JP5060309B2 - 層内のゲスト材料を含む電子デバイス、およびそれを形成するためのプロセス - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 300
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 184
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 139
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 56
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 49
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 34
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 22
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims description 7
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 374
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 135
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 29
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- -1 inductors Substances 0.000 description 19
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 19
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 17
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 16
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 7
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 7
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 6
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropane Chemical compound CCCOCC NVJUHMXYKCUMQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexanol Chemical compound CC1CCCC(O)C1 HTSABYAWKQAHBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N dibenzo-18-crown-6 Chemical compound O1CCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOC2=CC=CC=C21 YSSSPARMOAYJTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 3
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N n-butyl methyl ketone Natural products CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWLNYSYJNLUOO-UHFFFAOYSA-N 1-Piperidinecarboxaldehyde Chemical compound O=CN1CCCCC1 FEWLNYSYJNLUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-3-pentanone Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)C HXVNBWAKAOHACI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(22),18,20-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 DSFHXKRFDFROER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQLYXIUHVFRXLT-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethylbenzene Chemical compound COCCC1=CC=CC=C1 CQLYXIUHVFRXLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropoxy)propane Chemical compound CC(C)COCC(C)C SZNYYWIUQFZLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=N1 FSEXLNMNADBYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-butanol Chemical compound CC(C)C(C)O MXLMTQWGSQIYOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJBOOUHRTQVGRU-UHFFFAOYSA-N 3-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCC(=O)C1 UJBOOUHRTQVGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 4-heptanone Chemical compound CCCC(=O)CCC HCFAJYNVAYBARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N benzo-15-crown-5 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 FNEPSTUXZLEUCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKGGYBADQZYZPD-UHFFFAOYSA-N benzylacetone Chemical compound CC(=O)CCC1=CC=CC=C1 AKGGYBADQZYZPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohex-2-enone Chemical compound O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N hexan-3-ol Chemical compound CCCC(O)CC ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N neopentyl alcohol Chemical compound CC(C)(C)CO KPSSIOMAKSHJJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 2
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N pentan-3-ol Chemical compound CCC(O)CC AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZERLKNAJSFDSQ-DDHJBXDOSA-N (2r,3r,11r,12r)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane-2,3,11,12-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H]1OCCOCCO[C@@H](C(O)=O)[C@H](C(O)=O)OCCOCCO[C@H]1C(O)=O FZERLKNAJSFDSQ-DDHJBXDOSA-N 0.000 description 1
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULPMRIXXHGUZFA-UHFFFAOYSA-N (R)-4-Methyl-3-hexanone Natural products CCC(C)C(=O)CC ULPMRIXXHGUZFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N (methylsulfinyl)benzene Chemical compound CS(=O)C1=CC=CC=C1 JXTGICXCHWMCPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane Chemical compound C1COCOC1 VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDQRZGDWLMSBSD-UHFFFAOYSA-N 1,4,10,13-tetrathia-7,16-diazacyclooctadecane Chemical compound C1CSCCSCCNCCSCCSCCN1 HDQRZGDWLMSBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJUGHLWDFGGTGJ-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadec-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1COCCOCCOCCOCCOCCO1 BJUGHLWDFGGTGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 1,4,7,10,13-pentaoxa-16-azacyclooctadecane Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCN1 NBXKUSNBCPPKRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 1,4,8,11-tetraazacyclotetradecane Chemical compound C1CNCCNCCCNCCNC1 MDAXKAUIABOHTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOWMYOWHQMKBTM-UHFFFAOYSA-N 1-butylsulfinylbutane Chemical compound CCCCS(=O)CCCC LOWMYOWHQMKBTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPTVQTPMFOLLOA-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-ethoxyethane Chemical compound CCOCCCl GPTVQTPMFOLLOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTIGGAHUZJWQMD-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-methoxyethane Chemical compound COCCCl XTIGGAHUZJWQMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxybutane Chemical compound CCCCOCC PZHIWRCQKBBTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSZZMFWKAQEMPB-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutan-2-ol Chemical compound CCC(O)COC CSZZMFWKAQEMPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 12-crown-4 Chemical compound C1COCCOCCOCCO1 XQQZRZQVBFHBHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 15-crown-5 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCO1 VFTFKUDGYRBSAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSFJQUGCUJJHIS-UHFFFAOYSA-N 17-nitro-2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-18-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=C1C=C(N)C([N+]([O-])=O)=C2 PSFJQUGCUJJHIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroacetamide Chemical compound NC(=O)C(F)(F)F NRKYWOKHZRQRJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIOBGPYSBDFDAB-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3,6,9,12-pentaoxa-2-silacyclotetradecane Chemical compound C[Si]1(C)OCCOCCOCCOCCO1 JIOBGPYSBDFDAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXWKDYXFUUBISW-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-1,3,6,9-tetraoxa-2-silacycloundecane Chemical compound C[Si]1(C)OCCOCCOCCO1 UXWKDYXFUUBISW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAYAKMPRFGNNFW-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylpentan-3-ol Chemical compound CC(C)C(O)C(C)C BAYAKMPRFGNNFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZXYILUXRGTFGD-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(18),19,21-trien-20-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC(N)=CC=C21 PZXYILUXRGTFGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQNGAZMLFIMLQN-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-17-amine Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(N)=CC=C21 CQNGAZMLFIMLQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBJIKIAWNPEHOR-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-triene-17-carbaldehyde Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(C=O)=CC=C21 MBJIKIAWNPEHOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAJNZFCPJVBYHB-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetraoxabicyclo[10.4.0]hexadeca-1(16),12,14-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 OAJNZFCPJVBYHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXFWXFIWDGJRSC-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxy-2,5-dihydrofuran Chemical compound COC1OC(OC)C=C1 WXFWXFIWDGJRSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethoxyoxolane Chemical compound COC1CCC(OC)O1 GFISDBXSWQMOND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylpropoxy)ethanol Chemical compound CC(C)COCCO HHAPGMVKBLELOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Natural products CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCO BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHBZZTKMMLDNDN-UHFFFAOYSA-N 2-butan-2-yloxybutane Chemical compound CCC(C)OC(C)CC HHBZZTKMMLDNDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWFMGBPGAXYFAR-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methylpropanenitrile Chemical compound CC(C)(O)C#N MWFMGBPGAXYFAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyacetonitrile Chemical compound COCC#N QKPVEISEHYYHRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTWIZMNMTWYQRN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CC1OCCO1 HTWIZMNMTWYQRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCEJCSULJQNRQQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutanenitrile Chemical compound CCC(C)C#N RCEJCSULJQNRQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDVWOBYBJYUSMF-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCCCC1O NDVWOBYBJYUSMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFSAPCRASZRSKS-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCCCC1=O LFSAPCRASZRSKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyrimidine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC=N1 OXPDQFOKSZYEMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHHZIFBFFGIFNI-UHFFFAOYSA-N 20-bromo-2,5,8,11,14,17-hexaoxabicyclo[16.4.0]docosa-1(18),19,21-triene Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOCCOC2=CC(Br)=CC=C21 XHHZIFBFFGIFNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHJRQDXUSZYABF-UHFFFAOYSA-N 223719-29-7 Chemical compound O1CCOCCOC2CCC(C(C)(C)C)CC2OCCOCCOC2CC(C(C)(C)C)CCC21 SHJRQDXUSZYABF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCGCCTGNWPKXJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-cyanoethoxy)propanenitrile Chemical compound N#CCCOCCC#N BCGCCTGNWPKXJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWVNJBFNHGQUQU-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropanenitrile Chemical compound CCCCOCCC#N AWVNJBFNHGQUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCWQZPJHHVLHSV-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropanenitrile Chemical compound CCOCCC#N DCWQZPJHHVLHSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 3-hexanone Chemical compound CCCC(=O)CC PFCHFHIRKBAQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropanenitrile Chemical compound OCCC#N WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-1,2-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C(C)=C1 LVUBSVWMOWKPDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOKPBCHLPVDQTK-UHFFFAOYSA-N 4-methoxy-4-methylpentan-2-one Chemical compound COC(C)(C)CC(C)=O KOKPBCHLPVDQTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- INCCMBMMWVKEGJ-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1,3-dioxane Chemical compound CC1CCOCO1 INCCMBMMWVKEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCJRILMVFLGCJY-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-1,3-dioxane Chemical compound O1COCCC1C1=CC=CC=C1 RCJRILMVFLGCJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 4-phenylphenolate Chemical compound C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 5-(2-hydroxyethylamino)-1h-pyrimidine-2,4-dione Chemical compound OCCNC1=CNC(=O)NC1=O QJMYXHKGEGNLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSBKJPTZCVYXSD-UHFFFAOYSA-N 5-methylheptan-3-one Chemical compound CCC(C)CC(=O)CC PSBKJPTZCVYXSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPVLGOPSYZTLGB-UHFFFAOYSA-N 5-methyloctan-2-one Chemical compound CCCC(C)CCC(C)=O UPVLGOPSYZTLGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]anthracene Chemical compound C=1C=C(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC(C=C(C=4C=CC=CC=4)C=4C=CC=CC=4)=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BITWULPDIGXQDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N Bis(2-chloroethyl)ether Chemical compound ClCCOCCCl ZNSMNVMLTJELDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABGAKSLCHWCDGT-UHFFFAOYSA-N C(C)C(CO)CC.CC(CO)CCC Chemical compound C(C)C(CO)CC.CC(CO)CCC ABGAKSLCHWCDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N Chloromethyl methyl ether Chemical compound COCCl XJUZRXYOEPSWMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICBJCVRQDSQPGI-UHFFFAOYSA-N Methyl hexyl ether Chemical compound CCCCCCOC ICBJCVRQDSQPGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWNSVVHTTQBGQB-UHFFFAOYSA-N N,N-Diethyldodecanamide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)N(CC)CC CWNSVVHTTQBGQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVCJKHHOXFKFRP-UHFFFAOYSA-N N-acetylethanolamine Chemical compound CC(=O)NCCO PVCJKHHOXFKFRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001204 N-oxides Chemical class 0.000 description 1
- MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 Chemical compound OC(=O)C1=NC=CC=C1[Ir]C1=CC(F)=CC(F)=C1C1=CC=CC=N1 MVMBITSRQNHOLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRUIESSIVFYOMK-UHFFFAOYSA-N Trichloroacetonitrile Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C#N DRUIESSIVFYOMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N bis(2,5,8,11,14-pentaoxabicyclo[13.4.0]nonadeca-1(15),16,18-trien-17-ylmethyl) heptanedioate Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC(COC(CCCCCC(=O)OCC=3C=C4OCCOCCOCCOCCOC4=CC=3)=O)=CC=C21 LTZRCLYZVSXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N chloromethoxyethane Chemical compound CCOCCl FCYRSDMGOLYDHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940061627 chloromethyl methyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011243 crosslinked material Substances 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFKEYKJGVSEIX-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone, 4-(1,1-dimethylethyl)- Chemical compound CC(C)(C)C1CCC(=O)CC1 YKFKEYKJGVSEIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical compound OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930007927 cymene Natural products 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N dibenzo-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 UNTITLLXXOKDTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N dibenzo-30-crown-10 Chemical compound O1CCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C2OCCOCCOCCOCCOC2=CC=CC=C21 MXCSCGGRLMRZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexano-24-crown-8 Chemical compound O1CCOCCOCCOC2CCCCC2OCCOCCOCCOC2CCCCC21 QMLGNDFKJAFKGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLRROLLKQDRDPI-UHFFFAOYSA-L disodium;4,5-dihydroxybenzene-1,3-disulfonate;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Na+].OC1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC(S([O-])(=O)=O)=C1O ZLRROLLKQDRDPI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001804 emulsifying effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N formaldehyde Substances O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTYRAPJYLUPLCI-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Chemical compound OCC#N LTYRAPJYLUPLCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- JCKWEDVDJUKMCF-UHFFFAOYSA-N heptan-3-ol;heptan-4-ol Chemical compound CCCCC(O)CC.CCCC(O)CCC JCKWEDVDJUKMCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N heptanenitrile Chemical compound CCCCCCC#N SDAXRHHPNYTELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AILKHAQXUAOOFU-UHFFFAOYSA-N hexanenitrile Chemical compound CCCCCC#N AILKHAQXUAOOFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N isobutyronitrile Chemical compound CC(C)C#N LRDFRRGEGBBSRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N isochromane Chemical compound C1=CC=C2COCCC2=C1 HEBMCVBCEDMUOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N isopropyl-benzene Natural products CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHDRKFYEGYYIIK-UHFFFAOYSA-N isovaleronitrile Chemical compound CC(C)CC#N QHDRKFYEGYYIIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- GQKZBCPTCWJTAS-UHFFFAOYSA-N methoxymethylbenzene Chemical compound COCC1=CC=CC=C1 GQKZBCPTCWJTAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N methoxypropane Chemical compound CCCOC VNKYTQGIUYNRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- SWYVHBPXKKDGLL-UHFFFAOYSA-N n,n,3-trimethylbenzamide Chemical compound CN(C)C(=O)C1=CC=CC(C)=C1 SWYVHBPXKKDGLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNBDDZDKBWPHAX-UHFFFAOYSA-N n,n-di(propan-2-yl)formamide Chemical compound CC(C)N(C=O)C(C)C UNBDDZDKBWPHAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-3-oxobutanamide Chemical compound CN(C)C(=O)CC(C)=O YPEWWOUWRRQBAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N n-[(2-chlorophenyl)methyl]-1-(3-methylphenyl)benzimidazole-5-carboxamide Chemical compound CC1=CC=CC(N2C3=CC=C(C=C3N=C2)C(=O)NCC=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1 MQCHTHJRANYSEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KERBAAIBDHEFDD-UHFFFAOYSA-N n-ethylformamide Chemical compound CCNC=O KERBAAIBDHEFDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-phenylformamide Chemical compound O=CN(C)C1=CC=CC=C1 JIKUXBYRTXDNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDLAKRCBYGZJRW-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylformamide Chemical compound CC(C)(C)NC=O SDLAKRCBYGZJRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical class C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N pivalamide Chemical compound CC(C)(C)C(N)=O XIPFMBOWZXULIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAMNHZBIQDNHMM-UHFFFAOYSA-N pivalonitrile Chemical compound CC(C)(C)C#N JAMNHZBIQDNHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003214 poly(methacrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N sec-butylbenzene Chemical compound CCC(C)C1=CC=CC=C1 ZJMWRROPUADPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene 1-oxide Chemical compound O=S1CCCC1 ISXOBTBCNRIIQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
- H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
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Description
以下で説明される実施形態の詳細を扱う前、いくつかの用語を定義または明確化する。「アレイ」、「周辺回路」、および「遠隔回路」という用語は、電子デバイスの異なった領域または構成要素を意味することが意図される。たとえば、アレイは、規則的な配列(通常、列および行によって示される)内のピクセル、セル、または他の構造を含むことができる。アレイ内のピクセル、セル、または他の構造は、アレイと同じ電子デバイス内であるがアレイ自体の外側にあることができる周辺回路によって、局所的に制御することができる。遠隔回路は、典型的には、周辺回路から離れてあり、かつ、アレイに信号を送るか、アレイから信号を受けることができる(典型的には、周辺回路を介して)。遠隔回路は、また、アレイに無関係の機能を行うことができる。遠隔回路は、アレイを有する基板上に存在してもしなくてもよい。
本明細書において教示されるような概念を、電子デバイスに適用して、1つまたは複数のゲスト材料の実質的な量が、少なくとも1つのホスト材料を含む層内に少なくとも部分的に組入れられた1つまたは複数の層を形成することができる。層は、有機層であってもなくてもよい。一実施形態において、実質的な量が、少なくとも約40パーセントであり、別の実施形態において、少なくとも約50パーセントである。さらなる実施形態において、1つまたは複数のゲスト材料の実質的にすべてを、液体組成物が接触する層と混合することができる。組入れプロセスの間、ウェル構造が存在してもしなくてもよい。より特定的には、1つまたは複数のゲスト材料と、液体媒体とを含む1つまたは複数の液体組成物が、溶液、分散液、エマルション、または懸濁液の形態であることができる。
印刷装置を使用して、液体組成物を含むさまざまな異なった材料を堆積させることができる。次のパラグラフは、いくつかだけであるがすべてでない、使用することができる材料を含む。一実施形態において、電子デバイス内の有機層または無機層のための1つまたは複数の材料が、印刷装置を使用して形成される。
ここで、注意を、図2から5に説明され示された例示的な実施形態の詳細に向ける。図2を参照すると、第1の電極220が基板200の部分の上に形成される。基板200は、有機電子デバイス技術において使用されるような従来の基板であることができる。基板200は、可撓性または剛性、有機または無機であることができる。一般に、ガラスまたは可撓性有機フィルムが使用される。ピクセルドライバまたは別の回路(図示せず)を、従来の技術を用いて基板200内にまたは基板200の上に形成することができる。アレイの外側の他の回路としては、アレイ内のピクセルの1つまたは複数を制御するために使用される周辺回路または遠隔回路を挙げることができる。製造の焦点は、周辺回路または遠隔回路ではなく、ピクセルアレイにある。基板200は、約12から2500ミクロンの範囲内の厚さを有することができる。
図3に示されているように、1つまたは複数の液体組成物(円322、324、および326として示されている)を有機層230の部分の上に配置することができる。一実施形態において、有機活性層250は、青色光を発することができるホスト材料を含み、液体組成物322は、赤色ゲスト材料を含むことができ、液体組成物324は、緑色ゲスト材料を含むことができ、液体組成物326は、青色ホスト材料と同じまたは異なることができる青色ゲスト材料を含むことができる。1つまたは複数の液体組成物322、324、および326の配置前、有機層230は、実質的に固体であってもなくてもよい。液体組成物322、324、および326を、精密堆積技術を用いて有機層230の上に配置することができる。そのような堆積の間、ステンシルマスク、フレーム、ウェル構造、パターニングされた層、または他の構造が、存在してもしなくてもよい。精密堆積技術の非限定的な例としては、スクリーン印刷、インクジェット印刷、溶液分配、針吸引、選択的なめっき、およびそれらの組合せが挙げられる。
示されていないが、任意の電荷注入層、電荷輸送層、または電荷阻止層を、有機活性層250の上に形成することができる。図5に示されているように、第2の電極502が、電荷輸送層240と、有機活性層250とを含む有機層230の上に形成される。この特定の実施形態において、第2の電極502は、アレイのための共通カソードとして作用する。任意の電荷注入層、電荷輸送層、電荷阻止層、またはそれらの任意の組合せ、および第2の電極502についての、形成(たとえば、堆積、エッチングなど)、材料、および厚さは、従来のものである。
図6は、有機層230が有機層630と取替えられる以外は、上のセクション2で説明されたプロセスと同様に形成される代替実施形態の図を含む。有機層630は電子阻止層650を含む。層240および250の材料および形成は上で説明される。電荷輸送層240を形成した後、電子阻止層650は形成される。電子阻止層650は、先に説明されたような材料の1つまたは複数を含む。電子阻止層650は、従来のコーティング、キャスト、蒸着(化学または蒸気)、印刷(インクジェット印刷、スクリーン印刷、溶液分配、またはそれらの任意の組合せ)、他の堆積技術、またはそれらの任意の組合せを含む、1つまたは複数の任意の数の異なった技術を用いて形成することができる。電子阻止層650は、第1の電極220の中心の上で測定されるような約5から200nmの範囲内の厚さを有する。
電子デバイス内の電子構成要素が放射線放出構成要素である場合、適切な電位が第1の電極220および第2の電極502上に配置される。放射線放出構成要素の1つまたは複数が十分に順方向バイアスされるようになると、そのような順方向バイアスは、放射線が有機活性層250から放出されることを引起すことができる。電子デバイスの通常の動作の間、放射線放出構成要素の1つまたは複数がオフであることができることに留意されたい。たとえば、放射線放出構成要素のために使用される電位および電流を調整して、そのような構成要素から放出される色の強度を変えて、可視光スペクトル内のほとんどいかなる色も達成することができる。図5の右側に最も近い3つの第1の電極220を参照すると、赤色が表示されるために、混合領域422を含む放射線放出構成要素はオンになり、他の2つの放射線放出構成要素はオフである。ディスプレイにおいて、行および列に信号を与えて、適切なセットの放射線放出構成要素を活性化して、見る人へのディスプレイを、人間が理解できる形態にすることができる。
予想外に、上で説明されたプロセスを用いて、有機層を形成する前または後、有機層内に局所化領域を形成することができ、そこで、有機層の両面(すなわち、電極に近い)の間のゲスト材料濃度勾配が、従来の拡散プロセスと比較してより小さく、多くの従来の拡散プロセスで見られるような実質的な横方向の移行がない。すべてではないとしても実質的な量のゲスト材料が、有機層と混合する。ゲスト材料は、有機層と混合することができ、熱拡散プロセスを行う必要をなくすことができる。したがって、多すぎる横方向の拡散での問題が生じないはずである。また、「部分」拡散(目標層の一部のみを通る)、目標層の厚さを通るゲスト材料の急峻な濃度勾配、または両方が、生じないはずである。
この実施例は、有機活性層および液体組成物の1つまたは複数の物理的特性の適切な操作が、バンクまたはウェルの必要のない電子デバイス内の電子構成要素を提供することを実証する。
この実施例は、ここで説明されるプロセスを用いて、200ミクロンピッチ以上を有するフルカラーディスプレイを製造することができることを実証する。
赤色、緑色、および青色ポリマー線を有するフルカラーディスプレイを、実施例1で説明された手順と同様の手順を用いて製造する。40のノズルを有するインクジェットプリンタを、カラーピクセルを規定するために使用する。これらのノズルの直径は約35ミクロンであり、各滴間の工程移動は約85ミクロンである。基板は公称100mm×100mm(4インチ×4インチ)であり、ディスプレイ領域は約80mm×60mm(3.2インチ×2.4インチ)である。基板はウェル構造を含まない。赤色、緑色、および青色ストライプは、(1)バンク構造を使用せずに、線パターンを達成することができること、および(2)フルカラーディスプレイを100ピクセル毎インチ(pixels−per−inch)(254ミクロンピッチに等しい)で製造することができることを示す。
この実施例において、フルカラーバックライトデバイスを完全に平面の構造(すなわち、ITOが連続しており、パッドも列もない)で製造する。光学的に平坦なガラスITO基板から始まり、PEDOTおよび有機層(青色光を発することができるホスト材料)を、基板上にスピンコーティングする(先に説明されたように)。連続流印刷を用いて、赤色液体組成物および緑色液体組成物の線を形成する。使用されるいかなるウェル構造もなしで、線は幅約50ミクロンである。この実施例は、赤色および緑色ポリマー線の広がりを制限する有機層の能力を明確に実証する。
フルカラーディスプレイについて、電流の2から3桁の変化にわたって、色安定性を維持することができ、発光スペクトルの著しいシフトを伴わずに、色ごとのグレースケール制御を考慮する。
Claims (19)
- 電子デバイスを形成するための方法であって、
第1の層を基板の上に形成する工程と、
第1の液体組成物を前記第1の層の第1の部分の上に配置する工程であって、前記第1の液体組成物が、少なくとも、第1のゲスト材料と、第1の液体媒体とを含み、前記第1の液体組成物が前記第1の層と接触し、実質的な量の前記第1のゲスト材料が前記第1の層と混合して前記接触が生じる混合領域を形成し、前記混合領域は、前記混合領域と同じ位置に最初形成された前記第1の層より厚い、工程とを含み、
前記第1の層が、(1)目標波長においてまたは目標波長スペクトル内で放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計され、前記目標スペクトルが、150nm以下の幅を有し、
前記第1のゲスト材料が、(1)前記目標波長または目標波長スペクトルにおいて放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計され、
前記第1の液体媒体が、ハロゲン化溶媒、コロイド形成ポリマー酸、炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、環状エーテル溶媒、アルコール溶媒、グリコール溶媒、ケトン溶媒、ニトリル溶媒、スルホキシド溶媒、アミド溶媒、水およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする方法。 - 前記第1の層および前記第1のゲスト材料の各々が、青色光スペクトル内で放出最大を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の層を形成する前、第2の層を前記基板の上に形成する工程と、
前記第2の層の少なくとも一部を高密度化する工程とをさらに含み、
高密度化後、前記第1の層が前記第2の層の上に形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記第1および第2の層が、実質的に同じ組成物を有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記第2の層が、前記第1のゲスト材料が前記基板と混合するのを実質的に防止することを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 高密度化工程が、前記第2の層を架橋する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記第1の層を架橋する工程をさらに含み、
前記第1の層が第1の材料を含み、
前記第2の層が第2の材料を含み、
前記第1の層を架橋する工程が、いくらかであるがすべてでない前記第1の材料が架橋されるように行われ、
前記第2の材料を架橋する工程が、少なくとも、前記第2の材料の実質的にすべてが架橋されるまで行われることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 第2の液体組成物を前記第1の層の第2の部分の上に配置する工程であって、前記第2の液体組成物が、少なくとも、第2のゲスト材料と、第2の液体媒体とを含み、
前記第2のゲスト材料が前記第1のゲスト材料と異なり、
前記第2の液体組成物が前記第1の層と接触し、実質的な量の前記第2のゲスト材料が前記第1の層と混合して前記接触が生じる混合領域を形成し、前記混合領域は、前記混合領域と同じ位置に最初形成された前記第1の層より厚い工程を含み、
前記第2のゲスト材料が、(1)前記目標波長または目標波長スペクトルにおいて放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計され、
前記第2の液体媒体が、ハロゲン化溶媒、コロイド形成ポリマー酸、炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、環状エーテル溶媒、アルコール溶媒、グリコール溶媒、ケトン溶媒、ニトリル溶媒、スルホキシド溶媒、アミド溶媒、水およびこれらの混合物からなる群から選択され、
第3の液体組成物を前記第1の層の第3の部分の上に配置する工程であって、前記第3の液体組成物が、少なくとも、第3のゲスト材料と、第3の液体媒体とを含み、
前記第3のゲスト材料が、前記第1および第2のゲスト材料の各々と異なり、
前記第3の液体組成物が前記第1の層と接触し、実質的な量の前記第3のゲスト材料が前記第1の層と混合して前記接触が生じる混合領域を形成し、前記混合領域は、前記混合領域と同じ位置に最初形成された前記第1の層より厚い工程とをさらに含み、
前記第3のゲスト材料が、(1)前記目標波長または目標波長スペクトルにおいて放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計され、
前記第3の液体媒体が、ハロゲン化溶媒、コロイド形成ポリマー酸、炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、環状エーテル溶媒、アルコール溶媒、グリコール溶媒、ケトン溶媒、ニトリル溶媒、スルホキシド溶媒、アミド溶媒、水およびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 形成されたままの状態の前記第1の層が、40nm以下の厚さを有し、
前記第1の層および前記第1のゲスト材料の第1の組合せが、少なくとも60nmの厚さを有し、
前記第1の層および前記第2のゲスト材料の第2の組合せが、少なくとも60nmの厚さを有し、
前記第1の層および前記第3のゲスト材料の第3の組合せが、少なくとも60nmの厚さを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記第1のゲスト材料の実質的にすべてが、前記第1の層と混合することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の層を形成する工程が、層内のいかなる途切れもなく前記基板全体または前記基板の一部を被覆する連続層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法によって形成されることを特徴とする電子デバイス。
- 前記第1の層内の前記第1のゲスト材料が、放射線放出電子的構成要素または放射線検知電子的構成要素の一部であることを特徴とする請求項12に記載の電子デバイス。
- 請求項1の電子デバイスを形成するための方法によって形成された電子デバイスであって、
基板と、
前記基板の上にある連続した第1の層であって、
前記連続層が、電子的構成要素がある第1の部分と、電子的構成要素がない第2の部分とを含み、
前記第1の部分が、厚さが少なくとも30nmであり、第1のゲスト材料を含み、
前記第2の部分が、厚さが40nm以下である、連続した第1の層と
を含むことを特徴とする電子デバイス。 - 前記連続した第1の層が、付加的な第1の部分を含み、
前記電子デバイスが、第1の電子的構成要素を含み、
前記第1の電子的構成要素の各々が、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間にある前記第1の部分の少なくとも1つとを含むことを特徴とする請求項14に記載の電子デバイス。 - 前記連続した第1の層が、第3の部分と、第4の部分とを含み、
前記第3の部分が、厚さが少なくとも30nmであり、第2のゲスト材料を含み、
前記第4の部分が、厚さが少なくとも30nmであり、第3のゲスト材料を含み、
前記電子デバイスが、第2の電子的構成要素と、第3の電子的構成要素とを含み、
前記第2の電子的構成要素の各々が、第3の電極と、第4の電極と、前記第3の電極と前記第4の電極との間にある前記第2の部分の少なくとも1つとを含み、
前記第3の電子的構成要素の各々が、第5の電極と、第6の電極と、前記第5の電極と前記第6の電極との間にある前記第3の部分の少なくとも1つとを含むことを特徴とする請求項15に記載の電子デバイス。 - 前記第1の電子的構成要素が、放射線放出電子的構成要素または放射線検知電子的構成要素であることを特徴とする請求項16に記載の電子デバイス。
- 前記連続した第1の層が、(1)目標波長においてまたは目標波長スペクトル内で放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計され、前記目標スペクトルが、150nm以下の幅を有し、
前記第1のゲスト材料が、(1)前記目標波長または目標波長スペクトルにおいて放出最大を有する放射線を放出することができるか、(2)前記目標波長におけるまたは前記目標波長スペクトル内の放射線を検知するように設計されることを特徴とする請求項14に記載の電子デバイス。 - 前記連続した第1の層および前記第1のゲスト材料の各々が、青色光スペクトル内で放出最大を有することを特徴とする請求項18に記載の電子デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/026,732 | 2004-12-30 | ||
US11/026,732 US7268006B2 (en) | 2004-12-30 | 2004-12-30 | Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same |
PCT/US2005/047517 WO2006072022A2 (en) | 2004-12-30 | 2005-12-29 | Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008533652A JP2008533652A (ja) | 2008-08-21 |
JP5060309B2 true JP5060309B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=36615548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007549669A Expired - Fee Related JP5060309B2 (ja) | 2004-12-30 | 2005-12-29 | 層内のゲスト材料を含む電子デバイス、およびそれを形成するためのプロセス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7268006B2 (ja) |
EP (1) | EP1836722A4 (ja) |
JP (1) | JP5060309B2 (ja) |
KR (2) | KR101300303B1 (ja) |
CN (1) | CN101438382B (ja) |
TW (1) | TWI381566B (ja) |
WO (1) | WO2006072022A2 (ja) |
Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4792112A (en) * | 1987-08-14 | 1988-12-20 | Eastman Kodak Corporation | Mold for forming container adapter |
US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP2006189596A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Central Glass Co Ltd | 光学多層膜フィルタの製造方法及び光学多層膜フィルタ |
GB0620045D0 (en) | 2006-10-10 | 2006-11-22 | Cdt Oxford Ltd | Otpo-electrical devices and methods of making the same |
KR100858090B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 탄소나노튜브 복합체 및 이로부터 제조된 복굴절성 박막 |
TWI323047B (en) * | 2006-11-28 | 2010-04-01 | Univ Nat Taiwan | The method for forming electronic devices by using protection layers |
JP5087927B2 (ja) * | 2007-01-09 | 2012-12-05 | 大日本印刷株式会社 | 有機発光素子、有機発光トランジスタ及び発光表示装置 |
US20080176099A1 (en) * | 2007-01-18 | 2008-07-24 | Hatwar Tukaram K | White oled device with improved functions |
FR2923084B1 (fr) * | 2007-10-30 | 2017-06-09 | Thomson Licensing | Diode organique electroluminescente de type vumetre. |
DE102008023035B4 (de) * | 2008-05-09 | 2016-01-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen |
TW201005813A (en) | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
KR20110134452A (ko) | 2009-03-06 | 2011-12-14 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기활성 층을 형성하기 위한 방법 |
KR20110134461A (ko) * | 2009-03-09 | 2011-12-14 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 전기활성 층을 형성하기 위한 방법 |
US9209398B2 (en) | 2009-03-09 | 2015-12-08 | E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc | Process for forming an electroactive layer |
JP5445086B2 (ja) * | 2009-12-07 | 2014-03-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機光電変換素子、それを用いた太陽電池及び光センサアレイ |
EP2432249A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-03-21 | Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. | Microphone |
CN110944269A (zh) | 2011-08-18 | 2020-03-31 | 美商楼氏电子有限公司 | 用于mems装置的灵敏度调整装置和方法 |
SG188740A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-04-30 | Agency Science Tech & Res | Printed light emitting devices and method for fabrication thereof |
US9485560B2 (en) | 2012-02-01 | 2016-11-01 | Knowles Electronics, Llc | Embedded circuit in a MEMS device |
US9402118B2 (en) | 2012-07-27 | 2016-07-26 | Knowles Electronics, Llc | Housing and method to control solder creep on housing |
US9491539B2 (en) | 2012-08-01 | 2016-11-08 | Knowles Electronics, Llc | MEMS apparatus disposed on assembly lid |
US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
US9467785B2 (en) | 2013-03-28 | 2016-10-11 | Knowles Electronics, Llc | MEMS apparatus with increased back volume |
US9503814B2 (en) | 2013-04-10 | 2016-11-22 | Knowles Electronics, Llc | Differential outputs in multiple motor MEMS devices |
US9301075B2 (en) | 2013-04-24 | 2016-03-29 | Knowles Electronics, Llc | MEMS microphone with out-gassing openings and method of manufacturing the same |
US10028054B2 (en) | 2013-10-21 | 2018-07-17 | Knowles Electronics, Llc | Apparatus and method for frequency detection |
US10020008B2 (en) | 2013-05-23 | 2018-07-10 | Knowles Electronics, Llc | Microphone and corresponding digital interface |
US20180317019A1 (en) | 2013-05-23 | 2018-11-01 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic activity detecting microphone |
EP3575924B1 (en) | 2013-05-23 | 2022-10-19 | Knowles Electronics, LLC | Vad detection microphone |
US9711166B2 (en) | 2013-05-23 | 2017-07-18 | Knowles Electronics, Llc | Decimation synchronization in a microphone |
US9386370B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-07-05 | Knowles Electronics, Llc | Slew rate control apparatus for digital microphones |
US9502028B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-11-22 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic activity detection apparatus and method |
US9147397B2 (en) | 2013-10-29 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | VAD detection apparatus and method of operating the same |
US9831844B2 (en) | 2014-09-19 | 2017-11-28 | Knowles Electronics, Llc | Digital microphone with adjustable gain control |
US9554214B2 (en) | 2014-10-02 | 2017-01-24 | Knowles Electronics, Llc | Signal processing platform in an acoustic capture device |
US9743191B2 (en) | 2014-10-13 | 2017-08-22 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic apparatus with diaphragm supported at a discrete number of locations |
US9743167B2 (en) | 2014-12-17 | 2017-08-22 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with soft clipping circuit |
CN107112012B (zh) | 2015-01-07 | 2020-11-20 | 美商楼氏电子有限公司 | 用于音频处理的方法和系统及计算机可读存储介质 |
US9830080B2 (en) | 2015-01-21 | 2017-11-28 | Knowles Electronics, Llc | Low power voice trigger for acoustic apparatus and method |
US10121472B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-11-06 | Knowles Electronics, Llc | Audio buffer catch-up apparatus and method with two microphones |
US9866938B2 (en) | 2015-02-19 | 2018-01-09 | Knowles Electronics, Llc | Interface for microphone-to-microphone communications |
US9800971B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-10-24 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic apparatus with side port |
US9883270B2 (en) | 2015-05-14 | 2018-01-30 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with coined area |
US10291973B2 (en) | 2015-05-14 | 2019-05-14 | Knowles Electronics, Llc | Sensor device with ingress protection |
US9478234B1 (en) | 2015-07-13 | 2016-10-25 | Knowles Electronics, Llc | Microphone apparatus and method with catch-up buffer |
US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
CN108432265A (zh) | 2015-11-19 | 2018-08-21 | 美商楼氏电子有限公司 | 差分式mems麦克风 |
US9516421B1 (en) | 2015-12-18 | 2016-12-06 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic sensing apparatus and method of manufacturing the same |
CN108370477B (zh) | 2015-12-18 | 2020-10-13 | 美商楼氏电子有限公司 | 麦克风 |
DE112017000600T5 (de) | 2016-02-01 | 2018-12-13 | Knowles Electronics, Llc | Vorrichtung zum vorspannen von mems-motoren |
US10349184B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-07-09 | Knowles Electronics, Llc | Microphone and pressure sensor |
US10362408B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-07-23 | Knowles Electronics, Llc | Differential MEMS microphone |
CN109314828B (zh) | 2016-05-26 | 2021-05-11 | 美商楼氏电子有限公司 | 具有集成压力传感器的麦克风装置 |
US11104571B2 (en) | 2016-06-24 | 2021-08-31 | Knowles Electronics, Llc | Microphone with integrated gas sensor |
US10499150B2 (en) | 2016-07-05 | 2019-12-03 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with digital feedback loop |
US10206023B2 (en) | 2016-07-06 | 2019-02-12 | Knowles Electronics, Llc | Transducer package with through-vias |
US10153740B2 (en) | 2016-07-11 | 2018-12-11 | Knowles Electronics, Llc | Split signal differential MEMS microphone |
US9860623B1 (en) | 2016-07-13 | 2018-01-02 | Knowles Electronics, Llc | Stacked chip microphone |
US10257616B2 (en) | 2016-07-22 | 2019-04-09 | Knowles Electronics, Llc | Digital microphone assembly with improved frequency response and noise characteristics |
CN109641739B (zh) | 2016-07-27 | 2023-03-31 | 美商楼氏电子有限公司 | 微机电系统(mems)装置封装 |
US11069856B2 (en) | 2016-09-07 | 2021-07-20 | Joled Inc. | Solution for organic EL, method of producing organic EL device and organic EL device |
WO2018081278A1 (en) | 2016-10-28 | 2018-05-03 | Knowles Electronics, Llc | Transducer assemblies and methods |
US11142451B2 (en) | 2016-12-05 | 2021-10-12 | Knowles Electronics, Llc | Ramping of sensor power in a microelectromechanical system device |
CN110115048B (zh) | 2016-12-28 | 2020-11-24 | 美商楼氏电子有限公司 | 微机电系统和微机电系统麦克风封装物 |
US11218804B2 (en) | 2017-02-14 | 2022-01-04 | Knowles Electronics, Llc | System and method for calibrating microphone cut-off frequency |
EP3379204B1 (en) | 2017-03-22 | 2021-02-17 | Knowles Electronics, LLC | Arrangement to calibrate a capacitive sensor interface |
CN111133499B (zh) * | 2017-04-13 | 2023-08-01 | 上海显耀显示科技有限公司 | Led-oled混合自发射显示器 |
DE112018002672B4 (de) | 2017-05-25 | 2020-09-10 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofongehäuse für vollummantelte asic und drähte und darauf gerichtetes herstellungsverfahren |
WO2019005885A1 (en) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | Knowles Electronics, Llc | POST-LINEARIZATION SYSTEM AND METHOD USING A TRACKING SIGNAL |
DE112018003794T5 (de) | 2017-07-26 | 2020-05-07 | Knowles Electronics, Llc | Akustische entlastung in mems |
DE112018004659T5 (de) | 2017-09-08 | 2020-06-10 | Knowles Electronics, Llc | Digitale Mikrofon-Rauschdämpfung |
DE112018005251T5 (de) | 2017-09-18 | 2020-06-18 | Knowles Electronics, Llc | System und verfahren zur optimierung von akustischen löchern |
DE112018005381T5 (de) | 2017-09-21 | 2020-06-25 | Knowles Electronics, Llc | Erhöhte mems-vorrichtung in einem mikrofon mit eindringschutz |
DE112018005833T5 (de) | 2017-11-14 | 2020-07-30 | Knowles Electronics, Llc | Sensorpaket mit eindringschutz |
DE112019001416T5 (de) | 2018-03-21 | 2021-02-04 | Knowles Electronics, Llc | Dielektrischer kamm für mems-vorrichtung |
CN112020865B (zh) | 2018-04-26 | 2022-06-17 | 美商楼氏电子有限公司 | 具有透声隔膜的声学组件 |
US10805702B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-10-13 | Knowles Electronics, Llc | Systems and methods for reducing noise in microphones |
CN112335263B (zh) | 2018-06-19 | 2022-03-18 | 美商楼氏电子有限公司 | 集成电路、麦克风组件和传感器系统 |
US11095990B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-08-17 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with reduced noise |
DE112019004970T5 (de) | 2018-10-05 | 2021-06-24 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofonvorrichtung mit Eindringschutz |
CN112789239A (zh) | 2018-10-05 | 2021-05-11 | 美商楼氏电子有限公司 | 形成包括褶皱的mems振膜的方法 |
DE112019005007T5 (de) | 2018-10-05 | 2021-07-15 | Knowles Electronics, Llc | Akustikwandler mit einer Niederdruckzone und Membranen, die eine erhöhte Nachgiebigkeit aufweisen |
WO2020076846A1 (en) | 2018-10-09 | 2020-04-16 | Knowles Electronics, Llc | Digital transducer interface scrambling |
WO2020123550A2 (en) | 2018-12-11 | 2020-06-18 | Knowles Electronics, Llc | Multi-rate integrated circuit connectable to a sensor |
US11598821B2 (en) | 2019-01-22 | 2023-03-07 | Knowles Electronics, Llc. | Leakage current detection from bias voltage supply of microphone assembly |
US11197104B2 (en) | 2019-01-25 | 2021-12-07 | Knowles Electronics, Llc | MEMS transducer including free plate diaphragm with spring members |
CN113383557B (zh) | 2019-02-01 | 2024-04-30 | 美商楼氏电子有限公司 | 具有后腔容积通风孔的麦克风组件 |
EP3694222B1 (en) | 2019-02-06 | 2024-05-15 | Knowles Electronics, LLC | Sensor arrangement and method |
US11778390B2 (en) | 2019-11-07 | 2023-10-03 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone assembly having a direct current bias circuit |
DE102020133179A1 (de) | 2019-12-23 | 2021-06-24 | Knowles Electronics, Llc | Mikrofonanordnung, die eine gleichstromvorspannungsschaltung mit tiefer grabenisolation aufweist |
US11787690B1 (en) | 2020-04-03 | 2023-10-17 | Knowles Electronics, Llc. | MEMS assembly substrates including a bond layer |
US11240600B1 (en) | 2020-11-12 | 2022-02-01 | Knowles Electronics, Llc | Sensor assembly and electrical circuit therefor |
US11671775B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-06-06 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor |
US11743666B2 (en) | 2020-12-30 | 2023-08-29 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone assembly with transducer sensitivity drift compensation and electrical circuit therefor |
US11916575B2 (en) | 2020-12-31 | 2024-02-27 | Knowleselectronics, Llc. | Digital microphone assembly with improved mismatch shaping |
US11909387B2 (en) | 2021-03-17 | 2024-02-20 | Knowles Electronics, Llc. | Microphone with slew rate controlled buffer |
US11897762B2 (en) | 2021-03-27 | 2024-02-13 | Knowles Electronics, Llc. | Digital microphone with over-voltage protection |
US11528546B2 (en) | 2021-04-05 | 2022-12-13 | Knowles Electronics, Llc | Sealed vacuum MEMS die |
US11540048B2 (en) | 2021-04-16 | 2022-12-27 | Knowles Electronics, Llc | Reduced noise MEMS device with force feedback |
US11649161B2 (en) | 2021-07-26 | 2023-05-16 | Knowles Electronics, Llc | Diaphragm assembly with non-uniform pillar distribution |
US11772961B2 (en) | 2021-08-26 | 2023-10-03 | Knowles Electronics, Llc | MEMS device with perimeter barometric relief pierce |
US11780726B2 (en) | 2021-11-03 | 2023-10-10 | Knowles Electronics, Llc | Dual-diaphragm assembly having center constraint |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
EP0443861B2 (en) * | 1990-02-23 | 2008-05-28 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic electroluminescence device |
US5408109A (en) * | 1991-02-27 | 1995-04-18 | The Regents Of The University Of California | Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers |
JP3110095B2 (ja) | 1991-09-20 | 2000-11-20 | 富士通株式会社 | 測距方法及び測距装置 |
US5295522A (en) | 1992-09-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Gas purge system for isolation enclosure for contamination sensitive items |
JP3420399B2 (ja) * | 1995-07-28 | 2003-06-23 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
JP3124722B2 (ja) | 1995-07-31 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | カラーフィルタの製造方法及び製造装置及びカラーフィルタの区画された領域間の混色の低減方法及びカラーフィルタの区画された領域へのインク付与位置の精度向上方法及びカラーフィルタの区画された領域の着色ムラ低減方法 |
EP0903965B1 (en) * | 1996-05-15 | 2003-07-30 | Chemipro Kasei Kaisha, Limited | Multicolor organic el element, method for manufacturing the same, and display using the same |
US6224312B1 (en) * | 1996-11-18 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Optimal trajectory robot motion |
JP3899566B2 (ja) | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6843937B1 (en) | 1997-07-16 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element |
JP3861400B2 (ja) * | 1997-09-01 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電界発光素子およびその製造方法 |
WO1999021233A1 (en) | 1997-10-17 | 1999-04-29 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
JP3206646B2 (ja) | 1998-01-22 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 多色発光有機elパネルおよびその製造方法 |
US6087196A (en) * | 1998-01-30 | 2000-07-11 | The Trustees Of Princeton University | Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing |
JP3328297B2 (ja) | 1998-03-17 | 2002-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
GB9808806D0 (en) | 1998-04-24 | 1998-06-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Selective deposition of polymer films |
WO2000012226A1 (en) | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fed Corporation | Full color organic light emitting diode display and method for making the same using inkjet fabrication |
US6566153B1 (en) * | 1998-10-14 | 2003-05-20 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
US6048573A (en) * | 1998-11-13 | 2000-04-11 | Eastman Kodak Company | Method of making an organic light-emitting device |
US6189238B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-02-20 | Lucent Technologies Inc. | Portable purge system for transporting materials |
US6066357A (en) * | 1998-12-21 | 2000-05-23 | Eastman Kodak Company | Methods of making a full-color organic light-emitting display |
TW468269B (en) | 1999-01-28 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same |
GB2347013A (en) | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
TW512543B (en) * | 1999-06-28 | 2002-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
US6230895B1 (en) | 1999-08-20 | 2001-05-15 | David P. Laube | Container for transporting refurbished semiconductor processing equipment |
US6821645B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex |
US6633121B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
US6670645B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-12-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
KR100884039B1 (ko) | 2000-08-11 | 2009-02-19 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 유기 금속 화합물 및 방사-이동 유기 전기인광 |
JP4154139B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
JP4154140B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物 |
IL154960A0 (en) | 2000-10-10 | 2003-10-31 | Du Pont | Polymers having attached luminescent metal complexes and devices made with sych polymers |
US6693187B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-02-17 | Lievre Cornu Llc | Phosphinoamidite carboxlates and analogs thereof in the synthesis of oligonucleotides having reduced internucleotide charge |
US6987282B2 (en) * | 2000-12-22 | 2006-01-17 | D-Wave Systems, Inc. | Quantum bit with a multi-terminal junction and loop with a phase shift |
US6575600B2 (en) | 2000-12-22 | 2003-06-10 | Umax Data Systems, Inc. | Optic reflection device |
WO2002063701A1 (en) * | 2001-01-03 | 2002-08-15 | Dow Global Technologies Inc. | Electroluminescent device having anode array and reflective cathode focusing feature |
US6888307B2 (en) | 2001-08-21 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Patterned oxygen and moisture absorber for organic optoelectronic device structures |
US6878470B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-04-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Visible image receiving material, conductive pattern material and organic electroluminescence element, using member having surface hydrophilicity |
US6939660B2 (en) * | 2002-08-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer |
US7098060B2 (en) * | 2002-09-06 | 2006-08-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for producing full-color organic electroluminescent devices |
US6876144B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-04-05 | Kuan-Chang Peng | Organic electroluminescent device having host material layer intermixed with luminescent material |
GB2395356A (en) * | 2002-11-09 | 2004-05-19 | Sharp Kk | Organic light-emitting device |
US6891326B2 (en) | 2002-11-15 | 2005-05-10 | Universal Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
JP4197259B2 (ja) | 2003-02-10 | 2008-12-17 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機el表示装置の製造方法及び蒸着マスク |
US6737800B1 (en) | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
JP2004355913A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US20050100657A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-12 | Macpherson Charles D. | Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same |
US7067841B2 (en) * | 2004-04-22 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic devices |
-
2004
- 2004-12-30 US US11/026,732 patent/US7268006B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-29 CN CN2005800446187A patent/CN101438382B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 JP JP2007549669A patent/JP5060309B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-29 KR KR1020127019863A patent/KR101300303B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-29 EP EP05855997A patent/EP1836722A4/en not_active Withdrawn
- 2005-12-29 KR KR1020077017316A patent/KR101250117B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-29 WO PCT/US2005/047517 patent/WO2006072022A2/en active Application Filing
- 2005-12-30 TW TW094147813A patent/TWI381566B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-08-03 US US11/833,446 patent/US8007590B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-17 US US11/840,367 patent/US7420205B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI381566B (zh) | 2013-01-01 |
KR20070098891A (ko) | 2007-10-05 |
US8007590B2 (en) | 2011-08-30 |
KR20120101159A (ko) | 2012-09-12 |
US7268006B2 (en) | 2007-09-11 |
WO2006072022A3 (en) | 2009-05-07 |
EP1836722A4 (en) | 2010-09-29 |
US7420205B2 (en) | 2008-09-02 |
US20070278501A1 (en) | 2007-12-06 |
US20060145167A1 (en) | 2006-07-06 |
US20080182009A1 (en) | 2008-07-31 |
KR101300303B1 (ko) | 2013-08-28 |
CN101438382A (zh) | 2009-05-20 |
KR101250117B1 (ko) | 2013-04-03 |
EP1836722A2 (en) | 2007-09-26 |
CN101438382B (zh) | 2011-07-13 |
WO2006072022A2 (en) | 2006-07-06 |
JP2008533652A (ja) | 2008-08-21 |
TW200638567A (en) | 2006-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120803 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |