KR20120098604A - 복수의 반도체 컴포넌트들을 갖는 포팅된 광전자 모듈 및 광전자 모듈을 형성하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 리세스(102)를 갖는 메인 몸체(100)를 포함하는 광전자 반도체 컴포넌트에 관한 것이다. 상기 컴포넌트는 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 제 2 광전자 엘리먼트(106) 및 표면 구조화 엘리먼트(110)를 포함한다. 상기 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 상기 제 2 광전자 엘리먼트(106)는 충전 컴파운드에 의해 상기 리세스 내에 임베딩된다. 구조화된 표면을 갖는 상기 엘리먼트(110)는 상기 충전 컴파운드의 표면을 구성하여, 상기 표면의 적어도 2개의 돔형 영역들(114, 116, 118)이 형성된다. 본 발명은 추가로 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 광전자 반도체 컴포넌트, 구체적으로 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트가 배열되는 리세스를 포함하는 메인 몸체를 갖는 광전자 반도체 컴포넌트와, 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.
이러한 광전자 반도체 컴포넌트의 일 예는, 복수의 광전자 엘리먼트들, 예를 들어 발광 다이오드들이 격리된 반도체 칩들로서 하우징 내에서 결합되는 모듈이다. 광전자 엘리먼트들은 메인 몸체의 리세스 내에 배열되고, 포팅 컴파운드(potting compound)를 이용하여 포팅된다. 이와 관련하여 하우징 내에 도입되는 다이오드들의 메인 방사 방향들이 서로 경미하게 상이하다는 것은 종종 문제점이다. 큰 각도 범위들의 원거리 장(far field), 특히, 다중-색 LED들의 경우에서 가시적 색 차이들이 존재하며, 그 이유는 상이한 각도들에서 보여지는 경우에 개개의 다이오드들의 광 방출이 상이한 정도들로 눈에 띄기(evident) 때문이다. 예를 들어, 광을 믹싱함으로써 백색 광의 발생을 위해 필요한, 각각의 다이오드에 대해 일정한 광의 양은 모든 각도 범위들로 전달되지 않는다. 이들 색 차이들은 대형 비디오 벽(video wall)들 또는 프로젝터들과 같은 통상적인 애플리케이션들에서 바람직하지 않다.
본 발명은 상술된 영향이 감소될 수 있는 광전자 반도체 컴포넌트를 제공하는 문제점에 기초한다.
이 문제점은 독립청구항 제 1 항 및 제 12 항에서 청구된 바와 같은 광전자 반도체 컴포넌트 및 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법에 의해 해결된다.
광전자 반도체 컴포넌트 및 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 전개들 및 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에서 언급된다.
예시적 실시예들
광전자 반도체 컴포넌트의 다양한 실시예들은 리세스를 갖는 메인 몸체를 포함한다. 이들은 각각 제 1 광전자 엘리먼트, 제 2 광전자 엘리먼트, 및 표면 구조화 엘리먼트를 포함한다. 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트는 충전 컴파운드에 의해 리세스 내에 임베딩된다. 표면의 적어도 2개의 돔형 영역(domed region)들이 형성되도록 표면 구조화 엘리먼트는 충전 컴파운드의 표면을 구성한다.
광전자 반도체 컴포넌트들을 형성하기 위한 방법의 다양한 실시예들은 아래의 단계들을 포함한다:
- 리세스 및 표면 구조화 엘리먼트를 갖는 메인 몸체를 제공하는 단계,
- 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트를 리세스 내에 배열하는 단계, 및
- 충전 컴파운드로 리세스를 충전하는 단계 ? 충전 컴파운드의 표면의 적어도 2개의 돔형 영역들은 표면 구조화 엘리먼트에 의해 형성됨 ?.
다양한 실시예들의 기본 개념은, 발광 다이오드들과 같은 적어도 2개의 광전자 엘리먼트들을 포함하는 광전자 컴포넌트가 제공되는 것이다. 광전자 엘리먼트들은 일반적으로 투명한 충전 재료에 의해 둘러싸인다. 충전 재료는 표면을 갖고, 상기 표면에 걸쳐 광전자 엘리먼트들에 의해 방출되는 방사가 결합해제(decouple)된다. 표면 구조화 엘리먼트들을 제공함으로써, 표면은 각각 돔형인 2개의 영역들로 분할된다. 그에 의해 표면이 형성될 수 있고, 상기 표면은 개개의 광전자 엘리먼트들의 관점으로부터 거의 동일한 구성을 갖는다. 그러므로 개개의 광전자 엘리먼트들은 각각 모든 방향들에서 동등하게 방사한다. 특히, 개선된 색 균질성(homogeneity)은 광전자 반도체 컴포넌트의 큰 각도 범위들에서 달성된다. 이는 특히, 광전자 반도체 컴포넌트가, 광전자 엘리먼트들에 의해 방출되는 방사의 오버레잉(overlaying)으로부터 백색 광을 생성하기 위해 구성되는 경우에 바람직하고, 이때 광전자 엘리먼트들 각각은 상이한 색 스펙트럼을 방출한다. 그에 의해 색 차이들은 비디오 벽들 또는 프로젝터들과 같은 통상적인 애플리케이션들에서 감소될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 표면 구조화 엘리먼트는 리세스로 연장하는 메인 몸체의 돌출부에 의해 형성된다. 상기 돌출부는 리세스 내에 컨스트릭션(constriction)을 형성한다. 리세스가 충전 컴파운드로 충전되는 경우에 충전 컴파운드의 표면의 구조화는, 컨스트릭션에서의 충전 컴파운드의 표면 장력으로 인해 각각 돔형 표면 프로파일을 갖는 2개의 영역들에 형성된다. 따라서 충전 컴파운드의 표면은 돌출부의 프로비전(provision)으로 인해 2개의 영역들로 분할된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 표면 구조화 엘리먼트는 리세스 내에 이어지는(running) 웹(web)에 의해 형성된다. 충전 컴파운드와 웹 재료 사이의 접촉 장력이 웹 상에 형성된다. 그러므로 표면 장력으로 인해 돔형인 표면의 영역들은 양측 측부들 상에 각각 형성한다. 웹은 예를 들어, 표면과 접촉하여, 돔의 얼라인먼트 및 곡률이 웹의 높이에 의해 영향받는다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 표면 구조화 엘리먼트는 리세스 내에서 브릿지-형상이다. 결과적으로 광전자 엘리먼트에 의해 방출되는 방사의 빔 경로는 최소로 영향받는다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 2개의 돔형 영역들은 각각 오목해지는 돔형이다. 큰 솔리드 각도에 걸쳐 오버레이된 스펙트럼들의 특히 양호한 색 충실도(fidelity)는, 이러한 방식으로 영향받는 광전자 엘리먼트들에 의해 방출된 방사의 선(ray)들의 경로에 의해 달성된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트는 각각 방사 소스들로서 설계된다. 비-가시적 범위 및 가시적 광의 범위 양자 모두에서의 스펙트럼들이 이와 관련하여 고려될 수 있다.
광전자 반도체 엘리먼트의 일 실시예에서, 제 1 광전자 엘리먼트는 제 2 광전자 엘리먼트와 상이한 방출 스펙트럼을 갖는다. 전체적으로 광전자 반도체 컴포넌트에 의해 방출된 방사의 상이한 색 스펙트럼들은 광전자 엘리먼트들의 각각의 스펙트럼들을 오버레이함으로써 획득된다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 충전 컴파운드는 포팅 컴파운드이다. 따라서 광전자 반도체 컴포넌트의 특히 단순한 돌출부가 획득될 수 있다. 더욱이, 포팅 이후에 광전자 엘리먼트들은 특정 접촉 면들 없이 충전 컴파운드에 의해 둘러싸인다.
광전자 반도체 컴포넌트의 일 실시예에서, 포팅 컴파운드는 다음 재료들 중 하나를 포함한다:
- 에폭시 수지,
- 아크릴 수지,
- 실리콘, 및
- 실리콘 수지.
이들 재료들은 특히, 가시적 광의 범위에서의 이들의 투명도에 의해서뿐만 아니라 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하는 경우에 단순 가동성(straightforward workability)에 의해서도 구분된다. 상술된 재료들 중 하나 이상에 기초하는 하이브리드 또는 적절한 혼합물(blend)이 또한 포팅 컴파운드로서 적합하다.
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 일 실시예에서, 충전 컴파운드의 표면은 경화된다. 결과적으로 표면 구조화 엘리먼트에 의해 형성된 충전 컴파운드의 표면 구조는 영구적으로 고체화된다.
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 일 실시예에서, 충전 컴파운드는 냉각 또는 유리 전이(glass transition)에 의해 경화된다.
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 일 실시예에서, 충전 컴파운드는 포팅에 의한 실시예로 도입된다.
본 발명의 솔루션의 다양한 예시적 실시예들은 도면들을 참조하여 아래에서 보다 상세히 기술될 것이다. 도면들에서, 참조 문자의 제 1 번호(들)는 참조 문자가 첫 번째로 이용되는 도면을 나타낸다. 동일한 참조 문자들은 모든 도면들에서 동일한 엘리먼트들 또는 동일한 동작을 갖는 엘리먼트들 또는 특성들에 대해 이용된다.
도 1a는 제 1 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 1b는 절단 축 A-A를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 1c는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 1 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 1d는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 2 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 2a는 제 2 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 2b는 절단 축 A-A를 따라 도 2a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 3a는 제 3 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 3b는 절단 축 A-A를 따라 도 3a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 3c는 제 3 예시적 실시예의 설계에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 4a는 제 4 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 4b는 절단 축 A-A를 따라 도 4a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 5는 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 예시적 실시예의 흐름도를 도시한다.
도 1a는 제 1 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 1b는 절단 축 A-A를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 1c는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 1 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 1d는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 2 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 2a는 제 2 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 2b는 절단 축 A-A를 따라 도 2a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 3a는 제 3 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 3b는 절단 축 A-A를 따라 도 3a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 3c는 제 3 예시적 실시예의 설계에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 4a는 제 4 예시적 실시예에 따른 광전자 반도체 컴포넌트의 관점의 개략도를 도시한다.
도 4b는 절단 축 A-A를 따라 도 4a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다.
도 5는 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 예시적 실시예의 흐름도를 도시한다.
도 1a는 광전자 반도체 컴포넌트의 제 1 예시적 실시예의 관점의 개략도를 도시한다. 광전자 반도체 컴포넌트는 메인 몸체(100)를 포함한다. 리세스(102)는 메인 몸체(100) 내에 제공된다. 제 1 광전자 엘리먼트(104), 제 2 광전자 엘리먼트(106), 및 제 3 광전자 엘리먼트(108)는 리세스(102) 내에 배열된다. 메인 몸체(100)는 리세스(102) 내에서 연장하여 상기 리세스(102) 내에 컨스트릭션들을 형성하는 돌출부들(110)을 포함한다. 충전 컴파운드는 리세스(102) 내로 도입되고 제 1 광전자 엘리먼트(104), 제 2 광전자 엘리먼트(106), 및 제 3 광전자 엘리먼트(108)를 임베딩하고 이들을 커버한다.
메인 몸체(100)는 광전자 엘리먼트들을 보호하기 위해 하우징을 갖는, 상기 광전자 엘리먼트들을 위한 지지부에 대응한다. 메인 몸체(100)는 하나의 피스(piece)로 또는 다수의 피스들로 설계될 수 있다. 예를 들어, 메인 몸체(100)는 플라스틱 재료로 지지부 또는 리드프레임을 오버몰딩(overmolding)함으로써 형성된다. 메인 몸체(100)를 위한 재료들은 반도체 제조로부터 알려진 다수의 적합한 재료들로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 광전자 반도체 컴포넌트의 동작 온도를 위한 온도 범위가 고려될 수 있다. 예를 들어, 높은 반사 계수를 갖는 적합한 재료들이 선택될 수 있다. 예를 들어, 광전자 반도체 컴포넌트의 방사 출력이 그에 의해 증가될 수 있다. 이를 위해, 메인 몸체(100)는 예를 들어 리세스(102)가 위치되는 리플렉터를 수용하는 지지부를 포함할 수 있다. 메인 몸체(100) 또는 메인 몸체(100)의 부분들은 주입 몰딩 방법에 의해 형성되는 것으로 고려될 수 있다.
메인 몸체(100)는 임의의 적합한 재료로 제조될 수 있다. 메인 몸체(100)의 흡수부(absorbent part), 예를 들어 블랙 하우징이 리플렉터를 대신하여 고려될 수 있다. 색 균질성에 있어서의 상당한 개선은, 하우징 재료 상에서의 산란(scattering)의 부족으로 인해 보다 확연한 색 불균질성이 발생하는, 흡수부의 경우에서 기술된 어레인지먼트에 의해 획득될 수 있다.
리세스(102)는 메인 몸체(100) 내에 개구부로서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 리세스(102)는 메인 몸체(100)의 형성 동안 가능한 조기에 형성될 수 있거나 또는 메인 몸체(100) 내에 후속적으로 구성될 수 있다. 리세스(102)는 평탄한 내부 면들을 가질 수 있다. 예를 들어, 광전자 반도체 컴포넌트의 보다 양호한 방사 출력을 획득하기 위해 내부 면들이 구조화되는 것이 가능하다. 측 내부 면들이 메인 몸체(100) 내에 수직으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 리세스(102)가 개구부를 향해 확산하는 방식으로 측 내부 면들이 형성되는 것과 같이, 측 내부 면들이 경사지는 것 또한 가능하다. 이에 따라 형성된 디몰딩(demolding) 경사들은 예를 들어, 수직부로부터 리세스(102)의 기저부까지 4˚이상의 각도를 갖는다. 이에 의해 광전자 반도체 컴포넌트의 방사 출력이 또한 개선된다.
제 1 광전자 엘리먼트(104), 제 2 광전자 엘리먼트(106), 및 제 3 광전자 엘리먼트(108)는 각각 개개의 반도체 칩들로서 설계된다. 무기 반도체, 예를 들어, GaAs 반도체 또는 GaN 반도체와 같은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체뿐만 아니라 유기 반도체가 고려될 수 있다. 기판 상에 성장한 에피택시(epitaxy) 층들이 이와 관련하여 반도체들로서 가능하다. 기판은 SiC, 사파이어, Ge, Si, GaAs, GaN 또는 GaP와 같은 재료들을 포함한다. 에피택시 층들은, 예를 들어 가변 범위의 청색 또는 녹색 방출 스펙트럼을 위한 AlInGaN 또는 가변 범위의 적색 방출 스펙트럼을 위한 AlInGaP와 같은 4원(quaternary) 반도체들을 포함한다. 에피택시 층은 또한 5원(quinternary) 반도체들을 포함할 수 있다. 이러한 종류의 반도체는 예를 들어, 적외선 범위의 방사의 방출을 위해 이용될 수 있는 AlGaInAsP이다.
광전자 엘리먼트들은, 리세스(102)의 개구부 영역을 관통하는 법선(a normal)을 따라 이어지는(run) 광학 축에 대해 배열되어서, 광전자 엘리먼트들은 실질적으로 리세스 내의 개구부를 통해 방사를 방출한다. 광전자 엘리먼트들은 광학 센서들뿐만 아니라 1차 방사 소스들일 수 있다. 발광 다이오드들뿐만 아니라 유기 발광 다이오드들 양자 모두가 고려될 수 있다.
돌출부들(110)은 메인 몸체로부터 리세스(102) 내로 돌출한다. 상기 돌출부들(110)은 메인 몸체와 동일한 재료로 이루어질 수 있고 상기 메인 몸체와 하나의 피스로 제조될 수 있다. 리세스(102)의 적어도 전체 내부 기하학적 구조(geometry)의 주입 몰딩 방법이 고려될 수 있다. 툴을 위한 몰드 코어의 적합한 설계가 기하학적 구조로 인해 고려될 수 있다. 메인 몸체 상에 제공될 그리고/또는 상이한 재료로 이루어지는 돌출부가 또한 고려될 수 있다. 돌출부들(110) 각각은 리세스(102)의 각각의 측 내부 면의 전체 깊이에 걸쳐 또는 그 일부분에만 걸쳐 연장할 수 있다. 충전 컴파운드의 표면이 돌출부들에 의해 구조화되는 경우에 상기 돌출부들의 어레인지먼트 및 설계에 관한 임의의 변형이 고려될 수 있다.
돌출부들(110)은 상이한 크기들을 가질 수 있다. 돌출부들(110)에 의해 형성된 리세스(102) 내의 컨스트릭션들은 일부 예시적 실시예들에서 100㎛ 보다 큰 폭들을 갖는다.
광전자 엘리먼트들을 둘러싸기 위해 이용되는 충전 컴파운드는 투명한 재료이다. 투명한 재료는, UV-개시형 또는 광-개시형 양이온적 경화 특성들을 갖는 충전 재료로서 이용될 수 있다. 예를 들어 실리콘 또는 에폭시 수지가 충전 컴파운드로 고려될 수 있다. PMMA와 같은 아크릴 수지들 또는 실리콘 수지들이 또한 이용될 수 있다. 충전 컴파운드는 또한, 광학 엘리먼트들에서 생성된 방사의 확산 방사 결합해제를 허용하기 위해 확산체(diffuser) 재료를 포함할 수 있다. 이를 위해, 충전 컴파운드는 충전 컴파운드에 분포되는 확산체 입자들을 포함할 수 있다. 이들은 광과 같이 자신을 스트라이크하는 방사를 확산적으로 산란시키기(diffusely scatter) 위해 이용된다. 확산체 입자들의 분포는 가능한 균일할 수 있다. 그러나, 적합한 돌출부들 프로세스들에 의해, 충전 컴파운드의 특정 광학적 특성들이 획득되는 방식으로 확산체 입자들의 분포를 선택하는 것이 또한 고려될 수 있다. 충전 컴파운드의 흡수 특성들 및 확산 특성들 양자 모두는 상기 충전 컴파운드 내의 확산체 입자들의 비율에 의해 영향받는다. 충전 컴파운드 내의 확산체 입자들의 비율은, 예를 들어 약 0.15% 내지 약 2.0%이다. 그러나, 상기 확산체 입자들의 비율은 충전 컴파운드의 원하는 광학 특성들에 따라 보다 높게 또는 보다 낮게 선택될 수 있다. 확산체 입자들의 이용은, 예를 들어 본 명세서에 의해 그 개시가 본 명세서에 참조로서 포함된 문서[1]로부터 알려져 있다.
충전 컴파운드는 또한, 요구되는 광전자 반도체 컴포넌트의 광학 특성들에 영향을 미치기 위해 흡수체(absorber) 재료들을 포함할 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트의 제 1 예시적 실시예의 구조는 도 1b를 참조하여 보다 명확해질 것이다. 도 1b는 절단 축 A-A를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다. 제 1 광전자 엘리먼트(104), 제 2 광전자 엘리먼트(106), 및 제 3 광전자 엘리먼트(108)는 메인 몸체(100) 내의 리세스의 바닥부 상에 배열된다. 리세스는 충전 컴파운드(112)로 충전되어, 광전자 엘리먼트들이 임베딩된다. 충전 컴파운드(112)는 리세스의 바닥부에 대향하는 표면을 갖는다. 표면은 제 1 영역(114), 제 2 영역(116), 및 제 3 영역(118) 내로의 돌출부들에 의해 구조화된다. 그에 의해 영역들은 광전자 엘리먼트들 중 각각의 엘리먼트에 대해 광 출구 측 상에 로컬 블랭크 몰드(local blank mold)들을 형성한다.
로컬 블랭크 몰드들은 특히, 충전 컴파운드(112)가 리세스 내로 도입되는 경우에 형성된다. 몰드들은 예를 들어, 액상(liquid phase)의 충전 컴파운드(112)의 표면 장력, 충전 컴파운드와 메인 몸체(100) 사이에 접촉 표면을 형성하는 재료의 자유 표면 에너지, 및 이 접촉 면 상의 경계면 장력(interfacial surface tension)에 의해 좌우된다. 적합한 로컬 블랭크 몰드가 형성되는 방식으로 재료의 적합한 선택 및/또는 프로세싱에 의해 물리적 파라미터들이 조절될 수 있다. 예시한 바와 같이, 표면은 3개의 오목한 영역들 내에 형성될 수 있다. 그러나, 어떠한 다른 방식으로 이들 영역들이 돔형이 되는 것 또한 고려될 수 있다. 예를 들어 표면의 볼록한 돔형이 고려될 수 있다. 영역들이, 제 1 영역(114)은 볼록해지는 돔형이고 제 2 영역(116)은 오목해지는 돔형인, 서로 상이한 로컬 돔들을 표면에 포함하는 것 또한 고려될 수 있다.
도 1c는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 1 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다. 이 절단 축 B-B는 도 1b의 절단 축 A-A와 평행하게 이어지고 오프셋한다.
2개의 돌출부들(110)을 포함하는 메인 몸체(100)가 도시된다. 돌출부들(110)은 메인 몸체(100) 내의 리세스와 동일한 높이를 갖는다. 리세스는 충전 컴파운드(102)로 충전된다. 상기 충전 컴파운드(102)는 돌출부들(110)의 측벽들을 적신다(wet). 충전 컴파운드(102)의 표면은 돌출부들(110)에 의해 제 1 영역(114), 제 2 영역(116), 및 제 3 영역(118)으로 분할된다. 리세스에 접하는 메인 몸체(100)의 내부 벽들 및 돌출부들(110)의 측벽들이 젖음(wetting)으로 인해서뿐만 아니라 충전 컴파운드(102)의 표면 장력으로 인해서, 영역들 각각은 돔 형상을 갖는다. 돔은 도 1b와 관련하여 예시된 바와 같이 결정된다. 이는 도 1b 및 도 1c 양자 모두에서 단지 예로서 재현(reproduce)된다.
도 1d는 절단 축 B-B를 따라 도 1a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트의 제 2 실시예를 관통하는 단면의 개략도를 도시한다. 도 1d의 제 2 실시예는, 돌출부들(110)이 메인 몸체(100) 내의 리세스 보다 낮은 높이를 갖는다는 점에서 도 1c의 제 1 실시예와 상이하다. 예를 들어, 보다 낮은 충전 레벨들이 결과적으로 가능해질 것이다. 돌출부들(110)의 높이에 의해 충전 컴파운드(112)의 표면의 영역들의 형상을 구성하는 것이 가능하다.
충전 컴파운드(112)의 표면의 영역의 형상이, 광전자 엘리먼트들의 어레인지먼트에 관한 돌출부들(110)의 위치에 의해 영향받는 것이 또한 고려될 수 있다. 이는 아래에서 도 2a를 참조하여 더욱 상세히 기술될 것이다.
도 2a는 광전자 반도체 컴포넌트의 제 2 예시적 실시예의 관점의 개략도를 도시한다. 제 2 예시적 실시예는 도 1a 내지 도 1d의 제 1 예시적 실시예와 유사한 구성을 갖는다. 이는 기술된 가능한 설계들 및 변형들에 따라 구성될 수 있다. 제 2 예시적 실시예는, 광전자 엘리먼트들 중 하나와 함께, 여기에서는 제 2 광전자 엘리먼트(106)와 함께 라인 내에 배열되는, 메인 몸체(100) 상에 형성된 돌출부들(200 및 202)이 제공된다는 점에서 본질적으로 구분된다. 결과적으로, 도 1a 내지 도 1d의 제 1 예시적 실시예와 상이한 충전 컴파운드의 표면의 형상이 획득된다. 형상은, 절단 축 A-A를 따라 제 2 예시적 실시예의 단면을 도시하는 도 2b의 도움으로 이루어진다. 돌출부들(200)의 프로비전에 의해 충전 컴파운드(112)의 표면은 제 1 영역(202), 제 2 영역(204), 및 제 3 영역(206)으로 분할된다. 제 2 영역(204)은, 제 1 영역(202) 및 제 3 영역(206)보다 작은 표면 비율을 차지한다. 영역들은 돔형이다. 제 2 영역(204)이 다른 2개의 영역들보다 작은 표면 비율을 차지하기 때문에, 돔의 곡률 반경이 다른 영역들과 상이하다. 충전 컴파운드의 표면의 구조는 돌출부들의 두께 및 배치에 의해 영향받을 수 있다는 것이 명백하다.
도 3a는 광전자 반도체 컴포넌트의 제 3 예시적 실시예의 관점의 개략도를 도시한다. 제 3 예시적 실시예는 도 1a 내지 도 1d의 제 1 예시적 실시예 및 도 2a 및 도 2b의 제 2 예시적 실시예와 유사한 구성을 갖는다. 상기 제 3 예시적 실시예는 제 1 예시적 실시예 및 제 2 예시적 실시예의 기술된 가능한 설계들 및 변형들에 따라 구성될 수 있다. 제 2 예시적 실시예는, 메인 몸체(100) 상에 형성된 제 1 웹(300) 및 메인 몸체 상에 또한 형성된 제 2 웹(302)이 리세스(102)를 통해 연장한다는 점에서 본질적으로 상이하다. 제 1 웹(300)은 제 1 광전자 엘리먼트(104)와 제 2 광전자 엘리먼트(106) 사이에 배열된다. 제 2 웹(302)은 제 2 광전자 엘리먼트(106)와 제 3 광전자 엘리먼트(108) 사이에 배열된다. 결과적으로 리세스(102)는 3개의 영역들로 분할된다. 따라서, 충전 컴파운드의 표면은, 도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 영역(114), 제 2 영역(116), 및 제 3 영역(118)으로 또한 분할된다.
특정 설계가 도 3c를 참조하여 도시된다. 본 실시예가 제 1 웹(300) 및 제 2 웹(302) 대신에 제 3 웹(304) 및 제 4 웹(306)을 포함한다는 점에서 본 실시예는 도 3a 및 도 3b의 실시예와 상이하다. 제 3 웹(304) 및 제 4 웹(306)은 리세스의 측 내부 면들에 접속되지 않지만 리세스의 기저부에 접속되고, 그에 의해 지지된다는 점에서 상기 제 3 웹(304) 및 제 4 웹(306)은 구분된다. 제 3 웹(304) 및 제 4 웹(306)은 리세스(102)의 일부분을 통해 연장한다. 이들은 리세스(102)의 기저부와 적어도 부분적으로 접촉하고 따라서 지지된다. 리세스는, 측 내부 면들과 웹들 사이에 존재하는 갭(gap)으로 인해 광전자의 형성 동안 보다 양호하게 충전 컴파운드로 충전될 수 있다. 표면의 상이한 구조화 및 이와 함께 광전자 반도체 컴포넌트의 상이한 방사 특징들은, 이 어레인지먼트로 인해 획득될 수 있다.
도 4a는 광전자 반도체 컴포넌트의 제 4 예시적 실시예의 관점의 개략도를 도시한다. 제 4 예시적 실시예는 도 1a 내지 도 1d의 제 1 예시적 실시예, 도 2a 및 도 2b의 제 2 예시적 실시예, 및 도 3a 내지 도 3c의 제 3 예시적 실시예와 유사한 구성을 갖는다. 그러나, 상기 제 4 예시적 실시예는 제 1 브릿지(400) 및 제 2 브릿지(402)가 돌출부 또는 웹의 위치에 제공된다는 점에서 상기 제 1 예시적 실시예 내지 제 3 예시적 실시예와 본질적으로 상이하다. 제 1 브릿지(400) 및 제 2 브릿지는 각각의 고정부(fixing)들, 예를 들어 고정부(404)에 의해 메인 몸체(100)에 고정된다(secure). 그러나, 이들은 또한 메인 몸체(100)와 하나의 피스로 구성될 수 있다. 제 1 브릿지(400) 및 제 2 브릿지(402)는 충전 재료의 표면 상에서 이어진다. 이는 명확화를 위해, 절단 축 A-A를 따라 도 4a에 도시된 광전자 반도체 컴포넌트를 관통하는 단면의 개략도를 도시하는 도 4b에서 예시된다.
제 1 브릿지(400) 및 제 2 브릿지(402)는 상이한 재료들로부터 제조될 수 있다. 이들이, 메인 몸체 내에 존재하는 재료들을 포함하는 것이 고려될 수 있다. 하나의 가능한 실시예에서, 브릿지들은, 이론적으로는 광전자 엘리먼트들에 의해 방출되는 방사의 스펙트럼에서 투명한 섬유들을 포함한다. 얇은 유리 섬유들이 바람직하게 이용될 수 있다. 충전 컴파운드의 표면과의 접촉 장력 및 이와 함께 충전 컴파운드의 표면 상의 영역들의 돔은 적합한 재료 선택에 의해 영향받을 수 있다.
도 1a 내지 도 4b의 모든 예시적 실시예들이 3개의 광전자 엘리먼트들과 관련하여 기술되었을지라도, 현재 적어도 2개의 광전자 엘리먼트들이 제공되는 임의의 다른 수의 광전자 엘리먼트들이 계속 고려될 수 있다. 3개의 광전자 엘리먼트들은 예를 들어, 스펙트럼들에 색상들, 즉 적색, 청색, 및 녹색이 존재하는 광전자 반도체 컴포넌트를 허용한다. 백색 오버레이된 스펙트럼을 방사하는 광전자 반도체 컴포넌트를 제공하기 위해, 예를 들어 1차적으로 녹색 스펙트럼으로 방사하는 2개의 광전자 엘리먼트들을 제공함으로써 4개의 광전자 엘리먼트들을 적절하게 제공하는 것이 고려될 수 있다. 이러한 스펙트럼은 태양 방사의 스펙트럼과 매우 유사하다. 방사된 광의 색 온도 및 방사 강도 양자 모두는, 광전자 엘리먼트들의 개수 및 선택에 의해 요구되는 바에 따라 조절될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 예시적 실시예들
도 5는 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 예시적 실시예의 흐름도를 도시한다.
리세스 및 표면 구조화 엘리먼트를 갖는 메인 몸체가 제 1 단계(500)에서 제공된다. 도 1a 내지 도 4b의 예시적 실시예들과 관련하여 기술된 바와 같이, 광전자 엘리먼트들을 보호하기 위해 하우징을 갖는 메인 몸체는 광전자 엘리먼트들을 위한 지지부이다. 리세스는 메인 몸체 내에 제공된다. 상기 리세스는 메인 몸체가 생성되는 경우에 형성될 수 있고, 예를 들어 이때 대응하는 하우징이 지지부 상에 제공되거나, 또는 이때 리세스가 적합한 프로세싱, 예를 들어 에칭 프로세스에 의해 메인 몸체 내에 형성된다. 표면 구조화 엘리먼트는 메인 몸체 상에 제공된다. 상기 표면 구조화 엘리먼트의 기능 및 설계는, 도 1a 내지 도 4b의 예시적 실시예들과 관련하여 기술된 바와 같은 표면 구조화 엘리먼트에 대응한다. 메인 몸체가 생성될 때 또는 이에 후속하여 표면 구조화 엘리먼트가 제공되거나 또는 형성될 수 있다.
제 2 단계(502)에서, 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트는 리세스 내에 배열된다. 제 1 광전자 엘리먼트 및 제 2 광전자 엘리먼트는 각각 개개의 반도체 칩들로서 설계된다. 무기 반도체, 예를 들어, GaAs 반도체와 같은 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 및 유기 반도체 양자 모두가 고려될 수 있다. 이들은 리세스 내에 또는 노출(bare) 반도체 칩들로서 배열될 수 있다. 발광(luminescence) 변환 층이 하나 이상의 반도체 칩(들)의 활성 측에 인가되는 것이 고려될 수 있다. 반도체 칩들에 의해 방출되는 1차 방사 중 일부는 발광 변환 층에서 상이한 파장의 방사로 변환된다. 일반적으로, 이는 매트릭스 재료에 도입된 형광성(fluorescent) 재료 및 방사-투과성(radiation-permeable) 매트릭스 재료를 포함한다. 매트릭스 재료에 도입된 형광성 재료는 반도체 칩들에 의해 방출된 방사의 적어도 일부를 흡수하고 상이한 파장 범위의 방사를 방출한다. 무기 형광성 재료들은 예를 들어, 희토류들로 도핑된 가넷들과 같은 형광성 재료들로서 이용된다. 상이한 형광성 재료들의 혼합물들 또는 페릴렌(perylene)과 같은 유기 형광성 재료들이 또한 이용될 수 있다. 다수의 가능한 형광성 재료들은, 본 명세서에 의해 그 개시가 본 명세서에 참조로서 포함된 문서[2]로부터 알려져 있다. 광전자 엘리먼트들은, 리세스 내의 개구부를 관통하는 법선을 따라 이어지는 광학 축에 대해 배열되어서, 광전자 엘리먼트들은 실질적으로 리세스 내의 개구부를 통해 방사를 방출한다.
제 3 단계(504)에서, 리세스는 충전 컴파운드로 충전된다. 충전 컴파운드는 도 1a 내지 도 4b의 예시적 실시예들과 관련하여 기술된 충전 컴파운드이다. 상기 충전 컴파운드는 일반적으로, 액상(liquid phase)으로 리세스에 도입되는 비정질 고체이다. 광전자 엘리먼트들은 프로세스에서 완전히 커버된다. 충전 컴파운드의 표면은, 표면 구조화 엘리먼트 및 메인 몸체의 접촉 장력 및 충전 컴파운드의 표면 장력으로 인해 2개의 돔형 영역들로 구조화된다. 이 구조, 특히 2개의 돔형 영역들로 구조화된 충전 컴파운드의 표면은, 예를 들어 경화, 냉각 또는 유리 전이에 의해 충전 컴파운드를 고체화함으로써 제 4 단계(506)에서 고정된다(freeze).
최종 결론
광전자 반도체 컴포넌트 및 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법은 기본 개념을 예시하기 위해 일부 예시적 실시예들을 참조하여 기술된다. 예시적 실시예들은 특정 특징 조합들로 제한되지 않는다. 일부 특징들 및 설계들이 단지 특정 예시적 실시예 또는 개별 예시적 실시예들과 관련하여서만 기술될지라도, 이들은 각각 다른 예시적 실시예들로부터의 다른 특징들과 결합될 수 있다. 일반적인 기술적 교시가 계속 달성될 수 있다면, 예시적 실시예들에서 기술된 개별 특징들 또는 특정 설계들은 생략되거나 부가되는 것으로 또한 고려될 수 있다.
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법의 단계들이 특정 순서로 기술될지라도, 본 개시에서 기술된 방법들 중 임의의 방법이 임의의 다른 중요한 순서로 수행될 수 있다는 것은 명백하며, 기술된 기술적 교시의 기본 개념으로부터 벗어남이 없이 제공된 방법 단계들을 배제시키거나 또는 부가하는 것이 또한 가능하다.
문헌
아래의 공보들이 본 명세서에서 인용된다:
[1] DE 102 41 989 및
[2] WO 98/12757 A1.
100 : 메인 몸체
102 : 리세스
104 : 제 1 광전자 엘리먼트
106 : 제 2 광전자 엘리먼트
108 : 제 3 광전자 엘리먼트들
110 : 돌출부들
112 : 충전 컴파운드
114 : 표면의 제 1 영역
116 : 표면의 제 2 영역
118 : 표면의 제 3 영역
200 : 돌출부들
202 : 표면의 제 1 영역
204 : 표면의 제 2 영역
206 : 표면의 제 3 영역
300 : 제 1 웹
302 : 제 2 웹
304 : 제 3 웹
306 : 제 4 웹
400 : 제 1 브릿지
402 : 제 2 브릿지
404 : 고정부
102 : 리세스
104 : 제 1 광전자 엘리먼트
106 : 제 2 광전자 엘리먼트
108 : 제 3 광전자 엘리먼트들
110 : 돌출부들
112 : 충전 컴파운드
114 : 표면의 제 1 영역
116 : 표면의 제 2 영역
118 : 표면의 제 3 영역
200 : 돌출부들
202 : 표면의 제 1 영역
204 : 표면의 제 2 영역
206 : 표면의 제 3 영역
300 : 제 1 웹
302 : 제 2 웹
304 : 제 3 웹
306 : 제 4 웹
400 : 제 1 브릿지
402 : 제 2 브릿지
404 : 고정부
Claims (15)
- 광전자 반도체 컴포넌트로서,
리세스(102)를 갖는 메인 몸체(100),
제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 제 2 광전자 엘리먼트(106),
표면 구조화 엘리먼트(110), 및
상기 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 상기 제 2 광전자 엘리먼트(106)를 상기 리세스 내에 임베딩하는(embedding) 충전 컴파운드(112)
를 포함하고,
상기 표면 구조화 엘리먼트는 상기 충전 컴파운드(112)의 표면을 구성하여, 상기 표면의 적어도 2개의 돔형 영역들(114, 116, 118)이 형성되는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 표면 구조화 엘리먼트는 상기 리세스로 연장하는 상기 메인 몸체(100)의 돌출부(110, 200, 202)에 의해 형성되는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 표면 구조화 엘리먼트는 상기 리세스 내에서 이어지는(running) 웹(300, 302, 304, 306)에 의해 형성되는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 구조화 엘리먼트(400, 402)는 상기 리세스 내에서 브릿지-형상인,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 2개의 돔형 영역들(114, 116, 118)은 각각 오목해지는 돔형인,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 상기 제 2 광전자 엘리먼트(106)는 각각 방사 소스들로서 설계되는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 광전자 엘리먼트(104)는 상기 제 2 광전자 엘리먼트(106)와 상이한 방출 스펙트럼을 갖는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드(112)는 포팅(potting) 컴파운드인,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 8 항에 있어서,
상기 포팅 컴파운드는:
에폭시 수지,
아크릴 수지, 및
실리콘 수지
중 하나를 포함하는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드(112)는 확산 재료를 포함하는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드(112)는 흡수체(absorber) 재료를 포함하는,
광전자 반도체 컴포넌트. - 광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법으로서,
리세스(102) 및 표면 구조화 엘리먼트를 갖는 메인 몸체(100)를 제공하는 단계,
제 1 광전자 엘리먼트(104) 및 제 2 광전자 엘리먼트(106)를 상기 리세스(102) 내에 배열하는 단계, 및
상기 리세스(102)를 충전 컴파운드(112)로 충전하는 단계
를 포함하고,
상기 충전 컴파운드(112)의 표면의 적어도 2개의 돔형 영역들(114, 116, 118)은 상기 표면 구조화 엘리먼트(106)에 의해 형성되는,
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드(112)의 상기 표면을 경화시키는(curing) 단계를 포함하는,
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드는 냉각 또는 유리 전이(glass transition)에 의해 경화되는,
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법. - 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 충전 컴파운드(112)는 포팅에 의해 상기 리세스(102) 내로 도입되는,
광전자 반도체 컴포넌트를 형성하기 위한 방법.
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| US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
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