KR20120114643A - 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20120114643A KR1020110032290A KR20110032290A KR20120114643A KR 20120114643 A KR20120114643 A KR 20120114643A KR 1020110032290 A KR1020110032290 A KR 1020110032290A KR 20110032290 A KR20110032290 A KR 20110032290A KR 20120114643 A KR20120114643 A KR 20120114643A
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문대규
서유석
정재훈
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순천향대학교 산학협력단
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Abstract

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계, 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 유기물 원료 소스를 승화시켜, 하부 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계, 유기물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
따라서, 본 발명의 실시예들에 의하면 원료 소스가 승화되어 기판에 증착되는 시간을 종래에 비해 단축할 수 있다. 또한, 액상의 원료 소스를 이용하므로, 종래와 같이 파우더 상태의 원료를 이용할 때에 비해 원료의 소모가 적은 장점이 있다. 그리고 램프 히터를 이용하여 원료 소스를 가열하므로, 종래에 비해 낮은 온도에서 증착 공정을 실시할 수 있으며, 저진공 분위기에서 막질이 우수한 박막을 증착할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치의 제조 방법{Method for manufacturing an organic light emitting display device}
본 발명은 증착 공정 시간을 단축할 수 있고, 원료의 소모를 줄일 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
유기발광표시장치는 시야각이 넓고, 빠른 응답 속도를 가지고 있어, 고화질의 디스플레이 구현이 가능하다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 기판, 하부 전극, 유기물층 및 상부 전극을 적층하여 형성하며, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함한다.
한편, 유기 발광 표시 장치의 유기물층은 일반적으로 파우더 상태의 유기물 원료를 가열하여, 이를 승화시키는 열증착방법(thermal evaporation)으로 형성된다. 열증착방법은 유기물 원료가 장입된 도가니에 전류를 흘려, 발생되는 저항 열을 이용하여 유기물을 승화시키는 증착 방법이다. 이러한 열증착방법(thermal evaporation)에서는 전술한 바와 같이 파우더 상태의 유기물 원료를 승화시켜 증착하기 때문에, 원료의 소모가 크고, 증착 시간이 오래 걸리는 단점이 있다. 또한, 증착 공정이 진행되는 공정 챔버 내부를 고진공 예를 들어, 10-6torr으로 유지시켜야 하기 때문에, 고진공 상태를 조성하기 위한 시간이 많이 소요된다.
유기물층을 형성하기 위한 다른 방법으로, 용액 상태의 유기물 원료를 기판 상에 분사하는 잉크젯 프린팅(Ink-jet printing) 기술이 있다. 잉크젯 프린팅(Ink-jet printing) 방법은 원료의 소모를 줄일수 있는 장점이 있지만, 원료의 분사량, 분사 속도 및 박막의 두께를 제어하기 어려운 단점이 있다. 또한, 원료를 분사하는 노즐의 막힘 현상이 빈번히 발생되며, 미세 패턴을 형성하기가 용이하지 않은 문제가 있다.
본 발명의 일 기술적 과제는 증착 공정 시간을 단축할 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 일 기술적 과제는 원료의 소모를 줄일 수 있는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 일 기술적 과제는 저진공 및 저온에서 유기물층을 증착하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 기판과 원료 소스 증발원이 대향하도록 인접 배치시키는 단계, 상기 원료 소스 증발원의 유기물 원료 소스를 승화시켜, 상기 하부 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계 및 상기 유기물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 원료 소스 증발원은 플레이트 및 상기 플레이트 상에 도포된 액상 상태의 유기물 원료 소스로 이루어지고, 상기 유기물층을 형성하는 단계에 있어서, 용액 상태의 원료 소스를 마련하는 단계, 상기 원료 소스를 플레이트 상에 도포하는 단계 및 상기 플레이트를 가열하여 승화시는 단계를 포함한다.
상기 기판과 플레이트 사이의 이격 거리가 5mm 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 유기물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 정공저지층(HBL)을 포함하고, 상기 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전공저지층(HBL) 중 적어도 하나를 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 증착한다.
상기 원료 소스는 Alq3를 포함하고, 상기 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 상기 원료 소스를 승화시켜 전자수송층(ETL)을 증착한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시형태들에서는 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 원료 소스를 증착하여 유기 발광 표시 장치를 제조한다. 즉, 액상의 원료 소스가 일면에 도포된 플레이트를 기판과 인접하도록 배치시키고, 상기 원료 소스를 가열하여 승화시키는 증착 공정을 이용한다. 이와 같은 근접 거리 증착 방법을 이용함으로써, 원료 소스가 승화되어 기판에 증착되는 시간을 종래에 비해 단축할 수 있다. 또한, 액상의 원료 소스를 이용하므로, 종래와 같이 파우더 상태의 원료를 이용할 때에 비해 원료의 소모가 적은 장점이 있다. 그리고 램프 히터를 이용하여 원료 소스를 가열하므로, 종래에 비해 낮은 온도에서 증착 공정을 실시할 수 있으며, 저진공 분위기에서 막질이 우수한 박막을 증착할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도
도 2는 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 기판 상에 박막을 증착하는 것을 설명하는 단면도
도 3 내지 도 6은 실시예에 따른 방법으로 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순서적으로 도시한 단면도
이하 , 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용하여 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 기판 상에 박막을 증착하는 것을 설명하는 단면도이다.
실시예에 따른 기판 처리 장치는 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 기판(S) 상에 박막을 형성하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(S)을 처리하는 내부 공간이 마련된 공정 챔버(100), 공정 챔버(100) 내에 배치되어 기판(S)을 지지 고정하는 기판 지지 부재(200), 기판 지지 부재(200) 하측에 대응 배치된 원료 소스 증발원(400)을 포함한다. 또한, 기판 지지 부재(200)와 연결되어 상기 기판 지지 부재(200)를 승하강시키거나 회전 시키는 구동부(300), 공정 챔버(100)의 일측에 마련되어 내부로 기판(S)을 인입 시키기 위한 기판 출입구(미도시), 공정 챔버(100) 내부를 배기하는 배기 유닛(미도시)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부가 비어있는 사각통 형상으로 제작되며, 내부에는 증착 공정이 진행되는 소정의 공간이 마련된다. 물론 공정 챔버(100)의 형상은 이에 한정되지 않고 기판(S)의 형상에 대응하는 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 한편, 실시예에서는 일체형의 공정 챔버(100)를 예를 들어 설명하였으나, 공정 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드(Lid)로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.
기판 지지 부재(200)는 공정 챔버(100) 내부에 배치되며, 기판(S)의 증착면 예컨데, 중앙 영역이 노출될 수 있도록, 상기 기판(S)의 가장자리 영역을 지지한다. 실시예에 따른 기판 지지 부재(200)는 예를 들어, 중앙 영역이 개방된 링(ring) 형상으로 제작된다. 하지만 이에 한정되지 않고 상기 기판(S)을 지지할 수 있는 어떠한 형상으로 제작되어도 무방하다. 도시되지는 않았지만, 기판 지지 부재(200)에는 기판(S)을 고정시키기 위한 별도의 고정 부재(미도시)가 설치될 수도 있다. 이러한 기판 지지 부재(200)는 기판 지지 부재(200)에 연결된 구동축(310), 구동축(310)에 승하강 또는 회전 동력을 제공하는 동력부(320)로 구성된 구동부(300)와 연결되며, 상기 구동부(300)에 의해 승하강 또는 회전할 수 있다.
원료 소스 증발원(400)은 상면에 원료 소스가 도포되는 플레이트(410), 플레이트(410)를 가열하는 램프 히터(430), 플레이트(410)와 램프 히터(430) 사이에 배치되어 상기 램프 히터(430)의 열을 플레이트(410)로 전달하는 열 전달 부재(420)를 포함한다.
플레이트(410)는 기판 지지 부재(200)의 하측에 배치되며, 그 상면에 원료 소스가 도포된다. 그리고 후술되는 램프 히터(430)에 의해 플레이트(410)가 가열되면, 상기 플레이트(410) 상에 도포된 원료 소스가 승화되어 기판(S) 상에 증착된다. 실시예에서는 플레이트(410)로 유리(glass)로 이루어진 평탄한 플레이트를 이용하고, 그 상면에 증착하고자 하는 액상의 원료 소스를 도포한다. 물론 이에 한정되지 않고, 원료 소스에 열을 전달하여 승화시킬 수 있는 다양한 재료 예컨데, 금속 재료를 이용하여 플레이트(410)를 제작할 수 있다. 또한, 플레이트(410)는 평탄한 플레이트 형상에 한정되지 않고, 예컨데 기판(S)이 배치된 방향으로 개방되며, 원료 소스를 수용할 수 있는 수용 공간을 가지는 형상으로 제작될 수도 있다. 원료 소스는 유기 발광 표시 장치에서 유기물층을 형성하는 유기물 재료가 용해된 용액을 이용하고, 이를 스핀 코팅(spin coating) 방법으로 플레이트(410) 상에 도포한다. 실시예에서는 유기 발광 표시 장치에서 전자수송층(ETL: Electron transport layer)으로 사용되는 Alq3를 플레이트(410) 상면에 도포시켜, 근접 거리 증착 방법으로 전자수송층의 증착 공정을 실시한다. 원료 소스의 도포 방법은 스핀 코팅 방법에 한정되지 않고, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 펜 프린팅 등의 다양한 프린팅 방법을 이용할 수 있다. 또한, 근접 거리 증착 방법으로 증착되는 원료 소스는 Alq3에 한정되지 않고, 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위한 다양한 유기물 재료 예컨데, 전자수송층(ETL)으로 적용가능한 재료 TAZ(트리아졸 유도체)를 이용할 수도 있다. 또한, 전자수송층(ETL) 재료에 한정되지 않고 다양한 유기물 재료에 사용될 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 실시예에 따른 기판 처리 장치는 근접 거리 증착 방법으로 증착 공정을 실시한다. 이를 위해 기판(S)과 플레이트(410)는 소정 거리로 근접하게 위치하는 것이 바람직하다. 하기에서는 기판(S)의 영역 중 플레이트(410)와 마주보도록 배치되어, 증착 공정이 진행되는 면을 '증착면'이라 명명하고, 기판(S)의 증착면과 플레이트(410) 사이의 이격 거리를 'd'라 정의한다. 실시예에서는 증착 공정 시에, 기판(S)의 증착면과 플레이트(410) 사이의 이격 거리(d), 바람직하게는 기판(S)의 증착면과 플레이트(410)의 상면 사이의 이격 거리(d)가 5mm 이하 되도록 한다. 이와 같이 원료 소스로 액상의 원료를 이용하고, 근접 거리 증착 방식을 이용함으로써, 상기 액상의 원료 소스를 승화시키는 시간 및 증착 시간을 단축할 수 있다. 그리고 기판(S)의 증착면과 플레이트(410)의 상면 사이의 이격 거리(d)가 5mm 이하로 종래의 기판과 원료 소스와의 이격 거리에 비해 가깝다. 따라서, 종래에 비해 기판(S)과 원료 소스 사이에 잔류하는 불순물이 적어, 실시예에서는 종래에 비해 상대적으로 낮은 진공에서도 증착이 가능하다. 또한, 실시예에서는 액상의 원료 소스를 이용함으로써, 종래와 같이 고체의 파우더를 원료 소스로 이용할 때에 비해 소모량이 적으며, 저온에서 원료 소스를 승화시킬 수 있다. 예를 들어, 기판(S)의 증착면과 플레이트(410) 사이의 이격 거리(d)가 5mm를 초과하는 경우, 종래에 비해 낮은 진공 분위기에서 증착이 가능하지 않거나, 증착 공정 시간이 오래 걸리거나, 원료의 소모가 커지는 문제가 발생될 수 있다. 또한, 원료 소스를 가열하여 승화시키기 위한 온도가 증가하고, 이로 인한 전력 소모가 커지는 문제가 발생될 수 있다. 이에, 실시예에서는 기판(S)의 증착면과 플레이트(410)의 상면 사이의 이격 거리(d)가 5mm 이하가 되도록한다.
램프 히터(430)는 열 전달 부재(420)의 하측에 배치되어, 플레이트(410) 상에 도포된 원료 소스를 가열하여 승화시킨다. 실시예에서는 램프 히터(430)로 적외선 램프(IR Lamp)를 이용한다. 램프 히터(430)의 상측에는 열 전달 부재(420)가 배치되는데, 실시예에서는 열 전달 부재(420)로 퀄츠 윈도우(quartz window)를 사용한다. 이에, 램프 히터(430)로부터 발생된 열은 복사에 의해 열 전달 부재(420)를 거쳐 플레이트로 전달되고, 전달된 복사열에 의해 원료 소스가 가열되어 승화된다.
도 3 내지 도 6은 실시예에 따른 방법으로 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순서적으로 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 먼저 기판(S)을 마련하고, 상기 기판(S) 상에 양극으로 사용되는 하부 전극(510)을 형성한다. 실시예에서는 기판(S)으로 소정의 투광성을 가지는 유리(glass)를 이용하며, 스퍼터링(sputtering) 방법으로 투광성의 전도성 물질 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)를 증 착하여 하부 전극(510)을 형성한다. 물론 이에 한정되지 않고, IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide) 및 In2O3 중 어느 하나의 재료를 하부 전극(510)으로 이용할 수 있다. 또한, 스퍼터링 방법 이외에 재료에 따라 빔 증착법(Ion Beam Deposition), 전자빔 증착법(Electron Vapor Deposition) 및 플라즈마 증착법(Plasma Beam Deposition) 중 어느 하나의 방법으로 하부 전극(510)을 형성할 수 있다.
기판(S) 상에 하부 전극(510)이 형성되면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 상기 하부 전극(510) 상에 발광층(521) 및 전자수송층(522)을 포함하는 유기물층(520)을 형성한다. 실시예에서는 용액 상태의 PVK(Polyvinylcarbazole)를 마련하고, 스핀 코팅(Spin coating) 방법으로 상기 PVK(Polyvinylcarbazole)를 하부 전극(510) 상에 코팅하고, 이를 가열한다. 이로 인해, 소정 두께 예를 들어 57nm의 발광층(521)이 형성된다.
이어서, 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 발광층(521) 상에 전자수송층(522)을 형성한다. 이를 위해 하부 전극(510) 및 발광층(521)이 형성된 기판(S)을 실시예에 따른 기판 처리 장치의 공정 챔버(100) 내로 인입시켜, 기판 지지 부재(200)에 지지시킨다. 또한, 평탄한 플레이트 형상으로 제작된 플레이트(410) 상면에 전자수송층(522)을 형성하기 위한 원료 소스 예를 들어, Alq3를 코팅한다. 이때 발광층(521)과 플레이트(410) 사이의 이격 거리(d)가 5mm 이하가 되도록 하고, 공정 챔버 내부는 10-3torr의 진공도를 유지시킨다. 그리고 램프 히터(430) 즉, 적외선 램프(IR Lamp)를 이용하여 플레이트(410)를 150도 내지 300도의 온도로 가열하여, 플레이트(410) 상에 코팅된 원료 소스를 승화시킨다. 승화된 원료 소스는 발광층(521) 상에 증착되어, 전자수송층(522)을 형성한다. 이때, 근접 거리 증착 방법을 이용한 전자수송층(522)의 증착 공정은 예를 들어, 3분 내지 5분의 시간 동안 진행하여 소정 두께 예를 들어 60nm로 형성한다.
도 6을 참조하면, 전자수송층(522) 상에 전자주입층(540)을 형성하고, 상기 전자주입층(540) 상에 상부 전극(550)을 형성한다. 실시예에서는 열증착방법(thermal evaporation)으로 LiF를 전자수송층(522) 상에 증착하여 전자주입층(540)을 형성하고, 상기 전자수송층(540) 상에 Al을 증착하여 음극 용 상부 전극(550)을 형성한다.
도 7은 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치의 전류 밀도(mA/cm2)에 따른 전류 효율(cd/A)을 도시한 그래프이다. 도 8은 실시예에 따른 방법을 제작된 유기 발광 표시 장치의 전류 밀도(mA/cm2)에 따른 전류 효율(cd/A)을 도시한 그래프이다. 비교예는 열증착방법으로 전자수송층을 증착한 유기 발광 표시 장치의 데이타이고, 실시예는 근접 거리 증착 방법으로 전자수송층을 증착한 유기 발광 표시 장치의 데이타이다.
비교예 및 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(S), 하부 전극(510), 발광층(521), 전자수송층(522), 전자주입층(540) 및 상부 전극(550)이 적층된 동일한 구조이며, 동일한 재료를 이용하여 제작된다. 예를 들어, 비교예 및 실시예에 따른 하부 전극(510)은 ITO, 발광층(521)은 PVK, 전자수송층(522)은 Alq3, 전자주입층(540)은 LiF, 상부 전극(550)은 Al을 이용하여 제작한다. 다만, 비교예의 경우 열증착방법으로 Alq3를 증착하여 전자수송층(522)을 형성하였고, 실시예에서는 상기에서 전술한 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 Alq3를 증착하여 전자수송층(522)을 형성하였다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 비교예 및 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 각각의 효율은 2.0cd/A로 유사하다. 하지만 전술한 바와 같이 근접 거리 증착 방법에 의한 증착의 경우 열증착방법에 비해 증착 시간이 빠르다. 즉, 동일한 두께의 전자수송층(522)을 형성하는데 있어서, 근접 거리 증착 방법의 증착 시간이 종래의 열증착방법에 의한 증착 시간에 비해 더 짧다. 이는 액상의 원료를 이용하고, 기판(S)의 증착면과 플레이트(410)의 상면 사이의 이격 거리(d)가 5mm이하가 되도록 함으로써, 상기 액상의 원료 소스를 승화시키는 시간 및 승화된 원료가 기판(S)에 도달하는 시간이 짧아지기 때문이다. 또한, 실시예에 따른 근접 거리 증착 방법의 경우, 기판(S)과 원료 소스와의 거리가 종래에 비해 가깝기 때문에, 기판(S)과 원료 소스 사이에 잔류하는 불순물이 종래에 비해 적다. 따라서, 실시예에서는 종래에 비해 상대적으로 낮은 진공에서도 증착이 가능하다. 그리고, 액상의 원료 소스를 이용함으로써, 종래와 같이 고체 파우더를 이용할 때에 비해 원료 소스의 소모량이 적다.
실시예에서는 근접 거리 증착 방법으로 전자수송층(522)을 형성하는 것을 예를 들어 설명하였다. 하지만 이에 한정되지 않고, 발광층(521)을 실시예에 따른 근접 거리 증착 방법으로 증착할 수 있다. 또한, 상기에서는 효율 비교를 위해 유기물층(520)이 발광층(521) 및 전자수송층(522)으로 이루어지는 것을 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층 등이 더 증착될 수 있다. 여기서 정공주입층, 정공수송층, 발광층(521), 정공저지층, 전자수송층(522) 및 전자주입층(540) 중 적어도 어느 하나는 실시예에 따른 근접 거리 증착 방법으로 증착된다.
S: 기판 200: 기판 지지 부재
400: 플레이트 500: 램프 히터

Claims (5)

  1. 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 기판과 원료 소스 증발원이 대향하도록 인접 배치시키는 단계;
    상기 원료 소스 증발원의 유기물 원료 소스를 승화시켜, 상기 하부 전극 상에 유기물층을 형성하는 단계;
    상기 유기물층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료 소스 증발원은 플레이트 및 상기 플레이트 상에 도포된 액상 상태의 유기물 원료 소스로 이루어지고,
    상기 유기물층을 형성하는 단계에 있어서,
    용액 상태의 원료 소스를 마련하는 단계;
    상기 원료 소스를 상기 플레이트 상에 도포하는 단계; 및
    상기 플레이트를 가열하여 승화시는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 기판과 플레이트 사이의 이격 거리가 5mm 이하가 되도록 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 유기물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 정공저지층(HBL)을 포함하고, 상기 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전공저지층(HBL) 중 적어도 하나를 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 증착하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 원료 소스는 Alq3를 포함하고, 상기 근접 거리 증착 방법(CDS: Closed Spaced Deposition)으로 상기 원료 소스를 승화시켜 전자수송층(ETL)을 증착하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
KR1020110032290A 2011-04-07 2011-04-07 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 KR101239808B1 (ko)

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