CN102782933A - 信号线路的构造、制造方法及使用该信号线路的开关 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种信号线路的构造、信号线路的制造方法及使用了该信号线路的开关。在基体（22）的上面形成下绝缘层（23）。在下绝缘层（23）的上面，以至少一部分沿要进行信号传输的路径的方式设置半导体层（24）。在半导体（24）的上面，以至少一部分沿半导体（24）的方式设置上绝缘层（25）。在上绝缘层（25）的上面，以至少一部分沿上绝缘层（25）的方式进行条形导体（26）的配线。将该信号线路（21）岛状化，半导体层（24）及上绝缘层（25）具有与条形导体（26）大致相等的宽度。

Description

信号线路的构造、制造方法及使用该信号线路的开关

技术领域

本发明涉及高频用信号线路的构造，特别是涉及用于MEMS元件等的信号线路的构造。另外，本发明涉及该信号线路的制造方法和使用该信号线路的开关。

背景技术

用于MEMS元件等的高频用信号线路一般为沿形成元件的半导体层的一部分（即，成为信号线路的区域）形成绝缘层并在绝缘层之上设有条形导体的构成。因此，这样的半导体层相比条形导体的线宽具有足够大的宽度，使用有面积较大的基板。

但是，在例如使两条信号线路接近并平行地配线的情况下，若在通用的半导体层之上对这些信号线路平行地配线，则通过半导体层在两条信号线路间产生电磁耦合。而且，若在信号线路间产生电磁耦合，则存在各自的高频传输信号彼此间混合而产生噪声，或发生串扰，或发生传输信号的漏泄而使传输损耗增大的问题。另外，由于在信号线路的周围产生的电磁场扩展到半导体层内，故而在信号线路附近配置有其它元件的情况下，会在信号线路与这些元件之间也产生电磁耦合。若产生这样的电磁耦合，则在信号线路内传输的高频信号发生漏泄，传输损耗增大。

专利文献1中公开了降低这样的信号线路的传输损耗的方法。即，如图1所示，通过将条形导体13设于在背面形成有接地导体11的电介质基板12之上而形成微带线路，沿条形导体13的下面两侧端部附加，在电介质基板12形成有槽14。

在未形成槽14的微带线路中，电场集中在电介质基板12的下面两侧端部。因此，在专利文献1的微带线路中，通过在电介质基板12的下面两侧端部附近设置槽14，将电介质基板12的下面两侧端部附近的介质从电介质材料（电介质基板12）置换成介电常数为1的空气。由此，缓和在电介质基板12的下面两侧端部附近的电场集中，减轻传输损耗。

但是，在将金属配线形成于在半导体层的表面形成的绝缘层（绝缘覆膜）上的情况下，由于绝缘层的厚度非常薄，即使在绝缘层形成槽也不能实现期待的效果。因此，不能采用专利文献1那样的将槽设于在上面具备条形导体的电介质基板的构造。

专利文献1：（日本）特开平9－246814号公报

发明内容

本发明是鉴于上述这样的技术课题而设立的，其目的在于提供一种在形成于半导体层的表面的绝缘层之上设有条形导体的信号线路中，可以使信号的漏泄降低的信号线路的构造和使用该信号线路的开关。

本发明第一方面的信号线路的构造通过基体、下绝缘层、半导体层、上绝缘层、条状导体构成信号线路，所述下绝缘层形成在所述基体的上面，在所述下绝缘层的上面，所述半导体层的至少一部分沿要进行信号传输的路径设置，在所述半导体层的上面，所述上绝缘层的至少一部分沿所述半导体层设置，在所述上绝缘层的上面，所述条形导体的至少一部分沿所述上绝缘层设置。在此，作为基体，可以使用接地导体及半导体（也可以不必接地）等。

根据本发明的信号线路的构造，由于可减少在半导体层内通过的电磁场，可以降低带线路与基体之间的损耗。由于可以降低通过半导体层传输的漏泄，故而若信号线路的至少一部分形成为本发明的信号线路的构造，则可降低来自信号线路的漏泄，可以使各信号线路的隔离特性良好并降低插入损失。

本发明第二方面的信号线路的构造，共用所述基体，在该基体上设置由所述下绝缘层、所述半导体层、所述上绝缘层及所述条形导体构成的多个信号线路，多个所述信号线路使至少一部分的所述半导体层相互分离，使至少一部分的所述上绝缘层相互分离，并且使至少一部分的所述条形导体相互分离。所述下绝缘层彼此可以整体连续，也可以整体分离，还可以一部分连续、一部分分离。根据该方面，由于可以将各信号线路岛状化，可以降低信号线路间的信号的漏泄，可以使各信号线路的隔离特性良好并降低插入损失。

本发明的信号线路的制造方法具备如下的工序：在夹着第一绝缘层将第一半导体基板和第二半导体基板接合的SOI基板的所述第二半导体基板的上面形成第二绝缘层；将所述第二绝缘层构图为带状而形成信号线路的上绝缘层；在所述上绝缘层的上面沿所述上绝缘层制作信号线路的条形导体；通过蚀刻将从所述上绝缘层露出的区域的所述第二半导体基板除去，由所述第二半导体层形成信号线路的半导体层；通过蚀刻将从所述半导体层露出的区域的所述第一绝缘层除去，由此在由所述第一半导体基板构成的信号线路的基体的上面由所述第一绝缘层形成信号线路的下绝缘层。

根据本发明的信号线路的制造方法，通过使用SOI基板，能够以较少的工序制作本发明的信号线路。

本发明的开关在相互接触或分离的至少一组触点和在所述触点流过的信号的路径的至少一部分使用本发明第一方面的信号线路的构造。根据本发明的开关，可以降低来自成为信号路径的配线部分的高频信号的漏泄，可以使各信号线路的隔离特性良好并降低插入损失。

此外，本发明中用于解决上述课题的方法具有可将以上说明的构成要素适当组合的特征，本发明可通过上述构成要素的组合进行多种变更。

附图说明

图1是表示专利文献1中公开的高频用传输线路的构造的剖面图；

图2（a）是表示本发明一实施方式的信号线路的一部分的俯视图，图2（b）是其立体图；

图3（a）～（f）是用于说明图2所示的信号线路的制造工序的概略剖面图；

图4（a）是表示本发明其它实施方式的信号线路的一部分的俯视图，图4（b）是其立体图；

图5（a）～（f）是用于说明图4所示的信号线路的制造工序的概略剖面图；

图6是表示比较例的信号线路的剖面图；

图7是本发明的静电继电器的俯视图；

图8是将图7的A部放大表示的立体图；

图9是表示本发明实施例的开关（使用了岛状构造的信号线路的开关）和比较例的开关（使用不是岛状构造的信号线路的开关）在开关断开时的隔离特性的图；

图10是本发明实施例的开关和比较例的开关在开关接通时的插入损失的频率特性的图；

图11（a）是表示为了得到图9及图10的结果而使用的本发明实施例的开关的模拟用模型的俯视图，图11（b）是图11（a）中C－C线剖面图；

图12（a）是表示为了得到图9及图10的结果而使用的比较例的开关的模拟用模型的俯视图，图12（b）是图12（a）的D－D线剖面图；

图13（a）是表示本发明实施例及比较例的开关断开时的状态的详细图，图13（b）是表示本发明实施例及比较例的开关接通时的状态的详细图。

标记说明

21、21a、21b：信号线路

22：基体

23：下绝缘层

24：半导体层

25：上绝缘层

26：条形导体

31：静电继电器

32：基体基板

33：固定触点部

34：可动触点部

35：固定电极部

36：可动电极部

37：弹性弹簧

46：绝缘膜

47：固定触点基板

48：绝缘层

49a、49b：条形导体

53a、53b：固定触点

57：可动触点

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的优选实施方式。但是，本发明不限于以下的实施方式，也能够适用于其它用途，另外，在不脱离本发明宗旨的范围内可进行各种设计变更。

（一条信号线路）

图2（a）及（b）是表示本发明实施方式1的信号线路的俯视图及立体图。该信号线路21表示用于MEMS元件等的一线路的信号线路。该信号线路21为在基体22之上层叠下绝缘层23、半导体层24及上绝缘层25，进而在上绝缘层25的上面进行条形导体26的配线的构成。

基体22是由Si或高电阻Si等半导体或金属构成的层或基板，根据需要，通过电路基板等接地。半导体层24为绝缘性或半绝缘性的半导体层，由例如高电阻的Si基板构成。下绝缘层23及上绝缘层25由氧化膜（SiO₂）或氮化膜（SiN）构成。条形导体26是带状的金属导体层，成为例如下层为Cr、上层为Au而构成的双层构造。或者，条形导体26也可以由Pt、Au、Pd、Ir、Ru、Rh、Re、Ta、Pt合金、Au合金等形成。

该信号线路21具有例如数十μm左右的线宽，沿信号传输路径进行配线。另外，信号线路21被岛状化，下绝缘层23、半导体层24及上绝缘层25具有与条形导体26大致相等的宽度。在图2所示的信号线路21中，上绝缘层25的宽度比条形导体26的宽度稍宽，下绝缘层23及上绝缘层25的宽度比半导体层24的宽度稍窄。但是，各层的宽度不限于这样的大小关系，例如，也可以是下绝缘层23、半导体层24及上绝缘层25的宽度相等。另外，也可以使上绝缘层25的宽度比条形导体26窄，还可以使下绝缘层23的宽度比半导体层24宽。

在这样的信号线路21中，在传输高频信号时，电场及磁场集中在条形导体26与基体22之间的下绝缘层23、半导体层24及上绝缘层25中，将高频信号沿信号线路21传输。而且，在该信号线路21中，由于将条形导体26周边的下绝缘层23、半导体层24及上绝缘层25除去而将信号线路岛状化，故而在信号线路21的两侧部不存在半导体层，而成为空气层，条形导体26与基体22之间的电磁场能够减少通过损耗大的半导体层24的量，故而可以降低损耗。另外，可以降低通过半导体层24传递的漏泄。其结果，信号线路的隔离特性及信号传输时的插入损失特性变得良好。

（制造方法）

接着，对该信号线路21的制造方法之一例进行说明。图3（a）所示的是使第二硅基板夹着氧化膜（SiO₂膜）与在第一硅基板的上面进行接合的SOI（Silicon On Insulator）基板，第一硅基板形成为基体22，氧化膜形成为下绝缘层23，第二硅基板形成为半导体层24。如图3（b）所示，在该SOI基板的半导体层24（第二硅基板）的上面形成氮化膜（SiN膜）而形成上绝缘层25。然后，通过抗蚀剂膜将成为信号传输路径的区域覆盖，通过蚀刻将从抗蚀剂膜露出的氮化膜（上绝缘层25）除去，如图3（c）所示地将绝缘层25沿信号传输路径构图为带状。之后，使上绝缘层25之上的抗蚀剂膜剥离。

之后，通过蒸镀或溅射等以覆盖上绝缘层25的方式在半导体层24的上面形成Cr膜，进而在其上形成Au膜。然后，如图3（d）所示，将Au（上层）/Cr（下层）的金属覆膜构图为带状，在上绝缘层25之上形成条形导体26。

然后，以覆盖上绝缘层25及条形导体26的方式形成抗蚀剂掩模，或将上绝缘层25作为掩模，蚀刻除去半导体层24的露出区域，如图3（e）所示地形成沿上绝缘层25的下面的带状半导体层24。而且，将半导体层24作为掩模，蚀刻除去从半导体层24露出的区域的下绝缘层23，如图3（f）所示地将下绝缘层23形成为带状。

（两条信号线路）

图4（a）及（b）所示的是在基体22的上面使两条信号线路21a、21b接近并平行地排列的实施方式。信号线路21a、21b具有与上述信号线路21相同的构造，但基体22是通用的。

图6是表示未被岛状化的两条信号线路的比较例的剖面图。在该信号线路中，在通用的半导体层24之上层叠上绝缘层25和条形导体26而形成有信号线路21a，另外，在其附近，在通用的半导体层24之上层叠绝缘层25和条形导体26而形成有信号线路21b。根据该比较例这样的构造，如图6中虚线所示，通过在通用的半导体层24内部产生的电磁场，使信号线路21a和信号线路21b结合。其结果，在信号线路间发生漏泄而使插入损失增大，并且有损隔离特性。

对此，如图4（b）所示，在本发明的信号线路中，由于信号线路21a和信号线路21b分别被岛状化而独立，故而在信号线路21a与信号线路21b之间不易产生结合，信号线路的隔离特性良好。另外，由于作为漏泄的原因的半导体层24相互分离，且尽可能缩小宽度，故而信号线路21a、21b的传输损耗降低，信号传输时的插入损失减小。

（两条信号线路的制造方法）

图5（a）～（f）是表示图4所示的两条岛状构造的信号线路21a、21b的制造方法之一例的图。信号线路21a、21b的制造方法也与图3（a）～（f）所示的信号线路21的制造方法大致相同。即，不分别制造信号线路21a和信号线路21b，而是如图5（a）～（f）所示地，通过同时进行信号线路21a和信号线路21b的各制造工序，能够高效地制作信号线路21a、21b。

（静电继电器）

图7是表示本发明的高频用静电继电器31的构造的俯视图。另外，图8是将图7中的A部放大表示的立体图。在该静电继电器31中，在由固定触点部和可动触点部构成的开关的部分使用上述信号线路。

该静电继电器31在由Si基板或金属基板等导电性材料形成的基体基板32的上面设有固定触点部33、可动触点部34、固定电极部35、支承可动触点部34的可动电极部36、弹性地保持可动电极部36的弹性弹簧37以及支承部38。在该静电继电器31中，由固定触点部33和可动触点部34构成开关，由固定电极部35或可动电极部36等构成促动器。如以下说明地，若由静电力驱动促动器，则可动电极部36向与基体基板32平行的方向移动，将固定触点部33和可动触点部34之间堵住而使开关接通。相反，若解除静电力，则由于弹性弹簧37的弹性回复力而使可动电极部36返回到原来的位置，使开关断开。

用于使可动触点部34动作的促动器由固定电极部35、可动电极部36、弹性弹簧37及支承部38构成，具有下面说明的构造。

如图7所示，在基体基板32的上面主要相互平行地配置有由导电性Si形成的多个固定电极部35，各固定电极部35经由由SiO₂或SiN构成的绝缘膜（未图示）固定在基体基板32的上面。在从与基体基板32垂直的方向观察时，各固定电极部35从矩形的衬垫部39的两面朝向Y方向分别延伸出形成枝状的枝状电极部40。在枝状电极部40以分别左右对称的方式突出有枝部41，枝部41在Y方向上以固定间隔排列。另外，如图7所示，所谓Y方向，表示与可动电极部36及可动触点部34的移动方向平行的方向，所谓X方向，表示在基体基板32的上面平行且与Y方向正交的方向。另外，在衬垫部39，在电极膜42之上设有电极衬垫层43。

可动电极部36由导电性Si形成，包围各固定电极部35而形成。在可动电极部36以从两侧夹持各固定电极部35的方式形成有梳齿状电极部44（在固定电极部35间由一对梳齿状电极部44形成为枝状）。梳齿状电极部44以各固定电极部35为中心左右对称，从各梳齿状电极部44朝向枝部41间的空隙部延伸出梳齿部45。而且，各梳齿部45和与该梳齿部45邻接且位于接近可动触点部34侧的枝部41的距离比各梳齿部45和与该梳齿部45邻接且位于远离可动触点部34侧的枝部41的距离短。

支承部38经由绝缘膜（未图示）固定在基体基板32的上面，在基体基板32的另一端部沿X方向较长延伸。支承部38的两端部和可动电极部36由一对弹性弹簧37连接。可动电极部36经由弹性弹簧37由支承部38水平支承，自基体基板32的上面稍微浮起。因此，可动电极部36通过使弹性弹簧37弹性变形而可沿Y方向移动。另外，弹性弹簧37及支承部38也由Si形成。

将具有上述构造的促动器如下地进行驱动。在固定电极部35与可动电极部36之间连接直流电压源，通过控制电路等将直流电压接通、断开。在固定电极部35，将直流电压源的一端子与电极衬垫层43连接。将直流电压源的另一端子与例如支承部38连接。支承部38及弹性弹簧37具有导电性，支承部38、弹性弹簧37及可动电极部36电导通，故而向支承部38施加的电压被施加到可动电极部36。

当利用直流电压源在固定电极部35和可动电极部36之间施加直流电压时，在枝状电极部40的枝部41与梳齿状电极部44的梳齿部45之间产生静电引力。但是，固定电极部35及可动电极部36的构造关于各固定电极部35的中心线对称地形成，因此，作用于可动电极部36的X方向的静电引力平衡，可动电极部36不在X方向移动。另一方面，梳齿部45和与各梳齿部45邻接并位于接近可动触点部34侧的枝部41的距离比梳齿部45和与该梳齿部45邻接并位于远离可动触点部34较远侧的枝部41的距离短，因此，各梳齿部45被向可动触点部侧吸引，使弹性弹簧37挠曲，并且可动电极部36朝向固定触点部33侧移动。

另外，当解除在固定电极部35与可动电极部36之间施加的直流电压时，枝部41与梳齿部45之间的静电引力消失，因此，由于弹性弹簧37的弹性回复力，可动电极部36向远离固定触点部33远离的方向后退。

接着，对由固定触点部33及可动触点部34构成的开关的构造进行说明。如图8所示，在固定触点部33，将由绝缘性或半绝缘性Si构成的固定触点基板47（半导体层）的下面经由由SiO₂或SiN等构成的绝缘膜46固定于基体基板32的上面。在固定触点基板47的上面形成有由SiN或SiO₂等构成的绝缘层48。另外，如图7及图8所示，固定触点基板47在基体基板32的上面端部沿宽度方向（X方向）延伸，在中央部形成有向可动触点部34侧突出的伸出部50，在两端分别形成有衬垫支承部51a、51b。

在绝缘层48的上面形成有由Au（上层）/Cr（下层）、Pt、Au、Pd、Ir、Ru、Rh、Re、Ta、Pt合金、Au合金等构成的导电层。该导电层在衬垫支承部51a、51b上构成为触点用衬垫部52a、52b，在伸出部50之上，相互平行地配置且向可动触点部34侧突出的部分构成为固定触点53a、53b。另外，将触点用衬垫部52a和固定触点53a连接的部分的导电层构成为条形导体49a，将触点用衬垫部52b和固定触点53b连接的部分的导电层构成为条形导体49b。

可动触点部34设于与伸出部50相对的位置。如图8所示，可动触点部34在由绝缘性或半绝缘性Si构成的可动触点基板54的上面形成有由SiN或SiO₂等构成的绝缘层55，且在其上面形成有由Au（上层）/Cr（下层）、Pt、Au、Pd、Ir、Ru、Rh、Re、Ta、Pt合金、Au合金等构成的导电层56。与固定触点53a、53b相对的导电层56的端面从可动触点基板54的前面突出，构成为可动触点57。另外，可动触点基板54被从可动电极部36突出的支承梁58悬臂装地支承。

在该静电继电器31中，将高频电路（未图示）与固定触点部33的触点用衬垫部52a、52b连接，通过促动器驱动可动触点部34，使可动触点57与固定触点46a、46b接触，由此，能够闭合高频电路。当高频电路闭合时，通过可动触点部34的绝缘层55从一条形导体49a向另一条形导体49b流通高频信号。另外，当解除促动器的静电力而由弹性弹簧37的弹性回复力使可动触点部34后退，使可动触点57与固定触点46a、46b离开，由此可以断开高频电路。

在该静电继电器31中，在将固定触点部33的配置有条形导体49a、49b的部分（例如图7中的B部），绝缘膜46、固定触点基板47及绝缘层48的宽度与条形导体49a、49b的线宽大致相等并被岛状化，构成图2所示那样的信号线路21。即，图2中的信号线路21对应如下：

基体基板32→基体22

绝缘膜46→下绝缘层23

固定触点基板47→半导体层24

绝缘层48→上绝缘层25

条形导体49a、49b→条形导体26。

因此，在使用了本发明的信号线路的构造的静电继电器31的开关部分，降低高频信号自条形导体49a、49b的漏泄，隔离特性良好，另外，也降低了插入损失。

另外，在图7所示的可动触点部34，在导电层的前端部、即固定触点53a、53b的部分，由于将两个导电层平行地配线，故而也可以将该部分构成为图4所示那样的两条信号线路21a、21b。

（隔离度和插入损失的模拟结果）

为了确认本发明的效果，使用图11所示的本发明实施例的静电继电器的模型和图12所示那样的比较例的静电继电器的模型，对输入、输出部间的隔离特性和插入损失的频率特性进行了模拟。

在图11所示的本发明实施例的静电继电器（使用了岛状构造的信号线路）的模型中，将触点用衬垫部52a、52b的宽度L2设为100μm，将其长度L4也设为100μm。将触点用衬垫部52a与触点用衬垫部52b的距离L3设为300μm。另外，将从条形导体49a、49b的边缘到固定触点53a、53b的前端的距离L1设为37μm。而且，将条形导体49b（条形导体26）的线宽W1设为10μm，将条形导体49b（上绝缘层25）及绝缘膜46（下绝缘层23）的宽度W2设为30μm，将固定触点基板47（半导体层24）的宽度W3设为40μm。

同样，在图12所示的比较例的静电继电器（使用不是岛状构造的信号线路）的模型中也将触点用衬垫部52a、52b的宽度L2设为100μm，将其长度L4也设为100μm。将触点用衬垫部52a与触点用衬垫部52b的距离L3设为300μm。另外，将从条形导体49a、49b的边缘到固定触点53a、53b前端的距离L1设为37μm。另外，将条形导体49b（条形导体26）的线宽W1设为10μm，将条形导体49b（上绝缘层25）及绝缘膜46（下绝缘层23）的宽度W2设为30μm。在比较例中，固定触点基板47（半导体层24）的尺寸足够大。

另外，如图11（a）及图12（a）所示，置换成形成矩形的半导体模块M而对由在附近存在由固定电极部35及可动电极部36构成的促动器产生的影响进行了评价。

图9表示使用图11这样的实施例的模型和使用图12这样的比较例的模型评价在GHz带的输入、输出部间的隔离特性的结果。隔离度是在如图13（a）所示地使可动触点部34后退而使固定触点53a、53b的前端自可动触点部34的可动触点57离开的状态（开关断开的状态）下求得的。在向一触点用衬垫部52a输入电力值为Pin的高频信号时，若向另一触点用衬垫部52b输出的高频信号的电力值为Pout，则隔离度通过下式求出。

10×log₁₀（Pout/Pin）［dB］

在虽然将开关断开，但信号从输入部向输出部100％漏泄的情况下，隔离度为0dB。另外，当输入、输出部间的信号的漏泄减小时，由于输出侧的电力值Pout减小，所以隔离度为负值且绝对值增大。由此，在图9中，越向下方，隔离度越好。

在图9所示的模拟结果中可知，与比较例相比，实施例中位于下方，因此，使用了具有岛状构造的信号线路的实施例的模型的输入、输出部间的高频信号的漏泄非常少，隔离特性良好。

另外，图10是表示使用图11这样的实施例的模型和使用图12这样的比较例的模型评价GHz带的输入、输出部间的插入损失的频率特性的结果。如图13（b）所示，插入损失是在使可动触点部34前进而使固定触点53a、53b的前端与可动触点部34的可动触点57接触的状态（开关接通的状态）下求得的。在向一触点用衬垫部52a输入电力值为Pin的高频信号时，若向另一触点用衬垫部52b输出的高频信号的电力值为Pout，则插入损失通过下式求出。

10×log₁₀（Pout/Pin）［dB］

在高频信号向外漏泄而几乎不从输入部向输出部传递的情况下，由于Pout小，故而插入损失为负值且绝对值增大。另外，若高频信号的漏泄减小，则Pout的值接近Pin，因此，插入损失的值接近0dB。因此，在图10中，越位于上方，插入损失越小。

在图10所示的模拟结果中可知，与比较例相比，实施例中位于上方，因此，使用具有岛状构造的信号线路的实施例的高频信号的漏泄非常少，插入损失降低。

Claims (4)

1.一种信号线路的构造，其通过基体、下绝缘层、半导体层、上绝缘层、条状导体构成信号线路，

所述下绝缘层形成在所述基体的上面，

在所述下绝缘层的上面，所述半导体层的至少一部分沿要进行信号传输的路径设置，

在所述半导体层的上面，所述上绝缘层的至少一部分沿所述半导体层设置，

在所述上绝缘层的上面，所述条形导体的至少一部分沿所述上绝缘层设置。

2.如权利要求1所述的信号线路的构造，其特征在于，共用所述基体，在所述基体上设置由所述下绝缘层、所述半导体层、所述上绝缘层及所述条形导体构成的多个信号线路，

多个所述信号线路使至少一部分的所述半导体层相互分离，使至少一部分的所述上绝缘层相互分离，并且使至少一部分的所述条形导体相互分离。

3.一种信号线路的制造方法，其具备如下的工序：

在夹着第一绝缘层将第一半导体基板和第二半导体基板接合的SOI基板的所述第二半导体基板的上面形成第二绝缘层；

将所述第二绝缘层构图为带状而形成信号线路的上绝缘层；

在所述上绝缘层的上面沿所述上绝缘层制作信号线路的条形导体；

通过蚀刻将从所述上绝缘层露出的区域的所述第二半导体基板除去，由所述第二半导体层形成信号线路的半导体层；

通过蚀刻将从所述半导体层露出的区域的所述第一绝缘层除去，由此在由所述第一半导体基板构成的信号线路的基体的上面由所述第一绝缘层形成信号线路的下绝缘层。

4.一种开关，其特征在于，

在相互接触或分离的至少一组触点和在所述触点流过的信号的路径的至少一部分使用权利要求1所述的信号线路的构造。

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