 높은 현상성을 가지면서도 초미세화된 패턴을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물 및 상기 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전자 소자가 제공될 수 있다.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
< 합성예 : 폴리이미드 공중합체의 합성>
합성예1 : 폴리이미드 공중합체(P-1)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스 주입장치 및 냉각기가 설치된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서, 3,4-디아미노페닐에테르[3,4-diaminophenylether] 3.5g(17.5mmol)과 폴리(1,4-부탄디올)비스(4-아미노벤조에이트)[Poly-(1,4-butanediol)bis(4-aminobenzoate), Mn=470, Cas No. 54667] 12.93g(27.5 mmol)을 감마뷰티로락톤(GBL) 120mL에 녹였다.
그리고, 상기 용액에 3,3',4,4'-옥시디프탈산 이무수물(3,3',4,4'-Oxydiphthalic anhydride) 18.60g(60 mmol)을 0℃에서 천천히 첨가한 후, 실온에서 2시간 가량 교반하였다. 이후, 4-아미노티오페놀(4-amino thiophenol) 3.75g(30 mmol)을 첨가한 후, 실온에서 8시간 가량 추가로 교반하였다. 상기 교반 이후, 반응물에 피리딘 7.3g과 아세트산 무수물 17.3g을 첨가하고, 반응 온도를 60℃로 승온하고 5시간 가량 교반하였다. 반응이 종결된후, 반응 용액을 교반하고 있는 과량의 증류수(2L)에 적하하여 침전물을 생성시켰다. 얻어진 침전물은 감압 여과하여 분리해내고 물로 3회 세척한 후, 100℃ 진공 조건에서 24시간 가량 건조하여 폴리이미드 공중합체(P-1)를 얻었다.
이러한 폴리이미드 공중합체의 분자량은 디메틸포름아마이드(DMF) 용매 하에서 GPC(Gel permeation chromatography)를 통해 측정하였으며, 측정 결과 수평균분자량(Mn)이 12,300이고, 중량평균분자량(Mw)이 21,000으로 나타났다.
합성예2 : 폴리이미드 공중합체(P-2)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스 주입장치 및 냉각기가 설치된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서, 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-Oxydianiline) 7g(35 mmol)과 폴리(1,4-부탄디올)비스(4-아미노벤조에이트)[Poly-(1,4-butanediol)bis(4-aminobenzoate), Mn=470, Cas No. 54667] 4.7g(10.0 mmol)을 감마뷰티로락톤(GBL) 120mL에 녹였다.
그리고, 상기 용액에 1,2,3,4-부탄테르라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride) 11.89g(60 mmol)을 0℃에서 천천히 첨가한 후, 실온에서 2시간 가량 교반하였다. 이후, 4-아미노티오페놀(4-aminothiophenol) 5.0g(40 mmol)을 첨가한 후, 실온에서 8시간 가량 추가로 교반하였다. 상기 교반 이후, 반응물에 피리딘 7.3g과 아세트산 무수물 17.3g을 첨가하고, 반응 온도를 60℃로 승온하고 5시간 가량 교반하였다. 반응이 종결된 후, 반응 용액을 교반하고 있는 과량의 증류수(2L)에 적하하여 침전물을 생성시켰다. 얻어진 침전물은 감압 여과하여 분리해내고 물로 3회 세척한 후, 100℃ 진공 조건에서 24시간 가량 건조하여 폴리이미드 공중합체(P-1)를 얻었다.
이러한 폴리이미드 공중합체의 분자량은 디메틸포름아마이드(DMF) 용매 하에서 GPC(Gel permeation chromatography)를 통해 측정하였으며, 측정 결과 수평균분자량(Mn)이 10,500이고, 중량평균분자량(Mw)이 18,000으로 나타났다.
합성예3 : 폴리이미드 공중합체(P-3)의 합성
상기 합성예2에서 1,2,3,4-부탄테르라카르복실산 이무수물(1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride) 11.89g(60 mmol) 대신에, 4,4'-(헥사플루오르이소프로필리덴)디프탈산 이무수물 (4,4'-Hexafluoroisopropylidene) diphthalic dianhydride) 5.95g(30 mmol)을 사용한 점을 제외하고, 합성예2와 동일한 방법으로 폴리이미드 공중합체(P-3)를 제조하였다.
얻어진 폴리이미드 공중합체(P-3)의 수평균분자량은 12,000이고, 무게평균분자량은 19,500이였다.
합성예4 : 폴리이미드 공중합체(P-4)의 합성
상기 합성예1에서 4-아미노티오페놀(4-aminothiophenol) 3.75g(30 mmol) 대신 아닐린 2.79g(30 mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 수지 P-4를 제조하였다.
얻어진 폴리이미드 공중합체(P-4)의 수평균분자량은 12,000이고, 무게평균분자량은 20,000이였다.
합성예5 : 폴리이미드 공중합체(P-5)의 합성
상기 합성예2에서 4-아미노티오페놀(4-aminothiophenol) 5.0g(40 mmol) 대신 4-아미노페놀 4.36g(40 mmol)을 사용하는 것을 제외하고는 합성예 1과 동일한 방법으로 폴리이미드 수지 P-4를 제조하였다.
얻어진 폴리이미드 공중합체(P-4)의 수평균분자량은 10,000이고, 무게평균분자량은 17,000이였다.
< 실시예 : 감광성 수지 조성물의 제조>
실시예1
합성예1의 폴리이미드 수지(P-1) 1.441g, 광중합개시제인 Irgacure 369 (Ciba Specialty chemical사) 0.05g, 가교제 DPEA-12(Nippon Kayaku 사) 1.009g, 유기용매 MEDG(Diethyleneglycol methyethyl ether) 4.55g에 녹인 후, DC-190(Toray Dow Corning사) 0.05g을 혼합하고 실온에서 1시간 동안 교반하였다. 교반 종류 후, 얻어진 결과물을 세공 0.45um인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예2
실시예 1에서 가교제 DPEA-12대신 Kayard DPHA(Nippon Kayaku 사)를 사용한 것을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예3
상기 실시예 1에서 폴리이미드 공중합체(P-1) 대신에 합성예2의 폴리이미드 공중합체(P-2)을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예4
상기 실시예 1에서 폴리이미드 공중합체(P-1) 대신에 합성예2의 폴리이미드 공중합체(P-2)을 사용하고 광중합개시제인 Irgacure 369 대신에 Irgacure 907 (Ciba Specialty chemical사)을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예5
상기 실시예 1에서 폴리이미드 공중합체(P-1) 대신에 합성예3의 폴리이미드 공중합체(P-3)을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
< 비교예 : 감광성 수지 조성물의 제조>
비교예1
상기 실시예 1에서 폴리이미드 공중합체(P-1) 대신에 합성예4의 폴리이미드 공중합체(P-4)을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
비교예2
상기 실시예 1에서 폴리이미드 공중합체(P-1) 대신에 합성예5의 폴리이미드 공중합체(P-5)을 사용한 점을 제외하고, 실시예1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
< 실험예 >
실험예1 : 감광성 수지막의 형성
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 방식을 이용하여 4인치 실리콘 웨이퍼 위에 도포한 후, 120℃온도에서 2분간 건조하여 3.5 um두께의 감광성 수지막이 형성된 기판을 얻었다.
그리고, 미세 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 브로드밴드 얼라이너(Broadband aligner) 노광 장치에서 50-200 mJ/㎠의 에너지로 노광하였다. 이후, 노광된 실리콘 웨이퍼를 2.38중량% 테트라메틸 암모늄 수산화 수용액에서 90초간 현상하고 초순수로 세척한 후, 질소 하에서 건조하여 상기 감광성 수지막에 패턴을 형성하였다.
이러한 감광성 수지막의 표면 거칠기 및 코팅 불량 특성[크랙(crack) 또는 핀홀(pin-hole) 등] 을 관찰하여 감광성 수지 조성물의 코팅성을 평가하였고, 5um의 미세 홀(hole) 패턴을 구현하는데 필요한 최소의 에너지(Eth) 및 패턴의 모양을 측정하여 감광성을 평가하였다. 이러한 평가결과를 하기 표1에 나타내었다.
실험예2 : 감광성 수지막의 밀착성 실험
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 방식을 이용하여 4인치 실리콘 웨이퍼 및 Au가 300nm두께로 도포된 실리콘 웨이퍼 기판에 각각 도포한 후, 120℃온도에서 2분간 건조하여 3.5um두께의 감광성 수지막이 형성된 기판을 얻었다.
그리고, 미세 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 브로드밴드 얼라이너(Broadband aligner) 노광 장치에서 50-200 mJ/㎠의 에너지로 상기 기판들을 노광하였다. 이후, 노광된 실리콘 웨이퍼를 2.38중량% 테트라메틸 암모늄 수산화 수용액에서 90초간 현상하고 초순수로 세척한 후, 질소 하에서 건조하여 상기 감광성 수지막에 패턴을 형성하였다. 상기 기판들을 질소 분위기의 고온 오븐에서 230℃온도에서 1시간 경화하여 최종 2.5um두께의 막을 얻었다.
상기 실리콘 웨이퍼 및 Au가 도포된 실리콘 웨이퍼에 대한 상기에서 형성된 감광성 수지막의 접착성을 TPC-TM-650방법을 사용한 테이핑 테스를 통하여 평가하였다. 보다 구체적으로, 테이핑 테스트 전용칼(Cross Hatch Cutter, YCC-230/1)을 이용하여 하부의 웨이퍼에는 손상이 가지 않게 하면서 상부의 감광성 수지막에만 10 X 10 격자 모양의 칼집을 낸 후(각각 격자의 크기는 100um), 니찌방(NICHIBANG) 테이프를 감광성 수지막 표면에 단단히 접착시켰다. 접착 60초 후에 테이프의 끝면을 180°꺽어서 동일한 힘으로 떼어내었다. 이때, 테이프와 함께 박리된 감광성 수지막의 격자수를 세어서 기판 밀착성을 평가하였다. 이러한 평가 결과를 하기 표1에 나타내었다.
실험예3 : 감광성 수지막의 내열성 실험
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 방식을 이용하여 4인치 실리콘 웨이퍼 위에 도포한 후, 120℃온도에서 2분간 건조하여 3.5um두께의 감광성 수지막이 형성된 기판을 얻었다.
그리고, 5um 미세 홀 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 브로드밴드 얼라이너(Broadband aligner) 노광 장치에서 50-200 mJ/㎠의 에너지로 노광하였다. 이후, 노광된 실리콘 웨이퍼를 2.38중량% 테트라메틸 암모늄 수산화 수용액에서 90초간 현상하고 초순수로 세척한 후, 질소 하에서 건조하여 상기 감광성 수지막에 패턴을 형성하였다.
상기 감광성 수지막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 230℃ 및 300℃에서 2시간씩 열처리한 후 패턴 모양의 변성 유무를 현미경 및 주사전자현미경(SEM)을 통하여 확인하였다. 이러한 관찰 결과를 통하여 감광성 수지막의 내열 특성을 평가하였으며, 평가 결과를 하기 표1에 나타내었다.
실험예4 : 감광성 수지막의 현상성 평가
상기 실험예 1내지 3에서 노광후 현상액에서 패턴이 형성되는 시간을 측정하여, 평균 현상 시간이 30초 미만이면 '상'으로 평가하였고, 30초 이상 60초 미만이면 '중'으로 평가하였으며, 60초 이상 90초 이하이면 '하'로 평가하였다.
실시예 및 비교예에 대한 물성 측정 결과
코팅성 감광성
(mJ/㎠)		 열적안정성 기판밀착성(박리된 격자수) 현상성
220℃ 300℃ 실리콘웨이퍼 Au도포된
실리콘웨이퍼
실시예1 양호 110 변성없음 변성없음 0 0 상
실시예2 양호 95 변성없음 변성없음 0 0 상
실시예3 양호 90 변성없음 변성없음 0 0 상
실시예4 양호 85 변성없음 변성없음 0 0 상
실시예5 양호 120 변성없음 변성없음 0 0 상
비교예1 양호 - - - - - 현상성없음
비교예2 양호 250 변성없음 변성발생 0 57 하
표1에 나타난 바와 같이, 실시예의 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막은 우수한 코팅성, 감광성, 열적 안정성, 기판 밀착성 및 현상성을 나타내는 것이 확인되었다. 구체적으로, 실시예의 감광성 수지 조성물을 사용하였을 때에는 5um의 미세 홀(hole) 패턴을 구현하는데 필요한 최소의 에너지(Eth)가 150 mJ/㎠이하로 나타났으며, 220℃ 또는 300℃의 고온 조건에서도 패턴 모양이 변성되지 않았으며, 실리콘 웨이퍼 또는 Au가 도포된 실리콘웨이퍼에 대하여도 높은 밀착성을 나타냈으며, 평균 현상 시간이 30초 미만이였다.
이에 반하여, 비교예의 감광성 수지 조성물은 일정 수준 이상의 코팅성을 나타내기는 하지만, 5um의 미세 홀(hole) 패턴을 구현하는데 필요한 최소의 에너지(Eth)가 250 mJ/㎠에 달하여 감광성이 상대적으로 낮으며, 300℃의 고온 조건에서 패턴에 변성이 발생하는 점이 확인되었다. 또한, 비교예의 감광성 수지 조성물은 Au가 도포된 실리콘웨이퍼에 대해서는 상대적으로 낮은 밀착성을 나타내었으며, 60초 이상의 평균 현상 시간을 가졌다.

Claims (15)

  1. 하기 화학식1의 폴리이미드 수지; 광개시제; 가교제; 및 유기 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식1]
    Figure pat00036

    상기 화학식1에서,
    X1, X2는 4가의 유기기로서 서로 동일하거나 상이하고,
    Y는 2가의 유기기이며,
    E1,E2는 각각 티올(thiol)기를 포함하는 작용기이며,
    n은 2 내지 500의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지가 1,000 내지 500,000의 중량평균분자량을 갖는 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 E1,E2는 각각 티올(thiol)기가 도입된 방향족 고리 작용기인 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 E1,E2는 각각 하기 화학식2의 작용기인 감광성 수지 조성물:
    [화학식2]
    Figure pat00037

    상기 화학식2에서,
    R은 수소, 할로겐 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬이며,
    m은 2 내지 4의 정수이며,
    l은 1 내지 3의 정수이고,
    m+l=5이다.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 X1, X2는 각각 1 내지 3개의 방향족 고리 또는 지방족 고리를 포함하는 4가의 유기기; 또는 탄소수 1 내지 5의 4가 지방족 유기기인 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 X1, X2는 각각 하기 화학식 4내지 18으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기인 감광성 수지 조성물:
    [화학식4]
    Figure pat00038

    [화학식5]
    Figure pat00039

    [화학식6]
    Figure pat00040

    [화학식7]
    Figure pat00041

    [화학식8]
    Figure pat00042

    [화학식9]
    Figure pat00043

    [화학식10]
    Figure pat00044

    [화학식11]
    Figure pat00045

    [화학식12]
    Figure pat00046

    [화학식13]
    Figure pat00047

    [화학식14]
    Figure pat00048

    [화학식15]
    Figure pat00049

    [화학식16]
    Figure pat00050

    [화학식17]
    Figure pat00051

    [화학식18]
    Figure pat00052

  7. 제1항에 있어서,
    상기 Y는 1 내지 5개의 방향족 고리를 포함하는 2가의 유기기; 1 내지 3개의 지방족 고리를 포함하는 2가의 유기기; 에테르 또는 에스터 작용기를 갖는 2가의 유기기; 및 2가의 폴리실록산계 작용기로 이루어진 군에서 선택된 하나인 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 Y는 하기 화학식 30내지 47 로 이루어진 군에서 선택된 하나의 작용기인 감광성 수지 조성물:
    [화학식30]
    Figure pat00053

    [화학식31]
    Figure pat00054

    [화학식32]
    Figure pat00055

    [화학식33]
    Figure pat00056

    [화학식34]
    Figure pat00057

    [화학식35]
    Figure pat00058

    [화학식36]
    Figure pat00059

    [화학식37]
    Figure pat00060

    [화학식38]
    Figure pat00061

    [화학식39]
    Figure pat00062

    [화학식40]
    Figure pat00063

    [화학식41]
    Figure pat00064

    [화학식42]
    Figure pat00065

    [화학식43]
    Figure pat00066

    [화학식44]
    Figure pat00067

    [화학식45]
    Figure pat00068

    [화학식46]
    Figure pat00069

    상기 화학식46에서, R1은 탄소수 2 내지 8의 알킬렌 또는 아릴렌이고, R2는 탄소수 2 내지 8의 알킬렌이고, a,b는 각각 0 또는 1이고, c는 1 내지 21의 정수이고,
    [화학식47]
    Figure pat00070

    상기 화학식47에서, d는 1 내지 12의 정수이다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 광개시제는 아세토페논계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 트리아진계 화합물 및 옥심계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 가교제는 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 광중합성 화합물을 포함하는 감광성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 폴리이미드 수지 100중량부에 대하여,
    상기 광개시제 0.1내지 10 중량부;
    상기 가교제 10내지 200 중량부; 및
    상기 유기 용매 20 내지 2000 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
    접착력 증진제, 계면 활성제, 소포제, 레벨링제 및 겔 방지제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    비노광부가 현상 되는 네가티브형인 감광성 수지 조성물.
  14. 제1항 내지 13항 중 어느 하나의 감광성 수지 조성물로부터 형성된 유기 절연막 또는 감광성 패턴을 포함하는 전자 소자.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 유기 절연막은 층간 절연막, 표면보호막, 전극보호층 버퍼 코트막 또는 패시베이션막을 포함하고,
    상기 전자 소자는 반도체 장치 또는 디스플레이 장치의 부품을 포함하는 전자 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160020229A (ko) * 2014-08-13 2016-02-23 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물
KR20180081264A (ko) 2017-01-06 2018-07-16 동우 화인켐 주식회사 착색 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조되는 컬러필터 및 상기 컬러필터를 포함하는 표시장치
KR20190061844A (ko) * 2017-11-28 2019-06-05 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물 및 이를 포함한 경화막

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