KR20120117874A - 신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치 - Google Patents

신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치 Download PDF

Info

Publication number
KR20120117874A
KR20120117874A KR1020127021415A KR20127021415A KR20120117874A KR 20120117874 A KR20120117874 A KR 20120117874A KR 1020127021415 A KR1020127021415 A KR 1020127021415A KR 20127021415 A KR20127021415 A KR 20127021415A KR 20120117874 A KR20120117874 A KR 20120117874A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal line
insulating layer
layer
semiconductor layer
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020127021415A
Other languages
English (en)
Inventor
준야 야마모토
코지 나리세
Original Assignee
오므론 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오므론 가부시키가이샤 filed Critical 오므론 가부시키가이샤
Publication of KR20120117874A publication Critical patent/KR20120117874A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/081—Microstriplines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086—Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127—Strip line switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B81B2201/012—Switches characterised by the shape
    • B81B2201/018—Switches not provided for in B81B2201/014 - B81B2201/016
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0136—Comb structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H01H2001/0078—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS] with parallel movement of the movable contact relative to the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

베이스(22)의 윗면에 하 절연층(23)을 형성한다. 하 절연층(23)의 윗면에는, 적어도 일부가 신호 전송하고자 하는 경로에 따르도록 하여 반도체층(24)을 마련한다. 반도체층(24)의 윗면에는, 적어도 일부가 반도체층(24)에 따르도록 하여 상 절연층(25)을 마련한다. 상 절연층(25)의 윗면에는, 적어도 일부가 상 절연층(25)에 따르도록 하여 스트립 도체(26)를 배선한다. 이 신호선로(21)는 아일랜드화 되어 있고, 반도체층(24) 및 상 절연층(25)은, 스트립 도체(26)와 거의 동등한 폭을 갖고 있다.

Description

신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치{STRUCTURE FOR SIGNAL LINE, MANUFACTURING METHOD FOR SIGNAL LINE AND SWITCH USING THE SIGNAL LINE}
본 발명은 고주파용의 신호선로(信號線路)의 구조에 관한 것으로, 특히 MEMS 소자 등에 이용되는 신호선로의 구조에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 당해 신호선로의 제조 방법이나 당해 신호선로를 이용한 스위치에 관한 것이다.
MEMS 소자 등에 이용되는 고주파용의 신호선로는, 일반적으로는, 소자가 형성된 반도체층의 일부(즉, 신호선로가 되는 영역)에 따라서 절연층을 형성하고, 절연층의 위에 스트립 도체를 마련한 것이다. 따라서 이와 같은 반도체층은, 스트립 도체의 선폭에 비하여 충분히 큰 폭을 갖는 것이고, 넓은 면적의 기판이 이용되고 있다.
그러나, 예를 들면 2개의 신호선로를 근접시켜서 평행하게 배선하는 경우, 공통의 반도체층의 위에 그들의 신호선로가 평행하게 배선되어 있으면, 반도체층을 통하여 2개의 신호선로 사이에 전자 커플링이 생긴다. 그리고, 신호선로 사이에 전자 커플링이 생기면, 각각의 고주파 전송 신호끼리가 섞여서 노이즈가 생기거나, 크로스토크가 발생하거나, 전송 신호의 리크가 발생하여 전송 손실이 커지거나 하는 문제가 있다. 또한, 신호선로의 주위에 생기는 전자계가 반도체층 내에 퍼져 있기 때문에, 신호선로의 부근에 다른 소자가 배치되어 있는 경우에는, 신호선로와 그들의 소자와의 사이에도 전자 커플링이 생기는 일이 있다. 이와 같은 전자 커플링이 생기면, 신호선로 내를 전송되는 고주파 신호의 리크가 발생하여 전송 손실이 커진다.
이와 같은 신호선로의 전송 손실을 저감시키는 방법으로서는, 특허 문헌 1에 개시된 방법이 있다. 이것은 도 1에 도시하는 바와 같이, 이면에 접지 도체(11)가 형성된 유전체 기판(12)의 위에 스트립 도체(13)를 마련함에 의해 마이크로 스트립 선로를 형성하고, 스트립 도체(13)의 하면 양 측단부 부근에 따라서 유전체 기판(12)에 홈(14)을 형성한 것이다.
홈(14)이 형성되지 않은 마이크로 스트립 선로에서는, 유전체 기판(12)의 하면 양 측단부에 있어서 전계가 집중하여 버린다. 그래서, 특허 문헌 1의 마이크로 스트립 선로에서는, 유전체 기판(12)의 하면 양 측단부 부근에 홈(14)을 마련함으로써, 유전체 기판(12)의 하면 양 측단부 부근의 매질을 유전체 재료(유전체 기판(12)) 등으로부터 유전율 1의 공기로 치환하고 있다. 그에 의해 유전체 기판(12)의 하면 양 측단부 부근에서의 전계 집중을 완화하고, 전송 손실을 경감하고 있다.
그러나, 반도체층의 표면에 형성된 절연층(절연 피막)의 상에 금속 배선을 형성한 경우에는 절연층의 두께가 매우 얇기 때문에, 절연층에 홈을 형성하여도 효과를 기대할 수가 없다. 그 때문에, 윗면에 스트립 도체를 구비한 유전체 기판에 홈을 마련한다고 하는 특허 문헌 1과 같은 구조를 채용할 수는 없었다.
특허 문헌 1 : 일본 특개평9-246814호 공보
본 발명은, 상기한 바와 같은 기술적 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 반도체층의 표면에 형성된 절연층의 위에 스트립 도체를 마련한 신호선로에 있어서 신호의 리크를 저감시키는 것이 가능한 신호선로의 구조와 당해 신호선로를 이용한 스위치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 관한 신호선로의 구조는, 베이스와, 상기 베이스의 윗면에 형성된 하 절연층과, 상기 하 절연층의 윗면에서, 적어도 일부가 신호 전송하고자 하는 경로에 따라서 마련된 반도체층과, 상기 반도체층의 윗면에서 적어도 일부가 상기 반도체층에 따라서 마련된 상 절연층과, 상기 상 절연층의 윗면에서 적어도 일부가 상기 상 절연층에 따라서 마련된 스트립 도체에 의해 신호선로가 구성된 것을 특징으로 하고 있다. 여기서, 베이스로서는, 접지 도체나 반도체(반드시 접지되어 있지 않아도 좋다) 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 관한 신호선로의 구조에 의하면, 반도체층 내를 통과하는 전자계를 적게 할 수 있기 때문에, 스트립 선로와 베이스 사이의 손실을 저감할 수 있다. 반도체층을 통과하여 전해지는 리크를 저감할 수 있기 때문에, 신호선로의 적어도 일부가 본 발명의 신호선로의 구조와 같이 되어 있으면, 신호선로로부터의 리크를 저감할 수 있고, 각 신호선로의 아이솔레이션 특성을 양호하게 함과 함께 인서션 로스를 저감할 수 있다.
본 발명에 관한 신호선로의 구조의 한 실시 양태는, 상기 베이스를 공통으로 하여, 상기 베이스의 위에 상기 하 절연층, 상기 반도체층, 상기 상 절연층 및 상기 스트립 도체로 이루어지는 복수의 신호선로를 마련한 청구항 1에 기재된 신호선로의 구조에 있어서, 복수의 상기 신호선로는, 적어도 일부의 상기 반도체층이 서로 분리되고, 적어도 일부의 상기 상 절연층이 서로 분리되고, 또한 적어도 일부의 상기 스트립 도체가 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하고 있다. 상기 하 절연층끼리는, 전체에서 연속하고 있어도 좋고, 전체에서 분리되어 있어도 좋고, 일부에서 연속하고 일부에서 분리되어 있어도 좋다. 이러한 실시 양태에 의하면, 각 신호선로를 아일랜드화로 할 수 있기 때문에, 신호선로 사이에서의 신호의 리크를 저감할 수 있고, 각 신호선로의 아이솔레이션 특성을 양호하게 함과 함께 인서션 로스를 저감할 수 있다.
본 발명에 관한 신호선로의 제조 방법은, 제 1의 절연층을 끼우고 제 1의 반도체 기판과 제 2의 반도체 기판이 접합된 SOI 기판의, 상기 제 2의 반도체 기판의 윗면에 제 2의 절연층을 성막하는 공정과, 상기 제 2의 절연층을 띠 모양으로 패터닝하여 신호선로의 상 절연층을 형성하는 공정과, 상기 상 절연층의 윗면에서 상기 상 절연층에 따라서 신호선로의 스트립 도체를 제작하는 공정과, 상기 상 절연층에서 노출한 영역의 상기 제 2의 반도체 기판을 에칭에 의해 제거하여 상기 제 2의 반도체층에 의해 신호선로의 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 반도체층에서 노출한 영역의 상기 제 1의 절연층을 에칭에 의해 제거함에 의해, 상기 제 1의 반도체 기판으로 이루어지는 신호선로의 베이스의 윗면에 상기 제 1의 절연층에 의해 신호선로의 하 절연층을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 관한 신호선로의 제조 방법에 의하면, SOI 기판을 이용함에 의해, 적은 공정으로 본 발명에 관한 신호선로를 제작할 수 있다.
본 발명에 관한 스위치는, 서로 접촉 또는 이간하는 적어도 1조(組)의 접점과, 상기 접점에 흐르는 신호의 경로의 적어도 일부에, 청구항 1에 기재한 신호선로의 구조를 이용한 것을 특징으로 하고 있다. 본 발명에 관한 스위치에 의하면, 신호의 경로가 되는 배선 부분부터의 고주파 신호의 리크를 저감할 수 있고, 각 신호선로의 아이솔레이션 특성을 양호하게 함과 함께 인서션 로스를 저감할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서의 상기 과제를 해결하기 위한 수단은, 이상 설명한 구성 요소를 적절히 조합한 특징을 갖는 것이고, 본 발명은 이러한 구성 요소의 조합에 의한 많은 변화를 가능하게 하는 것이다.
도 1은 특허 문헌 1에 개시된 고주파용 전송선로의 구조를 도시하는 단면도.
도 2의 (a)는 본 발명의 한 실시 형태에 의한 신호선로의 일부를 도시하는 평면도, 도 2의 (b)는 그 사시도.
도 3의 (a) 내지 (f)는, 도 2에 도시한 신호선로의 제조 공정을 설명하기 위한 개략 단면도.
도 4의 (a)는 본 발명의 다른 실시 형태에 의한 신호선로의 일부를 도시하는 평면도, 도 4의 (b)는 그 사시도.
도 5의 (a) 내지 (f)는, 도 4에 도시한 신호선로의 제조 공정을 설명하기 위한 개략 단면도.
도 6은 비교예의 신호선로를 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명에 관한 정전 릴레이의 평면도.
도 8은 도 7의 A부를 확대해 도시하는 사시도.
도 9는 본 발명 실시예에 관한 스위치(아일랜드 구조의 신호선로를 이용한 것)와 비교예에 관한 스위치(아일랜드 구조가 아닌 신호선로를 이용한 것)에서의, 스위치 오프시의 아이솔레이션 특성을 도시하는 도면.
도 10은 본 발명 실시예에 관한 스위치와 비교예에 관한 스위치에서의, 스위치 온시의 인서션 로스의 주파수 특성을 도시하는 도면.
도 11의 (a)는 도 9 및 도 10의 결과를 얻기 위해 이용한 본 발명 실시예에 관한 스위치의 시뮬레이션용 모델을 도시하는 평면도. 도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 C-C선 단면도.
도 12의 (a)는, 도 9 및 도 10의 결과를 얻기 위해 이용한 비교예에 관한 스위치의 시뮬레이션용 모델을 도시하는 평면도. 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 D-D선 단면도.
도 13의 (a)는 본 발명 실시예 및 비교예의 스위치 오프시의 상태를 도시하는 상세도, 도 13의 (b)는 본 발명 실시예 및 비교예의 스위치 온시의 상태를 도시하는 상세도.
이하에서는, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 알맞는 실시 형태를 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 다른 용도에도 적용할 수 있고, 또한 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 설계 변경할 수 있다.
(1개의 신호선로)
도 2의 (a) 및 (b)는, 본 발명의 실시 형태1에 의한 신호선로를 도시하는 평면도 및 사시도이다. 이 신호선로(21)는, MEMS 소자 등에 이용되는 1선로의 신호선로를 나타내고 있다. 이 신호선로(21)는, 베이스(22)의 위에 하 절연층(23), 반도체층(24) 및 상 절연층(25)을 적층하고, 다시 상 절연층(25)의 윗면에 스트립 도체(26)를 배선한 것이다.
베이스(22)는, Si나 고저항 Si 등의 반도체나 금속으로 이루어지는 층 또는 기판이고, 필요하면 회로 기판 등을 통하여 그라운드에 접속된다. 반도체층(24)은, 절연성 또는 반절연성의 반도체층으로서, 예를 들면 고저항의 Si 기판으로 이루어진다. 하 절연층(23) 및 상 절연층(25)은, 산화막(SiO2)이나 질화막(SiN)으로 이루어진다. 스트립 도체(26)는, 띠 모양의 금속 도체층이고, 예를 들면 하층이 Cr이고 상층이 Au로 이루어지는 2층 구조로 되어 있다. 또는, 스트립 도체(26)는, Pt, Au, Pd, Ir, Ru, Rh, Re, Ta, Pt 합금, Au 합금 등에 의해 형성하여도 좋다.
이 신호선로(21)는, 예를 들면 수십㎛ 정도의 선폭을 갖는 것으로서, 신호 전송 경로에 따라서 배선되어 있다. 또한, 신호선로(21)는 아일랜드화 되어 있고, 하 절연층(23), 반도체층(24) 및 상 절연층(25)은, 스트립 도체(26)와 거의 동등한 폭을 갖고 있다. 도 2에 도시하는 신호선로(21)에서는, 상 절연층(25)의 폭이 스트립 도체(26)의 폭보다도 약간 넓게, 하 절연층(23) 및 상 절연층(25)의 폭이 반도체층(24)의 폭보다도 약간 좁게 되어 있다. 단, 각 층의 폭은 이와 같은 대소 관계로 한하는 것이 아니고, 예를 들면 하 절연층(23), 반도체층(24) 및 상 절연층(25)의 폭은 동등하여도 좋다. 또한, 상 절연층(25)의 폭을 스트립 도체(26)보다 좁게 하여도 좋고, 하 절연층(23)의 폭을 반도체층(24)보다 넓게 하여도 좋다.
이와 같은 신호선로(21)에서는, 고주파 신호가 전송될 때, 스트립 도체(26)와 베이스(22) 사이의 하 절연층(23), 반도체층(24) 및 상 절연층(25) 내에 전계 및 자계가 집중하고, 고주파 신호가 신호선로(21)에 따라서 전송된다. 게다가, 이 신호선로(21)에서는, 스트립 도체(26)의 주변의 하 절연층(23), 반도체층(24) 및 상 절연층(25)을 제거하여 신호선로를 아일랜드화하고 있기 때문에, 신호선로(21)의 양 측부에 반도체층이 존재하는 일 없이 공기층으로 되어 있고, 스트립 도체(26)와 베이스(22)의 사이의 전자계가 손실이 큰 반도체층(24)을 통과하는 양을 적게 할 수 있기 때문에 손실을 저감할 수 있다. 또한, 반도체층(24)을 통과하여 전해지는 리크를 저감할 수 있다. 그 결과, 신호선로의 아이솔레이션 특성 및, 신호 전송시의 인서션 로스 특성이 양호하게 된다.
(제조 방법)
다음에, 이 신호선로(21)의 제조 방법의 한 예를 설명한다. 도 3의 (a)에 도시하는 것은, 제 1의 Si 기판의 윗면에 산화막(SiO2막)을 끼우고 제 2의 Si 기판을 접합시킨 SOI(Silicon On Insulator) 기판으로서, 제 1의 Si 기판이 베이스(22)가 되고, 산화막이 하 절연층(23)이 되, 제 2의 Si 기판이 반도체층(24)이 된다. 이 SOI 기판의 반도체층(24)(제 2의 Si 기판)의 윗면에, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이, 질화막(SiN막)을 성막하여 상 절연층(25)을 형성한다. 계속해서, 신호 전송 경로가 되는 영역을 레지스트막에 의해 덮고, 레지스트막으로부터 노출한 질화막(상 절연층(25))을 에칭에 의해 제거하고, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이 상 절연층(25)을 신호 전송 경로에 따라서 띠 모양으로 패터닝한다. 이 후, 상 절연층(25)의 위의 레지스트막을 박리시킨다.
이 후, 증착이나 스퍼터링 등에 의해, 상 절연층(25)을 덮도록 하여 반도체층(24)의 윗면에 Cr를 성막하고, 또한 그 위에 Au를 성막한다. 그리고, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이, Au(상층)/Cr(하층)의 금속 피막을 스트립형상으로 패터닝하여, 상 절연층(25)의 위에 스트립 도체(26)를 형성한다.
계속해서, 상 절연층(25) 및 스트립 도체(26)를 덮도록 레지스트 마스크를 형성하고, 또는 상 절연층(25)을 마스크로 하여, 반도체층(24)의 노출 영역을 에칭 제거하고, 도 3의 (e)에 도시하는 바와 같이, 상 절연층(25)의 하면에 따른 띠 모양의 반도체층(24)을 형성한다. 또한, 반도체층(24)을 마스크로 하여 반도체층(24)으로부터 노출한 영역의 하 절연층(23)을 에칭 제거하고, 도 3의 (f)에 도시하는 바와 같이, 하 절연층(23)을 띠 모양으로 형성한다.
(2개의 신호선로)
도 4의 (a) 및 (b)에 도시하는 것은, 베이스(22)의 윗면에 2개의 신호선로(21a, 21b)를 근접시켜서 평행하게 배열한 실시 형태이다. 신호선로(21a, 21b)는 상기 신호선로(21)와 같은 구조를 갖는 것이지만, 베이스(22)는 공통으로 되어 있다.
도 6은, 아일랜드화되지 않은 2선의 신호선로를 도시하는, 비교예의 단면도이다. 이 신호선로에서는, 공통의 반도체층(24)의 위에 상 절연층(25)과 스트립 도체(26)를 적층하여 신호선로(21a)가 형성되고, 또한 그 부근에서 공통의 반도체층(24)의 위에 상 절연층(25)과 스트립 도체(26)를 적층하여 신호선로(21b)가 형성되어 있다. 이 비교예와 같은 구조이면, 도 6에 파선으로 도시헌 바와 같이 공통의 반도체층(24) 내부에 발생하는 전자계를 통하여 신호선로(21a)와 신호선로(21b)가 결합한다. 그 결과, 신호선로 사이에 리크가 발생하여 인서션 로스가 커짐과 함께 아이솔레이션 특성이 손상된다.
이에 대해, 본 발명에 관한 신호선로에서는, 도 4의 (b)와 같이 신호선로(21a)와 신호선로(21b)가 각각 아일랜드화되어 있고 독립하여 있기 때문에, 신호선로(21a)와 신호선로(21b) 사이에 결합이 생기기 어렵고, 신호선로의 아이솔레이션 특성이 양호하게 된다. 또한, 리크의 원인인 반도체층(24)이 서로 분리되어 있고, 게다가 가능한 한 폭이 좁아지도록 하고 있기 때문에, 신호선로(21a, 21b)의 전송 손실이 저감되고, 신호 전송시의 인서션 로스가 작아진다.
(2개의 신호선로의 제조 방법)
도 5의 (a) 내지 (f)는, 도 4에 도시한 2개의 아일랜드 구조의 신호선로(21a, 21b)의 제조 방법의 한 예를 도시하는 도면이다. 신호선로(21a, 21b)의 제조 방법도, 도 3의 (a) 내지 (f)에 도시한 신호선로(21)의 제조 방법과 거의 같다. 즉, 신호선로(21a)와 신호선로(21b)를 제각기 제조하는 것이 아니라, 도 5의 (a) 내지 (f)에 도시한 바와 같이, 신호선로(21a)와 신호선로(21b)의 각 제조 공정을 동시에 실행하여 감으로써 효율적으로 신호선로(21a, 21b)를 제작할 수 있다.
(정전 릴레이)
도 7은 본 발명에 관한 고주파용의 정전 릴레이(31)의 구조를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 8은 도 7의 A부를 확대해 도시하는 사시도이다. 이 정전 릴레이(31)에서는, 고정 접점부와 가동 접점부로 이루어지는 스위치의 부분에 상기 신호선로를 이용하고 있다.
이 정전 릴레이(31)는, Si 기판이나 금속 기판 등의 도전성 재료로 이루어지는 베이스 기판(32)의 윗면에, 고정 접점부(33), 가동 접점부(34), 고정 전극부(35), 가동 접점부(34)를 지지하는 가동 전극부(36), 가동 전극부(36)를 탄성적으로 지지하는 탄성 스프링(37) 및 지지부(38)를 마련한 것이다. 이 정전 릴레이(31)에서는, 고정 접점부(33)와 가동 접점부(34)에 의해 스위치가 구성되어 있고, 고정 전극부(35)나 가동 전극부(36) 등에 의해 액추에이터가 구성되어 있다. 그리고, 이하에 설명하는 바와 같이, 정전력에 의해 액추에이터를 구동하면, 가동 전극부(36)가 베이스 기판(32)과 평행한 방향으로 이동하여 고정 접점부(33)와 가동 접점부(34)의 사이가 닫혀져서 스위치가 온이 된다. 역으로, 정전력을 해제하면 탄성 스프링(37)의 탄성 복귀력에 의해 가동 전극부(36)가 원래의 위치로 되돌아와 스위치가 오프가 된다.
가동 접점부(34)를 움직이기 위한 액추에이터는, 고정 전극부(35), 가동 전극부(36), 탄성 스프링(37) 및 지지부(38)로 이루어지고, 이하에 설명하는 바와 같은 구조를 갖고 있다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 베이스 기판(32)의 윗면에는 주로 도전성의 Si로 이루어지는 복수개의 고정 전극부(35)가 서로 평행하게 배치되어 있고, 각 고정 전극부(35)는, SiO2나 SiN으로 이루어지는 절연막(도시 생략)을 통하여 베이스 기판(32)의 윗면에 고정되어 있다. 각 고정 전극부(35)는, 베이스 기판(32)에 수직한 방향에서 보면, 사각형형상의 패드부(39)의 양면으로부터 Y방향을 향하여 각각 줄기모양(枝狀)을 한 줄기모양 전극부(40)가 연출(延出)되어 있다. 줄기모양 전극부(40)에는, 각각 좌우 대칭이 되도록 줄기부(枝部)(41)가 돌출하여 있고, 줄기부(41)는 Y방향에서 일정 피치로 나열하여 있다. 그리고, Y방향이란, 도 7에 도시하는 바와 같이, 가동 전극부(36) 및 가동 접점부(34)의 이동 방향과 평행한 방향을 나타내고, X방향이란, 베이스 기판(32)의 윗면에 평행하소, Y방향과 직교하는 방향을 나타낸다. 또한, 패드부(39)에서는, 전극막(42)의 위에 전극 패드층(43)이 마련되어 있다.
가동 전극부(36)는 도전성의 Si로 이루어지고, 각 고정 전극부(35)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 가동 전극부(36)에는, 각 고정 전극부(35)를 양측에서 끼우도록 하여 빗줄기어 형상 전극부(44)가 형성되어 있다(고정 전극부(35) 사이에서는, 한 쌍의 빗줄기어 형상 전극부(44)에 의해 줄기모양으로 되어 있다). 빗줄기어 형상 전극부(44)는, 각 고정 전극부(35)를 중심으로 하여 좌우 대칭으로 되어 있고, 각 빗줄기어 형상 전극부(44)로부터는 줄기부(41) 사이의 공극부를 향하여 빗줄기어부(45)가 연출하고 있다. 게다가, 각 빗줄기어부(45)는, 그 빗줄기어부(45)와 인접하여 가동 접점부(34)에 가까운 측에 위치하는 줄기부(41)와의 거리가, 당해 빗줄기어부(45)와 인접하여 가동 접점부(34)로부터 먼 측에 위치한 줄기부(41)와의 거리보다도 짧게 되어 있다.
지지부(38)는, 절연막(도시 생략)을 통하여 베이스 기판(32)의 윗면에 고정되어 있고, 베이스 기판(32)의 다른쪽 단부에서 X방향으로 길게 늘어나고 있다. 지지부(38)의 양단부와 가동 전극부(36)는, 한 쌍의 탄성 스프링(37)에 의해 연결되어 있다. 가동 전극부(36)는, 탄성 스프링(37)을 통하여 지지부(38)에 의해 수평으로 지지되어 있고, 베이스 기판(32)의 윗면부터 약간의 들떠 있다. 따라서, 가동 전극부(36)는 탄성 스프링(37)을 탄성 변형시킴에 의해 Y방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 탄성 스프링(37) 및 지지부(38)도 Si로 이루어진다.
상기한 바와 같은 구조를 갖는 액추에이터는, 다음과 같이 하여 구동된다. 고정 전극부(35)와 가동 전극부(36)의 사이에는 직류 전압원이 접속되고, 제어 회로 등에 의해 직류 전압이 온, 오프 된다. 고정 전극부(35)에서는, 직류 전압원의 한쪽 단자가 전극 패드층(43)에 접속된다. 직류 전압원의 다른쪽 단자는, 예를 들면 지지부(38)에 접속된다. 지지부(38) 및 탄성 스프링(37)은 도전성을 갖고 있고, 지지부(38), 탄성 스프링(37) 및 가동 전극부(36)는 전기적으로 도통하고 있기 때문에, 지지부(38)에 인가한 전압은 가동 전극부(36)에 가하여지게 된다.
직류 전압원에 의해 고정 전극부(35)와 가동 전극부(36)의 사이에 직류 전압이 인가되면, 줄기모양 전극부(40)의 줄기부(41)와 빗줄기어 형상 전극부(44)의 빗줄기어부(45)와의 사이에 정전 인력이 발생한다. 그러나, 고정 전극부(35) 및 가동 전극부(36)의 구조가, 각 고정 전극부(35)의 중심선에 관해 대칭으로 형성되어 있기 때문에, 가동 전극부(36)에 작용하는 X방향의 정전 인력은 밸런스되어, 가동 전극부(36)는 X방향으로는 이동하지 않는다. 한편, 각 빗줄기어부(45)와 인접하여 가동 접점부(34)에 가까운 측에 위치하는 줄기부(41)와의 거리가, 당해 빗줄기어부(45)와 인접하여 가동 접점부(34)로부터 먼 측에 위치하는 줄기부(41)와의 거리보다도 짧게 되어 있기 때문에, 각 빗줄기어부(45)가 가동 접점부측으로 흡인되어, 탄성 스프링(37)을 휘게 하면서 가동 전극부(36)가 고정 접점부(33)측으로 향하여 이동한다.
또한, 고정 전극부(35)와 가동 전극부(36)의 사이에 인가하고 있던 직류 전압을 해제하면, 줄기부(41)와 빗줄기어부(45) 사이의 정전 인력이 소실하기 때문에, 탄성 스프링(37)의 탄성 복귀력에 의해 가동 전극부(36)가 고정 접점부(33)로부터 멀어지는 방향으로 후퇴한다.
다음에, 고정 접점부(33) 및 가동 접점부(34)로 이루어지는 스위치의 구조를 설명한다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 고정 접점부(33)에서는, 절연성 또는 반절연성의 Si로 이루어지는 고정 접점 기판(47)(반도체층)이 그 하면을 SiO2나 SiN 등으로 이루어지는 절연막(46)을 통하여 베이스 기판(32)의 윗면에 고정되어 있다. 고정 접점 기판(47)의 윗면에는 SiN이나 SiO2 등으로 이루어지는 절연층(48)이 형성되어 있다. 또한, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이 고정 접점 기판(47)은 베이스 기판(32)의 윗면 단부에서 폭방향(X방향)으로 늘어나 있고, 중앙부에는 가동 접점부(34)측을 향하여 돌출한 장출부(張出部)(50)가 형성되고, 양단에 각각 패드 지지부(51a, 51b)가 형성되어 있다.
절연층(48)의 윗면에는, Au(상층)/Cr(하층), Pt, Au, Pd, Ir, Ru, Rh, Re, Ta, Pt 합금, Au 합금 등으로 이루어지는 도전층이 형성되어 있다. 이 도전층은, 패드 지지부(51a, 51b)의 위에서는 접점용 패드부(52a, 52b)가 되어 있고, 장출부(50)상에서는 서로 평행하게 배치되어서 가동 접점부(34)측으로 돌출한 부분이 고정 접점(53a, 53b)으로 되어 있다. 또한, 접점용 패드부(52a)와 고정 접점(53a)을 연결하는 부분의 도전층이 스트립 도체(49a)로 되어 있고, 접점용 패드부(52b)와 고정 접점(53b)을 연결하는 부분의 도전층이 스트립 도체(49b)로 되어 있다.
가동 접점부(34)는 장출부(50)에 대향하는 위치에 마련되어 있다. 가동 접점부(34)는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 절연성 또는 반절연성의 Si로 이루어지는 가동 접점 기판(54)의 윗면에 SiN이나 SiO2 등으로 이루어지는 절연층(55)이 형성되고, 그 윗면에 Au(상층)/Cr(하층), Pt, Au, Pd, Ir, Ru, Rh, Re, Ta, Pt 합금, Au 합금 등으로 이루어지는 도전층(56)이 형성되어 있다. 고정 접점(53a, 53b)과 대향하는 도전층(56)의 단면은, 가동 접점 기판(54)의 앞면으로부터 돌출하고 있고, 가동 접점(57)으로 되어 있다. 또한, 가동 접점 기판(54)은, 가동 전극부(36)로부터 돌출한 지지들보(58)에 의해 편측지지 형상으로 지되어 있다.
이 정전 릴레이(31)에서는, 고정 접점부(33)의 접점용 패드부(52a, 52b)에 고주파 회로(도시 생략)가 접속되고, 액추에이터로 가동 접점부(34)를 구동하고, 가동 접점(57)을 고정 접점(46a, 46b)에 접촉시킴에 의해 고주파 회로를 닫을 수 있다. 고주파 회로가 닫히면, 가동 접점부(34)의 절연층(55)을 통과하여 한쪽의 스트립 도체(49a)로부터 다른 쪽의 스트립 도체(49b)에 고주파 신호가 흐른다. 또한, 액추에이터의 정전력을 해제하여 탄성 스프링(37)의 탄성 복귀력에 의해 가동 접점부(34)를 후퇴시켜서, 가동 접점(57)을 고정 접점(46a, 46b)으로부터 이간시킴에 의해 고주파 회로를 열 수 있다.
이 정전 릴레이(31)에 있어서, 고정 접점부(33)의 스트립 도체(49a, 49b)가 배선된 부분(예를 들면, 도 7의 B부)에서는, 절연막(46), 고정 접점 기판(47) 및 절연층(48)의 폭이 스트립 도체(49a, 49b)의 선폭과 거의 동등하게 되어서 아일랜드화되어 있고, 도 2에 도시한 바와 같은 신호선로(21)가 구성되어 있다. 즉, 도 2의 신호선로(21)는,
베이스 기판(32) → 베이스(22)
절연막(46) → 하 절연층(23)
고정 접점 기판(47) → 반도체층(24)
절연층(48) → 상 절연층(25)
스트립 도체(49a, 49b) → 스트립 도체(26)
와 같이 대응하고 있다.
따라서 본 발명에 관한 신호선로의 구조를 이용한 정전 릴레이(31)의 스위치 부분에서는, 스트립 도체(49a, 49b)로부터의 고주파 신호의 리크가 저감되고 아이솔레이션 특성이 양호해지고, 또한 인서션 로스도 저감된다.
또한, 도 7에 도시된 가동 접점부(34)에서는, 도전층의 선단부, 즉 고정 접점(53a, 53b)의 부분에서는, 2개의 도전층이 평행하게 배선되어 있기 때문에, 이 부분을 도 4에 도시한 바와 같은 2개의 신호선로(21a, 21b)와 같이 구성하는 것도 가능하다.
(아이솔레이션과 인서션 로스의 시뮬레이션 결과)
본 발명의 효과를 확인하기 위해, 도 11에 도시하는 바와 같은 본 발명 실시예에 의한 정전 릴레이의 모델과, 도 12에 도시하는 바와 같은 비교예에 의한 정전 릴레이의 모델을 이용하여, 입출력부 사이의 아이솔레이션 특성과 인서션 로스의 주파수 특성을 시뮬레이션하였다.
도 11에 도시하는 본 발명 실시예의 정전 릴레이(아일랜드 구조의 신호선로를 이용한 것)의 모델에서는, 접점용 패드부(52a, 52b)의 폭(L2)을 100㎛로 하고, 그 길이(L4)도 100㎛로 하였다. 접점용 패드부(52a)와 접점용 패드부(52b)와의 거리(L3)를 300㎛로 하였다. 또한, 스트립 도체(49a, 49b)의 테두리로부터 고정 접점(53a, 53b)의 선단까지의 거리(L1)를 37㎛로 하였다. 또한, 스트립 도체(49b)(스트립 도체(26))의 선폭(W1)을 10㎛, 스트립 도체(49b)(상 절연층(25)) 및 절연막(46)(하 절연층(23))의 폭(W2)을 30㎛, 고정 접점 기판(47)(반도체층(24))의 폭(W3)을 40㎛로 하였다.
마찬가지로, 도 12에 도시하는 비교예의 정전 릴레이(아일랜드 구조가 아닌 신호선로를 이용한 것)의 모델에서도, 접점용 패드부(52a, 52b)의 폭(L2)을 100㎛로 하고, 그 길이(L4)도 100㎛로 하였다. 접점용 패드부(52a)와 접점용 패드부(52b)와의 거리(L3)를 300㎛로 하였다. 또한, 스트립 도체(49a, 49b)의 테두리로부터 고정 접점(53a, 53b)의 선단까지의 거리(L1)를 37㎛로 하였다. 또한, 스트립 도체(49b)(스트립 도체(26))의 선폭(W1)을 10㎛, 스트립 도체(49b)(상 절연층(25)) 및 절연막(46)(하 절연층(23))의 폭(W2)을 30㎛로 하였다. 단, 비교예에서는, 고정 접점 기판(47)(반도체층(24))의 사이즈는 충분히 큰 것으로 하였다.
또한, 부근에 고정 전극부(35) 및 가동 전극부(36)로 이루어지는 액추에이터가 존재함에 의한 영향은, 도 11의 (a) 및 도 12의 (a)에 도시하는 바와 같이 사각형 형상을 한 반도체 블록(M)으로 치환하여 평가하였다.
도 9는, 도 11과 같은 실시예의 모델과 도 12와 같은 비교예의 모델을 이용하여 GHz대에서의 입출력부 사이의 아이솔레이션 특성을 평가한 결과를 도시한다. 아이솔레이션은, 도 13의 (a)에 도시하는 바와 같이 가동 접점부(34)를 후퇴시켜서 고정 접점(53a, 53b)의 선단을 가동 접점부(34)의 가동 접점(57)으로부터 이간시킨 상태(스위치 오프의 상태)에서 구하였다. 한쪽의 접점용 패드부(52a)에 전력치가 Pin인 고주파 신호를 입력한 때, 다른쪽의 접점용 패드부(52b)에 출력되는 고주파 신호의 전력치가 Pout였다고 하면, 아이솔레이션은,
10×log10(Pout/Pin) [dB]
에 의해 구하여진다.
스위치를 오프ㄹ로 하고 잇음에도 불구하고, 신호가 입력부로부터 출력부에 100% 누설되는 경우에는, 아이솔레이션은 0dB가 된다. 또한, 입출력부 사이에서의 신호의 리크가 작아지면, 출력측의 전력치(Pout)가 작아지기 때문에, 아이솔레이션은 부치(負値)로 절대치가 커진다. 따라서, 도 9에서는 하방으로 갈수록 아이솔레이션이 양호해진다.
도 9에 도시하는 시뮬레이션 결과에서는, 비교예보다도 실시예의 쪽이 하방에 위치하고 있기 때문에, 아일랜드 구조를 갖는 신호선로를 이용한 실시예의 모델의 쪽이, 입출력부 사이에서의 고주파 신호의 리크가 매우 적어져 있고, 아이솔레이션 특성이 양호하게 되어 있음을 알 수 있다.
또한, 도 10은, 도 11와 같은 실시예의 모델과 도 12와 같은 비교예의 모델을 이용하여 GHz대에서의 입출력부 사이의 인서션 로스의 주파수 특성을 평가한 결과를 도시한다. 인서션 로스는, 도 13(b)에 도시하는 바와 같이 가동 접점부(34)를 전진시켜서 고정 접점(53a, 53b)의 선단을 가동 접점부(34)의 가동 접점(57)에 접촉시킨 상태(스위치 온의 상태)에서 구하였다. 한쪽의 접점용 패드부(52a)에 전력치가 Pin인 고주파 신호를 입력한 때, 다른쪽의 접점용 패드부(52b)에 출력된 고주파 신호의 전력치가 Pout였다고 하면, 인서션 로스는,
10×log10(Pout/Pin) [dB]
에 의해 구하여진다.
고주파 신호가 밖으로 누설되어 입력부로부터 출력부에 거의 전해지지 않는 경우에는, Pout가 작기 때문에, 인서션 로스는 부치로 절대치가 커진다. 또한, 고주파 신호의 리크가 작아지면, Pout의 값이 Pin에 가까워지기 때문에, 인서션 로스의 값은 0dB에 근접한다. 따라서, 도 10에서는 상방으로 갈수록 인서션 로스가 적어진다.
도 10에 도시하는 시뮬레이션 결과에서는, 비교예보다도 실시예의 쪽이 상방에 위치하고 있기 때문에, 아일랜드 구조를 갖는 신호선로를 이용한 실시예의 쪽이 고주파 신호의 리크가 매우 적어지고, 인서션 로스가 저감함을 알 수 있다.
21, 21a, 21b : 신호선로 22 : 베이스
23 : 하 절연층 24 : 반도체층
25 : 상 절연층 26 : 스트립 도체
31 : 정전 릴레이 32 : 베이스 기판
33 : 고정 접점부 34 : 가동 접점부
35 : 고정 전극부 36 : 가동 전극부
37 : 탄성 스프링 46 : 절연막
47 : 고정 접점 기판 48 : 절연층
49a, 49b : 스트립 도체 53a, 53b : 고정 접점
57 : 가동 접점

Claims (4)

  1. 베이스와,
    상기 베이스의 윗면에 형성된 하 절연층과,
    상기 하 절연층의 윗면에서, 적어도 일부가 신호 전송하고자 하는 경로에 따라서 마련된 반도체층과,
    상기 반도체층의 윗면에서 적어도 일부가 상기 반도체층에 따라서 마련된 상 절연층과,
    상기 상 절연층의 윗면에서 적어도 일부가 상기 상 절연층에 따라서 마련된 스트립 도체에 의해 신호선로가 구성된 것을 특징으로 하는 신호선로의 구조.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스를 공통으로 하여, 상기 베이스의 위에 상기 하 절연층, 상기 반도체층, 상기 상 절연층 및 상기 스트립 도체로 이루어지는 복수의 신호선로를 마련한 제 1항에 기재된 신호선로의 구조에서,
    복수의 상기 신호선로는, 적어도 일부의 상기 반도체층이 서로 분리되고, 적어도 일부의 상기 상 절연층이 서로 분리되고, 또한 적어도 일부의 상기 스트립 도체가 서로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 신호선로의 구조.
  3. 제 1의 절연층을 끼우고 제 1의 반도체 기판과 제 2의 반도체 기판이 접합된 SOI 기판의, 상기 제 2의 반도체 기판의 윗면에 제 2의 절연층을 성막하는 공정과,
    상기 제 2의 절연층을 띠 모양으로 패터닝하여 신호선로의 상 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 상 절연층의 윗면에서 상기 상 절연층에 따라서 신호선로의 스트립 도체를 제작하는 공정과,
    상기 상 절연층에서 노출한 영역의 상기 제 2의 반도체 기판을 에칭에 의해 제거하여 상기 제 2의 반도체층에 의해 신호선로의 반도체층을 형성하는 공정과,
    상기 반도체층에서 노출한 영역의 상기 제 1의 절연층을 에칭에 의해 제거함에 의해, 상기 제 1의 반도체 기판으로 이루어지는 신호선로의 베이스의 윗면에 상기 제 1의 절연층에 의해 신호선로의 하 절연층을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 신호선로의 제조 방법.
  4. 서로 접촉 또는 이간하는 적어도 1조의 접점과, 상기 접점에 흐르는 신호의 경로의 적어도 일부에, 제 1항에 기재한 신호선로의 구조를 이용한 것을 특징으로 하는 스위치.
KR1020127021415A 2010-03-12 2010-12-09 신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치 KR20120117874A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-056731 2010-03-12
JP2010056731A JP5397626B2 (ja) 2010-03-12 2010-03-12 信号線路の構造、信号線路の製造方法及び当該信号線路を用いたスイッチ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120117874A true KR20120117874A (ko) 2012-10-24

Family

ID=44563112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127021415A KR20120117874A (ko) 2010-03-12 2010-12-09 신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8698310B2 (ko)
EP (1) EP2546920A4 (ko)
JP (1) JP5397626B2 (ko)
KR (1) KR20120117874A (ko)
CN (1) CN102782933A (ko)
WO (1) WO2011111274A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5720485B2 (ja) * 2011-08-12 2015-05-20 オムロン株式会社 電子部品
US9165723B2 (en) 2012-08-23 2015-10-20 Harris Corporation Switches for use in microelectromechanical and other systems, and processes for making same
US9053873B2 (en) 2012-09-20 2015-06-09 Harris Corporation Switches for use in microelectromechanical and other systems, and processes for making same
US9053874B2 (en) 2012-09-20 2015-06-09 Harris Corporation MEMS switches and other miniaturized devices having encapsulating enclosures, and processes for fabricating same
US8907849B2 (en) 2012-10-12 2014-12-09 Harris Corporation Wafer-level RF transmission and radiation devices
US9203133B2 (en) 2012-10-18 2015-12-01 Harris Corporation Directional couplers with variable frequency response
DE102021203566A1 (de) 2021-04-12 2022-10-13 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung MEMS Schalter mit eingebettetem Metallkontakt

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0070104A3 (en) * 1981-07-10 1985-05-15 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Circuit matching elements
DE3587607T2 (de) * 1984-12-19 1994-02-10 Martin Marietta Corp Zusammengestellte dielektrische mehrleiterübertragungsleitung.
JPH02140931A (ja) * 1988-07-19 1990-05-30 Univ California 孤立伝送線とその製造方法
JPH0538894U (ja) * 1991-10-21 1993-05-25 日本電気株式会社 半導体集積回路チツプ
JP2983169B2 (ja) 1996-03-07 1999-11-29 株式会社移動体通信先端技術研究所 高周波用伝送線路の製造方法
US5753968A (en) * 1996-08-05 1998-05-19 Itt Industries, Inc. Low loss ridged microstrip line for monolithic microwave integrated circuit (MMIC) applications
WO2002019461A1 (fr) * 2000-08-30 2002-03-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Ligne haute frequence et circuit haute frequence
JP3627640B2 (ja) * 2000-09-22 2005-03-09 松下電器産業株式会社 半導体メモリ素子
US6534818B2 (en) * 2001-08-07 2003-03-18 Vanguard International Semiconductor Corporation Stacked-gate flash memory device
US7190245B2 (en) * 2003-04-29 2007-03-13 Medtronic, Inc. Multi-stable micro electromechanical switches and methods of fabricating same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011193168A (ja) 2011-09-29
CN102782933A (zh) 2012-11-14
EP2546920A4 (en) 2013-11-06
JP5397626B2 (ja) 2014-01-22
US8698310B2 (en) 2014-04-15
EP2546920A1 (en) 2013-01-16
WO2011111274A1 (ja) 2011-09-15
US20130048480A1 (en) 2013-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120117874A (ko) 신호선로의 구조, 신호선로의 제조 방법 및 당해 신호선로를 이용한 스위치
US9048523B2 (en) RF mems crosspoint switch and crosspoint switch matrix comprising RF mems crosspoint switches
KR20060041676A (ko) 가변 공진기 및 가변 이상기
USRE45733E1 (en) MEMS millimeter wave switches
US20080283374A1 (en) Electromechanical element, driving method of the electromechanical element and electronic equipment provided with the same
JP6200502B2 (ja) 無線周波数または高周波信号が一方向に伝わるようにすることができる受動マイクロ電子部品
JP3841305B2 (ja) 可変共振器及び可変移相器
US20100001355A1 (en) RF MEMS Switch
JP2006269127A (ja) マイクロマシンスイッチ及び電子機器
US20070176715A1 (en) Electromechanical switch
US9048053B2 (en) Electrostatic micro relay and manufacturing method for the same
KR101192412B1 (ko) Ｒｆ 멤스 스위치 소자 및 이의 제조방법
JP2004200151A (ja) 接点開閉器および接点開閉器を備えた装置
JP2006252956A (ja) マイクロマシンスイッチ及び電子機器
CN104641436B (zh) 供在微机电及其它系统中使用的开关及其制造工艺
Spasos et al. On the design of an ohmic RF MEMS switch for reconfigurable microstrip antenna applications
TWI527071B (zh) Contact structure of electromechanical system switch
US20090231778A1 (en) High frequency electrical element
JP2006339197A (ja) 高周波インダクタ素子
JP2006286540A (ja) 高周波スイッチ及びこれを用いた高周波スイッチ回路
JP2007214039A (ja) マイクロマシンスイッチ及び電子機器
JP2012212579A (ja) スイッチ
TWI535104B (zh) 新穎相移器及調諧元件
TW201419352A (zh) 在微機電及其他系統中使用的開關及其製造程序
WO2006120375A1 (en) An integrated optical modulator

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee