KR20120081163A - Hybrid relay - Google Patents

Hybrid relay Download PDF

Info

Publication number
KR20120081163A
KR20120081163A KR1020127010259A KR20127010259A KR20120081163A KR 20120081163 A KR20120081163 A KR 20120081163A KR 1020127010259 A KR1020127010259 A KR 1020127010259A KR 20127010259 A KR20127010259 A KR 20127010259A KR 20120081163 A KR20120081163 A KR 20120081163A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
temperature
semiconductor switch
mechanical contact
hybrid relay
Prior art date
Application number
KR1020127010259A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101369032B1 (en
Inventor
야스히로 스미노
기와무 시바타
고지 야마토
히로유키 구도
게이 미우라
스스무 나카노
가츠라 마츠미야
Original Assignee
파나소닉 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 파나소닉 주식회사 filed Critical 파나소닉 주식회사
Publication of KR20120081163A publication Critical patent/KR20120081163A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101369032B1 publication Critical patent/KR101369032B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/002Monitoring or fail-safe circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H9/00Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
    • H01H9/54Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere
    • H01H9/541Contacts shunted by semiconductor devices
    • H01H9/542Contacts shunted by static switch means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/02Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for modifying the operation of the relay
    • H01H2047/025Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for modifying the operation of the relay with taking into account of the thermal influences, e.g. change in resistivity of the coil or being adapted to high temperatures

Abstract

반도체 스위치가 고열이 되는 것을 방지할 수 있는 하이브리드 릴레이를 제공하는 것으로서, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치(12)와, 이 기계식 접점 스위치(12)와 병렬로 접속되는 반도체 스위치(13)를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 기계식 접점 스위치(12)에 의한 제1 급전로와, 반도체 스위치(13)에 의한 제2 급전로를 병렬 접속한 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 전로를 닫는 안전 회로부로서 예를 들면 온도 퓨즈(F1)를 구비하고 있다. In providing a hybrid relay capable of preventing the semiconductor switch from becoming hot, the hybrid relay according to the present invention has a mechanical contact switch 12 in which a contact is opened and closed by a driving unit, and parallel with the mechanical contact switch 12. And a semiconductor feeder 13 connected to the power supply path for supplying the load from the power supply to the load, wherein the first feed path by the mechanical contact switch 12 and the second feed path by the semiconductor switch 13 are connected in parallel. One hybrid relay is provided with, for example, a thermal fuse F1 as a safety circuit part that closes the converter when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.

Description

하이브리드 릴레이{HYBRID RELAY}HYBRID RELAY

본 발명은, 기계식 접점 스위치와 반도체 스위치를 구비한 하이브리드 릴레이에 관한 것이다. The present invention relates to a hybrid relay having a mechanical contact switch and a semiconductor switch.

종래, 조명 기구 등, 인버터 제어를 행하는 인버터 회로를 구비한 부하로의 전력의 공급과 차단을 전환하기 위해서, 기계식 접점 스위치와 반도체 스위치를 병렬로 접속한 구성의 하이브리드 릴레이가 사용된다. 그런데, 인버터 회로를 구비한 부하에는, 교류 전압을 직류 전압으로 변환하기 위해서 대용량의 평활 콘덴서가 부설되어 있고, 교류 전원으로부터 부하로의 전원 투입시에는, 이 평활 콘덴서에 대전류가 흘러들어간다. 이 때문에, 부하로의 돌입 전류가 발생한다. 특히, 전원 전압이 높고, 고부하로 되는 상황 하에서는, 부하에 흘러들어가는 돌입 전류가 커지기 때문에, 부하와 교류 전원의 사이에 접속되는 하이브리드 릴레이에 있어서도, 이 돌입 전류에 의거하는 대전류가 흐르게 된다. Conventionally, in order to switch supply and interruption of electric power to the load provided with the inverter circuit which performs inverter control, such as a lighting fixture, the hybrid relay of the structure which connected the mechanical contact switch and the semiconductor switch in parallel is used. By the way, in the load provided with an inverter circuit, a large capacity smoothing capacitor is provided in order to convert an AC voltage into a DC voltage, and a large current flows into this smoothing capacitor when power is supplied from the AC power supply to the load. For this reason, the inrush current to a load generate | occur | produces. In particular, in a situation where the power supply voltage is high and the load becomes high, the inrush current flowing into the load increases, so that a large current based on this inrush current also flows in the hybrid relay connected between the load and the AC power supply.

이 때문에, 이러한 부하와 접속되는 하이브리드 릴레이에 있어서는, ON시와, 정상 상태에서, 반도체 스위치와 기계식 접점 스위치의 전환이 이루어진다. 우선, 반도체 스위치만을 ON(폐(閉))으로 하고, 돌입 전류를 반도체 스위치에 흐르게 한 후, 부하에 공급되는 전류가 정상 상태로 되었을 때에, 기계식 접점 스위치를 ON(폐)으로 한다(특허문헌1 참조). 이와같이 동작시킴으로써, 하이브리드 릴레이 내의 기계식 접점 스위치에 대전류가 흐르는 것을 억제할 수 있으므로, 접점쌍의 접촉 직전에 있어서의 아크의 발생에 의한 접점 용착을 회피할 수 있다. 이와같이 하여, 하이브리드 릴레이는, 기계식 접점 스위치에 있어서의 접점 용착을 방지하기 위해서 반도체 스위치를 구비한 구조로 되는데, 기계식 접점 스위치를 ON으로 하고, 반도체 스위치를 OFF(개(開))로 하여, 부하로의 전력 공급을 개시한다.For this reason, in the hybrid relay connected to such a load, the semiconductor switch and the mechanical contact switch are switched at the ON state and in the normal state. First, only the semiconductor switch is turned ON (closed), and when the inrush current flows through the semiconductor switch, the mechanical contact switch is turned ON (closed) when the current supplied to the load is in a steady state (Patent Document 1). By operating in this way, it can suppress that a large electric current flows in the mechanical contact switch in a hybrid relay, and can prevent contact welding by generation | occurrence | production of the arc just before contact of a contact pair. In this way, the hybrid relay has a structure provided with a semiconductor switch in order to prevent contact welding in the mechanical contact switch. The mechanical relay switch is turned ON, the semiconductor switch is turned OFF (open), and the load is applied. Start supplying power to the furnace.

일본국 특허공개 평 11-238441호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 11-238441

이와같이 하여 기계식 접점 스위치와 반도체 스위치를 구비한 하이브리드 릴레이는, 특허문헌 1의 하이브리드 릴레이와 같이, 기계식 접점 스위치의 접점 용착을 방지하기 위해서, 전원 공급의 경우는, 반도체 스위치를 먼저 ON으로 하고, 전원 차단의 경우는, 반도체 스위치를 후에 OFF로 한다. 이 때문에, 하이브리드 릴레이의 개폐 동작마다, 반도체 스위치에 돌입 전류가 흐르기 때문에, 기계식 접점 스위치에 비하여, 반도체 스위치의 수명이 짧아져 버린다. 이 반도체 스위치가 수명이 되어 단락된 경우, 반도체 스위치는 상시 통전 상태로 되기 때문에, 반도체 스위치가 고열로 되어, 발화의 원인이 되는 경우가 있다. In this way, in the hybrid relay including the mechanical contact switch and the semiconductor switch, in order to prevent contact welding of the mechanical contact switch like the hybrid relay of Patent Literature 1, in the case of power supply, the semiconductor switch is first turned ON, In the case of disconnection, the semiconductor switch is turned off later. For this reason, since an inrush current flows into a semiconductor switch for every switching operation of a hybrid relay, compared with a mechanical contact switch, the lifetime of a semiconductor switch becomes short. When the semiconductor switch is short-lived due to its life, the semiconductor switch is always in an energized state, and thus the semiconductor switch may become hot and cause fire.

본 발명은, 상기 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 반도체 스위치가 고열이 되는 것을 방지할 수 있는 하이브리드 릴레이를 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the said situation, and an object of this invention is to provide the hybrid relay which can prevent a semiconductor switch from becoming high temperature.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치와, 이 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하로 공급하는 급전로로서, 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 반도체 스위치에 의한 제2 급전로를 병렬 접속한 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 급전 제어를 행하는 안전 회로부를 구비한 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a hybrid relay according to the present invention includes a mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch, and a power supply path for supplying power from a power supply to a load. As a hybrid relay in which the first feed path by a mechanical contact switch and the second feed path by a semiconductor switch are connected in parallel, the hybrid relay includes a safety circuit unit that performs power supply control when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more. It features.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 안전 회로부가, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 단선하는 온도 퓨즈인 것을 포함한다. In addition, the present invention includes the hybrid relay, wherein the safety circuit portion is a thermal fuse that is disconnected when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 온도 퓨즈가, 제2 급전로 상에 설치된 것을 포함한다.In addition, the present invention includes the above-mentioned hybrid relay, wherein a thermal fuse is provided on the second feed path.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 안전 회로부는, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 구동부를 동작시켜서 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치인 것을 포함한다. In addition, the present invention includes the hybrid relay, wherein the safety circuit portion includes a temperature switch that operates the driving portion to close the contact of the mechanical contact switch when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 안전 회로부는, 반도체 스위치의 온도를 검출하는 온도 센서와, 온도 센서로 검출된 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 구동부를 동작시켜서 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 제어부를 구비한 것을 포함한다. In addition, the present invention is the hybrid relay, wherein the safety circuit unit, the temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor switch, and when the temperature of the semiconductor switch detected by the temperature sensor is more than a predetermined temperature, the drive unit is operated to operate the mechanical contact switch. It includes having a control unit for closing the contact.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 상기 기계식 접점 스위치는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치를 구비하고, 전원에서 부하로 공급하는 급전로로서, 제1 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 제2 기계식 접점 스위치와 반도체 스위치를 직렬로 접속한 제2 급전로를, 병렬로 구성한 것을 포함한다. Moreover, this invention is the said hybrid relay, The said mechanical contact switch is equipped with the 1st, 2nd mechanical contact switch which a contact opens and closes by a drive part, As a feed path which supplies from a power supply to a load, A 1st mechanical contact switch It includes the 1st feed path by which and the 2nd feed path which connected the 2nd mechanical contact switch and the semiconductor switch in series are comprised in parallel.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 제1 기계식 접점 스위치의 구동부를 동작시켜서 제1 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치를 설치한 것을 포함한다. Moreover, this invention includes the thing provided with the temperature switch which closes the contact of a 1st mechanical contact switch by operating the drive part of a 1st mechanical contact switch as said hybrid relay when the temperature of a semiconductor switch becomes more than predetermined temperature.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 안전 회로부는, 반도체 스위치의 패키지 볼록부의 상면에 설치된 것을 포함한다. Moreover, this invention includes the thing provided in the upper surface of the package convex part of a semiconductor switch as said hybrid relay.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 안전 회로부는 온도 퓨즈이며, 온도 퓨즈의 리드 단자의 한쪽이 반도체 스위치의 패키지의 중심에 밀착하여 배치된 것을 포함한다. In addition, the present invention includes the hybrid relay, wherein the safety circuit portion is a thermal fuse, and one of the lead terminals of the thermal fuse is disposed in close contact with the center of the package of the semiconductor switch.

또한 본 발명은, 상기 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치가 소정 온도 이상이 되었을 때에 외부에 이상을 통지하는 통지부를 더 구비한 것을 포함한다. The present invention further includes the hybrid relay, further comprising a notification unit that notifies the outside of abnormalities when the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.

상기 안전 회로부를 구비한 구성에서는, 반도체 스위치가 소정 온도 이상의 이상 온도로 되었을 때에는, 급전로가 차단되므로, 반도체 스위치가 더욱 가열되어 소손(燒損), 발화하지 않는다.In the structure provided with the said safety circuit part, when a semiconductor switch becomes abnormal temperature more than predetermined temperature, since a power supply path is interrupted | blocked, a semiconductor switch is further heated and it does not burn out or ignite.

도 1은 본 발명의 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 2(a), (b)는 각각 본 발명의 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이의 변형예의 내부 구성을 도시하는 개략 회로도,
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 도시하는 개략 회로도,
도 4는 본 발명의 실시의 형태 3의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 5(a), (b)는 각각 본 발명의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 6(a), (b)는 각각 본 발명의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이의 변형예의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 7(a), (b)는 각각 본 발명의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이의 다른 변형예의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 8(a), (b)는 각각 본 발명의 실시의 형태 5의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 9는 본 발명의 실시의 형태 6의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 10은 본 발명의 실시의 형태 7의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 11은 본 발명의 실시의 형태 8의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도,
도 12는 본 발명의 실시의 형태 9의 하이브리드 릴레이의 반도체 스위치의 각각에 온도 퓨즈(F1)를 설치한 프린트 배선 기판의 상면도,
도 13은 본 발명의 실시의 형태 9의 하이브리드 릴레이의 주요부를 나타내는 도면으로, (a)는 반도체 스위치와 온도 퓨즈의 정면도, (b)는 측면도이다.
1 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 1 of the present invention;
2 (a) and 2 (b) are schematic circuit diagrams showing the internal structure of a modification of the hybrid relay of Embodiment 1 of the present invention, respectively;
3 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 2 of the present invention;
4 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 3 of the present invention;
5 (a) and 5 (b) are schematic circuit diagrams each showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 4 of the present invention;
6 (a) and 6 (b) are schematic circuit diagrams each illustrating an internal configuration of a modification of the hybrid relay of Embodiment 4 of the present invention;
7 (a) and 7 (b) are schematic circuit diagrams showing the internal structure of another modified example of the hybrid relay of Embodiment 4 of the present invention, respectively;
8 (a) and 8 (b) are schematic circuit diagrams showing the internal structure of the hybrid relay of Embodiment 5 of the present invention, respectively;
9 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 6 of the present invention;
10 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 7 of the present invention;
11 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 8 of the present invention;
12 is a top view of a printed wiring board in which a temperature fuse F1 is provided in each of the semiconductor switches of the hybrid relay of Embodiment 9 of the present invention;
It is a figure which shows the principal part of the hybrid relay of Embodiment 9 of this invention, (a) is a front view of a semiconductor switch and a thermal fuse, (b) is a side view.

본 발명을 실시한 하이브리드 릴레이에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION The hybrid relay which implemented this invention is demonstrated with reference to drawings.

(실시의 형태 1)(Embodiment Mode 1)

도 1은 실시의 형태의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도이다.1 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of an embodiment.

이 하이브리드 릴레이(1)는, 도 1에 도시하는 바와같이, 기계식 접점 스위치(12)에 의한 제1 급전로와, 반도체 스위치(13)에 의한 제2 급전로를 병렬 접속하고, 반도체 스위치(13)의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 급전로를 닫는 안전 회로부로서 온도 퓨즈(F1)를, 이 제2 급전로에 구비한 것을 특징으로 하는 것이다. As shown in FIG. 1, the hybrid relay 1 connects the first feed path by the mechanical contact switch 12 and the second feed path by the semiconductor switch 13 in parallel to each other, and the semiconductor switch 13. The temperature supply F1 is provided in this 2nd power supply path as a safety circuit part which closes a power supply path when the temperature of () becomes more than predetermined temperature.

이 하이브리드 릴레이(1)는, 직렬로 접속된 교류 전원(2) 및 부하(3)의 각각의 일단인 단자(10, 11)에 접속됨으로써, 교류 전원(2) 및 부하(3)와 폐회로를 형성한다. 즉, 교류 전원(2)으로부터 부하(3)로의 전원의 투입 및 차단이, 하이브리드 릴레이(1)의 ON(폐)/OFF(개)에 의해 결정된다. 여기에, 교류 전원(2)은, 예를 들면, 100V의 상용 전원 등으로 되고, 부하(3)는, 예를 들면, 형광등이나 백열구를 포함하는 조명 기구 또는 환풍기 등이다. The hybrid relay 1 is connected to the terminals 10 and 11 which are end portions of each of the AC power supply 2 and the load 3 connected in series, thereby closing the AC power supply 2 and the load 3 and the closed circuit. Form. That is, the supply and interruption of the power supply from the AC power supply 2 to the load 3 are determined by ON (closed) / OFF (opening) of the hybrid relay 1. The AC power supply 2 is, for example, a commercial power supply of 100 V or the like, and the load 3 is, for example, a lighting device or a fan including a fluorescent lamp and an incandescent bulb.

즉, 이 하이브리드 릴레이(1)는, 부하(3)의 일단에 일단이 접속된 교류 전원(2)의 타단과 접속되는 단자(10)와, 부하(3)의 타단에 접속되는 단자(11)와, 단자(10, 11)에 양단이 접속되고, 서로 병렬 접속된 기계식 접점 스위치(12) 및 반도체 스위치(13)와, 신호 처리 회로(15)를 구비한다. 그리고 이 기계식 접점 스위치(12)는 접점부(S1)를 가진다. 또한, 반도체 스위치(13)는, 트라이액(S2)을 가지고, 기계식 접점 스위치(12)와, 단자(10, 11)에 양단이 접속됨으로써 접점부(S1)와 병렬로 접속된다. 그리고 이 신호 처리 회로(15)는, 기계식 접점 스위치(12)와 반도체 스위치(13)의 각각의 ON(폐)/OFF(개) 제어를 행한다. 기계식 접점 스위치(12)는, 접점부(S1)와, 접점부(S1)를 개폐시키는 전자력을 발생하는 자기 코일(L1)에 의해 구성된다. 자기 코일(L1)은, 일단에 전원 전위가 인가됨과 더불어, 타단에 트랜지스터(Tr1)의 드레인이 접속된다. 트랜지스터(Tr1)는, 그 베이스 전극에, 신호 처리 회로(15)로부터의 제어 신호가 입력됨과 더불어, 이미터 전극이 접지된다. 이와같이 하여, 신호 처리 회로(15)와, 이에 접속된 트랜지스터(Tr1)에 의해, 구동부로서, 기계식 접점 스위치(12)의 개폐가 행해진다. That is, the hybrid relay 1 includes a terminal 10 connected to the other end of the AC power supply 2 having one end connected to one end of the load 3, and a terminal 11 connected to the other end of the load 3. And a mechanical contact switch 12, a semiconductor switch 13, and a signal processing circuit 15, both ends of which are connected to the terminals 10, 11 and connected in parallel with each other. And this mechanical contact switch 12 has a contact part S1. In addition, the semiconductor switch 13 has a triac S2 and is connected in parallel with the contact portion S1 by connecting both ends of the mechanical contact switch 12 and the terminals 10, 11. The signal processing circuit 15 performs ON (closed) / OFF (open) control of the mechanical contact switch 12 and the semiconductor switch 13, respectively. The mechanical contact switch 12 is comprised by the contact part S1 and the magnetic coil L1 which produces the electromagnetic force which opens and closes the contact part S1. The magnetic coil L1 is supplied with a power supply potential at one end thereof and connected to the drain of the transistor Tr1 at the other end thereof. In the transistor Tr1, a control signal from the signal processing circuit 15 is input to the base electrode, and the emitter electrode is grounded. In this manner, the signal processing circuit 15 and the transistor Tr1 connected thereto perform the opening and closing of the mechanical contact switch 12 as a driving unit.

반도체 스위치(13)는, 트라이액(S2)과, 포토 트라이액 커플러(14)를 구비하고 있다. 이 트라이액(S2)은, 단자(10)에 온도 퓨즈(F1)를 통하여 전극이 접속됨과 더불어 단자(11)에 다른 한쪽의 전극이 접속된다. 포토 트라이액 커플러(14)는, 제로 크로스형의 포토 트라이액(S3)과, 이 포토 트라이액(S3)에 대하여 광 신호를 조사하는 발광 다이오드(LD)를 가진다. 제로 크로스형의 포토 트라이액(S3)은, 트라이액(S2)의 다른 한쪽의 전극과 게이트 전극의 사이에 접속된다. 그리고 이 발광 다이오드(LD)의 애노드 전극에는, 전원 전위가 인가됨과 더불어, 캐소드 전극에는, 스위칭 소자인 npn형 트랜지스터(Tr2)의 드레인 전극이 접속된다. 또한 이 트랜지스터(Tr2)의 베이스 전극에는, 신호 처리 회로(15)로부터의 제어 신호가 입력됨과 더불어, 이미터 전극은 접지된다. The semiconductor switch 13 includes a triac S2 and a phototriac coupler 14. In this triac S2, an electrode is connected to the terminal 10 via a thermal fuse F1, and the other electrode is connected to the terminal 11. The phototriac coupler 14 has a zero cross phototriac S3 and a light emitting diode LD for irradiating an optical signal to the phototriac S3. The zero cross type photo triac S3 is connected between the other electrode of the triac S2 and the gate electrode. The power supply potential is applied to the anode electrode of the light emitting diode LD, and the drain electrode of the npn type transistor Tr2, which is a switching element, is connected to the cathode electrode. The control signal from the signal processing circuit 15 is input to the base electrode of the transistor Tr2, and the emitter electrode is grounded.

하이브리드 릴레이(1)에 있어서의, 교류 전원(2)으로부터 부하(3)로의 전원 투입 및 차단 각각을 행할 때의 동작을, 이하에 간단히 설명한다. 우선, 교류 전원(2)으로부터 부하(3)로 전원을 투입할 경우는, 신호 처리 회로(15)로부터 제어 신호가 트랜지스터(Tr2)의 베이스 전극에 부여되고, 트랜지스터(Tr2)를 도통 상태(ON)로 한다. 이에 따라, 반도체 스위치(13)에 있어서, 발광 다이오드(LD)로부터의 광 신호가, 포토 트라이액(S3)에 입광하여, 포토 트라이액(S3)이 ON으로 된다. 또한, 포토 트라이액(S3)은, 제로 크로스 기능을 구비하므로, 교류 전원(2)으로부터의 교류 전압이 중심 전압(기준 전압)이 된 것을 검출했을 때에, 포토 트라이액(S3)이 ON으로 된다.The operation at the time of performing each of power supply and interruption from the AC power supply 2 to the load 3 in the hybrid relay 1 will be briefly described below. First, when power is supplied from the AC power supply 2 to the load 3, a control signal is applied from the signal processing circuit 15 to the base electrode of the transistor Tr2, and the transistor Tr2 is turned on (ON). ) Thereby, in the semiconductor switch 13, the optical signal from the light emitting diode LD is incident on the phototriac S3, and the phototriac S3 is turned ON. Moreover, since phototriac S3 has a zero cross function, when it detects that the alternating voltage from the alternating current power supply 2 became the center voltage (reference voltage), phototriac S3 turns ON. .

이 포토 트라이액(S3)의 도통에 의해, 교류 전원(2)으로부터의 교류 전류가, 포토 트라이액(S3)을 통하여 흐르기 때문에, 트라이액(S2)의 게이트 전극에 전류를 공급하여, 포토 트라이액(S3)이 ON으로 된다. 이에 따라, 부하(3)가, 하이브리드 릴레이(1) 내의 반도체 스위치(13)를 통하여, 교류 전원(2)과 전기적으로 접속되므로, 부하(3)에는, 교류 전원(2)에 의한 전원이 투입된다. 이와같이 하여, 반도체 스위치(13) 내의 트라이액(S2)을 ON으로 하고, 교류 전원(2)으로부터의 전원이 부하(3)로 투입된 후, 신호 처리 회로(15)는, 트랜지스터(Tr1)의 베이스 전극에 제어 신호를 부여하여, 트랜지스터(Tr1)를 ON으로 하고, 자기 코일(L1)에 구동 전류를 공급시킨다. 따라서, 자기 코일(L1)의 전자력이 발생하여, 접점부(S1)가 폐(ON) 상태로 된다. The conduction of the phototriac S3 causes the alternating current from the alternating current power source 2 to flow through the phototriac S3, thereby supplying a current to the gate electrode of the triac S2, thereby providing a phototriac. The liquid S3 is turned ON. Thereby, since the load 3 is electrically connected with the AC power supply 2 via the semiconductor switch 13 in the hybrid relay 1, the power supply by the AC power supply 2 is input to the load 3 do. In this way, after the triac S2 in the semiconductor switch 13 is turned ON and the power from the AC power supply 2 is input to the load 3, the signal processing circuit 15 is the base of the transistor Tr1. The control signal is applied to the electrode, the transistor Tr1 is turned ON, and the driving current is supplied to the magnetic coil L1. Therefore, the electromagnetic force of the magnetic coil L1 is generated, and the contact portion S1 is turned on.

그리고, 이 기계식 접점 스위치(12)의 접점부(S1)를 통한 교류 전원(2)에 의한 부하(3)로의 전력 공급이 개시되면, 반도체 스위치(13)에 있어서의 급전로를 차단하기 위해서, 신호 처리 회로(15)는, 트랜지스터(Tr2)를 비도통 상태(OFF)로 하여, 발광 다이오드(LD)로의 전류 공급을 정지한다. 이 때문에, 발광 다이오드(LD)의 발광 동작이 정지하고, 포토 트라이액(S3)으로의 광 신호의 조사가 정지되기 때문에, 포토 트라이액(S3)은, 교류 전원(2)으로부터의 교류 전압이 중심 전압(기준 전압)이 되었을 때에 동작을 정지하여, OFF로 된다. 그리고, 포토 트라이액(S3)이 OFF로 되면, 트라이액(S2)의 게이트 전극으로 전류 공급이 없어지기 때문에, 트라이액(S2)이 비도통 상태로 되어, 반도체 스위치(13)가 OFF로 된다. And when electric power supply to the load 3 by the AC power supply 2 through the contact part S1 of this mechanical contact switch 12 is started, in order to interrupt the power supply path in the semiconductor switch 13, The signal processing circuit 15 puts the transistor Tr2 into the non-conducting state (OFF) and stops supplying the current to the light emitting diode LD. For this reason, since the light emission operation | movement of the light emitting diode LD stops and irradiation of the optical signal to the phototriac S3 is stopped, the phototriac S3 does not have the alternating voltage from the alternating current power supply 2; When the center voltage (reference voltage) is reached, the operation is stopped and turned off. When the phototriac S3 is turned OFF, the current supply is lost to the gate electrode of the triac S2, so that the triac S2 is in a non-conductive state, and the semiconductor switch 13 is turned OFF. .

한편, 교류 전원(2)으로부터 부하(3)에 전원 공급을 차단할 경우는, 신호 처리 회로(15)가 제어 신호를 트랜지스터(Tr2)의 베이스 전극에 부여하고, 트랜지스터(Tr2)를 ON으로 하여, 발광 다이오드(LD)로부터의 광 신호를 포토 트라이액(S3)에 입광시킨다. 이에 따라, 포토 트라이액(S3)을 ON으로 함으로써, 트라이액(S2)을 ON으로 하고, 기계식 접점 스위치(12)를 통한 급전로(제1 급전로) 이외에, 반도체 스위치(13)를 통한 급전로(제2 급전로)를, 하이브리드 릴레이(1) 내에 형성한다. 그리고, 신호 처리 회로(15)는, 트랜지스터(Tr1)를 OFF로 하여, 전자 코일(L1)로의 구동 전류의 공급을 정지하고, 접점부(S1)를 개(OFF) 상태로 한다. 이에 따라, 주요 급전로가 되는, 기계식 접점 스위치(12)를 통한 급전로(제1 급전로)를 차단할 수 있다. 그 후, 신호 처리 회로(15)는, 트랜지스터(Tr2)를 OFF로 하고, 발광 다이오드(LD)로의 전류 공급을 정지함으로써, 포토 트라이액(S3)을 OFF로 한다. 이에 따라, 트라이액(S2)이 OFF가 되므로, 반도체 스위치(13)에 의한 급전로가 차단되어, 교류 전원(2)으로부터 부하(3)로의 전원 공급이 차단된다. On the other hand, when the power supply is interrupted from the AC power supply 2 to the load 3, the signal processing circuit 15 gives a control signal to the base electrode of the transistor Tr2, and turns the transistor Tr2 ON. An optical signal from the light emitting diode LD is incident on the phototriac S3. Accordingly, by turning on the phototriac S3, the triac S2 is turned on, and in addition to the feed passage (first feed passage) through the mechanical contact switch 12, the feed through the semiconductor switch 13 is achieved. A furnace (second feed path) is formed in the hybrid relay 1. Then, the signal processing circuit 15 turns off the transistor Tr1, stops the supply of the drive current to the electromagnetic coil L1, and opens the contact portion S1 in the open (OFF) state. Thereby, the feed path (first feed path) through the mechanical contact switch 12 which becomes a main feed path can be interrupted | blocked. Thereafter, the signal processing circuit 15 turns off the transistor Tr2 and turns off the phototriac S3 by stopping supply of current to the light emitting diode LD. As a result, since the triac S2 is turned off, the feed path by the semiconductor switch 13 is cut off, and the power supply from the AC power supply 2 to the load 3 is cut off.

온도 퓨즈(F1)는, 트라이액(S2)의 이상 온도를 검출하는 온도 검출 소자로서 기능시키기 위해서, 트라이액(S2)의 표면 또는 근방에 고정된다. 이 온도 퓨즈(F1)는, 트라이액(S2)의 온도가 동작 온도 이상의 이상 온도로 되었을 때, 예를 들면, 트라이액(S2)에 돌입 전류 등이 흐르거나, 또는, 트라이액(S2)이 수명에 의해 쇼트했을 때에 단선하여, 트라이액(S2), 및 포토 트라이액(S3)으로의 전류 공급이 차단된다. 이 온도 퓨즈(F1)의 배치에 대해서는 후술하는데, 기계적 부하가 걸리지 않도록 또한, 반도체 스위치(13)에 근접하여 배치된다. 여기서 온도 퓨즈(F1)는 반도체 스위치(13)의 패키지의 볼록부의 상면에, 온도 퓨즈의 리드 단자의 한쪽이 반도체 스위치(13)의 패키지의 중심에 밀착하도록 배치된다.The thermal fuse F1 is fixed to the surface or the vicinity of the triac S2 in order to function as a temperature detection element for detecting the abnormal temperature of the triac S2. When the temperature of the triac S2 reaches an abnormal temperature higher than the operating temperature, the thermal fuse F1 flows in, for example, a rush current or the like, or the triac S2 When short-circuited by life, it disconnects and the supply of electric current to triac S2 and photo triac S3 is interrupted. Although the arrangement | positioning of this thermal fuse F1 is mentioned later, it arrange | positions near the semiconductor switch 13 so that a mechanical load may not be applied. Here, the thermal fuse F1 is disposed on the upper surface of the convex portion of the package of the semiconductor switch 13 such that one of the lead terminals of the thermal fuse closely adheres to the center of the package of the semiconductor switch 13.

이에 따라, 트라이액(S2) 및 포토 트라이액(S3)을 열 파괴로부터 보호할 수 있어, 화재의 발생 등을 막을 수 있다. 여기에서, 온도 퓨즈(F1)로 차단되는 급전로는, 반도체 스위치(13)에 의한 급전로(제2 급전로)만이며, 주접점인 기계식 접점 스위치(12)에 의한 급전로(제1 급전로)에 대해서는, 개폐 가능하기 때문에, 온도 퓨즈가 단선된 후에도, 기계식 접점 스위치(12)의 개폐를 제어함으로써, 부하(3)로의 전원 공급 및 차단을 실행할 수 있다. Thereby, the triac S2 and the photo triac S3 can be protected from thermal breakdown, and the occurrence of a fire and the like can be prevented. Here, the feed path cut off by the thermal fuse F1 is only a feed path (second feed path) by the semiconductor switch 13, and the feed path by the mechanical contact switch 12 as the main contact (first feed path). The furnace can be opened and closed, so that even after the thermal fuse is disconnected, power supply to the load 3 and interruption can be executed by controlling the opening and closing of the mechanical contact switch 12.

또한, 상기 실시의 형태에서는, 트라이액(S2)과 포토 트라이액(S3)의 접속 노드와 단자(10)의 사이에, 온도 퓨즈(F1)를 접속한 구성을 설명했는데, 변형예로서, 도 2(a)와 같이, 트라이액(S2)의 이상 온도를 검출하는 온도 퓨즈(F2)를, 트라이액(S2)의 한쪽의 전극과 단자(10)의 사이에 접속하는 것으로 해도 된다. 또한, 도 2(b)에 도시하는 바와같이, 포토 트라이액(S3)의 한쪽의 전극과 트라이액(S2)의 한쪽의 전극의 사이에, 트라이액(S2)의 이상 온도를 검출하는 온도 퓨즈(F3)를 접속하는 것으로 해도 된다. 또한, 도 1, 도 2(a) 또는, (b)와 같이 구성할 때, 온도 퓨즈(F1, F2)에 의해, 트라이액(S2)뿐만 아니라 포토 트라이액(S3)의 이상 온도도 검출할 수 있도록 배치 위치를 조정해도 된다.Moreover, in the said embodiment, although the structure which connected the temperature fuse F1 between the connection node of the triac S2 and the phototriac S3, and the terminal 10 was demonstrated, as a modification, FIG. Like 2 (a), the temperature fuse F2 for detecting the abnormal temperature of the triac S2 may be connected between one electrode of the triac S2 and the terminal 10. In addition, as shown in Fig. 2 (b), a temperature fuse for detecting an abnormal temperature of the triac S2 between one electrode of the phototriac S3 and one electrode of the triac S2. You may connect (F3). 1, 2 (a) or (b), the temperature fuses F1 and F2 detect not only the triac S2 but also the abnormal temperature of the phototriac S3. You may adjust an arrangement position so that it may be.

(실시의 형태 2) (Embodiment 2)

이어서, 본 발명의 실시의 형태 2에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 도 3은, 실시의 형태 2의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도이다. 또한, 도 1에 도시한 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. Next, Embodiment 2 of this invention is described with reference to drawings. 3 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay according to the second embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part same as the hybrid relay of Embodiment 1 shown in FIG. 1, and the detailed description is abbreviate | omitted.

이 하이브리드 릴레이는, 도 3에 도시하는 바와같이, 도 1에 나타낸 실시의 형태 1의 구성으로부터 온도 퓨즈(F1)를 제외하고, 트랜지스터(Tr1)의 이미터?콜렉터간에 접속한 온도 스위치(S4)를 설치한 구성이다. 따라서, 도 1에 나타낸 실시의 형태 1의 릴레이 스위치와는, 온도 스위치(S4)에 의거하는 동작이 다를뿐이고, 그 외의 구성이나 동작에 대해서는, 도 1의 실시의 형태와 같기 때문에, 그 상세에 대해서는 생략한다. 이하, 온도 스위치(S4)에 의거하는 동작에 대해서 설명한다. As shown in FIG. 3, the hybrid relay has a temperature switch S4 connected between the emitter and the collector of the transistor Tr1 except for the thermal fuse F1 from the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1. It is a configuration installed. Therefore, since the operation based on temperature switch S4 differs only from the relay switch of Embodiment 1 shown in FIG. 1, about another structure and operation | movement, it is the same as that of Embodiment of FIG. Omitted. Hereinafter, the operation based on the temperature switch S4 will be described.

온도 스위치(S4)는, 바이메탈 스위치 등과 같이, 검출한 온도에 반응하여 개폐 동작을 행하는 스위치로 구성되고, 도 1의 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이와 마찬가지로, 반도체 스위치(13)에 있어서의 트라이액(S2)의 온도를 검출하기 위해, 트라이액(S2)의 표면 또는 근방에 고정된다. The temperature switch S4 is constituted by a switch which performs the opening and closing operation in response to the detected temperature, such as a bimetal switch, and the triac in the semiconductor switch 13 similarly to the hybrid relay of the first embodiment of FIG. 1. In order to detect the temperature of (S2), it fixes to the surface or vicinity of triac S2.

트라이액(S2)이 규정 온도 내이면, 온도 스위치(S4)는 OFF(개)의 상태이며, 자기 코일(L1)의 구동 전류의 공급/차단은, 트랜지스터(Tr1)의 ON/OFF에 의해 제어된다. 한편, 트라이액(S2)의 온도가 규정 온도보다도 고온이 되면, 온도 스위치(S4)는 ON(폐)의 상태가 되어, 자기 코일(L1)에 대하여, 강제적으로 구동 전류를 공급한다. 이에 따라, 자기 코일(L1)에 의한 전자력이 발생하고, 기계식 접점 스위치(12)의 접점(S1)이 강제적으로 ON으로 되므로, 이 기계식 접점 스위치(12)에 의한 급전로가 주요 급전로로서 형성되고, 그 결과, 반도체 스위치(13)에 의한 급전로에 흐르는 전류량이 억제된다. 따라서, 반도체 스위치(13)를 구성하는 트라이액(S2) 및 포토 트라이액(S3) 각각에 흐르는 전류량이 저감되기 때문에, 반도체 스위치(13)에 의한 고열의 발생을 방지할 수 있다. When the triac S2 is within the prescribed temperature, the temperature switch S4 is in the OFF (open) state, and supply / disconnection of the drive current of the magnetic coil L1 is controlled by ON / OFF of the transistor Tr1. do. On the other hand, when the temperature of the triac S2 becomes higher than the prescribed temperature, the temperature switch S4 is turned on (closed), and a driving current is forcibly supplied to the magnetic coil L1. As a result, an electromagnetic force generated by the magnetic coil L1 is generated, and the contact S1 of the mechanical contact switch 12 is forcibly turned ON, so that the feed path by the mechanical contact switch 12 is formed as the main feed path. As a result, the amount of current flowing through the power feeding path by the semiconductor switch 13 is suppressed. Therefore, since the amount of current flowing through each of the triac S2 and the phototriac S3 constituting the semiconductor switch 13 is reduced, generation of high heat by the semiconductor switch 13 can be prevented.

또한, 다른 실시의 형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 도 4는, 다른 실시의 형태의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도이다. 또한, 도 1의 실시의 형태와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. In addition, another embodiment will be described with reference to the drawings. 4 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of another embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the same part as embodiment of FIG. 1, and the detailed description is abbreviate | omitted.

(실시의 형태 3)(Embodiment 3)

다음에 본 발명의 실시의 형태 3의 하이브리드 릴레이에 대해서 설명한다. 이 예에서는, 도 4에 도시하는 바와같이, 도 1에 나타낸 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이로부터 온도 퓨즈(F1)를 제외하고, 반도체 스위치(13)의 온도를 측정하는 온도 센서(T1)와, 반도체 스위치(13)의 온도가 이상 온도로 되었을 때에 외부에 통지하는 통지부(16)를 설치한 구성이 된다. 따라서, 도 1의 실시의 형태의 하이브리드 릴레이와 공통되는 구성에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙여 설명을 생략하고, 이하에서는, 온도 센서에 대해서 설명한다. Next, the hybrid relay of Embodiment 3 of the present invention will be described. In this example, as shown in FIG. 4, the temperature sensor T1 which measures the temperature of the semiconductor switch 13 except the temperature fuse F1 from the hybrid relay of Embodiment 1 shown in FIG. 1, It becomes the structure which provided the notification part 16 which notifies outside when the temperature of the semiconductor switch 13 becomes abnormal temperature. Therefore, about the structure common to the hybrid relay of embodiment of FIG. 1, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted and the temperature sensor is demonstrated below.

온도 센서(T1)는, 서미스터 등과 같은 감온 소자에 의해 구성되고, 도 1의 실시의 형태의 하이브리드 릴레이에 있어서의 온도 퓨즈(F1)와 마찬가지로, 반도체 스위치(13)에 있어서의 트라이액(S2)의 온도를 검출하기 위해, 트라이액(S2)의 표면 또는 근방에 고정된다. 그리고, 온도 센서(T1)는, 소정의 측정 타이밍마다, 측정된 반도체 스위치(13)의 온도를, 신호 처리부(15)에 통지한다. The temperature sensor T1 is composed of a thermosensitive element such as a thermistor or the like, and similarly to the temperature fuse F1 in the hybrid relay of the embodiment of FIG. 1, the triac S2 in the semiconductor switch 13 is used. In order to detect the temperature of, it is fixed at or near the surface of the triac S2. And the temperature sensor T1 notifies the signal processing part 15 of the measured temperature of the semiconductor switch 13 every predetermined measurement timing.

신호 처리부(15)에는, 스피커 또는 부저 등의 발음체나, LED(Light Emitting Diode) 또는 액정 모니터 등의 표시 장치에 의해 구성되는 통지부(16)가 접속되어 있어, 반도체 스위치(13)의 이상 발생이 외부로 통지된다. The signal processing unit 15 is connected to a sounding unit such as a speaker or a buzzer, or a notification unit 16 constituted by a display device such as a light emitting diode (LED) or a liquid crystal monitor, so that an abnormality of the semiconductor switch 13 occurs. This is notified outside.

즉, 온도 센서(T1)에 의해 반도체 스위치(13)의 온도를 검출하여, 이상 온도이면, 통지부(16)를 구동하고, 그 이상 발생을 외부에 통지한다. That is, the temperature of the semiconductor switch 13 is detected by the temperature sensor T1, and if the temperature is abnormal, the notification unit 16 is driven to notify the outside of the abnormal occurrence.

신호 처리부(15)는, 이 때, 트랜지스터(Tr1)의 베이스 전극에 제어 신호를 부여하고, 트랜지스터(Tr1)를 ON으로 하여, 기계식 접점 스위치(12)를 폐로 하는 구성으로 해도 된다. 이와같이 하면, 기계식 접점 스위치(12)에 의한 급전로가 주요 급전로로서 강제적으로 형성되어, 반도체 스위치(13)에 의한 급전로에 흐르는 전류량을 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 스위치(13)를 구성하는 트라이액(S2) 및 포토 트라이액(S3) 각각에 흐르는 전류량이 저감되어, 반도체 스위치(13)에 의한 고열의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 통지부(16)에 의한 통지 동작을 실행함으로써, 외부에 대하여, 반도체 스위치(13)가 이상 온도인 취지를 통지할 수 있고, 사용자에게, 반도체 스위치(13)의 수명을 조속하게 알릴 수 있다. At this time, the signal processing unit 15 may be configured to provide a control signal to the base electrode of the transistor Tr1, turn the transistor Tr1 ON, and close the mechanical contact switch 12. In this way, the feed path by the mechanical contact switch 12 is forcibly formed as a main feed path, and the amount of current flowing through the feed path by the semiconductor switch 13 can be suppressed. Therefore, the amount of current flowing through each of the triac S2 and the phototriac S3 constituting the semiconductor switch 13 can be reduced, and generation of high heat by the semiconductor switch 13 can be prevented. In addition, by performing the notification operation by the notification unit 16, the semiconductor switch 13 can be notified to the outside that the temperature is abnormal, and the user can be informed promptly of the life of the semiconductor switch 13. have.

또한 이 경우, 실시의 형태 1의 온도 퓨즈(F1)와 병용해도 된다. 또한 이 때, 온도 센서(T1)에 의해 통지부(16)를 구동하는 온도에 비하여 온도 퓨즈(F1)가 용단하는 온도를 높게 설정해 둠으로써, 조속히 고열 발생을 통지할 수 있다. In this case, you may use together with the thermal fuse F1 of Embodiment 1. FIG. At this time, by setting the temperature of the thermal fuse F1 to be higher than the temperature at which the temperature sensor T1 drives the notification unit 16, it is possible to promptly notify the occurrence of high heat.

(실시의 형태 4)(Fourth Embodiment)

다음에 본 발명의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 도 5는, 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 개략 회로도이다. 또한, 도 1에 나타낸 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이와 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. Next, a hybrid relay of Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 is a schematic circuit diagram showing an internal configuration of a hybrid relay according to the fourth embodiment. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part same as the hybrid relay of Embodiment 1 shown in FIG. 1, and the detailed description is abbreviate | omitted.

본 발명의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이는, 도 5(a)에 도시하는 바와같이, 도 1에 나타낸 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이(1)의 기본적인 구성에, 제2 기계식 접점 스위치(17)를 추가한 것이다. In the hybrid relay of Embodiment 4 of the present invention, as shown in Fig. 5 (a), the second mechanical contact switch 17 has a basic configuration of the hybrid relay 1 of Embodiment 1 shown in Fig. 1. Is added.

즉, 이 실시의 형태는, 부하(3)의 일단에 일단이 접속된 교류 전원(2)의 타단과 접속되는 단자(10)와, 부하(3)의 타단에 접속되는 단자(11)와, 단자(10, 11)에 양단이 접속되는 접점부(S1)를 가지는 제1 기계식 접점 스위치(12)와, 단자(10)와 접점부(S1)의 일단의 접속 노드에 일단이 접속된 접점부(S5)를 가지는 제2 기계식 접점 스위치(17)와, 접점부(S5)의 타단에 한쪽의 전극이 접속되고, 단자(11)에 다른쪽의 전극이 접속된 포토 트라이액(S3)을 가지는 반도체 스위치(13)와, 제1 및 제2 기계식 접점 스위치(12, 17)와 반도체 스위치(13)의 각각의 ON(폐)/OFF(개) 제어를 행하는 신호 처리 회로(15)를 구비한다. 이하, 2개의 기계식 접점 스위치를 가지는 회로에 있어서는, 제1 및 제2 기계식 접점 스위치(12, 17)로 하는데, 제1 기계식 접점 스위치(12)는 상기 실시의 형태에서 이용한 기계식 접점 스위치(12)와 동일하고, 동일 부호를 붙이는 것으로 한다. In other words, this embodiment includes a terminal 10 connected to the other end of the AC power supply 2, one end of which is connected to one end of the load 3, a terminal 11 connected to the other end of the load 3, The first mechanical contact switch 12 having the contact portion S1 connected at both ends to the terminals 10 and 11, and the contact portion whose one end is connected to the connection node at one end of the terminal 10 and the contact portion S1. The second mechanical contact switch 17 having (S5) and a phototriac S3 having one electrode connected to the other end of the contact portion S5 and the other electrode connected to the terminal 11 are provided. The semiconductor switch 13, the signal processing circuit 15 which performs ON / close (open) control of each of the 1st and 2nd mechanical contact switches 12 and 17 and the semiconductor switch 13 is provided. . Hereinafter, in the circuit which has two mechanical contact switches, it is set as the 1st and 2nd mechanical contact switches 12 and 17, The 1st mechanical contact switch 12 is the mechanical contact switch 12 used by the said embodiment. The same reference numerals as those in the drawings are used.

도 5(a)에 도시하는 제1 기계식 접점 스위치(12), 제2 기계식 접점 스위치(17)의 구성은, 도 1에 도시한 기계식 접점 스위치(12)와 동일하다. 또한, 도 5에 있어서의 반도체 스위치(13)의 구성은, 도 1에 있어서의 반도체 스위치(13)와 동일한데, 포토 트라이액(S3)의 한쪽의 전극은, 온도 퓨즈(F1)를 통하여, 제2 기계식 접점 스위치(17)의 접점부(S5)의 타단에 접속되어 있다. The structure of the 1st mechanical contact switch 12 and the 2nd mechanical contact switch 17 shown to FIG. 5 (a) is the same as that of the mechanical contact switch 12 shown in FIG. In addition, although the structure of the semiconductor switch 13 in FIG. 5 is the same as that of the semiconductor switch 13 in FIG. 1, one electrode of the phototriac S3 passes through the temperature fuse F1, The other end of the contact portion S5 of the second mechanical contact switch 17 is connected.

즉, 이 실시의 형태의 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치(12, 17)와, 상기 제2 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치(13)를 구비하고, 교류 전원(2)에서 부하(3)에 공급하는 급전로로서, 제1 기계식 접점 스위치(12)에 의한 제1 급전로와, 제2 기계식 접점 스위치(17)와 반도체 스위치(13)를 직렬로 구성한 제2 급전로를, 병렬로 구비한 하이브리드 릴레이이며, 반도체 스위치(13)의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는 단선하는 온도 퓨즈(F1)가, 제2 급전로 상에 설치되어 있다. 온도 퓨즈(F1)의 작용, 효과는, 도 1에 도시한 본 발명의 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이와 동일하다. That is, the hybrid relay of this embodiment includes the first and second mechanical contact switches 12 and 17 whose contacts are opened and closed by the drive unit, and the semiconductor switch 13 connected in parallel with the second mechanical contact switch. And a feed path supplied from the AC power supply 2 to the load 3, the first feed path by the first mechanical contact switch 12, the second mechanical contact switch 17, and the semiconductor switch 13. Is a hybrid relay provided in parallel with a second feed path configured in series, and a thermal fuse F1 that is disconnected when the temperature of the semiconductor switch 13 reaches a predetermined temperature or more is provided on the second feed path. . The action and effect of the thermal fuse F1 are the same as those of the hybrid relay of Embodiment 1 of the present invention shown in FIG. 1.

도 5(b)에 도시하는 하이브리드 릴레이는, 도 5(a)에 도시한 하이브리드 릴레이의 변형예로, 제1 기계식 접점 스위치(12), 제2 기계식 접점 스위치(17), 반도체 스위치(13)의 구성이 상이하다. The hybrid relay shown in FIG. 5 (b) is a modification of the hybrid relay shown in FIG. 5 (a), and includes the first mechanical contact switch 12, the second mechanical contact switch 17, and the semiconductor switch 13. The configuration of is different.

즉, 제1 기계식 접점 스위치(12)는, 래칭형의 기계식 접점 스위치로, 접점부(S1)를 ON(폐)으로 전환하기 위한 전자력을 발생하는 자기 코일(L3)과, 접점부(S1)를 OFF(개)로 전환하기 위한 전자력을 발생하는 자기 코일(L4)을 구비한다. 자기 코일(L3)의 일단은, 역류 방지용 다이오드(D1)를 통하여 신호 처리 회로(15)에 접속되고, 타단은 접지되어 있다. 한편, 자기 코일(L4)의 일단은, 역류 방지용 다이오드(D3)를 통하여 신호 처리 회로(15)에 접속되고, 타단은 접지되어 있다. 자기 코일(L3)에 병렬로 접속된 다이오드(D2), 자기 코일(L4)에 병렬로 접속된 다이오드(D4)는, 바이패스용의 다이오드이다. That is, the first mechanical contact switch 12 is a latching mechanical contact switch, which includes a magnetic coil L3 for generating an electromagnetic force for switching the contact portion S1 to ON (closed), and a contact portion S1. Is provided with a magnetic coil L4 for generating an electromagnetic force for turning OFF. One end of the magnetic coil L3 is connected to the signal processing circuit 15 via the backflow prevention diode D1, and the other end is grounded. On the other hand, one end of the magnetic coil L4 is connected to the signal processing circuit 15 via the backflow prevention diode D3, and the other end is grounded. The diode D2 connected in parallel to the magnetic coil L3 and the diode D4 connected in parallel to the magnetic coil L4 are diodes for bypass.

한편, 제2 기계식 접점 스위치(17)는, 자기 코일(L5)을 구비한다. 자기 코일(L5)의 일단은, 역류 방지용의 다이오드(D5)를 통하여 신호 처리 회로(16)에 접속되고, 타단은 접지되어 있다. 자기 코일(L5)에 병렬로 접속된 다이오드(D6)는, 바이패스용의 다이오드이다. On the other hand, the second mechanical contact switch 17 includes a magnetic coil L5. One end of the magnetic coil L5 is connected to the signal processing circuit 16 via the diode D5 for preventing backflow, and the other end is grounded. The diode D6 connected in parallel to the magnetic coil L5 is a diode for bypass.

반도체 스위치(13)는, 트라이액(S2)과, 트라이액(S2)의 한쪽의 전극과 게이트 전극의 사이에 병렬로 접속된 저항(R1) 및 콘덴서(C1)와, 트라이액(S2)의 다른 한쪽의 전극에 일단이 접속된 저항(R2)과, 저항(R2)의 타단에 한쪽의 전극이 접속된 포토 트라이액(S3)을 구비한 포토 트라이액 커플러(14)에 의해 구성된다. 포토 트라이액 커플러(14)는, 저항(R3)을 통하여, 신호 처리 회로(15)에 접속된 발광 다이오드(LD)를 더 구비하고, 포토 트라이액(S3)에, 발광 다이오드(LD)로부터의 광 신호가 입광되는 구조이다. 또한, 포토 트라이액(S3)은, 제로 크로스 기능을 구비한 반도체 스위칭 소자이며, 발광 다이오드(LD)로부터의 광 신호가 입광되었을 때, 한쪽의 전극측에 교류 전원(2)에 의한 교류 전압의 중심 전압(기준 전압)을 검출하여 비로소 도통(ON)한다. The semiconductor switch 13 includes a resistor R1 and a capacitor C1 connected in parallel between the triac S2, one electrode of the triac S2, and the gate electrode, and the triac S2. It consists of the phototriac coupler 14 provided with the resistor R2 whose one end was connected to the other electrode, and the phototriac S3 which one electrode was connected to the other end of the resistor R2. The phototriac coupler 14 further includes a light emitting diode LD connected to the signal processing circuit 15 through the resistor R3, and the phototriac coupler 14 is connected to the phototriac S3 from the light emitting diode LD. It is a structure in which an optical signal is incident. In addition, the phototriac S3 is a semiconductor switching element having a zero cross function, and when an optical signal from the light emitting diode LD is received, the phototriac S3 is connected to the one electrode side by the AC power supply 2. The center voltage (reference voltage) is detected and then turned on.

온도 퓨즈(F1)는, 포토 트라이액(S3)의 온도 검출 소자로서 기능시키기 위해서, 포토 트라이액(S3)의 표면 또는 근방에 고정되어 있다. 또한 실시의 형태 9에서 후술하는 바와같이, 포토 트라이액(S3)의 패키지의 볼록부의 상면에 온도 퓨즈(F1)의 본체부가 설치되도록 함으로써, 보다 효율적으로 기능한다. The temperature fuse F1 is fixed to the surface or vicinity of the phototriac S3 in order to function as a temperature detection element of the phototriac S3. In addition, as described later in Embodiment 9, the main body portion of the thermal fuse F1 is provided on the upper surface of the convex portion of the package of the phototriac S3 to function more efficiently.

또한, 본 실시의 형태에 있어서, 도 5(a)에 나타낸 바와같이, 반도체 스위치(13)의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는 단선하는 온도 퓨즈(F1)가, 제2 급전로 상에서 제2 기계식 접점 스위치(17)와 반도체 스위치(13)의 사이에 설치되어 있는데, 이 위치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 6(a)에 도시하는 바와같이, 이 온도 퓨즈(F1)가, 제2 급전로와 제1 급전로의 접속 노드에 가까운 측에서, 제2 급전로 상에 설치되어 있어도 된다. 또한, 도 6(b)에 도시하는 바와같이, 이 온도 퓨즈(F1)가, 교류 전원(2)과 제1 기계식 접점 스위치(12)의 사이 즉, 제1 급전로 상에 설치되어 있어도 된다. In addition, in this embodiment, as shown in FIG.5 (a), when the temperature of the semiconductor switch 13 becomes more than predetermined temperature, the thermal fuse F1 which disconnects is a 2nd mechanical type on a 2nd feed path. Although provided between the contact switch 17 and the semiconductor switch 13, it is not limited to this position. For example, as shown to Fig.6 (a), this thermal fuse F1 may be provided on the 2nd feed path from the side near the connection node of a 2nd feed path and a 1st feed path. . As shown in FIG. 6B, the thermal fuse F1 may be provided between the AC power supply 2 and the first mechanical contact switch 12, that is, on the first feed path.

또한, 도 5(b)에 도시한 바와같이, 제1 기계식 접점 스위치(12)를 래칭형의 기계식 접점 스위치로 하고, 제2 기계식 접점 스위치(17)를 자기 코일(L5)을 추가한 것으로 구성한 경우에도 마찬가지로 온도 퓨즈(F1)의 위치를 바꾸는 것도 가능하다. 예를 들면, 도 7(a)에 도시하는 바와같이, 이 온도 퓨즈(F1)가, 제2 급전로와 제1 급전로의 접속 노드에 가까운 측이며, 제2 급전로 상에 설치되어 있어도 된다. 또한, 도 7(b)에 도시하는 바와같이, 이 온도 퓨즈(F1)가, 교류 전원(2)과 제1 기계식 접점 스위치(12)의 사이 즉, 제1 급전로 상에 설치되어 있어도 된다. In addition, as shown in Fig. 5B, the first mechanical contact switch 12 is a latching mechanical contact switch, and the second mechanical contact switch 17 is configured by adding a magnetic coil L5. Similarly, the position of the thermal fuse F1 can be changed. For example, as shown to Fig.7 (a), this thermal fuse F1 is a side near the connection node of a 2nd feed path and a 1st feed path, and may be provided on the 2nd feed path. . As shown in FIG. 7B, the thermal fuse F1 may be provided between the AC power supply 2 and the first mechanical contact switch 12, that is, on the first feed path.

(실시의 형태 5)(Embodiment 5)

다음에 본 발명의 실시의 형태 5의 하이브리드 릴레이에 대해서 설명한다. 도 8(a), 도 8(b)에 도시한 하이브리드 릴레이는 모두, 도 5(a)에 나타낸 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이의 변형예이다. 도 8(a)에서는, 트라이액(S2)의 이상 온도를 검출하는 온도 퓨즈(F2)를, 트라이액(S2)의 한쪽의 전극과, 제2 기계식 접점 스위치(17)의 사이에 설치하고 있다. 또한, 도 8(b)에서는, 온도 퓨즈(F3)를, 포토 트라이액(S3)의 한쪽의 전극과, 제2 기계식 접점 스위치(17)의 사이에 설치하고 있다. 이와 같이 해도, 도 5(a)에 나타내는 실시의 형태의 하이브리드 릴레이와 동일한 효과를 얻을 수 있다. Next, the hybrid relay of Embodiment 5 of the present invention will be described. The hybrid relays shown in Figs. 8A and 8B are both modifications of the hybrid relay of the fourth embodiment shown in Fig. 5A. In FIG. 8A, a thermal fuse F2 for detecting an abnormal temperature of the triac S2 is provided between one electrode of the triac S2 and the second mechanical contact switch 17. . In FIG. 8B, the thermal fuse F3 is provided between one electrode of the phototriac S3 and the second mechanical contact switch 17. Even in this way, the same effects as in the hybrid relay of the embodiment shown in Fig. 5A can be obtained.

(실시의 형태 6)(Embodiment 6)

다음에 본 발명의 실시의 형태 6의 하이브리드 릴레이에 대해서 설명한다. 도 9는 실시의 형태 6의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 도면이다. 이 예에서는, 도 5(a)에 나타낸 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이로부터 온도 퓨즈(F1)를 제거하고, 트랜지스터(Tr1)의 이미터?콜렉터간에 접속한 온도 스위치(S4)를 설치한 구성이 된다. 온도 스위치(S4)의 작용, 효과는, 도 3에 나타낸 실시의 형태 2와 동일하다. Next, the hybrid relay of Embodiment 6 of the present invention will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating an internal configuration of a hybrid relay of Embodiment 6. FIG. In this example, the configuration in which the temperature fuse F1 is removed from the hybrid relay of the fourth embodiment shown in FIG. 5A and the temperature switch S4 connected between the emitter and collector of the transistor Tr1 is provided do. The function and effect of the temperature switch S4 are the same as that of Embodiment 2 shown in FIG.

(실시의 형태 7)(Seventh Embodiment)

다음에 본 발명의 실시의 형태 7의 하이브리드 릴레이에 대해서 설명한다. 도 10은 실시의 형태 7의 하이브리드 릴레이의 내부 구성을 나타내는 도면이다. 이 예에서는, 도 5(a)의 실시의 형태 4의 하이브리드 릴레이로부터 온도 퓨즈(F1)를 제거하고, 반도체 스위치(13)의 온도를 측정하는 온도 센서(T1)와, 반도체 스위치(13)의 온도가 이상 온도로 되었을 때에 외부에 통지하는 통지부(16)를 설치한 구성이 된다. 온도 센서(T1), 통지부(16)의 작용, 효과는, 도 4에 나타낸 실시의 형태 3의 릴레이 스위치와 동일하다.Next, the hybrid relay of Embodiment 7 of the present invention will be described. 10 is a diagram illustrating an internal configuration of a hybrid relay of the seventh embodiment. In this example, the temperature fuse T1 for removing the temperature fuse F1 from the hybrid relay of the fourth embodiment of FIG. 5A and measuring the temperature of the semiconductor switch 13 and the semiconductor switch 13 It becomes the structure which provided the notification part 16 which notifies externally when temperature becomes abnormal temperature. Actions and effects of the temperature sensor T1 and the notification unit 16 are the same as those of the relay switch of the third embodiment shown in FIG. 4.

(실시의 형태 8)(Embodiment 8)

다음에 본 발명의 실시의 형태 8의 하이브리드 릴레이에 대해서 설명한다. 이상 설명한 실시의 형태에서는, 온도 퓨즈 등의 안전 회로부는 반도체 스위치에 의한 제2 급전로에 설치되어 있는데, 온도 퓨즈 등의 안전 회로부를 기계식 스위치에 의한 제1 급전로에 설치해도 된다. 그 일예를 도 11에 도시한다. 이 예에서는, 실시의 형태 1의 하이브리드 릴레이의 구성에 있어서, 온도 퓨즈(F1)를 제1 급전로 즉, 기계식 스위치에 의한 급전로에 설치하고 있다. 이 구성에 의하면, 기계식 스위치가 오동작에 의해, 발열한 것과 같은 경우에도, 급전로가 차단되어, 안전하게 유지할 수 있다. 단 이 경우는 급전로가 차단되어, 부하로의 전류 공급이 정지해버린다는 문제가 있다. Next, the hybrid relay of Embodiment 8 of the present invention will be described. In the embodiment described above, the safety circuit portion such as the thermal fuse is provided in the second feed path by the semiconductor switch, but the safety circuit portion such as the thermal fuse may be installed in the first feed path by the mechanical switch. An example thereof is shown in FIG. In this example, in the configuration of the hybrid relay of Embodiment 1, the temperature fuse F1 is provided in the first feed path, that is, in the feed path by the mechanical switch. According to this configuration, even when the mechanical switch malfunctions and generates heat, the feed path is cut off and can be safely maintained. However, in this case, there is a problem that the feeder is cut off and the current supply to the load is stopped.

이와 같이, 온도 퓨즈(F1)를 제1 급전로에 설치했는데, 제1 및 제2 급전로의 양쪽에 설치하도록 해도 된다. 이 경우, 온도 퓨즈의 용단 온도를 제1 급전로측의 쪽이 높아지도록 해도 된다. 즉, 안전 제어 온도를 기계식 스위치측에서 반도체 스위치측보다도 높게 함으로써, 기계식 스위치가 소정 온도로 되면, 어떠한 경우나 제1 급전로를 닫고, 부하에의 전류 공급을 차단하도록 해도 된다.Thus, although the thermal fuse F1 was installed in the 1st feed path, you may make it install in both the 1st and 2nd feed paths. In this case, the blowdown temperature of the thermal fuse may be increased on the first feed path side. That is, by setting the safety control temperature higher than the semiconductor switch side on the mechanical switch side, when the mechanical switch reaches a predetermined temperature, the first feed path may be closed in any case to cut off the supply of current to the load.

또한, 이상의, 실시의 형태 1 내지 3 또는 실시의 형태 4 내지 8에 있어서, 온도 퓨즈(F1, F2, F3), 혹은 온도 센서, 온도 스위치를 병용해도 된다. 그 경우, 설정 온도를 바꾸고, 단계적으로 안전 제어를 행할 수 있도록 구성함으로써, 보다 효율적인 안전 제어가 가능해진다. In addition, in above-mentioned Embodiment 1-3 or Embodiment 4-8, you may use together temperature fuse F1, F2, F3, a temperature sensor, and a temperature switch. In that case, more efficient safety control is attained by changing the set temperature so that safety control can be performed in stages.

(실시의 형태 9)(Embodiment 9)

다음에, 본 발명의 실시의 형태 9로서, 이 하이브리드 릴레이의 회로 배치에 대해서 설명한다. Next, as Embodiment 9 of this invention, the circuit arrangement of this hybrid relay is demonstrated.

도 12는 4개의 하이브리드 릴레이의 반도체 스위치의 각각에 온도 퓨즈(F1)를 설치한 프린트 배선 기판(100)의 상면도이다. 도 13(a) 및 (b)는 반도체 스위치와 온도 퓨즈의 정면도 및 측면도이다. 이 예에서는, 반도체 스위치(13)를 구성하는 포토 트라이액(S3)의 패키지(201)의 볼록부(202)의 상면에 온도 퓨즈(F1)의 본체부(301)가 설치되어 있다. 그리고, 온도 퓨즈(F1)의 리드 단자(302, 303)의 한쪽의 리드 단자(302)가 포토 트라이액(S3)의 패키지(201)의 중심에 밀착하여 배치되어 있다. 온도 퓨즈(F1)와 포토 트라이액(S3)의 실장폭(W2)은 온도 퓨즈(F1)의 리드 단자간 거리(W1)로 했을 때, W2>W1이 되도록 리드 단자(302)는 절곡되어 있다. 온도 퓨즈(F1)의 중심의 높이를 H1, 본체부의 높이를 H2로 했다. 12 is a top view of the printed wiring board 100 in which the temperature fuses F1 are provided in each of the semiconductor switches of the four hybrid relays. 13A and 13B are front and side views of a semiconductor switch and a thermal fuse. In this example, the main body portion 301 of the thermal fuse F1 is provided on the upper surface of the convex portion 202 of the package 201 of the phototriac S3 constituting the semiconductor switch 13. One lead terminal 302 of the lead terminals 302 and 303 of the thermal fuse F1 is disposed in close contact with the center of the package 201 of the phototriac S3. The mounting width W 2 of the thermal fuse F1 and the phototriac S3 is the lead terminal 302 such that when the distance W 1 between the lead terminals of the thermal fuse F1 is W 2 > W 1 . Is bent. The height of the center of the thermal fuse F1 was H 1 , and the height of the body part was H 2 .

이 구성에 의하면, 상방으로부터의 응력에 대하여 포토 트라이액(S3)의 패키지(201)의 볼록부(202)에 온도 퓨즈(F1)의 본체부(301)가 맞닿음으로써, 온도 퓨즈(F1)의 위치를 고정할 수 있다. 또한, 이 위치를 확보하고 있으므로, 리드 단자(302, 303)와 다른 부품의 절연 거리를 확보할 수 있어, 부하에 강한 하이브리드 릴레이를 제공하는 것이 가능해진다. According to this structure, the main body part 301 of the thermal fuse F1 abuts against the convex part 202 of the package 201 of the phototriac S3 with respect to the stress from above, so that the thermal fuse F1 The position of can be fixed. Moreover, since this position is ensured, the insulation distance between the lead terminals 302 and 303 and other components can be ensured, and it becomes possible to provide a hybrid relay resistant to the load.

또한 온도 퓨즈(F1)의 리드 단자(302, 303) 중 한쪽을 포토 트라이액(S3)의 패키지(201)의 중심에 밀착하여 배치함으로써, 포토 트라이액(S3)에 의해, 온도 퓨즈(F1)가 쓰러지는 것을 막을 수 있다. 또한, 포토 트라이액(S3)도 온도 퓨즈(F1)측으로 쓰러지는 것을 막을 수 있다. 이와 같이 하여, 온도 퓨즈(F1)와 포토 트라이액(S3)이 서로 지지하게 되어, 기판면에 대한 각도를 유지할 수 있다. 이 결과, 온도 퓨즈(F1)와 포토 트라이액(S3)은 말할 것도 없고, 이들과, 다른 부품과의 절연 거리를 확보하여, 더욱 신뢰성을 높이는 것이 가능해진다. Further, by arranging one of the lead terminals 302, 303 of the thermal fuse F1 in close contact with the center of the package 201 of the phototriac S3, the thermal fuse F1 is formed by the phototriac S3. Can prevent the fall. In addition, the phototriac S3 can also be prevented from falling to the temperature fuse F1 side. In this way, the thermal fuse F1 and the phototriac S3 are supported by each other, so that the angle with respect to the substrate surface can be maintained. As a result, not only the thermal fuse F1 and the phototriac S3 but also the insulation distance between these and other components can be ensured, and further reliability can be improved.

이상 설명한 바와같이, 본 발명의 하이브리드 릴레이는 이하의 구성을 구비하는 것을 포함한다. As described above, the hybrid relay of the present invention includes the following configuration.

본 발명의 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 이 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 반도체 스위치에 의한 제2 급전로를 병렬로 구성한 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 단선하는 온도 퓨즈를, 제2 급전로 상에 설치한 것을 특징으로 한다. The hybrid relay of the present invention includes a mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch, and is a feed path supplied from a power supply to a load. A hybrid relay comprising a first feed path and a second feed path by a semiconductor switch in parallel, wherein a temperature fuse that is disconnected when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more is provided on the second feed path. do.

또한, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 반도체 스위치에 의한 제2 급전로를 병렬로 구성한 하이브리드 릴레이로서, 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 구동부를 동작시켜 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치를 설치한 것을 특징으로 한다. In addition, the hybrid relay according to the present invention includes a mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch. A hybrid relay comprising a first feed path by a switch and a second feed path by a semiconductor switch in parallel, wherein a temperature switch for operating a driving unit to close a contact of a mechanical contact switch when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more Characterized in that installed.

또한 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 반도체 스위치에 의한 제2 급전로를 병렬로 구성한 하이브리드 릴레이로서, 상기 반도체 스위치의 온도를 검출하는 온도 센서와, 상기 온도 센서로 검출된 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 상기 구동부를 동작시켜 상기 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다. In addition, the hybrid relay according to the present invention includes a mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch. A hybrid relay comprising a first feed path by a second feed path and a second feed path by a semiconductor switch, wherein the temperature sensor detects a temperature of the semiconductor switch and the temperature of the semiconductor switch detected by the temperature sensor is predetermined. It is characterized by including the control part which closes the contact of the said mechanical contact switch by operating the said drive part, when it became temperature abnormality.

또한, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 제1 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 제2 기계식 접점 스위치와 상기 반도체 스위치를 직렬로 구성한 제2 급전로를, 병렬로 구비한 하이브리드 릴레이로서, 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는 단선하는 온도 퓨즈를, 상기 제2 급전로 상에 설치한 것을 특징으로 한다. In addition, the hybrid relay according to the present invention includes a first and a second mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch, and a power supply path supplied from the power supply to the load. A hybrid relay comprising a first feed path by the first mechanical contact switch and a second feed path in which the second mechanical contact switch and the semiconductor switch are configured in series, wherein the temperature of the semiconductor switch is When the temperature reaches a predetermined temperature or more, a thermal fuse to be disconnected is provided on the second feed path.

또한, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 제1 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 제2 기계식 접점 스위치와 상기 반도체 스위치를 직렬로 접속한 제2 급전로를, 병렬로 구성한 하이브리드 릴레이로서, 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 상기 제1 기계식 접점 스위치의 구동부를 동작시켜 상기 제1 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치를 설치한 것을 특징으로 한다. In addition, the hybrid relay according to the present invention includes a first and a second mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch, and a power supply path supplied from the power supply to the load. As a hybrid relay in which a first feed path by the first mechanical contact switch and a second feed path in which the second mechanical contact switch and the semiconductor switch are connected in series are configured in parallel, the temperature of the semiconductor switch is increased. It is characterized by providing the temperature switch which closes the contact of the said 1st mechanical contact switch by operating the drive part of the said 1st mechanical contact switch when it becomes more than predetermined temperature.

또한, 본 발명에 의한 하이브리드 릴레이는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치와, 상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고, 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 제1 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 제2 기계식 접점 스위치와 상기 반도체 스위치를 직렬로 접속한 제2 급전로를 병렬로 구성한 하이브리드 릴레이로서, 상기 반도체 스위치의 온도를 검출하는 온도 센서와, 상기 온도 센서에서 검출된 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 상기 제1 기계식 접점 스위치의 구동부를 동작시켜 상기 제1 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다. In addition, the hybrid relay according to the present invention includes a first and a second mechanical contact switch in which a contact is opened and closed by a driving unit, and a semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch, and a power supply path supplied from the power supply to the load. A hybrid relay comprising a first feed path by the first mechanical contact switch and a second feed path in which the second mechanical contact switch and the semiconductor switch are connected in series to detect a temperature of the semiconductor switch. And a control unit for operating the drive unit of the first mechanical contact switch to close the contact of the first mechanical contact switch when the temperature of the semiconductor switch detected by the temperature sensor is equal to or higher than a predetermined temperature. It features.

상기 안전 회로부로서 온도 퓨즈를 구비한 구성에서는, 반도체 스위치가 소정 온도 이상의 이상 온도로 되었을 때에는, 온도 퓨즈가 단선하여 제2 급전로가 차단되므로, 반도체 스위치가 더욱 가열되어 소손, 발화하지 않는다. In the configuration in which the thermal fuse is provided as the safety circuit portion, when the semiconductor switch reaches an abnormal temperature equal to or higher than a predetermined temperature, the thermal fuse is disconnected and the second feed path is cut off, so that the semiconductor switch is further heated to prevent burnout and ignition.

또한, 상기 안전 회로부로서 온도 스위치를 구비한 구성에서는, 반도체 스위치가 소정 온도 이상의 이상 온도로 되었을 때에는, 온도 스위치에 의해, 제1 급전로를 구성하는 기계식 접점 스위치의 접점이 강제적으로 닫혀지므로, 제2 급전로에 흐르는 전류량이 감소한다. 이 때문에, 반도체 스위치가 더욱 가열되어 소손, 발화하지 않는다. Moreover, in the structure provided with the temperature switch as the said safety circuit part, when the semiconductor switch becomes abnormal temperature more than predetermined temperature, since the contact of the mechanical contact switch which comprises a 1st feed path is forcibly closed by a temperature switch, The amount of current flowing through the two feed paths decreases. For this reason, the semiconductor switch is further heated and does not burn out or ignite.

또한, 상기 안전 회로부로서 온도 센서와, 이 온도 센서에서 검출된 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 제1 급전로를 구성하는 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 제어부를 구비한 구성에서는, 반도체 스위치가 소정 온도 이상의 이상 온도로 되었을 때에는, 제어부가 제1 급전로를 구성하는 기계식 접점 스위치의 접점을 강제적으로 닫으므로, 제2 급전로에 흐르는 전류량이 감소한다. 이 때문에, 반도체 스위치가 더 가열되어 소손, 발화하지 않는다. Moreover, in the structure provided with the temperature sensor as the said safety circuit part, and the control part which closes the contact of the mechanical contact switch which comprises a 1st feed path when the temperature of the semiconductor switch detected by this temperature sensor became more than predetermined temperature, it is a semiconductor. When the switch reaches an abnormal temperature equal to or higher than the predetermined temperature, the control unit forcibly closes the contact of the mechanical contact switch constituting the first feed path, so that the amount of current flowing in the second feed path decreases. For this reason, the semiconductor switch is further heated and does not burn out or ignite.

또한, 통지부를 구비한 구성에서는, 사용자에게, 반도체 스위치의 수명을 통지할 수 있다. Moreover, in the structure provided with the notification part, the user can be notified of the lifetime of a semiconductor switch.

또한, 상기 하이브리드 릴레이는, 상기 반도체 스위치가 소정 온도 이상이 되었을 때에 외부에 이상을 통지하는 통지부를 더 구비해도 된다. The hybrid relay may further include a notification unit that notifies the outside of the abnormality when the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.

본 출원은, 2009년 10월 27일 출원의 일본 특허출원(특원 2009-246239) 및 2010년 9월 13일 출원의 일본 특허출원(특원 2010-204786)에 의거하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다. This application is based on the JP Patent application (Japanese Patent Application No. 2009-246239) of an application on October 27, 2009 and the Japanese patent application (Japanese Patent Application No. 2010-204786) of an application on September 13, 2010, The content here Is introduced as.

1 : 하이브리드 릴레이 2 : 교류 전원
3 : 부하 10, 11 : 단자
12 : 기계식 접점 스위치(제1 기계식 접점 스위치)
13 : 반도체 스위치 14 : 포토 트라이액 커플러
15 : 신호 처리 회로 16 : 통지부
F1?F3 : 온도 퓨즈 S2 : 트라이액
S3 : 포토 트라이액 S4 : 온도 스위치
S5 : 접점부 T1 : 온도 센서
201 : 패키지 202 : 볼록부
301 : 본체부 302, 303 : 리드 단자
1: hybrid relay 2: AC power
3: load 10, 11: terminal
12: mechanical contact switch (first mechanical contact switch)
13: semiconductor switch 14: phototriac coupler
15 signal processing circuit 16 notification unit
F1? F3: thermal fuse S2: triac
S3: Photo Triac S4: Temperature Switch
S5: contact point T1: temperature sensor
201: package 202: convex portion
301: main body 302, 303: lead terminal

Claims (10)

구동부에 의해 접점이 개폐되는 기계식 접점 스위치와,
상기 기계식 접점 스위치와 병렬로 접속되는 반도체 스위치를 구비하고,
전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 반도체 스위치에 의한 제2 급전로를 병렬 접속한 하이브리드 릴레이로서,
상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 급전 제어를 행하는 안전 회로부를 구비한 하이브리드 릴레이.
A mechanical contact switch which opens and closes a contact by a driving unit,
A semiconductor switch connected in parallel with the mechanical contact switch,
A feeder for supplying power to a load from a power supply, A hybrid relay in which a first feeder by the mechanical contact switch and a second feeder by the semiconductor switch are connected in parallel.
A hybrid relay provided with a safety circuit portion for performing power feeding control when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.
청구항 1에 있어서,
상기 안전 회로부는, 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 단선하는 온도 퓨즈인, 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 1,
The said safety circuit part is a hybrid relay which is a thermal fuse which disconnects when the temperature of the said semiconductor switch becomes more than predetermined temperature.
청구항 2에 있어서,
상기 온도 퓨즈가, 상기 제2 급전로 상에 설치된, 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 2,
And the thermal fuse is provided on the second feed path.
청구항 1에 있어서,
상기 안전 회로부는, 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 상기 구동부를 동작시켜서 상기 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치인, 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 1,
The said safety circuit part is a hybrid relay which is a temperature switch which operates the said drive part and closes the contact of the said mechanical contact switch, when the temperature of the said semiconductor switch becomes more than predetermined temperature.
청구항 1에 있어서,
상기 안전 회로부는, 상기 반도체 스위치의 온도를 검출하는 온도 센서와,
상기 온도 센서에서 검출된 상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에는, 상기 구동부를 동작시켜서 상기 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 제어부를 구비한 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 1,
The safety circuit unit, and a temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor switch;
And a control unit which closes the contact of the mechanical contact switch by operating the drive unit when the temperature of the semiconductor switch detected by the temperature sensor is equal to or higher than a predetermined temperature.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기계식 접점 스위치는, 구동부에 의해 접점이 개폐되는 제1, 제2 기계식 접점 스위치를 구비하고,
상기 전원에서 부하에 공급하는 급전로로서, 상기 제1 기계식 접점 스위치에 의한 제1 급전로와, 상기 제2 기계식 접점 스위치와 상기 반도체 스위치를 직렬로 접속한 제2 급전로를, 병렬로 구성한, 하이브리드 릴레이.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The mechanical contact switch includes a first and a second mechanical contact switch in which the contact is opened and closed by a driving unit,
A feed path for supplying the load from the power source, comprising a first feed path by the first mechanical contact switch and a second feed path in which the second mechanical contact switch and the semiconductor switch are connected in series, in parallel Hybrid relays.
청구항 6에 있어서,
상기 반도체 스위치의 온도가 소정 온도 이상이 되었을 때에 상기 제1 기계식 접점 스위치의 구동부를 동작시켜서 상기 제1 기계식 접점 스위치의 접점을 닫는 온도 스위치를 설치한 것을 특징으로 하는 하이브리드 릴레이.
The method of claim 6,
And a temperature switch for closing the contact of the first mechanical contact switch by operating the drive unit of the first mechanical contact switch when the temperature of the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.
청구항 1에 있어서,
상기 안전 회로부는, 상기 반도체 스위치의 패키지의 볼록부의 상면에 설치된, 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 1,
The safety circuit portion is a hybrid relay provided on an upper surface of the convex portion of the package of the semiconductor switch.
청구항 8에 있어서,
상기 안전 회로부는 온도 퓨즈이며, 상기 온도 퓨즈의 리드 단자의 한쪽이 상기 반도체 스위치의 패키지의 중심에 밀착하여 배치된, 하이브리드 릴레이.
The method according to claim 8,
And said safety circuit part is a thermal fuse, and one side of a lead terminal of said thermal fuse is disposed in close contact with the center of a package of said semiconductor switch.
청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 스위치가 소정 온도 이상이 되었을 때에 외부에 이상을 통지하는 통지부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 하이브리드 릴레이.
The method according to any one of claims 1 to 9,
And a notifying unit for notifying abnormality to the outside when the semiconductor switch reaches a predetermined temperature or more.
KR1020127010259A 2009-10-27 2010-10-26 Hybrid relay KR101369032B1 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009246239 2009-10-27
JPJP-P-2009-246239 2009-10-27
JP2010204786A JP5669086B2 (en) 2009-10-27 2010-09-13 Hybrid relay
JPJP-P-2010-204786 2010-09-13
PCT/JP2010/068999 WO2011052606A1 (en) 2009-10-27 2010-10-26 Hybrid relay

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120081163A true KR20120081163A (en) 2012-07-18
KR101369032B1 KR101369032B1 (en) 2014-02-28

Family

ID=43922031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127010259A KR101369032B1 (en) 2009-10-27 2010-10-26 Hybrid relay

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5669086B2 (en)
KR (1) KR101369032B1 (en)
CN (1) CN102576625B (en)
TW (1) TWI598921B (en)
WO (1) WO2011052606A1 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8930724B2 (en) * 2011-08-17 2015-01-06 Broadcom Corporation Semiconductor device predictive dynamic thermal management
JP5895171B2 (en) * 2011-10-31 2016-03-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 Polarized electromagnetic relay
KR101348154B1 (en) 2011-12-09 2014-01-14 주식회사 유라코퍼레이션 Apparatus for cutting off dark current of vehicle
KR101206386B1 (en) * 2012-06-14 2012-11-29 김정호 Closed Circuit PLC system for large capacity load
JP6206788B2 (en) * 2012-12-21 2017-10-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Flasher
JP6206796B2 (en) * 2013-07-31 2017-10-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 Relay unit and load control system
JP5876613B1 (en) * 2015-01-16 2016-03-02 崇 中尾 Control device, switch device, adapter device, socket device and load device using the same
KR20170116472A (en) * 2016-04-11 2017-10-19 주식회사 엘지화학 Apparatus and method for protecting MOSFET relay using a voltage detector and signal fuse
JP6620674B2 (en) * 2016-05-26 2019-12-18 株式会社オートネットワーク技術研究所 Power supply control device, power supply control method, and computer program
JP6669097B2 (en) * 2017-02-14 2020-03-18 株式会社オートネットワーク技術研究所 Power supply control device
KR102039576B1 (en) 2018-05-29 2019-11-01 한밭대학교 산학협력단 Hybrid relay for energy storage system
TWI676198B (en) * 2018-07-03 2019-11-01 易湘雲 Rocker switch and sliding member thereof
JP7132020B2 (en) * 2018-08-06 2022-09-06 東芝インフラシステムズ株式会社 Aircraft lighting controller
KR102187348B1 (en) 2020-03-09 2020-12-07 (주)에너담 Hybrid contactor for direct current high voltage
CN112290925A (en) * 2020-09-30 2021-01-29 惠州莫思特智照科技有限公司 Multifunctional electric appliance control system and control method
KR20230150554A (en) 2022-04-22 2023-10-31 삼어스코 주식회사 The critical rate of Triac current rise, dI/dT, limiting method through zero cross current synchronization when a hybrid relay is off or switches over
KR20230174561A (en) 2022-06-21 2023-12-28 삼어스코 주식회사 Hybrid starter for Direct-On-Line starting with current ratio increase/decrease control function

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55117844A (en) * 1979-02-28 1980-09-10 Matsushita Electric Works Ltd Switching circuit
JPS6030048B2 (en) * 1979-04-27 1985-07-13 松下電工株式会社 switching circuit
WO1997042642A1 (en) * 1996-05-07 1997-11-13 Siemens Aktiengesellschaft Hybrid relay
JP3948093B2 (en) * 1998-01-30 2007-07-25 松下電工株式会社 Hybrid relay
JP2005347186A (en) * 2004-06-07 2005-12-15 Jamco Corp Hybrid relay
JP2008210638A (en) * 2007-02-26 2008-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Switch and automatic photoelectric flashing device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011052606A1 (en) 2011-05-05
TW201140636A (en) 2011-11-16
CN102576625A (en) 2012-07-11
JP5669086B2 (en) 2015-02-12
KR101369032B1 (en) 2014-02-28
TWI598921B (en) 2017-09-11
JP2011119228A (en) 2011-06-16
CN102576625B (en) 2015-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101369032B1 (en) Hybrid relay
JP5794113B2 (en) Solid state relay and load drive circuit
JP2008210638A (en) Switch and automatic photoelectric flashing device
JP2015115173A (en) Dc opening/closing device
KR100303527B1 (en) Lighting equipment
KR101393818B1 (en) Hybrid relay
JP6421618B2 (en) LED module and LED lighting device
KR101945589B1 (en) Apparatus and method for controlling power supply
JP2013069482A (en) Led lighting device, and illuminating fixture and illumination system using the same
JP2007236103A (en) Power supply apparatus
JP2006337156A (en) Temperature detection circuit
JP2005294061A (en) Led lighting device and illumination fixture
JP2014049386A (en) Lighting device and illuminating device
JP2007288978A (en) Power supply apparatus and electrodeless discharge lamp lighting device, lighting fixture
JP4935679B2 (en) Welding equipment
WO2017126450A1 (en) Circuit board and power supply control device
JP2010205688A (en) Heater device
JP2016177879A (en) Marker lamp and marker lamp system
JP2008159423A (en) Switch state detector
JP2017228474A (en) Relay control device and electric leakage safety device
JP2005287277A (en) Power supply control system
JPH1169599A (en) Fuse cutoff notifying device
KR200267052Y1 (en) relay protection circuit using photo sensor
WO2010061421A1 (en) Welding apparatus
JPH05184142A (en) Switching power supply and composite element therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 5