KR20120074137A - 우수한 내식성을 부여하는 마그네슘재의 표면처리방법 및 이에 따라 제조되는 표면처리된 마그네슘재 - Google Patents

우수한 내식성을 부여하는 마그네슘재의 표면처리방법 및 이에 따라 제조되는 표면처리된 마그네슘재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마그네슘 산화막을 매개한 실리콘 코팅층을 형성하므로써 우수한 내식성을 나타내는 마그네슘재의 표면처리방법 및 및 이에 따라 얻어지는 표면처리된 마그네슘재에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 마그네슘재를 알칼리 용액 혹은 암모니아수로 탈지하는 단계; 탈지된 상기 마그네슘재에 실리콘 전구체, 알코올 및 산촉매를 포함하는 실리콘 전구체 솔겔 조성물로실리콘 코팅층을 형성하는 단계; 및 건조하는 단계를 포함하는 마그네슘재의 표면처리방법; 및 마그네슘재, 마그네슘재의 최소 일면상의 마그네슘 산화막 및 상기 마그네슘 산화막상의 실리콘 코팅층을 포함하는 표면처리된 마그네슘재가 제공된다. 본 발명에 의한 마그네슘재 표면처리 방법에 의한 마그네슘 산화막을 매개하여 형성된 실리콘 코팅층을 갖는 마그네슘재는 개선된 내식성을 나타낸다. 또한, 필요에 따라, 상기 실리콘 코팅층에 안료를 첨가하므로써 마그네슘재에 색상을 구현하여 심미감을 부여할 수 있다. 본 발명에 의한 방법으로 표면처리하여 개선된 내식성이 부여된 마그네슘재는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 최근 컴퓨터, 휴대전화, 자동차 부품, 정밀 전자기기 부품 및 가전제품 등 에 적용될 수 있다.

Description

우수한 내식성을 부여하는 마그네슘재의 표면처리방법 및 이에 따라 제조되는 표면처리된 마그네슘재 {A Surface Treatment Method of Aluminum Materials Having Superior Corrosion Resistance and of Aluminum Materials Which are Surface Treated Thereby}
본 발명은 우수한 내식성을 부여하는 마그네슘재의 표면처리방법 및 이에 따라 얻어지는 우수한 내식성을 갖는 표면처리된 마그네슘재에 관한 것이며, 보다 상세하게는 마그네슘 산화막을 매개한 실리콘 코팅층을 형성하므로써 우수한 내식성을 나타내는 마그네슘재의 표면처리방법 및 이에 따라 얻어지는 우수한 내식성을 갖는 표면처리된 마그네슘재에 관한 것이다.
마그네슘 또는 마그네슘 합금(이하, "마그네슘재"라 한다)은 밀도가 알루미늄합금의 2/3정도인 1.8g/cm3정도로서 상용 구조용 합금 중에서 최소의 밀도를 가짐과 동시에 우수한 비강도 및 비탄성 계수를 갖추고 있으며 주조성이나 절삭가공성, 치수 안정성 등이 우수하다. 또한 진동, 충격에 대한 흡수성이 탁월하고 전기 및 열전도도, 가공성 및 고온에서의 피로, 충격 특성 등이 우수하고 각종 전기 기기 부품 등에서 발생하는 전자파를 효율적으로 차폐할 수 있는 전자파 차폐 특성을 갖는다. 이러한 마그네슘재는 최근 컴퓨터, 휴대전화, 자동차 부품, 정밀 전자기기 부품 및 가전제품 등 경량화 제품에 광범위하게 적용되고 있다.
그러나, 마그네슘재는 전기화학적으로 매우 큰 활성을 나타내기 때문에 표면처리되지 않는 경우에는 대기 중이나 용액 중에서 매우 빠르게 부식되는 특징을 나타낸다. 따라서 마그네슘 제품을 실용화하기 위해서는 제품의 표면을 화학적, 전기화학적 혹은 물리적으로 처리하여 부식 저항성을 높이는 내식성을 개선하는 표면처리법이 요구된다.
.
마그네슘재의 내식성을 개선하기 위한 표면처리 기술로는 양극산화법, 전기도금, 무전해도금, 도장(Painting) 양극산화, 도장, 보호막 코팅 등이 대표적이다. 구체적으로 대한민국 특허출원 2005-30369은 종래의 화학연마, 표면조정, 화성처리 및 봉공처리의 일련의 마그네슘 표면 처리 공정을 개선하여 내식성과 전도성을 확보하는 마그네슘 표면처리방법을 제시하고 있으나, 기존의 습식 표면처리 공정이 안고 있는 용액의 후처리 및 친환경성 문제를 개선하고 있지 못하다. 또한, 대한민국 특허출원 2003-83747은 기존 양극산화 방법에 이용되는 크롬 및 망간 성분이 포함된 전해질에 규연산 3나트륨 전해질 용액을 첨가하여 친환경적 전해질로 바꾸고 스파크 아노다이징 공정을 이용하여 마그네슘 합금 제품의 내식성, 내마모성 및 도장성을 향상시키는 공정을 제안하고 있다. 이와 유사한 공정으로 대한민국 특허출원 2006-15360은 알카리성 전해용액을 이용하여 마그네슘 합금 표면에 수중 플라즈마 방전을 발생시켜 마그네슘 합금 표면에 견고한 산화 세라믹 피막을 형성시키는 표면처리 방법을 제안하고 있다. 그러나, 상기한 전해질 용액에서 방전을 이용한 방법은 높은 전력 소모를 갖는 단점이 있다. 따라서, 내식성 뿐만 아니라, 미려한 표면외관 물성이 동시에 달성될 수 있는 마그네슘재의 표면처리 방법이 요구된다.
이에 본 발명의 일 구현은 마그네슘의 산화피막형성 특성을 이용한 우수한 내식성을 나타내는 마그네슘재의 표면처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 구현은 우수한 내식성을 갖는 마그네슘재를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 견지에 의하면,
마그네슘재를 알칼리 용액 혹은 암모니아수로 탈지하는 단계;
탈지된 상기 마그네슘재에 실리콘 전구체, 알코올 및 산촉매를 포함하는 실리콘 전구체 솔겔 조성물로실리콘 코팅층을 형성하는 단계; 및
건조하는 단계를 포함하는 마그네슘재의 표면처리방법이 제공된다.
본 발명의 다른 견지에 의하면,
마그네슘재; 마그네슘재의 최소 일면상의 마그네슘 산화막 및 상기 마그네슘 산화막상의 실리콘 코팅층을 포함하는 표면처리된 마그네슘재가 제공된다.
본 발명의 일 구현에 의한 마그네슘재 표면처리 방법에 의한 마그네슘 산화막을 매개하여 형성된 실리콘 코팅층을 갖는 마그네슘재는 개선된 내식성을 나타낸다. 또한, 필요에 따라, 상기 실리콘 코팅층에 안료를 첨가하므로써 마그네슘재에 색상을 구현하여 심미감을 부여할 수 있다. 본 발명에 의한 방법으로 표면처리하여 개선된 내식성이 부여된 마그네슘재는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 최근 컴퓨터, 휴대전화, 자동차 부품, 정밀 전자기기 부품 및 가전제품 등 경량화 제품에 적용되고 있다.
도 1a는 실시예 1의 표면처리에 사용되는 마그네슘재의 내식성 시험전의 표면 사진이다.
도 1b는 24시간 염수분무 시험 후, 실시예 1의 표면처리에 사용되는 마그네슘재의 표면사진이다.
도 2a는 발명예 1의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재의 내식성 시험전의 표면사진이다.
도 2b는 24시간 염수분무 시험 후, 발명예 1의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재 표면사진이다.
도 3a는 발명예 2의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재의 내식성 시험전의 표면사진이다.
도 3b는 24시간 염수분무 시험 후, 발명예 2의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재 표면사진이다.
도 4a는 발명예 3의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재의 내식성 시험전의 표면사진이다.
도 4b는 24시간 염수분무 시험 후, 발명예 3의 솔겔용액으로 표면처리된 실시예 1의 마그네슘재 표면사진이다.
마그네슘재는 표면전위가 낮은 금속이므로 대기 중에서 쉽게 산화되며 취약한 내식성을 나타낸다. 이와 같이 마그네슘재의 표면에 형성된 마그네슘 산화물은 탈지처리에 의해 MgO 및 (Mg)OH2를 포함하는 안정하고 치밀한 마그네슘 산화막으로 부동태화된다. 본 발명은 상기 안정한 마그네슘 산화막 부동태 피막이 최종 표면처리된 마그네슘재의 내식성 향상에 기여함에 근거한 것이다. 즉, 마그네슘 표면의 마그네슘 산화막을 제거하기 않고 마그네슘 산화막 위에 실리콘 피막을 형성하므로써 마그네슘의 내식성이 현저하게 개선됨을 발견하였다. 본 명세서에서 사용된 용어 "마그네슘 산화막"은 MgO 및 (Mg)OH2를 포함하는 부동태화된 막을 의미한다.
본 발명에 의한 마그네슘재의 표면처리 방법은 상기한 바와 같이, 마그네슘 및 마그네슘 합금 재료 모두에 적용될 수 있다. 본 명세서에서 마그네슘과 마그네슘 합금을 포함하여 "마그네슘재"라 한다. 마그네슘 합금은 특히 한정하지 않으며, 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 마그네슘 합금에 본 발명에 의한 방법이 적용될 수 있다. 마그네슘 합금의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 아연, 알루미늄 등의 원소를 포함하는 합금을 들 수 있다.
실리콘층을 형성하기 전에 전처리 단계로서 먼저 마그네슘재를 알칼리 혹은 암모니아수로 탈지한다. 탈지하므로써 마그네슘재 표면에서 오일, 먼지 등의 이물질이 제거될 뿐만 아니라 표면의 마그네슘 산화막이 안정하고 치밀한 부동태화된 마그네슘 산화막으로 된다. 상기 마그네슘재의 탈지는 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 방법 및 물질을 사용하여 행할 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 상기 탈지는 NaOH, KOH, 및 암모니아로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종의 탈지용액으로 행할 수 있다. 안정하고 고밀한 마그네슘 산화막이 형성되도록 탈지 용액은 pH 11 내지 pH 12 농도로 사용하는 것이 바람직하다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 마그네슘재상의 산화마그네슘이 충분히 부동태화되어 견고한 마그네슘 산화막으로 형성되도록 상온(25℃) 내지 120℃에서 3초~60초 동안 행하는 것이 바람직하다. 상기 탈지조건은 마그네슘재의 종류에 따라 상기 범위에서 적합하게 선정하여 사용할 수 있다.
탈지 처리된 마그네슘 소재는 실리콘 전구체 솔겔 조성물(이하, "솔겔 조성물"이라 함)을 사용하여 마그네슘 산화막 위에 실리콘 코팅층을 형성한다. 상기 솔겔 조성물은 실리콘 전구체, 알코올 및 산촉매를 포함한다. 상기 솔겔 조성물에서 실리콘 전구체와 알코올은 실리콘층 형성시 탈수축합반응성 및 반응정도를 고려하여 실리콘 전구체: 알코올을 체적비로 3:2 내지 2:1로 포함하는 것이 바람직하다. 알코올은 99.5wt% 농도의 알코올이 상기 체적비로 사용된다. 알코올의 농도가 달라지면, 농도와 체적의 상관관계에 따라 알코올 중의 탈수축합반응에 관련하는 히드록시기의 함량에 따라 사용양을 적합하게 조절할 수 있다.
산촉매는 솔겔 코팅 중 마그네슘 소재 및 마그네슘 산화막의 표면을 손상 혹은 변질시키지 않도록 상기 솔겔 조성물에 조성물의 pH가 3 내지 4가 되도록 첨가될 수 있다.
상기 실리콘 전구체의 예로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 테트라메톡시실란, 트리메톡시실란, 테트라에톡시 실란, 트리에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라키스(2-메톡시에톡시)실란, 테트라벤질옥시 실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, γ-이소시아네이트 프로필 트리메톡시 실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필 트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, 혹은 γ-(2-아미노에틸)프로필 트리메톡시실란)과 같은 알콕시 실란류, 테트라 이소프로페닐 옥시실란, 페닐트리이소프로페닐 옥시실란, γ-이소시아네이트 프로필 트리이소프로페닐 옥시실란, γ-메타크릴옥시 포로필 트리이소프로페닐 옥시실란, γ-메르캅토 프로필 트리 이소프로페닐 옥시실란 혹은 테트라부테닐옥시실란과 같은 알케닐 옥시실란류; 테트라아세톡시실란, 메틸트리아세톡시실란, γ-메르캅토프로필트리아세톡시실란, 테트라프로피오닐옥시실란, 페닐트리프로피오닐옥시실란 또는 비닐트리아세톡시실란과 같은 아실옥시실란류; 테트라클로로실란, 페닐트리클로로실란, 테트라브로모실란 혹은 벤질 트리브로모실란과 같은 할로실란류, 테트라키스(디메틸이미노옥시)실란, 메틸트리스(디메틸이미노옥시)실란, 테트라키스(메틸-에틸이미노옥시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리스(디메틸 이미노옥시)실란류 등을 들 수 있다.
상기 알코올로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 에탄올 및/또는 이소프로필 알코올이 사용될 수 있다. 솔겔 조성물 제조 후의 저장안정성 측면에서는 함수량이 적은 이소프로필 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 솔젤 조성물은 25℃ 이하에서 보관하는 것이 저장안정성면, 구체적으로는 변질방지 측면에서 바람직하다.
산촉매로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어 불화수소산(HF) 및/또는 질산이 사용될 수 있다. 특히, 마그네슘 산화막은 불화수소산에 비교적 안정하므로 실리콘층 하부의 마그네슘 산화막이 제거 및/또는 손상되지 않고 최종 처리된 마그네슘의 내식성 향상에 기여하도록 불화수소산을 사용하는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 실리콘 전구체 솔겔 조성물에는 염료가 추가적으로 배합될 수 있다. 염료를 포함하는 솔겔 조성물로 실리콘 코팅층을 형성하므로써 마그네슘에 다양한 색상을 구현하여 심미성을 부여할 수 있다. 상기 염료로는 무기물 염료 및/또는 유기물 염료가 사용될 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 무기물 염료로는 질산철(Fe(NO3)3), 염화제이철(FeCl3) 및 질산코발트(Co(NO3)2)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상이 사용될 수 있다. 상기 무기물 염료가 사용되는 경우에, 처리된 마그네슘은 갈색 계열의 색상 구현이 가능하다.
또한, 유기물 염료로는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 로다민(Rhodamine)이 사용될 수 있다. 로다민이 사용되는 경우에, 처리된 마그네슘은 핑크색 계열의 색상 구현이 가능하다.
색상은 첨가되는 염료의 농도를 조절하여 보다 다양한 색상으로 구현할 수 있다. 상기 실리콘 전구체 솔겔 조성물에 염료가 과량 첨가되면 솔겔 조성물이 변질될 염려가 있다. 따라서, 무기염료는 상기 솔겔 조성물의 총 중량을 기준으로 30중량% 이하, 유기염료는 2중량% 이하로 배합되는 것이 바람직하다. 상기 염료는 임의의 추가적인 성분으로서 하한 첨가량은 특히 한정되지 않는다. 상기 무기 염료 및/또는 유기 염료는 각각 단독으로 혹은 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 솔겔 조성물은 이 기술분야에 일반적으로 알려져 있는 어떠한 코팅방법으로 마그네슘 표면에 적용될 수 있다. 이로써 한정하는 것은 아니지만, 상기 솔겔 조성물은 롤 침적, 스프레이 코팅 등의 방법으로 적용될 수 있다. 상기 솔겔 조성물은 건조된 실리콘 코팅층의 두께가 10 nm 내지 3㎛이 되도록 적용될 수 있다. 코팅층 두께가 10nm 보다 얇으면 염소이온의 침투로 인하여 양호한 내식성 확보가 어려우며, 코팅층두께가 3㎛를 초과하면 코팅막이 쉽게 박리가 되고 코팅층에 크랙이 발생하기 우려가 있으므로 내식성이 저하될 수 있다.
상기 솔겔조성물을 적용 후, 건조하여 실리콘 코팅층을 형성한다. 상기 건조는 150℃ 내지 200℃의 온도에서 솔겔 조성물이 완전히 건조되는 시간 동안 행할 수 있다. 솔겔 조성물의 종류 및 코팅층의 두께에 따라, 약 30분 내지 2시간 동안 건조하므로써 완전히 건조시킬 수 있다. 건조 온도가 150℃ 미만이면 실리콘 전구체의 탈수축합에 의한 가교반응 및 건조가 불충분 하므로 바람직하지 않다. 200℃를 초과하면 솔겔 조성물을 구성하는 유기물이 연소될 수 있다.
한편, 필요에 따라, 상기 실리콘 코팅층은 2층 이상의 다수의 층으로 형성될 수 있다. 실리콘 코팅층이 다수의 층으로 형성되는 경우에 최상부 실리콘 코팅층은 150℃ 내지 200℃의 온도에서 솔겔 조성물의 종류 및 코팅층의 두께에 따라 30분에서 2시간 동안 건조한다. 그러나, 최상부 실리콘 코팅층 이외의 실리콘 코팅층은 150℃ 내지 200℃의 온도에서 상기 최상부층 건조시간 보다 짧은 시간, 구체적으로는 솔겔 조성물의 종류 및 코팅층의 두께에 따라 10분에서 30분 동안 건조하여 완전히 건조되지 않도록 한다. 이는 실리콘 코팅층이 완전히 건조되지 않도록 하여 위의 실리콘 코팅층과의 밀착력을 확보하기 위함이다. 실리콘 코팅층을 복수층으로 하면 보다 우수한 내식성 향상과 기능성을 동시에 구현 가능하다는 장점이 있다. 나아가, 상기 최상부층은 안료를 포함하지 않는 투명층으로 할 수 있다.
상기 솔겔 조성물을 적용하고 건조시 열처리하므로써 실리콘 전구체의 탈수 축합에 의해 가교반응이 진행되어 견고하고 치밀한 실리카 피막층을 형성하며, 이는 우수한 내식성을 나타낸다.
본 발명의 방법에 의한 마그네슘재의 표면처리는 가공처리 후의 최종 제품에 대하여 행하여진다. 마그네슘재에 본 발명에 의한 표면처리 후, 가공처리하면 실리콘 코팅층이 손상되어 내식성을 나타내지 못하기 때문이다.
상기 본 발명에 의한 마그네슘재의 표면처리 방법에 의하면 마그네슘재; 마그네슘재의 최소 일면상의 마그네슘 산화막 및 상기 마그네슘 산화막상의 실리콘 코팅층을 포함하는 마그네슘재가 제공된다. 상기 본 발명에 의한 표면처리는 필요에 따라 마그네슘재의 일면 또는 양면에 행하여질 수 있다.
본 발명에 의한 방법으로 표면처리하여 개선된 내식성이 부여된 마그네슘재는 이로써 한정하는 것은 아니지만, 예를들어, 최근 컴퓨터, 휴대전화, 자동차 부품, 정밀 전자기기 부품 및 가전제품 등 경량화 제품에 광범위하게 적용될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 설명하는 것으로 이로써 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
실시예 1: 본 발명에 의한 마그네슘재의 표면처리
마그네슘재(AZ31 판재)를 상온의 pH 11의 암모니아수에 3분간 침적하여 탈지하였다. 한편, 하기 표 1과 같은 조성으로 실리콘 전구체 솔겔 조성물을 제조하였다. 하기 발명예 1 내지 3의 솔겔용액에서 실리콘 전구체인 테트라에톡시실란(TEOS), 및 메틸트리에톡시실란(MTES) 그리고 이소프로필알코올을 2:1:2 체적비로 충분히 교반하여 혼합하고 여기에 HF 산촉매를 용액의 pH가 3 내지 4가 되도록 첨가하였다. 그 후, 하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 발명예의 용액에 로다민 1.3 mass %, 20 mass% Fe(NO3)3, 20 mass % Fe(NO3)3과 10 mass% Co(NO3)2 의 안료를 첨가하였다.
실리콘 전구체 알코올 산촉매 염료
발명예 1 TEOS 및 MTES 99.5wt% 이소프로필 알코올 HF 로다민 1.3 mass %,
발명예 2 TEOS 및 MTES 99.5wt% 이소프로필 알코올 HF Fe(NO3)3 20 mass%
발명예 3 TEOS 및 MTES 99.5wt% 이소프로필 알코올 HF Fe(NO3)3 20 mass % 및 Co(NO3)2 10 mass%
탈지된 마그네슘재에 상기 발명예 1 내지 3의 실리콘 전구체 솔겔 조성물을 이용하여 1㎛의 건조피막 두께가 되도록 분사하였다. 그 후, 200℃로 2시간 동안 상기 실리콘 전구체 솔겔 조성물을 가열 건조하여 실리콘 코팅층을 형성하였다.
실시예 2: 내식성 시험
상기 실시예 1의 표면처리에 사용된 마그네슘재(AZ31 판재) 및 발명예 1 내지 3의 솔겔용액으로 표면처리된 마그네슘재에 대한 내식성 시험을 행하였으며, 24시간 염수분무 시험 전과 후의 마그네슘 함금의 표면 사진을 비교하여 도 1 내지 4에 나타내었다.
염수분무시험은 JIS Z 2371에 의거하여 5중량% NaCl 염수용액을 24시간동안 연속으로 분무하는 방법으로 행하였다. 도 1 내지 4에서 확인할 수 있는 바와 같이, 표면처리되지 않은 마그네슘재(도 1)는 강판의 전면이 심하게 부식됨을 확인할 수 있었다. 이와 달리 본 발명에 의한 방법으로 표면처리된 마그네슘재(도 2 내지 도4)은 24시간 염수 분무 시험 후에도 표면처리되지 마그네슘재에 비하여 부식된 부분이 현저하게 적음을 확인할 수 있었다.
또한, 솔겔용액에 상기 표 1에 나타낸 바와 같은 염료를 배합하므로써 마그네슘재에 색상을 구현하여 심미감을 부여할 수 있음을 확인하였다.

Claims (9)

  1. 마그네슘재를 알칼리 용액 혹은 암모니아수로 탈지하는 단계;
    탈지된 상기 마그네슘재에 실리콘 전구체, 알코올 및 산촉매를 포함하는 실리콘 전구체 솔겔 조성물로실리콘 코팅층을 형성하는 단계; 및
    건조하는 단계를 포함하는 마그네슘재의 표면처리방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 전구체 솔겔 조성물은 실리콘 전구체, 알코올 및 산촉매를 포함하며, 실리콘 전구체는 테트라메톡시실란, 트리메톡시실란, 테트라에톡시 실란, 트리에톡시실란, 테트라프로폭시실란, 테트라부톡시실란, 테트라키스(2-메톡시에톡시)실란, 테트라벤질옥시 실란, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디에톡시실란, γ-이소시아네이트 프로필 트리메톡시 실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필 트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, 혹은 γ-(2-아미노에틸)프로필 트리메톡시실란)과 같은 알콕시 실란류, 테트라 이소프로페닐 옥시실란, 페닐트리이소프로페닐 옥시실란, γ-이소시아네이트 프로필 트리이소프로페닐 옥시실란, γ-메타크릴옥시 포로필 트리이소프로페닐 옥시실란, γ-메르캅토 프로필 트리 이소프로페닐 옥시실란 혹은 테트라부테닐옥시실란과 같은 알케닐 옥시실란류; 테트라아세톡시실란, 메틸트리아세톡시실란, γ-메르캅토프로필트리아세톡시실란, 테트라프로피오닐옥시실란, 페닐트리프로피오닐옥시실란 또는 비닐트리아세톡시실란과 같은 아실옥시실란류; 및 테트라클로로실란, 페닐트리클로로실란, 테트라브로모실란 혹은 벤질 트리브로모실란과 같은 할로실란류, 테트라키스(디메틸이미노옥시)실란, 메틸트리스(디메틸이미노옥시)실란, 테트라키스(메틸-에틸이미노옥시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리스(디메틸 이미노옥시)실란류로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종임을 특징으로 하는 마그네슘재 표면처리방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 알코올은 에탄올 및 이소프로필 알코올로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종임을 특징으로 하는 마그네슘재 표면처리방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 산촉매는 불화수소산(HF) 및 질산으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종임을 특징으로 하는 마그네슘재 표면처리방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 전구체와 알코올은 3:2 내지 2:1 체적비로 배합됨을 특징으로 하는 마그네슘재 표면처리방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 산촉매는 솔젤 조성물이 pH 3 내지 4가 되도록 배합됨을 특징으로 하는 마그네슘재 표면처리방법.
  7. 제 1 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 전구체 솔겔 조성물은 질산철(Fe(NO3)3), 염화제이철(FeCl3), 질산코발트(Co(NO3)2) 및 로다민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 안료를 추가로 포함하는 마그네슘재 표면처리방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 실리콘 코팅층을 형성하는 단계를 2회 이상 반복하여 2층 이상의 실리콘 코팅층을 형성하는 마그네슘재 표면처리방법.
  9. 마그네슘재; 마그네슘재의 최소 일면상의 마그네슘 산화막 및 상기 마그네슘 산화막상의 실리콘 코팅층을 포함하는 표면처리된 마그네슘재.





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