KR20120117087A - 원자층 증착장치 및 인시튜 클리닝 방법 - Google Patents

원자층 증착장치 및 인시튜 클리닝 방법 Download PDF

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KR20120117087A
KR20120117087A KR1020110034614A KR20110034614A KR20120117087A KR 20120117087 A KR20120117087 A KR 20120117087A KR 1020110034614 A KR1020110034614 A KR 1020110034614A KR 20110034614 A KR20110034614 A KR 20110034614A KR 20120117087 A KR20120117087 A KR 20120117087A
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신인철
강승익
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

인시튜 클리닝이 가능한 원장층 증착장치 및 인시튜 클리닝 방법이 제공된다. 원자층 증착장치에서 인시튜 클리닝 방법은, 프로세스 챔버 상부에 구비된 샤워헤드에 구비되어 배기가스를 배출시키는 탑 배기부를 포함하는 원자층 증착장치의 인시튜 클리닝 방법은, 프로세스 챔버 내부를 클리닝 분위기로 조성하는 단계, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비된 서셉터를 회전시키는 단계, 상기 프로세스 챔버 내부로 클리닝 가스를 제공하여 클리닝하는 단계, 상기 클리닝 가스의 공급을 중단하는 단계 및 상기 서셉터를 초기 위치로 복귀시키는 단계를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 클리닝 단계는, 상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부를 통해 유동시키는 제1 클리닝 단계, 상기 클리닝 가스를 상기 프로세스 챔버 측부 및 하부에 구비된 배플 배기부를 통해 유동시키는 제2 클리닝 단계 및 상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부 및 배플 배기부를 통해 동시에 유동시키는 제3 클리닝 하는 단계를 포함한다.

Description

원자층 증착장치 및 인시튜 클리닝 방법{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF IN-SITU CLEANING THE ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 원자층 증착장치에 관한 것으로, 원자층 증착장치에서 프로세스 챔버 내부를 인시튜 클리닝(in-situ cleaning)하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판이나 글라스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다. 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐에 따라 미세 패턴의 박막이 요구되고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커졌다. 이러한 추세로 인해 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.
ALD는 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 CVD가 다수의 기체 분자들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, ALD는 하나의 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다. 이러한 ALD는 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다는 장점을 갖고 있어 현재 널리 사용되고 있다.
원자층 증착장치 중에서 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해 다수 장의 기판에 대해 동시에 증착공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 개시되어 있다. 통상적으로 세미 배치 타입 원자층 증착장치는 서로 다른 종류의 증착가스가 분사되는 영역이 형성되고, 가스분사 모듈 또는 서셉터의 고속 회전에 의해 기판이 순차적으로 각 영역을 통과함에 따라 기판 표면에서 증착가스 사이의 화학반응이 발생하여 반응 생성물이 증착된다.
한편, 원자층 증착공정 중 프로세스 챔버 내부에는 증착가스의 잔류 가스 및 잔류물이 발생하고, 기판 이외에 다른 곳, 즉, 히터, 서셉터, 프로세스 챔버 내벽면 등에 증착된 물질 등은 다음 공정을 위해서는 완전하게 제거하여야 한다. 이와 같이, 잔류물 또는 증착물을 제거하기 위한 클리닝이 요구된다.
본 발명의 실시예들에 따르면 원자층 증착공정 후 프로세스 챔버를 클리닝할 수 있는 원자층 증착장치 및 상기 원자층 증착장치에서 인시튜 클리닝 방법을 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따른 원자층 증착공정에서 인시튜 클리닝 방법은, 프로세스 챔버 상부에 구비된 샤워헤드에 구비되어 배기가스를 배출시키는 탑 배기부를 포함하는 원자층 증착장치의 인시튜 클리닝 방법은, 프로세스 챔버 내부를 클리닝 분위기로 조성하는 단계, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비된 서셉터를 회전시키는 단계, 상기 프로세스 챔버 내부로 클리닝 가스를 제공하여 클리닝하는 단계, 상기 클리닝 가스의 공급을 중단하는 단계 및 상기 서셉터를 초기 위치로 복귀시키는 단계를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 클리닝 단계는, 상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부를 통해 유동시키는 제1 클리닝 단계, 상기 클리닝 가스를 상기 프로세스 챔버 측부 및 하부에 구비된 배플 배기부를 통해 유동시키는 제2 클리닝 단계 및 상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부 및 배플 배기부를 통해 동시에 유동시키는 제3 클리닝 하는 단계를 포함한다.
일 측에 따르면, 상기 클리닝 가스는 상기 클리닝 단계 이전에 상기 프로세스 챔버 내부에서 수행된 증착공정에 따라 종류가 결정된다. 예를 들어, 상기 클리닝 가스는 금속막을 제거할 수 있는 Cl2, ClF3를 포함하는 염소가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함할 수 있다. 또한, 상기 클리닝 가스는 산화막을 제거할 수 있는 NF3, CF4, SF6를 포함하는 불소가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 클리닝 단계가 수행되는 동안 플라즈마가 제공될 수 있다. 여기서, 상기 클리닝 단계는 산화막을 제거하기 위한 클리닝 가스를 플라즈마화 시켜 제공할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 클리닝 단계가 수행되는 동안 상기 프로세스 챔버 내부에서 히터 및 내부 구조물의 부식 및 오염을 방지하기 위해서 상기 프로세스 챔버 하부에서 퍼지 가스를 제공할 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 서셉터를 복귀시키는 단계 이후에 상기 프로세스 챔버 내부에 진공을 제공하는 단계가 수행된다.
한편, 상술한 본 발명의 다른 실시예들에 따른 인시튜 클리닝 공정을 위한 원자층 증착장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 증착가스를 제공하고, 배기가스를 배출하는 탑 배기부가 구비된 샤워헤드, 상기 탑 배기부와 연결되어 배기가스를 배출시키는 제1 배기부, 상기 프로세스 챔버 내부에서 웨이퍼가 안착되도록 구비되어 회전 및 승강 이동 가능하게 구비된 서셉터, 상기 프로세스 챔버 내부에서 상기 서셉터 둘레를 따라 구비되어 배기가스를 배출시키는 배플 배기부 및 상기 배플 배기부와 연결되어 배기가스를 배출시키는 제2 배기부를 포함하여 구성된다. 여기서, 원자층 증착공정이 완료된 후 상기 프로세스 챔버 내부를 인시튜 클리닝 하기 위해서, 상기 프로세스 챔버 내부를 인시튜 클리닝 하기 위해서, 클리닝 가스를 상기 탑 배기부를 통해 제1 유동시키고, 상기 클리닝 가스를 배플 배기부를 통해 제2 유동시키고, 상기 탑 배기부와 상기 배플 배기부를 통해 동시에 제3 유동시킬 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 프로세스 챔버 외측 상부에 구비되어 플라즈마를 제공하는 플라즈마 제너레이터가 구비되고, 상기 클리닝 가스는 상기 플라즈마 제너레이터를 통해 상기 프로세스 챔버 내부에 제공될 수 있다.
일 측에 따르면, 상기 프로세스 챔버에 진공을 제공하는 진공부가 구비되고, 상기 진공부는 상기 프로세스 챔버의 인시튜 클리닝이 완료되면 상기 프로세스 챔버에 원자층 증착 분위기를 형성하기 위한 진공을 제공할 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 인시튜로 프로세스 챔버를 클리닝 할 수 있다.
또한, 프로세스 챔버 내부를 균일하고 효과적으로 클리닝할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 인시튜 클리닝 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(100) 및 인시튜 클리닝 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(100)의 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(100)에서 인시튜 클리닝 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도면을 참조하면, 원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD)(100)는 프로세스 챔버(101), 서셉터(102) 및 가스분사부(103)를 포함하고, 배기가스의 배출을 위한 탑 배기부(105)와 배플 배기부(106)를 포함하여 구성된다.
참고적으로, 본 실시예들에서 예로 들어 설명하는 원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD)(100)는 스루풋(throughput) 및 품질을 향상시키기 위해서 복수의 기판(10)에 대해 동시에 증착이 수행되며 기판(10)의 표면이 가스분사부(103)에 대해 평행하게 지지된 상태로 공정하면서 가스분사부(103)에서 분사되는 서로 다른 종류의 가스가 분사되는 영역을 통과함에 따라 소정의 박막이 증착되는 형태의 세미 배치 타입(semi-batch type)이 사용될 수 있다. 여기서, 원자층 증착장치(100)의 일반적인 구성요소들에 대한 상세한 기술구성은 공지의 기술로부터 이해 가능하며 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성요소에 대해서만 간략하게 설명한다.
또한, 본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판(10)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예에서 '증착가스'라 함은 소정의 박막을 증착하기 위한 소스 물질을 포함하는 가스들이다.
서셉터(102)는 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버(101) 내부에 구비되어 기판(10)이 수평 방향으로 안착되며, 소정 속도로 회전 가능하게 구비되며, 상하 방향으로 승강 이동 가능하게 구비된다.
가스분사부(103)는 서셉터(102) 상부에 구비되어 서셉터(102)에 안착된 기판에 증착가스를 분사하도록 구비되며, 프로세스 챔버(101) 내부에서 배기가스를 배출시키는 탑 배기부(105)가 구비된다.
배플 배기부(106)는 서셉터(102) 외측을 둘러싸도록 형성되며 프로세스 챔버(101) 내측 벽면을 따라 구비되어 배기가스를 흡입하여 배출시킨다.
한편, 프로세스 챔버(101) 일측에는 배기가스를 외부로 배출시키기 위한 배기 배출부(107)가 연결된다. 배기 배출부(107)는 탑 배기부(105)를 통해 배출되는 배기가스와 배플 배기부(106)를 통해 배출되는 배기가스를 서로 독립된 경로를 통해 배출시키도록 형성된다. 그리고 탑 배기부(105)를 통해 배출되는 배기가스도 소스가스 영역에서 배출되는 배기가스와 반응가스 영역에서 배출되는 배기가스를 분리하여 배출시킬 수 있도록 독립된 2개의 배기 관로를 포함한다. 그리고 각 배기부(105, 106)를 통해 배출되는 관로 상에는 탑 배기부 밸브(171, 172)와 배플 배기부 밸브(174)가 구비된다. 또한, 탑 배기부(105)와 배플 배기부(106)에서 배출되는 배기가스의 관로는 소정 경로 상에서 차단하는 차단밸브(173, 175)가 있으며, 서로 수렴된다. 차단 수렴된 관로 상에는 펌프(176)가 구비된다. 여기서, 배기 배출부(107)는 일부 구성 요소만을 예시적으로 도시한 것으로, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 1은 본 발명의 실시예를 예시적으로 도시한 것으로, 서셉터(102), 가스분사부(103) 및 배플 배기부(106)를 포함하는 원자층 증착장치(100)의 구성요소들의 형태와 크기는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 원자층 증착공정이 완료되면 프로세스 챔버(101) 내부에서 증착공정 동안 발생된 잔류가스와 기판(10)을 제외한 나머지 영역에 형성된 증착물을 제거하기 위한 클리닝 공정이 수행된다. 여기서, 증착공정 진행 중 또는 증착공정이 완료된 후 원자층 증착장치(100)의 구성요소를 분해하지 않고 클리닝이 수행되는 인시튜 클리닝(in-situ cleaning)이 수행된다.
여기서, 가스분사부(103)에는 증착가스를 제공하기 위한 증착가스 공급원(미도시)와 클리닝 가스를 제공하기 위한 클리닝 가스 공급원(미도시)가 구비될 수 있다. 또한, 클리닝 공정이 진행되는 동안 히터부(108) 및 프로세스 챔버(101) 내부를 일정 온도 이하로 가열시키고, 히터부(108) 및 내부 구조물의 부식을 방지하고 오염을 방지하기 위해서 퍼지가스가 제공될 수 있다. 여기서, 프로세스 챔버(101) 일측에 퍼지가스 공급원(미도시)가 연결되고, 프로세스 챔버(101) 하부에서 퍼지가스를 제공할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 원자층 증착장치(100)는 인시튜 클리닝을 위해서, 가스분사부(103)에 구비된 탑 배기부(105)와 프로세스 챔버(101) 하부에 구비한 배플 배기부(106)를 모두 이용하여 클리닝 가스를 유동시킴으로써 프로세스 챔버(101) 내부를 균일하게 클리닝 할 수 있다.
도 1에서 클리닝 가스의 유동을 화살표 ①, ②로 표시하였다. 도 1을 참조하면, 가스분사부(103)를 통해 제공된 클리닝 가스가 ①번 화살표와 같이 탑 배기부(105)를 통해 배출되는 유동을 통해 프로세스 챔버(101)를 제1 클리닝한다. 그리고 ②번 화살표와 같이 가스분사부(103)에서 제공된 클리닝 가스가 배플 배기부(106)를 통해 배출되는 유동을 통해 프로세스 챔버(101)를 제2 클리닝 한다. 그리고 상기 ①, ② 방향 모두를 통해 프로세스 챔버(101)를 제3 클리닝 할 수 있다.
한편, 도 1에서 미설명 도면부호 104는 플라즈마 제너레이터(plasma generator)(104)이다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여, 인시튜 클리닝 방법에 대해 상세하게 설명하면 다음과 같다.
증착공정이 완료되면 프로세스 챔버(101) 내부의 압력과 온도를 조정하여 클리닝하기 적합한 환경의 클리닝 분위기로 형성한다(S11).
여기서, 클리닝 분위기는 클리닝 가스가 잔류물 및 불순물 등 제거하고자 하는 대상이 되는 물질과 충분히 반응하고, 클리닝 효과를 향상시킬 수 있도록 하며, 예를 들어, 프로세스 챔버(101) 내부의 압력을 1 내지 4torr로 형성하고, 온도를 대략 300℃로 형성한다.
그리고 클리닝을 위해서 서셉터(102)를 일정 위치에 위치시킨 후 회전시키면서(S12), 클리닝 가스를 공급하여 프로세스 챔버(101) 내부를 클리닝 한다(S13).
예를 들어, 클리닝 단계에서, 서셉터(102)는 가스분사부(103)와 10㎜의 갭을 유지하는 위치로 상승시켜 회전시키면서 클리닝이 수행된다.
여기서, 서셉터(102)를 회전시킴으로써, 클리닝 가스를 프로세스 챔버(101) 내부에 균일하게 제공할 수 있으며, 클리닝 가스가 제거 대상 물질과 충분하게 반응할 수 있도록 한다.
한편, 클리닝 단계는 3단계로 나누어 수행된다.
우선, 제1 클리닝 단계(S14)에서는 탑 배기부(105)를 개방하고, 배플 배기부(106)를 차단시킨 상태에서 가스분사부(103)를 통해 제공된 클리닝 가스를 탑 배기부(105)를 통해 배출시킨다. 제1 클리닝 단계에서의 클리닝 가스의 유동은 도 1에서 화살표 ①로 표시하였다.
다음으로, 탑 배기부(105)를 차단하고, 배플 배기부(106)를 개방하여 클리닝 가스를 배플 배기부(106)를 통해 배출시키는 제2 클리닝 단계가 수행된다(S15). 제2 클리닝 단계에서의 클리닝 가스의 유동은 도 1에서 화살표 ②로 표시하였다.
다음으로, 탑 배기부(105)와 배플 배기부(106)를 모두 개방하여 클리닝 가스를 유동시켜 배출시키는 제3 클리닝 단계가 수행된다(S16). 즉, 도 1에서 표시한 화살표 ①과 ②의 유동이 동시에 이루어지면서 제3 클리닝이 수행된다.
여기서, 클리닝 단계 동안, 히터부(108) 및 프로세스 챔버(101) 내부 구조물의 부식 및 오염 방지를 위해서, 프로세스 챔버(101) 하부에서 아르곤, 질소, 헬륨과 같은 불활성 기체를 포함하는 퍼지가스(PG)를 제공할 수 있다.
한편, 클리닝 가스의 반응성을 높여서 잔류물 및 불순물을 효과적으로 제거하기 위해서 클리닝 가스를 플라즈마화 시켜 이온화시켜 제공할 수 있다. 프로세스 챔버(101) 상부 일측에 구비된 플라즈마 제너레이터(104)를 통해서 클리닝 가스를 제공함으로써 클리닝 가스를 여기시켜 이온화된 클리닝 가스를 제공할 수 있다. 또한, 산화물 증착 후 잔류물 및 불순물을 제거하기 위해서 염소 계열의 가스를 제공하는데, 예를 들어, 금속막을 제거할 수 있는 Cl2, ClF3를 포함하는 가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함할 수 있다. 여기서, 염소 계열 클리닝 가스는 플라즈마 제너레이터(104)를 통과시켜 플라즈마화시켜서 제공한다.
한편, 금속막을 증착시킨 후 잔류물 및 불순물을 제거하기 위한 클리닝 가스는 불소(F) 계열의 가스가 제공되는데, 예를 들어, 산화막을 제거할 수 있는 NF3, CF4, SF6를 포함하는 불소가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함할 수 있다. 이와 같은 불소 계열 가스는 반응성이 높으므로 굳이 플라즈마화 시켜서 제공할 필요가 없어서, 플라즈마 제너레이터(104)를 거치지 않고 클리닝 가스를 제공할 수 있다.
다음으로, 클리닝 단계가 모두 완료되면, 클리닝 가스의 공급을 중단시키고(S17) 다음 공정이 수행된다. 즉, 원자층 증착 공정을 수행하기 위해서 서셉터(102)의 위치를 복귀시키고(S18), 공정 분위기를 형성하기 위해서 진공을 제공하고(S19), 후속 공정이 수행된다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 기판
100: 원자층 증착장치
101: 프로세스 챔버
102: 서셉터
103: 가스분사부
104: 플라즈마 제너레이터
105: 탑 배기부
106: 배플 배기부
107: 배기 배출부
108: 히터부
171, 172: 탑 배기부 밸브
173, 175: 차단밸브
174: 배플 배기부 밸브
176: 펌프
①, ②: 클리닝 가스 방향
PG: 퍼지가스

Claims (10)

  1. 프로세스 챔버 상부에 구비된 샤워헤드에 구비되어 배기가스를 배출시키는 탑 배기부를 포함하는 원자층 증착장치의 인시튜 클리닝 방법에 있어서,
    프로세스 챔버 내부를 클리닝 분위기로 조성하는 단계;
    상기 프로세스 챔버 내부에 구비된 서셉터를 회전시키는 단계;
    상기 프로세스 챔버 내부로 클리닝 가스를 제공하여 클리닝하는 단계;
    상기 클리닝 가스의 공급을 중단하는 단계; 및
    상기 서셉터를 초기 위치로 복귀시키는 단계;
    를 포함하고,
    상기 클리닝 단계는,
    상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부를 통해 유동시키는 제1 클리닝 단계;
    상기 클리닝 가스를 상기 프로세스 챔버 측부 및 하부에 구비된 배플 배기부를 통해 유동시키는 제2 클리닝 단계; 및
    상기 클리닝 가스를 상기 탑 배기부 및 배플 배기부를 통해 동시에 유동시키는 제3 클리닝 하는 단계;
    를 포함하는 인시튜 클리닝 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 가스는 상기 클리닝 단계 이전에 상기 프로세스 챔버 내부에서 수행된 증착공정에 따라 종류가 결정되는 인시튜 클리닝 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 클리닝 가스는 금속막을 제거할 수 있는 Cl2, ClF3를 포함하는 염소가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 인시튜 클리닝 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 클리닝 가스는 산화막을 제거할 수 있는 NF3, CF4, SF6를 포함하는 불소가스 군에서 선택된 하나 이상의 가스를 포함하는 인시튜 클리닝 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 단계가 수행되는 동안 플라즈마가 제공되는 인시튜 클리닝 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 클리닝 단계가 수행되는 동안 상기 프로세스 챔버 하부에서 퍼지 가스를 제공하는 인시튜 클리닝 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터를 복귀시키는 단계 이후에 상기 프로세스 챔버 내부에 진공을 제공하는 단계를 더 포함하는 인시튜 클리닝 방법.
  8. 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 증착가스를 제공하고, 배기가스를 배출하는 탑 배기부가 구비된 샤워헤드;
    상기 탑 배기부와 연결되어 배기가스를 배출시키는 제1 배기부;
    상기 프로세스 챔버 내부에서 웨이퍼가 안착되도록 구비되어 회전 및 승강 이동 가능하게 구비된 서셉터;
    상기 프로세스 챔버 내부에서 상기 서셉터 둘레를 따라 구비되어 배기가스를 배출시키는 배플 배기부; 및
    상기 배플 배기부와 연결되어 배기가스를 배출시키는 제2 배기부;
    를 포함하고,
    상기 프로세스 챔버 내부를 인시튜 클리닝 하기 위해서, 클리닝 가스를 상기 탑 배기부를 통해 제1 유동시키고, 상기 클리닝 가스를 배플 배기부를 통해 제2 유동시키고, 상기 탑 배기부와 상기 배플 배기부를 통해 동시에 제3 유동시키는 것을 특징으로 하는 원자층 증착장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 외측 상부에 구비되어 플라즈마를 제공하는 플라즈마 제너레이터가 구비되고,
    상기 클리닝 가스는 상기 플라즈마 제너레이터를 통해 상기 프로세스 챔버 내부에 제공되는 원자층 증착장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버에 진공을 제공하는 진공부가 구비되고,
    상기 진공부는 상기 프로세스 챔버의 인시튜 클리닝이 완료되면 상기 프로세스 챔버에 원자층 증착 분위기를 형성하기 위한 진공을 제공하는 원자층 증착장치.
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