KR20120074916A - 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 서로 마주보며 이격되고, 다수의 부화소영역을 포함하는 제1 및 제2기판과; 상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소영역 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와; 상기 제2기판 외면에 형성되고, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와, 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름과; 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 접합층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광면 방향의 기판 외면에 형성되는 블랙매트릭스 필름을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.

새로운 평판디스플레이 중 하나인 유기발광다이오드 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED)는 자체 발광형이기 때문에 액정표시장치(liquid crystal display device: LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다.

그리고 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다.

특히, 액티브 매트릭스 방식(active matrix type) 유기발광다이오드 표시장치에서는, 화소에 인가되는 전류를 제어하는 전압이 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전압을 유지해 줌으로써, 게이트 배선 수에 관계없이 한 화면이 표시되는 동안 발광상태를 유지할 수 있다.

이러한 유기발광다이오드 표시장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 종래의 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(10)는, 제1기판(20)과, 제1기판(20) 상부의 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각에 형성되는 구동 박막트랜지스터(Td) 및 발광다이오드(Del)와, 제1기판(20)과 마주보며 이격된 제2기판(60)과, 제1 및 제2기판(20, 60) 사이의 접합층(70)을 포함한다.

제1 및 제2기판(20, 60)은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)을 포함하는 화소영역(P)이 정의된다.

제1기판(20) 상부(내면)에는 액티브층(22)이 형성되고, 액티브층(22) 상부에는 게이트절연층(24)이 형성되고, 액티브층(22)에 대응되는 게이트절연층(24) 상부에는 게이트전극(26)이 형성되고, 게이트전극(26) 상부에는 층간절연층(30)이 형성되고, 층간절연층(30) 상부에는 액티브층(22)에 연결되는 소스전극(32) 및 드레인전극(34)이 형성된다.

여기서, 액티브층(22), 게이트전극(26), 소스전극(32) 및 드레인전극(34)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성한다.

소스전극(32) 및 드레인전극(34) 상부에는 구동 박막트랜지스터(Td)를 덮는 보호층(40)이 형성되고, 보호층(40) 상부에는 드레인전극(34)에 연결되는 제1전극(42)이 형성되고, 제1전극(42) 상부에는 제1전극(42)의 가장자리를 덮으며 제1전극(42)을 노출하는 뱅크층(44)이 형성되고, 노출된 제1전극(42) 및 뱅크층(44) 상부에는 발광층(46)이 형성되고, 발광층(46) 상부에는 제2전극(48)이 형성된다.

여기서, 제1전극(42), 발광층(46) 및 제2전극(48)은 발광다이오드(Del)를 구성하는데, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)의 발광다이오드(Del)는 각각 적, 녹, 청색광을 출사한다.

그리고, 제1기판(20)은 접합층(70)에 의하여 제2기판(60)과 합착 되는데, 제2기판(60)은 구동 박막트랜지스터(Td) 및 발광다이오드(Del)를 보호하는 역할을 하며, 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 불리기도 한다.

한편, 제2기판(60) 상부(외면)에는 편광필름(62)이 형성되는데, 편광필름(62)은 유기발광다이오드 표시장치(10)로 입사된 외부광의 반사를 방지하는 역할을 하며, 선편광자(linear polarizer) 및 1/4파장플레이트(quarter wave plate: QWP)로 구성될 수 있다.

유기발광다이오드 표시장치(10)는 반사율이 상대적으로 높은 금속박막으로 형성되는 다수의 전극이나 배선을 포함하는데, 유기발광다이오드 표시장치(10)로 입사된 외부광은 이러한 다수의 전극이나 배선에서 반사되어 유기발광다이오드 표시장치(10)로부터 출사될 수 있다.

이러한 반사된 외부광은 영상을 표시하기 위하여 발광다이오드(Del)로부터 출사되는 적, 녹, 청색광을 간섭하여 화질을 떨어뜨리는 요인이 되는데, 예를 들어 블랙영상의 휘도를 상승시켜 유기발광다이오드 표시장치(10)의 대조비(contrast ratio)를 저하시킬 수 있다.

이를 방지하기 위하여 편광필름(62)이 사용되는데, 편광되지 않은 외부광이 입사되면 선편광자에 의하여 제1편광축의 선편광이 되고 1/4파장플레이트에 의하여 원편광이 된 후, 유기발광다이오드 표시장치(10)의 다수의 전극이나 배선에 의하여 반사되는데, 이때 원편광의 방향이 반대가 된다.

예를 들어, 1/4파장플레이트에 의하여 좌원편광이 된 외부광은 다수의 전극이나 배선에서 반사되어 우원편광이 되고, 1/4파장플레이트에 의하여 우원편광이 된 외부광은 다수의 전극이나 배선에서 반사되어 좌원편광이 될 수 있다.

이러한 반대방향의 원편광은 1/4파장플레이트에 의하여 제1편광축과 상이한 제2편광축의 선편광이 된 후, 선편광자에 의하여 차단된다.

따라서, 유기발광다이오드 표시장치(10)로 입사되는 외부광의 반사광은 편광필름(62)에 의하여 차단되어 유기발광다이오드 표시장치(10)의 화질저하를 방지한다.

그런데, 이러한 편광필름(62)은, 투과율이 상대적으로 낮아서 유기발광다이오드 표시장치(10)의 휘도저하 요인으로 작용한다.

즉, 편광필름(62)은 통상 약 42%의 투과율을 가지는데, 이에 따라 저하된 휘도를 보상하기 위하여 발광다이오드(Del)를 더 높은 전류로 구동함으로써 소비전력이 증가하고 수명이 감소하는 문제가 있다.

이를 개선하기 위하여 뱅크층(44)을 불투명한 물질로 형성하여 뱅크층(44) 하부의 다수의 전극이나 배선을 가림으로써 외부광의 반사를 방지하는 방법이 제안되었으나, 불투명한 물질로 형성된 뱅크층(44)으로부터 불순물이 분출되어 발광다이오드(Del)의 발광층(46)을 오염 및 파괴시키는 문제가 있으며, 하부발광(bottom emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치에는 적용할 수 없다는 문제가 있다.

본 발명은, 기판 외면에 블랙매트릭스 필름을 형성하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비가 개선되어 소비전력이 절감되고 수명이 증가된 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은, 기판 외면에 블랙매트릭스 필름 및 패턴드 리타더(patterned retarder)층을 형성함으로써, 3차원 영상의 크로스토크(crosstalk)가 개선된 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 서로 마주보며 이격되고, 다수의 부화소영역을 포함하는 제1 및 제2기판과; 상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소영역 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와; 상기 제2기판 외면에 형성되고, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와, 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름과; 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 접합층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.

여기서, 상기 차단부 및 상기 투과부는 각각, 상기 다수의 부화소영역 사이에 연결되는 스트라이프 형태로 구성될 수 있다.

그리고, 상기 차단부는, 투명한 베이스 필름의 내부, 상부 또는 하부에 형성될 수 있다.

또한, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 좌안 리타더 및 우안 리타더를 포함하고, 상기 블랙매트릭스 필름 상부에 형성되는 패턴드 리타더층을 더 포함할 수 있다.

한편, 본 발명은, 서로 마주보며 이격되고, 다수의 부화소영역을 포함하는 제1 및 제2기판과; 상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소영역 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와; 상기 제1기판 외면에 형성되고, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와, 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름과; 상기 제1 및 제2기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 접합층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.

여기서, 상기 차단부 및 상기 투과부는 각각, 상기 다수의 부화소영역 사이에 연결되는 스트라이프 형태로 구성될 수 있다.

그리고, 상기 차단부는, 투명한 베이스 필름의 내부, 상부 또는 하부에 형성될 수 있다.

또한, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 좌안 리타더 및 우안 리타더를 포함하고, 상기 블랙매트릭스 필름 하부에 형성되는 패턴드 리타더층을 더 포함할 수 있다.

다른 한편, 본 발명은, 제1기판의 일면의 다수의 부화소영역 각각에, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드를 형성하는 단계와; 상기 제1기판과 제2기판을 합착하는 단계와; 상기 제2기판의 외면에, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공한다.

또 다른 한편, 본 발명은, 제1기판의 일면의 다수의 부화소영역 각각에, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드를 형성하는 단계와; 제2기판의 일면에, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부를 형성하는 단계와와 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 단계를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에서는, 기판 외면에 블랙매트릭스 필름을 형성하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하고 소비전력을 절감하고 수명을 증가시킬 수 있다.

또한, 기판 외면에 형성된 블랙매트릭스 필름 상부에 패턴드 리타더(patterned retarder)층을 형성함으로써, 3차원 영상의 크로스토크(crosstalk)를 저감하여 3차원 영상의 화질을 개선할 수 있다.

도 1은 종래의 유기발광다이오드 표시장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 회로 구성도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 평면도.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 회로 구성도이다.

도 2에 도시한 바와 같이, 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 서로 교차하여 화소영역(P)을 구성하는 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)을 정의하는 다수의 게이트배선(GL1 내지 GLm), 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLn) 및 다수의 파워배선(PL1 내지 PLn)과, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광 다이오드(Del)를 포함한다.

스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 다수의 게이트배선(GL1 내지 GLm) 및 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLn)에 연결되고, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)와 다수의 파워배선(PL1 내지 PLn) 사이에 연결되고, 발광 다이오드(Del)는 구동 박막트랜지스터(Td)에 연결된다.

이러한 유기발광다이오드 표시장치(110)의 영상표시 동작을 살펴보면, 다수의 게이트배선(GL1 내지 GLm)에 인가된 게이트신호에 따라 스위칭 박막트랜지스터(Ts)가 턴-온(turn-on) 되면, 다수의 데이터배선(DL1 내지 DLn)에 인가된 데이터신호가 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통해 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)의 일 전극에 인가된다.

구동 박막트랜지스터(Td)는 게이트전극에 인가된 데이터신호에 따라 턴-온 되며, 그 결과 데이터신호에 비례하는 전류가 다수의 파워배선(PL1 내지 PLn)으로부터 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 발광 다이오드(Del)로 흐르게 되고, 발광 다이오드(Del)는 구동 박막트랜지스터(Td)를 통하여 흐르는 전류에 비례하는 휘도로 발광한다.

이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 비례하는 전압으로 충전되어, 일 프레임(frame) 동안 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극의 전압이 일정하게 유지되도록 한다.

따라서, 유기발광다이오드 표시장치(110)는 게이트신호 및 데이터신호에 의하여 원하는 영상을 표시할 수 있다.

여기서, 유기발광다이오드 표시장치(110)로 입사되는 외부광의 반사를 방지하기 위하여 유기발광다이오드 표시장치(110)의 기판 외면에는 블랙매트릭스 필름(172)이 형성되는데, 블랙매트릭스 필름(172)은 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 가리도록 형성된다.

유기발광다이오드 표시장치(110)에 있어서, 금속물질로 이루어지는 다수의 전극이나 배선은 주로 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등에 형성되는데, 이러한 다수의 전극이나 배선을 가리는 차단부(172a)를 포함하는 블랙매트릭스 필름(172)을 형성함으로써 다수의 전극이나 배선에서의 외부광 반사를 방지할 수 있다.

즉, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(도 1의 10)에 사용되는 편광필름(도 1의 62)을 생략하고 차단부(172a) 및 투과부(172b)로 구성되는 블랙매트릭스 필름(172)을 이용하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하여 소비전력을 감소시키고 수명을 증가시킬 수 있다.

이러한 유기발광다이오드 표시장치의 구체적 구성을 도면을 참조하여 설명한다.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도로서, 도 3의 절단선 IV-IV에 대응되는 도면인데 편의상 데이터배선 및 파워배선은 생략한다.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 상부발광(top emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 제1기판(120)과, 제1기판(120) 상부의 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)와, 제1기판(120)과 마주보며 이격된 제2기판(160)과, 제2기판(160) 상부의 블랙매트릭스 필름(172)과, 제1 및 제2기판(120, 160) 사이의 접합층(170)을 포함한다.

제1 및 제2기판(120, 160)은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)을 포함하는 화소영역(P)이 정의된다.

제1기판(120) 상부(내면)에는 액티브층(122)이 형성되고, 액티브층(122) 상부에는 게이트절연층(124)이 형성되고, 액티브층(122)에 대응되는 게이트절연층(124) 상부에는 게이트전극(126)이 형성된다.

그리고, 게이트절연층(124) 상부에는, 게이트전극(126)에 연결되고 일 방향으로 연장되는 게이트배선(128)과 게이트전극(126)에 연결되는 제1커패시터전극이 형성된다.

게이트전극(126) 및 게이트배선(128) 상부에는 층간절연층(130)이 형성되고, 층간절연층(130) 상부에는 액티브층(122)에 연결되는 소스전극(132) 및 드레인전극(134)과, 소스전극(132)에 연결되고 게이트배선(128)과 교차하는 파워배선(136)이 형성된다.

그리고, 층간절연층(130) 상부에는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 소스전극에 연결되고 게이트배선(128)과 교차하는 데이터배선(136)과, 제1커패시터전극과 중첩되는 제2커패시터전극이 형성된다.

여기서, 액티브층(122), 게이트전극(126), 소스전극(132) 및 드레인전극(134)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성하고, 제1커패시터전극, 층간절연층(130) 및 제2커패시터전극은 스토리지 커패시터(Cst)를 구성하는데, 도시하지는 않았지만 스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 구동 박막트랜지스터(Td)와 동일한 단면구성으로 형성될 수 있다.

그리고, 소스전극(132) 및 드레인전극(134) 상부에는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 덮는 보호층(140)이 형성되고, 보호층(140) 상부에는 드레인전극(134)에 연결되는 제1전극(142)이 형성되고, 제1전극(142) 상부에는 제1전극(142)의 가장자리를 덮으며 제1전극(142)을 노출하는 뱅크층(144)이 형성되고, 노출된 제1전극(142) 및 뱅크층(144) 상부에는 발광층(146)이 형성되고, 발광층(146) 상부에는 제2전극(148)이 형성된다.

여기서, 제1전극(142), 발광층(146) 및 제2전극(148)은 발광다이오드(Del)를 구성하는데, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)의 발광다이오드(Del)는 각각 적, 녹, 청색광을 출사한다.

그리고, 제1기판(120)은 접합층(170)에 의하여 제2기판(160)과 합착 되는데, 제2기판(160)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)를 보호하는 역할을 하며, 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 불리기도 한다.

접합층(170)은 아크릴 또는 에폭시와 같은 경화성 수지로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 제1 및 제2기판(120, 160)의 가장자리에 씰패턴을 형성하여 제1 및 제2기판(120, 160)을 합착할 수 있으며 이 경우 접합층(170)은 생략할 수 있다.

한편, 제2기판(160) 상부(외면)에는 블랙매트릭스 필름(172)이 형성되는데, 블랙매트릭스 필름(172)은 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 대응되는 차단부(172a)와, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 발광다이오드(Del)에 대응되는 투과부(172b)를 포함한다.

도 3 및 도 4에서는 차단부(172a)가 투명한 베이스 필름 내부에 형성되지만, 다른 실시예에서는 차단부(172a)가 투명한 베이스 필름의 상부 또는 하부에 형성될 수도 있다.

차단부(172a)는 블랙카본 등의 불투명한 물질로 이루어지고, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 사이에 연결 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있으며, 투과부(172b)는 투명한 물질로 이루어지고, 차단부(172a) 사이에 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있다.

블랙매트릭스 필름(172)의 차단부(172a)가 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 비발광부에 해당하는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 가리고, 블랙매트릭스 필름(172)의 투과부(172b)가 발광부에 해당하는 발광다이오드(Del)를 노출하므로, 블랙매트릭스 필름(172)은 개구율 저하 없이 외부광의 반사를 방지할 수 있다.

즉, 금속물질로 이루어지는 다수의 전극이나 배선을 포함하는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)로 입사되는 외부광은 블랙매트릭스 필름(172)의 차단부(172a)에 흡수되어 반사가 방지되고, 발광다이오드(Del)의 광은 블랙매트릭스 필름(172)의 투과부(172b)를 통하여 외부로 출사되어 개구율 손실이 방지된다.

따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(도 1의 10)에 사용되는 편광필름(도 1의 62)을 생략하고 차단부(172a) 및 투과부(172b)로 구성되는 블랙매트릭스 필름(172)을 이용하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하여 소비전력을 감소시키고 수명을 증가시킬 수 있다.

이러한 유기발광다이오드 표시장치(110)의 제조방법을 설명하면, 노광식각공정(photolithographic process) 등을 반복하여 제1기판(120) 일면에 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del) 등을 형성하고, 접합층(270)을 개재하여 제1 및 제2기판(120, 160)을 합착한다.

그리고, 제2기판(160) 외면에 차단부(172a) 및 투과부(172b)를 포함하는 블랙매트릭스 필름(172)을 부착함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(110)를 완성한다.

이때, 블랙매트릭스 필름(172)의 차단부(172a)가 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 대응되고 블랙매트릭스 필름(172)의 투과부(172b)가 발광다이오드(Del)에 대응되도록 블랙매트릭스 필름(172)을 정렬하여 제2기판(130) 외면에 부착한다.

한편, 다른 실시예에서는, 이와 상이한 방법으로 블랙매트릭스 필름(172)을 형성할 수 있는데, 노광식각공정(photolithographic process) 등을 반복하여 제1기판(120) 일면에 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del) 등을 형성하고, 제2기판(160) 일면에 불투명한 물질로 차단부(172a)를 형성하고, 차단부(172a) 상부에 투명한 베이스 필름을 부착하여 블랙매트릭스 필름(172)을 형성한다.

여기서, 차단부(172a)는 블랙카본과 같은 불투명한 유기물질의 도포, 노광 및 현상을 통하여 형성되거나, 크롬(Cr)과 같은 불투명한 금속물질의 증착, 포토레지스트의 도포, 노광 및 현상, 불투명한 금속물질의 식각을 통하여 형성될 수 있으며, 투명한 베이스 필름은 차단부(172a) 사이의 투과부(172b)를 정의하고 차단부(172a)를 보호하는 역할을 할 수 있다.

그리고, 블랙매트릭스 필름(172)의 차단부(172a)가 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)에 대응되고 블랙매트릭스 필름(172)의 투과부(172b)가 발광다이오드(Del)에 대응되도록 제1 및 제2기판(120, 160)을 정렬하고, 발광다이오드(Del)와 블랙매트릭스 필름(172)이 형성되지 않은 타면이 서로 마주보도록 접합층(170)을 개재하여 제1 및 제2기판(120, 160)을 합착함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(110)를 완성한다.

한편, 하부발광(bottom emission) 방식의 이러한 유기발광다이오드 표시장치에 블랙매트릭스 필름을 적용할 수도 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.

도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다.

도 5에 도시한 바와 같이, 하부발광(bottom emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치(210)는, 제1기판(220)과, 제1기판(220) 상부의 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(미도시) 및 발광다이오드(Del)와, 제1기판(220) 하부의 블랙매트릭스 필름(272)과, 제1기판(220)과 마주보며 이격된 제2기판(260)과, 제1 및 제2기판(220, 260) 사이의 접합층(270)을 포함한다.

제1 및 제2기판(220, 260)은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)을 포함하는 화소영역(P)이 정의된다.

제1기판(220) 상부(내면)에는 액티브층(222)이 형성되고, 액티브층(222) 상부에는 게이트절연층(224)이 형성되고, 액티브층(222)에 대응되는 게이트절연층(224) 상부에는 게이트전극(226)이 형성된다.

그리고, 게이트절연층(224) 상부에는, 게이트전극(226)에 연결되고 일 방향으로 연장되는 게이트배선(미도시)과 게이트전극(226)에 연결되는 제1커패시터전극(미도시)이 형성된다.

게이트전극(226) 및 게이트배선 상부에는 층간절연층(230)이 형성되고, 층간절연층(230) 상부에는 액티브층(222)에 연결되는 소스전극(232) 및 드레인전극(234)과, 소스전극(232)에 연결되고 게이트배선과 교차하는 파워배선(미도시)이 형성된다.

그리고, 층간절연층(230) 상부에는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts)의 소스전극에 연결되고 게이트배선과 교차하는 데이터배선(미도시)과, 제1커패시터전극과 중첩되는 제2커패시터전극이 형성된다.

여기서, 액티브층(222), 게이트전극(226), 소스전극(232) 및 드레인전극(234)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성하고, 제1커패시터전극, 층간절연층(230) 및 제2커패시터전극은 스토리지 커패시터를 구성하는데, 도시하지는 않았지만 스위칭 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(Td)와 동일한 단면구성으로 형성될 수 있다.

그리고, 소스전극(232) 및 드레인전극(234) 상부에는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터를 덮는 보호층(240)이 형성되고, 보호층(240) 상부에는 드레인전극(234)에 연결되는 제1전극(242)이 형성되고, 제1전극(242) 상부에는 제1전극(242)의 가장자리를 덮으며 제1전극(242)을 노출하는 뱅크층(244)이 형성되고, 노출된 제1전극(242) 및 뱅크층(244) 상부에는 발광층(246)이 형성되고, 발광층(246) 상부에는 제2전극(248)이 형성된다.

여기서, 제1전극(242), 발광층(246) 및 제2전극(248)은 발광다이오드(Del)를 구성하는데, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)의 발광다이오드(Del)는 각각 적, 녹, 청색광을 출사한다.

그리고, 제1기판(220)은 접합층(270)에 의하여 제2기판(260)과 합착 되는데, 제2기판(260)은 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터 및 발광다이오드(Del)를 보호하는 역할을 하며, 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 불리기도 한다.

접합층(270)은 아크릴 또는 에폭시와 같은 경화성 수지로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 제1 및 제2기판(220, 260)의 가장자리에 씰패턴을 형성하여 제1 및 제2기판(220, 260)을 합착할 수 있으며 이 경우 접합층(270)은 생략할 수 있다.

한편, 제1기판(120) 하부(외면)에는 블랙매트릭스 필름(272)이 형성되는데, 블랙매트릭스 필름(272)은 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터에 대응되는 차단부(272a)와, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 발광다이오드(Del)에 대응되는 투과부(272b)를 포함한다.

도 5에서는 차단부(272a)가 블랙매트릭스 필름(272) 내에 형성되지만, 다른 실시예에서는 차단부(272a)가 투명한 베이스 필름 상부 또는 하부에 형성될 수도 있다.

차단부(272a)는 블랙카본 등의 불투명한 물질로 이루어지고, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 사이에 연결 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있으며, 투과부(272b)는 투명한 물질로 이루어지고, 차단부(272a) 사이에 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있다.

블랙매트릭스 필름(272)의 차단부(272a)가 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 비발광부에 해당하는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터를 가리고, 블랙매트릭스 필름(272)의 투과부(272b)가 발광부에 해당하는 발광다이오드(Del)를 노출하므로, 블랙매트릭스 필름(272)은 개구율 저하 없이 외부광의 반사를 방지할 수 있다.

즉, 금속물질로 이루어지는 다수의 전극이나 배선을 포함하는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터로 입사되는 외부광은 블랙매트릭스 필름(272)의 차단부(272a)에 흡수되어 반사가 방지되고, 발광다이오드(Del)의 광은 블랙매트릭스 필름(272)의 투과부(272b)를 통하여 외부로 출사되어 개구율 손실이 방지된다.

따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(210)에서는, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(도 1의 10)에 사용되는 편광필름(도 1의 62)을 생략하고 차단부(272a) 및 투과부(272b)로 구성되는 블랙매트릭스 필름(272)을 이용하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하여 소비전력을 감소시키고 수명을 증가시킬 수 있다.

이러한 유기발광다이오드 표시장치(210)의 제조방법을 설명하면, 노광식각공정(photolithographic process) 등을 반복하여 제1기판(120) 일면에 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터 및 발광다이오드(Del) 등을 형성하고, 접합층(270)을 개재하여 제1 및 제2기판(220, 260)을 합착한다.

그리고, 차단부(272a)가 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터에 대응되고 투과부(272b)가 발광다이오드(Del)에 대응되도록 블랙매트릭스 필름(272)을 제1기판(220) 외면에 부착함으로써, 유기발광다이오드 표시장치(210)를 완성한다.

한편, 다른 실시예에서는 블랙매트릭스 필름을 3차원 입체영상 표시를 위한 패턴드 리타더(patterned retarder)층의 블랙 스트라이프(black stripe)로 이용할 수도 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.

도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다.

도 6에 도시한 바와 같이, 상부발광(top emission) 방식의 유기발광다이오드 표시장치(310)는, 제1기판(320)과, 제1기판(320) 상부의 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(미도시) 및 발광다이오드(Del)와, 제1기판(320)과 마주보며 이격된 제2기판(360)과, 제2기판(360) 상부의 블랙매트릭스 필름(372)과, 블랙매트릭스(372) 상부의 패턴드 리타더층(374)과, 제1 및 제2기판(320, 360) 사이의 접합층(370)을 포함한다.

제1 및 제2기판(320, 360)은 유리 또는 플라스틱과 같은 투명한 재질로 이루어질 수 있으며, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)을 포함하는 화소영역(P)이 정의된다.

제1기판(320) 상부(내면)에는 액티브층(322)이 형성되고, 액티브층(322) 상부에는 게이트절연층(324)이 형성되고, 액티브층(322)에 대응되는 게이트절연층(324) 상부에는 게이트전극(326)이 형성된다.

그리고, 게이트절연층(124) 상부에는, 게이트전극(326)에 연결되고 일 방향으로 연장되는 게이트배선(미도시)과 게이트전극(326)에 연결되는 제1커패시터전극(미도시)이 형성된다.

게이트전극(326) 및 게이트배선 상부에는 층간절연층(330)이 형성되고, 층간절연층(330) 상부에는 액티브층(322)에 연결되는 소스전극(332) 및 드레인전극(334)과, 소스전극(332)에 연결되고 게이트배선과 교차하는 파워배선(미도시)이 형성된다.

그리고, 층간절연층(330) 상부에는, 스위칭 박막트랜지스터의 소스전극에 연결되고 게이트배선과 교차하는 데이터배선(미도시)과, 제1커패시터전극과 중첩되는 제2커패시터전극(미도시)이 형성된다.

여기서, 액티브층(322), 게이트전극(326), 소스전극(332) 및 드레인전극(334)은 구동 박막트랜지스터(Td)를 구성하고, 제1커패시터전극, 층간절연층(330) 및 제2커패시터전극은 스토리지 커패시터를 구성하는데, 도시하지는 않았지만 스위칭 박막트랜지스터는 구동 박막트랜지스터(Td)와 동일한 단면구성으로 형성될 수 있다.

그리고, 소스전극(332) 및 드레인전극(334) 상부에는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터를 덮는 보호층(340)이 형성되고, 보호층(340) 상부에는 드레인전극(334)에 연결되는 제1전극(342)이 형성되고, 제1전극(342) 상부에는 제1전극(342)의 가장자리를 덮으며 제1전극(342)을 노출하는 뱅크층(344)이 형성되고, 노출된 제1전극(342) 및 뱅크층(344) 상부에는 발광층(346)이 형성되고, 발광층(346) 상부에는 제2전극(348)이 형성된다.

여기서, 제1전극(342), 발광층(346) 및 제2전극(348)은 발광다이오드(Del)를 구성하는데, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)의 발광다이오드(Del)는 각각 적, 녹, 청색광을 출사한다.

그리고, 제1기판(320)은 접합층(370)에 의하여 제2기판(360)과 합착 되는데, 제2기판(360)은 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터 및 발광다이오드(Del)를 보호하는 역할을 하며, 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 불리기도 한다.

접합층(370)은 아크릴 또는 에폭시와 같은 경화성 수지로 이루어질 수 있으며, 다른 실시예에서는 제1 및 제2기판(320, 360)의 가장자리에 씰패턴을 형성하여 제1 및 제2기판(320, 360)을 합착할 수 있으며 이 경우 접합층(370)은 생략할 수 있다.

한편, 제2기판(360) 상부(외면)에는 블랙매트릭스 필름(372) 및 패턴드 리타더층(374)이 순차적으로 형성되는데, 블랙매트릭스 필름(372)은 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터3에 대응되는 차단부(372a)와, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 발광다이오드(Del)에 대응되는 투과부(372b)를 포함한다.

도 6에서는 차단부(372a)가 블랙매트릭스 필름(372) 내에 형성되지만, 다른 실시예에서는 차단부(372a)가 투명한 베이스 필름 상부 또는 하부에 형성될 수도 있다.

차단부(372a)는 블랙카본 등의 불투명한 물질로 이루어지고, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)에 연결 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있으며, 투과부(372b)는 투명한 물질로 이루어지고, 차단부(372a) 사이에 형성되어 스트라이프(stripe) 형태로 구성될 수 있다.

블랙매트릭스 필름(372)의 차단부(372a)가 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 비발광부에 해당하는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 가리고, 블랙매트릭스 필름(372)의 투과부(372b)가 발광부에 해당하는 발광다이오드(Del)를 노출하므로, 블랙매트릭스 필름(372)은 개구율 저하 없이 외부광의 반사를 방지할 수 있다.

즉, 금속물질로 이루어지는 다수의 전극이나 배선을 포함하는 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td) 및 스토리지 커패시터(Cst)로 입사되는 외부광은 블랙매트릭스 필름(372)의 차단부(372a)에 흡수되어 반사가 방지되고, 발광다이오드(Del)의 광은 블랙매트릭스 필름(372)의 투과부(372b)를 통하여 외부로 출사되어 개구율 손실이 방지된다.

그리고, 블랙매트릭스 필름(372) 상부의 패턴드 리타더층(374)은 좌안 리타더(374a) 및 우안 리타더(374b)를 포함하는데, 좌안 리타더(374a) 및 우안 리타더(374b)는 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각에 대응되며, 유기발광다이오드 표시장치(310)의 수직방향 또는 수평방향을 따라 번갈아 배치된다.

여기서, 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb)의 발광다이오드(Del)는 좌안영상 및 우안영상을 번갈아 표시하며, 패턴드 리타더층(374)의 좌안 리타더(374a) 및 우안 리타더(374b)는 각각 좌안영상 및 우안영상을 상이하게 편광하여 출사한다.

이때, 좌안영상을 표시하는 발광다이오드(Del)로부터 경사지게 출사되는 광이 좌안 리타더(374a)에 입사되지 않고 인접한 부화소영역(Pr, Pg, Pb)에 대응되는 우안 리타더(374b)에 입사되거나, 우좌안영상을 표시하는 발광다이오드(Del)로부터 경사지게 출사되는 광이 우안 리타더(374b)에 입사되지 않고 인접한 부화소영역(Pr, Pg, Pb)에 대응되는 좌안 리타더(374a)에 입사되면, 표시되어야 하는 우안영상 및 좌안영상을 방해하는 3차원 크로스토크(crosstalk)가 발생할 수 있다.

제3실시예에서는, 블랙매트릭스 필름(372)의 차단부(372a)가 적, 녹, 청 부화소영역(Pr, Pg, Pb) 각각의 경계부에 형성되어 발광다이오드(Del)로부터 경사지게 출사되는 광을 차단하므로, 이러한 차원 크로스토크(crosstalk)가 방지되어 3차원 영상의 화질이 개선된다.

따라서, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(310)에서는, 종래의 유기발광다이오드 표시장치(도 1의 10)에 사용되는 편광필름(도 1의 62)을 생략하고 차단부(372a) 및 투과부(372b)로 구성되는 블랙매트릭스 필름(372)을 이용하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하여 소비전력을 감소시키고 수명을 증가시킬 수 있다.

또한, 블랙매트릭스 필름(372)의 차단부(372a)를 패턴드 리타더층(374)의 좌안 리타더(374a) 및 우안 리타더(374b) 사이의 블랙스트라이프 역할을 하도록 함으로써, 3차원 크로스토크를 방지하여 3차원 입체영상의 화질을 개선할 수 있다.

그리고, 도시하지는 않았지만, 본 발명의 제2실시예에 따른 하부발광 방식의 유기발광다이오드 표시장치(210)의 경우에도, 제1기판(220) 외면의 블랙매트릭스 필름(272) 하부에 패턴드 리타더층을 형성하여 3차원 입체영상을 표시할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에서는, 기판 외면에 블랙매트릭스 필름을 형성하여 외부광의 반사를 방지함으로써, 휘도 및 대조비를 개선하고 소비전력을 절감하고 수명을 증가시킬 수 있다.

그리고, 이와 같은 휘도 및 수명 개선 효과는, 반사율이 상대적으로 높은 금속박막으로 이루어지는 다수의 전극이나 배선에 대응되는 비발광영역의 비율에 따라 달라지며, 비발광영역의 비율이 상대적으로 낮은 대형 사이즈의 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에서 휘도 및 수명 개선 효과는 더욱 증대된다.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

110: 유기발광다이오드 표시장치 120: 제1기판
Ts: 스위칭 박막트랜지스터 Td: 구동 박막트랜지스터
Del: 발광다이오드 160: 제2기판
172: 블랙매트릭스 필름

Claims (10)

1. 서로 마주보며 이격되고, 다수의 부화소영역을 포함하는 제1 및 제2기판과;
   상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소영역 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
   상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와;
   상기 제2기판 외면에 형성되고, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와, 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름과;
   상기 제1 및 제2기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 접합층
   을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 차단부 및 상기 투과부는 각각, 상기 다수의 부화소영역 사이에 연결되는 스트라이프 형태로 구성되는 유기발광다이오드 표시장치.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 차단부는, 투명한 베이스 필름의 내부, 상부 또는 하부에 형성되는 유기발광다이오드 표시장치.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   좌안 리타더 및 우안 리타더를 포함하고, 상기 블랙매트릭스 필름 상부에 형성되는 패턴드 리타더층을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
5. 서로 마주보며 이격되고, 다수의 부화소영역을 포함하는 제1 및 제2기판과;
   상기 제1기판 내면의 상기 다수의 부화소영역 각각에 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
   상기 구동 박막트랜지스터에 연결되는 발광다이오드와;
   상기 제1기판 외면에 형성되고, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와, 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름과;
   상기 제1 및 제2기판 사이에 형성되어 상기 제1 및 제2기판을 합착하는 접합층
   을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
6. 제 5 항에 있어서,
   상기 차단부 및 상기 투과부는 각각, 상기 다수의 부화소영역 사이에 연결되는 스트라이프 형태로 구성되는 유기발광다이오드 표시장치.
   
7. 제 5 항에 있어서,
   상기 차단부는, 투명한 베이스 필름의 내부, 상부 또는 하부에 형성되는 유기발광다이오드 표시장치.
   
8. 제 5 항에 있어서,
   좌안 리타더 및 우안 리타더를 포함하고, 상기 블랙매트릭스 필름 하부에 형성되는 패턴드 리타더층을 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
9. 제1기판의 일면의 다수의 부화소영역 각각에, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드를 형성하는 단계와;
   상기 제1기판과 제2기판을 합착하는 단계와;
   상기 제2기판의 외면에, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부와 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름을 형성하는 단계
   를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.
   
10. 제1기판의 일면의 다수의 부화소영역 각각에, 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드를 형성하는 단계와;
    제2기판의 일면에, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 구동 박막트랜지스터에 대응되는 차단부를 형성하는 단계와와 상기 발광다이오드에 대응되는 투과부를 포함하는 블랙매트릭스 필름을 형성하는 단계와;
    상기 제1 및 제2기판을 합착하는 단계
    를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법.

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