KR20120101159A - 층 내에 게스트 재료를 포함하는 전자소자 - Google Patents
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Abstract
전자소자의 제조 공정은 기판 상에 제 1 층을 형성하고 제 1 액체 조성물을 제 1 층의 제 1 부 상에 배치함을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 하나 이상의 제 1 게스트 재료 및 제 1 액체 매질을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 제 1 층과 접촉하고, 상당량의 제 1 게스트 재료가 제 1 층과 상호혼합된다. 전자소자는 기판 및 기판 상에 놓인 연속적 제 1 층을 포함한다. 연속적 층은 전자 요소를 포함하는 제 1 부 및 전자 요소를 포함하지 않는 제 2 부를 포함한다. 제 1 부는 두께가 30 ㎚ 이상이고 제 1 게스트 재료를 포함하고, 제 2 부는 두께가 40 ㎚ 이하이다.
Description
본 발명은 일반적으로 전자소자 및 이것의 제조 방법, 및 더욱 구체적으로는 층 내에 하나 이상의 게스트 재료를 포함하는 전자소자 및 이것의 제조 방법에 관한 것이다.
유기전자소자를 포함하는 전자소자는 모든 생활 속에서 계속 점점 더 광범위하게 사용되고 있다. 유기전자소자의 예는 유기발광다이오드("OLED")를 포함한다. 전색 OLED의 제조에 관한 현재의 연구는 비용 효과적이면서 높은 생산량을 갖는 색픽셀의 제조 공정의 개발에 관해 이루어지고 있다. 단색 디스플레이의 제조의 경우, 스핀-코팅 공정이 널리 채택되어 왔다. 그러나 전색 디스플레이의 제조에서는, 통상적으로 단색 디스플레이의 제조에 사용되는 절차를 특정하게 변형시킬 것이 요구된다. 예를 들면, 전색 이미지를 갖는 디스플레이를 제조하기 위해서, 각 디스플레이 픽셀은 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 중 하나씩을 각각 방출하는 3가지의 서브픽셀로 분할된다. 이렇게 전색 픽셀이 3가지의 서브픽셀로 분할되기 때문에, OLED 디스플레이의 제조 동안에 상이한 유기 중합체성 재료를 단일 기판 상에 침착시키기 위해 현재의 공정을 개조할 필요가 있다.
유기 재료층을 기판 상에 침착시키는 이러한 공정 중 하나가 잉크-젯 인쇄이다. 도 1을 보면, 제 1 전극(120)(예를 들면 양극)을 기판(100) 상에 형성한다. 또한 픽셀 및 서브픽셀을 형성하기 위해서, 웰(well) 구조물(130)을 기판(100) 상에 형성하여 잉크 액적을 기판(100) 상의 특정 위치로 한정한다. 웰 구조물(130)은 전형적으로 두께가 1 내지 5 마이크론이고 전기적 절연체로 만들어진다. 전하-수송층(140)(예를 들면 정공-수송층) 및 유기 활성층(150)을 각각 제 1 전극(120) 상에 순차적으로 잉크-젯 인쇄함으로써, 층(140)과 층(150)을 형성할 수 있다.
하나 이상의 게스트 재료가 유기 활성층(150)과 혼합되거나 혼합되지 않을 수 있다. 예를 들면, 도 1의 왼편에 가장 가까운 웰 구조물(130)의 개구 내 유기 활성층(150)은 적색 게스트 재료를 포함하고, 도 1의 중앙 근처의 웰 구조물(130)의 개구 내 유기 활성층(150)은 녹색 게스트 재료를 포함하고, 도 1의 오른편에 가장 가까운 웰 구조물(130)의 개구 내 유기 활성층(150)은 청색 게스트 재료를 포함할 수 있다. 웰 구조물(130)은 디스플레이의 개구율을 감소시키는 경향이 있으므로, 디스플레이의 사용자 측에서 볼 때 충분한 방출강도를 달성하는데에는 보다 높은 전류가 필요하다.
또다른 공정에서, 전하-수송층(140) 및 유기 활성층(150)을 웰 구조물과 함께 또는 웰 구조물 없이 형성할 수 있다. 상이한 게스트 재료를 함유하는 잉크를 유기 활성층(150)의 영역 상에 배치할 수 있다. 잉크는 공액화 중합체를 포함할 수 있다. 잉크를 유기 활성층(150) 상에 배치한 후, 게스트 재료를 상부 중합체로부터 유기 활성층(150) 내로 밀어넣는 확산 단계를 수행한다. 제 2 전극(도시되지 않음)을 유기 활성층(150) 및 잉크 상에 형성한다.
이러한 공정을 사용하여 유기전자소자를 제조할 때에는 많은 문제가 발생한다. 첫째로, 대부분의 게스트 재료는 유기 활성층(150) 내로 확산되지 않는다. 전형적으로, 잉크로부터 25% 이하의 게스트 재료가 유기 활성층(150) 내로 확산된다. 따라서, 대부분의 게스트 재료는 유기 활성층(150)의 외부에 존재한다.
둘째로, 이러한 잉크 확산 공정을 사용하여 형성된 전자 요소는 낮은 효율을 갖는다. 비교를 위해, 유기 활성층을 기판 상에 형성하기 전에, (유기 활성층(150)과) 동일한 호스트 재료와 게스트 재료를 혼합할 수 있다. 호스트 재료와 게스트 재료의 조합을 스핀 코팅한 후 가공하여 전자 요소를 제조할 수 있다. 스핀 코팅된 전자 요소는 상응하는 통상적인 전자 요소로서 지칭되는데, 왜냐하면 유기 활성층이 확산된 성분과 동일한 호스트 재료 및 게스트 재료를 갖기 때문이다. 잉크 확산 공정에 의해 형성된 전자 요소는 상응하는 통상적인 전자 요소보다 더 낮은 효율을 갖는다. 잉크 확산 공정을 사용하여 형성된 전자 요소는 보다 낮은 효율을 갖기 때문에, 상업적으로 판매되는 디스플레이에 사용되기에는 너무 낮은 강도를 갖는다.
세째로, 이러한 잉크 확산 공정은 게스트 재료 농도의 매우 불균일한 분포를 초래하여, 전자소자의 전극들 사이의 높은 농도구배(거리에 따라 분할되는 농도 변화)를 초래한다. 제 2 전극 근처의 유기 활성층(150) 내의 게스트 재료 농도는 전형적으로, 제 1 전극(120) 근처의 유기 활성층(150) 내의 게스트 재료 농도보다 전형적으로 2 이상 또는 통상적으로는 몇차수 더 높다. 높은 게스트 재료 농도구배는 디스플레이를 특히 시간 경과에 따라 거의 사용불가능하게 만든다. 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전위차가 변함에 따라, 유기 활성층(150) 내의 전자와 정공의 재조합을 위한 위치도, (전위차의 상대적 변화에 따라) 제 1 전극(120)에 더 가깝게 또는 더 멀어지도록 변한다. 재조합이 제 2 전극에 더 가까울 때, 보다 많은 게스트 재료가 재조합 위치에 존재한다. 재조합이 제 1 전극(120)에 더 가까울 때, 보다 적은 게스트 재료가 재조합 위치에 존재한다.
유기 활성층(150) 내의 이러한 게스트 재료 농도구배는 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전위차가 변함에 따라 전자 요소로부터 상이한 스펙트럼이 방출되게 한다. 전형적으로, 전류의 증가에 의해 보다 높은 강도가 달성되고, 이는 또한 전형적으로 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전위차의 증가에 의해 일어남을 유념하도록 한다. 따라서, 단일 색의 강도 제어(즉 "계조(gray-scale)")가 어려운데, 왜나하면 강도 변화에 따라 방출 스펙트럼이 변동하기 때문인데, 둘 다 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전위차의 변화로 인해 초래된다.
성분이 노화됨에 따라, 동일한 강도를 위해 필요한 전류의 양이 전형적으로 증가한다. 호스트 재료가 청색광을 방출할 수 있다면, 시간 경과에 따라 강도가 쇠약해짐에 따라 (강도를 시간 경과에 따라 비교적 일정하게 유지하기 위해) 전류가 증가하고, 적색 및 녹색 도핑된 픽셀의 방출은 이것의 초기 특징적인 방출에 비해 보다 청색을 띠게 될 수 있다. 성분이 노화됨에 따라, 일정한 휘도를 유지하기 위해서 작동 전압이 증가한다. 호스트 재료 내의 게스트 재료 농도 프로필이 충분히 균일하지 않다면, 휘도의 쇠약을 상쇄시키기 위해 작동 전압이 증가하고, 적색 및 녹색 픽셀의 방출 스펙트럼은, 방출층 내 재조합 대역 위치 및 너비의 변화로 인해 청색 성분을 포함하기 시작할 수 있다.
넷째로, 잉크 확산 공정은, 유기 활성층(150)의 두께에 대한 민감성 때문에, 제조 공정에서 거의 사용될 수 없다. 두께의 비교적 적은 변화도 유기 활성층(150) 내의 게스트 재료 농도 프로필에 큰 영향을 미칠 수 있다. 디스플레이의 경우, 제작 공정 동안 유기 활성층(150)의 두께의 변동으로 인해, 사용자는 디스플레이들 간의 변동 또는 심지어는 단일 디스플레이의 어레이 내의 변동을 관찰하게 될 것이다.
상이한 통상적인 공정에서는 증기 또는 고체상 확산 공정을 사용한다. 두 공정 모두 전술된 유사한 문제를 겪는다. 확산이 게스트 재료의 농도를 층 두께 전체에 걸쳐 보다 균일하게 만들기에(즉 전극들 사이의 농도구배를 감소시키기에) 충분히 길다면, 측방향 확산이 너무 커질 것이고, 픽셀이 클 필요가 있기 때문에, 낮은 해상도를 초래할 수 있다. 또다르게는, 측방향 확산이 높은 해상도를 위해 허용가능한 수준으로 유지될 수 있다면, 유기층의 두께 전체에 걸쳐 존재하는 게스트 재료의 농도구배가 허용불가능하게 클 수 있다. 몇몇 예에서, 2가지 문제가 모두 일어날 수 있다(즉 측방향 확산이 허용불가능하게 크면서도 전자소자의 전극들 사이의 농도구배가 너무 심할 수 있다).
전자소자의 제조 공정은 제 1 층을 기판 상에 형성하고, 제 1 액체 조성물을 제 1 층의 제 1 부 상에 배치함을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 적어도 제 1 게스트 재료 및 제 1 액체 매질을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 제 1 층과 접촉하고, 상당량의 제 1 게스트 재료가 제 1 층과 상호혼합된다.
전자소자는 기판 및 기판 상에 놓인 연속적 제 1 층을 포함한다. 연속적 층은 전자 요소를 포함하는 제 1 부 및 전자 요소를 포함하지 않는 제 2 부를 포함한다. 제 1 부는 두께가 30 ㎚ 이상이고 제 1 게스트 재료를 포함하고, 제 2 부는 두께가 40 ㎚ 이하이다.
전술된 일반적 설명 및 후술되는 상세한 설명은 단지 예시 및 설명을 위한 것이며, 첨부된 청구의 범위에서 정의된 바와 같은 본 발명을 제한하는 것은 아니다.
본 발명은 첨부된 도면에 의해 예시되지만 제한되지는 않는다.
도 1은 기판의 일부, 제 1 전극, 웰 구조물, 전하-수송층, 및 웰 구조물 내의 개구들 사이에 놓인 유기 활성층의 횡단면도이다(종래기술).
도 2는 제 1 전극 및 유기층의 일부를 포함하는 기판의 일부의 횡단면도이다.
도 3은 게스트 재료가 유기층 상에 침착된, 도 2의 기판의 횡단면도이다.
도 4는 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된, 도 3의 기판의 횡단면도이다.
도 5는 실질적으로 완전한 전자소자가 형성된 후의, 도 4의 기판의 횡단면도이다.
도 6은 게스트 재료가 부분 가교된 층을 포함하는 유기층에 첨가된, 기판의 일부의 횡단면도이다.
도 7은 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된 후의, 도 6의 기판의 횡단면도이다.
도 8은 기판의 일부, 제 1 전극, 웰 구조물, 전하-수송층, 및 웰 구조물의 개구 내에 놓인 액체 조성물의 횡단면도이다.
도 9는 유기층이 웰 구조물의 개구 내의 영역 내에 첨가된 후의 도 8의 횡단면도이다.
도 10은 기판의 일부, 여과체를 갖는 제 1 유기층, 제 1 전극, 제 2 유기층 및 제 2 전극의 횡단면도이다.
도 11 내지 13은 다양한 방사선 강도에 대한 색좌표를 그래프로 작성한 것을 나타낸다.
도 14는 CIE1931 색도좌표 상의, 도 11 내지 13으로부터 유래된 점들을 도시한다.
해당 분야의 숙련자라면, 도면의 요소들이 단순 명료하게 도시되었고 반드시 축척으로 도시된 것은 아니라는 것을 알 것이다. 예를 들면, 본 발명의 실시양태의 이해를 돕기 위해, 도면 내의 몇몇 요소들의 크기는 상대적으로 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다.
도 1은 기판의 일부, 제 1 전극, 웰 구조물, 전하-수송층, 및 웰 구조물 내의 개구들 사이에 놓인 유기 활성층의 횡단면도이다(종래기술).
도 2는 제 1 전극 및 유기층의 일부를 포함하는 기판의 일부의 횡단면도이다.
도 3은 게스트 재료가 유기층 상에 침착된, 도 2의 기판의 횡단면도이다.
도 4는 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된, 도 3의 기판의 횡단면도이다.
도 5는 실질적으로 완전한 전자소자가 형성된 후의, 도 4의 기판의 횡단면도이다.
도 6은 게스트 재료가 부분 가교된 층을 포함하는 유기층에 첨가된, 기판의 일부의 횡단면도이다.
도 7은 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된 후의, 도 6의 기판의 횡단면도이다.
도 8은 기판의 일부, 제 1 전극, 웰 구조물, 전하-수송층, 및 웰 구조물의 개구 내에 놓인 액체 조성물의 횡단면도이다.
도 9는 유기층이 웰 구조물의 개구 내의 영역 내에 첨가된 후의 도 8의 횡단면도이다.
도 10은 기판의 일부, 여과체를 갖는 제 1 유기층, 제 1 전극, 제 2 유기층 및 제 2 전극의 횡단면도이다.
도 11 내지 13은 다양한 방사선 강도에 대한 색좌표를 그래프로 작성한 것을 나타낸다.
도 14는 CIE1931 색도좌표 상의, 도 11 내지 13으로부터 유래된 점들을 도시한다.
해당 분야의 숙련자라면, 도면의 요소들이 단순 명료하게 도시되었고 반드시 축척으로 도시된 것은 아니라는 것을 알 것이다. 예를 들면, 본 발명의 실시양태의 이해를 돕기 위해, 도면 내의 몇몇 요소들의 크기는 상대적으로 다른 요소들에 비해 과장될 수 있다.
전자소자의 제조 공정은 기판 상에 제 1 층을 형성하고 제 1 액체 조성물을 제 1 층의 제 1 부 상에 배치함을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 적어도 제 1 게스트 재료 및 제 1 액체 매질을 포함한다. 제 1 액체 조성물은 제 1 층과 접촉하고, 상당량의 제 1 게스트 재료가 제 1 층과 상호혼합된다.
한 실시양태에서, 제 1 층은 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있는데, 여기서 목표 파장 스펙트럼은 150 ㎚ 이하의 너비를 갖는다. 제 1 게스트 재료는 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있다. 특정 실시양태에서, 각각의 제 1 층 및 제 1 게스트 재료는 청색광 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는다.
또다른 실시양태에서, 공정은 제 1 층을 형성하기 전에 제 2 층을 기판 상에 형성하고, 적어도 제 2 층의 일부를 조밀화시킴을 포함한다. 조밀화 후에 제 1 층을 제 2 층 상에 형성한다. 특정 실시양태에서는, 제 1 층 및 제 2 층은 실질적으로 동일한 조성을 갖는다. 또다른 특정 실시양태에서, 제 2 층은 제 1 게스트 재료가 기판과 상호혼합되는 것을 실질적으로 저지한다. 또다른 특정 실시양태에서, 조밀화는 제 2 층을 가교시키는 것을 포함한다. 더욱 특정한 실시양태에서, 공정은 제 1 층을 가교시킴을 추가로 포함하는데, 여기서 제 1 층은 제 1 재료를 포함하고 제 2 층은 제 2 재료를 포함한다. 제 1 재료의 전부가 아닌 일부가 가교되도록 제 1 층의 가교를 수행하고, 적어도 실질적으로 모든 제 2 재료가 가교되도록 제 2 재료의 가교를 수행한다.
또다른 실시양태에서, 공정은 제 2 액체 조성물을 제 1 층의 제 2 부 상에 배치함을 추가로 포함한다. 제 2 액체 조성물은 적어도 제 2 게스트 재료 및 제 2 액체 매질을 포함한다. 제 2 게스트 재료는 제 1 게스트 재료와 상이하고, 제 2 액체 조성물은 제 1 층과 접촉하고, 상당량의 제 2 게스트 재료가 제 1 층과 상호혼합된다. 공정은 또한 제 3 액체 조성물을 제 1 층의 제 3 부 상에 배치함을 포함한다. 제 3 액체 조성물은 적어도 제 3 게스트 재료 및 제 3 액체 매질을 포함하고, 제 3 게스트 재료는 제 1 게스트 재료 및 제 2 게스트 재료와 상이하다. 제 3 액체 조성물은 제 1 층과 접촉하고, 상당량의 제 3 게스트 재료는 제 1 층과 상호혼합된다. 특정 실시양태에서, 형성된 제 1 층은 40 ㎚ 이하의 두께를 갖는다. 제 1 층과 제 1 게스트 재료의 제 1 조합은 60 ㎚ 이상의 두께를 갖고, 제 1 층과 제 2 게스트 재료의 제 2 조합은 30 ㎚ 이상의 두께를 갖고, 제 1 층과 제 3 게스트 재료의 제 3 조합은 60 ㎚ 이상의 두께를 갖는다.
한 실시양태에서, 실질적으로 모든 제 1 게스트 재료는 제 1 층과 상호혼합된다. 또다른 실시양태에서, 제 1 액체 조성물을 제 1 층 상에 배치함을 정밀침착기술을 사용하여 수행한다. 또다른 실시양태에서, 제 1 층을 형성함은 연속적 층을 형성함을 포함한다. 추가의 실시양태에서, 제 1 층은 여과층의 적어도 일부이다. 추가의 실시양태에서, 이러한 공정에 의해 형성된 전자소자가 제공된다. 이러한 전자소자에서, 제 1 층 내의 제 1 게스트 재료는 방사선-방출 전자 요소 또는 방사선-반응 전자 요소의 일부이다.
전자소자는 기판 및 기판 상에 놓인 연속적 제 1 층을 포함한다. 연속적 층은 전자 요소를 포함하는 제 1 부 및 전자 요소를 포함하지 않는 제 2 부를 포함한다. 제 1 부는 두께가 30 ㎚ 이상이고 제 1 게스트 재료를 포함하고, 제 2 부는 두께가 40 ㎚ 이하이다.
한 실시양태에서, 연속적 제 1 층은 추가적인 제 1 부를 포함하고, 전자소자는 제 1 전자 요소를 포함한다. 각각의 제 1 전자 요소는 제 1 전극, 제 2 전극, 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 1 부를 포함한다. 특정 실시양태에서, 연속적 제 1 층은 제 3 부 및 제 4 부를 포함한다. 제 3 부는 두께가 30 ㎚ 이상이고 제 2 게스트 재료를 포함하고, 제 4 부는 두께가 30 ㎚ 이상이고 제 3 게스트 재료를 포함한다. 전자소자는 제 2 전자 요소 및 제 3 전자 요소를 포함한다. 각각의 제 2 전자 요소는 제 3 전극, 제 4 전극, 및 제 3 전극과 제 4 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 2 부를 포함한다. 각각의 제 3 전자 요소는 제 5 전극, 제 6 전극, 및 제 5 전극과 제 6 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 3 부를 포함한다. 더욱 특정한 실시양태에서, 제 1 전자 요소는 방사선-방출 전자 요소 또는 방사선-반응 전자 요소이다.
또다른 실시양태에서, 연속적 제 1 층은 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있는데, 여기서 목표 파장 스펙트럼은 150 ㎚ 이하의 너비를 갖는다. 제 1 게스트 재료는 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있다. 특정 실시양태에서, 각각의 연속적 제 1 층 및 제 1 게스트 재료는 청색광 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는다.
추가의 실시양태에서, 전자소자는 기판과 연속적 제 1 층 사이에 놓인 제 2 층을 추가로 포함한다. 연속적 제 1 층은 제 1 재료를 포함하고, 여기서 제 1 재료의 전부가 아닌 일부가 가교된다. 제 2 층은 제 2 재료를 포함하고, 여기서 실질적으로 모든 제 2 재료가 가교된다. 추가의 실시양태에서, 연속적 제 1 층은 여과층의 적어도 일부이다.
후술되는 상세한 설명 및 '청구의 범위'로부터, 본 발명의 기타 특징 및 이점을 명백하게 알게 될 것이다. 상세한 설명은 우선 '용어의 정의 및 설명', 이어서 '액체 조성물을 사용한 상호혼합', '액체 조성물', '액체 조성물의 혼입 전의 제조 공정', '액체 조성물의 혼입', '제조 공정의 나머지 부분', '대안적 실시양태', '전자소자의 전자적 작동', '이점' 및 마지막으로 '실시예'에 대해 논의한다.
1. 용어의 정의 및 설명
후술되는 상세한 설명을 논의하기 전에, 몇몇 용어가 정의되고 설명된다. "어레이", "주변회로" 및 "원격회로"라는 용어는 전자소자의 상이한 영역 또는 성분을 의미하는 것이다. 예를 들면, 어레이는 규칙적으로 배열된(통상적으로는 열 및 행에 의해 디자인된) 픽셀, 셀 또는 기타 구조물을 포함할 수 있다. 어레이 내 픽셀, 셀 또는 기타 구조물은, 어레이와 동일한 전자소자 내부에 그러나 어레이 자체의 외부에 놓일 수 있는 주변회로에 의해 국소적으로 제어될 수 있다. 원격회로는 전형적으로 주변회로로부터 멀리 놓이며, (전형적으로는 주변회로를 통해) 어레이로 신호를 보내거나 어레이로부터 신호를 수용할 수 있다. 원격회로는 어레이와 관련없는 기능을 수행할 수도 있다. 원격회로는 어레이를 갖는 기판 상에 존재하거나 존재하지 않을 수 있다.
"청색광"이라는 용어는 약 400 내지 500 ㎚의 파장에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 의미한다.
"완충층" 또는 "완충 재료"라는 용어는, 하부 층의 평탄화, 전하 수송 또는 전하 주입 성질, 산소 또는 금속 이온과 같은 하나 이상의 불순물의 소거, 또는 전자소자의 성능을 개선 또는 향상시키는 또다른 양태를 포함하는, 하나 이상의 기능을 전자소자 내에서 수행할 수 있는, 하나 이상의 전기 전도성 또는 반도성 재료를 의미한다. 완충 재료는 중합체, 용액, 분산액, 현탁액, 유화액, 콜로이드성 혼합물, 또다른 조성물, 또는 이것들의 임의의 조합일 수 있다.
층, 재료, 부재 또는 구조물을 지칭할 때 사용되는 "전하-차단"이라는 용어는 전하가 또다른 층, 재료, 부재 또는 구조물과 상호혼합되는 가능성을 현저하게 감소시키는 층, 재료, 부재 또는 구조물을 의미한다.
층, 재료, 부재 또는 구조물을 지칭할 때 사용되는 "전하-주입"이라는 용어는 인접한 층, 재료, 부재 또는 구조물로의 전하 이동을 촉진시키는 층, 재료, 부재 또는 구조물을 의미한다.
층, 재료, 부재 또는 구조물을 지칭할 때 사용되는 "전하-수송"이라는 용어는 상대적 효율 및 적은 전하 손실률을 갖고서 층, 재료, 부재 또는 구조물의 두께를 통한 전하의 이동을 촉진시키는 층, 재료, 부재 또는 구조물을 의미한다.
층을 지칭할 때 사용되는 "연속적"이라는 용어는, 임의의 끊김이 없이 기판의 전부 또는 일부(예를 들면 어레이)를 덮는 층을 의미한다. 연속적 층은, 또다른 부분보다 국소적으로 더 얇은 부분을 가질 수 있고, 끊김 또는 틈새가 없다면 여전히 연속적일 수 있다.
"가교"라는 용어는 복잡한 분자 내의 2 개의 인접한 탄소쇄들을 연결하는 결합을 형성함을 의미한다.
층, 부재 또는 구조물을 지칭할 때 사용되는 "조밀화"라는 용어는, 층, 부재 또는 구조물을, 이러한 층, 부재 또는 구조물과 접촉하거나 달리 이것에 노출된 하나 이상의 재료와 덜 상호작용할 수 있는 상태로 만듬을 의미한다. 조밀화는 어닐링, 가교 또는 기타 중합, 경화, 부동화(댕글링 결합(dangling bond)의 개수를 감소시키는 것), 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
"전자 요소"라는 용어는 전기적 또는 전자-방사적(예를 들면 전광학적) 기능을 수행하는 회로의 최하위 단위를 의미한다. 전자 요소는 트랜지스터, 다이오드, 레지스터, 커패시터, 인덕터, 반도체 레이저, 광스위치 등을 포함할 수 있다. 전자 요소는 기생 저항(예를 들면 와이어의 저항) 또는 기생 커패시턴스(예를 들면 전도체들 사이의 커패시터가 뜻밖에 또는 우연히 존재하는, 상이한 전자 요소들에 연결된 두 전도체들 사이의 커패시턴스 결합(capacitive coupling))를 포함하지 않는다.
"전자소자"라는 용어는 총괄적으로, 적당하게 연결되고 적당한 전위를 공급받을 때, 기능을 수행하는 회로, 전자 요소 또는 이것들의 조합의 집합을 의미한다. 전자소자는 시스템의 일부를 포함할 수 있거나 시스템의 일부일 수 있다. 전자소자의 예는 디스플레이, 센서 어레이, 컴퓨터 시스템, 항공전자 시스템, 자동차, 이동전화 또는 기타 소비자 또는 산업적 전자제품을 포함한다.
"최대방출강도"라는 용어는 방출된 방사선의 최고 강도를 의미한다. 최대방출강도는 상응하는 파장 또는 파장 스펙트럼을 갖는다(예를 들면 적색광, 녹색광 또는 청색광).
층, 재료, 부재 또는 구조물을 지칭할 때 사용되는 "여과체"라는 용어는 방사선-방출 또는 방사선-반응 층으로부터 분리된 층, 재료, 부재 또는 구조물을 의미하며, 여과체는 이러한 층, 재료, 부재 또는 구조물을 투과하는 방사선의 파장을 제한하는데 사용된다. 예를 들면, 적색 여과층은 가시광 스펙트럼으로부터 실질적으로 적색광만이 적색 여과층을 통과하게 허용할 수 있다. 따라서, 적색 여과층은 녹색광 및 청색광을 여과한다.
"녹색광"이라는 용어는 약 500 내지 600 ㎚의 파장에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 의미한다.
"게스트 재료"라는 용어는, 호스트 재료를 포함하는 층의 전자적 특성 또는 방사선의 방출, 수용 또는 여과의 목표 파장을, 게스트 재료가 존재하지 않을 경우의 이러한 층의 전자적 특성 또는 방사선의 방출, 수용 또는 여과의 목표 파장과 다르게 변경시키는, 호스트 재료를 포함하는 층 내의 재료를 의미한다.
"호스트 재료"라는 용어는 게스트 재료가 첨가될 수 있는, 통상적으로는 층 형태의 재료를 의미한다. 호스트 재료는 전자적 특성 또는 방사선을 방출, 수용 또는 여과할 수 있는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다.
"상호혼합"이라는 용어 및 이것의 변형은 넓게는 재료가 외부 전기장 없이 층, 부재, 구조물 또는 또다른 재료와 혼합됨을 포함하고, 교반, 용해, 확산, 유화, (현탁액을 위한) 현탁 또는 이것들의 조합을 망라한다. 재료가 층, 부재, 구조물 또는 기타 재료에 혼입될 수 있고, 층, 부재, 구조물 또는 기타 재료가 재료에 혼입될 수 있고, 또는 이것들의 조합일 수 있다. 따라서, 이동의 "방향"은 상호혼합과는 무관하다. 상호혼합은 층, 부재, 구조물 또는 기타 재료 내에서의 재료의 균질한 또는 실질적으로 균일한 농도를 달성할 것을 요구하지 않는다. 상호혼합은 이온주입(ion implantation)을 포함하지 않는다.
"액체 조성물"이라는 용어는 용액을 형성하도록 액체 매질에 용해되거나, 분산액을 형성하도록 액체 매질에 분산되거나, 현탁액 또는 유화액을 형성하도록 액체 매질에 현탁된 유기 활성 재료를 의미한다.
"액체 매질"이라는 용어는 용액, 분산액, 현탁액 또는 유화액 내의 액체를 의미한다. 액체 매질은 하나 이상의 용매가 존재하는지에 상관없이 사용되고, 따라서 액체 매질은 이러한 용어의 단수 또는 복수 형태(예를 들면 액체 매질들)로서 사용된다.
"유기 활성층"이라는 용어는 하나 이상의 유기층이 단독으로 또는 상이한 재료와 접촉할 때, 정류 접합부를 형성할 수 있는 하나 이상의 유기층을 의미한다.
"정밀침착기술"이라는 용어는 하나 이상의 재료를 기판 상에 약 1 밀리미터 이하의 두께로 침착시킬 수 있는 침착기술을 의미한다. 스텐실 마스크, 프레임, 웰 구조물, 패턴화된 층 또는 기타 구조물이 이러한 침착 공정 동안에 존재할 수 있다. 이러한 기술의 비-제한적인 예는 스크린 인쇄, 잉크-젯 인쇄, 용액분배, 바늘흡인, 선택적 인쇄 및 이것들의 조합을 포함한다.
"방사선-방출 요소"라는 용어는 적당하게 바이어싱되면, 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선을 방출하는 전자 요소를 의미한다. 방사선은 가시광 스펙트럼의 내부 또는 가시광 스펙트럼의 외부에 존재할 수 있다(자외선("UV") 또는 적외선("IR")). 발광다이오드는 방사선-방출 요소의 예이다.
"방사선-반응 요소"라는 용어는 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선을 감지하거나 방사선에 반응할 수 있는 전자 요소를 의미한다. 방사선은 가시광 스펙트럼의 내부 또는 가시광 스펙트럼의 외부에 존재할 수 있다(UV 또는 IR). 광검출기, IR 센서, 바이오센서 및 광기전력 전지가 방사선-반응 요소의 예이다.
"정류 접합부"라는 용어는 하나의 유형의 전하 운반체가 반대 방향에 비해 어느 한 방향으로 접합부를 통해 더 쉽게 유동하는, 반도체층 내의 접합부 또는 반도체층과 상이한 재료 사이의 계면에 의해 형성된 접합부를 의미한다. pn 접합부는 다이오드로서 사용될 수 있는 정류 접합부의 예이다.
"적색광"이라는 용어는 약 600 내지 700 ㎚의 파장에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 의미한다.
"스펙트럼"이라는 문구는 하나 초과의 파장을 의미한다. 스펙트럼은 하나 이상의 파장 범위에 상응할 수 있다. 이러한 범위들은 인접하거나, 겹쳐지거나, 이격되거나, 이것들의 임의의 조합일 수 있다.
"상당량"이라는 용어는, 질량을 기준으로, 원래의 양의 1/3 이상임을 의미한다. 예를 들면, 상당량의 게스트 재료가 유기층 내에 놓이는 경우, 유기층 상에 놓인 일정 부피의 스트림 또는 액적 내의 게스트 재료(원래의 양의 게스트 재료)의 1/3 이상이 유기층 내에 존재한다.
본원에서 사용된 "포함한다", "포함하는", "내포한다", "내포하는", "갖는다", "갖는" 또는 이것의 임의의 기타 변형은 비-배타적 포함을 망라한다. 예를 들면, 일련의 요소들을 포함하는 공정, 방법, 물품 또는 장치가 반드시 이러한 요소에만 국한될 필요는 없지만, 이것은 특별히 열거되지 않거나 이러한 공정, 방법, 물품 또는 장치에 고유하지 않은 기타 요소를 포함할 수 있다. 또한, 달리 반대로 언급되지 않는 한, "또는"은 배타적 논리합이 아닌 포함적 논리합을 지칭한다. 예를 들면, 조건 A 또는 B는 하기 중에서 임의의 어느 하나에 의해 충족된다: A가 참(또는 존재)이고 B가 거짓(또는 부재), A가 거짓(또는 부재)이고 B가 참(또는 존재), A와 B 둘 다가 참(또는 존재).
또한, 명료하게 하기 위해, 그리고 본원에서 기술된 실시양태의 범주의 일반적 상식을 제공하기 위해, "하나"("a" 또는 "an")의 사용은 이러한 "하나"가 지칭하는 하나 이상의 물품을 기술하는데 사용된다. 따라서, 이러한 설명은, "하나"가 사용될 때는 언제나 하나 또는 하나 이상을 포함한다는 것으로 이해되어야 하며, 달리 명확하게 반대로 언급되지 않는 한, 단수는 복수를 포함한다. 원소주기율표 내의 열에 상응하는 족 번호는 문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition(2000)]에 기술된 바와 같은 "뉴 노테이션(New Notation)" 약정을 사용한다.
달리 언급이 없는 한, 본원에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명과 관련된 해당 분야의 보통의 숙련자들이 통상적으로 이해하고 있는 것과 동일한 의미를 갖는다. 비록 본 발명의 실시양태, 이것의 제조 방법 또는 용도에 대해 본원에서 적합한 방법 및 재료가 기술되지만, 이러한 기술된 것들과 유사하거나 동등한 기타 방법 및 재료를 본 발명의 범주에서 벗어나지 않게 사용할 수 있다. 본원에서 언급된 모든 공개공보, 특허출원, 특허 및 기타 참고문헌은 전문이 참고로 인용된다. 의견이 상충될 때에는, 용어의 정의를 포함한 본 발명의 명세서에 따르면 될 것이다. 또한, 재료, 방법 및 실시예는 단지 예시를 위한 것이며 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
후술되는 상세한 설명 및 '청구의 범위'로부터, 본 발명의 기타 특징 및 이점을 명백하게 알게 될 것이다.
본원에서 설명되지는 않는 한, 구체적인 재료, 처리 작업 및 회로와 관련된 많은 세부사항들은 통상적이며, 이것을 유기 발광다이오드 디스플레이, 광검출기, 광기전력 전지 및 반도체 분야의 교재 및 기타 원전에서 찾을 수 있을 것이다.
2. 액체 조성물을 사용한 상호혼합
본 명세서에서 교시된 개념은, 상당량의 하나 이상의 게스트 재료가, 적어도 부분적으로 하나 이상의 호스트 재료를 포함하는 층 내에 혼입되는 하나 이상의 층을 형성하도록 전자소자에 적용될 수 있다. 층은 유기층이거나 유기층이 아닐 수 있다. 한 실시양태에서, 상당량은 약 40 % 이상이고, 또다른 실시양태에서는 약 50 % 이상이다. 추가의 실시양태에서, 실질적으로 모든 하나 이상의 게스트 재료가, 액체 조성물과 접촉하는 층과 상호혼합될 수 있다. 웰 구조물은 혼입 공정 동안에 존재하거나 존재하지 않을 수 있다. 더욱 구체적으로는, 하나 이상의 게스트 재료 및 액체 매질을 포함하는 하나 이상의 액체 조성물은, 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액의 형태일 수 있다.
본 단락은 유기층과 액체 조성물 사이의 상호작용에 대한 설명을 포함한다. 유기층은 기판 상에 놓인 층일 수 있다는 것을 유념하도록 한다. 또다르게는, 기판은 존재하지 않을 수 있거나 유기층이 기판이다. 비록 본 단락 내의 설명이 이해를 단순하게 하기 위해 하나의 게스트 재료를 갖는 액체 조성물을 언급하기는 하지만, 하나 초과의 게스트 재료가 사용될 수 있고, 분산액, 유화액 또는 현탁액에 대한 원리는 유사하다. 또다르게는, 액체 조성물은 하나 이상의 게스트 재료 외에도 유기층 내에도 존재하는 호스트 재료를 포함할 수도 있다. 액체 조성물은 게스트 재료가 유기층과 상호혼합되는 정확한 영역에 배치될 수 있다. 액체 조성물의 액체 매질은 유기층과 함께 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액을 형성하여, 유기층을 실질적으로 고체인 상태로부터 이러한 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액의 형태인 실질적으로 액체인 상태로 전환시킬 수 있다. 유기층은 액체 조성물에 사용되는 액체 매질과 함께 잘 혼합되는 성질을 갖는다. 액체 매질이 유기층의 국소적 영역을 실질적으로 액체인 상태로 전환시키기 때문에, 게스트 재료는 유기층과 상호혼합될 수 있다. 예상외로, 대부분의 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된다. 한 실시양태에서, 액체 조성물로부터 유래된 실질적으로 모든 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된다. 게스트 재료는 유기층으로부터 방출되는, 유기층에 의해 반응되는 또는 유기층을 투과하는 방사선, 또는 유기층의 전자적 특성에 영향을 준다.
유기층을 형성하기 위한 호스트 재료는 전자소자의 용도 및 전자소자 내 유기층의 용도에 따라 다양하다. 유기층의 적어도 일부는 방사선-방출 유기 활성층, 방사선-반응 유기 활성층, 여과층, 또는 전자 요소 내의 층(예를 들면 레지스터, 트랜지스터, 커패시터 등의 적어도 일부)으로서 사용될 수 있다.
3. 액체 조성물
인쇄 장치를 사용하여, 액체 조성물을 포함하는 다양한 상이한 재료를 침착시킬 수 있다. 하기 단락은 사용될 수 있는 재료의 전부가 아니라 단지 일부를 포함한다. 한 실시양태에서, 전자소자 내 유기 또는 무기 층을 위한 하나 이상의 재료를 인쇄 장치를 사용해 형성한다.
본원과 동시에 출원된 문헌[Attorney Docket No. UC0456, "Electronic Devices and Processes For Forming the Same", MacPherson 등]에 기술된 바와 같은 연속식 인쇄 장치가 액체 조성물의 인쇄에 매우 적합하다. 이러한 인쇄 장치는 통상적인 잉크-젯 인쇄기에 비해 보다 넓은 범위의 작동 변수 및 액체 조성물을 허용한다. 한 실시양태에서, 하나 이상의 변수가 액체 조성물의 유동 특성에 영향을 줄 수 있다. 점도는 유동 특성에 영향을 줄 수 있는 변수이다. 점도는 선택된 액체 매질, 액체 매질 내 고체 함량, 액체 조성물의 온도 또는 잠재적으로 하나 이상의 인자, 또는 이것들의 임의의 조합에 의해 영향받을 수 있다. 점도는 온도에 의해 직접적으로 영향을 받거나(액체 매질의 점도는 온도가 감소함에 따라 증가하거나 온도가 증가함에 따라 감소함), 액체 조성물 내 액체 매질의 증발속도의 변화(즉 보다 낮거나 보다 높은 비등점을 갖는 액체 매질의 사용, 액체 조성물의 온도의 변화 또는 이것들의 조합)에 의해 간접적으로 영향을 받는다. 숙련자라면 본 명세서를 읽고서, 훨씬 더 넓은 액체 매질의 선택, 사용되는 액체 조성물의 보다 넓은 고체 농도의 범위, 또는 이것들의 조합을 허용하는 많은 상이한 방법이 있다는 것을 알게 될 것이다.
액체 조성물은 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액의 형태일 수 있다. 하기 단락에서, 고체 재료 및 액체 매질의 비-제한적 예가 제시되어 있다. 고체 재료는 후속적으로 형성되는 층의 전자적 또는 전자-방사적 성질을 근거로 선택될 수 있다. 액체 매질은 본 명세서에서 후술되는 조건을 근거로 선택될 수 있다.
인쇄 장치를 사용하는 경우, 액체 조성물은 막힘(clogging) 걱정없이 약 2.0 중량% 초과의 고체 함량을 가질 수 있다. 한 실시양태에서, 고체 함량은 약 2.0 내지 3.0 중량%이다. 또한, 인쇄 장치는 정밀하게 형성된 액적을 사용할 것을 필요로 하지 않는다. 따라서, 인쇄 장치는 통상적인 잉크-젯 인쇄기에 비해 보다 높은 점도 또는 보다 낮은 비등점을 갖는 액체 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 인쇄 장치는 통상적인 잉크-젯 인쇄기에 비해 보다 낮은 점도 또는 보다 높은 비등점을 갖는 액체 조성물을 사용할 수 있다. 또한, 액체 조성물 내의 액체 매질은 인쇄 전에 탈기를 필요로 하지 않는다. 예를 들면, 수용액 내에서의 전도성 유기 재료의 분산에 사용되는 통상적인 잉크-젯 인쇄기는 수성 용매의 탈기를 필요로 한다. 그러나 인쇄 장치는 보다 많은 공정 여유(processing margin)를 허용하기 때문에, 인쇄 장치의 적당한 작동을 위해 액체 매질의 탈기를 필요로 하지 않는다.
인쇄 장치를 사용하여 인쇄된 유기층은 유기 활성층(예를 들면 방사선-방출 유기 활성층 또는 방사선-반응 유기 활성층), 여과층, 완충층, 전하-주입층, 전하-수송층, 전하-차단층, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 유기층은 레지스터, 트랜지스터, 커패시터, 다이오드 등의 일부로서 사용될 수 있다.
방사선-방출 유기 활성층의 경우, 적합한 방사선-방출 재료는 하나 이상의 소분자 재료, 하나 이상의 중합체성 재료, 또는 이것들의 조합을 포함한다. 소분자 재료는 예를 들면 미국특허 제 4,356,429 호("Tang"); 미국특허 제 4,539,507 호("Van Slyke"); 미국특허출원공개 제 US 2002/0121638 호("Grushin"); 또는 미국특허 제 6,459,199 호("Kido")에 기술된 것들 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 또다르게는, 중합체성 재료는 미국특허 제 5,247,190 호("Friend"); 미국특허 제 5,408,109 호("Heeger"); 또는 미국특허 제 5,317,169 호("Nakano")에 기술된 것들 중 임의의 하나 이상을 포함할 수 있다. 이러한 재료의 예는 반도성 공액화 중합체이다. 이러한 중합체의 예는 폴리(파라페닐렌비닐렌)(PPV), PPV 공중합체, 폴리플루오렌, 폴리페닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리알킬티오펜, 폴리(n-비닐카르바졸)(PVK) 등을 포함한다. 한 특정 실시양태에서, 임의의 게스트 재료를 함유하지 않는 방사선-방출 활성층은 청색광을 방출할 수 있다.
방사선-반응 유기 활성층의 경우, 적합한 방사선-반응 재료는 많은 공액화 중합체 또는 전자발광 재료를 포함할 수 있다. 이러한 재료는 예를 들면, 공액화 중합체 또는 전자- 및 광-발광 재료를 포함한다. 구체적인 예는 폴리(2-메톡시, 5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌 비닐렌)("MEH-PPV") 또는 CN-PPV와 MEH-PPV의 복합체를 포함한다.
여과층의 위치는 유기 활성층과 전자소자의 사용자 사이일 수 있다. 여과층은 기판, 전극(예를 들면 양극 또는 음극), 전하-수송층, 전하-주입층 또는 전하-차단층의 일부일 수 있거나, 여과층은 기판, 전극, 전하-수송층, 전하-주입층, 전하-차단층, 또는 이것들의 임의의 조합 중 어느 하나 사이에 놓일 수 있거나, 이것들의 조합일 수 있다. 또다른 실시양태에서, 여과층은 (기판에 부착되지 않고서) 개별적으로 제작된 후에, 전자소자 내에 전자 요소가 제작되기 전에 또는 그 동안에 또는 그 후에, 기판에 부착된 층일 수 있다. 이러한 실시양태에서, 여과층은 기판과 전자소자의 사용자 사이에 놓일 수 있다.
여과층이 기판으로부터 분리되거나 기판의 일부인 경우, 또는 여과층이 기판과 기판에 가장 가까이 위치한 전극 사이에 놓이는 경우, 적합한 재료는 유기 재료, 예를 들면 폴리올레핀(예를 들면 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌); 폴리에스테르(예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트); 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리아크릴로니트릴 또는 폴리메타크릴로니트릴; 과플루오르화 또는 부분 플루오르화 중합체(예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 테트라플루오로에틸렌과 폴리스티렌의 공중합체); 폴리카르보네이트; 폴리비닐 클로라이드; 폴리우레탄; 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 단독중합체 또는 공중합체를 포함하는, 폴리아크릴 수지; 에폭시 수지; 노볼락 수지; 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
정공-주입층, 정공-수송층, 전자-차단층, 또는 이것들의 임의의 조합의 경우, 적합한 재료는 폴리아닐린("PANI"), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)("PEDOT"), 폴리피롤, 유기 전하-수송 화합물, 예를 들면 테트라티아풀발렌 테트라시아노퀴노디메탄("TTF-TCQN"), 키도(Kido)의 문헌에 기술된 바와 같은 정공-수송 재료, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
전자-주입층, 전자 수송층, 정공-차단층, 또는 이것들의 임의의 조합의 경우, 적합한 재료는 금속-킬레이트화 옥시노이드 화합물(예를 들면 Alq3 또는 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리네이토)-4-페닐페놀레이트("BAlq")); 페난트롤린-기재의 화합물(예를 들면 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린("DDPA") 또는 9,10-디페닐안트라센("DPA")); 아졸 화합물(예를 들면 2-3차-부틸페닐-5-비페닐-1,3,4-옥사디아졸("PBD") 또는 3-(4-비페닐)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸("TAZ"); 키도의 문헌에 기술된 바와 같은 전자 수송 재료; 디페닐안트라센 유도체; 디나프틸안트라센 유도체; 4,4-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-비페닐 ("DPVBI"); 9,10-디-베타-나프틸안트라센; 9,10-디-(나펜틸)안트라센; 9,10-디-(2-나프틸)안트라센("ADN"); 4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐("CBP"); 9,10-비스-[4-(2,2-디페닐비닐)-페닐]-안트라센("BDPVPA"); 안트라센, N-아릴벤즈이미다졸(예를 들면 "TPBI"); 1,4-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2-(9-에틸-3-카르바조일)비닐레닐]-1,1'-비페닐; 9,10-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]안트라센; 1,4-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]벤젠; 4,4'-비스[2,2-(9,9-플루오레닐렌)비닐레닐]-1,1'-비페닐; 페릴렌, 치환된 페릴렌; 테트라-3차-부틸페릴렌("TBPe"); 비스(3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카르복시피리딜) 이리듐 III ("F(Ir)Pic"); 피렌, 치환된 피렌; 스티릴아민; 플루오르화 페닐렌; 옥시디아졸; 1,8-나프탈이미드; 폴리퀴놀린; PPV 이내의 하나 이상의 탄소 나노튜브; 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다. 레지스터, 트랜지스터, 커패시터 등과 같은 전자 요소의 경우, 유기층은 하나 이상의 티오펜(예를 들면 폴리티오펜, 폴리(알킬티오펜), 알킬티오펜, 비스(디티엔티오펜), 알킬안트라디티오펜 등), 폴리아세틸렌, 펜타센, 프탈로시아닌, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
유기 염료의 예는 4-디시안메틸렌-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란(DCM), 쿠마린, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 이것의 유도체, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
유기금속성 재료의 예는 하나 이상의 금속에 배위된 하나 이상의 작용기를 포함하는 작용화 중합체를 포함한다. 사용이 고려되는 작용기의 예는 카르복실산, 카르복실산염, 술폰산기, 술폰산염, OH 잔기를 갖는 기, 아민, 이민, 디이민, N-산화물, 포스핀, 포스핀 산화물, β-디카르보닐기, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다. 사용이 고려되는 금속의 예는 란탄족 금속(예를 들면 Eu, Tb), 7족 금속(예를 들면 Re), 8족 금속(예를 들면 Ru, Os), 9족 금속(예를 들면 Rh, Ir), 10족 금속(예를 들면 Pd, Pt), 11족 금속(예를 들면 Au), 12족 금속(예를 들면 Zn), 13족 금속(예를 들면 Al), 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다. 이러한 유기금속성 재료는 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예를 들면 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄(Alq3); 시클로메탈화 이리듐 또는 백금 전자발광 화합물, 예를 들면 공개된 PCT 출원 WO 02/02714에 개시된 바와 같은 이리듐과 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드의 착물, 예를 들면 공개된 US 2001/0019782, EP 1191612, WO 02/15645, WO 02/31896 및 EP 1191614에 기술된 유기금속 착물; 또는 이것의 임의의 혼합물을 포함한다.
공액화 중합체의 예는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로비플루오렌), 이것들의 공중합체, 또는 이것들의 조합을 포함한다.
액체 매질의 선택은 액체 조성물의 하나 이상의 적당한 특성의 달성에 있어 중요한 인자일 수 있다. 액체 매질을 선택할 때 고려되는 인자는 예를 들면 그 결과의 용액, 유화액, 현탁액 또는 분산액의 점도, 중합체성 재료의 분자량, 고체 함량, 액체 매질의 유형, 액체 매질의 비등점, 하부 기판의 온도, 게스트 재료를 수용하는 유기층의 두께, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
몇몇 실시양태에서, 액체 매질은 하나 이상의 용매를 포함한다. 유기 용매의 예는 할로겐화 용매, 콜로이드-형성 중합체성 산, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 에테르 용매, 고리형 에테르 용매, 알콜 용매, 글리콜 용매, 케톤 용매, 니트릴 용매, 술폭사이드 용매, 아미드 용매, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
할로겐화 용매의 예는 사염화탄소, 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 테트라클로로에틸렌, 클로로벤젠, 비스(2-클로로에틸)에테르, 클로로메틸 에틸 에테르, 클로로메틸 메틸 에테르, 2-클로로에틸 에틸 에테르, 2-클로로에틸 프로필 에테르, 2-클로로에틸 메틸 에테르, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
콜로이드-형성 중합체성 산의 예는 플루오르화 술폰산(예를 들면 플루오르화 알킬술폰산, 예를 들면 과플루오르화 에틸렌술폰산), 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
탄화수소 용매의 예는 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 헵탄, 옥탄, 데카히드로나프탈렌, 석유 에테르, 리그로인, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
방향족 탄화수소 용매의 예는 벤젠, 나프탈렌, 톨루엔, 자일렌, 에틸 벤젠, 큐멘(이소-프로필 벤젠) 메시틸렌 (트리메틸 벤젠), 에틸 톨루엔, 부틸 벤젠, 시멘(이소-프로필 톨루엔), 디에틸벤젠, 이소-부틸 벤젠, 테트라메틸 벤젠, 2차-부틸 벤젠, 3차-부틸 벤젠, 아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
에테르 용매의 예는 디에틸 에테르, 에틸 프로필 에테르, 디프로필 에테르, 디이소프로필 에테르, 디부틸 에테르, 메틸 t-부틸 에테르, 글림, 디글림, 벤질 메틸 에테르, 이소크로만, 2-페닐에틸 메틸 에테르, n-부틸 에틸 에테르, 1,2-디에톡시에탄, 2차-부틸 에테르, 디이소부틸 에테르, 에틸 n-프로필 에테르, 에틸 이소프로필 에테르, n-헥실 메틸 에테르, n-부틸 메틸 에테르, 메틸 n-프로필 에테르, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
고리형 에테르 용매의 예는 테트라히드로푸란, 디옥산, 테트라히드로피란, 4-메틸-1,3-디옥산, 4-페닐-1,3-디옥산, 1,3-디옥솔란, 2-메틸-1,3-디옥솔란, 1,4-디옥산, 1,3-디옥산, 2,5-디메톡시테트라히드로푸란, 2,5-디메톡시-2,5-디히드로푸란, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
알콜 용매의 예는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올, 2-부탄올, 2-메틸-1-프로판올(즉 이소-부탄올), 2-메틸-2-프로판올(즉 3차-부탄올), 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 2,2-디메틸-1-프로판올, 1-헥산올, 시클로펜탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-2-부탄올, 2-메틸-1-부탄올, 2,2-디메틸-1-프로판올, 3-헥산올, 2-헥산올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-에틸부탄올, 2,4-디메틸-3-펜탄올, 3-헵탄올, 4-헵탄올, 2-헵탄올, 1-헵탄올, 2-에틸-1-헥산올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, 2-메틸시클로헥산올, 3-메틸시클로헥산올, 4-메틸시클로헥산올, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
알콜 에테르 용매가 사용될 수도 있다. 알콜 에테르 용매의 예는 1-메톡시-2-프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 1-메톡시-2-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 1-에톡시-2-프로판올, 3-메톡시-1-부탄올, 에틸렌 글리콜 모노이소부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르, 3-메톡시-3-메틸부탄올, 에틸렌 글리콜 모노-3차-부틸 에테르, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
글리콜 용매의 예는 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(DPGME), 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
케톤 용매의 예는 아세톤, 메틸에틸 케톤, 메틸 이소-부틸 케톤, 시클로헥산온, 이소프로필 메틸 케톤, 2-펜탄온, 3-펜탄온, 3-헥산온, 디이소프로필 케톤, 2-헥산온, 시클로펜탄온, 4-헵탄온, 이소-아밀 메틸 케톤, 3-헵탄온, 2-헵탄온, 4-메톡시-4-메틸-2-펜탄온, 5-메틸-3-헵탄온, 2-메틸시클로헥산온, 디이소부틸 케톤, 5-메틸-2-옥탄온, 3-메틸시클로헥산온, 2-시클로헥센-1-온, 4-메틸시클로헥산온, 시클로헵탄온, 4-3차-부틸시클로헥산온, 이소포론, 벤질 아세톤, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
니트릴 용매의 예는 아세토니트릴, 아크릴로니트릴, 트리클로로아세토니트릴, 프로피오니트릴, 피발로니트릴, 이소부티로니트릴, n-부티로니트릴, 메톡시아세토니트릴, 2-메틸부티로니트릴, 이소발레로니트릴, N-발레로니트릴, n-카프로니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴, 3-에톡시프로피오니트릴, 3,3'-옥시디프로피오니트릴, n-헵탄니트릴, 글리콜로니트릴, 벤조니트릴, 에틸렌 시아노히드린, 숙시노니트릴, 아세톤 시아노히드린, 3-n-부톡시프로피오니트릴, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
술폭사이드 용매의 예는 디메틸 술폭사이드, 디-n-부틸 술폭사이드, 테트라메틸렌 술폭사이드, 메틸 페닐 술폭사이드, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
아미드 용매의 예는 디메틸 포름아미드, 디메틸 아세트아미드, 아실아미드, 2-아세트아미도에탄올, N,N-디메틸-m-톨루아미드, 트리플루오로아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸도데칸아미드, 엡실론-카프로락탐, N,N-디에틸아세트아미드, N-3차-부틸포름아미드, 포름아미드, 피발아미드, N-부티르아미드, N,N-디메틸아세토아세트아미드, N-메틸 포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-포르밀에틸아민, 아세트아미드, N,N-디이소프로필포름아미드, 1-포르밀피페리딘, N-메틸포름아닐리드, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
고려되는 크라운 에테르는 본 발명에 따라 처리되는 조합의 일부로서의 에폭시 화합물 출발물질의 염소 함량을 감소시키는 것을 돕는 기능을 할 수 있는 임의의 하나 이상의 크라운 에테르를 포함한다. 크라운 에테르의 예는 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 12-크라운-4; 15-크라운-5; 18-크라운-6; 시클로헥사노-15-크라운-5; 4',4"(5")-디-3차-부틸디벤조-18-크라운-6; 4',4"(5")-디-3차-부틸디시클로헥사노-18-크라운-6; 디시클로헥사노-18-크라운-6; 디시클로헥사노-24-크라운-8; 4'-아미노벤조-15-크라운-5; 4'-아미노벤조-18-크라운-6; 2-(아미노메틸)-15-크라운-5; 2-(아미노메틸)-18-크라운-6; 4'-아미노-5'-니트로벤조-15-크라운-5; 1-아자-12-크라운-4; 1-아자-15-크라운-5; 1-아자-18-크라운-6; 벤조-12-크라운-4; 벤조-15-크라운-5; 벤조-18-크라운-6; 비스((벤조-15-크라운-5)-15-일메틸)피멜레이트; 4-브로모벤조-18-크라운-6; (+)-(18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라-카르복실산; 디벤조-18-크라운-6; 디벤조-24-크라운-8; 디벤조-30-크라운-10; 아르-아르'-디-3차-부틸디벤조-18-크라운-6; 4'-포르밀벤조-15-크라운-5; 2-(히드록시메틸)-12-크라운-4; 2-(히드록시메틸)-15-크라운-5; 2-(히드록시메틸)-18-크라운-6; 4'-니트로벤조-15-크라운-5; 폴리-[(디벤조-18-크라운-6)-코-포름알데히드]; 1,1-디메틸실라-11-크라운-4; 1,1-디메틸실라-14-크라운-5; 1,1-디메틸실라-17-크라운-5; 시클람; 1,4,10,13-테트라티아-7,16-디아자시클로옥타데칸; 포르핀; 또는 이것들의 임의의 조합을 포함한다.
또다른 실시양태에서, 액체 매질은 물을 포함한다. 수-불용성 콜로이드-형성 중합체성 산과 착물을 형성한 전도성 중합체는 기판 상에 침착되어 전하-수송층으로서 사용될 수 있다.
많은 상이한 부류의 액체 매질(예를 들면 할로겐화 용매, 탄화수소 용매, 방향족 탄화수소 용매, 물 등)이 전술되어 있다. 상이한 부류에서 유래된 하나 초과의 액체 매질들의 혼합물이 사용될 수도 있다.
액체 조성물은 결합제 재료, 충전제 재료, 또는 이것들의 조합과 같은 불활성 재료를 포함할 수도 있다. 액체 조성물에 있어서, 불활성 재료는 액체 조성물의 적어도 일부에 의해 형성되거나 그것을 수용하는 층의 전자적, 방사선-방출 또는 방사선-반응 성질에 현저하게 영향을 미치지 않는다.
4. 액체 조성물의 혼입 전의 제조 공정
이제 도 2 내지 5에 기술되고 도시된 예시적인 실시양태에서 세부 사항을 주목하도록 한다. 도 2에서, 제 1 전극(220)을 기판(200)의 일부 상에 형성한다. 기판(200)은 유기전자소자 분야에서 사용되는 통상적인 기판일 수 있다. 기판(200)은 가요성 또는 경질, 유기성 또는 무기성일 수 있다. 일반적으로 유리 또는 가요성 유기 필름을 사용한다. 픽셀 드라이버 또는 또다른 회로(도시되지 않음)를 통상적인 기술을 사용하여 기판(200) 내에 또는 기판 상에 형성할 수 있다. 어레이 외부의 기타 회로는, 어레이 내의 하나 이상의 픽셀을 제어하는데 사용되는 주변회로 또는 원격회로를 포함할 수 있다. 제조 공정은 주변회로 또는 원격회로보다는 픽셀 어레이에 중점을 두고 있다. 기판(200)은 약 12 내지 2500 마이크론의 두께를 가질 수 있다.
제 1 전극(220)은 양극으로서 작용하며 하나 이상의 전도성 층을 포함할 수 있다. 기판(200)으로부터 가장 멀리 위치하는 제 1 전극(220)의 표면은 높은 일함수의 재료를 포함한다. 이러한 도시된 예에서, 제 1 전극(220)은 전자소자 내의 양극에 통상적으로 사용되는 인듐 주석 산화물, 알루미늄 주석 산화물 또는 기타 재료로 된 하나 이상의 층을 포함한다. 이러한 실시양태에서, 제 1 전극(220)은 후속적으로 형성된 유기 활성층으로부터 방출되거나 유기 활성층에 의해 반응된 방사선의 70 % 이상을 투과한다. 한 실시양태에서, 제 1 전극(220)의 두께는 약 100 내지 200 ㎚이다. 방사선이 제 1 전극(220)을 투과할 필요가 없을 경우, 두께는 1000 ㎚ 이상 정도로 더 클 수 있다. 제 1 전극(220)을, 침착 및 임의적 패턴화 시퀀스(patterning sequence)를 포함하는 많은 통상적인 기술들 중 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다.
유기층(230)을 도 2에 도시된 바와 같이 제 1 전극(220) 상에 형성할 수 있다. 유기층(230)은 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 유기층은 유기 활성층 및 임의의 하나 이상의 완충층, 전하-주입층, 전하-수송층 또는 전하-차단층을 포함할 수 있다. 전하-차단층은 전자-차단층 또는 정공-차단층일 수 있고, 전하-주입층은 전자-주입층 또는 정공-주입층일 수 있고, 전하-수송층은 전자-수송층 또는 정공-수송층일 수 있다. 한 실시양태에서, 유기층(230)은 전하-수송층(240) 및 유기 활성층(250)을 포함할 수 있다.
전하-수송층(240) 및 유기 활성층(250)을 제 1 전극(220) 상에 순차적으로 형성한다. 각각의 전하-수송층(240) 및 유기 활성층(250)을, 후술되는 바와 같은 적당한 재료에 대해, 스핀 코팅, 캐스팅, 증기 침착(화학적 또는 증기), 인쇄(잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 용액분배(평면도에 도시된 바와 같이 액체 조성물을 스트라이프 또는 기타 예정된 기하학적 형태 또는 패턴으로서 분배함) 또는 이것들의 임의의 조합), 기타 침착 기술 또는 이것들의 임의의 조합을 포함하는 많은 상이한 기술들 중 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다. 전하-수송층(240)과 유기 활성층(250) 중 하나 또는 둘 다를 침착 후 경화시킬 수 있다.
전하-수송층(240)이 정공-수송층으로서 작용할 경우에, 하나 이상의 재료를 사용할 수 있고(그리고 그것의 선택은 소자 및 유기 활성층(250) 재료에 따라 달라질 것임), 이러한 도시된 예에서, 이것은 하나 이상의 폴리아닐렌("PANI"), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)("PEDOT"), 폴리피롤 또는 전자소자에서 정공-수송층으로서 통상적으로 사용되는 재료를 포함할 수 있다. 정공-수송층은 제 1 전극(220)의 중앙에서 측정시 전형적으로 약 50 내지 250 ㎚의 두께를 갖는다.
유기 활성층(250)의 조성은 전형적으로 전자소자의 용도에 따라 달라진다. 도 2에 도시된 실시양태에서, 유기 활성층(250)이 방사선-방출 요소에서 사용된다. 유기 활성층(250)은 전자소자에서 유기 활성층으로서 통상적으로 사용되는 재료를 포함할 수 있고, 하나 이상의 소분자 재료, 하나 이상의 중합체 재료, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 숙련자라면 본 명세서를 읽고서, 유기 활성층(250)을 위한 적당한 재료, 층 또는 둘 다를 선택할 수 있게 될 것이다. 한 실시양태에서, 유기 활성층(250)은 40 ㎚ 이하이다. 또다른 실시양태에서, 유기 활성층(250)은 제 1 전극(220)의 중앙에서 측정시 약 20 내지 40 ㎚의 두께를 갖는다.
이렇게 형성된, (전하-수송층(240) 및 유기 활성층(250)을 포함하는) 유기층(230)은 형성된 전자 요소의 어레이 상에서 실질적으로 연속적이다. 한 실시양태에서, 유기층(230)은 주변회로영역, 원격회로영역 또는 둘 다를 포함하는 전체 기판 상에서 실질적으로 연속적일 수 있다. 유기층(230)은 유기층(230)이 국소적으로 보다 얇은 하나 이상의 영역을 갖지만, 이것은 유기층(230)이 형성되도록 의도된 기판(200)의 영역(예를 들면 어레이) 상에서는 불연속적이지 않는다는 것을 유념하도록 한다. 도 2를 보면, 전하-수송층(240)과 유기 활성층(250) 중 하나 또는 둘 다를 포함하는 유기층(230)은 제 1 전극(220) 상에서 국소적으로 보다 얇고 제 1 전극(220)으로부터 멀리 위치한 곳에서 국소적으로 보다 두껍다. 한 실시양태에서, 유기층(230)은 제 1 전극(220)의 중앙에서 측정시 약 10 내지 290 ㎚의 두께를 갖는다.
전자소자가 방사선-방출 미세공동(microcavity) 소자인 경우, 원하는 방출 파장 스펙트럼을 제공하는 유기층(230)의 두께를 선택하도록 주의를 기울인다.
또다른 실시양태에서, 웰 구조물을 도 1에 도시된 바와 같은 웰 구조물(130)과 유사하게 형성할 수 있다. 이러한 실시양태에서, 유기층(230)을 기판(200) 및 웰 구조물 상에 형성할 수 있다. 유기층(230)은 웰 구조물의 최상부 근처에서 측부를 따라 국소적으로 보다 얇을 수 있지만, 유기층(230)은 제 1 전극들(220) 사이에서 웰 구조물 상에서 불연속적이지 않다. 후술되는 도 7 및 8은 웰 구조물을 사용할 수 있는 또다른 실시양태를 포함한다.
대안적인 실시양태에서, 유기층(230)은 두께에 따라 변동하는 조성을 갖는 단일 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제 1 전극(220)에 가장 가깝게 위치한 조성물은 정공 수송체로서 작용할 수 있고, 그 다음에 위치한 조성물은 유기 활성층으로서 작용할 수 있고, 제 1 전극(220)으로부터 가장 멀리 위치한 조성물은 전자 수송체로서 작용할 수 있다. 마찬가지로, 유기층(230)은 전하-주입 기능, 전하-차단 기능, 또는 전하-주입 기능과 전하-수송 기능과 전하-차단 기능의 임의의 조합을 가질 수 있다. 하나 이상의 재료가 유기층의 두께 전체에 걸쳐 또는 일부에만 존재할 수 있다.
5. 액체 조성물의 혼입
(원(322, 324 및 326)으로서 도시된) 하나 이상의 액체 조성물을 도 3에 도시된 바와 같이 유기층(230)의 일부 상에 배치할 수 있다. 한 실시양태에서, 유기 활성층(250)은 청색광을 방출할 수 있는 호스트 재료를 포함하고, 액체 조성물(322)은 적색 게스트 재료를 포함할 수 있고, 액체 조성물(324)은 녹색 게스트 재료를 포함할 수 있고, 액체 조성물(326)은 청색 호스트 재료와 동일하거나 상이한 청색 게스트 재료를 포함할 수 있다. 하나 이상의 액체 조성물(322, 324 및 326)을 배치하기 전에, 유기층(230)은 실질적으로 고체일 수 있거나 아닐 수 있다. 액체 조성물(322, 324 및 326)을 정밀침착기술을 사용하여 유기층(230) 상에 배치할 수 있다. 이러한 침착 공정 동안에 스텐실 마스크, 프레임, 웰 구조물, 패턴화된 층 또는 기타 구조물이 존재할 수 있거나 존재하지 않을 수 있다. 정밀침착기술의 비-제한적 예는 스크린 인쇄, 잉크-젯 인쇄, 용액분배, 바늘흡인, 선택적 도금, 및 이것들의 조합을 포함한다.
액체 조성물(322, 324 및 326)을 유기층(230) 상에 순차적으로 또는 동시에 배치할 수 있다. 단순하게 하기 위해, 임의의 하나 이상의 액체 조성물(322, 324 및 326)이 스트림으로서 혼입되는지 아닌지에 상관없이, 도 3의 각각의 액체 조성물(322, 324 및 326)은 "스트림"으로서 지칭된다. 액체 조성물(322, 324 및 326)에 의해 영향을 받는 유기층(230)의 초기 영역에 영향을 주는 하나 이상의 변수가 변동할 수 있다. 예를 들면, 이러한 변수는 스트림의 부피 또는 너비, 전자 요소들 사이의 간격, 점도, 유기층(230)의 가교도, 또는 이것들의 임의의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
액체 조성물(322, 324 및 326)로부터 유래된 액체 매질은 유기층(230)의 국소적 영역과 접촉하여, 이러한 유기층(230)의 국소적 영역을 실질적으로 고체인 상태로부터 실질적으로 액체인 상태로 전환시킬 수 있다. 각 스트림으로부터 유래된 액체 매질이 유기층(230)의 국소적 영역과 접촉함에 따라, 액체 매질은 유기층(230)의 국소적 영역의 두께의 일부 또는 전부를 용해시켜 용액을 형성하거나, 유기층(230)의 두께의 일부 또는 전부를 분산시켜 분산액을 형성하거나, 유화액을 형성하거나, 유기층(230)의 두께의 일부 또는 전부를 현탁시켜 현탁액을 형성할 수 있다. 한 실시양태에서, 전하-수송층(240)이 완전히 가교되거나 액체 용액에 사용된 액체 매질에 대해 낮은 용해도를 갖는 경우에, 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액의 형성은 유기 활성층(250)에 국한된다. 보다 많은 액체 매질이 유기층(230)의 국소적 영역과 상호작용함에 따라, 액체 조성물과 유기층(230)의 국소적 영역의 "혼합물"의 점도는 증가한다는 것을 유념하도록 한다. 증가된 점도는 스트림의 측방향 이동(기판(200)의 주표면에 실질적으로 평행한 이동)을 효과적으로 저지한다. 한 실시양태에서, 게스트 재료와 유기층(230)의 국소적 영역의 상호혼합을 40 ℃ 이하의 온도에서 수행할 수 있고, 또다른 실시양태에서는 실질적으로 실온에서 수행할 수 있다.
액체 조성물(322, 324 및 326) 또는 이것들의 조합을 액적으로서 유기층(230) 상에 배치하는 경우, 이러한 액적의 부피를 유기층(230) 또는 그것의 일부의 두께, 유기층(230) 내의 호스트 재료, 또는 이것들의 조합에 따라 달리 선택할 수 있다. 한 실시양태에서, 액적으로부터 유래된 게스트 재료는 유기 활성층(250)의 국소적 영역과만 혼합될 필요가 있다. 액적의 부피가 너무 작을 경우에는, 유기 활성층(250)의 국소적 영역의 모든 두께가 영향을 받는 것은 아닐 수 있다. 유속 대 인쇄 헤드 스캐닝 속도의 비가 너무 낮은 경우에도 스트림에 대해 유사한 영향이 관찰될 수 있다. 또한, 유기 활성층(250)의 국소적 영역 내의 게스트 재료 농도가 너무 낮을 경우, 목표 휘도 효율이 달성되지 않을 수 있다. 작동 동안에, 유기 활성층(250)의 국소적 영역에 대한 방사선의 방출 또는 반응 파장 또는 스펙트럼은 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전압차에 의해 현저하게 영향을 받을 수 있다.
액적의 부피가 너무 클 경우, 액체 조성물의 원치않는 측방향 확산이 일어날 수 있고, 게스트 재료가 국소적 영역 너머로 연장되어 게스트 재료를 필요로 하지 않는 인근 영역까지 도달할 수 있다. 예를 들면, 적색 액적의 부피가 너무 클 경우, 이것은 녹색 또는 청색 방출을 갖도록 의도된 영역에 혼입될 수 있다. 만일 그러한 일이 발생한다면, 인근 영역은 적색을 방출할 수 있거나 그렇지 않으면 서브픽셀로부터의 색 방출을 변경시킬 수 있다. 따라서, 액체 조성물의 부피 대 유기층(230)(또는 더욱 구체적으로는 이러한 실시양태에서, 유기 활성층(250))의 두께의 비가 사용될 수 있다. 액체 조성물(322, 324 또는 326) 또는 이것들의 임의의 조합이 스트림으로서 분배될 때에도 역시 유사한 개념이 적용된다.
웰 구조물을 사용하면 측방향 이동 가능성을 감소시킬 수 있지만, 액체 조성물의 부피는 웰 구조물에 의해 형성된 "둑"을 넘어 범람하여 인접한 웰 내로 이동할 정도로 커서는 안된다. 액체 조성물은 (1) 액체 조성물을 보유하도록 의도된 하나 이상의 개구와 (2) 액체 조성물을 보유하도록 의도되지 않은 또다른 하나 이상의 개구 사이의 웰 구조물의 최상부 표면을 따라 놓이거나 유동할 수 있다는 것을 유념하도록 한다. 한 실시양태에서, 웰 구조물의 벽은 개구의 저부에 대해 수직일 수 있거나, 벽은 음의 기울기를 가질 수 있다(즉 웰 구조물의 일부가 개구 저부 상에 놓인다). 웰 구조물의 최상부 표면 및 개구의 벽에 의해 한정된 비교적 예리한 모퉁이는 웰 구조물의 최상부 표면을 따라 액체 조성물을 "붙들어 놓는 것"을 도움으로써, 액체 조성물이 액체 조성물을 보유하도록 의도되지 않은 임의의 하나 이상의 인접한 개구 내로 유입될 가능성을 감소시킨다.
액체 조성물(322, 324 또는 326)이 유기층(230) 상에 배치되고 액체 조성물(322, 324 또는 326) 내의 상당량(본 명세서에서 나중에 논의될 것임)의 게스트 재료가 유기 활성층(250)과 상호혼합된 후, 액체 조성물(322, 324 또는 326)의 액체 매질은 증발하여, 도 4에 도시된 바와 같이, 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)을 갖는 유기층(230)을 제공한다. 이러한 실시양태에서, 상호혼합된 영역(422)은 적색광을 방출하도록 디자인되고, 상호혼합된 영역(424)은 녹색광을 방출하도록 디자인되고, 상호혼합된 영역(426)은 청색광을 방출하도록 디자인된다. 증발을 약 5 초 내지 5 분 동안 약 20 내지 240 ℃의 온도에서 수행할 수 있다. 한 실시양태에서, 증발을 약 0.5 내지 1.5 분 동안 약 30 내지 50 ℃의 온도에서 수행할 수 있다. 한 실시양태에서, 증발을 상온에서 수행할 수 있다. 또다른 실시양태에서, 증발을 오븐 또는 핫플레이트를 사용하여 수행할 수 있다. 증발을 하나 이상의 압력에서 수행할 수 있다. 한 실시양태에서, 증발을 실질적으로 대기압에서 수행할 수 있다. 또다른 실시양태에서, 진공압(대기압보다 현저하게 낮은 압력)을 사용할 수 있다. 진공을 사용하는 경우, 유기층(230) 내에 영구적인 기포가 생성되는 것 또는 비등할 때 인접한 영역으로 재료가 스며나오는 것을 회피하도록 주의를 기울여야 한다.
증발 후, 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)을 포함하는 유기층(230)은 실질적으로 고체이다. 유기 활성층(250) 상에 배치되기 전에 스트림(322, 324 및 326) 내에 존재했던 게스트 재료는, 부분적으로 또는 완전히 용해, 분산, 유화 또는 현탁된 유기 활성층(250)과 함께, 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)을 형성한다. 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)이 형성된 후, 이것의 두께는 서로 비교적 유사하다. 한 실시양태에서, 모든 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)은 서로 10 ㎚ 이내의 두께를 갖는다. 한 특정 실시양태에서, 각각의 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)은 60 ㎚ 이상의 두께를 갖는다. 또다른 실시양태에서, 각각의 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)은 약 50 내지 100 ㎚의 두께를 갖고, 더욱 특정한 실시양태에서는 약 70 내지 90 ㎚의 두께를 갖는다. 한 실시양태에서, 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)은 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)과 동일한 위치에 원래 형성되어 있었던 유기층(230)의 두께보다 20 ㎚ 이상 더 두껍다. 또다른 실시양태에서, 임의의 하나 이상의 상호혼합된 영역의 두께는 50 ㎚ 미만 또는 100 ㎚ 초과일 수 있다.
하나 이상의 액체 조성물(322, 324 또는 326)을 유기층(230) 상에 반복적으로 배치함으로써, 게스트 재료를 유기 활성층(250) 내로 혼입시키는 경우, 액체 조성물의 연이은 침착 공정들 사이에 액체 매질을 완전히 증발시킬 필요는 없을 수 있다.
유기 활성층(250)이 가교된 호스트 재료를 포함하는 경우, 유기 활성층(250)을 스핀 코팅, 캐스팅, 증기 침착(화학적 또는 증기), 인쇄(잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 용액분배 또는 이것들의 임의의 조합), 기타 침착 기술 또는 이것들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 많은 상이한 기술들 중 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다. 게스트 재료를 갖는 스트림을 혼입시키기 전에, 한 실시양태에서, 유기 활성층(250)을 부분적으로 가교시킬 수 있다. 비록 본 발명의 범주에 속하긴 하지만, 유기 활성층(250)이 가교되지 않은 경우, 유기 활성층(250) 내의 게스트 재료의 측방향 이동이 너무 현저할 수 있고, 유기 활성층(250)이 완전히 가교된 경우, 액체 매질은 용액, 유화액, 현탁액 또는 분산액을 덜 형성할 수 있다. 게스트 재료를 갖는 스트림을 혼입시킨 후, 필요하다면, 열을 사용하여 침착 공정 동안에 사용된 액체 매질을 증발시켜, 유기 활성층(250)을 실질적으로 고체로 만들 수 있다. 그러나, 온도 또는 기타 조건은 추가의 가교가 일어날 정도로 가혹해서는 안된다. 액체 조성물은, 유기 활성층(250)과 접촉하도록 배치될 경우, 유기 활성층(250)과 상호혼합되는 게스트 재료를 조성물 내에 가질 수 있다. 이어서 액체 조성물을 위한 액체 매질을 증발시킬 수 있고, 유기 활성층(250)을 유기 활성층(250)을 실질적으로 완전히 가교시키기에 충분한 조건에 적용시킬 수 있다. 사용되는 실제의 온도 및 압력은 가교에 사용되는 재료에 따라 달라질 수 있다. 이러한 가교 조건을 가교 재료의 판매처로부터 제공받을 수 있거나, 하나 이상의 시험을 수행함으로써 경험적으로 결정할 수 있다. 용매를 스피닝시키기 전후에 층 두께를 측정함으로써 가교도를 개별 실험에서 결정할 수 있다. 가교도가 클수록 용매 스핀 내 재료 손실이 적다.
액체 매질은 게스트 재료와 유기층(230)이, 액체 매질과 유기층(230)의 조합에 의해 형성된 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액으로서, 상호혼합하는 것을 돕는다. 따라서, 액체 조성물 내의 상당량의 게스트 재료는, 게스트 재료가 현저하게 측방향 이동 또는 확산되지 않고서 제 1 전극(220)을 향해 이동하도록, 상호혼합될 수 있다. (후속적으로 제 2 전극이 형성될) 유기층(230)의 표면에 가깝게 위치한 게스트 재료의 농도는 (제 1 전극(220)에 가깝게 위치한) 반대편 표면에 가깝게 위치한 게스트 재료의 농도와 1 미만으로 상이할 수 있다. 유기 활성층(250)의 반대편에 가깝게 위치한 게스트 재료들의 농도는 서로 보다 유사하다. 열적 추진 단계는 필요하지 않다. 제 1 전극(220)과 후속적으로 형성된 제 2 전극 사이의 농도구배(기판의 주표면에 대해 수직인 방향으로 측정된 농도구배)는 통상적인 열적 확산 공정에 의해 형성된 농도구배보다 더 낮다. 이러한 기술에 의해 형성된 전자소자로부터의 방출 스펙트럼은 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 전위차의 변화에 의해 현저하게 영향을 받지 않을 수 있다.
6. 제조 공정의 나머지 부분
도시되지는 않았지만, 임의적 전하-주입, 전하-수송 또는 전하-차단 층을 유기 활성층(250) 상에 형성할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 전극(502)을 전하-수송층(240) 및 유기 활성층(250)을 포함하는 유기층(230) 상에 형성한다. 이러한 특정 실시양태에서, 제 2 전극(502)은 어레이를 위한 공통음극으로서 작용한다. 형성 방법(예를 들면 침착, 식각 등), 재료 및 임의적 전하-주입층, 전하-수송층, 전하-차단층, 또는 이것들의 임의의 조합의 두께, 및 제 2 전극(502)은 통상적인 것들이다.
도 5에 도시되지 않은 기타 회로를 하나 이상의 전술된 또는 추가적인 층을 사용하여 형성할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 추가적인 절연층 및 상호접속층을, 어레이 외부에 놓일 수 있는 주변 영역(도시되지 않음) 내에 회로를 허용하도록, 형성할 수 있다. 이러한 회로는 행 또는 열 디코더, 스트로브(예를 들면 행 어레이 스트로브, 열 어레이 스트로브), 센스 증폭기, 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 또다르게는, 이러한 회로를 도 5에 도시된 임의의 층의 형성 전 또는 그 동안에 또는 그 후에 형성할 수 있다.
건조제(524)를 갖는 뚜껑(522)을 어레이 외부에 존재하는 위치(도시되지 않음)에서 기판(200)에 부착시켜 실질적으로 완전한 소자를 형성한다. 갭(526)이 제 2 전극(502)과 건조제(524) 사이에 존재한다. 뚜껑(522) 및 건조제(524)에 사용되는 재료 및 부착 공정은 통상적인 것이다.
도 5는 각각 적색, 녹색 및 청색 방사선-방출 요소를 갖는 2개의 픽셀을 포함한다. 적색 방사선-방출 요소는 적색-상호혼합된 영역(422)을 포함하고, 녹색 방사선-방출 요소는 녹색-상호혼합된 영역(424)을 포함하고, 청색 방사선-방출 요소는 유기 활성층(250)의 청색-상호혼합된 영역(426)을 포함한다.
7. 대안적 실시양태
도 6은 유기층(230)이 유기층(630)으로 대체된다는 것을 제외하고는 상기 제 2 절에서 기술된 공정과 유사한 방식으로 형성된 대안적 실시양태를 도시한다. 유기층(630)은 전자-차단층(650)을 포함한다. 층(240 및 250)의 재료 및 형성 방법은 전술되어 있다. 전하-수송층(240)을 형성한 후, 전자-차단층(650)을 형성한다. 전자-차단층(650)은 전술된 바와 같은 하나 이상의 재료를 포함한다. 전자-차단층(650)을 통상적인 코팅, 캐스팅, 증기 침착(화학적 또는 증기), 인쇄(잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 용액분배 또는 이것들의 임의의 조합), 기타 침착 기술 또는 이것들의 임의의 조합을 포함하는 많은 상이한 기술들 중 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다. 전자-차단층(650)은 제 1 전극(220)의 중앙에서 측정시 약 5 내지 200 ㎚의 두꼐를 갖는다.
한 실시양태에서, 전자-차단층(650)은 가교될 수 있는 하나 이상의 재료를 포함한다. 전자-차단층(650)을 위한 재료를 침착시킨 후, 재료를 실질적으로 완전히 가교시킬 수 있다. 통상적인 기술을 사용하여 가교를 수행한다.
유기층(630)을 형성한 후, (원(322 및 324)으로서 도시된) 하나 이상의 액체 조성물을 전술된 임의의 하나 이상의 기술을 사용하여 유기층(630) 상에 배치한다. 한 실시양태에서, 유기 활성층(250)은 청색광을 방출할 수 있는 호스트 재료를 포함하고, 액체 조성물(322)은 적색 게스트 재료를 포함할 수 있고, 액체 조성물(324)은 녹색 게스트 재료를 포함할 수 있다. 임의의 하나 이상의 액체 조성물을 배치하기 전에, 유기 활성층(250)은 실질적으로 고체이거나 고체가 아닐 수 있다. 액체 조성물(322 및 324)을 유기층(630) 상에 순차적으로 또는 동시적으로 배치할 수 있다.
액체 조성물(322 및 324)로부터 유래된 액체 매질은 유기층(250)의 국소적 영역과 접촉하여, 전자-차단층(650)이 아니라 유기층(250)의 국소적 영역만을 실질적으로 고체인 상태로부터 실질적으로 액체인 상태로 전환시킬 수 있다.
액체 조성물(322 및 324)이 유기층(630) 상에 배치된 후, 액체 조성물(322 및 324) 내의 (본 명세서에서 이전에 논의된 바와 같은) 상당량의 게스트 재료가 유기 활성층(250)의 국소적 영역과 상호혼합된다. 한 실시양태에서, 실질적으로 완전히 가교된 전자-차단층(650)은 액체 조성물(322 및 324)로부터 유래된 액체 매질이 전하-수송층(240) 또는 제 1 전극(220)에 도달하는 가능성을 감소시키는 것을 도울 수 있다. 액체 조성물(322 및 324)의 액체 매질은 전술된 바와 같이 증발하여, 상호혼합된 영역(722 및 724)을 갖는 유기 활성층(250)의 국소적 영역을 제공한다. 이러한 실시양태에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 영역(722)은 적색광을 방출하도록 디자인되고, 영역(724)은 녹색광을 방출하도록 디자인된다.
도 7은 (도 7에 도시되지 않은) 제 2 전극(502) 및 후속적 공정을 전술된 바와 같이 수행한 후에, 각각 적색, 녹색 및 청색 방사선-방출 요소를 갖는 2 개의 픽셀을 포함한다. 적색 방사선-방출 요소는 적색-상호혼합된 영역(722)을 포함하고, 녹색 방사선-방출 요소는 녹색-상호혼합된 영역(724)을 포함하고, 청색 요소는 제 1 전극(220)과 제 2 전극(502)의 2 개의 전극 사이에 놓인 유기 활성층(250)의 (실질적으로 적색 및 녹색 게스트 재료를 함유하지 않는) 상호혼합되지 않은 부분을 포함한다. 한 실시양태에서, 청색 방사선-방출 요소는 40 ㎚ 이하의 두께를 갖는 유기 활성층(250)을 갖고, 유기 활성층(2350)이 70 내지 80 ㎚인 경우 하나 이상의 광전자 성질을 달성할 수 있다. 예를 들면, 유기 활성층(2350)은 약 8 내지 10 cd/A의 효율에서 청색광을 방출한다. 또다른 실시양태에서, 적색-상호혼합된 영역(722) 및 녹색-상호혼합된 영역(724)은 약 90 내지 100 ㎚의 두께를 갖고 (청색광-방출 요소를 위한) 기타 영역은 약 70 내지 80 ㎚의 두께를 갖는다. 또다른 실시양태에서, 기술된 두께는 기술된 것보다 더 얇거나 더 두꺼울 수 있다.
추가의 실시양태에서, 유기층을 형성하기 전에 액체 조성물을 기판 상에 배치할 수 있다. 도 8을 보면, 제 1 전극(220)을 기판(200) 상에 형성한다. 일부가 도 8에 도시된 웰 구조물(830)을, 포토레지스트층을 코팅하고 그것을 패턴화하는 것과 같은 통상적인 공정을 사용하여 형성한다. 웰 구조물(830)은 약 1 내지 5 마이크론의 두께를 가질 수 있다. 전하-수송층(802)을, 전술된 바와 같은 기술을 사용하여, 제 1 전극(220) 상에 및 웰 구조물(830)의 개구 내에 형성할 수 있다. 액체 조성물(322, 324 및 326)을, 전술된 임의의 하나 이상의 기술을 사용하여, 전하-수송층(802) 상에 배치한다. 이 때 액체 조성물(322, 324 및 326) 내의 액체 매질은 증발하거나 증발하지 않을 수 있다.
한 실시양태에서, 도 9에 도시된 바와 같이, 유기 활성층(250)의 조성 및 두께를 갖는 유기 활성층을, 전하-수송층(802) 상에 및 웰 구조물(830)의 개구 내에 형성한다. 액체 조성물(322, 324 및 326) 내의 게스트 재료는 전하-수송층(802)과 유기 활성층 둘 다와 상호혼합되어, (1) 적색 방사선-방출 요소(902)를 위해, 적색-상호혼합된 유기층(932)을 함께 포함하는, 적색-상호혼합된 전하-수송층(942) 및 적색-상호혼합된 유기 활성층(952)을 형성하고, (2) 녹색 방사선-방출 요소(904)를 위해, 녹색-상호혼합된 유기층(934)을 함께 포함하는, 녹색-상호혼합된 전하-수송층(944) 및 녹색-상호혼합된 유기 활성층(954)을 형성하고, (3) 청색 방사선-방출 요소(906)를 위해, 청색-상호혼합된 유기층(936)을 함께 포함하는, 청색-상호혼합된 전하-수송층(946) 및 청색-상호혼합된 유기 활성층(956)을 형성할 수 있다. 유기 활성층(952, 954 및 956)을 경화시켜 유기 활성층(952, 954 및 956)을 실질적으로 고체로 만들 수 있다. 제 2 전극(502)(도 9에는 도시되지 않음) 및 후속 공정을 전술된 바와 같이 수행할 수 있다.
이러한 실시양태에서, 액체 조성물(322, 324 및 326)을 제 1 전극(220) 상에 배치한 후에 유기 활성층(250)의 형성을 허용하는 공정 여유도가 존재한다. 웰 구조물(830)은 조성물(322, 324 및 326) 내의 게스트 재료가 원치않는 영역과 상호혼합되지 않도록 돕는다.
또다른 실시양태에서, 게스트 재료는 전하-수송층(802)과 현저하게 상호혼합되지는 않는다. 그러나, 상당량의 게스트 재료가 여전히 유기 활성층과 상호혼합된다.
추가의 실시양태에서(도시되지 않음), 유기층(230)을 형성하기 전에, 게스트 재료를 포함하는 액체 조성물을 제 1 전극(220) 상에 배치할 수 있다. 유기층(230)이 제 1 전극(220) 상에 형성되기 전에, 액체 조성물 내 액체 매질은 증발되어 실질적으로 고체가 될 수 있다. 유기층(230)은 게스트 재료와 함께 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액을 형성하고 그것의 측방향 이동을 제한할 수 있는 액체 매질을 포함할 수 있다.
추가의 실시양태(도시되지 않음)에서, 게스트 재료를 유기 활성층 이외의 층 내에 혼입시킬 수 있다. 도 6을 보면, 유기 활성층(250)을, 전자-차단층(650)을 형성하는데 사용되는 것과 동일한 재료로써 대체할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 전자-차단층(650)을 형성한 후, 완전히 가교된 전자-차단층(650)과 동일한 재료를 전자-차단층(650) 상에 약 100 ㎚ 이하의 두께로 침착시킬 수 있다.
동일한 재료의 층을 부분적으로 가교시킬 수 있다. 숙련자가 임의의 하나 이상의 상이한 경험적 방법을 사용하여 가교도를 결정할 수 있다. 층을 상이한 시험 기판 상에 침착시킬 수 있다. 층을 침착시킨 후, 두께, 부피 또는 질량을 측정할 수 있다. 층이 침착된 기판을 상이한 양의 에너지(온도, 시간, 방사선 또는 이것들의 임의의 조합)에 노출시킬 수 있다. 가교된 층의 상당 부분은 세척하지 않고서, 현저하게 가교되지 않은 층의 부분을 세척하는 용매를 사용할 수 있다. 용매의 선택 방법은 숙련자에게 통상적으로 공지되어 있다. 이어서 측정을 수행한다. 한 실시양태에서, 남아있는 층의 양은, 2 세트의 측정이 두께, 부피 또는 질량을 근거로 수행되는지에 상관없이, (부분 가교 전의) 초기 측정값의 약 50 내지 90 %이다. 가교도에 상응하는 양의 방사선을 사용하여, 전자 요소를 포함하는 가공물을 위한 부분 가교된 층을 달성할 수 있다.
액체 조성물(322, 324 및 326)을 부분 가교된 층 상에 배치할 수 있다. 부분 가교로 인해 액체 매질이 용액, 분산액, 현탁액 또는 유화액을 형성하게 되지만, 전자-차단층(650) 내의 실질적으로 완전한 가교로 인해, 액체 조성물(322, 324 및 326) 중 임의의 하나 이상이 전자-차단층(650)과 상호혼합되거나, 전하-수송층(240) 내로 혼입되거나, 제 1 전극(220)에 도달하는 것, 또는 이것들의 임의의 조합이 실질적으로 저지된다. 제작 공정을 전술된 바와 같이 계속 진행하여, 상호혼합된 영역 및 실질적으로 완전한 전자소자를 형성한다.
추가의 실시양태에서, 상호혼합된 영역의 보다 낮은 경계를 실질적으로 중단시키거나 달리 한정하는 전자-차단층(650)과 유사한 층을 형성하는데 있어, 기타 재료 및 기타 유형의 조밀화를 수행할 수 있다. 조밀화는, 재료가, 이러한 재료로부터 형성된 층, 부재 또는 구조물이 게스트 재료를 포함하는 액체 조성물과 덜 상호작용할 수 있는 상태로 되는 것을 돕는다. 조밀화는 어닐링, 가교 또는 기타 중합, 경화, 부동화(댕글링 결합의 개수를 감소시키는 것), 또는 이것들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
또다른 실시양태에서, 여과층이 유기 활성층과 전자소자의 사용자 사이에 놓일 수 있다. 여과층은 일정 파장 또는 파장 스펙트럼에서 방사선이 여과층을 투과하는 것을 허용한다. 여과층은 이러한 파장 또는 파장 스펙트럼을 벗어난 상당량의 방사선이 투과하는 것을 허용하지 않는다. 따라서, 여과층은 원치않는 파장에서의 방사선을 "차단"할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이 유기층(1020)을 기판(200) 상에 형성할 수 있다. 유기층(1020)은 기판(200)의 일부를 형성하는데 사용되는 거의 모든 유기 재료(예를 들면 중합체성 필름)의 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 유기층(1020)은 이론적으로 거의 모든 두께(1 ㎚ 내지 수백 마이크론 또는 그 이상)를 가질 수 있다. 그러나, 두께가 너무 얇으면, 여과층은 우수한 여과층을 제공하기에 충분하지 않을 수 있다. 이러한 범위의 또다른 한계에서, 여과층이 두꺼워짐에 따라, 여과층을 투과하는 방사선의 강도는 감소된다. 한 실시양태에서, 유기층(1020)은 약 1 내지 10 마이크론의 두께를 갖는다.
유기층(1020)을, 유기 재료에 대해, 스핀 코팅, 캐스팅, 증기 침착(화학적 또는 증기), 인쇄(잉크-젯 인쇄, 스크린 인쇄, 용액분배 또는 이것들의 임의의 조합), 기타 침착 기술 또는 이것들의 임의의 조합을 포함하는 많은 상이한 기술들 중 하나 이상을 사용하여 형성할 수 있다. 또다르게는, 유기층(1020)을 기계적 공정을 사용하여 기판(200) 상에 형성할 수 있다. 기계적 공정은 기판 상의 접착제층(도시되지 않음) 또는 유기층(1020)을 사용하고, 접착제층이 유기층(1020)과 기판(200) 사이에 놓이도록 유기층(1020)을 기판(200) 근처에 배치함을 포함할 수 있다. 또다르게는 유기층(1020)을 기판(200) 상에 배치하고, 유기층(1020) 및 기판(200)이 함께 융해되도록 가열할 수 있다. 전술된 공정은 사용가능한 잠재적인 기타의 기계적 공정들 중 2가지일 뿐이다.
액체 조성물과 관련하여 전술된 바와 같은 임의의 하나 이상의 공정을 사용하여 게스트 재료를 유기층(1020) 내에 혼입시킬 수 있다. 적색-상호혼합된 영역(1022)은 적색 게스트 재료를 포함하고, 녹색-상호혼합된 영역(1024)은 녹색 게스트 재료를 포함하고, 청색-상호혼합된 영역(1026)은 청색 게스트 재료를 포함한다.
전자소자의 나머지의 제조 공정은, 게스트 재료를 유기층(1030)에 첨가하거나 첨가하지 않을 수 있다는 것을 제외하고는 전술된 임의의 공정과 유사하다. 한 실시양태에서, 유기층(1030)은 실질적으로 백색인 광을 방출할 수 있는 유기 활성층(1050)을 포함한다. 적색-상호혼합된 영역(1022)은 녹색광 또는 청색광이 아닌 적색광이 유기층(1020)을 통해 전자소자의 사용자로 전달되는 것을 허용할 수 있다. 녹색-상호혼합된 영역(1024) 및 청색-상호혼합된 영역(1026)은 각각 녹색광 및 청색광에 대해 유사한 기능을 수행한다.
전자소자가 방사선-반응 요소를 포함하는 경우, 적색-상호혼합된 영역(1022)은 녹색광 또는 청색광이 아닌 적색광이 유기층(1020)을 통해 유기 활성층(1050)으로 전달되는 것을 허용할 수 있다. 녹색-상호혼합된 영역(1024) 및 청색-상호혼합된 영역(1026)은 각각 녹색광 및 청색광에 대해 유사한 기능을 수행한다.
추가의 실시양태(도시되지 않음)에서, 여과층의 제작 공정을 기판(200)과 별도로 수행할 수 있다. 유기층(1020)과 유사한, 유기층의 제작 공정을 수행할 수 있고, 전자 요소를 형성하기 전 또는 그 동안에 또는 그 이후에, 유기층과 여과 영역을 기판(200)에 부착시킬 수 있다. 한 실시양태에서, 여과층을 부착하기 전에 드라이버 또는 기타 회로를 기판(200) 상에 형성할 수 있다. 여과층을 부착한 후에, 전자 요소를 위한 유기층(예를 들면 유기 활성층)을 형성할 수 있다. 이렇게 하여, 유기 활성층을, 여과층을 기판(200)에 부착시키는데 사용될 수 있는 비교적 보다 높은 온도에 노출시키지 않을 수 있다.
도시되지 않은 또다른 실시양태에서, 유기 활성층(250)이 아니라 전하-수송층(240)이 게스트 재료를 포함할 수 있다. 비록 전하-수송층(240)이 이론상으로는 여과층이지만, 전하-수송층(240) 내의 게스트 재료는, 국제조명위원회("Commission Internationale de l'Eclairage("CIE")) 기준에서 규정된 파장에 보다 가까운 파장에서 유기 활성층(250)에 의한 색 방출 또는 수용을 달성하는 것을 도울 수 있다. 또다른 실시양태에서, 전하-주입층, 전하-차단층 또는 이것들의 조합을 전하-수송층(240) 대신에 또는 그것과 함께 사용할 수 있다.
또다른 실시양태에서, 제 1 전극과 제 2 전극의 위치를 역전시킬 수 있다. 제 2 전극(502)은 제 1 전극(220)에 비해 기판(200)에 보다 가깝게 위치할 수 있다. 방사선이 제 2 전극(502)을 통해 투과되도록 의도되는 경우, 충분한 방사선(70 % 이상)이 제 2 전극을 투과하는 것을 허용하도록 제 2 전극(502)의 두께를 감소시킬 수 있다.
또다른 실시양태에서, 전자소자의 기판을 통해 방출 또는 수용되는 방사선 대신에 또는 그것과 함께, 기판(200)의 반대편에 있는 전자소자를 통해 방사선이 방출 또는 수용될 수 있다. 이러한 소자에서, 각각의 제 2 전극(502) 및 뚜껑(522)은 70 % 이상의 방사선이 유기 활성층(250)으로부터 방출되거나 유기 활성층에 의해 수용되는 것을 허용할 수 있다. 건조제(524)가 제 1 전극(220) 상에 놓이지 않도록 건조제(524)의 위치를 변경시킬 수 있다. 또다르게는, 건조제(524)는, 유기 활성층(250)으로부터 방출되는 또는 유기 활성층에 의해 수용되는 방사선의 70 % 이상이 건조제(524)를 통과되도록 하는 두께를 갖는 하나 이상의 재료를 포함할 수 있다.
또다른 실시양태에서, 제 2 전극(502)을 다수의 제 2 전극으로 대체할 수 있다. 도 5에서 임의의 하나 이상의 성분은 그 자체의 제 2 전극을 가질 수 있거나, 어레이 내의 일부 또는 전부의 기타 성분과 제 2 전극을 공유할 수 있다.
유기 활성층을 갖는 거의 모든 전자소자가 전술된 상호혼합 기술을 사용할 수 있다. 도 5는 능동 매트릭스 OLED 디스플레이에서 사용될 수 있는 구조를 포함하지만, 수동 매트릭스 OLED 디스플레이를 위해, 제 1 전극(220)을 제 1 방향으로 연장하는 길이를 갖는 전도성 스트립 내로 배향시키고 제 2 전극(502)을 제 1 방향에 실질적으로 수직인 또다른 방향으로 연장하는 길이를 갖는 전도성 스트립 내로 변경시킴으로써, 이러한 구조를 변경시킬 수 있다. 드라이버 또는 기타 회로(도 5에는 도시되지 않음)는 수동 매트릭스 OLED 디스플레이에 필요하지 않을 수 있다. 숙련자라면 본 명세서를 읽고서, 이러한 소자(예를 들면 센서 어레이, 볼타전지 등)의 적당한 기능을 달성하는 또다른 유형의 전자소자를 위한 기타 변형양태를 고안할 수 있다는 것을 알 것이다.
추가의 실시양태에서, 유기층(230)은 게스트 재료가 유기층(230) 내에 존재하지 않을 경우, 가시광 스펙트럼을 벗어난 파장에서 방사선을 방출하거나 그것에 반응하거나 그것을 투과하도록 디자인될 수 있다. 예를 들면, 전자 요소들 중 하나는 UV, IR, 기타 비-가시광선, 및 이것들의 임의의 조합을 방출하거나 그것에 반응하는 유기 활성층(250)을 갖도록 디자인될 수 있다. 또다른 실시양태에서, 방사선-방출 요소 및 방사선-반응 요소를 동일한 소자에서 사용할 수 있다. 또다른 실시양태에서, 동일한 전자소자 내에서, 하나 이상의 전자 요소가 가시광 스펙트럼 내의 방사선을 방출하거나 그것에 반응할 수 있고, 하나 이상의 전자 요소가 가시광 스펙트럼을 벗어난 방사선(예를 들면 UV, IR 또는 둘 다)을 방출하거나 그것에 반응할 수 있거나, 이것들의 임의의 조합일 수 있다. 조합의 개수는 거의 무제한적이다.
본원에서 기술된 개념을 사용하여, 방사선을 방출하거나 방사선에 반응하거나 방사선을 여과하도록 디자인되지 않은 층을 변화시킬 수 있다. 이러한 발명을 사용하여, 트랜지스터, 레지스터, 커패시터, 다이오드 또는 이것들의 임의의 조합을 포함하는 회로 요소를 형성할 수 있다. 게스트 재료는 유기 활성층의 저항 또는 전도도 유형(p-형 또는 n-형)을 변경시킬 수 있다. 더욱 구체적으로는, 게스트 재료를 사용하여, 트랜지스터의 문턱 전압 또는 이득(gain)을 조절하거나, 전류를 운반하는 전극(예를 들면 소스 영역, 드레인 영역, 소스/드레인 영역, 방출 영역, 수집 영역, 불활성 기본 영역, 레지스터 접촉부, 커패시터 접촉부, 또는 이것들의 임의의 조합)을 한정하거나, 커패시터 또는 다이오드를 위한 p-n 접합부를 형성하거나, 이것들의 임의의 조합을 달성할 수 있다. 이러한 임의의 전자 요소는 논리, 증폭 또는 기타 회로에서 사용될 수 있고 방사선-관련 성질을 위해서 사용되거나 사용되지 않을 수 있다는 것을 유념하도록 한다.
8. 전자소자의 전자적 작동
전자소자 내 전자 요소가 방사선-방출 요소인 경우, 적당한 전위를 제 1 전극(220) 및 제 2 전극(502)에 가한다. 하나 이상의 방사선-방출 요소가 충분하게 순방향 바이어스싱됨에 따라, 이러한 순방향 바이어싱은 방사선이 유기 활성층(250)으로부터 방출되도록 할 수 있다. 하나 이상의 방사선-방출 요소를 전자소자의 정상적인 작동 동안에 끌 수 있다는 것을 유념하도록 한다. 예를 들면, 방사선-방출 요소에 사용되는 전위 및 전류를 조절하여 이러한 요소로부터 방출되는 색의 강도를 변경시킴으로써 가시광 스펙트럼 내의 거의 모든 색을 달성할 수 있다. 도 5의 오른편에 가장 가까운 3개의 제 1 전극(220)을 보면, 적색이 표시되는 경우, 상호혼합된 영역(422)을 포함하는 방사선-방출 요소가 켜지는 반면, 다른 2개의 방사선-방출 요소는 꺼진다. 디스플레이에서, 행 및 열은 디스플레이가 관찰자에게 인간이 알 수 있는 형태로 보이게 하는 적당한 세트의 방사선-방출 요소를 활성화시키는 신호를 받을 수 있다.
전자소자 내 전자 요소가 방사선-반응 요소인 경우, 방사선-반응 요소를 예정된 전위에서 역방향 바이어싱시킬 수 있다(예를 들면 제 2 전극(502)은 제 1 전극(220)보다 약 5 내지 15 볼트 더 높은 전위를 가질 수 있음). 유기 활성층이 목표 파장 또는 파장 스펙트럼에서 방사선을 수용하는 경우, 유기 활성층 내의 운반체(즉 전자-정공 쌍)의 개수가 증가하고, 어레이 외부의 주변회로 내 센스 증폭기(도시되지 않음)에 의해 감지되는 전류가 증가하게 된다.
광기전력 전지에서, 광 또는 기타 방사선은 외부 에너지 공급원 없이 유동할 수 있는 에너지로 전환될 수 있다. 전도성 부재(220 및 502)는 (충전되는) 배터리 또는 전기 부하기에 연결될 수 있다. 숙련자라면 본 명세서를 읽고서, 특정 전자소자의 경우 그것의 특정한 필요성에 가장 적합한 전자 요소, 주변회로 및 잠재적인 원격회로를 디자인할 수 있게 될 것이다.
9. 이점
예상외로, 전술된 공정을 사용하여, 유기층의 반대편(즉 전극에 보다 가까운) 표면들 사이의 게스트 재료 농도구배가 통상적인 확산 공정에 비해 더 작고, 많은 통상적인 확산 공정에서 관찰되는 바와 같은 현저한 측방향 이동이 없는 유기층 내의 국소적 영역을, 유기층을 형성하기 전 또는 후에, 형성할 수 있다. 전부는 아니지만 상당량의 게스트 재료가 유기층과 상호혼합된다. 게스트 재료는 유기층과 상호혼합되어 열적 확산 공정을 수행할 필요가 없게 할 수 있다. 따라서, 너무 많은 측방향 확산과 관련된 문제는 일어나지 않는다. 또한 (단지 목표층의 일부만을 통한) "부분" 확산, 목표층의 두께를 통한 게스트 재료에 대한 급격한 농도구배 또는 둘 다가 일어나지 않는다.
신규한 공정을 통상적인 공정과 비교해 보도록 한다. 한 통상적인 공정에서, 게스트 재료는 유기층 외부의 잉크로부터 확산되고, 게스트 재료의 약 25 % 이하가 유기층에 혼입된다. 이러한 통상적인 공정을 사용하는 경우 제 1 전극 및 제 2 전극 근처의 게스트 재료의 농도는 어느 곳에서든 작은(a few) 내지 다소의(several) 차이를 나타낼 수 있다. 본원에서 기술된 신규한 공정에서, 제 1 전극 및 제 2 전극에 가까운 게스트 재료의 농도는 1 미만의 차이를 나타내고 가능하게는 이것보다도 적다. 보다 낮은 농도구배는 전자 요소로 하여금 방출 또는 수용 스펙트럼의 변동 없이 보다 큰 전위차에서 작동하도록 허용한다. 따라서, 보다 우수한 "계조" 강도 제어가 관찰될 수 있다. 또한, 전자소자는, 방출 스펙트럼의 현저한 변동 없이, 이러한 소자의 효율이 시간 경과에 따라 감소함에 따라, 보다 큰 전압에서 작동될 수 있다.
신규한 공정을, 게스트 재료의 농도구배가 0에 가까워질 때까지(유기층의 반대편 근처에서의 농도들이 실질적으로 동일함) 확산을 수행하는 통상적인 확산 공정과 비교해 보도록 한다. 이러한 통상적인 확산 공정은 너무 많은 측방향 이동을 허용하고, 그로 인해 높은 해상도의 어레이 내에서의 사용이 매우 어려워진다.
게스트 재료의 농도구배를 감소시키기 위해 통상적인 잉크 확산 공정과 함께 게스트 재료 열적 추진 단계를 사용하는 경우, 게스트 재료는, 이것이 인접한 전자 요소의 적당한 방사선 방출 또는 수용을 방해할 수 있는 지점까지 측방향으로 이동할 수도 있다. 여과층에서, 여과체는 원치않는 여과 특성을 가질 수 있다. 신규한 공정은 게스트 재료 추진 단계를 사용하지 않기 때문에, 게스트 재료의 측방향 이동의 양은 비교적 낮게 유지된다.
또한, 본원에서 기술된 공정은 게스트 재료 대 호스트 재료의 비를 증가시킬 수 있다. 도 4 및 도 5를 보면, 상호혼합된 영역(422)은 적색 게스트 재료 및 청색 호스트 재료를 포함하고, 상호혼합된 영역(424)은 녹색 게스트 재료 및 청색 호스트 재료를 포함한다. 유기 활성층이 약 40 ㎚ 이하의 두께를 갖기 때문에, 게스트 재료: 호스트 재료의 비는 유기 활성층(250)이 70 내지 90 ㎚의 두께를 가질 경우에 비해 증가한다. 이러한 비가 클수록, 상호혼합된 영역(422 및 424)을 갖는 전자 요소가 보다 낮은 전압에서 작동하는 것을 허용할 수 있다. 또한, 보다 얇은 유기 활성층은 각각의 상호혼합된 영역(422, 424 및 426)이 각각의 색(적색, 녹색 및 청색)에 대해 최적화된 두께를 갖는 것을 허용한다. 한 실시양태에서, 게스트 재료 대 호스트 재료의 비는 질량을 기준으로 1:2 또는 그 이상이고, 또다른 실시양태에서, 그 비는 1:1 이상이다. 이러한 비가 1:3 이하일 수 있는 통상적인 공정과 비교해 보도록 한다.
신규한 공정을 사용하여, 게스트 재료를 유기 활성층 내로 혼입시킬 수 있고 잉크 확산 공정이 필요하지 않기 때문에 우수한 방출 효율을 달성할 수 있다. 0.4 cd/A 보다 높은 효율을 달성할 수 있다. 한 실시양태에서, 적색-상호혼합된 영역(422)의 효율은 1.1 cd/A 이상이고, 녹색-상호혼합된 영역(424)의 효율은 3.0 cd/A 이상이고, 청색-상호혼합된 영역(426)의 효율은 1.1 cd/A 이상이다. 보다 더 높은 효율도 가능하다.
신규한 공정은 통상적인 잉크 확산 공정 만큼 두께에 민감하지 않다. 게스트 재료의 농도구배가 보다 낮기 때문에, 액체 조성물의 부피를, 호스트 재료를 포함하는 층의 상이한 두께에 대해 조절할 수 있다. 이러한 공정은, 상이한 두께의 유기층이 필요한 경우, 보다 많은 융통성을 허용한다. 통상적인 잉크 확산 공정은 급격한 농도구배 때문에 두께 변화에 매우 민감하다. 역시, 신규한 공정에서는 열적 확산 공정 단계가 필요 없다.
전자소자를 형성할 경우, 보다 급변하는(abrupt) p-n 접합부가 형성될 수 있다. 보다 급변하는 접합부는 항복전압의 증가, 접합부에서의 커패시턴스의 개선, 이것들의 조합을 돕는다. 또한, 동일한 유기 활성층을 사용하여, 증가형 트랜지스터, 공핍형 트랜지스터, 또는 이것들의 조합을 형성할 수 있다. 보다 작고 보다 가깝게 이격된 전자 요소들을 제조함으로써 회로밀도를 증가시킬 수 있다. 또한, 보다 적은 측방향 확산으로 인해 보다 작은 전자 요소들을 형성할 수 있다.
한 실시양태에서, 액체 조성물의 액체 매질은 유기층과 상호작용함으로써, 그 결과의 용액, 분산액, 유화액 또는 현탁액의 점도를 증가시킬 수 있다. 증가된 점도는 액체 매질과 게스트 재료가 유기층의 두께를 통해 작동하는 동안에 측방향 이동을 통제하는 것을 돕는다. 따라서, 웰 구조물이 필요하지 않지만, 원하다면 사용될 수 있다. 웰 구조물을 형성하지 않은 경우, 하나 이상의 공정 단계를 감소시킬 수 있으므로, 제조 비용을 절감할 수 있고, 잠재적으로는 수율을 개선할 수 있다.
신규한 공정을 기존 설비를 사용하여 수행할 수 있고, 기존 공정을 크게 개조하지 않고서도 기존 공정 내에 통합시킬 수 있다. 따라서, 신규한 설비를 익히고 특성화하거나 공정 통합 동안에 지나친 혼란을 일으킬 큰 위험이 없이, 신규한 공정을 실행할 수 있다.
<실시예>
하기 구체적인 실시예는 본 발명을 예시하려는 것이지 본 발명의 범주를 제한하려는 것은 아니다.
실시예
1
본 실시예는 유기 활성층 및 액체 조성물의 하나 이상의 물리적 성질을 적당하게 조작함으로써, 뱅크 또는 웰이 필요없이, 전자소자 내 전자 요소를 제조하는 것을 보여준다.
ITO(제 1 전극 또는 양극)/완충 중합체/유기 활성층/제 2 전극(음극)의 구조를 갖는 전자 요소를 제작한다. 기판은 30 × 30 ㎜(공칭) ITO 코팅된 유리이다. 전하-수송층은 PEDOT 재료 (독일 바이엘 아게(Bayer AG)의 베이트론(BAYTRON-P, 등록상표))이다. 유기 활성층은 청색-방출 폴리플루오렌 재료(임의의 게스트 재료 없이 청색광을 방출할 수 있는 호스트 재료)를 포함한다. PEDOT를 실온에서 평판 유리/ITO 기판 상에 스핀-코팅하고 약 200 ℃에서 약 5 분 동안 소성시킨다. 필름 두께는 데크텍(Dektec) 표면측정기로써 측정시 약 60 내지 80 ㎚이다. 이어서 청색 유기 활성층을, 약 1400 rpm에서 약 0.5 %의 o-자일렌 용액으로부터, 약 20 내지 40 ㎚의 필름 두께로 침착시킨다.
액체 조성물은 적색 게스트 재료(적색광-방출 폴리(스피로비플루오렌) 재료, 1.1 %, 11 ㎎/㎖), 및 아니솔과 o-자일렌의 용매 혼합물을 포함하는 액체 매질을 포함한다. 액체 조성물을, 공칭 30 마이크론의 직경을 갖는 노즐이 장착된 단일 노즐 잉크젯 기기를 사용하여 예정된 영역 상에 적가한다. 각 액적들 사이의 간격은 약 90 마이크론이고, 액적의 행들 사이의 간격은 약 200 ㎚이다. 액적은 붕괴되지 않고, 액적 부피 및 유기 활성층 두께와 같은 변수에 의해 지배되는 일정 너비로 유지된다. 둥근 적색 점의 크기는 약 80 마이크론이거나 인접한 행들 사이의 간격의 약 1/3이다. 이어서 필름을 약 10 분 동안 120 ℃에서 소성시킨다. 그 결과의 적색-상호혼합된 영역은 약 75 ㎚의 두께를 갖는다. 제 2 전극을 열적 증발기를 사용하여 침착시키고, 이것은 약 500 ㎚의 알루미늄으로 피복된 약 3.5 ㎚ Ba를 함유한다. ITO와 제 2 전극 사이에 약 4 V의 바이어스에서, 방출 강도는 약 200 cd/㎡이다.
대안으로서, 적색 액체 조성물을 녹색 액체 조성물로써 대체한다. 적색 게스트 재료를 하나 이상의 녹색 게스트 재료(예를 들면 미국 미시간주 미들랜드 소재의 다우 케미칼 캄파니(Dow Chemical Company)의 그린 1300 시리즈(Green 1300 Series, 등록상표) 폴리플루오렌)로써 대체한다. 공정 세부사항 및 사용된 설비는 전술된 바와 실질적으로 동일하다. 녹색 방출 대역을 갖는 유사한 픽셀 크기를 달성한다.
본 실시예는, 본원에서 기술된 공정을 사용하여 다색을 갖는 전자소자(즉 유기 활성층의 호스트 재료만을 갖는 하나 이상의 영역이 청색광을 방출하고, 호스트 재료 및 적색 게스트 재료를 갖는 하나 이상의 영역이 적색광을 방출하고, 호스트 재료 및 하나 이상의 녹색 게스트 재료를 갖는 영역이 녹색광을 방출함)를 제작할 수 있다는 것을 보여준다. 본 실시예는 또한 방출 대역을 한정하는데에 웰 구조물이 필요하지 않다는 것을 보여준다.
실시예
2
본 실시예는, 본원에서 기술된 공정을 사용하여 200 마이크론 이상의 피치를 갖는 전색 디스플레이플 제작할 수 있다는 것을 보여준다.
실시예 1과 유사한 실험을, 공칭 300 마이크론 픽셀 피치를 갖는 전색 디스플레이를 사용하여 수행한다. 잉크-젯 노즐의 직경은 약 18 마이크론으로 감소되고, 이러한 보다 작은 직경의 노즐을 사용하여 예정된 패턴의 다색을 갖는 디스플레이를 제조한다. 적색-, 녹색- 및 청색-상호혼합된 영역의 직경은 약 65 마이크론으로 감소된다. 적색-, 녹색- 및 청색-상호혼합된 영역의 두께는 약 60 내지 90 ㎚이다. 따라서, 본원에서 기술된 공정을 사용하여 200 마이크론 미만의 피치를 갖는 전색 디스플레이를 제작할 수 있다.
실시예
3
적색, 녹색 및 청색 중합체 라인을 갖는 전색 디스플레이를 실시예 1에 기술된 바와 유사한 절차를 사용하여 제조한다. 40개의 노즐을 갖는 잉크-젯 인쇄기를 사용하여 색 픽셀을 한정한다. 이러한 노즐들의 직경은 약 35 마이크론이고, 각 액적들 사이의 스텝-모션(step-motion)은 약 85 마이크론이다. 기판은 약 80 ㎜ × 60 ㎜(3.2 인치 × 2.4 인치)의 디스플레이 영역을 갖는 공칭 100 ㎜ × 100 ㎜(4 인치 × 4 인치)이다. 기판은 웰 구조물을 포함하지 않는다. 적색, 녹색 및 청색 스트라이프는 (1) 뱅크 구조물을 사용하지 않고서 라인 패턴을 달성할 수 있다는 것과 (2) 100 픽셀/인치(254 마이크론 피치와 동일)를 갖는 전색 디스플레이를 제조할 수 있다는 것을 보여준다.
박막 트랜지스터 픽셀 드라이버를 갖는 기판을 사용하여 전색 능동 매트릭스 디스플레이를 제작한다. 유기 활성층을 픽셀 드라이버와 TIO 접촉부 사이에서 구축한다. 실시예 1 및 2에서와 같이, 뱅크 구조물은 색 잉크 한정에 필요하지 않다.
실시예
4
본 실시예에서는 완전 평면 구조물(즉 ITO는 연속적이고 패드 또는 열을 갖지 않음)을 사용하여 전색 백라이트 소자를 제조한다. 광학적으로 평판인 유리 ITO 기판으로부터 출발하여, PEDOT 및 유기층(청색광을 방출할 수 있는 호스트 재료)을 (전술된 바와 같은) 기판 상에 스핀 코팅한다. 연속식 스트림 인쇄를 사용하여 적색 액체 조성물과 녹색 액체 조성물의 라인을 형성한다. 라인은, 임의의 웰 구조물이 없이, 너비가 약 50 마이크론이다. 본 실시예는 적색 및 녹색 중합체 라인의 확산을 제한하는 유기층의 능력을 분명하게 보여준다.
스트림 너비, 유속 및 노즐 속도를 변경시킴으로써, 라인 너비를 약 50 마이크론으로부터 약 150 마이크론까지 변경시켜, 이러한 공정을 보다 큰 면적의 디스플레이의 제조에 적합하게 만들 수 있다.
마찬가지로, 게스트 재료가 호스트 층의 두께를 통해 완전히 및 실질적으로 균일하게 상호혼합되는 것을 허용하는데에는 기판의 표면적당 보다 큰 부피의 액체 조성물이 필요할 수 있기 때문에, 보다 낮은 용해도를 갖는 호스트 층은 액체 조성물의 보다 큰 측방향 확산을 초래할 수 있다.
실시예
5
전색 디스플레이에 대해 2 내지 3의 전류 변동에서 색 안정성을 유지하여, 방출 스펙트럼에서 현저한 이동이 없이 각 색에 대해 계조 제어를 허용할 수 있다.
적색-방출, 녹색-방출 및 청색-방출 요소를 실시예 1에 기술된 바와 유사한 절차를 사용하여 제조한다. 청색 호스트 재료를 포함하는 유기 활성층을 약 40 ㎚의 두께로 스핀 코팅한다. 적색, 녹색 및 청색 게스트 재료를 전술된 바와 같이 첨가하여, 약 70 내지 90 ㎚의 두께를 갖는 상호혼합된 영역을 제공한다. 청색-방출 요소의 방출 특성을, 넓은 강도 범위에 걸쳐 색분석기(크로마 모델 71701(Chroma Model 71701))를 사용하여 측정한다. 그 결과가 도 11 내지 13에 도시되어 있다. 청색-방출 요소는 도 13에서 약 0.16의 x 및 약 0.20의 y에서 색좌표를 갖는다. 색은 3의 방출 강도(예를 들면 휘도)에 걸쳐 안정하게 유지된다. 적색-방출 요소 및 녹색-방출 요소의 색은, 각각 도 11 및 도 12에서, 2 내지 3의 강도 범위에 걸쳐 유사한 색 안정성을 나타낸다(유사한 범위에 걸쳐 구동 전류가 변화함). 이러한 결과는 도 14에 도시된 바와 같은 CIE 1931 색도좌표에도 나타나 있다. 게스트 재료를 갖는 녹색-방출 요소와 적색-방출 요소의 색안정성은, 게스트 재료를 실질적으로 갖지 않는 청색-방출 요소의 것과 유사하다.
이러한 결과는 녹색 게스트 재료 및 적색 게스트 재료는 비교적 균일한 농도 프로필로서 유기 활성층과 상호혼합한다는 것을 보여준다. 2 내지 3 만큼 변동하는 전류 및 상호혼합된 유기 활성층 내 소자 재조합 대역의 경우, 색좌표(따라서 방출 프로필)는, 공지된 공정에 의해 관찰된 극적인 색변화와는 대조적으로, 일정하게 유지된다.
2 내지 3 만큼의 전류 변동에 걸친 색 안정성은, 전색 디스플레이가, 각 색에 대해 6 비트(64 레벨), 8 비트(256 레벨) 또는 심지어는 10 비트(1024 레벨)의 계조를 갖고서, 전류(따라서 강도)의 제어에 의해 구동되는 것을 허용한다. 대조적으로, 현재 공지된 소자 내 색 픽셀의 계조 제어는 (색을 고정시키는) 고정된 방출 피크 강도를 갖는 기타 수단(예를 들면 시간 영역)에 의해 구동된다.
일반적 설명 또는 실시예에서 전술된 모든 작업이 필요한 것은 아니며, 한 특정 작업의 일부가 필요하지 않을 수 있고, 기술된 것 외에 하나 이상의 추가의 작업을 수행할 수 있다는 것을 유념해야 한다. 또한, 작업이 열거된 순서가 반드시 그것이 수행되는 순서를 나타낼 필요는 없다. 숙련자라면 본 명세서를 읽고서 특정 필요성 또는 요구를 위해 어떤 작업을 사용할 수 있는 지를 결정할 수 있을 것이다.
전술된 명세서에서, 본 발명은 특정 실시양태에 대해 기술되었다. 그러나 해당 분야의 숙련자라면 후술되는 청구의 범위에서 설명된 바와 같은 본 발명의 범주에서 벗어나지 않게 하나 이상의 변경양태 또는 하나 이상의 기타 변형양태를 고안할 수 있다는 것을 알 것이다. 따라서, 명세서 및 도면은 본 발명을 제한하기 위한 것이라기 보다는 예시하기 위한 것이고, 이러한 임의의 모든 변경양태 및 기타 변형양태는 본 발명의 범주에 포함된다.
임의의 하나 이상의 혜택, 하나 이상의 기타 이점, 하나 이상의 문제점에 대한 하나 이상의 해결책, 또는 이것들의 임의의 조합이 하나 이상의 특정 실시양태와 관련하여 전술되어 있다. 그러나, 혜택, 이점, 문제점에 대한 해결책, 또는 발생하거나 보다 뚜렷해지는 임의의 혜택, 이점 또는 해결책을 초래할 수 있는 임의의 요소가, 임의의 또는 모든 청구의 범위의 중요한, 필요한 또는 필수적인 양태 또는 요소로서 간주되지는 않는다.
명료하게 하기 위해, 별도의 실시양태에서 전술되고 후술된 본 발명의 특정 양태는 단일 실시양태에서 조합으로서 제공될 수도 있다는 것을 알도록 한다. 이와 반대로, 단순하게 하기 위해, 단일 실시양태 내에서 기술된 본 발명의 다양한 양태들이 개별적으로 또는 임의의 부분조합으로서 제공될 수도 있다. 또한, 범위로서 언급된 값들은 그 범위 내에 속하는 각각의 모든 값들을 포함한다.
Claims (6)
- 기판; 기판 상에 놓인 연속적 제 1 층을 포함하며, 여기서 연속적 층은 전자 요소를 포함하는 제 1 부 및 전자 요소를 포함하지 않는 제 2 부를 포함하고, 제 1 부는 두께가 30 ㎚ 이상이며 제 1 게스트 재료를 포함하고, 제 2 부는 두께가 40 ㎚ 이하인 전자소자.
- 제 1 항에 있어서, 연속적 제 1 층이 추가적인 제 1 부를 포함하고, 전자소자가 제 1 전자 요소를 포함하고, 각각의 제 1 전자 요소가 제 1 전극, 제 2 전극 및 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 1 부를 포함하는 전자소자.
- 제 2 항에 있어서, 연속적 제 1 층이 제 3 부 및 제 4 부를 포함하고, 제 3 부가 두께는 30 ㎚ 이상이며 제 2 게스트 재료를 포함하고, 제 4 부는 두께가 30 ㎚ 이상이며 제 3 게스트 재료를 포함하고, 전자소자가 제 2 전자 요소 및 제 3 전자 요소를 포함하고, 각각의 제 2 전자 요소가 제 3 전극, 제 4 전극, 및 제 3 전극과 제 4 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 2 부를 포함하고, 각각의 제 3 전자 요소가 제 5 전극, 제 6 전극, 및 제 5 전극과 제 6 전극 사이에 놓인 하나 이상의 제 3 부를 포함하는 전자소자.
- 제 3 항에 있어서, 제 1 전자 요소가 방사선-방출 전자 요소 또는 방사선-반응 전자 요소인 전자소자.
- 제 1 항에 있어서, 연속적 제 1 층이 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있으며, 목표 파장 스펙트럼이 150 ㎚ 이하의 너비를 갖고; 제 1 게스트 재료가 (1) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 최대방출강도를 갖는 방사선을 방출할 수 있거나 (2) 목표 파장 또는 목표 파장 스펙트럼에서 방사선에 반응하도록 디자인되어 있는 전자소자.
- 제 5 항에 있어서, 각각의 연속적 제 1 층 및 제 1 게스트 재료가 청색광 스펙트럼 내에서 최대방출강도를 갖는 전자소자.
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Families Citing this family (102)
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| US4792112A (en) * | 1987-08-14 | 1988-12-20 | Eastman Kodak Corporation | Mold for forming container adapter |
| US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
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| TWI323047B (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-01 | Univ Nat Taiwan | The method for forming electronic devices by using protection layers |
| JP5087927B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2012-12-05 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置 |
| US20080176099A1 (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Hatwar Tukaram K | White oled device with improved functions |
| FR2923084B1 (fr) * | 2007-10-30 | 2017-06-09 | Thomson Licensing | Diode organique electroluminescente de type vumetre. |
| DE102008023035B4 (de) * | 2008-05-09 | 2016-01-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen |
| TW201005813A (en) | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
| WO2010102272A2 (en) | 2009-03-06 | 2010-09-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for forming an electroactive layer |
| TW201044667A (en) | 2009-03-09 | 2010-12-16 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
| EP2406813A4 (en) * | 2009-03-09 | 2012-07-25 | Du Pont | METHOD FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER |
| JP5445086B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2014-03-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイ |
| EP2432249A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-03-21 | Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. | Microphone |
| WO2013025914A2 (en) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Knowles Electronics, Llc | Sensitivity adjustment apparatus and method for mems devices |
| SG188740A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-04-30 | Agency Science Tech & Res | Printed light emitting devices and method for fabrication thereof |
| US9485560B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-11-01 | Knowles Electronics, Llc | Embedded circuit in a MEMS device |
| US9402118B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-07-26 | Knowles Electronics, Llc | Housing and method to control solder creep on housing |
| US9491539B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-11-08 | Knowles Electronics, Llc | MEMS apparatus disposed on assembly lid |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| US9467785B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-10-11 | Knowles Electronics, Llc | MEMS apparatus with increased back volume |
| US9503814B2 (en) | 2013-04-10 | 2016-11-22 | Knowles Electronics, Llc | Differential outputs in multiple motor MEMS devices |
| US9301075B2 (en) | 2013-04-24 | 2016-03-29 | Knowles Electronics, Llc | MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same |
| US10028054B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-07-17 | Knowles Electronics, Llc | Apparatus and method for frequency detection |
| US9711166B2 (en) | 2013-05-23 | 2017-07-18 | Knowles Electronics, Llc | Decimation synchronization in a microphone |
| EP3000241B1 (en) | 2013-05-23 | 2019-07-17 | Knowles Electronics, LLC | Vad detection microphone and method of operating the same |
| US10020008B2 (en) | 2013-05-23 | 2018-07-10 | Knowles Electronics, Llc | Microphone and corresponding digital interface |
| US20180317019A1 (en) | 2013-05-23 | 2018-11-01 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic activity detecting microphone |
| US9386370B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-07-05 | Knowles Electronics, Llc | Slew rate control apparatus for digital microphones |
| US9502028B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-11-22 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic activity detection apparatus and method |
| US9147397B2 (en) | 2013-10-29 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | VAD detection apparatus and method of operating the same |
| US9831844B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-11-28 | Knowles Electronics, Llc | Digital microphone with adjustable gain control |
| US9554214B2 (en) | 2014-10-02 | 2017-01-24 | Knowles Electronics, Llc | Signal processing platform in an acoustic capture device |
| US9743191B2 (en) | 2014-10-13 | 2017-08-22 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic apparatus with diaphragm supported at a discrete number of locations |
| US9743167B2 (en) | 2014-12-17 | 2017-08-22 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with soft clipping circuit |
| DE112016000287T5 (de) | 2015-01-07 | 2017-10-05 | Knowles Electronics, Llc | Verwendung von digitalen Mikrofonen zur Niedrigleistung-Schlüsselworterkennung und Rauschunterdrückung |
| WO2016118480A1 (en) | 2015-01-21 | 2016-07-28 | Knowles Electronics, Llc | Low power voice trigger for acoustic apparatus and method |
| US10121472B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-11-06 | Knowles Electronics, Llc | Audio buffer catch-up apparatus and method with two microphones |
| US9866938B2 (en) | 2015-02-19 | 2018-01-09 | Knowles Electronics, Llc | Interface for microphone-to-microphone communications |
| US9800971B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-10-24 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic apparatus with side port |
| US10291973B2 (en) | 2015-05-14 | 2019-05-14 | Knowles Electronics, Llc | Sensor device with ingress protection |
| CN107534818B (zh) | 2015-05-14 | 2020-06-23 | 美商楼氏电子有限公司 | 麦克风 |
| US9478234B1 (en) | 2015-07-13 | 2016-10-25 | Knowles Electronics, Llc | Microphone apparatus and method with catch-up buffer |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| CN108432265A (zh) | 2015-11-19 | 2018-08-21 | 美商楼氏电子有限公司 | 差分式mems麦克风 |
| US10433071B2 (en) | 2015-12-18 | 2019-10-01 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with hydrophobic ingress protection |
| US9516421B1 (en) | 2015-12-18 | 2016-12-06 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic sensing apparatus and method of manufacturing the same |
| US10158943B2 (en) | 2016-02-01 | 2018-12-18 | Knowles Electronics, Llc | Apparatus and method to bias MEMS motors |
| WO2017136744A1 (en) | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Knowles Electronics, Llc | Microphone and pressure sensor |
| CN108702574B (zh) | 2016-02-04 | 2021-05-25 | 美商楼氏电子有限公司 | 差分mems麦克风 |
| DE112017002666T5 (de) | 2016-05-26 | 2019-02-28 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofoneinrichtung mit integriertem drucksensor |
| US11104571B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-08-31 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with integrated gas sensor |
| US10499150B2 (en) | 2016-07-05 | 2019-12-03 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with digital feedback loop |
| US10206023B2 (en) | 2016-07-06 | 2019-02-12 | Knowles Electronics, Llc | Transducer package with through-vias |
| US10153740B2 (en) | 2016-07-11 | 2018-12-11 | Knowles Electronics, Llc | Split signal differential MEMS microphone |
| US9860623B1 (en) | 2016-07-13 | 2018-01-02 | Knowles Electronics, Llc | Stacked chip microphone |
| US10257616B2 (en) | 2016-07-22 | 2019-04-09 | Knowles Electronics, Llc | Digital microphone assembly with improved frequency response and noise characteristics |
| CN109641739B (zh) | 2016-07-27 | 2023-03-31 | 美商楼氏电子有限公司 | 微机电系统（mems）装置封装 |
| US11069856B2 (en) | 2016-09-07 | 2021-07-20 | Joled Inc. | Solution for organic EL, method of producing organic EL device and organic EL device |
| DE112017005458T5 (de) | 2016-10-28 | 2019-07-25 | Knowles Electronics, Llc | Wandleranordnungen und verfahren |
| DE112017006148B4 (de) | 2016-12-05 | 2024-04-25 | Knowles Electronics, Llc | Rampenbildung der sensorleistung in einer mikroelektromechanischen systemvorrichtung |
| CN110115048B (zh) | 2016-12-28 | 2020-11-24 | 美商楼氏电子有限公司 | 微机电系统和微机电系统麦克风封装物 |
| US11218804B2 (en) | 2017-02-14 | 2022-01-04 | Knowles Electronics, Llc | System and method for calibrating microphone cut-off frequency |
| EP3855129B1 (en) | 2017-03-22 | 2023-10-25 | Knowles Electronics, LLC | Interface circuit for a capacitive sensor |
| SG11201909518YA (en) * | 2017-04-13 | 2019-11-28 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Ltd | Led-oled hybrid self-emissive display |
| DE112018002672B4 (de) | 2017-05-25 | 2020-09-10 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofongehäuse für vollummantelte asic und drähte und darauf gerichtetes herstellungsverfahren |
| WO2019005885A1 (en) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | Knowles Electronics, Llc | POST-LINEARIZATION SYSTEM AND METHOD USING A TRACKING SIGNAL |
| CN110800317B (zh) | 2017-07-26 | 2021-11-30 | 美商楼氏电子有限公司 | 微机电系统电机和麦克风 |
| CN111095948B (zh) | 2017-09-08 | 2021-05-11 | 美商楼氏电子有限公司 | 用于减少麦克风噪声的系统和方法 |
| DE112018005251T5 (de) | 2017-09-18 | 2020-06-18 | Knowles Electronics, Llc | System und verfahren zur optimierung von akustischen löchern |
| WO2019060599A1 (en) | 2017-09-21 | 2019-03-28 | Knowles Electronics, Llc | MEMS DEVICE RAISED IN A MICROPHONE WITH INPUT PROTECTION |
| US10591326B2 (en) | 2017-11-14 | 2020-03-17 | Knowles Electronics, Llc | Sensor package with ingress protection |
| WO2019183283A2 (en) | 2018-03-21 | 2019-09-26 | Knowles Electronics, Llc | Dielectric comb for mems device |
| US10820083B2 (en) | 2018-04-26 | 2020-10-27 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic assembly having an acoustically permeable membrane |
| WO2019222106A1 (en) | 2018-05-18 | 2019-11-21 | Knowles Electronics, Llc | Systems and methods for reducing noise in microphones |
| WO2019246151A1 (en) | 2018-06-19 | 2019-12-26 | Knowles Electronics, Llc | Transconductance amplifier |
| US11095990B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-08-17 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with reduced noise |
| CN112823532B (zh) | 2018-10-05 | 2022-05-31 | 美商楼氏电子有限公司 | 具有入口防护部的麦克风设备 |
| CN112789239A (zh) | 2018-10-05 | 2021-05-11 | 美商楼氏电子有限公司 | 形成包括褶皱的mems振膜的方法 |
| WO2020072904A1 (en) | 2018-10-05 | 2020-04-09 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducers with a low pressure zone and diaphragms having enhanced compliance |
| CN112806026B (zh) | 2018-10-09 | 2022-05-31 | 美商楼氏电子有限公司 | 集成电路、麦克风组件、多麦克风系统、处理音频流的方法 |
| US11743647B2 (en) | 2018-12-11 | 2023-08-29 | Knowles Electronics, Llc. | Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor |
| WO2020154066A1 (en) | 2019-01-22 | 2020-07-30 | Knowles Electronics, Llc | Leakage current detection from bias voltage supply of mems microphone assembly |
| US11197104B2 (en) | 2019-01-25 | 2021-12-07 | Knowles Electronics, Llc | MEMS transducer including free plate diaphragm with spring members |
| US11122360B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-14 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with back volume vent |
| EP3694222B1 (en) | 2019-02-06 | 2024-05-15 | Knowles Electronics, LLC | Sensor arrangement and method |
| US11778390B2 (en) | 2019-11-07 | 2023-10-03 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone assembly having a direct current bias circuit |
| DE102020133179A1 (de) | 2019-12-23 | 2021-06-24 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofonanordnung, die eine gleichstromvorspannungsschaltung mit tiefer grabenisolation aufweist |
| US11787690B1 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-17 | Knowles Electronics, Llc. | MEMS assembly substrates including a bond layer |
| US11240600B1 (en) | 2020-11-12 | 2022-02-01 | Knowles Electronics, Llc | Sensor assembly and electrical circuit therefor |
| US11671775B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-06-06 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor |
| US11743666B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-08-29 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor |
| US11916575B2 (en) | 2020-12-31 | 2024-02-27 | Knowleselectronics, Llc. | Digital microphone assembly with improved mismatch shaping |
| US11909387B2 (en) | 2021-03-17 | 2024-02-20 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone with slew rate controlled buffer |
| US11897762B2 (en) | 2021-03-27 | 2024-02-13 | Knowles Electronics, Llc. | Digital microphone with over-voltage protection |
| US11528546B2 (en) | 2021-04-05 | 2022-12-13 | Knowles Electronics, Llc | Sealed vacuum MEMS die |
| US11540048B2 (en) | 2021-04-16 | 2022-12-27 | Knowles Electronics, Llc | Reduced noise MEMS device with force feedback |
| US11649161B2 (en) | 2021-07-26 | 2023-05-16 | Knowles Electronics, Llc | Diaphragm assembly with non-uniform pillar distribution |
| US11772961B2 (en) | 2021-08-26 | 2023-10-03 | Knowles Electronics, Llc | MEMS device with perimeter barometric relief pierce |
| US11780726B2 (en) | 2021-11-03 | 2023-10-10 | Knowles Electronics, Llc | Dual-diaphragm assembly having center constraint |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4356429A (en) | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
| US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| EP0443861B2 (en) | 1990-02-23 | 2008-05-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescence device |
| US5408109A (en) | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
| JP3110095B2 (ja) | 1991-09-20 | 2000-11-20 | 富士通株式会社 | 測距方法及び測距装置 |
| US5295522A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Gas purge system for isolation enclosure for contamination sensitive items |
| JP3420399B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2003-06-23 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
| JP3124722B2 (ja) | 1995-07-31 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法 |
| TW542851B (en) | 1996-05-15 | 2003-07-21 | Chemipro Kasei Kaisha Ltd | Multicolor organic electroluminescence element, its manufacturing method, and a display using the same |
| US6224312B1 (en) * | 1996-11-18 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Optimal trajectory robot motion |
| JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US6843937B1 (en) | 1997-07-16 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element |
| JP3861400B2 (ja) | 1997-09-01 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電界発光素子およびその製造方法 |
| AU725148B2 (en) | 1997-10-17 | 2000-10-05 | Regents Of The University Of California, The | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
| JP3206646B2 (ja) | 1998-01-22 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 多色発光有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
| US6087196A (en) | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
| CN100550472C (zh) | 1998-03-17 | 2009-10-14 | 精工爱普生株式会社 | 薄膜构图的衬底及其表面处理 |
| GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
| WO2000012226A1 (en) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fed Corporation | Full color organic light emitting diode display and method for making the same using inkjet fabrication |
| US6566153B1 (en) | 1998-10-14 | 2003-05-20 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
| US6048573A (en) | 1998-11-13 | 2000-04-11 | Eastman Kodak Company | Method of making an organic light-emitting device |
| US6189238B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-02-20 | Lucent Technologies Inc. | Portable purge system for transporting materials |
| US6066357A (en) | 1998-12-21 | 2000-05-23 | Eastman Kodak Company | Methods of making a full-color organic light-emitting display |
| TW468269B (en) | 1999-01-28 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same |
| GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
| TW512543B (en) | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6230895B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-05-15 | David P. Laube | Container for transporting refurbished semiconductor processing equipment |
| US6821645B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex |
| US6633121B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
| US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
| US6670645B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
| AU2001283274A1 (en) | 2000-08-11 | 2002-02-25 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
| JP4154140B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物 |
| JP4154139B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
| IL154960A0 (en) | 2000-10-10 | 2003-10-31 | Du Pont | Polymers having attached luminescent metal complexes and devices made with sych polymers |
| US6693187B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-02-17 | Lievre Cornu Llc | Phosphinoamidite carboxlates and analogs thereof in the synthesis of oligonucleotides having reduced internucleotide charge |
| US6987282B2 (en) * | 2000-12-22 | 2006-01-17 | D-Wave Systems, Inc. | Quantum bit with a multi-terminal junction and loop with a phase shift |
| US6575600B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-06-10 | Umax Data Systems, Inc. | Optic reflection device |
| WO2002063701A1 (en) * | 2001-01-03 | 2002-08-15 | Dow Global Technologies Inc. | Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature |
| US6888307B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
| EP1338431A3 (en) * | 2002-02-08 | 2003-10-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Visible image receiving material having surface hydrophilicity |
| US6939660B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer |
| US7098060B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-08-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for producing full-color organic electroluminescent devices |
| US6876144B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-04-05 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material |
| GB2395356A (en) * | 2002-11-09 | 2004-05-19 | Sharp Kk | Organic light-emitting device |
| US6891326B2 (en) | 2002-11-15 | 2005-05-10 | Universal Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
| JP4197259B2 (ja) | 2003-02-10 | 2008-12-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び蒸着マスク |
| US6737800B1 (en) | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
| JP2004355913A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| US20050100657A1 (en) | 2003-11-10 | 2005-05-12 | Macpherson Charles D. | Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same |
| US7067841B2 (en) * | 2004-04-22 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic devices |
-
2004
- 2004-12-30 US US11/026,732 patent/US7268006B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-29 KR KR1020127019863A patent/KR101300303B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-29 JP JP2007549669A patent/JP5060309B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 CN CN2005800446187A patent/CN101438382B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 WO PCT/US2005/047517 patent/WO2006072022A2/en active Application Filing
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