KR20120068850A - 캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법, 상응하는 미세기계 구성 요소 및 미세기계 구성 요소용 캡슐 - Google Patents
캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법, 상응하는 미세기계 구성 요소 및 미세기계 구성 요소용 캡슐 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120068850A KR20120068850A KR1020127005655A KR20127005655A KR20120068850A KR 20120068850 A KR20120068850 A KR 20120068850A KR 1020127005655 A KR1020127005655 A KR 1020127005655A KR 20127005655 A KR20127005655 A KR 20127005655A KR 20120068850 A KR20120068850 A KR 20120068850A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- capsule
- micromechanical component
- mems functional
- functional wafer
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims abstract description 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 13
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 13
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0174—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate for making multi-layered devices, film deposition or growing
- B81C2201/019—Bonding or gluing multiple substrate layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
본 발명은 캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법과, 상응하는 미세기계 구성 요소 및, 미세기계 구성 요소용 캡슐에 관한 것이다. 상기 방법은, 복수의 구멍들(K; K')을 갖는 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')을 형성하는 단계와, 전방면(VS; VS')의 구멍들(K; K")을 폐쇄하는 캡슐 기판(KD; KD')을 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 전방면(VS; VS') 상에 적층하는 단계와, 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 후방면(RS; RS') 상에 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')를 적층하는 단계를 포함하며, 이 경우 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')는 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')의 상응하는 기능 영역들(FB; FB') 상에 구멍들(K; K')이 각각의 공동부를 형성하도록 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')에 대해 정렬된다.
Description
본 발명은 캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법과, 상응하는 미세기계 구성 요소 및, 미세기계 구성 요소용 캡슐에 관한 것이다.
본 발명과 본 발명의 기초가 되는 배경 지식은 임의의 미세기계 구성 요소들에 적용될 수 있지만, 실리콘 기술의 미세기계 구성 요소와 관련하여 설명된다.
MEMS(MEMS = Micro Electro Mechanical Systems: 미세 전자 기계 시스템) 구성 요소들은 유해한 외부 환경 영향(예를 들어, 습기, 자극적 매체 등)에 대해 보호되어야 한다. 기계적 접촉/파괴에 대한 보호뿐만 아니라, 하나의 웨이퍼 복합재를 소잉(sawing)에 의해 칩들로 개별화 할 수 있는 것도 마찬가지로 요구된다.
실리콘, 유리 또는 이들 두 재료의 복합재로 구성되며 공동부와 관통 홀을 포함하는 캡슐 웨이퍼를 이용한 MEMS 구성 요소의 캡슐화 방식은 웨이퍼 복합재에 지난 수년간 확립되어 왔다. 이를 위해 캡슐 웨이퍼는 MEMS 구조를 갖는 웨이퍼에 대해 정렬되어 웨이퍼와 접합된다. 이러한 접합은 애노드 접합(접합제 없이 이루어지는 유리와 실리콘 사이의 연결), 공융 접합층뿐만 아니라 유리 납땜 또는 접착제에 의해서도 실행될 수 있다. MEMS 구성 요소는 캡슐 웨이퍼의 공동부 하부에 놓인다. 얇은 와이어를 이용하여 부품을 전기 접속하기 위한 전기 본딩 패드에 대한 접근은 캡슐 웨이퍼의 관통 홀을 통해 가능하다.
예컨대 마이크로미러와 같은 광학 MEMS(MOEMS)를 위해서는 전술한 보호 장치, 전기 접속용 관통 홀뿐만 아니라, 공동부 상에는 높은 품질과 경우에 따라서는 특수한 광학 코팅층도 갖는 각각의 광학 윈도우가 요구된다.
종래의 적용예들(예를 들어, 가속도, 회전 속도 및 압력 측정을 위한 미세기계 센서들)에서는 캡슐 밀폐에 대한 요구가 높다. 이러한 이유로, 애노드 접합, 유리 납땜 접합 또는 공융 접합에 의한 고가의 밀폐식 캡슐화 방법(이는 유리 및/또는 실리콘 웨이퍼를 이용한다)이 주로 실시되었다.
기계적 접촉/파괴에 대한 보호뿐만 아니라, 소잉에 의한 개별화 가능성을 요구하지만, 캡슐 밀폐에 대한 요구가 매우 높지는 않은 새로운 적용예들을 위해, 보호 캡슐을 위한 비용 면에서 유리한 다른 재료들 또는 다른 접합 방법들이 개발되었다.
지난 수년간, 새로운 캡슐화 방법(박층 캡슐화)이 특히 개발되었으며, 상기 방법은 캡슐 웨이퍼를 생략하는 대신 중공 챔버 또는, 노출될 미세기계 구조와 통상의 증착 공정에 의해 형성된 실리콘층 사이의 공동부를 캡슐층으로서 형성한다.
DE 10 2006 049 259 A1호에는 캡슐층을 갖는 미세기계 구성 요소의 제조 방법이 공지되어 있으며, 이 경우 충전층 상에 캡슐층이 증착된 다음 캡슐층에는 미세공이 형성된다. 후속해서, 미세공들을 통해 유입된 ClF3을 이용한 기상 에칭에 의해 충전층이 제거되며, 이때 에칭 혼합물의 선택성과 충전층의 조성물은 이들이 캡슐층에 영향을 미치지 못할 정도로 캡슐층에 비해 선택성이 충분히 크도록 조정된다. 충전층의 제거 후, 폐쇄층 증착에 의해 미세공이 밀봉될 수 있다.
DE 10 2007 022 509 A1호에는 박층 캡슐화를 이용한 미세기계 부품의 제조 방법이 공지되어 있으며, 중합체의 분해로 인해 비-대기(non-atmospheric) 조성물을 포함하는 기체가 공동부 내에 포함된다.
제1항에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 본 발명에 따른 제조 방법과, 제12항에 따른 상응하는 미세기계 구성 요소는 낮은 제조 비용을 특징으로 한다. 캡슐 기판 내에는 광학 윈도우 또는 전기식 도금 관통 홀 및 도체 레일이 통합될 수 있다.
본 발명의 핵심은 중간 기판(예컨대, 하나의 플라스틱 필름과 2개의 선택적 접착층)에서 추후 공동부들의 지점에 예컨대 천공에 의해 구멍들이 제공될 수 있다는 점이다. 이후 중간 기판은 천공되지 않은 캡슐 기판, 예컨대 추가의 플라스틱 필름 상에 적층된다.
요구될 수도 있는 관통 홀들의 지점에서는 두 기판들 즉, 복합재의 캡슐 기판과 중간 기판의 재료가 후속해서 천공될 수 있다. 그 결과, 공동부와 관통 홀을 구비한 적층물이 형성된다. 형성되는 적층물은 마지막으로 MEMS 기능 웨이퍼 상에 적층된다.
적층물 또는 캡슐 기판 및 중간 기판을 위한 플라스틱 필름으로는 예컨대 이축 배향된 폴리에스테르 필름(boFET)(예를 들어, , , )이 적합하며 이는 고온에서도 높은 형태 안정성을 갖는다. 습기 및 가스 침투율을 요구 수치로 감소시키기 위해, 적층물 상에 또는 적층물 내에 금속층들이 제공될 수 있다. 대략 50㎛ 내지 1,400㎛의 두께를 갖는 불투명 구성과 투명 구성의 금속층이 제공된다.
중간 기판 또는 캡슐 기판의 한쪽 또는 양쪽에 접착층 또는 보호 필름이 도포될 수도 있다. 중간 기판의 이러한 접착층 또는 보호 필름 내에는 공동부들이 문제 없이 각인될 수 있다. 상응하는 필름 상에 접착층이 이미 도포되어 있으므로, 접합층 도포를 위한 추가의 공정은 필요하지 않다. 추가의 보호 필름이 제공되면, 취급이 더 쉬워질 수 있다.
이러한 층들은 연성 회로 기판용 전자 부품에서 사용되므로, 다양한 코팅층(이는 바니시, 잉크, 감광성 유제이거나, 전기 도체 레일과 도금 관통 홀을 위한 구리층도 갖는다)을 갖는 납땜 가능한 실시예에서도 가능하다. 기판-필름 재료는 전술한 재료에 국한되지 않는다. 물론, 다른(예컨대, 회로 기판에 적합한) 재료들도 사용될 수 있다.
본 발명은 이미 언급한 장점들 외에, 캡슐 기판 또는 중간 기판이 매우 얇은 두께로 구현될 수 있다는 장점을 제공한다. 간단하고 신속하며 비용 면에서 유리한 소잉 또는 다른 방식의 개별화도 마찬가지로 가능하다.
실리콘 또는 유리 또는 다른 웨이퍼 재료들과 함께 플라스틱 필름을 적층하는 것도 마찬가지로 문제없이 가능하다.
종속항들에 기재되어 있는 특징들은 본 발명의 관련 대상의 바람직한 개선예들과 개선 사항들에 관한 것이다.
본 발명의 실시예들은 도면에 도시되어 있으며 이하의 상세한 설명에서 더 자세히 설명된다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도이다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제2 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도이다.
도면들에서 동일한 도면 부호들은 동일한 또는 기능이 동일한 요소들을 표시한다.
도 1a 내지 도 1h에는 본 발명의 제1 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도가 도시되어 있다.
도 1a에는 이하의 구성 부분들을 포함하는 중간 기판이 도면 부호 1로 표시되어 있다: 예컨대 , 또는 로 구성된 플라스틱 필름(KS)과, 플라스틱 필름 상에 스퍼터링되며 알루미늄으로 구성된 금속층(M1)과, 금속층(M1) 상에 제공되며 플라스틱 접착제로 구성된 제1 접착층(H1)과, 플라스틱 필름(KS) 하부에 제공되며 플라스틱 접착제로 구성된 제2 접착층(H2)과, 제1 접착층(H1) 상의 제1 보호 필름(S1)과, 제2 접착층(H2) 상의 제2 보호 필름(S2). 중간 기판(1)의 핵심 부분은 플라스틱 필름(KS)이며, 그외 층들은 선택적이다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 캡슐화될 미세기계 구성 요소의 공동부들이 추후에 위치하게 될 지점들에 구멍(K)을 형성하기 위해 미세 천공 단계가 실행된다.
계속해서, 중간 기판(1)의 전방 측 보호 필름(S1)이 제거되며(도 1c 참조), 상기 측면에서 노출된 전방 측 제1 접착층(H1) 상에는 추가의 플라스틱 필름(이는 예를 들어, , 또는 로 구성된다) 또는 웨이퍼 재료로 구성된 캡슐 기판(KD)이 적층된다. 캡슐 기판(KD)의 상부 측에는 마찬가지로 보호 필름이 선택적으로 지지되며 이는 도면 부호 S3로 표시되어 있다. 캡슐 기판(KD)은 제1 보호 필름(S1)이 제거된 중간 기판(1')의 전방면(VS)의 구멍(K)을 이러한 적층에 의해 폐쇄한다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 중간 기판(1') 및, 보호 필름(S3)과 함께 적층된 캡슐 기판(KD)에는 후속해서 관통 홀(D)이 제공되며, 이는 구멍(K)에 대해 측방향으로 오프셋되게 놓인다. 추후, 이러한 관통 홀(D)을 관통하여 MEMS 기능 웨이퍼(3)의 접촉 영역(KP)에 접근할 수 있어야 한다(도 1e 참조).
도 1e에 도시된 바와 같이 후속 단계에서, 제2 보호 필름(S2)이 제거된 중간 기판(1") 및 캡슐 기판(KD)으로 구성된 적층물은 복수의 구성 요소들과 함께 캡슐화될 MEMS 기능 웨이퍼(3)에 대해 정렬되는데, 정확히 말하자면 구멍들(K)(도 1에는 이들 중 단 하나만이 도시되어 있다)이 MEMS 기능 웨이퍼(3)의 상응하는 기능 영역(FB)에 상에 각각의 공동부들을 형성하도록 정렬된다. 마찬가지로 관통 홀(D)(도 1에는 이들 중 단 하나만이 도시되어 있다)은 MEMS 기능 웨이퍼(3)의 상응하는 접촉 영역(KP) 상에 배치되도록 정렬된다.
추가적으로 본 실시예에서는 알루미늄으로 구성된 금속층(M2)과 상기 금속층 위에 놓이며 플라스틱 접착제로 구성된 접착층(H3)으로 선택적으로 코팅되어 있으며 유리로 구성된 베이스 기판(SS)이 MEMS 기능 웨이퍼의 후방면에 대해 정렬되므로, 각각 하나의 멤브레인 영역(ME)을 포함하는 중공의 기능 영역(FB)을 상기 후방면으로부터 폐쇄할 수 있다. 이와 같은 기능 영역(FB)은 예컨대 마이크로미러 구조를 포함할 수 있다.
도 1e에 따른 전체 정렬 이후, 도 1f에 도시된 바와 같이 베이스 기판(SS)과, MEMS 기능 웨이퍼(3)와, 캡슐 기판(KD)에 연결된 중간 기판(1")은 압력 및 경우에 따라 고온 하에서 결합되어 도 1f에 도시된 복합재를 형성한다. 후속해서 캡슐 기판(KD)의 상부면으로부터 스트리핑에 의해 보호 필름(S3)이 제거된다.
계속해서, 소잉에 의해 구성 요소들이 개별화되며(도 1g 참조), 도 1g에는 소잉 라인(SL1, SL2)이 개략적으로 도시되어 있다.
소잉 이후 도 1h에 도시된 캡슐화된 칩(C)이 획득되며, 본 실시예에서 상기 칩은 마이크로미러 칩이다.
도 2a 내지 도 2e에는 본 발명의 제2 실시예에 따라 캡슐화된 미세기계 구성 요소의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 횡단면도가 도시되어 있다.
도 2a에 도시된 제2 실시예의 공정 상태는 도 1c에 도시된 제1 실시예의 공정 상태에 상응한다.
제1 실시예와 달리, 제2 실시예의 중간 기판(2)은 전방면(VS') 상에 금속층을 포함하지 않으며, 접착층(H1')이 플라스틱 필름(KS') 상에 도포된다. 마찬가지로 플라스틱 필름(KS') 상에는 후방 측 접착층(H2')이 도포되며 그 위에는 보호 필름(S2')이 놓여 있다. 중간 기판(2) 상에 적층된 캡슐 기판(KD')은 전방 측 보호 필름(S3')을 지지하고 있다.
또한, 제2 실시예는 관통 홀(D)이 아니라, 배선 장치(DK1, DK2)가 중간 기판(2)과 캡슐 기판(KD')에 제공됨으로써 제1 실시예와 구별되며, 배선 장치는 접착층(HS')의 후방면으로부터 캡슐 기판(KD')의 전방면까지 연장된다.
후방 측 보호 필름(S2')의 스트리핑 이후, 도 2b에 도시된 바와 같이 중간 기판(2')과 캡슐 기판(KD')으로 구성된 적층물의 후방면에서 접촉부(DK1, DK2) 중 노출된 영역들 상에 도전성 접착제(LK)가 도포된다. 이는 예컨대 스크린 프린팅에 의해 실행될 수 있다.
도 2c에는, 보호 필름(S2')이 제거되고 상부에 캡슐 기판(KD')이 적층되어 있는 중간 기판(2')으로 구성된 적층물이 멤브레인 영역(ME')을 구비한 기능 영역(FB')을 포함하는 MEMS 기능 웨이퍼(3')에 대해 정렬된 것이 도시되어 있다. 이러한 실시예의 경우 MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상부면에는 기능 영역(FB') 외에도 접촉 영역들(KP1 또는 KP2)이 제공된다.
이러한 배치는, 멤브레인 영역(ME')을 구비한 MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상응하는 기능 영역(FB') 상에 각각의 공동부를 구멍(K')이 형성하고, MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상응하는 접촉 영역들(KP1 또는 KP2) 상에 배선 장치(DK1, DK2)가 배치되도록, 전술한 제1 실시예와 유사하게 실행된다.
전체 정렬 이후, 압력 및 경우에 따라 고온 하에서 적층이 실행되며, 이는 도 1d에 따른 공정 상태를 야기한다.
상기 실시예의 경우 베이스 기판에 의한 후방 측 캡슐화는 제공되지 않지만, 선택적으로는 마찬가지로 가능하다.
도 1g에 상응하게 소잉 라인(SL1' 및 SL2')이 도 2d에 제공되며, 도 2e에 도시된 바와 같이 상기 소잉 라인을 따라 웨이퍼를 개별 칩들(C')로 개별화하기 위한 소잉이 실행된다.
앞서 본 발명이 바람직한 실시예들에 기초하여 설명되었을지라도, 본 발명은 이에 국한되는 것이 아니라, 다양한 방식으로 변형될 수 있다.
특히, 상기 재료들은 예시적으로만 언급되며, 요구된 기계적 및/또는 광학적 특성을 갖는 다른 재료들로 대체될 수 있다.
전술한 제1 실시예에서 중간 기판 상의 금속층이 스퍼터링된 알루미늄층이었을지라도, 다른(예를 들어, 광학적으로 효율적인) 코팅층도 제공될 수 있는데, 예를 들면 필터 코팅층, 반사 방지 코팅층, 편광 코팅층 등이 사용될 수 있다.
전술한 실시예들에서 플라스틱 필름(예컨대, , , 또는 )이 중간 기판과 캡슐 기판을 위한 예시로서 언급되고, 유리가 베이스 기판용으로 언급되었지만, 다른 재료들도 상기 기판들을 위해 사용될 수 있다.
원리적으로, 기판들(KS, KD 또는 SS) 모두는 금속 필름, 유리, 실리콘 또는 다른 적합한 플라스틱으로 구성될 수도 있다.
Claims (15)
- 복수의 구멍들(K; K')을 갖는 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')을 형성하는 단계와,
전방면(VS; VS')의 구멍들(K; K")을 폐쇄하는 캡슐 기판(KD; KD')을 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 전방면(VS; VS') 상에 적층하는 단계와,
중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 후방면(RS; RS') 상에 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')를 적층하는 단계를 포함하는, 미세기계 구성 요소 제조 방법이며,
이 경우 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')는 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')의 상응하는 기능 영역들(FB; FB') 상에 구멍들(K; K')이 각각의 공동부를 형성하도록 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법. - 제1항에 있어서, 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2') 및/또는 캡슐 기판(KD; KD')은 플라스틱 필름(KS; KS')을 포함하는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2') 상에는 전방 측 및 후방 측 접착층(H1, H2; H1', H2')이 도포되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')은 전방면(VS) 상에 금속층(M1)을 포함하는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')은 전방 측 및 후방 측 보호 필름(S1, S2; S2')을 포함하며, 상기 보호 필름은 구멍들(K; K')이 형성된 후 캡슐 기판(KD; KD')과 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')의 적층을 위해 제거되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 캡슐 기판(KD)의 적층 후와 MEMS 기능 웨이퍼(3)의 적층 전, 구멍(K)에 대해 측방향으로 오프셋되게 관통 홀(D)이 중간 기판(1, 1', 1") 및 적층된 캡슐 기판(KD)을 관통하여 형성되며, MEMS 기능 웨이퍼(3)의 상응하는 접촉 영역(KP) 상에 관통 홀(D)이 배치되도록 적층 시 MEMS 기능 웨이퍼(3)가 중간 기판(1, 1', 1")에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 중간 기판(2, 2')과 캡슐 기판(KD')에 배선 장치(DK1, DK2)가 제공되며, MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상응하는 접촉 영역(KP1, KP2) 상에 배선 장치(DK1, DK2)가 배치되도록 적층 시 MEMS 기능 웨이퍼(3')가 중간 기판(2, 2')에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 배선 장치(DK1, DK2)와 MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상응하는 접촉 영역(KP1, KP2) 사이에는 적층 전에 도전성 접착제(LK)가 제공되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 캡슐 기판(KD; KD') 상에 상부 측 보호 필름(S3; S3')이 제공되며, 보호 필름은 MEMS 기능 웨이퍼(3)의 적층 후 제거되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 베이스 기판(SS)은 캡슐 기판(KD; KD') 맞은편 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')의 측면 상에 적층되는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 기능 영역(FB; FB')은 각각의 멤브레인 영역(ME; ME')을 포함하는, 미세기계 구성 요소 제조 방법.
- 복수의 구멍들(K; K')을 갖는 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')과,
중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 전방면(VS; VS') 상에 적층되며 전방면(VS; VS')의 구멍들(K; K')을 폐쇄하는 캡슐 기판(KD; KD')과,
중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 후방면(RS; RS') 상에 적층된 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')를 구비한 미세기계 구성 요소이며,
MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')는 MEMS 기능 웨이퍼(3; 3')의 상응하는 기능 영역들(FB; FB') 상에 구멍들(K; K')이 각각의 공동부를 형성하도록 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소. - 제12항에 있어서, 중간 기판(1, 1', 1") 및 적층된 캡슐 기판(KD)을 관통하는 관통 홀(D)이 형성되며, MEMS 기능 웨이퍼(3)의 상응하는 접촉 영역(KP) 상에 관통 홀(D)이 배치되도록 MEMS 기능 웨이퍼(3)가 중간 기판(1, 1', 1")에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소.
- 제10항에 있어서, 중간 기판(2, 2')과 캡슐 기판(KD')에 배선 장치(DK1, DK2)가 제공되며, MEMS 기능 웨이퍼(3')의 상응하는 접촉 영역(KP1, KP2) 상에 배선 장치(DK1, DK2)가 배치되도록 MEMS 기능 웨이퍼(3')가 중간 기판(2, 2')에 대해 정렬되는, 미세기계 구성 요소.
- 복수의 구멍들(K; K')을 갖는 중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')과,
중간 기판(1, 1', 1"; 2, 2')의 전방면(VS; VS') 상에 적층되며 전방면(VS; VS')의 구멍들(K; K')을 폐쇄하는 캡슐 기판(KD; KD')을 구비한, 미세기계 구성 요소용 캡슐.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009029184A DE102009029184A1 (de) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | Herstellungsverfahren für ein verkapptes mikromechanisches Bauelement, entsprechendes mikromechanisches Bauelement und Kappe für ein mikromechanisches Bauelement |
DE102009029184.9 | 2009-09-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120068850A true KR20120068850A (ko) | 2012-06-27 |
Family
ID=43514140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020127005655A KR20120068850A (ko) | 2009-09-03 | 2010-08-02 | 캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법, 상응하는 미세기계 구성 요소 및 미세기계 구성 요소용 캡슐 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120235252A1 (ko) |
EP (1) | EP2473438A1 (ko) |
KR (1) | KR20120068850A (ko) |
CN (1) | CN102482074A (ko) |
DE (1) | DE102009029184A1 (ko) |
WO (1) | WO2011026699A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102246532B (zh) | 2008-12-15 | 2014-04-02 | 爱立信电话股份有限公司 | 用于避免传送的媒体内容质量恶化的方法和设备 |
DE102009045541B4 (de) | 2009-10-09 | 2019-03-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Vorrichtung |
ITTO20130247A1 (it) * | 2013-03-26 | 2014-09-27 | St Microelectronics Srl | Metodo di incapsulamento di un dispositivo trasduttore mems e dispositivo trasduttore mems incapsulato |
US9120298B2 (en) * | 2013-09-16 | 2015-09-01 | Fluxergy, Llc | Method of continuously manufacturing microfluidic chips with BoPET film for a microfluidic device and microfluidic chips with BoPET film |
US10355624B2 (en) | 2014-10-09 | 2019-07-16 | Carnegie Mellon University | Electrostatic clutch |
WO2016057963A1 (en) * | 2014-10-09 | 2016-04-14 | Carnegie Mellon University | Electrostatic clutch |
DE102015216461A1 (de) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektronische Bauelementanordnung, System mit einer mikroelektronischen Bauelementanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren für eine mikroelektronische Bauelementanordnung |
DE102017218155A1 (de) * | 2017-10-11 | 2019-04-11 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Vorrichtung mit überdeckendem Bondrahmen |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3846094B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2006-11-15 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
EP1238423A2 (en) * | 1999-12-08 | 2002-09-11 | Analog Devices, Inc. | Methods for separating microcircuit dies from wafers |
US7049528B2 (en) * | 2002-02-06 | 2006-05-23 | Ibiden Co., Ltd. | Semiconductor chip mounting wiring board, manufacturing method for same, and semiconductor module |
JP4746847B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2011-08-10 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4552783B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2010-09-29 | 株式会社デンソー | 半導体センサ |
US7932594B2 (en) * | 2005-11-16 | 2011-04-26 | Kyocera Corporation | Electronic component sealing substrate for hermetically sealing a micro electronic mechanical system of an electronic component |
DE102006049259A1 (de) | 2006-10-19 | 2008-04-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelementes mit einer Dünnschicht-Verkappung |
DE102007022509B4 (de) | 2007-05-14 | 2015-10-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Bauteil mit Dünnschichtverkappung und Herstellungsverfahrung |
TW200919593A (en) * | 2007-10-18 | 2009-05-01 | Asia Pacific Microsystems Inc | Elements and modules with micro caps and wafer level packaging method thereof |
US8193596B2 (en) * | 2008-09-03 | 2012-06-05 | Solid State System Co., Ltd. | Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package |
-
2009
- 2009-09-03 DE DE102009029184A patent/DE102009029184A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-08-02 KR KR1020127005655A patent/KR20120068850A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-02 WO PCT/EP2010/061185 patent/WO2011026699A1/de active Application Filing
- 2010-08-02 US US13/393,412 patent/US20120235252A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-02 CN CN2010800390642A patent/CN102482074A/zh active Pending
- 2010-08-02 EP EP10739911A patent/EP2473438A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2473438A1 (de) | 2012-07-11 |
DE102009029184A1 (de) | 2011-03-10 |
US20120235252A1 (en) | 2012-09-20 |
CN102482074A (zh) | 2012-05-30 |
WO2011026699A1 (de) | 2011-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20120068850A (ko) | 캡슐화된 미세기계 구성 요소 제조 방법, 상응하는 미세기계 구성 요소 및 미세기계 구성 요소용 캡슐 | |
JP6187684B2 (ja) | 部品上にパターン化されたコーティングを形成する方法 | |
US7829366B2 (en) | Microelectromechanical systems component and method of making same | |
US8216884B2 (en) | Production methods of electronic devices | |
US7807506B2 (en) | Microelectromechanical semiconductor component with cavity structure and method for producing the same | |
US8877074B2 (en) | Methods of manufacturing microdevices in laminates, lead frames, packages, and printed circuit boards | |
JP6176803B2 (ja) | Memsデバイスおよびmemsデバイスのカプセル化方法 | |
TW201012740A (en) | Encapsulation, MEMS and method of selective encapsulation | |
KR20150102504A (ko) | 임베디드 기판 및 임베디드 기판의 제조 방법 | |
CN101764105B (zh) | 具有空洞部的电路基板及其制造方法、使用该电路基板的电路装置的制造方法 | |
JP2000236038A (ja) | 高密度の半導体基板の作製方法および高密度焼結基板 | |
TW201424501A (zh) | 封裝結構及其製作方法 | |
TW201232726A (en) | Interposer and method for forming the same | |
US9769928B2 (en) | High efficiency embedding technology | |
KR101063454B1 (ko) | 인쇄회로기판 제조 방법 | |
US20120255770A1 (en) | Carrier and Method for Fabricating Thereof | |
TWI572258B (zh) | 內埋式元件封裝結構的製作方法 | |
Newton et al. | Digital manufacturing and performance testing for military grade application specific electronic packaging (ASEP) | |
JP2005039078A (ja) | 薄板基板構造形成用ウエーハ基板、この製造方法およびmems素子の製造方法 | |
CN108012402B (zh) | 线路板及其制作方法 | |
Matsuura et al. | Evaluation of Residual Stress of Embedded Die Substrate with Hollow Structure for Heterogeneous Integration | |
KR20190068641A (ko) | 전자 장치들 내에서의 지연된 비아 형성 | |
CN113299569B (zh) | 大板级扇出基板倒装芯片封装结构的制备方法 | |
JP2010010313A (ja) | 部品内蔵基板の製造方法 | |
CN111246662A (zh) | 载板结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |