KR20120078909A - 신규한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막 - Google Patents

신규한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막 Download PDF

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KR20120078909A
KR20120078909A KR1020110000209A KR20110000209A KR20120078909A KR 20120078909 A KR20120078909 A KR 20120078909A KR 1020110000209 A KR1020110000209 A KR 1020110000209A KR 20110000209 A KR20110000209 A KR 20110000209A KR 20120078909 A KR20120078909 A KR 20120078909A
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윤상웅
류준성
이수정
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닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤
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본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 유기 아미노규소 화합물을 제공한다.
Figure pat00021

상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나 이상이 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로 고리기이거나; 또는 R1 내지 R4 중 둘 이상이 Si와 함께 융합되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리기를 형성하며, 헤테로 고리기가 아닌 나머지 치환체들은 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬로 치환될 수 있음.

Description

신규한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막{A NEW ORGANIC AMINO SILICON COMPOSITION AND THIN FILM COMPRISING SILICON BY USING THE SAME}
본 발명은 신규한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 열적으로 안정하고 휘발성이 증가되어, 양질의 실리콘 박막을 형성하기에 적합한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막에 관한 것이다.
산화 규소 또는 질화 규소 박막과 같은 규소 함유 박막은 안정하고, 전기적 절연 성질이 우수하여 절연체로 많이 사용되고 있다, 최근 다결정 실리콘 박막이 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor. TFT), 태양전지 등에 이용되고 있다.
이러한 규소 함유 박막은 다양한 방법에 의해 제조될 수 있으며, 예를 들면, 디클로로실란 및 암모니아를 전구체 반응물로 사용하는 화학증기증착법(LPCVD), 암모니아 또는 질소 존재 하에 유기 실란을 이용하는 화학증기증착법 등이 규소 함유 박막 형성법으로 알려져 있다.
한편, 상기와 같이 화학기상증착 공정을 이용하여 규소 함유 박막을 형성함에 있어서, 전구체 물질의 특성이 매우 중요하며, 규소 함유 박막을 형성하기에 적합한 물성을 갖는 전구체 물질을 개발하기 위한 노력이 계속되고 있다.
현재 산화 규소 박막 또는 질화 규소 박막용 전구체로 사용될 수 있는 물질로는 클로로실란류, 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS), 디-3차부틸실란, Si[N(CH2)3]4, SiH[N(CH3)2]3, SiH2[N(CH3)2]2, SiH3[N(CH3)2] 등이 알려져 있다.
우수한 규소 함유 박막을 형성하기 위해서는 전구체 물질은 200℃ 이하에서 충분히 높은 증기압을 가져야 하며, 기화시키기 위해 가열하는 동안 열적으로 안정하여야 한다. 또한, 350℃ 내지 500℃의 기질 온도에서 유기 물질의 분해 없이 신속히 분해되어야 할 뿐 아니라, 저장 기간 동안 공기 및/또는 습기에 대한 반응성이 낮아야 한다. 또한, 전구체 자체 또는 전구체 분해 물질에 독성이 없어야 하며, 경제성을 고려할 때, 제조가 간단하고, 원재료 단가가 저렴한 것이 바람직하다.
본 발명은 규소 함유 박막 형성시에 전구체로 사용될 수 있는 적합한 특성을 갖는 신규한 유기 아미노규소 화합물 및 이를 포함하는 규소 함유 박막을 제공한다.
이를 위해 본 발명은 일 측면에서, 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 유기 아미노규소 화합물을 제공한다.
Figure pat00001
상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나 이상이 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로 고리기이거나; 또는 R1 내지 R4 중 둘 이상이 Si와 함께 융합되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리기를 형성하며, 헤테로 고리기가 아닌 나머지 치환체들은 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬로 치환될 수 있다.
보다 바람직하게는, 본 발명의 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되고, 상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R3는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이고, 상기 R2는 H, 알킬, 알콕시, 할로겐 또는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이며, 상기 R4는 H, 알킬, 알콕시 또는 할로겐일 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되고, 상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로고리기를 형성하며, 상기 R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시, 할로겐이거나, 또는 R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리를 형성할 수 있다. 이때 상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬 치환될 수 있다.
한편, 본 발명의 화합물은 하기 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물 중에서 선택될 수 있다.
Figure pat00002
상기 화학식2에서, R2 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐임.
Figure pat00003
상기 화학식 3에서, R4는 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐임.
Figure pat00004
상기 화학식 4에서, R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 N원자들은 각각 알킬로 치환될 수 있음.
Figure pat00005
상기 화학식 5에서, 상기 N원자들은 각각 알킬로 치환될 수 있음.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 헤테로 고리기는 N 원자를 1 또는 2개 포함하는 5 내지 6원 헤테로 고리기인 것이 보다 바람직하며, 보다 더 바람직하게는, 상기 R1 및 R3가 피롤릴기 또는 피롤리디닐기이거나, 또는 상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로고리기를 형성하고, R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
본 발명의 화합물의 구체적인 예로는, 비스 N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란, 디피롤릴실란, 트리피롤리디닐실란, N,N'-디메틸에틸렌디아미노디클로로실란 또는 N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란 등을 들 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기와 같은 유기 아미노규소 화합물을 전구체로 사용하여 제조되는 규소 함유 박막을 제공한다.
본 발명의 신규한 유기 아미노규소 화합물은 열적으로 안정하고, 휘발성이 우수하며, 따라서, 본 발명의 화합물을 이용하면 양질의 규소 함유 박막을 형성할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 의해 제조된 화합물의 1H-NMR 데이터이다.
도 2는 실시예 2에 의해 제조된 화합물의 1H-NMR 데이터이다.
도 3은 실시예 3에 의해 제조된 화합물의 1H-NMR 데이터이다.
도 4는 실시예 4에 의해 제조된 화합물의 1H-NMR 데이터이다.
도 5는 실시예 6에 의해 제조된 규소 함유 박막의 IR 데이터다.
도 6은 실시예 6에 의해 제조된 규소 함유 박막의 전류 밀도 측정 데이터이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
먼저, 용어에 대해서 설명한다.
본 발명에서 사용되는 '알킬'은 탄소수 1~ 10개로 구성된 탄화수소를 의미하는 것으로, 선형(linear), 분지형(branched), 치환 또는 미치환된 탄화수소를 모두 포함한다.
본 발명에서 사용되는 '헤테로 고리'는 탄소 이외의 원소를 1개 이상 포함하고, 3 내지 10개의 원자를 포함하는 포화, 불포화, 치환 또는 미치환된 지방족 또는 방향족 고리를 의미한다. 상기 헤테로 고리의 구체적인 예로는 아지리딘, 아제티딘, 피롤릴, 피롤리디닐 등이 포함된다. 한편, 본 발명에 있어서, 상기 헤테로 고리기는 1종 이상의 치환체로 치환 가능한 최대수까지 치환될 수 있다.
본 발명은, 규소 함유 박막 형성용 전구체로 유용하게 사용될 수 있는, 신규한 유기아미노규소 화합물에 관한 것으로, 본 발명의 유기 아미노규소 화합물은 하기 화학식 1으로 표현된다.
Figure pat00006
상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나 이상이 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로 고리기이거나; 또는 R1 내지 R4 중 둘 이상이 Si와 함께 융합되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리기를 형성하며, 헤테로 고리기가 아닌 나머지 치환체들은 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬로 치환될 수 있다.
즉, 본 발명의 화합물은 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로 고리기를 1개 이상 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 이때 상기 헤테로 고리기는 N 원자를 1 ~ 2개 포함하는 5 내지 6원 헤테로 고리기인 것이 보다 바람직하며, 상기 헤테로 고리기의 N 원자는 알킬 등으로 치환될 수 있다.
보다 구체적으로는, 본 발명의 화합물은, 상기 화학식 1로 표시되고, 상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R3는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이고, 상기 R2는 H, 알킬, 알콕시, 할로겐 또는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이며, 상기 R4는 H, 알킬, 알콕시 또는 할로겐일 수 있다.
또한, 본 발명의 화합물은 상기 화학식 1로 표시되고, 상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로고리기를 형성하며, 상기 R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시, 할로겐이거나, 또는 R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리를 형성할 수 있다. 이때 상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬 치환될 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 화합물은 상기 헤테로 고리기로 피롤릴기 또는 피롤리디닐기를 포함할 수 있으며, 또는 R1 내지 R4 중 둘 이상의 치환기가 Si와 함께 융합되어, 1 ~ 2개의 N 원자를 포함하는 5 내지 6원 헤테로 고리기를 형성할 수 있다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화합물은, 상기 R1 및 R4가 피롤릴기 또는 피롤리디닐기이거나, 또는 상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로고리기를 형성하고, R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로 고리를 형성할 수 있다.
보다 구체적으로는, 본 발명의 화합물은, 하기 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물 들로부터 선택되는 1종일 수 있다.
Figure pat00007
상기 화학식2에서, R2 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이다.
Figure pat00008
상기 화학식3에서, R4는 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이다.
Figure pat00009
상기 화학식 4에서, R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 N원자들은 각각 알킬로 치환될 수 있다.
Figure pat00010
상기 화학식 5에서, 상기 N원자들은 각각 알킬로 치환될 수 있다.
이러한 본 발명의 화합물의 구체적인 예로는, 비스 N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란(bis-N,N'-dimethylethylenediaminosilane), 디피롤릴실란(dipyrrolylsilane), 트리피롤리디닐실란(tripyrrolidinylsilane), N,N'-디메틸에틸렌디아미노디클로로실란(N,N'-dimethylethylenediaminodichlorosilane) 또는 N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란(N,N'-dimethylethylenediaminosilane) 등을 들 수 있다. 등을 들 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 화합물은 질소분위기 하에서 모노-, 디-, 트리-, 테트라클로라이드실란에 트리에틸아민과 N을 포함하는 헤테로고리의 아민을 첨가한 다음, 저온에서부터 서서히 상온으로 승온하면서 반응시켜 실란과 헤테로고리아민이 결합된 헤테로고리아미노실란 화합물을 생성시킴으로써 제조될 수 있다. 이때, 수득율을 향상시키기 위해 부반응물(트리에틸아민클로라이드염)을 제거하는 공정이나, 순도가 높은 화합물을 얻기 위한 진공증류 등을 함께 실시할 수 있다.
한편, 상기와 같은 본 발명의 화합물은 규소 함유 박막 형성용 전구체로 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물을 당해 기술 분야에 잘 알려진 방법들, 예를 들면 화학증기증착(CVD), 저압 화학 증기 증착(LPCVD), 플라즈마 증진 화학증착(PECVD), 원자층 증착(ALD) 등을 통해 증착시킴으로써 규소 함유 박막을 형성할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
실시예 1: 비스-N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란의 합성
질소 분위기 하에서 500ml 플라스크에 16.99g(0.1몰)의 테트라클로오로실란 및 300ml의 톨루엔을 첨가하였다. 플라스크를 -20℃로 냉각하였다. 여기에 트리에틸아민 40.88g(0.4몰)을 천천히 첨가한 다음 30분간 교반 후에 N,N`-디메틸에틸렌디아민 17.63g(0.2몰)을 천천히 첨가하였다. 그런 다음 플라스크의 온도가 서서히 실온으로 가온 되도록 하고 24시간 동안 상온에서 교반 하였다. 상층은 액체, 하층은 흰색고체로 두 층이 형성되었다. 유리필터를 이용하여 흰색고체를 여과하고 액체를 분리하였다. 감압 하에서 증류하여 용매를 제거하고 무색투명의 화합물 25g을 얻었다. 수득된 화합물의 1H-NMR 데이터를 도 1에 도시하였다.
Figure pat00011

실시예 2: 디피롤릴실란(dipyrrolylsilane)의 합성
질소 분위기 하에서 250ml 플라스크에 9.22g(0.05몰)의 디페닐실란 및 50ml의 펜탄을 첨가하였다. 플라스크를 -20℃로 냉각하였다. 여기에 15.01g(0.1mol)의 트리플루오로메탄술폰산을 천천히 첨가하였다. 첨가 후 천천히 실온으로 가온하여 24시간 교반하였다. 플라스크를 다시 -20℃로 냉각하였다. 트리에틸아민 10.22g(0.1몰)을 천천히 첨가한 다음 30분간 교반 후, 6.71g(0.1몰)피롤를 천천히 첨가하였다. 그런 다음 플라스크의 온도가 서서히 실온으로 가온 되도록 하고 2시간 동안 상온에서 교반하였다. 액체의 두 층이 형성되었다. 분별 깔때기를 이용하여 상층의 액체만 분리하였다. 이 액체를 감압 하에서 증류하여 용매를 제거하고 무색투명의 화합물 2.5g을 얻었다. 수득된 화합물의 1H-NMR 데이터를 도 2에 도시하였다.
Figure pat00012

실시예 3: 트리피롤리디닐실란(tripyrrolidinylsilane)의 합성
질소 분위기 하에서 250ml 플라스크에 13.02g(0.05몰)의 트리페닐실란 및 50ml의 톨루엔을 첨가하였다. 플라스크를 -20℃로 냉각하였다. 여기에 22.52g(0.15mol)의 트리플루오로메탄술폰산을 천천히 첨가하였다. 첨가 후 천천히 실온으로 가온하여 24시간 교반하였다. 플라스크를 다시 -20℃로 냉각하였다. 트리에틸아민 15.33g(0.15몰)을 천천히 첨가한 다음 30분간 교반 후, 피롤리딘를 천천히 첨가하였다. 그런 다음 플라스크의 온도가 서서히 실온으로 가온 되도록 하고 2시간 동안 상온에서 교반하였다. 액체의 두 층이 형성되었다. 분별 깔때기를 이용하여 상층의 액체만 분리하였다. 이 액체를 감압 하에서 증류하여 용매를 제거하고 무색투명의 화합물 5.8g을 얻었다. 수득된 화합물의 1H-NMR 데이터를 도 3에 도시하였다.
Figure pat00013

실시예 4: N,N'-디메틸에틸렌디아미노디클로로실란의 합성
질소 분위기 하에서 250ml 플라스크에 8.50g(0.05몰)의 테트라클로오로실란 및 150ml의 테트라하이드로퓨란을 첨가하고 플라스크를 -20℃로 냉각하였다. 여기에 트리에틸아민 10.22g(0.1몰)을 천천히 첨가한 다음 30분간 교반 후에 N,N`-디메틸에틸렌디아민 8.82g(0.1몰)을 천천히 첨가하였다. 그런 다음 플라스크의 온도가 서서히 실온으로 가온 되도록 하고 24시간 동안 상온에서 교반 하였다. 상층은 액체, 하층은 흰색고체로 두 층이 형성되었다. 유리필터를 이용하여 흰색고체를 여과하고 액체를 분리하였다. 감압 하에서 증류하여 용매를 제거하고 무색투명의 화합물 5.8g(수율 63%)을 얻었다. 수득된 화합물의 1H-NMR 데이터를 도 4에 도시하였다.
Figure pat00014

실시예 5: N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란
질소 분위기 하에서 250ml 플라스크에 테트라하이드로퓨란 150ml를 넣고, N,N'-디메틸에틸렌디아미노디클로로실란 9.2g(0.05몰) 첨가하였다. 플라스크를 -20℃로 냉각하고 트리에틸아민 10.22g(0.1몰)을 천천히 첨가한 다음 30분간 교반 후에 테드라하이드로퓨란에 1.0M의 리튬알루미늄하이드라이드가 녹아있는 용액 100ml(0.1몰) 을 천천히 첨가하였다. 그런 다음 천천히 상온으로 서서히 올려 24시간 동안 교반하였다. 흰색고체가 생겨 유리필터을 이용하여 제거하고 감압 증류하여 순수한 N,N`-디메틸에틸렌디아미노실란 3.5g(수율 60%)을 얻었다.
Figure pat00015

실시예 6 :규소 함유 박막 형성
실리콘 기판이 적재된 반응 챔버에 실시예 1에서 제조된 비스-N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란을 상온에서 휘발시켜 50sccm의 Ar 기체와 함께 주입하여 기판 상에 화학증착시켰다. 반응 가스로는 100sccm의 오존 가스를 사용하였으며, 반응 챔버 내의 압력은 2 Torr였으며, 증착 온도는 50℃였다. 박막의 성장 속도는 4.9Å/분이였으며, 박막 표면 조도는 0.253nm였다.
상기와 같이 제조된 규소 함유 박막의 IR(Thermo사 Nicolet3600) 및 전류 밀도(Hewlett-Packard사 HP-4156S)를 측정하였다. IR 측정은 Thermo사의 Nicolet3600으로 실시되었으며, 전류 밀도 측정은 휴렛 패커드(Hewlett-Packard)사의 HP-4156S으로 실시되었다. IR 측정 결과는 도 5에, 전류 밀도 측정 결과는 도 6에 도시하였다. 도 5를 통해, 본 발명의 화합물을 이용하여 형성된 규소 함유 박막 내에 O-Si-O 결합이 존재함을 알 수 있으며, 전류 밀도가 10-5A/cm2 미만으로 우수한 전기 절연성을 가짐을 알 수 있다.

Claims (10)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 신규한 유기 아미노규소 화합물.
    Figure pat00016

    상기 화학식 1에서, R1 내지 R4 중 적어도 하나 이상이 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로 고리기이거나; 또는
    R1 내지 R4 중 둘 이상이 Si와 함께 융합되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리기를 형성하며,
    헤테로 고리기가 아닌 나머지 치환체들은 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며,
    상기 헤테로 고리의 N 원자는 알킬로 치환될 수 있음.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R3는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이고,
    상기 R2는 H, 알킬, 알콕시, 할로겐 또는 1개 이상의 N 원자를 포함하는 3 ~ 10원 헤테로고리기이며,
    상기 R4는 H, 알킬, 알콕시 또는 할로겐인 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로고리기를 형성하며,
    상기 R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시, 할로겐이거나, 또는
    R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 1개 이상의 N 원자를 포함하는 4 ~ 10원 헤테로 고리를 형성하는 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 N 원자는 알킬 치환된 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유기 아미노규소 화합물은 하기 화학식 2 내지 5로 표시되는 화합물 중에서 선택되는 신규한 유기 아미노 규소 화합물.
    Figure pat00017

    상기 화학식2에서, R2 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐임.
    Figure pat00018

    상기 화학식3에서, R4는 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐임.
    Figure pat00019

    상기 화학식 4에서, R3 및 R4는 각각 수소, 알킬, 알콕시 또는 할로겐이며, 상기 N원자는 각각 알킬로 치환될 수 있음.
    Figure pat00020

    상기 화학식 5에서, 상기 N 원자는 각각 알킬로 치환될 수 있음.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 헤테로 고리기는 N 원자를 1 또는 2개 포함하는 5 내지 6원 헤테로 고리기인 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 R1 및 R3는 피롤릴기 또는 피롤리디닐기인 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 R1 및 R2가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로고리기를 형성하고,
    R3 및 R4가 Si와 함께 융합(fused)되어 2개의 N 원자를 포함하는 5원 헤테로 고리를 형성하는 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    비스 N,N'-디메틸에틸렌디아미노실란, 디피롤릴실란, 트리피롤리디닐실란, N,N'-디메틸에틸렌디아미노디클로로실란 또는 N,N`-디메틸에틸렌디아미노실란인 신규한 유기 아미노규소 화합물.
  10. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항의 유기 아미노규소 화합물을 전구체로 사용하여 제조되는 규소 함유 박막.
KR1020110000209A 2011-01-03 2011-01-03 신규한 유기아미노 규소 화합물 및 이를 이용한 규소 함유 박막 KR20120078909A (ko)

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