KR20120080929A

KR20120080929A - 내장형 안테나

Info

Publication number: KR20120080929A
Application number: KR1020110002412A
Authority: KR
Inventors: 최형철; 조얼; 이형진
Original assignee: 라디나 주식회사
Priority date: 2011-01-10
Filing date: 2011-01-10
Publication date: 2012-07-18

Abstract

본 발명은 내장형 안테나에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 의하면, 급전전류에 의해 커플링 소스를 생성하는 급전부 및 급전부와 소정간격 이격되어 형성되며, 커플링 소스에 의해 신호를 방사하는 방사부를 포함하되, 급전부는 급전점, 일단이 상기 급전점과 연결된 급전선, 제1 클리어런스부가 형성된 제1 금속막, 상기 제1 금속막과 상기 급전선 종단 사이에 배치된 제1 용량성 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나를 제공할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 급전부와 방사부가 커플링 되도록 중첩되게 구현되어 소형으로 안테나를 제조할 수 있으며, 다양한 형태의 단말기에 적용할 수 있는 내장형 안테나를 제공할 수 있다.

Description

내장형 안테나{EMBEDDED ANTENNA}

본 발명은 안테나에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 내장형 안테나에 관한 것이다.

안테나는 공중의 RF 신호를 통신 단말기 내부로 수신하거나, 내부 신호를 외부로 송신하는 장치로서, 이동 통신에 필수적으로 사용된다.

최근 이동 통신 기기들은 소형화 및 경량화 되는 추세이며, 기능이 다양화 되고 있다. 이동 통신 기기들은 다양한 종류의 신호를 수신하는 안테나가 구비되고 있다. 예를 들면, 음성, 데이터, DMB, Wi-Fi, 블루투스, NFC 등의 여러 주파수 대역의 신호를 송수신하는 안테나가 하나의 단말기에 내장되고 있다.

안테나는 주파수 특성상 파장에 따라 안테나 길이가 제한적이다. 안테나 길이를 줄이기 위하여 안테나 구조를 변경하는 연구가 진행되고 있다. 미국특허 제7,728,783호, "안테나 구조"는 그라운드에 연결된 안테나 구조를 제안하고 있으나, 그라운드와는 별도로 안테나가 구비되어야 하므로 이동 통신 기기에 내장될 경우 별도의 안테나 설치 공간이 마련되어야 한다.

미국특허 제7,667,663호, "커플링 안테나"는 안테나에 인덕터와 커패시터가 패터닝된 구조를 제안하고 있다. 그러나 이 특허의 경우 인덕터를 패터닝하기 위한 공간이 커져 안테나의 크기가 커지는 문제점이 있다.

본 발명이 해결하려는 과제는 다양한 형태의 단말기에 적용될 수 있는 내장형 안테나를 제공하는 데 있다.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는 소형, 경량의 내장형 안테나를 제공하는 데 있다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 급전전류에 의해 커플링 소스를 생성하는 급전부; 및 상기 급전부와 소정간격 이격되어 형성되며, 상기 커플링 소스에 의해 신호를 방사하는 방사부를 포함하되, 상기 급전부는 급전점; 일단이 상기 급전점과 연결된 급전선; 제1 클리어런스부가 형성된 제1 금속막; 및 상기 제1 금속막과 상기 급전선 종단 사이에 배치된 제1 용량성 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나를 제공할 수 있다.

상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막과 상기 급전선에 각각 연결된 칩 커패시터일 수 있다.

상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막과 상기 급전선이 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 제1 용량성 소자는 상기 급전선에서 연장되는 연장부와 상기 제2 금속막과 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 제1 돌출부와 상기 급전선에서 돌출된 적어도 하나의 제2 돌출부가 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 커플링 소스는 상기 제1 금속막, 상기 급전선 및 상기 제1 용량성 소자로 이루어진 루프에 흐르는 급전전류에 의해 형성될 수 있다.

상기 루프, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 급전부와 상기 방사부 사이의 이격거리 중 어느 하나에 의해 방사되는 신호의 공진 주파수가 조절될 수 있다.

상기 급전부와 상기 방사부 사이에 형성된 유전층을 더 포함할 수 있다.

상기 루프, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 유전층의 유전율 및 상기 유전층의 두께 중 어느 하나에 의해 방사되는 신호의 공진 주파수가 조절될 수 있다.

상기 제1 클리어런스부는 상기 제1 금속막 외각 영역에 적어도 한 면이 오픈되게 형성될 수 있다.

상기 제 1클리어런스부는 다각형, 원형, 타원형 중 어느 하나의 형태일 수 있다.

상기 방사부는 상기 제1 금속막과 중첩되며, 제2 클리어런스부가 형성된 제2 금속막; 상기 제2 클리어런스부 양측의 상기 제2 금속막 사이에 형성된 연결부; 및

상기 제2 금속막과 상기 연결부 사이에 배치된 제2 용량성 소자를 더 포함할 수 있다.

상기 제2 클리어런스부는 상기 제1 클리어런스부와 적어도 중첩되게 형성될 수 있다.

상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막과 상기 연결부에 각각 연결된 칩 커패시터일 수 있다.

상기 제2 용량성 소자는 상기 연결부에서 연장되는 연장부와 상기 제2 금속막과 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 제3 돌출부와 상기 연결부에서 돌출된 적어도 하나의 제4 돌출부가 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 제1 금속막, 상기 급전선 및 상기 제1 용량성 소자로 이루어진 루프의 길이, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 제2 용량성 소자의 커패시턴스 값 및 상기 급전부와 상기 방사부 사이의 이격거리 중 어느 하나에 의해 신호의 공진 주파수가 조절될 수 있다.

상기 제1 금속막은 접지 전압을 제공하는 그라운드일 수 있다.

상기 방사부는 상기 제1 금속선 및 상기 급전선과 중첩되는 금속선으로 형성될 수 있다.

상기 방사부는 상기 제1 금속막과 중첩되는 금속선; 및 상기 금속선과 연결되고, 상기 제1 클리어런스부의 경계면과 적어도 중첩되는 중첩부를 더 포함할 수 있다.

상기 방사부는 상기 제1 금속막과 중첩되는 금속선; 상기 금속선과 연결되고, 상기 제1 클리어런스부의 경계면과 적어도 중첩되는 중첩부; 및 상기 급전선과 적어도 중첩되는 연장선을 더 포함할 수 있다.

상기 방사부는 상기 급전선과 적어도 중첩되는 환형의 금속 패턴일 수 있다.

상기 방사부는 상기 급전선과 적어도 중첩되며, 일변이 개방된 고리 형태의 금속 패턴일 수 있다.

상기 방사부는 상기 제1 금속막과 중첩되며, 상기 급전부를 노출시키는 슬릿이 형성된 제2 금속막을 더 포함할 수 있다.

상기 급전선은 상기 제1 클리어런스부를 가로질려 형성되며, 상기 급전선을 중심으로 상기 급전선 양측으로 급전 전류가 흐른다.

상기 방사부는 상기 제1 금속막과 중첩되며, 제2 클리어런스부가 형성된 제2 금속막을 더 포함하되, 상기 제2 클리어런스부는 슬롯 형태로 형성될 수 있다.

상기 슬롯은 상기 급전부와 중첩되며, 상기 제2 금속막의 일측이 개방되도록 형성될 수 있다.

상기 슬롯 종단에 상기 제2 금속막 각각에 연결된 제2 용량성 소자를 더 포함할 수 있다.

상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막 사이에 상기 제2 금속막과 연결된 칩 커패시터인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.

상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 돌출부와 상기 제2 금속막 사이가 소정의 간격으로 이격되어 형성될 수 있다.

상기 제2 금속막은 상기 제1 금속막의 면적과 상응하는 면적으로 형성될 수 있다.

상기 제2 금속막은 상기 제1 금속막의 면적에 비해 더 작게 형성될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시 예에 의하면, 급전점; 일단이 상기 급전점과 연결된 급전선; 상기 급전선이 배치되는 클리어런스부가 형성된 금속막; 상기 금속막과 상기 급전선 종단 사이에 배치된 용량성 소자; 및 상기 방사부와 소정간격 이격되어 형성된 방사부을 포함하되, 상기 방사부는 상기 급전선, 상기 금속막 및 상기 용량성 소자에 흐르는 급전 전류에 의해 생성된 커플링 소스에 의해 신호를 방사하는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나를 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 급전부와 방사부를 커플링을 통해 결합하여 RF 신호를 송수신할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 급전부와 방사부의 크기를 줄여 내장형 안테나를 제조할 수 있어 비용을 줄일 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 의하면, 내장형 안테나의 크기를 줄여 다양한 단말기에 적용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 내장형 안테나의 I-I'선을 따라 절단된 단면을 도시한 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 내장형 안테나의 급전부의 일 실시 예를 도시한 평면도.
도 4는 도 1에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 일 실시 예를 도시한 평면도.
도 5는 도 1 및 도 4에 도시된 제2 용량성 소자의 일 실시 예를 도시한 평면도.
도 6은 도 1 및 도 4에 도시된 제2 용량성 소자의 다른 실시 예를 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내장형 안테나의 반사 손실을 측정한 그래프.
도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내장형 안테나의 효율을 측정한 그래프.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 평면도.
도 10은 도 9에 도시된 내장형 안테나의 급전부의 일 실시 예를 도시한 평면도.
도 11은 도 9에 도시된 내장형 안테나의 II-II'선을 따라 절단된 단면을 도시한 단면도.
도 12 내지 도 14는 본 9에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 다른 실시 예들을 각각 도시한 평면도.
도 15는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 평면도,
도 16은 도 15에 도시된 방사부의 다른 실시 예를 도시한 평면도.
도 17은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 평면도.
도 18은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도.
도 19는 도 18에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 형태를 도시한 도면.
도 20은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도.
도 21은 본 발명의 제7 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도.
도 22는 도 22에 도시된 내장형 안테나의 방사부를 도시한 도면.
도 23은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 이를 상세한 설명을 통해 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 본 명세서의 설명 과정에서 이용되는 숫자(예를 들어, 제1, 제2 등)는 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위한 식별기호에 불과하다.

또한, 본 명세서에서, 일 구성요소가 다른 구성요소와 "연결된다" 거나 "접속된다" 등으로 언급된 때에는, 상기 일 구성요소가 상기 다른 구성요소와 직접 연결되거나 또는 직접 접속될 수도 있지만, 특별히 반대되는 기재가 존재하지 않는 이상, 중간에 또 다른 구성요소를 매개하여 연결되거나 또는 접속될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 내장형 안테나에 관하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 내장형 안테나의 I-I' 선을 따라 절단된 단면을 도시한 단면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 내장형 안테나의 급전부의 일 실시 예를 도시한 평면도이고, 도 4는 도 1에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 일 실시예를 도시한 도면이다.

도 1내지 도 4를 참조하면, 내장형 안테나는 급전부(20), 유전층(220) 및 방사부(40)를 포함할 수 있다.

급전부(20)는 기판(10)의 일면에 제1금속막(100), 제1 급전선(110), 제2 급전선(120) 및 제1 용량성 소자(140)가 형성됨으로써 구현된다. 제1 금속막(100)은 기판(10)에 결합되는 전기/전자 회로 소자들에 접지 전압을 제공하는 그라운드로 동작할 수 있다. 급전부(20)는 직사각형 형태로 형성될 수 있다. 그러나 급전부(20)의 형태는 내장형 안테나가 설치되는 위치에 따라서 다각형, 원형, 타원형 등의 다양한 모양으로 변형이 가능하다.

급전부(20)는 제1 금속막(100)의 일부가 제거된 제1 클리어런스부(150)에 서로 연결된 제1 급전선(110)과 제2 급전선(120) 및 제1 용량성 소자(140)가 배치되어 단일 루프를 형성한다. 즉, 제1 금속막(100), 제1 급전선(110), 제2 급전선(120) 및 제1 용량성 소자(140)는 급전 회로로 동작한다. 이때, 급전부(20)는 루프 형태의 급전 전류로 인한 커플링 소스를 생성한다.

방사부(40)는 급전부(20)와 소정의 간격(d)을 사이에 두고 배치될 수 있다. 방사부(40)는 안테나의 방사체로서, 급전부(20)의 커플링 소스에 의해 RF 신호를 방사한다. 방사부(40)는 제2 금속막(200), 제2 클리어런스부(250) 및 제2 용량성 소자(240)를 포함할 수 있다.

유전층(220)은 급전부(20)와 방사부(40) 사이에 형성된다. 유전층(220)의 유전율에 의해 급전부(20)와 방사부(40)가 전자기적으로 커플링될 수 있다. 이때, 유전층(220)은 유기물 또는 무기물을 사용할 수 있다. 유전층(220)은 급전부(20)와 방사부(40) 사이를 전기적으로 절연시킬 수 있는 절연물질이 사용될 수 있다. 이때, RF 신호의 공진 주파수는 유전층(220)의 두께 또는 유전율에 의해 결정될 수 있다.

본 발명은 유전층(220) 대신 급전부(20)와 방사부(40) 사이를 이격시킴으로써, 공기가 유전층 역할을 하도록 할 수 있다.

또한, 공진 주파수는 급전부(20)와 방사부(40) 사이의 이격거리에 따라 결정될 수도 있다. 즉, 급전부(20)와 방사부(40) 사이를 이격시키면, 공기의 유전율로 인하여 이격거리에 의해서 공진 주파수가 결정될 수 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 급전부(20)는 제1 클리어런스부(150), 제1 급전선(110), 제2 급전선(120) 및 제1 용량성 소자(140)를 포함할 수 있다.

구체적으로, 제1 금속막(100)은 기판 상면에 형성된다. 제1 금속막(100)은 내장형 안테나가 설치되는 기기의 각종 전자/전기 소자에 접지 전압을 제공하는 그라운드로 사용될 수 있다.

제1 클리어런스부(150)는 제1 금속막(100)에서 클리어런스 형성을 위해 그 일부가 제거된 영역이다. 제1 클리어런스부(150)는 제1 금속막(100)의 가장자리에 형성될 수 있다. 이때, 제1 클리어런스부(150)가 제1 금속막(100)의 가장자리에 형성될 경우에 일면은 오픈되고 나머지 면들은 제1 금속막(100)과 경계면(151, 152, 153)을 가지도록 형성된다. 본 실시 예에서는 제1 클리어런스부(150)가 제1 금속막(100)의 가장자리에 형성된 것을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 내장형 안테나의 방사 특성에 따라 제1 금속막(100)의 다른 영역에 형성될 수 있다.

제1 급전선(110)은 급전점(130)과 전기적으로 연결되어 RF 신호를 송수신한다. 제1 급전선(110)은 양측변은 제1 금속막(100)과 소정 거리 이격되어 CPW 급전을 숭행한다. 그러나, 제1 급전선(110)은 CPW 급전에 한정되지 않으며, 마이크로 스트립라인에 의한 급전과 같이 다양한 급전 방식을 이용할 수 있다.

제1 급전선(110)은 자체적인 인덕턴스 성분을 가질 수 있으며, 제1 급전선(110)의 인덕턴스 성분은 안테나의 임피던스 매칭과 연관된다. 임피던스 매칭을 위하여 제1 급전선(110)에 유도성 소자가 결합될 수 있다.

제2 급전선(120)은 제1 급전선(110)과 연결되며 제1 클리어런스부(150)와 제1 금속막(100)의 경계면(151)에 결합될 수 있다. 또한, 제2 급전선(120)은 제1 용량성 소자(140)를 통해 제1 금속막(100)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 급전선(120)과 제1 금속막(100) 사이에 제1 용량성 소자(140)가 내재될 수 있다.

상기 제1 금속막(100), 제1 급전선(110) 및 제2 급전선(120)은 도전성 금속 예를 들면, 구리 또는 구리합금 등으로 형성될 수 있다. 그러나 제1 금속막(100), 제1 급전선(110) 및 제2 급전선(120)의 재료는 구리 또는 구리합금 이외에 다른 도전성 금속이 사용될 수 있다. 본 실시 예에 따르면, 제1 금속막(100), 제1 급전선(110) 및 제2 급전선(120)은 동일 평면상에 형성될 수 있다.

제1 용량성 소자(140)는 일반적인 칩 커패시터가 사용될 수 있다.

또한, 제2 급전선(120)의 일부 구간에서 커플링이 이루어지도록 제1 용량성 소자(140)는 제2 급전선(120)의 형태가 변형되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 용량성 소자(140)는 제2 급전선(120)이 제1 금속막(100)에 커플링되는 영역에서의 면적과 이격 거리에 의해 커패시턴스 값이 결정될 수 있다.

제1 용량성 소자(140)는 RF 신호의 공진주파수를 조절하는 기능을 할 수 있으며, 설정된 사용 주파수대역에 상응하는 커패시턴스를 가지는 소자가 사용될 수 있다.

본 실시 예에 따르면, RF신호의 공진 주파수는 RF 신호의 공진 주파수는 유전층의 두께 또는 유전율 뿐만 아니라, 제1 금속막(100)의 경계면, 제1 급전선(110), 제2 급전선(120) 및 제1 용량성 소자(140)에 의해 이루어지는 루프의 크기에 의해 결정될 수 있다.

도 4에 도시된 바와 같이, 방사부(40)는 제2 금속막(200), 연결부(230), 제2 클리어런스부(250) 및 제2 용량성 소자(240)를 포함할 수 있다.

구체적으로, 제2 클리어런스부(250)는 제2 금속막(200)의 일부분이 제거되어 형성된다. 제2 클리어런스부(250)는 제1 클리어런스부(150)와 적어도 중첩되게 형성될 수 있다.

연결부(230)는 제2 클리어런스부(250)의 상부변에 위치하며, 제2 클리어런스부(250)의 좌측 및 우측의 제2 금속막을 연결한다.

제2 용량성 소자(240)는 제2 금속막(200)과 연결부(230) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제2 용량성 소자(240)는 연결부(230)에 형성될 수 있다. 제2 용량성 소자(240)는 일반적인 칩 커패시터가 사용될 수 있다. 제2 용량성 소자(240)는 기기에 장착될 때 몰딩되어 케이스에 장착되므로 칩 커패시터를 사용하는 것 보다 구조적인 금속 패턴을 이용하는 것이 효과적일 수 있다.

도 5 및 도 6은 제2 용량성 소자 구조의 실시 예들을 도시한 도면들이다.

도 5는 제2 용량성 소자(240)의 구조를 도시한 도면으로, 제2 용량성 소자(240)는 제2 클리어런스부(250)와 제2 금속막(200)의 좌측 경계면과 연결부(230)에서 연장된 연장선(235)으로 이루어진다. 제2 용량성 소자(240)는 경계면과 연장선이 소정의 간격으로 이격되어 형성되며, 연장선의 길이에 및 이격거리에 따라 커패시턴스가 결정될 수 있다.

도 6은 제2 용량성 소자(240)의 다른 구조를 도시한 도면으로, 제2 용량성 소자(240)의 커패시턴스를 크게 하기 위하여 돌출형 구조를 적용한 것을 예시한 도면이다.

도 6 도시된 바와 같이, 제2 금속막(200)에서 돌출된 제1 돌출부(241)와 연결부(230)에서 돌출된 제2 돌출부(242)가 소정의 간격을 두고 이격될 수 있다. 제1 도출부(241)와 제2 돌출부(242)는 복수개가 배열될 수 있으며, 이때, 제1 돌출부(241)와 제2 돌출부(242)는 서로 엇갈리게 형성될 수 있다.

도 5 및 도 6에 도시된 구조는 도 1에 도시된 제1 용량성 소자(140)에도 적용될 수 있다. 즉, 제1 용량성 소자(140)를 칩 커패시터를 사용하지 않고, 구조를 변경할 경우 도 5에 도시된 구조 또는 도 6에 도시된 구조를 사용할 수도 있다.

도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 내장형 안테나의 반사손실을 측정한 그래프이다.

도 7은 도 1에 도시된 내장형 안테나를 실험한 결과로, 100mm×50mm의 기판(10)에 제1 클리어런스부(150)가 8mm×5mm의 크기로 형성되고, 제1 금속막(100) 및 제2 금속막(200)의 두께는 각각 1mm이며, 제1 금속막(100)과 제2 금속막(200) 사이는 3mm일 경우의 내장형 안테나의 반사손실을 측정한 그래프이다.

도 7은 동일한 조건에서 기판(10) 배면에1mm의 간격을 두고 LCD를 장착한 경우와 장착하지 않은 경우를 비교하여 도시한 도면이다. 실선은 LCD를 장착하지 않았을 경우 측정된 반사손실 그래프이고, 점선은 LCD를 장착한 경우 측정된 반사손실 그래프이다.

도 7에서와 같이, 2.4GHz 근처의 대역에서 -20dB 이상의 반사손실을 가지는 것을 볼 수 있으며, LCD가 장착된 경우와 그렇지 않은 경우에도 2.4GHz 근처의 대역에서는 유사한 반사손실을 가지는 것을 확인할 수 있으며, 이를 통해 임피던스 매칭이 잘 이루어진 것을 알 수 있다.

도 8은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 내장형 안테나의 효율을 도시한 그래프이다.

도 8은 도 7에서 설명한 내장형 안테나의 효율을 측정한 것으로, 2.4GHz 대역에서 LCD가 장착된 경우와 그렇지 않은 경우의 효율이 0.9 이상으로 유사한 것을 확인할 수 있다.

본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나는 기판에 형성된 것을 예를 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며 기판 이외에 통신 기기 내부의 상기 내장형 안테나가 형성될 수 있는 공간 또는 기구물등에 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나의 제1 금속막 및 제2 금속막은 서로 다른 면적으로 형성될 수 있으며, 제2 금속막의 면적이 제1 금속막의 면적이 비해 더 작을 수 있다.

도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 내장형 안테나의 급전부의 일 예를 도시한 평면도이며, 도 11은 도 9에 도시된 내장형 안테나의 II-II' 선을 따라 절단된 단면을 도시한 단면도이다.

도 9는 다이폴 안테나를 도시한 도면이다.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나는 급전부(310), 유전층(390) 및 방사부(400)를 포함할 수 있다.

구체적으로, 급전부(310)는 클리어런스부(350), 급전선(370) 및 용량성 소자(380)를 포함할 수 있다.

클리어런스부(350)는 금속막(300)을 소정의 영역만큼 제거한 부분이다. 클리어런스부(350)는 도 10에 도시된 바와 같이, 금속막(300)의 중앙에 형성될 수 있다. 본 실시 예에서는 다이폴 안테나를 예를 들어 설명하므로 클리어런스부(350)가 금속막(300)의 중앙에 위치한 것을 예를 들어 설명하였으나, 클리어런스부(350)는 금속막(300)의 중앙 이외에 다른 영역에 형성될 수도 있다.

급전선(370)은 급전점과 전자기적으로 연결되어 RF 신호를 송수신할 수 있다. 급전선(370)의 일부는 클리어런스부(350) 영역에 형성될 수 있다. 급전선(370)은 양 측면이 금속막(300)과 소정의 간격으로 이격되어 CPW 급전을 수행할 수 있다. 그러나, 급전선(370)은 CPW 급전에 한정되지 않으며, 마이크로 스트립라인에 의한 급전과 같이 다양한 급전 방식을 이용할 수 있다.

급전선(370)은 용량성 소자(380)와 연결된다.

용량성 소자(380)는 일반적인 칩 커패시터가 사용될 수 있다.

또한, 급전선(370)의 일부 구간에서 커플링이 이루어지도록 용량성 소자(380)는 급전선(370)의 형태가 변형되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 용량성 소자(380)는 급전선(370)이 금속막(300)과 커플링되는 영역에서의 면적과 이격 거리에 의해 커패시턴스가 결정될 수 있다.

용량성 소자(380)는 금속막(300)을 통해 방사되는 RF신호의 공진주파수를 조절할 수 있다.

여기서, 공진주파수는 클리어런스부(350)의 경계면과 급전선(370)에 의해 이루어지는 루프의 크기에 의해 조절될 수 있다.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 내장형 안테나는 급전선(370)을 중심으로 좌우 대칭형의 전류분포로 인한 커플링 소스가 생성된다.

방사부(400)는 방사부(400)을 포함할 수 있다.

방사부(400)은 급전선(370)과 유전층(390)을 사이에 두고 중첩되게 형성된다. 방사부(400)은 다이폴 안테나 구현을 위하여 금속막(300)의 양단부까지 길게 형성될 수 있다. 방사부(400)은 커플링 소스에 의해 RF 신호를 송수신할 수 있다.

유전층(390)은 유전율을 가지는 유기절연물질 또는 무기절연물질로 형성될 수 있다. 유전층(390)은 공진주파수를 고려하여 3mm정도의 두께로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않으며, 공진 주파수에 따라 두께가 가변될 수 있다. 유전층(390)은 급전부(310) 전체에 형성되어 금속막(300)을 보호하며, 급전부와 방사부(400)이 커플링되도록 한다.

방사부(400)는 도 9에 도시된 형태 이외에 다른 형태로 형성될 수 있다.

도 12 내지 도 14는 본 9에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 다른 실시 예들을 각각 도시한 평면도이다.

도 12에 도시된 바와 같이, 방사부(400)는 도 9의 방사부(400)와 대비하여 클리어런스부(350)의 경계면과 중첩되는 절곡부(410)가 형성될 수 있다. 방사부(400)와 절곡부(410)가 연결되며, 절곡부(410)는 급전선을 중심으로 클리어런스부(350)의 우측 경계면과 중첩되게 형성될 수 있다.

또한, 방사부(400)는 클리어런스부(350)의 경계면과 중첩된 부분뿐만 아니라 급전선(370)과 중첩되게 형성될 수도 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 방사부(400)는 클리어런스부(350)의 우측 경계면과 중첩되는 절곡부(410)를 포함하며, 급전선(370)의 일부와 중첩되는 연장부(420)를 더 포함할 수 있다. 그리고 방사부(400)는 도 14에 도시된 바와 같이, 클리어런스부(350)의 경계면 및 급전선(370)과 중첩될 수도 있다. 즉, 방사부(400)는 클리어런스부(350)의 우측 경계면과 중첩되는 절곡부(410)되며, 급전선(370)과도 중첩되는 중첩부(430)를 더 포함할 수 있다. 형성된다.

도 12 내지 도 14는 방사부(400)가 클리어런스부(350)의 우측 경계면과 중첩된 것을 예를 들어 도시하였으나, 좌측 경계면과 클리어런스부(350)가 중첩될 수도 있다.

도 15는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 도면이다. 도 15는 루프형 안테나를 도시한 도면으로, 도 15는 도 9와 대비하여 급전부는 동일하지만 방사부가 다른 형태인 것을 도시한 도면들이다. 이하의 설명에서는 급전부에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.

도 15를 참조하면, 급전부는 도 9에서 설명한 클리어런스부(350), 급전선(370) 및 용량성 소자(380)를 포함할 수 있다. 공진주파수는 금속막(300)과 급전선(370)에 의해 이루어지는 루프의 크기에 의해 조절될 수 있다.

방사부(400)는 급전부(310)와 커플링 되도록 형성될 수 있다.

방사부(400)는 환형의 금속 패턴이 형성될 수 있다. 즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 방사부(400)는 적어도 급전선(370)과 중첩되는 환형의 금속 패턴이 형성될 수 있다.

또한, 방사부(400)는 고리형태의 금속 패턴이 형성될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 방사부(400)는 루프형태의 금속 패턴 중 우측변의 일부가 제거된 고리형태로 형성될 수 있다. 방사부(400)는 도 16에 도시된 형태 이외에 루프형태의 금속선 중 상변 또는 하변의 일부가 제거된 고리형태로 형성될 수도 있다.

본 발명의 제3 실시 예에 따른 내장형 안테나는 급전선을 중심으로 좌우 대칭형의 전류분포로 인한 커플링 소스가 생성된다. 커플링 소스로 인해 환형 또는 고리 형태의 방사부(400)에서 RF신호를 방사할 수 있다. 상술한 바와 같이, 방사부(400)는 환형 또는 고리형태로 형성된 금속 패턴으로 인하여 루프형 안테나를 구현할 수 있다.

도 17은 본 발명의 제4 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 도면이다. 도 17에 도시된 내장형 안테나는 기판에 형성된 급전부와 유전층을 사이에 두고 중첩된 방사부를 포함한다. 여기서, 급전부는 도 9에 도시된 바와 동일하다. 도 17의 설명에서는 급전부는 생략하고 방사부에 대해서만 설명하기로 한다.

도 17에 도시된 바와 같이, 방사부(400)는 하부에 형성된 금속막와 동일한 크기로 제조될 수 있다. 방사부(400)는 도전성 금속으로 형성될 수 있다. 방사부(400)는 도 9를 참조하여 설명한 급전부(310)를 노출시키는 슬릿(450)이 형성될 수 있다.

본 발명의 제4 실시 예에 따른 내장형 안테나는 급전선을 중심으로 좌우 대칭형의 전류분포로 인한 커플링 소스가 생성된다. 커플링 소스로 인해 방사부(400)에서 RF신호를 방사할 수 있는 슬릿 안테나를 구현할 수 있다.

도 18은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도이고, 도 19는 도 18에 도시된 내장형 안테나의 방사부의 형태를 도시한 도면이다. 도 18 및 도 19는 도 1 및 도4와 대비하여 방사부의 형태가 달라진 것을 제외하고는 동일한 구성을 포함하므로 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 도 18에 도시된 내장형 안테나의 급전부는 도 3에 도시된 급전부와 동일하므로, 이하의 설명에서는 상세한 설명을 생략하기로 한다.

도 18 및 도 19를 참조하면, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 내장형 안테나의 방사부는 급전부와 소정의 간격을 사이에 두고 배치된다. 방사부는 안테나의 방사체로서 급전부의 커플링 소스에 의해 RF 신호를 방사한다. 이때, 방사부는 제2 금속막(500) 및 슬롯(550)을 포함할 수 있다.

제2 금속막(500)은 도 1에 도시된 제1 금속막(100)과 대응되는 크기로 형성될 수 있다. 제2 금속막(500)은 도전성 금속 예를 들면, 구리 또는 구리합금 등으로 형성될 수 있다.

슬롯(550)은 제2 금속막(500)의 소정 영역이 제거되어 형성된다. 이때, 슬롯(550)은 길이 방향의 길이가 폭방향의 길이보다 더 큰 것으로 도 1에 도시된 제2 클리어런스부(250)의 다른 형태이다.

슬롯(550)은 급전부와 중첩되게 형성된다. 여기서 급전부는 도 1 내지 도 3에 도시된 급전부와 동일하다.

이때, 슬롯(550)은 제2 금속막(500)의 일측이 개방되도록 형성될 수 있다.

예를 들어, 내장형 안테나가 휴대폰 등의 소형 통신 기기에 장착될 경우 상기 슬롯(550)의 폭은 수 mm 이내 또는 1mm 이하로 형성될 수 있으며, 길이는 제1 클리어런스부와 중첩되게 형성될 수 있다.

도 20은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도이다. 도 20은 도 18과 대비하여 방사부의 면적이 다른 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 포함하므로 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 20에 도시된 내장형 안테나는 패치 안테나의 한 형태로서 방사부의 면적이 도 18에 도시된 방사부의 면적에 비해 더 작다.

구체적으로, 방사부는 급전부와 소정간격 이격되어 형성된다. 방사부는 제2 금속막(510)과 슬롯(550)을 포함할 수 있다.

제2 금속막(510)은 도 1에 도시된 제1 금속막(100)의 면적보다 작은 면적로 형성되며, 제1 금속막과 중첩되는 영역에 형성된다. 제2 금속막(510)은 도전성 금속 예를 들면, 구리 또는 구리합금 등으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 금속막(510)은 적어도 급전부를 덮을 수 있는 넓이일 수 있다.

슬롯(550)은 제2 금속막(510)의 소정 영역이 제거되어 형성된다. 이때, 슬롯(550)은 길이 방향의 길이가 폭방향의 길이보다 더 큰 것으로 도 1에 도시된 제2 클리어런스부의 다른 형태이다. 슬롯(550)은 급전부와 중첩되게 형성된다. 여기서 급전부는 도 1 내지 도 3에 도시된 급전부와 동일하다.

이때, 슬롯(550)은 제2 금속막(510)의 일측이 개방되도록 형성될 수 있다.

도 21은 본 발명의 제7 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도이고, 도 22는 도 22에 도시된 내장형 안테나의 방사부를 도시한 도면이다. 도 21 및 도 22는 도 18 및 도 19의 내장형 안테나와 대비하여 제2 용량성 소자(600)가 구비된 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 포함한다. 따라서, 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 21 및 도 22를 참조하면, 본 발명의 제7 실시 예에 따른 내장형 안테나는 방사부에 제2 용량성 소자(600)를 포함할 수 있다.

방사부는 제2 금속막(500), 슬롯(550) 및 제2 용량성 소자(600)를 포함할 수 있다.

제2 금속막(500)은 도 1에 도시된 제1 금속막(100)과 상응하는 면적으로 형성되며, 도전성 금속으로 형성될 수 있다.

제2 용량성 소자(600)는 도 21 및 도 22에 도시된 바와 같이, 슬롯(550)으로 인하여 개방된 영역에 형성될 수 있다. 이때, 제2 용량성 소자(600)는 슬롯(550)의 종단 즉, 제2 금속막(500)과 외부와의 경계영역에 형성될 수 있다. 제2 용량성 소자(600)는 제2 금속막(500)의 양단에 각각 연결된 칩 커패시터일 수 있다. 도 22에 도시된 바와 같이, 제2 용량성 소자(600)는 제2 금속막(500)의 경계면으로부터 돌출된 제1 돌출부(530)와 제2 돌출부(540) 사이에 각각 연결된 칩 커패시터일 수 있다.

또한, 제2 용량성 소자(600)는 제1 돌출부(530)와 제2 돌출부(540)가 소정간격 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 제2 용량성 소자(600)는 제1 돌출부(530)와 제2 돌출부(540)의 간격이 커패시터를 형성할 수 있는 간격일 경우 칩 커패시터를 사용하지 않을 수 있다. 또한, 제2 용량성 소자(600)는 제1 돌출부(530) 및 제2 돌출부(540) 중 어느 하나가 구비되며, 제1 돌출부(530) 및 제2 돌출부(540) 중 어느 하나가 마주하는 제2 금속막(500)의 경계면과 소정의 간격으로 이격됨으로써 형성될 수도 있다.

도 23은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 내장형 안테나를 도시한 사시도이다. 본 발명의 제8 실시 예에 따른 내장형 안테나는 패치 안테나의 일 예이다. 도 23은 도 21 및 도 22와 대비하여 방사부의 형태를 제외하고는 동일한 구성요소를 포함하므로 동일한 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 23에 도시된 바와 같이 방사부는 제2 금속막(510), 슬롯(550) 및 제2 용량성 소자(600)를 포함한다. 여기서, 슬롯(550) 및 제2 용량성 소자(600)는 도 21 및 도 22를 참조하여 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 23의 제2 금속막(510)은 제1 금속막(100)의 면적보다 더 작게 형성된다. 제2 금속막(510)은 급전부와 중첩되게 형성된다. 제2 금속막(510)은 도전성 금속 예를 들면, 구리 또는 구리합금 등으로 형성될 수 있다. 이때, 제2 금속막(510)은 적어도 급전부와 중첩되게 형성수 있다.

본 발명의 제1 내지 제8 실시 예에 대한 설명에서는 내장형 안테나가 기판에 형성된 것을 예를 들어 설명하고 있으나, 이에 한정되지 않으며, 통신 기기에 장착될 수 있다.

상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

10: 기판
20: 급전부
40, 400: 방사부
100: 제1 금속막
110: 제1 급전선
120: 제2 급전선
130: 급전점
140: 제1 용량성 소자
150: 제1 클리어런스부
200: 제2 금속막
240: 제2 용량성 소자
250: 제2 클리어런스부
300: 금속막
350: 클리어런스부
370: 급전선
380: 용량성 소자
390: 유전층
450: 슬릿

Claims

급전전류에 의해 커플링 소스를 생성하는 급전부; 및
상기 급전부와 소정간격 이격되어 형성되며, 상기 커플링 소스에 의해 신호를 방사하는 방사부를 포함하되,
상기 급전부는
급전점;
일단이 상기 급전점과 연결된 급전선;
제1 클리어런스부가 형성된 제1 금속막; 및
상기 제1 금속막과 상기 급전선 종단 사이에 배치된 제1 용량성 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막과 상기 급전선에 각각 연결된 칩 커패시터인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막과 상기 급전선이 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 용량성 소자는 상기 급전선에서 연장되는 연장부와 상기 제2 금속막과 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 3 항에 있어서,
상기 제1 용량성 소자는 상기 제1 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 제1 돌출부와 상기 급전선에서 돌출된 적어도 하나의 제2 돌출부가 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 커플링 소스는 상기 제1 금속막, 상기 급전선 및 상기 제1 용량성 소자로 이루어진 루프에 흐르는 급전전류에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 6 항에 있어서,
상기 루프, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 급전부와 상기 방사부 사이의 이격거리 중 어느 하나에 의해 방사되는 신호의 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 6 항에 있어서,
상기 급전부와 상기 방사부 사이에 형성된 유전층을 더 포함하는 내장형 안테나.
제 8 항에 있어서,
상기 루프, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 유전층의 유전율 및 상기 유전층의 두께 중 어느 하나에 의해 방사되는 신호의 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 클리어런스부는 상기 제1 금속막 외각 영역에 적어도 한 면이 오픈되게 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1클리어런스부는 다각형, 원형, 타원형 중 어느 하나의 형태인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는
상기 제1 금속막과 중첩되며, 제2 클리어런스부가 형성된 제2 금속막;
상기 제2 클리어런스부 양측의 상기 제2 금속막 사이에 형성된 연결부; 및
상기 제2 금속막과 상기 연결부 사이에 배치된 제2 용량성 소자를 더 포함하는 내장형 안테나.
제 12 항에 있어서,
상기 제2 클리어런스부는 상기 제1 클리어런스부와 적어도 중첩되게 형성되는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 12 항에 있어서,
상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막과 상기 연결부에 각각 연결된 칩 커패시터인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 12 항에 있어서,
상기 제2 용량성 소자는 상기 연결부에서 연장되는 연장부와 상기 제2 금속막과 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 12 항에 있어서,
상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 제3 돌출부와 상기 연결부에서 돌출된 적어도 하나의 제4 돌출부가 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 금속막, 상기 급전선 및 상기 제1 용량성 소자로 이루어진 루프의 길이, 상기 제1 용량성 소자의 커패시턴스 값, 상기 제2 용량성 소자의 커패시턴스 값 및 상기 급전부와 상기 방사부 사이의 이격거리 중 어느 하나에 의해 신호의 공진 주파수가 조절되는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 금속막은 접지 전압을 제공하는 그라운드인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는 상기 제1 금속막 및 상기 급전선과 중첩되는 금속선으로 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는
상기 제1 금속막과 중첩되는 금속선; 및
상기 금속선과 연결되고, 상기 제1 클리어런스부의 경계면과 적어도 중첩되는 중첩부를 더 포함하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는
상기 제1 금속막과 중첩되는 금속선;
상기 금속선과 연결되고, 상기 제1 클리어런스부의 경계면과 적어도 중첩되는 중첩부; 및
상기 급전선과 적어도 중첩되는 연장선을 더 포함하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는 상기 급전선과 적어도 중첩되는 환형의 금속 패턴인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는 상기 급전선과 적어도 중첩되며, 일변이 개방된 고리 형태의 금속 패턴인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는
상기 제1 금속막과 중첩되며, 상기 급전부를 노출시키는 슬릿이 형성된 제2 금속막을 더 포함하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 급전선은 상기 제1 클리어런스부를 가로질려 형성되며,
상기 급전선을 중심으로 상기 급전선 양측으로 급전 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 1 항에 있어서,
상기 방사부는
상기 제1 금속막과 중첩되며, 제2 클리어런스부가 형성된 제2 금속막을 더 포함하되,
상기 제2 클리어런스부는 슬롯 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제26 항에 있어서,
상기 슬롯은 상기 급전부와 중첩되며, 상기 제2 금속막의 일측이 개방되도록 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 26 항에 있어서,
상기 슬롯 종단에 상기 제2 금속막 각각에 연결된 제2 용량성 소자를 더 포함하는 내장형 안테나.
제 28 항에 있어서,
상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막 사이에 상기 제2 금속막에 연결된 칩 커패시터인 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 28 항에 있어서,
상기 제2 용량성 소자는 상기 제2 금속막의 경계에서 돌출된 적어도 하나의 돌출부와 상기 제2 금속막 사이가 소정의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 26 항에 있어서,
상기 제2 금속막은 상기 제1 금속막의 면적과 상응하는 면적으로 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
제 26 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 금속막은 상기 제1 금속막의 면적에 비해 더 작게 형성된 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.
급전점;
일단이 상기 급전점과 연결된 급전선;
상기 급전선이 배치되는 클리어런스부가 형성된 금속막;
상기 금속막과 상기 급전선 종단 사이에 배치된 용량성 소자; 및
상기 방사부와 소정간격 이격되어 형성된 방사부를 포함하되,
상기 방사부는 상기 급전선, 상기 금속막 및 상기 용량성 소자에 흐르는 급전 전류에 의해 생성된 커플링 소스에 의해 신호를 방사하는 것을 특징으로 하는 내장형 안테나.